JP2001049231A - 有機反射防止重合体およびその製造方法 - Google Patents
有機反射防止重合体およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001049231A JP2001049231A JP2000182834A JP2000182834A JP2001049231A JP 2001049231 A JP2001049231 A JP 2001049231A JP 2000182834 A JP2000182834 A JP 2000182834A JP 2000182834 A JP2000182834 A JP 2000182834A JP 2001049231 A JP2001049231 A JP 2001049231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acrylate
- hydrogen
- methacrylate
- poly
- methyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/32—Oximes
- C07C251/62—Oximes having oxygen atoms of oxyimino groups esterified
- C07C251/64—Oximes having oxygen atoms of oxyimino groups esterified by carboxylic acids
- C07C251/66—Oximes having oxygen atoms of oxyimino groups esterified by carboxylic acids with the esterifying carboxyl groups bound to hydrogen atoms, to acyclic carbon atoms or to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Polymerization Catalysts (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の製造工程中におけるリソグラフ
ィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成
工程において、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およ
びフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在
波を除去すること。また、このような有機反射防止重合
体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止
膜およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 化学式１および化学式２を基本構造とす
る重合体を、半導体の製造工程中、超微細パターンの形
成時に反射防止膜に使用する。 【化３１】 【化３２】
ィー用フォトレジストを使用する超微細パターンの形成
工程において、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およ
びフォトレジスト自体の厚さの変化によって生じる定在
波を除去すること。また、このような有機反射防止重合
体を含む反射防止用の組成物、これを利用した反射防止
膜およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 化学式１および化学式２を基本構造とす
る重合体を、半導体の製造工程中、超微細パターンの形
成時に反射防止膜に使用する。 【化３１】 【化３２】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造工
程中、２４８ｎｍ ＫｒＦ、１９３ｎｍ ＡｒＦ、およ
び１５７ｎｍ Ｆ2レーザーによるリソグラフィー用フ
ォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程にお
いて、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およびフォト
レジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波を除去
できる反射防止用の有機物質に関する。より詳しくは、
６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇ、４Ｇ、１６Ｇ DRAMの超微細
パターンの形成時に、使用できる有機反射防止重合体お
よびその製造方法に関する。更に、本発明はこのような
有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを
利用した反射防止膜およびその製造方法に関する。
程中、２４８ｎｍ ＫｒＦ、１９３ｎｍ ＡｒＦ、およ
び１５７ｎｍ Ｆ2レーザーによるリソグラフィー用フ
ォトレジストを使用する超微細パターンの形成工程にお
いて、下部膜層の反射を防止してＡｒＦ光およびフォト
レジスト自体の厚さの変化によって生じる定在波を除去
できる反射防止用の有機物質に関する。より詳しくは、
６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇ、４Ｇ、１６Ｇ DRAMの超微細
パターンの形成時に、使用できる有機反射防止重合体お
よびその製造方法に関する。更に、本発明はこのような
有機反射防止重合体を含む反射防止用の組成物、これを
利用した反射防止膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程中、超微細パターンの
形成工程ではワイパー上の下部膜層の光学的性質および
感光膜厚さの変動による定在波（standing wave）、反
射ノッチ（reflective notching）と下部膜からの回折
光および反射光によるCD（critical dimension）の変動
が不回避に起こる。したがって、露光源で使用する光の
波長帯において光を良好に吸収する有機物質を導入し、
下部膜層で反射を防止できる膜層を導入することが提案
されている。この膜が反射防止膜である。
形成工程ではワイパー上の下部膜層の光学的性質および
感光膜厚さの変動による定在波（standing wave）、反
射ノッチ（reflective notching）と下部膜からの回折
光および反射光によるCD（critical dimension）の変動
が不回避に起こる。したがって、露光源で使用する光の
波長帯において光を良好に吸収する有機物質を導入し、
下部膜層で反射を防止できる膜層を導入することが提案
されている。この膜が反射防止膜である。
【０００３】反射防止膜は、使用される物質の種類によ
って大きく無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分
されるか、或いはその機構（mechanism）によって吸収
系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分類される。３６５
ｎｍ波長のI-線（I-line）を用いた微細パターンの形成
工程では主に無機系反射防止膜が使用され、吸収系とし
てはTiNおよび無定形カーボン（Amorphous C）が、干渉
系としては主にSiONが使用されてきた。
って大きく無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分
されるか、或いはその機構（mechanism）によって吸収
系反射防止膜と干渉系反射防止膜に分類される。３６５
ｎｍ波長のI-線（I-line）を用いた微細パターンの形成
工程では主に無機系反射防止膜が使用され、吸収系とし
てはTiNおよび無定形カーボン（Amorphous C）が、干渉
系としては主にSiONが使用されてきた。
【０００４】ＫｒＦ光を用いた超微細パターンの形成工
程では主に無機系としてSiONが使用されてきたが、近年
の趨勢では、反射防止膜に有機系化合物が使用されるよ
うになってきている。今までの動向に鑑みる時、有機反
射防止膜の多くは次のような基本条件を要する。
程では主に無機系としてSiONが使用されてきたが、近年
の趨勢では、反射防止膜に有機系化合物が使用されるよ
うになってきている。今までの動向に鑑みる時、有機反
射防止膜の多くは次のような基本条件を要する。
【０００５】第一に、工程適用の際、フォトレジストが
溶媒により溶解されて剥がれる現象が起こらないように
する。このためには成形膜が架橋構造をなすように設計
される必要があり、この時の副産物として、化学物質が
生じてはならない。
溶媒により溶解されて剥がれる現象が起こらないように
する。このためには成形膜が架橋構造をなすように設計
される必要があり、この時の副産物として、化学物質が
生じてはならない。
【０００６】第二に、反射防止膜への酸またはアミンな
どの化学物質の出入りがあってはならない。反射防止膜
へ酸が移行する場合にはパターンの下部にアンダーカッ
ティングが発生し、アミンのような塩基が移行する場合
にはフッティング現象が生ずる傾向があるからである。
どの化学物質の出入りがあってはならない。反射防止膜
へ酸が移行する場合にはパターンの下部にアンダーカッ
ティングが発生し、アミンのような塩基が移行する場合
にはフッティング現象が生ずる傾向があるからである。
【０００７】第三に、反射防止膜は上部の感光膜に比べ
てより速いエッチング速度を持つようにする。これによ
って、エッチング時に感光膜をマスクとして円滑なエッ
チング工程を行うことができる。
てより速いエッチング速度を持つようにする。これによ
って、エッチング時に感光膜をマスクとして円滑なエッ
チング工程を行うことができる。
【０００８】第四に、反射防止膜は薄膜で充分な反射防
止膜として機能すべきである。一方、ＡｒＦ光を用いる
超微細パターンの形成時においてはまだ適切な反射防止
膜が開発されていない。更に、無機系反射防止膜の場合
には１９３ｎｍ光源からの干渉現象を制御する物質が知
られていないので、最近は、有機系反射防止膜を使用し
ようとする研究が進められている。
止膜として機能すべきである。一方、ＡｒＦ光を用いる
超微細パターンの形成時においてはまだ適切な反射防止
膜が開発されていない。更に、無機系反射防止膜の場合
には１９３ｎｍ光源からの干渉現象を制御する物質が知
られていないので、最近は、有機系反射防止膜を使用し
ようとする研究が進められている。
【０００９】したがって、すべての感光膜において、露
光の際に生じる定在波および光反射を防止し、下部層か
らの後面回折および反射光の影響を除去するために、特
定波長に対する光吸収度の大きい有機反射防止物質の使
用および開発が必要とされる。
光の際に生じる定在波および光反射を防止し、下部層か
らの後面回折および反射光の影響を除去するために、特
定波長に対する光吸収度の大きい有機反射防止物質の使
用および開発が必要とされる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は半導体素子の製造工程中、１９３ｎｍ ＡｒＦおよび
２４８ｎｍ ＫｒＦ光を用いて超微細パターンを形成す
る際、反射防止膜に使用できる新規の有機化合物質を提
供することにある。
は半導体素子の製造工程中、１９３ｎｍ ＡｒＦおよび
２４８ｎｍ ＫｒＦ光を用いて超微細パターンを形成す
る際、反射防止膜に使用できる新規の有機化合物質を提
供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、乱反射を防止するこ
とができる有機化合物質の製造方法を提供することにあ
る。本発明のまた別の目的は、このような反射防止用の
化合物を含む反射防止用の組成物およびその製造方法を
提供することにある。
とができる有機化合物質の製造方法を提供することにあ
る。本発明のまた別の目的は、このような反射防止用の
化合物を含む反射防止用の組成物およびその製造方法を
提供することにある。
【００１２】更に、本発明の他の目的は、このような乱
反射防止用の組成物を使用して形成された乱反射防止膜
およびその形成方法を提供することにある。
反射防止用の組成物を使用して形成された乱反射防止膜
およびその形成方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明では、重合体自体
が１９３ｎｍおよび２４８ｎｍ ＫｒＦ波長で光を吸収
できるように吸光度の大きい発色団を含むようにし、有
機反射防止膜の成形性、気密性、耐溶解性を与えるため
に、コーティングの後のハードベーキング時に架橋反応
が起こるように、樹脂内のアルコール基と官能基との間
の架橋メカニズムを導入した。特に、本発明では架橋反
応の効率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射
防止膜樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対し
て溶解性が優れており、ハードベーキング時にいかなる
溶媒にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがっ
て、感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更に
パターンの形成時に、アンダーカッティングおよびフッ
ティングが生じなく、特にアクリレート系の高分子で形
成されているので、エッチングの際、感光膜に比べて優
れたエッチング速度を持つことによって、エッチングの
選択比が向上された。
が１９３ｎｍおよび２４８ｎｍ ＫｒＦ波長で光を吸収
できるように吸光度の大きい発色団を含むようにし、有
機反射防止膜の成形性、気密性、耐溶解性を与えるため
に、コーティングの後のハードベーキング時に架橋反応
が起こるように、樹脂内のアルコール基と官能基との間
の架橋メカニズムを導入した。特に、本発明では架橋反
応の効率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射
防止膜樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対し
て溶解性が優れており、ハードベーキング時にいかなる
溶媒にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがっ
て、感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更に
パターンの形成時に、アンダーカッティングおよびフッ
ティングが生じなく、特にアクリレート系の高分子で形
成されているので、エッチングの際、感光膜に比べて優
れたエッチング速度を持つことによって、エッチングの
選択比が向上された。
【００１４】本発明の目的を達成するために本発明の有
機反射防止膜に用いられる樹脂の基本式は下記の化学式
１および化学式２のように示される。
機反射防止膜に用いられる樹脂の基本式は下記の化学式
１および化学式２のように示される。
【００１５】
【化５】
【００１６】
【化６】 上式中、Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒdはそれぞれ水素またはメチ
ル基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシ
カルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または
Ｃ1〜Ｃ5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐
鎖のアルキル、アルコキシアルキル、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは
それぞれ０．０１〜０．９９のモル比ｍ、ｎはそれぞれ
１乃至５の定数を示している。
ル基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシ
カルボニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、または
Ｃ1〜Ｃ5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐
鎖のアルキル、アルコキシアルキル、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは
それぞれ０．０１〜０．９９のモル比ｍ、ｎはそれぞれ
１乃至５の定数を示している。
【００１７】本発明に係る重合体は１９３ｎｍおよび２
４８ｎｍで吸収が起こるように１９３ｎｍおよび２４８
ｎｍ波長で吸光度の大きい発色団を導入することによっ
て、前記波長で吸収が起きるように設計されたものであ
る。
４８ｎｍで吸収が起こるように１９３ｎｍおよび２４８
ｎｍ波長で吸光度の大きい発色団を導入することによっ
て、前記波長で吸収が起きるように設計されたものであ
る。
【００１８】本発明に係る前記化学式１の重合体は9-ア
ントラアルデヒドオキシムアクリレート系単量体、ヒド
ロキシアルキルアクリレート系単量体、グリシジルアク
リレート系単量体を開始剤と共に溶媒の中で重合反応さ
せることによって得られ、この時、各単量体のモル比は
０．０１〜０．９９である。
ントラアルデヒドオキシムアクリレート系単量体、ヒド
ロキシアルキルアクリレート系単量体、グリシジルアク
リレート系単量体を開始剤と共に溶媒の中で重合反応さ
せることによって得られ、この時、各単量体のモル比は
０．０１〜０．９９である。
【００１９】また化学式２の重合体は9-アントラアルデ
ヒドオキシムアクリレート系単量体、ヒドロキシアルキ
ルアクリレート系単量体、グリシジルアクリレート系単
量体およびメチルメタクリレートを開始剤と共に溶媒の
中で重合反応させることによって得られ、この時、各単
量体のモル比は０．０１〜０．９９である。
ヒドオキシムアクリレート系単量体、ヒドロキシアルキ
ルアクリレート系単量体、グリシジルアクリレート系単
量体およびメチルメタクリレートを開始剤と共に溶媒の
中で重合反応させることによって得られ、この時、各単
量体のモル比は０．０１〜０．９９である。
【００２０】本発明に係る化学式１および化学式２の重
合体を製造する際、使用する開始剤は、一般的なラジカ
ル開始剤であり、好ましくは2,2-アゾビスイソブチロニ
トリル（AIBN）、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、お
よびｔ−過酸化ブチルから成るグループの中から選択さ
れた少なくともいずれか１つである。また、使用する溶
媒は、一般的な有機溶媒であり、好ましくはテトラヒド
ロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトンお
よびジオキサンから成るグループの中から選択された少
なくともいずれか１つである。
合体を製造する際、使用する開始剤は、一般的なラジカ
ル開始剤であり、好ましくは2,2-アゾビスイソブチロニ
トリル（AIBN）、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、お
よびｔ−過酸化ブチルから成るグループの中から選択さ
れた少なくともいずれか１つである。また、使用する溶
媒は、一般的な有機溶媒であり、好ましくはテトラヒド
ロフラン、トルエン、ベンジン、メチルエチルケトンお
よびジオキサンから成るグループの中から選択された少
なくともいずれか１つである。
【００２１】重合反応は、５０〜８０℃の温度範囲でお
こなわれることが望ましい。また、前記化学式１または
化学式２の重合体と、下記表に記載のアントラセン誘導
体から成るグループの中から選択されたいずれか１つま
たは２つ以上の添加剤とを含んでなる反射防止膜の組成
物を提供する。
こなわれることが望ましい。また、前記化学式１または
化学式２の重合体と、下記表に記載のアントラセン誘導
体から成るグループの中から選択されたいずれか１つま
たは２つ以上の添加剤とを含んでなる反射防止膜の組成
物を提供する。
【００２２】
【表２】 表中、Ｒ1、Ｒ2、またはＲ3はそれぞれ独立的に水素、
ヒドロキシ、アルキル、ヒドロキシメチル、またはＣ1
〜Ｃ5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖
のアルキル、アルコキシアルキルを示している。
ヒドロキシ、アルキル、ヒドロキシメチル、またはＣ1
〜Ｃ5の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖
のアルキル、アルコキシアルキルを示している。
【００２３】本発明に係る反射防止膜の組成物は前記化
学式１または化学式２の重合体を有機溶媒に溶解させた
後、この溶液を、または前記表１から選択された化合物
を０．１〜３０重量％添加した溶液をフィルターリング
した後、ワイパーに塗布してハードベーキングすること
によって、反射防止膜樹脂を架橋させて製造し、これを
利用して半導体素子を生産する。
学式１または化学式２の重合体を有機溶媒に溶解させた
後、この溶液を、または前記表１から選択された化合物
を０．１〜３０重量％添加した溶液をフィルターリング
した後、ワイパーに塗布してハードベーキングすること
によって、反射防止膜樹脂を架橋させて製造し、これを
利用して半導体素子を生産する。
【００２４】この時に使用する有機溶媒は、通常の有機
溶媒であり、好ましくはエチル3-エトキシプロピオネー
ト、メチル3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノ
ン、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ートから成るグループの中から選択された少なくともい
ずれか１つである。また使用量は、反射防止膜樹脂重合
体の重量当たり２００〜５０００重量％が望ましい。
溶媒であり、好ましくはエチル3-エトキシプロピオネー
ト、メチル3-メトキシプロピオネート、シクロヘキサノ
ン、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテ
ートから成るグループの中から選択された少なくともい
ずれか１つである。また使用量は、反射防止膜樹脂重合
体の重量当たり２００〜５０００重量％が望ましい。
【００２５】本発明に係る反射防止膜重合体は２４８ｎ
ｍ ＫｒＦ、１９３ｎｍ ＡｒＦおよび１５７ｎｍ Ｆ
2レーザーを使用する超微細パターンの形成工程の有機
反射防止膜で、優れた性能を示すことが確認された。ま
た、ＡｒＦ光の以外に露光源としてE-ビーム、EUV（ext
remely ultraviolet）、イオンビームなどを使用する場
合にも優れた反射防止効果を示すことが確認された。
ｍ ＫｒＦ、１９３ｎｍ ＡｒＦおよび１５７ｎｍ Ｆ
2レーザーを使用する超微細パターンの形成工程の有機
反射防止膜で、優れた性能を示すことが確認された。ま
た、ＡｒＦ光の以外に露光源としてE-ビーム、EUV（ext
remely ultraviolet）、イオンビームなどを使用する場
合にも優れた反射防止効果を示すことが確認された。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施例につい
て説明する。 実施例１ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレートの合成 9-アントラアルデヒドオキシム０．５モルとピリジン
０．５モルをテトラヒドロフランに溶解させた後、アク
リロイルクロリド０．５モルを加えた。反応溶液を濾過
した後、またエチルアセテートで抽出した後、蒸溜水で
何度も洗って減圧蒸留器を利用して乾燥させると、下記
の化学式２１で表される9-アントラアルデヒドオキシム
アクリレートが得られた。この時、歩留り率は８０％で
あった。
て説明する。 実施例１ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレートの合成 9-アントラアルデヒドオキシム０．５モルとピリジン
０．５モルをテトラヒドロフランに溶解させた後、アク
リロイルクロリド０．５モルを加えた。反応溶液を濾過
した後、またエチルアセテートで抽出した後、蒸溜水で
何度も洗って減圧蒸留器を利用して乾燥させると、下記
の化学式２１で表される9-アントラアルデヒドオキシム
アクリレートが得られた。この時、歩留り率は８０％で
あった。
【００２７】
【化７】 ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルメタクリレート０．２モルを５００mlの丸底
フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒ
ドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,
2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３
ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２
０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエー
テルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過
して乾燥させると、化学式２２のポリ［9-アントラアル
デヒドオキシムアクリレート−（2-ヒドロキシエチルア
クリレート）−グリシジルメタクリレート］樹脂が得ら
れた。この時の歩留り率は８１％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルメタクリレート０．２モルを５００mlの丸底
フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒ
ドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,
2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３
ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２
０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエー
テルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過
して乾燥させると、化学式２２のポリ［9-アントラアル
デヒドオキシムアクリレート−（2-ヒドロキシエチルア
クリレート）−グリシジルメタクリレート］樹脂が得ら
れた。この時の歩留り率は８１％であった。
【００２８】
【化８】 実施例２ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート］共重合体の合成 実施例１で合成した9-アントラアルデヒドオキシムアク
リレート単量体０．５モル、3-ヒドロキシプロピルアク
リレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２
モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、
予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３００ｇを入
れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル
（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０
〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反応終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒
に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式２３の
ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート］樹脂が得られた。この時の歩留り率は７
８％であった。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート］共重合体の合成 実施例１で合成した9-アントラアルデヒドオキシムアク
リレート単量体０．５モル、3-ヒドロキシプロピルアク
リレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．２
モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌しながら、
予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３００ｇを入
れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル
（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０
〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反応終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒
に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式２３の
ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート］樹脂が得られた。この時の歩留り率は７
８％であった。
【００２９】
【化９】 実施例３ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルメタクリレート０．２モルを５００mlの丸底
フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒ
ドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,
2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３
ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２
０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエー
テルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過
して乾燥させると、化学式２４のポリ［9-アントラアル
デヒドオキシムアクリレート−（2-ヒドロキシエチルア
クリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得られ
た。この時の歩留り率は８０％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルメタクリレート０．２モルを５００mlの丸底
フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒ
ドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,
2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３
ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２
０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエー
テルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過
して乾燥させると、化学式２４のポリ［9-アントラアル
デヒドオキシムアクリレート−（2-ヒドロキシエチルア
クリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得られ
た。この時の歩留り率は８０％であった。
【００３０】
【化１０】 実施例４ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸
底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラ
ヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、
2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜
３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜
２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエ
ーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾
過して乾燥させると、化学式２５のポリ［9-アントラア
ルデヒドオキシムアクリレート−（3-ヒドロキシプロピ
ルアクリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得
られた。この時の歩留り率は８０％であった。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸
底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラ
ヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、
2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜
３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜
２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエ
ーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾
過して乾燥させると、化学式２５のポリ［9-アントラア
ルデヒドオキシムアクリレート−（3-ヒドロキシプロピ
ルアクリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得
られた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００３１】
【化１１】 実施例５ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、
グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸底フ
ラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒド
ロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-
アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入
れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時
間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテル
またはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して
乾燥させると、化学式２６のポリ［9-アントラアルデヒ
ドオキシムアクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリ
レート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得られた。
この時の歩留り率は８１％であった。
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
５モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、
グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸底フ
ラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒド
ロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-
アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入
れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時
間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテル
またはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して
乾燥させると、化学式２６のポリ［9-アントラアルデヒ
ドオキシムアクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリ
レート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得られた。
この時の歩留り率は８１％であった。
【００３２】
【化１２】 実施例６ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレートの合成 9-アントラアルデヒドオキシム０．５モルとピリジン
０．５モルをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタ
クリロイルクロリド０．５モルを加えた。反応溶液を濾
過した後、またエチルアセテートで抽出した後、蒸溜水
で何度も洗って減圧蒸留器を利用して乾燥させると、下
記の化学式２７で表される9-アントラアルデヒドオキシ
ムメタクリレートが得られた。この時、歩留り率は８２
％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレートの合成 9-アントラアルデヒドオキシム０．５モルとピリジン
０．５モルをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタ
クリロイルクロリド０．５モルを加えた。反応溶液を濾
過した後、またエチルアセテートで抽出した後、蒸溜水
で何度も洗って減圧蒸留器を利用して乾燥させると、下
記の化学式２７で表される9-アントラアルデヒドオキシ
ムメタクリレートが得られた。この時、歩留り率は８２
％であった。
【００３３】
【化１３】 ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルメタクリレート０．２モルを５００mlの
丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテト
ラヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合
し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．
１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で
５〜２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチ
ルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた
後、濾過して乾燥させると、化学式２８のポリ［9-アン
トラアルデヒドオキシムメタクリレート−（2-ヒドロキ
シエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は７８％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルメタクリレート０．２モルを５００mlの
丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテト
ラヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合
し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．
１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で
５〜２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチ
ルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた
後、濾過して乾燥させると、化学式２８のポリ［9-アン
トラアルデヒドオキシムメタクリレート−（2-ヒドロキ
シエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は７８％であった。
【００３４】
【化１４】 実施例７ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート］共重合体の合成 実施例６で合成した9-アントラアルデヒドオキシムメタ
クリレート単量体０．５モル、3-ヒドロキシプロピルア
クリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．
２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌しなが
ら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３００ｇ
を入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニト
リル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で
６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反応終了
後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン
溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式２
９のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレー
ト−（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジ
ルメタクリレート］樹脂が得られた。この時の歩留り率
は８１％であった。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート］共重合体の合成 実施例６で合成した9-アントラアルデヒドオキシムメタ
クリレート単量体０．５モル、3-ヒドロキシプロピルア
クリレート０．３モル、グリシジルメタクリレート０．
２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌しなが
ら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３００ｇ
を入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチロニト
リル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で
６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反応終了
後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘキサン
溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化学式２
９のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレー
ト−（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジ
ルメタクリレート］樹脂が得られた。この時の歩留り率
は８１％であった。
【００３５】
【化１５】 実施例８ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、（4-ヒドロキシブチルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート０．２モルを５００mlの丸底フラ
スコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロ
フラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-ア
ゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れ
た後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間
反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルま
たはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾
燥させると、化学式３０のポリ［9-アントラアルデヒド
オキシムメタクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリ
レート）−グリシジルメタクリレート］樹脂が得られ
た。この時の歩留り率は８１％であった。
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、（4-ヒドロキシブチルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート０．２モルを５００mlの丸底フラ
スコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロ
フラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-ア
ゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れ
た後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間
反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルま
たはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾
燥させると、化学式３０のポリ［9-アントラアルデヒド
オキシムメタクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリ
レート）−グリシジルメタクリレート］樹脂が得られ
た。この時の歩留り率は８１％であった。
【００３６】
【化１６】 実施例９ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸
底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラ
ヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、
2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜
３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜
２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエ
ーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾
過して乾燥させると、化学式３１のポリ［9-アントラア
ルデヒドオキシムメタクリレート−（2-ヒドロキシエチ
ルアクリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得
られた。この時の歩留り率は７８％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸
底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラ
ヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、
2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜
３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜
２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエ
ーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾
過して乾燥させると、化学式３１のポリ［9-アントラア
ルデヒドオキシムメタクリレート−（2-ヒドロキシエチ
ルアクリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得
られた。この時の歩留り率は７８％であった。
【００３７】
【化１７】 実施例１０ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３
モル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの
丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテト
ラヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合
し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．
１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で
５〜２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチ
ルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた
後、濾過して乾燥させると、化学式３２のポリ［9-アン
トラアルデヒドオキシムメタクリレート−（3-ヒドロキ
シプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３
モル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの
丸底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテト
ラヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合
し、2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．
１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で
５〜２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチ
ルエーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた
後、濾過して乾燥させると、化学式３２のポリ［9-アン
トラアルデヒドオキシムメタクリレート−（3-ヒドロキ
シプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００３８】
【化１８】 実施例１１ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸
底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラ
ヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、
2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜
３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜
２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエ
ーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾
過して乾燥させると、化学式３３のポリ［9-アントラア
ルデヒドオキシムメタクリレート−（4-ヒドロキシブチ
ルアクリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得
られた。この時の歩留り率は８０％であった。
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．５モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モルを５００mlの丸
底フラスコに入れて攪拌しながら、予め用意したテトラ
ヒドロフラン（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、
2,2'-アゾビスイソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜
３ｇ入れた後、窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜
２０時間反応させた。反応終了後、この溶液をエチルエ
ーテルまたはノーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾
過して乾燥させると、化学式３３のポリ［9-アントラア
ルデヒドオキシムメタクリレート−（4-ヒドロキシブチ
ルアクリレート）−グリシジルアクリレート］樹脂が得
られた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００３９】
【化１９】 実施例１２ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタクリ
レート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪
拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）
３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブ
チロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰
囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。
反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル
ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、
化学式３４のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアク
リレート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリ
シジルメタクリレート−メチルメタクリレート］樹脂が
得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタクリ
レート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪
拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）
３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブ
チロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰
囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。
反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマル
ヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、
化学式３４のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアク
リレート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリ
シジルメタクリレート−メチルメタクリレート］樹脂が
得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００４０】
【化２０】 実施例１３ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタ
クリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れ
て攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式３５のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
アクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）
−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は７９％であった。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタ
クリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れ
て攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式３５のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
アクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）
−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は７９％であった。
【００４１】
【化２１】 実施例１４ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタクリレ
ート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌
しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３
００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチ
ロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲
気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反
応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘ
キサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化
学式３６のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリ
レート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシ
ジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹脂が得ら
れた。この時の歩留り率は８１％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モル、
グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタクリレ
ート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌
しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３
００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチ
ロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲
気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反
応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘ
キサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化
学式３６のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリ
レート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシ
ジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹脂が得ら
れた。この時の歩留り率は８１％であった。
【００４２】
【化２２】 実施例１５ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタク
リレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて
攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式３７のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
アクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）
−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹
脂が得られた。この時の歩留り率は７９％であった。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタク
リレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて
攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式３７のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
アクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）
−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹
脂が得られた。この時の歩留り率は７９％であった。
【００４３】
【化２３】 実施例１６ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート−
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、
グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタクリレ
ート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌
しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３
００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチ
ロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲
気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反
応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘ
キサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化
学式３８のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリ
レート−（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシ
ジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹脂が得ら
れた。この時の歩留り率は８０％であった。
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート単量体０．
３モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モル、
グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタクリレ
ート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて攪拌
しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（THF）３
００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソブチ
ロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素雰囲
気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させた。反
応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノーマルヘ
キサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、化
学式３８のポリ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリ
レート−（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシ
ジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹脂が得ら
れた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００４４】
【化２４】 実施例１７ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタ
クリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れ
て攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式３９のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）
−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメタ
クリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れ
て攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式３９のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）
−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレート］
樹脂が得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００４５】
【化２５】 実施例１８ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３
モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメ
タクリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入
れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン
（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビス
イソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、
窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応さ
せた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノ
ーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させ
ると、化学式４０のポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムメタクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレー
ト］樹脂が得られた。この時の歩留り率は７８％であっ
た。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメ
タクリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３
モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメ
タクリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入
れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン
（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビス
イソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、
窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応さ
せた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノ
ーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させ
ると、化学式４０のポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムメタクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレー
ト］樹脂が得られた。この時の歩留り率は７８％であっ
た。
【００４６】
【化２６】 実施例１９ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、（4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３
モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメ
タクリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入
れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン
（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビス
イソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、
窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応さ
せた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノ
ーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させ
ると、化学式４１のポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムメタクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレー
ト］樹脂が得られた。この時の歩留り率は８１％であっ
た。
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタ
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、（4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３
モル、グリシジルメタクリレート０．２モル、メチルメ
タクリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入
れて攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン
（THF）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビス
イソブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、
窒素雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応さ
せた。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノ
ーマルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させ
ると、化学式４１のポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムメタクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレート−メチルメタクリレー
ト］樹脂が得られた。この時の歩留り率は８１％であっ
た。
【００４７】
【化２７】 実施例２０ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタク
リレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて
攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式４２のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）
−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹
脂が得られた。この時の歩留り率は７９％であった。
（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、2-ヒドロキシエチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタク
リレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて
攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式４２のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（2-ヒドロキシエチルアクリレート）
−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹
脂が得られた。この時の歩留り率は７９％であった。
【００４８】
【化２８】 実施例２１ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３
モル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタ
クリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れ
て攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式４３のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレー
ト）−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレー
ト］樹脂が得られた。この時の歩留り率は８１％であっ
た。
（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルア
クリレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、3-ヒドロキシプロピルアクリレート０．３
モル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタ
クリレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れ
て攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式４３のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（3-ヒドロキシプロピルアクリレー
ト）−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレー
ト］樹脂が得られた。この時の歩留り率は８１％であっ
た。
【００４９】
【化２９】 実施例２２ ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート−
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタク
リレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて
攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式４４のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリレート）
−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹
脂が得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアク
リレート−メチルメタクリレート］共重合体の合成 9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート単量体
０．３モル、4-ヒドロキシブチルアクリレート０．３モ
ル、グリシジルアクリレート０．２モル、メチルメタク
リレート０．２モルを５００mlの丸底フラスコに入れて
攪拌しながら、予め用意したテトラヒドロフラン（TH
F）３００ｇを入れて完全に混合し、2,2'-アゾビスイソ
ブチロニトリル（AIBN）を０．１〜３ｇ入れた後、窒素
雰囲気下で６０〜７５℃温度で５〜２０時間反応させ
た。反応終了後、この溶液をエチルエーテルまたはノー
マルヘキサン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させる
と、化学式４４のポリ［9-アントラアルデヒドオキシム
メタクリレート−（4-ヒドロキシブチルアクリレート）
−グリシジルアクリレート−メチルメタクリレート］樹
脂が得られた。この時の歩留り率は８０％であった。
【００５０】
【化３０】 実施例２３ 反射防止膜の製造 化学式１または化学式２を基本構造とする実施例１乃至
２２で得られた樹脂から選択されたいずれか１つを樹脂
重合体の重量当たり２００乃至５０００重量％のプロピ
レングリコールメチルエーテルアセテート（PGMEA）に
溶解させた後、この溶液を単独に用いるかまたは前記表
１の化学式３乃至２０から選択されたいずれか１種の添
加剤を０．１〜３０重量％加えて完全に溶解させた後、
濾過した溶液をワイパーに塗布して１００−３００℃の
温度で１０〜１０００秒の間ハードベーキングを行っ
た。次に、感光膜を塗布して微細パターンの形成工程を
行った。
２２で得られた樹脂から選択されたいずれか１つを樹脂
重合体の重量当たり２００乃至５０００重量％のプロピ
レングリコールメチルエーテルアセテート（PGMEA）に
溶解させた後、この溶液を単独に用いるかまたは前記表
１の化学式３乃至２０から選択されたいずれか１種の添
加剤を０．１〜３０重量％加えて完全に溶解させた後、
濾過した溶液をワイパーに塗布して１００−３００℃の
温度で１０〜１０００秒の間ハードベーキングを行っ
た。次に、感光膜を塗布して微細パターンの形成工程を
行った。
【００５１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る前記化学式
１または２を基本構造とする重合体と化学式３乃至２０
から選択された添加剤とを含む反射防止膜は、発色団を
樹脂自体に含有しているので、反射防止膜として持つべ
き十分な吸光度を有する。
１または２を基本構造とする重合体と化学式３乃至２０
から選択された添加剤とを含む反射防止膜は、発色団を
樹脂自体に含有しているので、反射防止膜として持つべ
き十分な吸光度を有する。
【００５２】特に、本発明による重合体は架橋反応の効
率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射防止膜
樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対して溶解
性が優秀であり、ハードベーキング時にはいかなる溶媒
にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがって、
感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更にパタ
ーンの形成時に、アンダーカッティングおよびフッティ
ングが生じないだけでなく、特にアクリレート系の高分
子で形成されているので、エッチングの際、感光膜に比
べて優れたエッチング速度を持つことによって、エッチ
ングの選択比が向上する効果がある。
率性および貯蔵安定性が増大され、本発明の反射防止膜
樹脂はハイドロカーボン系のすべての溶媒に対して溶解
性が優秀であり、ハードベーキング時にはいかなる溶媒
にも溶解されない耐溶解性を持っている。したがって、
感光膜の塗布時には何らの問題も発生しない。更にパタ
ーンの形成時に、アンダーカッティングおよびフッティ
ングが生じないだけでなく、特にアクリレート系の高分
子で形成されているので、エッチングの際、感光膜に比
べて優れたエッチング速度を持つことによって、エッチ
ングの選択比が向上する効果がある。
【００５３】したがって、本発明による重合体を半導体
の製造工程中、超微細パターンの形成時に反射防止膜に
使用することによって、２４８ｎｍ ＫｒＦ、１９３ｎ
ｍＡｒＦ、および １５７ｎｍ Ｆ2光を用いるリソグ
ラフィー工程において下部膜層の反射を防止できるのみ
ならず、光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によ
る定在波を除去することによって６４Ｍ、２５６Ｍ、１
Ｇ、４Ｇ、１６ＧDRAMの安定した超微細パターンを形成
することができるので、製品の歩留り率が増大される。
の製造工程中、超微細パターンの形成時に反射防止膜に
使用することによって、２４８ｎｍ ＫｒＦ、１９３ｎ
ｍＡｒＦ、および １５７ｎｍ Ｆ2光を用いるリソグ
ラフィー工程において下部膜層の反射を防止できるのみ
ならず、光およびフォトレジスト自体の厚さの変化によ
る定在波を除去することによって６４Ｍ、２５６Ｍ、１
Ｇ、４Ｇ、１６ＧDRAMの安定した超微細パターンを形成
することができるので、製品の歩留り率が増大される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 220/32 Ｃ０８Ｆ 220/32 220/34 220/34 Ｇ０２Ｂ 1/11 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０６ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０６ 7/11 ５０３ 7/11 ５０３ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４ (72)発明者 白 基 鎬 大韓民国 京畿道 利川市 増浦洞 大宇 アパートメント 203−402
Claims (49)
- 【請求項１】 下記の化学式２１の構造を有する9-アン
トラアルデヒドオキシムアクリレート。 【化１】 - 【請求項２】 9-アントラアルデヒドオキシムとピリジ
ンをテトラヒドロフランに溶解させた後、アクリロイル
クロリドを加える前記化学式２１の9-アントラアルデヒ
ドオキシムメタクリレートの製造方法。 - 【請求項３】 下記の化学式２７の構造を有する9-アン
トラアルデヒドオキシムメタアクリレート。 【化２】 - 【請求項４】 9-アントラアルデヒドオキシムとピリジ
ンをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタクリロイ
ルクロリドを加える前記化学式２７の9-アントラアルデ
ヒドオキシムメタクリレートの製造方法。 - 【請求項５】 下記の化学式１の構造を有する重合体化
合物。 【化３】 （上式中、Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素またはメチル
基、 Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボ
ニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、またはＣ1〜
Ｃ6の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖の
アルキル、アルコキシアルキル、 ｗ、ｘ、ｙはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比 ｍ、ｎはそれぞれ１乃至５の定数を示している。） - 【請求項６】 Ｒa、Ｒbは水素、Ｒc、Ｒdはメチル基、
Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．
３：０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ２、１である、ポ
リ［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート（2-ヒ
ドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレ
ート］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項７】 Ｒa、Ｒbは水素、Ｒcはメチル基、Ｒ1〜
Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ３、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート（3-ヒド
ロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリレ
ート］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項８】 Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素、Ｒ1〜Ｒ
9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：０．
２であり、ｍ、ｎはそれぞれ２、１である、ポリ［9-ア
ントラアルデヒドオキシムアクリレート（2-ヒドロキシ
エチルアクリレート）−グリシジルアクリレート］であ
る請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項９】 Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素、Ｒ1〜Ｒ
9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：０．
２であり、ｍ、ｎはそれぞれ３、１である、ポリ［9-ア
ントラアルデヒドオキシムアクリレート（3-ヒドロキシ
プロピルアクリレート）−グリシジルアクリレート］で
ある請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１０】 Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素、Ｒ1〜
Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ４、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムアクリレート（4-ヒド
ロキシブチルアクリレート）−グリシジルアクリレー
ト］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１１】 Ｒa、Ｒcはメチル基、Ｒbは水素、Ｒ1
〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙを０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ２、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート（2-ヒ
ドロキシエチルアクリレート）−グリシジルメタクリレ
ート］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１２】 Ｒa、Ｒcはメチル基、Ｒbは水素、Ｒ1
〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ３、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート（3-ヒ
ドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルメタクリ
レート］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１３】 Ｒa、Ｒcはメチル基、Ｒbは水素、Ｒ1
〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ４、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート（4-ヒ
ドロキシブチルアクリレート）−グリシジルメタクリレ
ート］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１４】 Ｒaはメチル基、Ｒb、Ｒcは水素、Ｒ1
〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ２、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート（2-ヒ
ドロキシエチルアクリレート）−グリシジルアクリレー
ト］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１５】 Ｒaはメチル基、Ｒb、Ｒcは水素、Ｒ1
〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ３、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート（3-ヒ
ドロキシプロピルアクリレート）−グリシジルアクリレ
ート］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１６】 Ｒaはメチル基、Ｒb、Ｒcは水素、Ｒ1
〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙは０．５：０．３：
０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ４、１である、ポリ
［9-アントラアルデヒドオキシムメタクリレート（4-ヒ
ドロキシブチルアクリレート）−グリシジルアクリレー
ト］である請求項５に記載の重合体化合物。 - 【請求項１７】 9-アントラアルデヒドオキシムアクリ
レート系単量体、ヒドロキシアルキルアクリレート系単
量体、およびグリシジルアクリレート系単量体を開始剤
と共に溶媒の中で重合反応させる前記化学式１の重合体
化合物の製造方法。 - 【請求項１８】 前記各単量体のモル比は０．１〜０．
９９：０．１〜０．９９：０．１〜０．９９である請求
項１７に記載の製造方法。 - 【請求項１９】 前記開始剤は2,2-アゾビスイソブチロ
ニトリル（AIBN）、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、
およびｔ−過酸化ブチルから成るグループの中から選択
された少なくともいずれか１つを使用する請求項１７に
記載の製造方法。 - 【請求項２０】 前記溶媒はテトラヒドロフラン、トル
エン、ベンジン、メチルエチルケトンおよびジオキサン
から成るグループの中から選択された少なくともいずれ
か１つを使用する請求項１７に記載の製造方法。 - 【請求項２１】 前記重合反応は５０〜９０℃の温度範
囲で遂行する請求項１７に記載の製造方法。 - 【請求項２２】 下記化学式２の構造を有する重合体化
合物。 【化４】 （上式中、Ｒa、Ｒb、ＲcおよびＲdはそれぞれ水素また
はメチル基、 Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ヒドロキシ、メトキシカルボ
ニル、カルボキシル、ヒドロキシメチル、またはＣ1〜
Ｃ6の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖の
アルキル、アルコキシアルキル、 ｗ：ｘ：ｙ：ｚはそれぞれ０．０１〜０．９９のモル比 ｍ、ｎはそれぞれ１乃至５の定数を示している。） - 【請求項２３】 Ｒa、Ｒbは水素、Ｒc、Ｒdはメチル
基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．
３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ
２、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムア
クリレート（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グリ
シジルメタクリレートメチルメタクリレート］である請
求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項２４】 Ｒa、Ｒbは水素、Ｒc、Ｒdはメチル
基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．
３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ
３、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムア
クリレート（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−グ
リシジルメタクリレートメチルメタクリレート］である
請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項２５】 Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素、Ｒdは
メチル基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは
０．３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれ
ぞれ２、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムアクリレート（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−
グリシジルアクリレートメチルメタクリレート］である
請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項２６】 Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素、Ｒdは
メチル基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは
０．３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれ
ぞれ３、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムアクリレート（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）
−グリシジルアクリレートメチルメタクリレート］であ
る請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項２７】 Ｒa、Ｒb、Ｒcはそれぞれ水素、Ｒdは
メチル基、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは
０．３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれ
ぞれ４、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシ
ムアクリレート（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−
グリシジルアクリレートメチルメタクリレート］である
請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項２８】 Ｒa、Ｒc、Ｒdはそれぞれメチル基、
Ｒbは水素、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚ
は０．３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそ
れぞれ２、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキ
シムメタクリレート（2-ヒドロキシエチルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレートメチルメタクリレー
ト］である請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項２９】 Ｒa、Ｒc、Ｒdはそれぞれメチル基、
Ｒbは水素、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚ
は０．３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそ
れぞれ３、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキ
シムメタクリレート（3-ヒドロキシプロピルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレートメチルメタクリレー
ト］である請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項３０】 Ｒa、Ｒc、Ｒdはそれぞれメチル基、
Ｒbは水素、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚ
は０．３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそ
れぞれ４、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキ
シムメタクリレート（4-ヒドロキシブチルアクリレー
ト）−グリシジルメタクリレートメチルメタクリレー
ト］である請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項３１】 Ｒa、Ｒdはメチル基、Ｒb、Ｒcは水
素、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．
３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ
２、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメ
タクリレート（2-ヒドロキシエチルアクリレート）−グ
リシジルアクリレートメチルメタクリレート］である請
求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項３２】 Ｒa、Ｒdはメチル基、Ｒb、Ｒcは水
素、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．
３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ
３、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメ
タクリレート（3-ヒドロキシプロピルアクリレート）−
グリシジルアクリレートメチルメタクリレート］である
請求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項３３】 Ｒa、Ｒdはメチル基、Ｒb、Ｒcは水
素、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ水素、ｗ：ｘ：ｙ：ｚは０．
３：０．３：０．２：０．２であり、ｍ、ｎはそれぞれ
４、１である、ポリ［9-アントラアルデヒドオキシムメ
タクリレート（4-ヒドロキシブチルアクリレート）−グ
リシジルアクリレートメチルメタクリレート］である請
求項２２に記載の重合体化合物。 - 【請求項３４】 9-アントラアルデヒドオキシムアクリ
レート系単量体、ヒドロキシアルキルアクリレート系単
量体、グリシジルアクリレート系単量体およびメチルメ
タクリレートを開始剤と共に溶媒の中で重合反応させる
前記化学式２の化合物の製造方法。 - 【請求項３５】 前記各単量体のモル比は０．１〜０．
９９：０．１〜０．９９：０．１〜０．９９：０．１〜
０．９９である請求項３４に記載の製造方法。 - 【請求項３６】 前記開始剤は2,2-アゾビスイソブチロ
ニトリル（AIBN）、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、
およびｔ−過酸化ブチルから成るグループの中から選択
された少なくともいずれか１つを使用する請求項３４に
記載の製造方法。 - 【請求項３７】 前記溶媒はテトラヒドロフラン、トル
エン、ベンジン、メチルエチルケトンおよびジオキサン
から成るグループの中から選択された少なくともいずれ
か１つを使用する請求項３４に記載の製造方法。 - 【請求項３８】 前記重合反応は５０〜９０℃の温度範
囲で遂行する請求項３４に記載の製造方法。 - 【請求項３９】 前記化学式１の化合物を含む反射防止
膜用の組成物。 - 【請求項４０】 前記化学式２の化合物を含む反射防止
膜用の組成物。 - 【請求項４１】 前記化学式１または化学式２の化合物
のうちでいずれか１つを含み、下記の表１での化学式３
乃至２０から成るグループの中から選択された１つまた
は２つ以上の添加剤が添加された反射防止膜用の組成
物。 【表１】 （表１で、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3はそれぞれ独立的に水
素、ヒドロキシ、アルキル、ヒドロキシメチル、または
Ｃ1〜Ｃ6の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐
鎖のアルキル、アルコキシアルキルを示している。） - 【請求項４２】 前記化学式１または化学式２の化合物
のうちのいずれかを有機溶媒に溶解させた後、この溶液
を濾過して下部層に塗布してハードベーキングして形成
される反射防止膜の製造方法。 - 【請求項４３】 前記有機溶媒はエチル−3-エトキシプ
ロピオネート、メチル−3-メトキシプロピオネート、シ
クロヘキサノン、およびプロピレングリコールメチルエ
ーテルアセテートから成るグループの中から選択された
少なくともいずれか１つを使用し、前記有機溶媒は反射
防止膜樹脂の２００〜５０００重量％の量で使用する請
求項４２に記載の反射防止膜の製造方法。 - 【請求項４４】 ハードベーキング時の温度は１００〜
３００℃である請求項４２に記載の反射防止膜の製造方
法。 - 【請求項４５】 前記化学式１または化学式２の化合物
の中でいずれかを有機溶媒に溶解させた後、前記表１か
ら選択された１または２以上の添加剤を添加した溶液を
濾過して下部層に塗布してハードベーキングして形成さ
れる反射防止膜の製造方法。 - 【請求項４６】 前記有機溶媒はエチル3-エトキシプロ
ピオネート、メチル3-メトキシプロピオネート、シクロ
ヘキサノン、およびプロピレングリコールメチルエーテ
ルアセテートから成るグループの中から選択された少な
くともいずれか１つを使用し、前記有機溶媒は反射防止
膜樹脂の２００〜５０００重量％の量で使用する請求項
４５に記載の反射防止膜の製造方法。 - 【請求項４７】 前記ハードベーキングは、１００〜３
００℃の温度で行う請求項４５に記載の反射防止膜の製
造方法。 - 【請求項４８】 前記添加剤は０．１〜３０重量％を使
用する請求項４５に記載の反射防止膜の製造方法。 - 【請求項４９】 前記化学式１または化学式２を含む反
射防止膜を使用して製造される半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990023382A KR100310252B1 (ko) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| KR99-23382 | 1999-06-22 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006315320A Division JP4808597B2 (ja) | 1999-06-22 | 2006-11-22 | 有機反射防止重合体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001049231A true JP2001049231A (ja) | 2001-02-20 |
| JP3920537B2 JP3920537B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=19594043
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000182834A Expired - Fee Related JP3920537B2 (ja) | 1999-06-22 | 2000-06-19 | 有機反射防止重合体およびその製造方法 |
| JP2006315320A Expired - Lifetime JP4808597B2 (ja) | 1999-06-22 | 2006-11-22 | 有機反射防止重合体およびその製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006315320A Expired - Lifetime JP4808597B2 (ja) | 1999-06-22 | 2006-11-22 | 有機反射防止重合体およびその製造方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6388039B1 (ja) |
| JP (2) | JP3920537B2 (ja) |
| KR (1) | KR100310252B1 (ja) |
| CN (1) | CN1224610C (ja) |
| DE (1) | DE10028345A1 (ja) |
| FR (1) | FR2795411B1 (ja) |
| GB (1) | GB2351288B (ja) |
| IT (1) | IT1320274B1 (ja) |
| NL (1) | NL1015471C2 (ja) |
| TW (1) | TW553923B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235858A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-31 | Ciba Specialty Chem Holding Inc | 感光性樹脂組成物 |
| WO2004090640A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | エポキシ化合物及びカルボン酸化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| JP2014152192A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Jsr Corp | 硬化膜形成用熱硬化性樹脂組成物、硬化膜形成用感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、半導体素子及び表示素子 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100310252B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2001-11-14 | 박종섭 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| KR100427440B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2004-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법 |
| KR100687851B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100721181B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100721182B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100687850B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR20020090584A (ko) * | 2001-05-28 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사 방지막용 고분자 수지, 및 이를 이용하는ＫｒＦ 포토레지스트용 유기 반사 방지막 조성물 |
| US6893684B2 (en) * | 2001-06-05 | 2005-05-17 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective coating compositions for use with low k dielectric materials |
| US6670425B2 (en) | 2001-06-05 | 2003-12-30 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating of polymer with epoxide rings reacted with light attenuating compound and unreacted epoxide rings |
| KR100480235B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법 |
| US7056826B2 (en) * | 2003-01-07 | 2006-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming copper interconnects |
| US7078336B2 (en) * | 2003-11-19 | 2006-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for fabricating a copper barrier layer with low dielectric constant and leakage current |
| KR101156973B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2012-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 |
| KR100712999B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 중합체, 이를 포함하는 유기 반사 방지막조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 패턴 형성 방법 |
| US20090253081A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | David Abdallah | Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step |
| US20090253080A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Dammel Ralph R | Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning |
| JP2010034494A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機光電変換素子 |
| US20100040838A1 (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Abdallah David J | Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image |
| US8986561B2 (en) * | 2008-12-26 | 2015-03-24 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and storage medium |
| US8084186B2 (en) * | 2009-02-10 | 2011-12-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane |
| US8916336B2 (en) | 2013-03-19 | 2014-12-23 | Eastman Kodak Company | Patterning method using thiosulfate polymer and metal nanoparticles |
| US9005878B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-04-14 | Eastman Kodak Company | Forming patterns using thiosulfate polymer compositions |
| US9499650B2 (en) * | 2013-03-19 | 2016-11-22 | Eastman Kodak Company | Thiosulfate polymers |
| US8986924B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-03-24 | Eastman Kodak Company | Method of sequestering metals using thiosulfate polymers |
| US9772552B2 (en) | 2013-03-19 | 2017-09-26 | Eastman Kodak Company | Thiosulfate polymer compositions and articles |
| KR101699382B1 (ko) * | 2014-10-22 | 2017-01-24 | 유한책임회사 도요엔지니어링 | 가공성이 향상된 낚시릴 프레임 |
| TWI662370B (zh) * | 2015-11-30 | 2019-06-11 | 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 | 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3100077A1 (de) | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
| US4822718A (en) | 1982-09-30 | 1989-04-18 | Brewer Science, Inc. | Light absorbing coating |
| US5674648A (en) | 1984-08-06 | 1997-10-07 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
| JP2740837B2 (ja) | 1987-01-30 | 1998-04-15 | コニカ株式会社 | 多色転写画像形成方法 |
| US6165697A (en) * | 1991-11-15 | 2000-12-26 | Shipley Company, L.L.C. | Antihalation compositions |
| JP3268949B2 (ja) * | 1993-07-20 | 2002-03-25 | 和光純薬工業株式会社 | 遠紫外光吸収材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| US5525457A (en) | 1994-12-09 | 1996-06-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same |
| DE19516470A1 (de) * | 1995-05-05 | 1996-11-07 | Roehm Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Oximmethacrylaten |
| FR2736061B1 (fr) * | 1995-06-27 | 1997-08-08 | Thomson Csf | Materiau electroluminescent a base de polymere, procede de fabrication et diode electroluminescente utilisant ce materiau |
| US5886102A (en) * | 1996-06-11 | 1999-03-23 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions |
| US5652317A (en) * | 1996-08-16 | 1997-07-29 | Hoechst Celanese Corporation | Antireflective coatings for photoresist compositions |
| US7147983B1 (en) * | 1996-10-07 | 2006-12-12 | Shipley Company, L.L.C. | Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same |
| US5939236A (en) * | 1997-02-07 | 1999-08-17 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective coating compositions comprising photoacid generators |
| JP4053631B2 (ja) * | 1997-10-08 | 2008-02-27 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 反射防止膜又は光吸収膜用組成物及びこれに用いる重合体 |
| TW457403B (en) | 1998-07-03 | 2001-10-01 | Clariant Int Ltd | Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom |
| KR100465864B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2005-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| KR100395904B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2003-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
| KR100310252B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2001-11-14 | 박종섭 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
-
1999
- 1999-06-22 KR KR1019990023382A patent/KR100310252B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-06-03 TW TW089110845A patent/TW553923B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-08 DE DE10028345A patent/DE10028345A1/de not_active Withdrawn
- 2000-06-13 GB GB0014257A patent/GB2351288B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-19 NL NL1015471A patent/NL1015471C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2000-06-19 JP JP2000182834A patent/JP3920537B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-20 FR FR0007853A patent/FR2795411B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-21 IT IT2000TO000606A patent/IT1320274B1/it active
- 2000-06-22 US US09/602,655 patent/US6388039B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-22 CN CNB001078429A patent/CN1224610C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-11 US US10/095,852 patent/US6489423B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-11 US US10/095,417 patent/US6538090B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-11-22 JP JP2006315320A patent/JP4808597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235858A (ja) * | 1999-12-15 | 2001-08-31 | Ciba Specialty Chem Holding Inc | 感光性樹脂組成物 |
| JP4532726B2 (ja) * | 1999-12-15 | 2010-08-25 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 感光性樹脂組成物 |
| WO2004090640A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | エポキシ化合物及びカルボン酸化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| JPWO2004090640A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2006-07-06 | 日産化学工業株式会社 | エポキシ化合物及びカルボン酸化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| US7794919B2 (en) | 2003-04-02 | 2010-09-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer coating for lithography containing epoxy compound and carboxylic acid compound |
| KR101216402B1 (ko) | 2003-04-02 | 2012-12-28 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 에폭시 화합물 및 카르본산 화합물을 함유하는 리소그라피용 하층막 형성 조성물 |
| US8460855B2 (en) | 2003-04-02 | 2013-06-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer coating for litography containing epoxy compound and carboxylic acid compound |
| JP2014152192A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Jsr Corp | 硬化膜形成用熱硬化性樹脂組成物、硬化膜形成用感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、半導体素子及び表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITTO20000606A0 (it) | 2000-06-21 |
| US6489423B2 (en) | 2002-12-03 |
| JP4808597B2 (ja) | 2011-11-02 |
| ITTO20000606A1 (it) | 2001-12-21 |
| US20020137826A1 (en) | 2002-09-26 |
| NL1015471A1 (nl) | 2000-12-28 |
| CN1224610C (zh) | 2005-10-26 |
| FR2795411A1 (fr) | 2000-12-29 |
| KR20010003188A (ko) | 2001-01-15 |
| IT1320274B1 (it) | 2003-11-26 |
| TW553923B (en) | 2003-09-21 |
| FR2795411B1 (fr) | 2004-01-30 |
| US6388039B1 (en) | 2002-05-14 |
| US6538090B2 (en) | 2003-03-25 |
| GB2351288A (en) | 2000-12-27 |
| US20020136834A1 (en) | 2002-09-26 |
| CN1278529A (zh) | 2001-01-03 |
| JP2007113014A (ja) | 2007-05-10 |
| GB2351288B (en) | 2004-02-11 |
| KR100310252B1 (ko) | 2001-11-14 |
| JP3920537B2 (ja) | 2007-05-30 |
| GB0014257D0 (en) | 2000-08-02 |
| DE10028345A1 (de) | 2001-01-25 |
| NL1015471C2 (nl) | 2001-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4808597B2 (ja) | 有機反射防止重合体およびその製造方法 | |
| JP3851476B2 (ja) | 有機反射防止重合体およびその製造方法 | |
| JP4791433B2 (ja) | 反射防止膜用組成物、反射防止膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 | |
| JP3860411B2 (ja) | 乱反射防止膜用重合体とその製造方法 | |
| JP3931036B2 (ja) | 乱反射防止膜用化合物とその製造方法 | |
| JP2007231270A (ja) | 有機反射防止膜用重合体、その製造方法および半導体装置 | |
| JP4463417B2 (ja) | 有機反射防止膜用重合体及びその製造方法 | |
| JP4107937B2 (ja) | 反射防止膜の組成物、反射防止膜の製造方法及び半導体素子 | |
| JP3960750B2 (ja) | 有機反射防止化合物及びその製造方法 | |
| JP3602077B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
| JP3457653B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
| JP3848551B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
| JP4024456B2 (ja) | 有機反射防止重合体およびその製造方法 | |
| TWI247969B (en) | Organic anti-reflective coating polymer, anti-reflective coating composition comprising the same and methods of preparation thereof | |
| JP3602075B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
| JP4276359B2 (ja) | 有機反射防止重合体を含む反射防止膜用組成物およびそれを用いた反射防止膜の製造方法ならびに反射防止膜用組成物を含む半導体素子 | |
| JP3602076B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
| KR100400242B1 (ko) | 유기난반사방지중합체및그의제조방법 | |
| KR100351458B1 (ko) | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 | |
| KR100515485B1 (ko) | Ｉ-라인 포토레지스트용 유기반사방지막 조성물 | |
| KR100423535B1 (ko) | 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040723 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070215 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3920537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110223 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120223 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130223 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140223 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |