JP2001024010A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
テープから剥離する時に、クラックが発生するのを防止
できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体ウェーハを複数の半導体素子11に
個片化した後、UV硬化型の粘着性テープ16に貼り付
けられている半導体素子をピックアップ(剥離)する
際、UVランプ12によるUV照射エリアをウェーハサ
イズ、照射雰囲気を大気中とし、半導体素子と粘着性テ
ープの接着部のみを選択的にUV硬化させることを特徴
としている。各半導体素子と粘着性テープとの接着面は
接着性が低下し、各半導体素子の貼り付け面以外の領域
はUV照射されず、且つダイシング溝部分、及び各半導
体素子の貼り付け面以外の領域は大気中の酸素に晒され
るので、硬化が不充分になったり、UV硬化されずに柔
軟な状態を維持する。これによって、半導体素子をピッ
クアップするときの剥がれ易さを向上できる。
Description
造方法に関するもので、特にUV硬化型の粘着性テープ
に貼り付けられた半導体ウェーハを個片化した後、UV
照射を施して粘着性テープを硬化させることにより接着
性を低下させて各半導体素子を粘着性テープからピック
アップする(剥がす)工程に関する。
ンまたはチップ分割ラインに沿って溝を形成し、裏面研
削を行って個片化する際には、半導体ウェーハのパター
ン形成面にUV硬化型の粘着性テープを貼り付けて保護
している。この間に保護テープを剥がし、ウェーハ裏面
にダイシング用テープを貼っている。そして、各々の半
導体素子(チップ)をピックアップする際には、窒素雰
囲気中等の酸素を含まない状態で粘着性テープの全面に
UV照射を行うことによってUV接着剤を硬化させ、半
導体素子との接着性を低下させている。その後、エキス
パンド(粘着性テープの引き伸ばし)を行い、接着性が
低下した状態で、各半導体素子を粘着性テープからピッ
クアップ(剥離)している。また、個片化された半導体
素子を別の粘着性テープに転写した場合においても、転
写後は前記と同様なUV照射エリアと照射雰囲気で粘着
性テープの接着性を低下させてピックアップしている。
の半導体装置の製造方法について詳しく説明するための
もので、図9はUV照射工程、図10はUV照射後の状
態、図11(a)はピックアップ工程、図11(b)は
図11(a)における1つの半導体素子を拡大してそれ
ぞれ示している。図9乃至図11において、1は個片化
された半導体素子、2はUV照射用のUVランプ、3は
UV光の遮光材、4はカバー、5はウェーハリング、6
はUV硬化型の粘着性テープ、7はテープ引き伸ばし用
の治具、8はカバー4の内部を窒素等で置換することに
より、粘着性テープ6を窒素雰囲気に晒すための置換部
である。
1は、UV硬化型の粘着性テープ6のUV接着剤面側に
貼り付けられており、上記半導体素子1と粘着性テープ
6がウェーハリング5で保持された状態で置換部8に収
容されている。上記置換部8にはUV照射時に窒素等が
導入され、内部の空気を窒素に置換するようになってい
る。また、粘着性テープ6の裏面側からUVランプ2で
粘着性テープ6の全面にUV照射を行い、UV接着剤を
硬化させて半導体素子1と粘着性テープ6との接着性を
低下させている。このUV照射は、窒素雰囲気中で施さ
れるので、UV接着剤の硬化が促進される。
1が貼り付けられている粘着性テープ6をウェーハリン
グ5で保持した状態で取り出し、図11(a)に示すよ
うにピックアップ装置のテープ引き伸ばし用の治具7に
装着して粘着性テープ6を引き伸ばす。そして、この状
態で裏面側からピンを突き上げて個々の半導体素子1を
粘着性テープ6から剥離してピックアップする。
は、半導体素子1が薄厚化されている場合、UV照射後
の粘着剤の硬さとエキスパンド量による粘着性テープ6
の張り(硬さ)により、半導体素子1のピックアップ時
(剥離時)に大きな力が必要となり、半導体素子1の粘
着性テープ6からの剥離時にクラックが多発するという
問題がある。また、エキスパンド時においては、半導体
素子1が薄いと、図11(b)に示すように素子単体で
40μm〜60μmもの反りが発生し、ピックアップ装
置において半導体素子の位置検出等ができないという問
題がある。
導体装置の製造方法は、半導体素子のピックアップ時に
大きな力が必要となり、半導体素子を粘着性テープから
剥離する時にクラックが発生するという問題があった。
プの引き伸ばしを行った時に、半導体素子が薄いと反り
が発生し、ピックアップ装置において半導体素子の位置
検出等ができないという問題があった。
れたもので、その目的とするところは、個片化された半
導体素子を粘着性テープから剥離する時にクラックが発
生するのを防止できる半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
プに先立って粘着性テープの引き伸ばしを行った時に、
半導体素子が薄くても反りが発生するのを抑制でき、ピ
ックアップ装置において半導体素子の位置検出が容易に
なる半導体装置の製造方法を提供することにある。
載した半導体装置の製造方法は、UV硬化型の粘着性テ
ープに貼り付けられた半導体ウェーハを個片化して複数
の半導体素子を形成する工程と、上記粘着性テープの上
記複数の半導体素子が貼り付けられた領域に、大気中で
選択的にUV照射を行う工程と、上記各半導体素子を上
記粘着性テープから剥離してピックアップする工程とを
具備することを特徴としている。
体装置の製造方法は、個片化された半導体素子をUV硬
化型の粘着性テープに貼り付ける工程と、上記粘着性テ
ープの上記半導体素子を貼り付けた領域に、大気中で選
択的にUV照射を行う工程と、上記半導体素子を上記粘
着性テープから剥離してピックアップする工程とを具備
することを特徴としている。
子を前記粘着性テープから剥離してピックアップする工
程は、ピックアップ装置のエキスパンド量を、前記粘着
性テープの皺を取り除く程度にしてピックアップするこ
とを特徴とする。
導体素子と粘着性テープとの接着面は選択的なUV照射
により硬化が行われて接着性が低下し、各半導体素子の
貼り付け面以外の領域はUV照射せず、且つダイシング
溝部分、及び各半導体素子の貼り付け面以外の領域は大
気中の酸素に晒されるので、酸素の存在によりアクリル
系UV樹脂が硬化疎外を起こし、未硬化で柔軟な状態を
維持する。このように、粘着性テープの接着力、接着剤
弾性率及びUV硬化状態を制御することにより、半導体
素子をピックアップするときの剥がれ易さを向上でき
る。
ば、各半導体素子と粘着性テープとの接着面は選択的な
UV照射により硬化が行われて接着性が低下し、各半導
体素子の貼り付け面以外の領域はUV照射せず、且つ各
半導体素子間の領域、及び各半導体素子の貼り付け面以
外の領域は大気中の酸素に晒されるので、酸素の存在に
よりアクリル系UV樹脂が硬化疎外を起こし、未硬化で
柔軟な状態を維持する。このように、粘着性テープの接
着力、接着剤弾性率及びUV硬化状態を制御することに
より、半導体素子をピックアップするときの剥がれ易さ
を向上できる。
のエキスパンド量を、粘着性テープの皺を取り除く程度
にすれば、半導体素子が薄くても素子単体での反りを低
減でき、ピックアップ装置における素子の位置検出が容
易にできる。
いて図面を参照して説明する。この発明では、半導体ウ
ェーハを半導体素子に個片化後、ピックアップ(剥離)
しやすくするために、UV硬化型の粘着性テープを硬化
させて接着性を低下させる際、UV照射するエリアを半
導体素子部(ウェーハサイズ)のみに限定し、半導体素
子と接着されていない他の部分(ウェーハサイズのエリ
ア外)はUV光が照射されないようにマスクして行って
いる。また、上記UV照射の雰囲気は、大気中で行う
(酸素の存在によりアクリル系UV樹脂が硬化疎外を起
こし、未硬化で柔軟な状態を維持する)。
の形態に係る半導体装置の製造方法について詳しく説明
するためのもので、図1はUV照射工程、図2はUV照
射後の状態、図3はピックアップ工程をそれぞれ示して
いる。図1乃至図3において、11は個片化された半導
体素子、12はUV照射用のUVランプ、13はUV光
の遮光材、15はウェーハリング、16はUV硬化型の
粘着性テープ、17はテープ引き伸ばし用の治具であ
る。
11は、UV硬化型粘着性テープ16のUV接着剤面側
に貼り付けられており、上記半導体素子11と粘着性テ
ープ16がウェーハリング15で保持されている。上記
粘着性テープ16の上記半導体素子11が貼り付けられ
た裏面側には、UV光の遮光材13が設けられている。
この遮光材13は、半導体素子部(ウェーハサイズ)の
みにUVランプ12からのUV光が照射され、半導体素
子と接着されていない他の部分(ウェーハサイズのエリ
ア外)はUV光が照射されないようにマスクするもので
あり、ウェーハサイズと実質的に等しい開口が形成され
ている。そして、粘着性テープ16の裏面側から、上記
遮光材13の開口部を介してUVランプ12で粘着性テ
ープ16にUV照射を行い、半導体素子11と粘着性テ
ープ16との接着性を低下させるようにしている。上記
UV照射の際、雰囲気は大気中で行う。
16をウェーハリング15で保持した状態で、ピックア
ップ装置に搬送し、図3に示すようなテープ引き伸ばし
用の治具17を装着して粘着性テープ16を引き伸ば
し、この状態で個々の半導体素子11をピックアップ
(剥離)する。粘着性テープ16を引き伸ばす時のエキ
スパンド量は、粘着性テープ16の皺伸ばし程度(0〜
1.5mm程度)とする。
2に示したように半導体素子11と粘着性テープ16と
の接着面AはUV硬化が行われ、ダイシング溝部分Bと
ウェーハサイズのエリア外Cは、UV硬化が不充分であ
ったり、UV硬化されていない状態となる。すなわち、
粘着性テープ16の接着力、接着剤弾性率及びUV硬化
状態はそれぞれ、次の(1)〜(3)に示すようにな
る。
C(硬化なし) 粘着性テープ16の物性をこのような状態にすることに
より、半導体素子11との接着面A、ダイシング溝部分
B及びウェーハサイズのエリア外Cの粘着性テープ16
の柔らかさと接着力を選択的に変えることができ半導体
素子11をピックアップする時の剥がれ易さを向上でき
る。
第10図における半導体素子1と粘着性テープ6との接
着面A、ダイシング溝部分B及びウェーハサイズのエリ
ア外Cは、全てUV硬化が行われた状態となり、粘着性
テープ6の接着力、接着剤弾性率及びUV硬化状態はそ
れぞれ、次の(4)〜(6)に示すようになる。
分) 次に、半導体素子11を粘着性テープ16からピックア
ップする工程について詳しく説明する。
ては、図4に示すように、粘着性テープ16の裏面側か
らピン(ピックアップニードル)18を使って半導体素
子(チップ)11を突き上げて粘着性テープ16から半
導体素子11を剥離する。上記ピン18は、ピンフォル
ダ19に収容されており、ピックアップ時にこのピンフ
ォルダ19からピン18が突出するようになっている。
この工程は、(a)チップのコーナー部を剥離する工
程、(b)ピン18の位置まで剥離する工程、(c)ピ
ン位置より内側を剥離する工程に細分できる。
性テープ16に求められる特性としては、(a)の工程
ではチップのコーナー部と辺部の早期口開き化、
(b),(c)の工程では徐々に剥がれずに一気に剥が
れること等が挙げられる。特に、厚さが50μm以下の
薄いチップ11においては、ピックアップ時にピン18
の接触部を基点にして、図5に示すようにチップ11が
粘着性テープ16に貼り付けられた状態で反る現象が発
生する。この反りは、ピン18の突き上げ変位を高くす
るにつれて大きくなり、チップ11とピン18との接触
部に大きな力が加わるためクラックを発生させる要因と
なる。
テープ16におけるダイシング溝部分Bの柔軟性を確保
しつつ接着力を低下させることにより、チップ11の反
りが大きくなる前に、チップ11のコーナー部(外周
部)の口開きを行うようにしている。すなわち、粘着性
テープ16におけるダイシング溝部Bの柔軟性を保つこ
とにより、剥離時の粘着性テープ16の剥離角度が鋭角
になるため、弱い力(ベクトル)で粘着性テープ16か
ら半導体素子11を剥離できる。また、チップ11と粘
着性テープ16が剥がれ始めればチップ11の反りが小
さくなり、粘着性テープ16の接触面積も小さくなるの
で、剥離時にチップ11と粘着性テープ16に掛かる力
(ピーク荷重)を小さくできる。
るためには、接着力だけでなく、粘着性テープ16の剥
がし角度も重要である。剥離は、図6に示すように、ピ
ン18による突き上げ時に掛かる力Fによって与えら
れ、この力FのZ方向の力Fzによって剥離が進行す
る。この力Fzは、 Fz=Fsinθ(0≦θ≦90°) と表されるので、sinθをより大きくすることが剥離
に有利、つまりθを大きくすることが有効である。この
ように、剥離時の粘着性テープ16の角度を大きくする
ことで低荷重且つ短時間で剥離が可能となる。
6におけるダイシング溝部分Bの柔軟性を確保できるの
で、剥離時の粘着性テープ16の角度を大きくすること
ができ、この点からも剥離を容易化できる。
り、窒素雰囲気中で粘着性テープ16の全面にUV照射
を行ったときのピーク荷重と剥離時間、大気中で粘着性
テープ16の全面にUV照射を行ったときのピーク荷重
と剥離時間、窒素雰囲気中で粘着性テープ16のウェー
ハエリアのみにUV照射を行ったときのピーク荷重と剥
離時間、及び大気中で粘着性テープ16のウェーハエリ
アのみにUV照射を行ったときのピーク荷重と剥離時間
をそれぞれ示している。
テープ16のウェーハエリアのみにUV照射を行ったと
きのピーク荷重が最も低く、且つ剥離時間も短くなって
おり、低荷重で短時間の剥離が可能となる。なお、大気
中で粘着性テープ16の全面にUV照射を行ったときの
ピーク荷重と剥離時間も他に比べて低いので、例えばチ
ップ11が厚い等の条件に応じて粘着性テープ16の全
面にUV照射を行っても良い。
を示しており、窒素雰囲気中で粘着性テープ16の全面
にUV照射を行ったときのエキスパンド量(テープ引き
伸ばし量)とチップ反り量との関係、大気中で粘着性テ
ープ16の全面にUV照射を行ったときのエキスパンド
量とチップ反り量との関係、窒素雰囲気中で粘着性テー
プ16のウェーハエリアのみにUV照射を行ったときの
エキスパンド量とチップ反り量との関係、及び大気中で
粘着性テープ16のウェーハエリアのみにUV照射を行
ったときのエキスパンド量とチップ反り量との関係をそ
れぞれ示している。
であってもエキスパンド量が大きくなるに従ってチップ
反り量が増大しており、エキスパンド量は小さい方がチ
ップ反り量を小さくできる。しかも、大気中で粘着性テ
ープ16のウェーハエリアのみにUV照射を行ったとき
のチップ反り量は、他のUV照射条件に比してチップ反
り量を最も小さくできる。
素子11と粘着性テープ16との接触面のみにし、且つ
UV照射雰囲気を大気中にすることにより、粘着性テー
プ16の粘着剤弾性率とテープ基材弾性率が共に柔らか
い状態になるので、剥離時の粘着性テープ16の剥離角
度を鋭角にできるため、弱い力(ベクトル)で粘着性テ
ープ16から半導体素子11を剥離できる。よって、薄
厚で大型のチップのピックアップが可能になる。また、
ピックアップ装置において、特に薄厚の場合に問題とな
る剥離前の半導体素子の位置検出においても、エキスパ
ンド量をテープの皺伸ばし程度に抑え、その他の条件
(UV硬化による粘着性テープ16の高弾性化等)を最
適化して粘着性テープ16が硬くなるのを抑制すること
により、素子単体での反りを低減して位置検出を容易化
できる。
ば、個片化された半導体素子を粘着性テープから剥離す
る時にクラックが発生するのを防止できる半導体装置の
製造方法が得られる。
プの引き伸ばしを行った時に、半導体素子が薄くても反
りが発生するのを抑制でき、ピックアップ装置において
半導体素子の位置検出が容易になる半導体装置の製造方
法が得られる。
方法について説明するためのもので、UV照射工程を示
す図。
方法について説明するためのもので、UV照射後の状態
を示す図。
方法について説明するためのもので、ピックアップ工程
を示す図。
るためのもので、チップ剥離時の拡大断面図。
るためのもので、チップ剥離時のチップの反りについて
説明するための図。
るためのもので、チップ剥離時の剥離角度について説明
するための図。
UV照射条件におけるピーク荷重と剥離時間との関係を
示す図。
で、各UV照射条件におけるエキスパンド量とチップ反
り量との関係を示す図。
ためのもので、UV照射工程を示す図。
るためのもので、UV照射後の状態を示す図。
るためのもので、(a)図はピックアップ工程を示す
図、(b)図は(a)図における1つの半導体素子を拡
大して示す図。
Claims (3)
- 【請求項1】 UV硬化型の粘着性テープに貼り付けら
れた半導体ウェーハを個片化して複数の半導体素子を形
成する工程と、 上記粘着性テープの上記複数の半導体素子が貼り付けら
れた領域に、大気中で選択的にUV照射を行う工程と、 上記各半導体素子を上記粘着性テープから剥離してピッ
クアップする工程とを具備することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項2】 個片化された半導体素子をUV硬化型の
粘着性テープに貼り付ける工程と、 上記粘着性テープの上記半導体素子を貼り付けた領域
に、大気中で選択的にUV照射を行う工程と、 上記半導体素子を上記粘着性テープから剥離してピック
アップする工程とを具備することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項3】 前記半導体素子を前記粘着性テープから
剥離してピックアップする工程は、ピックアップ装置の
エキスパンド量を、前記粘着性テープの皺を取り除く程
度にしてピックアップすることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2831148A1 (fr) * | 2001-10-22 | 2003-04-25 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif de manipulation d'un wafer |
JP2004327965A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップのピックアップ装置およびピックアップ方法 |
JP2006049877A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Icチップ及びその作製方法 |
JPWO2004100240A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2006-07-13 | 株式会社東京精密 | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
US7886798B2 (en) | 2002-10-28 | 2011-02-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Expanding method and expanding device |
US7887665B2 (en) | 2002-10-28 | 2011-02-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Expanding method and expanding device |
KR101019756B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-03-09 | 제일모직주식회사 | 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법 |
US8426293B2 (en) | 2004-07-09 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC chip and its manufacturing method |
KR101440393B1 (ko) * | 2012-02-02 | 2014-09-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
KR20190106568A (ko) * | 2018-03-09 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
JP2020177963A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
-
1999
- 1999-07-08 JP JP19449399A patent/JP3538070B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2831148A1 (fr) * | 2001-10-22 | 2003-04-25 | Gemplus Card Int | Procede et dispositif de manipulation d'un wafer |
US7886798B2 (en) | 2002-10-28 | 2011-02-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Expanding method and expanding device |
US7887665B2 (en) | 2002-10-28 | 2011-02-15 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Expanding method and expanding device |
JP2004327965A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップのピックアップ装置およびピックアップ方法 |
JPWO2004100240A1 (ja) * | 2003-05-12 | 2006-07-13 | 株式会社東京精密 | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
JP4599631B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2010-12-15 | 株式会社東京精密 | 板状部材の分割方法及び分割装置 |
JP2006049877A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Icチップ及びその作製方法 |
US8426293B2 (en) | 2004-07-09 | 2013-04-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC chip and its manufacturing method |
KR101019756B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-03-09 | 제일모직주식회사 | 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법 |
TWI463577B (zh) * | 2009-12-24 | 2014-12-01 | Cheil Ind Inc | 晶粒附接薄膜及其製造方法 |
KR101440393B1 (ko) * | 2012-02-02 | 2014-09-15 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
US8993413B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
KR20190106568A (ko) * | 2018-03-09 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
KR102563929B1 (ko) | 2018-03-09 | 2023-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
JP2020177963A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 株式会社デンソー | 半導体チップの製造方法 |
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