JP2001080956A - 圧電体セラミックおよびそれを用いた積層型圧電振動子 - Google Patents
圧電体セラミックおよびそれを用いた積層型圧電振動子Info
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
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- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 W元素を含むPbTiO3焼結体において、
W化合物またはW酸化物の偏析を抑制することのできる
圧電体セラミック、および圧電振動子を提供する。 【解決手段】 チタン酸鉛を主成分とし、副成分とし
て、マンガン元素を含む酸化物または化合物およびタン
グステン元素を含む酸化物または化合物を含有し、かつ
ケイ素元素を含む酸化物または化合物を含有させる。あ
るいは、PbTiO3と、Pb(MnyW(1-y))O3とか
らなる主成分に、SiO2またはPbSiO3を含有させ
る。
W化合物またはW酸化物の偏析を抑制することのできる
圧電体セラミック、および圧電振動子を提供する。 【解決手段】 チタン酸鉛を主成分とし、副成分とし
て、マンガン元素を含む酸化物または化合物およびタン
グステン元素を含む酸化物または化合物を含有し、かつ
ケイ素元素を含む酸化物または化合物を含有させる。あ
るいは、PbTiO3と、Pb(MnyW(1-y))O3とか
らなる主成分に、SiO2またはPbSiO3を含有させ
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、圧電体セラミッ
ク、特にチタン酸鉛を主成分とする圧電体セラミックに
関する。
ク、特にチタン酸鉛を主成分とする圧電体セラミックに
関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、通信機用のフィルタや、CP
U用クロック、センサ等の圧電振動子には、圧電体セラ
ミックが用いられている。このような圧電体セラミック
としては、PbTiO3を主成分とするものや、PbT
iO3−PbZrO3を主成分とするものなどがある。
U用クロック、センサ等の圧電振動子には、圧電体セラ
ミックが用いられている。このような圧電体セラミック
としては、PbTiO3を主成分とするものや、PbT
iO3−PbZrO3を主成分とするものなどがある。
【0003】このうち、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分
とする圧電体セラミックは、電気機械結合係数は大きい
ものの、キュリー点が300℃程度と低いため、それ以
上の高温下での環境では使用できなかった。また、誘電
率が1000程度と大きいため、高周波領域に用いる圧
電振動子には適さなかった。
とする圧電体セラミックは、電気機械結合係数は大きい
ものの、キュリー点が300℃程度と低いため、それ以
上の高温下での環境では使用できなかった。また、誘電
率が1000程度と大きいため、高周波領域に用いる圧
電振動子には適さなかった。
【0004】したがって、特に高周波領域で用いられる
圧電振動子には、キュリー温度が高く、誘電率が小さい
という特徴を有するチタン酸鉛を主成分とし、副成分と
して、Bi2O3,Cr2O3,MnO2,ZnO等を添加
した圧電体セラミックが用いられている。
圧電振動子には、キュリー温度が高く、誘電率が小さい
という特徴を有するチタン酸鉛を主成分とし、副成分と
して、Bi2O3,Cr2O3,MnO2,ZnO等を添加
した圧電体セラミックが用いられている。
【0005】さらに、特開昭56−2689号公報に
は、(1−x)PbTiO3−xPb(Me1/2M
n1/2)O3(Me:Ta,Nb)二成分基本組成のPb
の1.0〜2.0原子%をSrで置換し、副成分とし
て、WO3,NiOおよびFe2O3の少なくとも一種を
0.05〜2.0重量%添加含有する圧電体セラミック
が開示されている。そして、このような組成にすること
によって、焼結温度の低減、グレイン成長の抑制、温度
特性・経時特性の改善、機械品質係数の改善等が可能に
なるとしている。
は、(1−x)PbTiO3−xPb(Me1/2M
n1/2)O3(Me:Ta,Nb)二成分基本組成のPb
の1.0〜2.0原子%をSrで置換し、副成分とし
て、WO3,NiOおよびFe2O3の少なくとも一種を
0.05〜2.0重量%添加含有する圧電体セラミック
が開示されている。そして、このような組成にすること
によって、焼結温度の低減、グレイン成長の抑制、温度
特性・経時特性の改善、機械品質係数の改善等が可能に
なるとしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、副成分
としてW元素を含むPbTiO3を焼成すると、得られ
た焼結体中にWを含む化合物や酸化物が偏析してしま
う。このように焼結体中にW化合物やW酸化物の偏析が
存在すると、その偏析部分の体積が大きいため、偏析部
分が存在する焼結体を体積の小さいチップ部品に用いた
場合、電気的特性のバラツキの原因になる。また、機械
的強度が低下するため、割れや欠けによる不良が増加し
てしまう。
としてW元素を含むPbTiO3を焼成すると、得られ
た焼結体中にWを含む化合物や酸化物が偏析してしま
う。このように焼結体中にW化合物やW酸化物の偏析が
存在すると、その偏析部分の体積が大きいため、偏析部
分が存在する焼結体を体積の小さいチップ部品に用いた
場合、電気的特性のバラツキの原因になる。また、機械
的強度が低下するため、割れや欠けによる不良が増加し
てしまう。
【0007】本発明の目的は、W元素を含むPbTiO
3焼結体において、W化合物またはW酸化物の偏析を抑
制することのできる圧電体セラミック、および圧電振動
子を提供することにある。
3焼結体において、W化合物またはW酸化物の偏析を抑
制することのできる圧電体セラミック、および圧電振動
子を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような目
的に鑑みてなされたものである。第1の発明の圧電体セ
ラミックは、チタン酸鉛を主成分とし、副成分として、
マンガン元素を含む酸化物または化合物およびタングス
テン元素を含む酸化物または化合物を含有し、かつケイ
素元素を含む酸化物または化合物を含有してなることを
特徴とする。
的に鑑みてなされたものである。第1の発明の圧電体セ
ラミックは、チタン酸鉛を主成分とし、副成分として、
マンガン元素を含む酸化物または化合物およびタングス
テン元素を含む酸化物または化合物を含有し、かつケイ
素元素を含む酸化物または化合物を含有してなることを
特徴とする。
【0009】このような組成にすることによって、キュ
リー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとする
ことができ、かつタングステン元素を含む酸化物や化合
物の偏析を抑制することができる。すなわち、チタン酸
鉛にマンガン元素とタングステン元素を添加することに
より、チタン酸鉛の特長であるキュリー点が高く、誘電
率が小さいという点を生かしながら、焼成温度を低減
し、Pbの蒸発量を抑えることによって、圧電特性のバ
ラツキを低減するとともに、高い機械的品質係数(Qm
t)を得ることができる。さらに、本発明者らは、ケイ
素元素を含む酸化物または化合物がタングステン化合物
や酸化物の偏析を抑制することを見出し、チタン酸鉛に
酸化ケイ素を添加することによって、圧電体セラミック
中でタングステン元素の酸化物や化合物の偏析を抑制さ
せ、均一性、信頼性に優れた圧電体セラミックを得るこ
とが可能となったのである。
リー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとする
ことができ、かつタングステン元素を含む酸化物や化合
物の偏析を抑制することができる。すなわち、チタン酸
鉛にマンガン元素とタングステン元素を添加することに
より、チタン酸鉛の特長であるキュリー点が高く、誘電
率が小さいという点を生かしながら、焼成温度を低減
し、Pbの蒸発量を抑えることによって、圧電特性のバ
ラツキを低減するとともに、高い機械的品質係数(Qm
t)を得ることができる。さらに、本発明者らは、ケイ
素元素を含む酸化物または化合物がタングステン化合物
や酸化物の偏析を抑制することを見出し、チタン酸鉛に
酸化ケイ素を添加することによって、圧電体セラミック
中でタングステン元素の酸化物や化合物の偏析を抑制さ
せ、均一性、信頼性に優れた圧電体セラミックを得るこ
とが可能となったのである。
【0010】また、第2の発明の圧電体セラミックは、
鉛の15mol%以下(0mol%は含まない)をランタン、
ネオジウム、セリウムのうち少なくとも1種で置換した
チタン酸鉛を主成分とし、副成分としてマンガン元素を
含む酸化物または化合物およびタングステン元素を含む
酸化物または化合物を含有し、かつケイ素元素を含む酸
化物または化合物を含有してなることを特徴とする。
鉛の15mol%以下(0mol%は含まない)をランタン、
ネオジウム、セリウムのうち少なくとも1種で置換した
チタン酸鉛を主成分とし、副成分としてマンガン元素を
含む酸化物または化合物およびタングステン元素を含む
酸化物または化合物を含有し、かつケイ素元素を含む酸
化物または化合物を含有してなることを特徴とする。
【0011】このよう組成にすることによって、キュリ
ー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとするこ
とができ、かつ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を抑え
ることによって、圧電特性のバラツキを低減するととも
に、高い機械的品質係数(Qmt)を得ることができ
る。また、タングステン元素を含む酸化物や化合物の偏
析を抑制することができる。また、置換しない場合に比
べ、圧電体セラミックの温度特性をより優れたものにす
ることができる。
ー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとするこ
とができ、かつ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を抑え
ることによって、圧電特性のバラツキを低減するととも
に、高い機械的品質係数(Qmt)を得ることができ
る。また、タングステン元素を含む酸化物や化合物の偏
析を抑制することができる。また、置換しない場合に比
べ、圧電体セラミックの温度特性をより優れたものにす
ることができる。
【0012】また、第3の発明の圧電体セラミックにお
いては、前記主成分に対して、前記マンガン元素を含む
酸化物または化合物をMnOに換算して0.1〜5.0
重量%、および前記タングステン元素を含む酸化物また
は化合物をWO3に換算して0.1〜5.0重量%含有
してなることが好ましい。
いては、前記主成分に対して、前記マンガン元素を含む
酸化物または化合物をMnOに換算して0.1〜5.0
重量%、および前記タングステン元素を含む酸化物また
は化合物をWO3に換算して0.1〜5.0重量%含有
してなることが好ましい。
【0013】このような添加量にすることによって、よ
り顕著に焼結温度の低下と、機械的品質係数の向上を図
ることができる。
り顕著に焼結温度の低下と、機械的品質係数の向上を図
ることができる。
【0014】また、第4の発明の圧電体セラミックにお
いては、前記主成分と前記副成分との総量100重量%
に対して、前記ケイ素元素を含む酸化物または化合物が
SiO2に換算して2.0重量%以下(0重量%は含ま
ない)添加されてなることが好ましい。
いては、前記主成分と前記副成分との総量100重量%
に対して、前記ケイ素元素を含む酸化物または化合物が
SiO2に換算して2.0重量%以下(0重量%は含ま
ない)添加されてなることが好ましい。
【0015】このような添加量にすることによって、他
の特性に影響を与えることなくタングステンの酸化物ま
たは化合物の偏析を効果的に抑制することができる。ま
た、焼結温度を低減させることもできる。
の特性に影響を与えることなくタングステンの酸化物ま
たは化合物の偏析を効果的に抑制することができる。ま
た、焼結温度を低減させることもできる。
【0016】また、第5の発明の圧電体セラミックは、
PbTiO3と、Pb(MnyW(1-y ))O3とからなる主
成分に、SiO2またはPbSiO3を含有してなること
を特徴とする。
PbTiO3と、Pb(MnyW(1-y ))O3とからなる主
成分に、SiO2またはPbSiO3を含有してなること
を特徴とする。
【0017】このような組成にすることによって、キュ
リー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとする
ことができ、かつタングステン元素を含む酸化物や化合
物の偏析を抑制することができる。
リー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとする
ことができ、かつタングステン元素を含む酸化物や化合
物の偏析を抑制することができる。
【0018】また、第6の発明の圧電体セラミックは、
(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3と、Pb(MnyW(1-y))
O3(ただし、Mは、La,Nd,Ceのうち少なくと
も1種、0<x≦0.1、0<y<1)とからなる主成
分に、SiO2またはPbSiO3を含有してなることを
特徴とする。
(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3と、Pb(MnyW(1-y))
O3(ただし、Mは、La,Nd,Ceのうち少なくと
も1種、0<x≦0.1、0<y<1)とからなる主成
分に、SiO2またはPbSiO3を含有してなることを
特徴とする。
【0019】このような組成にすることによって、キュ
リー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとする
ことができ、かつ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を抑
えることによって、圧電特性のバラツキを低減するとと
もに、高い機械的品質係数(Qmt)を得ることができ
る。また、タングステン元素を含む酸化物や化合物の偏
析を抑制することができる。また、置換しない場合に比
べ、圧電体セラミックの温度特性をより優れたものにす
ることができる。
リー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとする
ことができ、かつ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を抑
えることによって、圧電特性のバラツキを低減するとと
もに、高い機械的品質係数(Qmt)を得ることができ
る。また、タングステン元素を含む酸化物や化合物の偏
析を抑制することができる。また、置換しない場合に比
べ、圧電体セラミックの温度特性をより優れたものにす
ることができる。
【0020】また、第7の発明の圧電体セラミックにお
いては、前記PbTiO3、または(Pb(1-3x/2)Mx)
TiO3のモル量をa、Pb(MnyW(1-y))O3のモル
量を(1−a)としたとき、0.9≦a≦0.99、1
/2≦y≦2/3の範囲にあることが好ましい。
いては、前記PbTiO3、または(Pb(1-3x/2)Mx)
TiO3のモル量をa、Pb(MnyW(1-y))O3のモル
量を(1−a)としたとき、0.9≦a≦0.99、1
/2≦y≦2/3の範囲にあることが好ましい。
【0021】このような組成範囲にすることによって、
より顕著に焼結温度の低下と、機械的品質係数の向上を
図ることができる。
より顕著に焼結温度の低下と、機械的品質係数の向上を
図ることができる。
【0022】また、第8の発明の圧電体セラミックにお
いては、前記主成分100重量%に対して、前記SiO
2またはPbSiO3がSiO2に換算して2.0重量%
以下(0重量%は含まない)添加されてなることが好ま
しい。
いては、前記主成分100重量%に対して、前記SiO
2またはPbSiO3がSiO2に換算して2.0重量%
以下(0重量%は含まない)添加されてなることが好ま
しい。
【0023】このような添加量にすることによって、他
の特性に影響を与えることなくタングステンの酸化物ま
たは化合物の偏析を効果的に抑制することができる。ま
た、焼結温度を低減させることもできる。
の特性に影響を与えることなくタングステンの酸化物ま
たは化合物の偏析を効果的に抑制することができる。ま
た、焼結温度を低減させることもできる。
【0024】また、第9の発明の積層型圧電振動子は、
第1の発明から第7の発明のいずれかに記載の板状圧電
体セラミックと、前記圧電体セラミック上に形成される
振動電極とを積層した積層体と、前記積層体の振動電極
と電気的に接続された外部電極とからなることを特徴と
する。
第1の発明から第7の発明のいずれかに記載の板状圧電
体セラミックと、前記圧電体セラミック上に形成される
振動電極とを積層した積層体と、前記積層体の振動電極
と電気的に接続された外部電極とからなることを特徴と
する。
【0025】このような構成にすることによって、耐熱
性に優れ、高周波での使用に適した積層型の圧電振動子
とすることができる。
性に優れ、高周波での使用に適した積層型の圧電振動子
とすることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明の圧電体セラミックは、チ
タン酸鉛を主成分とし、これにマンガン元素とタングス
テン元素の酸化物または化合物が添加され、さらに、ケ
イ素元素を含む酸化物または化合物が添加含有されてい
る。
タン酸鉛を主成分とし、これにマンガン元素とタングス
テン元素の酸化物または化合物が添加され、さらに、ケ
イ素元素を含む酸化物または化合物が添加含有されてい
る。
【0027】本発明のチタン酸鉛は、AサイトとBサイ
トの組成比が1:1のものに限定するものではなく、多
少のズレがあっても構わない。また、鉛の一部を他の元
素で置換してもよい。好ましくはLa,Nd,Ceであ
り、これらの元素で置換することにより、置換しない場
合と比べ温度特性が向上する。なお、La,Nd,Ce
は3価の元素であるため、添加量の3/2molの鉛を置
換することになる。
トの組成比が1:1のものに限定するものではなく、多
少のズレがあっても構わない。また、鉛の一部を他の元
素で置換してもよい。好ましくはLa,Nd,Ceであ
り、これらの元素で置換することにより、置換しない場
合と比べ温度特性が向上する。なお、La,Nd,Ce
は3価の元素であるため、添加量の3/2molの鉛を置
換することになる。
【0028】また、上記マンガン元素の酸化物または化
合物は、圧電体セラミックの機械的品質係数(Qmt)
を向上させるためのものであり、Mn元素が含まれてい
ればどのようなものでもよい。なお、マンガン元素の酸
化物または化合物は、上記チタン酸鉛に対し、MnOに
換算して0.1〜5.0重量%添加することが好まし
い。また、上記タングステン元素の酸化物または化合物
は、圧電体セラミックの焼結温度を低減させるためのも
のであり、W元素が含まれていればどのようなものでも
よい。なお、タングステン元素の酸化物または化合物
は、上記チタン酸鉛に対し、WO3に換算して0.1〜
5.0重量%添加することが好ましい。さらに、Mn元
素とW元素とのモル比は、Pb(MnyW(1-y))O3と
表したとき、1/2≦y≦2/3の範囲であることが好
ましい。
合物は、圧電体セラミックの機械的品質係数(Qmt)
を向上させるためのものであり、Mn元素が含まれてい
ればどのようなものでもよい。なお、マンガン元素の酸
化物または化合物は、上記チタン酸鉛に対し、MnOに
換算して0.1〜5.0重量%添加することが好まし
い。また、上記タングステン元素の酸化物または化合物
は、圧電体セラミックの焼結温度を低減させるためのも
のであり、W元素が含まれていればどのようなものでも
よい。なお、タングステン元素の酸化物または化合物
は、上記チタン酸鉛に対し、WO3に換算して0.1〜
5.0重量%添加することが好ましい。さらに、Mn元
素とW元素とのモル比は、Pb(MnyW(1-y))O3と
表したとき、1/2≦y≦2/3の範囲であることが好
ましい。
【0029】また、上記ケイ素元素を含む酸化物または
化合物は、圧電体セラミック中の上記タングステン元素
の酸化物または化合物の偏析を抑制し、焼結温度を低減
させるためのものである。また、ケイ素元素を含む酸化
物または化合物は、例えば、SiO2,PbSiO3等が
挙げられる。また、その添加量としては、上記チタン酸
鉛、上記マンガン元素の酸化物または化合物、および上
記タングステン元素の酸化物または化合物の総量に対
し、SiO2に換算して2.0重量%以下(0重量%を
含まない)、より好ましくは0.05〜1.0重量%で
あることが好ましい。また、ケイ素元素を含む酸化物ま
たは化合物の添加時期は、出発原料の混合時に添加して
もよいし、仮焼後のバインダー混合時に添加してもよ
い。
化合物は、圧電体セラミック中の上記タングステン元素
の酸化物または化合物の偏析を抑制し、焼結温度を低減
させるためのものである。また、ケイ素元素を含む酸化
物または化合物は、例えば、SiO2,PbSiO3等が
挙げられる。また、その添加量としては、上記チタン酸
鉛、上記マンガン元素の酸化物または化合物、および上
記タングステン元素の酸化物または化合物の総量に対
し、SiO2に換算して2.0重量%以下(0重量%を
含まない)、より好ましくは0.05〜1.0重量%で
あることが好ましい。また、ケイ素元素を含む酸化物ま
たは化合物の添加時期は、出発原料の混合時に添加して
もよいし、仮焼後のバインダー混合時に添加してもよ
い。
【0030】また、本発明の積層型圧電振動子は、本発
明の圧電体セラミック上に振動電極を形成し、さらに積
層して、外部電極に電気的に接続したものであれば特に
その形状等は限定しない。例えば、図1に示すようなエ
ネルギー閉じ込め型の圧電振動子1がある。この圧電振
動子1は、板状の圧電体セラミック2と、圧電体セラミ
ック2の主面上に形成された振動電極3と、この振動電
極3に電気的に接続する外部電極(図示しない)とから
なる。このうち、振動電極3は、圧電体セラミック2の
中央近傍に形成された励振部3aと、励振部3aと外部
電極とを電気的に接続している引出部3bとからなる。
さらに、これらを積層して積層体4とし、この積層体4
の振動電極導出面に外部電極を形成して圧電振動子1と
している。以下、本発明の圧電体セラミックを実施例に
基づき、さらに具体的に説明する。
明の圧電体セラミック上に振動電極を形成し、さらに積
層して、外部電極に電気的に接続したものであれば特に
その形状等は限定しない。例えば、図1に示すようなエ
ネルギー閉じ込め型の圧電振動子1がある。この圧電振
動子1は、板状の圧電体セラミック2と、圧電体セラミ
ック2の主面上に形成された振動電極3と、この振動電
極3に電気的に接続する外部電極(図示しない)とから
なる。このうち、振動電極3は、圧電体セラミック2の
中央近傍に形成された励振部3aと、励振部3aと外部
電極とを電気的に接続している引出部3bとからなる。
さらに、これらを積層して積層体4とし、この積層体4
の振動電極導出面に外部電極を形成して圧電振動子1と
している。以下、本発明の圧電体セラミックを実施例に
基づき、さらに具体的に説明する。
【0031】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 (実施例1)まず、出発原料として、PbO,Ti
O2,MnO,WO3を用意し、PbTiO3+p重量%
MnO+q重量%WO3となるように秤量、調合して原
料粉末とした。得られた原料粉末を安定化ジルコニアを
玉石として投入したボールミルで16時間湿式混合して
混合粉末とし、これを脱水した後、850℃で2時間仮
焼して仮焼粉末を得た。次に、仮焼粉末をポリビニルア
ルコール系のバインダーと、所定量のSiO2またはP
bSiO3を加えてバインダー混合物とし、このバイン
ダー混合物を1t/cm2でプレスし、円板上の成形体を
得た。得られた成形体を1000〜1250℃で2時間
焼成し、焼結体を得た。次に、焼結体の両主面に銀電極
を蒸着して形成し、60〜150℃の絶縁オイル中で
2.0〜8.0kV/mmの直流電圧を印加して分極処理
を施し、本実施例の試料を得た。また、比較例としてP
bTiO3の代わりにPbTiO3−PbZrO3を用い
たものを作製した。
O2,MnO,WO3を用意し、PbTiO3+p重量%
MnO+q重量%WO3となるように秤量、調合して原
料粉末とした。得られた原料粉末を安定化ジルコニアを
玉石として投入したボールミルで16時間湿式混合して
混合粉末とし、これを脱水した後、850℃で2時間仮
焼して仮焼粉末を得た。次に、仮焼粉末をポリビニルア
ルコール系のバインダーと、所定量のSiO2またはP
bSiO3を加えてバインダー混合物とし、このバイン
ダー混合物を1t/cm2でプレスし、円板上の成形体を
得た。得られた成形体を1000〜1250℃で2時間
焼成し、焼結体を得た。次に、焼結体の両主面に銀電極
を蒸着して形成し、60〜150℃の絶縁オイル中で
2.0〜8.0kV/mmの直流電圧を印加して分極処理
を施し、本実施例の試料を得た。また、比較例としてP
bTiO3の代わりにPbTiO3−PbZrO3を用い
たものを作製した。
【0032】ここで、上記試料および比較例の焼結密
度、Wの偏析の有無、比誘電率、キュリー点、および圧
電特性を測定した。圧電特性としては、円板状試料の厚
み方向の縦振動における電気機械結合係数(kt)、機
械的品質係数(Qmt)をインピーダンスアナライザに
よって評価した。また、−20〜80℃の温度範囲で共
振周波数を測定し、1℃あたりの共振周波数の温度変化
(Fr−TC)を測定した。その結果を表1に示す。な
お、PbSiO3の添加量は全てSiO2に換算した。表
中の※印は本発明の範囲外、*印は請求項3、4の範囲
外を示す。
度、Wの偏析の有無、比誘電率、キュリー点、および圧
電特性を測定した。圧電特性としては、円板状試料の厚
み方向の縦振動における電気機械結合係数(kt)、機
械的品質係数(Qmt)をインピーダンスアナライザに
よって評価した。また、−20〜80℃の温度範囲で共
振周波数を測定し、1℃あたりの共振周波数の温度変化
(Fr−TC)を測定した。その結果を表1に示す。な
お、PbSiO3の添加量は全てSiO2に換算した。表
中の※印は本発明の範囲外、*印は請求項3、4の範囲
外を示す。
【0033】
【表1】
【0034】表1に示すように、PbTiO3中にMn
Oと、WO3と、SiO2またはPbSiO3とを含んで
いる圧電体セラミックは、Wの偏析がないことがわか
る。また、比誘電率が低く、キュリー点が高く、電気機
械結合係数(kt)、機械的品質係数(Qmt)もとも
に高いことがわかる。 (実施例2)出発原料として、PbO,TiO2,La2
O3,Nd2O3,Ce2O3,MnO,WO3を用意し、 (Pb1-3r/2(La,Nd,Ce)r)TiO3+p重量%M
nO+q重量%WO3 となるように秤量、調合して原料粉末としたこと以外
は、実施例1と同様にして、試料を作成した。
Oと、WO3と、SiO2またはPbSiO3とを含んで
いる圧電体セラミックは、Wの偏析がないことがわか
る。また、比誘電率が低く、キュリー点が高く、電気機
械結合係数(kt)、機械的品質係数(Qmt)もとも
に高いことがわかる。 (実施例2)出発原料として、PbO,TiO2,La2
O3,Nd2O3,Ce2O3,MnO,WO3を用意し、 (Pb1-3r/2(La,Nd,Ce)r)TiO3+p重量%M
nO+q重量%WO3 となるように秤量、調合して原料粉末としたこと以外
は、実施例1と同様にして、試料を作成した。
【0035】得られた上記試料の焼結密度、Wの偏析の
有無、比誘電率、キュリー点、および圧電特性を実施例
1と同様に測定した。その結果を表2に示す。
有無、比誘電率、キュリー点、および圧電特性を実施例
1と同様に測定した。その結果を表2に示す。
【0036】
【表2】
【0037】表2に示すように、PbTiO3中にMn
Oと、WO3と、SiO2またはPbSiO3とを含んで
いる圧電体セラミックは、Wの偏析がないことがわか
る。また、比誘電率が低く、キュリー点が高く、電気機
械結合係数(kt)、機械的品質係数(Qmt)もとも
に高いことがわかる。また、Pbの15mol%以下をL
a,Nd,Ceの少なくとも1種で置換したものは、そ
うでないものと比べ共振周波数の温度特性がよいことが
わかる。
Oと、WO3と、SiO2またはPbSiO3とを含んで
いる圧電体セラミックは、Wの偏析がないことがわか
る。また、比誘電率が低く、キュリー点が高く、電気機
械結合係数(kt)、機械的品質係数(Qmt)もとも
に高いことがわかる。また、Pbの15mol%以下をL
a,Nd,Ceの少なくとも1種で置換したものは、そ
うでないものと比べ共振周波数の温度特性がよいことが
わかる。
【0038】ここで、実施例1および実施例2に基づ
き、請求項2から請求項4において各構成要素の含有量
を限定した理由を説明する。請求項2において、鉛の置
換量を15mol%以下に限定したのは、試料番号2−1
4、2−15、2−16のように、置換元素であるL
a,Nd,Ceの総量が11.0mol%で、Pbの置換
量が15mol%より多い場合には、キュリー温度が低下
し好ましくないからである。
き、請求項2から請求項4において各構成要素の含有量
を限定した理由を説明する。請求項2において、鉛の置
換量を15mol%以下に限定したのは、試料番号2−1
4、2−15、2−16のように、置換元素であるL
a,Nd,Ceの総量が11.0mol%で、Pbの置換
量が15mol%より多い場合には、キュリー温度が低下
し好ましくないからである。
【0039】また、請求項3において、主成分に対し
て、マンガン元素を含む酸化物または化合物の添加量を
MnOに換算して0.1〜5.0重量%に限定したの
は、試料番号1−9のように、MnOの添加量が0.1
重量%より少ない場合には、機械的品質係数(Qmt)
が小さく、MnのQmt改善効果が見られず好ましくな
いためである。一方、試料番号1−15のように、Mn
Oの添加量が5.0重量%より多い場合には、絶縁抵抗
が低くなり、特殊な分極方法でしか分極できないうえ、
分極処理が十分にできず好ましくないからである。
て、マンガン元素を含む酸化物または化合物の添加量を
MnOに換算して0.1〜5.0重量%に限定したの
は、試料番号1−9のように、MnOの添加量が0.1
重量%より少ない場合には、機械的品質係数(Qmt)
が小さく、MnのQmt改善効果が見られず好ましくな
いためである。一方、試料番号1−15のように、Mn
Oの添加量が5.0重量%より多い場合には、絶縁抵抗
が低くなり、特殊な分極方法でしか分極できないうえ、
分極処理が十分にできず好ましくないからである。
【0040】また、請求項3において、主成分に対し
て、タングステン元素を含む酸化物または化合物の添加
量をWO3に換算して0.1〜5.0重量%に限定した
のは、試料番号1−17のように、WO3の添加量が
0.1重量%より少ない場合には、十分な低温焼結効果
が得られず、少なくとも1150℃好ましくは1250
℃以上の高温で焼成する必要があり好ましくないからで
ある。一方、試料番号1−23のように、WO3の添加
量が5.0重量%より多い場合には、キュリー温度が低
下し好ましくないからである。
て、タングステン元素を含む酸化物または化合物の添加
量をWO3に換算して0.1〜5.0重量%に限定した
のは、試料番号1−17のように、WO3の添加量が
0.1重量%より少ない場合には、十分な低温焼結効果
が得られず、少なくとも1150℃好ましくは1250
℃以上の高温で焼成する必要があり好ましくないからで
ある。一方、試料番号1−23のように、WO3の添加
量が5.0重量%より多い場合には、キュリー温度が低
下し好ましくないからである。
【0041】また、請求項4において、主成分と副成分
との総量100重量%に対するケイ素元素を含む酸化物
または化合物の添加量をSiO2に換算して2.0重量
%以下に限定したのは、試料番号1−7のように、Si
O2の添加量が2.0重量%より多い場合には、電気機
械結合係数が低下し好ましくないからである。 (実施例3)出発原料として、PbO,TiO2,Mn
O,WO3を用意し、 aPbTiO3+(1−a)Pb(MnbW(1-b))O3 となるように秤量、調合して原料粉末としたこと以外
は、実施例1と同様にして、試料を作成した。
との総量100重量%に対するケイ素元素を含む酸化物
または化合物の添加量をSiO2に換算して2.0重量
%以下に限定したのは、試料番号1−7のように、Si
O2の添加量が2.0重量%より多い場合には、電気機
械結合係数が低下し好ましくないからである。 (実施例3)出発原料として、PbO,TiO2,Mn
O,WO3を用意し、 aPbTiO3+(1−a)Pb(MnbW(1-b))O3 となるように秤量、調合して原料粉末としたこと以外
は、実施例1と同様にして、試料を作成した。
【0042】得られた上記試料の焼結密度、Wの偏析の
有無、比誘電率、キュリー点、および圧電特性を実施例
1と同様に測定した。その結果を表3に示す。なお、表
中の*印は請求項7、8の範囲外を示す。
有無、比誘電率、キュリー点、および圧電特性を実施例
1と同様に測定した。その結果を表3に示す。なお、表
中の*印は請求項7、8の範囲外を示す。
【0043】
【表3】
【0044】表3に示すように、PbTiO3と、Pb
(Mn,W)O3とからなる二成分系圧電材料中に、SiO
2またはPbSiO3とを含んでいる圧電体セラミック
は、Wの偏析がないことがわかる。また、比誘電率が低
く、キュリー点が高く、電気機械結合係数(kt)、機
械的品質係数(Qmt)もともに高いことがわかる。 (実施例4)出発原料として、PbO,TiO2,Mn
O,WO3を用意し、a(Pb1-3x/2(La,Nd,Ce)x)
TiO3+(1−a)Pb(MnyW(1-y))O3となるよう
に秤量、調合して原料粉末としたこと以外は、実施例1
と同様にして、試料を作成した。
(Mn,W)O3とからなる二成分系圧電材料中に、SiO
2またはPbSiO3とを含んでいる圧電体セラミック
は、Wの偏析がないことがわかる。また、比誘電率が低
く、キュリー点が高く、電気機械結合係数(kt)、機
械的品質係数(Qmt)もともに高いことがわかる。 (実施例4)出発原料として、PbO,TiO2,Mn
O,WO3を用意し、a(Pb1-3x/2(La,Nd,Ce)x)
TiO3+(1−a)Pb(MnyW(1-y))O3となるよう
に秤量、調合して原料粉末としたこと以外は、実施例1
と同様にして、試料を作成した。
【0045】得られた上記試料の焼結密度、Wの偏析の
有無、比誘電率、キュリー点、および圧電特性を実施例
1と同様に測定した。その結果を表4に示す。なお、表
中の※印は請求項6の範囲外を示す。
有無、比誘電率、キュリー点、および圧電特性を実施例
1と同様に測定した。その結果を表4に示す。なお、表
中の※印は請求項6の範囲外を示す。
【0046】
【表4】
【0047】表4に示すように、PbTiO3と、Pb
(Mn,W)O3とからなる二成分系圧電材料中に、SiO
2またはPbSiO3とを含んでいる圧電体セラミック
は、Wの偏析がないことがわかる。また、比誘電率が低
く、キュリー点が高く、電気機械結合係数(kt)、機
械的品質係数(Qmt)もともに高いことがわかる。ま
た、Pbの一部をLa,Nd,Ceの少なくとも1種で
置換したものは、そうでないものと比べ共振周波数の温
度特性がよいことがわかる。
(Mn,W)O3とからなる二成分系圧電材料中に、SiO
2またはPbSiO3とを含んでいる圧電体セラミック
は、Wの偏析がないことがわかる。また、比誘電率が低
く、キュリー点が高く、電気機械結合係数(kt)、機
械的品質係数(Qmt)もともに高いことがわかる。ま
た、Pbの一部をLa,Nd,Ceの少なくとも1種で
置換したものは、そうでないものと比べ共振周波数の温
度特性がよいことがわかる。
【0048】ここで、実施例3および実施例4に基づ
き、請求項6から請求項8において各構成要素の含有量
を限定した理由を説明する。請求項6において、La,
Nd,Ceのうち少なくとも1種のPb1molに対する
置換量xを0<x≦0.1に限定したのは、試料番号4
−11、4−12、4−13のように、La,Nd,C
eのうち少なくとも1種のPb1モルに対する置換量が
0.1モルより多い場合には、キュリー温度が低下し好
ましくないからである。
き、請求項6から請求項8において各構成要素の含有量
を限定した理由を説明する。請求項6において、La,
Nd,Ceのうち少なくとも1種のPb1molに対する
置換量xを0<x≦0.1に限定したのは、試料番号4
−11、4−12、4−13のように、La,Nd,C
eのうち少なくとも1種のPb1モルに対する置換量が
0.1モルより多い場合には、キュリー温度が低下し好
ましくないからである。
【0049】また、請求項7において、PbTiO3、
または(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3量をa、Pb(Mn
yW(1-y))O3量を(1−a)としたとき、0.9≦a
≦0.99に限定したのは、試料番号3−1のように、
aが0.9より小さい場合には、絶縁抵抗が低くなり、
特殊な分極方法でしか分極できないうえ、分極処理が十
分にできなくなり、キュリー温度も低下し好ましくない
からである。一方、試料番号3−5のように、aが0.
99より大きい場合には、十分な低温焼結効果が得られ
ず、少なくとも1150℃好ましくは1250℃以上の
高温で焼成する必要があり好ましくないからである。
または(Pb(1-3x/2)Mx)TiO3量をa、Pb(Mn
yW(1-y))O3量を(1−a)としたとき、0.9≦a
≦0.99に限定したのは、試料番号3−1のように、
aが0.9より小さい場合には、絶縁抵抗が低くなり、
特殊な分極方法でしか分極できないうえ、分極処理が十
分にできなくなり、キュリー温度も低下し好ましくない
からである。一方、試料番号3−5のように、aが0.
99より大きい場合には、十分な低温焼結効果が得られ
ず、少なくとも1150℃好ましくは1250℃以上の
高温で焼成する必要があり好ましくないからである。
【0050】また、Mn量をy、W量を(1−y)とし
たとき、1/2≦y≦2/3と限定したのは、試料番号
3−6、3−9のように、yが上記範囲から外れた場合
には、十分な低温焼結効果が得られず、少なくとも11
50℃好ましくは1250℃以上の高温で焼成する必要
があり好ましくないからである。
たとき、1/2≦y≦2/3と限定したのは、試料番号
3−6、3−9のように、yが上記範囲から外れた場合
には、十分な低温焼結効果が得られず、少なくとも11
50℃好ましくは1250℃以上の高温で焼成する必要
があり好ましくないからである。
【0051】また、請求項8において、主成分100重
量%に対するSiO2またはPbSiO3の添加量をSi
O2に換算して2.0重量%以下に限定したのは、試料
番号3−16のように、SiO2の添加量が2.0重量
%より多い場合には、電気機械結合係数(kt)および
機械的品質係数(Qmt)が低下し好ましくないからで
ある。
量%に対するSiO2またはPbSiO3の添加量をSi
O2に換算して2.0重量%以下に限定したのは、試料
番号3−16のように、SiO2の添加量が2.0重量
%より多い場合には、電気機械結合係数(kt)および
機械的品質係数(Qmt)が低下し好ましくないからで
ある。
【0052】
【発明の効果】本発明の圧電体セラミックは、チタン酸
鉛を主成分とし、副成分として、マンガン元素を含む酸
化物または化合物およびタングステン元素を含む酸化物
または化合物を含有し、かつケイ素元素を含む酸化物ま
たは化合物を含有してなるので、キュリー点が高く、誘
電率の小さい圧電体セラミックとすることができ、かつ
タングステン元素を含む酸化物や化合物の偏析を抑制す
ることができる。
鉛を主成分とし、副成分として、マンガン元素を含む酸
化物または化合物およびタングステン元素を含む酸化物
または化合物を含有し、かつケイ素元素を含む酸化物ま
たは化合物を含有してなるので、キュリー点が高く、誘
電率の小さい圧電体セラミックとすることができ、かつ
タングステン元素を含む酸化物や化合物の偏析を抑制す
ることができる。
【0053】また、本発明の圧電体セラミックは、鉛の
15mol%以下(0mol%は含まない)をランタン、ネオ
ジウム、セリウムのうち少なくとも1種で置換したチタ
ン酸鉛を主成分とし、副成分としてマンガン元素を含む
酸化物または化合物およびタングステン元素を含む酸化
物または化合物を含有し、かつケイ素元素を含む酸化物
または化合物を含有してなるので、キュリー点が高く、
誘電率の小さい圧電体セラミックとすることができ、か
つ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を抑えることによっ
て、圧電特性のバラツキを低減するとともに、高い機械
的品質係数(Qmt)を得ることができる。また、タン
グステン元素を含む酸化物や化合物の偏析を抑制するこ
とができる。また、置換しない場合に比べ、圧電体セラ
ミックの温度特性をより優れたものにすることができ
る。
15mol%以下(0mol%は含まない)をランタン、ネオ
ジウム、セリウムのうち少なくとも1種で置換したチタ
ン酸鉛を主成分とし、副成分としてマンガン元素を含む
酸化物または化合物およびタングステン元素を含む酸化
物または化合物を含有し、かつケイ素元素を含む酸化物
または化合物を含有してなるので、キュリー点が高く、
誘電率の小さい圧電体セラミックとすることができ、か
つ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を抑えることによっ
て、圧電特性のバラツキを低減するとともに、高い機械
的品質係数(Qmt)を得ることができる。また、タン
グステン元素を含む酸化物や化合物の偏析を抑制するこ
とができる。また、置換しない場合に比べ、圧電体セラ
ミックの温度特性をより優れたものにすることができ
る。
【0054】また、本発明の圧電体セラミックにおいて
は、上記主成分に対して、上記マンガン元素を含む酸化
物または化合物をMnOに換算して0.1〜5.0重量
%、および上記タングステン元素を含む酸化物または化
合物をWO3に換算して0.1〜5.0重量%含有して
なるので、より顕著に焼結温度の低下と、機械的品質係
数の向上を図ることができる。
は、上記主成分に対して、上記マンガン元素を含む酸化
物または化合物をMnOに換算して0.1〜5.0重量
%、および上記タングステン元素を含む酸化物または化
合物をWO3に換算して0.1〜5.0重量%含有して
なるので、より顕著に焼結温度の低下と、機械的品質係
数の向上を図ることができる。
【0055】また、本発明の圧電体セラミックにおいて
は、上記主成分と上記副成分との総量100重量%に対
して、上記ケイ素元素を含む酸化物または化合物がSi
O2に換算して2.0重量%以下(0重量%は含まな
い)添加されてなるので、他の特性に影響を与えること
なくタングステンの酸化物または化合物の偏析を効果的
に抑制することができる。また、焼結温度を低減させる
こともできる。
は、上記主成分と上記副成分との総量100重量%に対
して、上記ケイ素元素を含む酸化物または化合物がSi
O2に換算して2.0重量%以下(0重量%は含まな
い)添加されてなるので、他の特性に影響を与えること
なくタングステンの酸化物または化合物の偏析を効果的
に抑制することができる。また、焼結温度を低減させる
こともできる。
【0056】また、本発明の圧電体セラミックは、Pb
TiO3と、Pb(MnyW(1-y))O3とからなる主成分
に、SiO2またはPbSiO3を含有してなるので、キ
ュリー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとす
ることができ、かつタングステン元素を含む酸化物や化
合物の偏析を抑制することができる。
TiO3と、Pb(MnyW(1-y))O3とからなる主成分
に、SiO2またはPbSiO3を含有してなるので、キ
ュリー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとす
ることができ、かつタングステン元素を含む酸化物や化
合物の偏析を抑制することができる。
【0057】また、本発明の圧電体セラミックは、(P
b(1-3x/2)Mx)TiO3と、Pb(MnyW(1-y))O3
(ただし、Mは、La,Nd,Ceのうち少なくとも1
種、0<x≦0.1、0<y<1)とからなる主成分
に、SiO2またはPbSiO3を含有してなるので、キ
ュリー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとす
ることができ、かつ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を
抑えることによって、圧電特性のバラツキを低減すると
ともに、高い機械的品質係数(Qmt)を得ることがで
きる。また、タングステン元素を含む酸化物や化合物の
偏析を抑制することができる。また、置換しない場合に
比べ、圧電体セラミックの温度特性をより優れたものに
することができる。
b(1-3x/2)Mx)TiO3と、Pb(MnyW(1-y))O3
(ただし、Mは、La,Nd,Ceのうち少なくとも1
種、0<x≦0.1、0<y<1)とからなる主成分
に、SiO2またはPbSiO3を含有してなるので、キ
ュリー点が高く、誘電率の小さい圧電体セラミックとす
ることができ、かつ焼成温度を低減し、Pbの蒸発量を
抑えることによって、圧電特性のバラツキを低減すると
ともに、高い機械的品質係数(Qmt)を得ることがで
きる。また、タングステン元素を含む酸化物や化合物の
偏析を抑制することができる。また、置換しない場合に
比べ、圧電体セラミックの温度特性をより優れたものに
することができる。
【0058】また、本発明の圧電体セラミックにおいて
は、上記PbTiO3、または(Pb(1-3x/2)Mx)Ti
O3のモル量をa、Pb(MnyW(1-y))O3のモル量を
(1−a)としたとき、0.9≦a≦0.99、1/2
≦y≦2/3の範囲にあるので、より顕著に焼結温度の
低下と、機械的品質係数の向上を図ることができる。
は、上記PbTiO3、または(Pb(1-3x/2)Mx)Ti
O3のモル量をa、Pb(MnyW(1-y))O3のモル量を
(1−a)としたとき、0.9≦a≦0.99、1/2
≦y≦2/3の範囲にあるので、より顕著に焼結温度の
低下と、機械的品質係数の向上を図ることができる。
【0059】また、本発明の圧電体セラミックにおいて
は、上記主成分100重量%に対して、上記SiO2ま
たはPbSiO3がSiO2に換算して2.0重量%以下
(0重量%は含まない)添加されてなるので、他の特性
に影響を与えることなくタングステンの酸化物または化
合物の偏析を効果的に抑制することができる。また、焼
結温度を低減させることもできる。
は、上記主成分100重量%に対して、上記SiO2ま
たはPbSiO3がSiO2に換算して2.0重量%以下
(0重量%は含まない)添加されてなるので、他の特性
に影響を与えることなくタングステンの酸化物または化
合物の偏析を効果的に抑制することができる。また、焼
結温度を低減させることもできる。
【0060】また、本発明の圧電振動子は、本発明の板
状圧電体セラミックと、圧電体セラミックの両主面に形
成された振動電極と、振動電極と接続され、圧電体セラ
ミックの端部まで形成された引出電極とを積層した積層
体と、積層体の引出電極導出面に形成された外部電極と
からなるので、耐熱性に優れ、高周波領域での使用に適
した積層型の圧電振動子とすることができる。
状圧電体セラミックと、圧電体セラミックの両主面に形
成された振動電極と、振動電極と接続され、圧電体セラ
ミックの端部まで形成された引出電極とを積層した積層
体と、積層体の引出電極導出面に形成された外部電極と
からなるので、耐熱性に優れ、高周波領域での使用に適
した積層型の圧電振動子とすることができる。
【図1】本発明の圧電振動子の一実施例を示す概略斜視
図。
図。
1 積層型圧電振動子 2 圧電体セラミック 3 振動電極 4 積層体
Claims (9)
- 【請求項1】 チタン酸鉛を主成分とし、副成分とし
て、マンガン元素を含む酸化物または化合物およびタン
グステン元素を含む酸化物または化合物を含有し、かつ
ケイ素元素を含む酸化物または化合物を含有してなるこ
とを特徴とする圧電体セラミック。 - 【請求項2】 鉛の15mol%以下(0mol%は含まな
い)をランタン、ネオジウム、セリウムのうち少なくと
も1種で置換したチタン酸鉛を主成分とし、副成分とし
てマンガン元素を含む酸化物または化合物およびタング
ステン元素を含む酸化物または化合物を含有し、かつケ
イ素元素を含む酸化物または化合物を含有してなること
を特徴とする圧電体セラミック。 - 【請求項3】 前記主成分に対して、前記マンガン元素
を含む酸化物または化合物をMnOに換算して0.1〜
5.0重量%、および前記タングステン元素を含む酸化
物または化合物をWO3に換算して0.1〜5.0重量
%含有してなることを特徴とする請求項1または請求項
2に記載の圧電体セラミック。 - 【請求項4】 前記主成分と前記副成分との総量100
重量%に対して、前記ケイ素元素を含む酸化物または化
合物がSiO2に換算して2.0重量%以下(0重量%
は含まない)添加されてなることを特徴とする請求項1
から請求項3のいずれかに記載の圧電体セラミック。 - 【請求項5】 PbTiO3と、Pb(MnyW(1-y))
O3とからなる主成分に、SiO2またはPbSiO3を
含有してなることを特徴とする圧電体セラミック。 - 【請求項6】 (Pb(1-3x/2)Mx)TiO3と、Pb
(MnyW(1-y))O3(ただし、Mは、La,Nd,C
eのうち少なくとも1種、0<x≦0.1、0<y<
1)とからなる主成分に、SiO2またはPbSiO3を
含有してなることを特徴とする圧電体セラミック。 - 【請求項7】 前記PbTiO3、または(Pb
(1-3x/2)Mx)TiO3のモル量をa、Pb(MnyW
(1-y))O3のモル量を(1−a)としたとき、 0.9≦a≦0.99 1/2≦y≦2/3 の範囲にあることを特徴とする請求項5または請求項6
に記載の圧電体セラミック。 - 【請求項8】 前記主成分100重量%に対して、前記
SiO2またはPbSiO3がSiO2に換算して2.0
重量%以下(0重量%は含まない)添加されてなること
を特徴とする請求項5から請求項7のいずれかに記載の
圧電体セラミック。 - 【請求項9】 請求項1から請求項7のいずれかに記載
の板状圧電体セラミックと、前記圧電体セラミック上に
形成される振動電極とを積層した積層体と、前記積層体
の振動電極と電気的に接続された外部電極とからなるこ
とを特徴とする積層型圧電振動子。
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