JP2000354960A - 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド - Google Patents
基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッドInfo
- Publication number
- JP2000354960A JP2000354960A JP2000122904A JP2000122904A JP2000354960A JP 2000354960 A JP2000354960 A JP 2000354960A JP 2000122904 A JP2000122904 A JP 2000122904A JP 2000122904 A JP2000122904 A JP 2000122904A JP 2000354960 A JP2000354960 A JP 2000354960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- carrier head
- lip portion
- chamber
- flexible membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920000784 Nomex Polymers 0.000 description 1
- 235000013400 Quercus lobata Nutrition 0.000 description 1
- 240000001749 Quercus lobata Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004763 nomex Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
へローディングし、またポリシングパッドから取り外す
ことができるケミカルメカニカルポリシング装置用キャ
リヤヘッドを提供する。 【解決手段】 このケミカルメカニカルポリシング装置
用キャリヤヘッド100は、優れたケミカルメカニカル
ポリシングのために、基板10に係合する膨張可能リッ
プ部分186を備える可撓膜118を含んでいる。リッ
プ部分は、キャリヤヘッド内のチャンバ190の圧力変
化に応じて、基板とのシールを形成したりシールを解除
したりすることができる。
Description
ミカルメカニカルポリシングに関し、特に、基板のケミ
カルメカニカルポリシング用のキャリヤヘッドに関す
る。
るいは絶縁層の連続的な堆積により基板、特にシリコン
ウェーハ上に形成される。各層が堆積された後、基板は
回路図形を形成するためにエッチングされる。一連の層
が連続的に堆積されエッチングされるにつれて、基板の
外面または最上面、すなわち基板の露出面は、徐々に非
平坦になる。この非平坦面は、集積回路製造プロセスの
フォトリソグラフィ工程で問題となる。したがって、定
期的に基板表面を平坦化する必要がある。
は、平坦化の認められた方法の一つである。この平坦化
方法は、通常、キャリアヘッドまたは研磨ヘッド上に基
板を取り付けることを必要とする。基板の露出面は、回
転しているポリシングパッドに接するように配置され
る。ポリシングパッドは、「標準の」パッドであっても
よいし、固定砥粒パッドであってもよい。標準ポリシン
グパッドが耐久性のある粗面を有するのに対して、固定
砥粒パッドは封入媒体の中に保持された研磨粒子を有す
る。キャリアヘッドは、基板に制御可能な荷重、すなわ
ち圧力を加え、基板をポリシングパッドへ押し付ける。
少なくとも一種類の化学反応剤を(標準パッドが使用さ
れるときは、研磨粒子も)有する研磨スラリーが、ポリ
シングパッドの表面に供給される。
グレート、および得られる基板表面の仕上り(小規模の
粗さがないこと)と平坦度(大規模なトポグラフィがな
いこと)によって評価することができる。ポリシングレ
ート、仕上りおよび平坦度は、パッドとスラリーの組合
せ、基板とパッドとの間の相対速度、およびパッドに基
板を押しつける力により決定される。
の一つは、基板の中央部分が研磨不足になることが多い
点である。「センタースロウ効果」と称することができ
るこの問題は、基板の背面へ圧力を均一に加えても、発
生することがある。
板をポリシングパッド面から取り外すのが困難なことで
ある。先に述べたように、一層のスラリーがポリシング
パッドの表面に供給される。基板がポリシングパッドに
接するように配置されると、スラリーの表面張力が、基
板をポリシングパッドへ束縛する接着力を発生する。こ
の接着力が、基板をパッドから取り外すことを困難にす
ることがある。
空チャックされ、キャリヤヘッドを使用することで基板
がポリシングパッドから取り外される。キャリヤヘッド
をポリシングパッドから後退させると、基板はパッドを
離れて持ち上げられる。しかし、基板をポリシングパッ
ド上に保持する表面張力が、基板をキャリヤヘッド上に
保持する真空チャックの力より大きい場合、キャリヤヘ
ッドが後退しても基板はポリシングパッド上に残ってし
まう。これにより、基板が破損したり、欠けたりするか
もしれない。さらに、基板取外しの失敗が、機械の故障
を引き起こし、人手の介入が必要になることもある。こ
れにより、ポリシング装置のシャットダウンが必要とな
り、スループットが低下する。ポリシング装置による信
頼性の高い作業を達成するためには、基板取外しプロセ
スが本質的に完璧であることがよい。
ングパッド間の表面張力を減らしてきた。そのような技
術は、基板を水平方向にスライドさせてポリシングパッ
ドから離すことにより表面張力に打ち勝った後に、キャ
リヤヘッドを垂直方向に後退させる。しかし、この技術
では、基板がスライドしてポリシングパッドのエッジか
ら離れるとき、基板にスクラッチができたり、その他の
損傷を与えるかもしれない。また、CMP装置の機械的
構成によっては、この技術を利用することができないこ
とがある。
ポリシングパッド面を処理する。しかし、この技術は必
ずしも成功するとは限らず、パッド面のそのような処理
は、逆に基板の仕上りと平面度に悪影響を及ぼして、ポ
リシングレートを低下させることがある。
をかけて、大気が真空チャックプロセスと干渉すること
を防ぐシールを形成する。しかし、この技術は、キャリ
アヘッドの複雑な空気圧制御を必要とする。さらに、キ
ャリヤヘッドの構造が、基板のエッジへの加圧を阻むか
もしれない。
明は、基板のケミカルメカニカルポリシング用のキャリ
ヤヘッドに関する。このキャリヤヘッドは、ベースと、
ベースの下に延在して加圧可能チャンバを画成する可撓
膜と、を有する。可撓膜の下面は、基板用のマウント面
を与える。可撓膜は、内側部分と、外側の膨張可能リッ
プ部分と、を含む。このリップ部分は、チャンバ内の圧
力変化に応じて膨張したり、あるいは収縮するよう構成
され、マウント面に当たるように配置された基板とのシ
ールを解除したり、あるいはシールを形成するように配
置されている。
んでいてもよい。可撓膜の一部は、リップ部分を形成す
るように折り畳むことができる。リップ部分は、流体が
流れるようにチャンバと連通するポケットを含んでいて
もよい。リップ部分は、上側部分と、下側部分と、上側
部分および下側部分間に配置されたポケットと、を含ん
でいてもよい。可撓膜は、上側部分に接合されたエッジ
部分を更に含んでいてもよい。可撓膜は、エッジ部分に
接合された第1の端部およびリテーナリングに固定され
た第2の端部を有する環状翼部分を更に含んでいてもよ
い。スペーサがリップ部分のエッジ部分を包囲して、リ
ップ部分の構造的完全性を維持してもよい。リップ部分
は、チャンバが排気されるときに基板とのシールを形成
してもよい。リップ部分は、チャンバが加圧されるとき
に基板とのシールを解除してもよい。
カルポリシングの方法に関する。基板は、キャリヤヘッ
ドの可撓膜のマウント面に接するように位置決めされ、
可撓膜は、キャリヤヘッド内で加圧可能チャンバを画成
する。この可撓膜は、流体が流れるようにチャンバと連
通する膨張可能リップ部分を含んでいる。チャンバは、
膨張可能リップ部分を収縮させて基板とのシールを形成
するように排気される。基板は、第1の位置から第2の
位置へ搬送される。
きる。基板は、高い信頼性をもってポリシングパッドへ
ローディングすることができ、またポリシングパッドか
ら取り外すことができる。基板と可撓膜との間に捕捉さ
れた空気の除去を可能とすることにより、ポリシング
中、基板に一様な荷重が付加される。
許請求の範囲に加えて、以下の説明から明らかになるで
あろう。
様な参照番号が種々の図面の中で使用される。添字は、
変更された機能、動作または構造を構成要素が有するこ
とを示している。
が、ケミカルメカニカルポリシング(CMP)装置20
によりポリシングされる。同様のCMP装置の説明は、
米国特許第5,738,574号で見ることができる。
この全開示は、本明細書に援用される。
を含んでおり、このマシンベースは、その上に取り付け
られたテーブルトップ23と、着脱可能な上部外カバー
(図示せず)と、を備えている。テーブルトップ23
は、一連のポリシングステーション25と、基板をロー
ディングおよびアンローディングする搬送ステーション
27と、を支持する。搬送ステーションは、三つのポリ
シングステーションとともに略正方形の配置を形成して
いてもよい。
パッド32が載置される回転プラテン30を含んでい
る。基板10が8インチ(200mm)または12イン
チ(300mm)径のディスクの場合、プラテン30お
よびポリシングパッド32は、それぞれ直径が約20イ
ンチまたは30インチとなる。プラテン30は、マシン
ベース22の内側に配置されたプラテン駆動モータ(図
示せず)に接続することができる。大抵の研磨プロセス
では、プラテン駆動モータは、毎分30〜200回転で
プラテン30を回転させるが、それより遅いまたは速い
回転速度を使用することもできる。各ポリシングステー
ションは、ポリシングパッドの研磨条件を維持するため
に、対応するパッドコンディショナ装置40を更に含ん
でいてもよい。
水)および化学反応触媒(例えば、酸化物ポリシング用
の水酸化カリウム)を含むスラリ50は、スラリ/リン
ス共用アーム52によってポリシングパッド32の表面
に供給することができる。ポリシングパッド32が標準
パッドである場合、スラリ50に研磨粒子(例えば酸化
物ポリシング用の二酸化ケイ素)を含ませてもよい。通
常は、ポリシングパッド32の全体を覆って湿潤するの
に十分なスラリが供給される。スラリ/リンスアーム5
2は、ポリシングサイクルおよびコンディショニングサ
イクルの各々の最後にポリシングパッド32の高圧リン
スを行う数個のスプレーノズル(図示せず)を含んでい
る。
ーセル支持プレート66とカバー68を含んでおり、下
部マシンベース22の上方に配置されている。カルーセ
ル支持プレート66はセンターポスト62によって支持
され、マシンベース22内に配置されたカルーセルモー
タアセンブリによってセンターポスト62上でカルーセ
ル軸64を中心として回転する。マルチヘッドカルーセ
ル60は、カルーセル支持プレート66上においてカル
ーセル軸64の周りに等角度間隔で取り付けられた4個
のキャリヤヘッドシステム70を含んでいる。これらの
キャリヤヘッドシステムの3個は、基板を受け取って保
持し、基板をポリシングステーションのポリシングパッ
ドに押し付けることによって基板をポリシングする。キ
ャリヤヘッドシステムの1個は、搬送ステーション27
から基板を受け取り、また、搬送ステーション27へ基
板を受け渡す。カルーセルモータは、キャリヤヘッドシ
ステムおよびキャリヤヘッドシステムに取り付けられた
基板を、ポリシングステーションと搬送ステーションと
の間でカルーセル軸64の周りに軌道運動させることが
できる。
またはキャリヤヘッド100を含んでいる。各キャリヤ
ヘッド100は、自らの軸を中心として独立に回転し、
カルーセル支持プレート66内に形成されたラジアルス
ロット72内を独立して横方向に振動する。キャリヤ駆
動軸74はスロット72を通って延在し、キャリヤヘッ
ド回転モータ76(カバー68の4分の1を除去して示
す)をキャリヤヘッド100に接続する。各ヘッドに
は、ひとつのキャリヤ駆動軸とモータがある。各モータ
および駆動軸は、キャリヤヘッドを横方向に振動させる
ために、ラジアル駆動モータによりスロットに沿って直
線的に駆動させることができるスライダ(図示せず)上
に支持することができる。
ドは、3個のポリシングステーションおよびその上方に
位置する。各キャリヤヘッド100は、基板を下降させ
てポリシングパッド32に接触させる。一般に、キャリ
ヤヘッド100は、基板をポリシングパッドに接触させ
て所定位置に保持し、力を基板の背面全体に分散させ
る。さらに、キャリヤヘッドは駆動軸から基板へトルク
を伝える。
ッド100は、ハウジング102、ベース104、ジン
バル機構106、ローディングチャンバ108、リテー
ナリングll0、および基板バッキングアセンブリ11
2を含む。同様のキャリヤヘッドの説明は、Zunig
a他による米国特許出願第08/861,260号「ケ
ミカルメカニカルポリシングシステム用の可撓膜を有す
るキャリアヘッド」(1997年5月21日出願、本発
明の譲受人に譲渡済)に見られる。この全開示は、本明
細書に援用される。
ており、ポリシング中はポリシングパッドの表面に実質
的に垂直な回転軸107を中心として、ポリシング中に
駆動軸とともに回転することができる。ローディングチ
ャンバ108は、ハウジング102とベース104との
間に配置されており、荷重つまり下向きの圧力をベース
l04に加える。また、ポリシングパッド32に対する
ベース104の垂直方向位置は、ローディングチャンバ
108により制御される。
構造体ll4、支持構造体ll4をベースl04に連結
する撓みダイヤフラムll6、および支持構造体ll4
に連結された可撓性部材または可撓膜118を含んでい
る。可撓膜118は、支持構造体114の下方に延在し
て、基板用のマウント面192を提供する。可撓膜11
8、支持構造体ll4、撓みダイヤフラムll6、ベー
スl04、およびジンバル機構106間のシールされた
空間は、加圧可能チャンバ190を画成する。チャンバ
190を加圧すると、可撓膜118が下方に押され、基
板がポリシングパッドに押し付けられる。第1ポンプ
(図示せず)をチャンバ190に連通させることでチャ
ンバ内の圧力を制御し、これにより、基板に加わる可撓
膜の下向きの力を制御することができる。
板の円形の外形に対応するように略円形の形状を有して
いてもよい。円筒形ブッシュ122が、ハウジングを貫
通する垂直穴124に嵌入していてもよく、二つの通路
126と128が、キャリヤヘッドの空気圧制御のため
にハウジングを貫通して延在していてもよい。
略リング形の本体であり、ハウジング102の下に配置
される。通路130は、ベースを貫通して延在していて
もよく、また二つの取付具132および134は、ハウ
ジング102とベース104との間に可撓性チューブを
接続して通路128を通路130へ連通させるための取
付点を与えることができる。
ング142によってベース104の下面に取り付けるこ
とにより、ブラダー144を形成することができる。ク
ランプリング142は、ねじまたはボルト(図示せず)
によってベース104に固定することができる。第2の
ポンプ(図示せず)をブラダー144に接続し、流体、
例えば空気などのガスをブラダーに出入りさせることに
よって支持構造体ll4への下向き圧力を制御してもよ
い。特に、ブラダー144を用いることで、支持構造体
114の支持プレート170からの突起179(図3を
参照)が可撓膜118の中央領域を基板10に押し付け
るようにすることができ、これにより基板の中央部へ追
加圧力を加えることができる。
リシングパッドの表面と実質的に平行な状態を維持でき
るように、ベース104がハウジング102に対して旋
回できるようにする。ジンバル機構106は、通路15
4に嵌入して円筒ブッシュ122を貫通するジンバルロ
ッド150と、ベース104に固定された撓みリング1
52と、を含んでいる。ジンバルロッド150は、通路
154に沿って垂直に滑動することによりベース104
の垂直運動を与えることができるが、ハウジング102
に対するベース104の横方向の運動は阻止する。
側エッジは、内側クランプリング162によりハウジン
グ102へクランプすることができる。外側クランプリ
ング164は、回転ダイヤフラム160の外側エッジを
ベース104にクランプすることができる。このように
して、回転ダイヤフラム160は、ハウジング102お
よびベース104間の空間をシールして、ローディング
チャンバ108を画成する。第3のポンプ(図示せず)
をローディングチャンバへ連通することにより、ローデ
ィングチャンバ108内の圧力と、ベース104へ加え
られる荷重を制御することができる。
(図示せず)によってベース104の外側エッジに固定
された略円環体とすることができる。流体がローディン
グチャンバ108内へ圧送され、ベース104が下方に
押されると、リテーナリング110も下方に押されて、
ポリシングパッド32へ荷重を加える。リテーナリング
110の底面194は実質的に平坦とすることができ、
あるいはリテーナリングの外側から基板へのスラリ輸送
を容易にするために複数のチャネルを有していてもよ
い。リテーナリング110の内側面196は、基板がキ
ャリヤヘッドの下から逃げるのを妨ぐように基板と係合
する。
造体114は、支持プレート170、環状下側クランプ
172、および環状上側クランプ174を含む。支持プ
レート170は、複数の貫通孔176が形成された略デ
ィスク状の硬質部材とすることができる。支持プレート
170の外側面は、約3mm幅の隙間だけリテーナリン
グ110の内側面196から分離してもよい。約2〜4
mm(例えば3mm)の幅W1を有する環状凹部178
を支持プレート170の外側エッジに形成することがで
きる。さらに、突起179(図3を参照)が、支持プレ
ートの底面の中央領域から下方に延在していてもよい。
この突起は、支持プレートの底にキャリヤフィルムを取
り付けることにより形成してもよいし、支持プレートと
一体に形成してもよい。支持プレート170は、突起1
79の上方の領域を通る孔を含んでいなくてもよい。こ
の他に、支持プレートと突起の両方を貫通して孔が延在
していてもよい。
イヤフラム116は、略平坦な円環である。撓みダイヤ
フラムll6の内側エッジは、ベース104とリテーナ
リング110との間にクランプされ、撓みダイヤフラム
ll6の外側エッジは下側クランプ172と上側クラン
プ174との間にクランプされる。撓みダイヤフラム1
16は、可撓性および弾性ではあるが、径方向および接
線方向で硬質とすることができる。撓みダイヤフラムl
l6は、ネオプレン(登録商標)などのゴム、NYLO
N(商標)やNOMEX(商標)などのエラストマ被覆
布、プラスチック、またはガラス繊維などの複合材料か
ら形成することができる。
プロピレンゴム、シリコンなどの可撓性かつ弾性の材料
から形成された略円形のシートである。可撓膜ll8
は、内側部分180、支持プレート170のエッジの周
りに延在して支持プレートと下側クランプ172との間
でクランプされる環状エッジ部分182、および内側部
分180とエッジ部分182との間の連結部184から
外側に延在して、キャリヤヘッドにロードされた基板の
外周部に接触する可撓リップ部分186を含んでいる。
連結部184は、支持プレートl70の凹部178のほ
ぼ下方に配置され、内側部分180またはエッジ部分1
82よりも厚く、例えば約2倍の厚さがある。
ができ、連結部の厚さにほぼ等しい厚さから、可撓膜1
18の内側部分180の厚さとほぼ等しい、その外側リ
ムにおける厚さに至るテーパをつけることができる。リ
ップ部分186の外側リム188は基板に向けて傾斜さ
せることができる。特に、チャンバ190が排気され可
撓膜118が上方に引かれても、リップ部分180のリ
ム188が依然として支持プレート170上の突起l7
9の下に延在するように、リップ部分は十分に下方へ延
在しているのがよい。こうすれば、突起179が基板エ
ッジへの加圧を阻止したとしても、基板と可撓膜ll8
との間にシールを確実に形成することができる。以下で
より詳細に述べるように、リップ部分186は、ポリシ
ングパッドからの基板の取り外しを補助する。
とエッジ部分の厚さを約29〜33ミルとすることがで
き、連結部は、厚さを約60〜66ミルとし、エッジ部
分から内側に約l〜5mm(例えば3.5mm)延在す
ることができる。リップ部分は、内側部分180から約
0〜30°(例えば15°)の角度で下方に延在させる
ことができ、また、エッジ部分182を越えて約1〜5
mm(例えば3.5mm)延在させることができる。
問題は、基板中央のポリシング不足である。キャリヤヘ
ッド100を用いることで、センタースロウ効果を低減
し、あるいは最小限に抑えることができる。特に、基板
受取り面の中心付近に位置する略円形の接触領域内で可
撓膜の上面と接触する突起179を支持プレート170
に設けることによって、基板中央のポリシング不足とな
りうる領域へ追加の圧力をブラダー144によって加え
ることができる。この追加圧力は、1997年8月8日
出願の米国特許出願第08/907,810号で検討さ
れているように、基板の中央におけるポリシングレート
を高め、ポリシングの均一性を改善し、センタースロウ
効果を低減する。なお、この出願の全開示は本明細書に
援用される。
18へ真空チャックするために、流体がチャンバ190
から排出される。次いで、ローディングチャンバ108
が排気され、ベース104とバッキング構造体ll2が
持ち上げられてポリシングパッドから離される。
は、ポリシングパッドから基板を取り外すことが困難な
ことである。しかしながら、キャリヤヘッド100はこ
の問題を実質的に解消する。
の取り付け及び取り外しに関連する要素だけを図4
(a)および(b)に示す)。チャンバ190が排気さ
れると、可撓膜ll8の内側部分180が内側に引かれ
る。これは、基板背面と可撓膜のマウント面との間の空
間内の圧力を低下させる。この圧力低下により、リップ
部分186が基板の外周部分に当たるように引っ張ら
れ、両者の間にシールが形成される。これは、可撓膜へ
の基板の効果的な真空チャックを提供する。このよう
に、ローディングチャンバ108が排気されると、基板
10は、キャリヤヘッドへ確実に保持される。さらに、
シールを形成するために基板外周上の可撓膜の部分へ下
向きの力をさらに加える必要がないように、シールは十
分な気密性・液密性を持っている。その結果、キャリア
ヘッド内の空気圧制御をさらに必要とすることなくシー
ルを実装することができる。
ヘッドから取り外すため、流体がチャンバ190内へ圧
送される。これにより、内側部分180は外側に膨出
し、それにより連結部184が下方に旋回する。その結
果、リップ部分186が基板から離れて上昇するよう
に、リップ部分186が上向きに旋回する。このこと
が、可撓膜と基板との間のシールを解除し、可撓膜の内
側部分からの下向き圧力が、基板をキャリヤヘッドから
取り外す。連結部184の厚さは、可撓膜ll8の内側
部分が下方へ付勢されたときにリップ部分が上方に確実
に回るために十分な剛性を与えるように選択するのがよ
い。
aは、リップ部分186aの上で折りたためる可撓膜1
18aを含んでいる。この実施形態による利点は、支持
プレート170の円筒形外面とリテーナリング110の
内側面との間の隙間が小さくなることである。可撓膜l
18aのエッジ部分182aは、リップ部分186aの
上に延在して連結部184aに接続する折りたたみ部1
98を含んでいる。折りたたみ部198は、支持プレー
ト170の凹部178aに嵌まることができる。支持プ
レート170は、支持プレートと一体に形成された突起
179をさらに含んでいてもよい。
ャリヤヘッド100bは、内側部分180bを有する可
撓膜ll8b、支持プレートl70のエッジの周りに延
在する環状エッジ部分200、エッジ部分200の上端
からリテーナリング110およびベース104まで径方
向外向きに延在して、これらの間に固定される翼部分2
02、ならびにキャリヤヘッド内にロードされた基板の
外周部分と接触する膨張可能周囲リップ部分206を含
む。翼部分202は可撓膜へ一体的に接合され、図3お
よび図5の撓み部品116の代わりをする。エッジ部分
200は、おおむね翼部分202と膨張可能リップ部分
206との間に配置される。スペーサリング208は、
翼部分とエッジ部分との隙間へ延在する内方延在フラン
ジ210を含んでいる。後で説明するように、スペーサ
リングはエッジ部分をほぼ包囲し、チャンバl90が加
圧されるときに膨張可能リップ部分206の構造的完全
性を維持する。
8bのエッジ部分200および内側部分180bから径
方向外向きに延在する。リップ部分206は、外周部分
200および内側部分180bとの間に位置する可撓膜
の部分を上側部分216と下側部分218とに折りたた
むことにより形成することができる。上側部分216お
よび下側部分218間の空間は、チャンバ190と連通
するポケット220を画成する。膨張可能リップ部分2
06の外側リム222は、基板に向けて傾斜させること
ができる。特に、膨張可能リップ部分206のリム22
2が支持プレート170上の突起179の下に延在する
ように、膨張可能リップ部分206は、十分に下方に延
在しているのがよい。これにより、突起179が基板エ
ッジへの加圧を阻止する場合であっても、基板と可撓膜
ll8bとの間にシールを確実に形成することができ
る。
分180bの厚さを約29〜33ミルとし、エッジ部分
200の厚さを約150〜250ミルとすることができ
る。リップ部分206は、内側部分180bから約0〜
30°(例えば15°)の角度で下方へ延在させること
ができ、また、エッジ部分200を越えて約1〜5mm
(例えば3.5mm)延在させることができる。
bはポリシング作業中に基板へ一定の荷重をかけるよう
に使用される。ポリシング作業を実行するには、まず基
板10が、可撓膜ll8bへ真空チャックされ、ポリシ
ングパッド32上に配置される。真空チャックの手順
は、チャンバ190を排気し、基板10と可撓膜118
bの膨張可能リップ部分206との間にシールを形成す
ることにより実行される。この手順中、可撓膜と基板と
の間に空気が捕捉される。この捕捉空気は、除去されな
いと、ポリシング作業中に硬質の物体(例えば、支持プ
レートから下方に延在する突起)によって基板背面へ荷
重を加えるときに基板上へ力を作用させ、これにより基
板への均一な荷重の付加を妨げることがある。
排除する手段を提供する。ポリシングパッド32上に基
板を配置した後、流体をチャンバ190に圧送してチャ
ンバを加圧し、基板に均一な荷重を加える。膨張可能リ
ップ部分206のポケット220は、チャンバ190と
連通しており、流体の流入によって同じく加圧され、膨
張可能リップ部分206を膨張させる。矢印AAは、チ
ャンバ190とポケット220の加圧を示す。ポケット
が加圧されるのにともない、膨張可能リップ部分206
が膨張する。リップ部分の膨張により、可撓膜のリブが
基板から離され、それによりリップ部分と基板との間の
シールが解除される。その結果、ポリシング作業開始時
に荷重が基板へ加えられると、可撓膜ll8bと基板と
の間に捕捉されている空気は強制的に排出される。
は、チャンバ190およびポケット220内の圧力によ
ってエッジ部分200が過度に遠くに押し出され膨張可
能リップ206が変形することを防止することにより、
加圧手順全体を通じて、膨張可能リップ部分206がそ
の構造的完全性を維持できるようにする。
ップ部分206は、ポリシング作業後に基板をポリシン
グパッドから取り外す信頼性の高い手段を提供する。ポ
リシング手順が完了すると、基板をポリシングパッドか
ら取り外すためにチャンバ190が排気される。矢印B
Bは、チャンバ190の排気を示す。チャンバ190の
排気により、膨張した膨張可能リップ部分206は収縮
し、矢印CCによって示されるように、大気圧が膨張可
能リップ部分206に働く。なお、膨張可能リップ部分
206に大気圧が作用していることを示すために、スペ
ーサ208の図示は省略している。
なる排気により、可撓膜ll8bが上方へ持ち上げられ
る。可撓膜ll8bと基板との間の低圧領域281が、
可撓膜ll8bの持ち上げにより生成される。可撓膜1
18bの全体にわたる圧力差は、リップ部分206を基
板にしっかりと押しつける。リップ部分206と基板と
の間のシール力は、可撓膜ll8bを基板から離そうと
する力に比例する。したがって、ポリシングパッドから
基板を取り外すためにキャリヤヘッド100bが上方へ
持ち上げられると、リップ部分206はしっかりと基板
を保持する。
リヤヘッド100bからの基板取外し手順を示してい
る。基板がキャリヤヘッドにチャックされると、キャリ
ヤヘッド100bは基板を持ち上げてポリシングパッド
32から離し、キャリヤヘッドが搬送ステーション(図
示せず)の上方に位置決めされるまでカルーセルが回転
する。矢印DDで示すように、チャンバ190およびポ
ケット220が加圧される。エッジ部分200を囲むス
ペーサ208は、チャンバ190およびポケット220
内の圧力がエッジ部分200を過度に遠くへ押し出すこ
とを阻止するとともに膨張可能リップ部分206を変形
させることを阻止することによって、膨張可能リップ部
分206がその構造的完全性を維持できるようにする。
チャンバ190およびポケット220の加圧により、可
撓膜ll8bが広がり、膨張可能リップ部分206が膨
張する。エッジ部分の膨張により、可撓膜のリムは基板
から強制的に離され、それにより、リップ部分206と
基板との間のシールが解除される。次いで、基板は、搬
送ステーション上に降下する。膨張可能リップ部分20
6は、ポリシング作業後にチャンバ190およびポケッ
ト220の加圧によってキャリヤヘッドから基板を取り
外す信頼性の高い手段をキャリヤヘッド100bに提供
する。
て、キャリヤヘッド100cは、リテーナリング110
に固定された撓み部品116と、支持プレート170お
よび下側クランプ172間に固定されたリム224を有
する可撓膜118cと、を含んでいる。可撓膜118c
は、膨張可能リップ部分206cを含んでいる。スペー
サ208cは、チャンバ190が加圧されるときに膨張
可能リップ部分206cの構造的完全性が維持されるよ
うにエッジ部分200cを包囲している。
ングおよび基板取外し手順は、キャリヤヘッド100b
に関して前述した手順と実質的に同様である。
てきたが、本発明は、図示および記載された実施形態に
限定されるものではなく、本発明の範囲は、特許請求の
範囲によって定められる。
図である。
る。
のエッジにある可撓リップを示す。
アヘッドから基板を取り外す方法を示している。
るキャリヤヘッドの断面図である。
ッドの概略断面図である。
ッド上の基板を研磨する方法を示す図である。
ッドから基板を取り外す方法を示す図である。
ッドから基板を取り外す方法を示す図である。
ヤヘッドから基板を取り外す方法を示す図である。
撓み部品とを含むキャリヤヘッドの概略断面図である。
25…ポリシングステーション、27…搬送ステーショ
ン、30…プラテン、32…ポリシングパッド、74…
キャリヤ駆動軸、76…キャリヤヘッド回転モータ、1
00…キャリヤヘッド、102…ハウジング、104…
ベース、106…ジンバル機構、107…回転軸、10
8…ローディングチャンバ、110…リテーナリング、
118…可撓膜、180…内側部分、182…エッジ部
分、186…リップ部分、190…加圧可能チャンバ。
Claims (17)
- 【請求項1】 基板のケミカルメカニカルポリシング用
のキャリヤヘッドであって、 べースと、 加圧可能なチャンバを画成するように前記ベースの下に
延在する可撓膜と、を備え、前記可撓膜の下面は、基板
用のマウント面を形成し、前記可撓膜は、内側部分およ
び膨張可能外側リップ部分を含んでおり、前記リップ部
分は、前記チャンバ内の圧力変化に応じて膨張または収
縮するように構成され、かつ前記マウント面に接するよ
うに配置された前記基板とのシールを解除または形成す
るように構成されている、キャリヤヘッド。 - 【請求項2】 前記リップ部分を画成するように前記可
撓膜の一部が折りたたまれる請求項1記載のキャリヤヘ
ッド。 - 【請求項3】 前記リップ部分が、前記チャンバと連通
するポケットを含んでいる、請求項2記載のキャリヤヘ
ッド。 - 【請求項4】 前記リップ部分が、上側部分、下側部
分、および前記上側部分と前記下側部分との間に配置さ
れたポケットを含んでいる、請求項1記載のキャリヤヘ
ッド。 - 【請求項5】 前記可撓膜が、前記上側部分に接合され
たエッジ部分を更に含んでいる、請求項4記載のキャリ
ヤヘッド。 - 【請求項6】 前記可撓膜が環状翼部分を更に含んでお
り、この環状翼部分は、前記エッジ部分に接合された第
1端部およびリテーナリングに固定された第2端部を有
している、請求項5記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項7】 前記リップ部分の構造的完全性を維持す
るように前記リップ部分のエッジ部分を取り囲むスペー
サを更に備える請求項1記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項8】 前記チャンバが排気されるときに前記リ
ップ部分が前記基板とのシールを形成するようになって
いる請求項1記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項9】 前記チャンバが加圧されるときに前記リ
ップ部分が前記基板とのシールを解除するようになって
いる請求項8記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項10】 基板のケミカルメカニカルポリシング
用のキャリヤヘッドであって、 ベースと、 加圧可能なチャンバを画成するとともに基板用のマウン
ト面を形成するように前記ベースの下に延在する可撓膜
と、を備え、前記可撓膜は、膨張可能リップ部分を画成
する折りたたみ部分を含んでおり、前記リップ部分は、
前記チャンバが排気されるときに前記基板の周辺領域と
のシールを形成するように構成および配置されている、
キャリヤヘッド。 - 【請求項11】 前記チャンバが加圧されるときに前記
リップ部分が前記基板とのシールを解除するようになっ
ている請求項10記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項12】 前記リップ部分がポケットを含んでい
る、請求項10記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項13】 前記ポケットが前記チャンバと連通し
ている、請求項12記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項14】 回転ポリシングパッドと、 キャリヤヘッドと、を備えるケミカルメカニカルポリシ
ング装置であって、前記キャリヤヘッドが、 べースと、 加圧可能なチャンバを画成するように前記ベースの下に
延在する可撓膜と、を備え、前記可撓膜の下面は、基板
用のマウント面を形成し、前記可撓膜は、膨張可能リッ
プ部分を含んでおり、基板が前記マウント面に接するよ
うに配置されたときに、前記リップ部分が前記チャンバ
内の圧力変化に応じて前記基板とのシールを形成または
解除するように前記リップ部分が配置および構成されて
いる、ケミカルメカニカルポリシング装置。 - 【請求項15】 キャリヤヘッドの可撓膜のマウント面
に接するように基板を位置決めするステップであって、
前記可撓膜は、前記キャリヤヘッド内に加圧可能チャン
バを画成し、前記可撓膜は、このチャンバと連通する膨
張可能リップ部分を含んでいるステップと、 前記チャンバを排気して前記膨張可能リップ部分を収縮
させ、前記基板とのシールを形成するステップと、 前記基板を第1の位置から第2の位置へ搬送するステッ
プと、を備えるケミカルメカニカルポリシング方法。 - 【請求項16】 キャリヤヘッドの可撓膜のマウント面
に接するように基板を位置決めするステップであって、
前記可撓膜は、前記キャリヤヘッド内に加圧可能チャン
バを画成し、前記可撓膜は、このチャンバと連通する膨
張可能リップ部分を含んでいるステップと、 基板をポリシングパッド上へ配置するステップと、 前記チャンバを加圧して前記リップ部分を膨張させ、前
記基板と前記リップ部分との間のシールを解除するステ
ップと、を備えるケミカルメカニカルポリシング方法。 - 【請求項17】 キャリヤヘッドの可撓膜のマウント面
に接するように基板を位置決めするステップであって、
前記可撓膜は、前記キャリヤヘッド内に加圧可能チャン
バを画成し、前記可撓膜は、このチャンバと連通する膨
張可能リップ部分を含んでいるステップと、 前記基板をポリシングするステップと、 前記基板のポリシング後、前記チャンバを排気して前記
リップ部分と基板との間にシールを形成するステップ
と、 前記基板をポリシングパッドからアンローデングステー
ションへ搬送するステップと、 前記チャンバを加圧して前記リップ部分を膨張させ、前
記基板と前記リップ部分との間のシールを解除して、前
記基板を前記アンローデングステーション上へ位置決め
するステップと、を備えるケミカルメカニカルポリシン
グ方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/296,935 US6210255B1 (en) | 1998-09-08 | 1999-04-22 | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US09/296935 | 1999-04-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000354960A true JP2000354960A (ja) | 2000-12-26 |
JP4516662B2 JP4516662B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=23144162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000122904A Expired - Lifetime JP4516662B2 (ja) | 1999-04-22 | 2000-04-24 | 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6210255B1 (ja) |
EP (1) | EP1048406A3 (ja) |
JP (1) | JP4516662B2 (ja) |
KR (1) | KR20000071788A (ja) |
SG (1) | SG96551A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003086706A1 (fr) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Ebara Corporation | Procede de polissage |
JP2005347752A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 化学機械的研磨装置、キャリアヘッド及び区画リング |
KR20160131242A (ko) * | 2015-05-06 | 2016-11-16 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 연마장치의 디척 방법 |
US10319982B2 (en) | 2013-02-01 | 2019-06-11 | Encell Technology, Inc. | Coated iron electrode and method of making same |
KR20200116217A (ko) * | 2019-04-01 | 2020-10-12 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 헤드용 격벽 멤브레인 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10230707A1 (de) * | 2002-07-08 | 2004-01-22 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Kältegerät mit Türöffnungshilfe |
US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US6146259A (en) * | 1996-11-08 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6165058A (en) * | 1998-12-09 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
US6358121B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring |
US6494774B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressure transfer mechanism |
US6855043B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a modified flexible membrane |
JP3683149B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2005-08-17 | 株式会社東京精密 | 研磨装置の研磨ヘッドの構造 |
US6450868B1 (en) * | 2000-03-27 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multi-part flexible membrane |
US7140956B1 (en) | 2000-03-31 | 2006-11-28 | Speedfam-Ipec Corporation | Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece |
US6390905B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-05-21 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers |
TW579319B (en) * | 2000-05-12 | 2004-03-11 | Multi Planar Technologies Inc | System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control |
US6558232B1 (en) * | 2000-05-12 | 2003-05-06 | Multi-Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control |
US6722965B2 (en) * | 2000-07-11 | 2004-04-20 | Applied Materials Inc. | Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area |
US20040005842A1 (en) * | 2000-07-25 | 2004-01-08 | Chen Hung Chih | Carrier head with flexible membrane |
US6471571B2 (en) * | 2000-08-23 | 2002-10-29 | Rodel Holdings, Inc. | Substrate supporting carrier pad |
US6508696B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-01-21 | Mitsubishi Materials Corporation | Wafer-polishing head and polishing apparatus having the same |
JP2002187060A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-02 | Ebara Corp | 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
US6716084B2 (en) * | 2001-01-11 | 2004-04-06 | Nutool, Inc. | Carrier head for holding a wafer and allowing processing on a front face thereof to occur |
US6641461B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-11-04 | Multi Planar Technologyies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus having edge, center and annular zone control of material removal |
KR100437089B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마장치의 연마헤드 |
KR100470227B1 (ko) | 2001-06-07 | 2005-02-05 | 두산디앤디 주식회사 | 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드 |
US6712673B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-03-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Polishing apparatus, polishing head and method |
US6746318B2 (en) * | 2001-10-11 | 2004-06-08 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers |
KR100914988B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2009-09-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판유지장치 및 폴리싱장치 |
US6841057B2 (en) * | 2002-03-13 | 2005-01-11 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for substrate polishing |
KR100481872B1 (ko) * | 2003-01-14 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 폴리싱 헤드 및 화학적 기계적 연마 장치 |
TWI375294B (en) * | 2003-02-10 | 2012-10-21 | Ebara Corp | Elastic membrane |
US7001245B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-02-21 | Applied Materials Inc. | Substrate carrier with a textured membrane |
JP3889744B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2007-03-07 | 株式会社東芝 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 |
US20050181711A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Alexander Starikov | Substrate confinement apparatus and method |
KR100621629B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 장치에 사용되는 연마 헤드 및 연마방법 |
KR101044739B1 (ko) | 2004-11-01 | 2011-06-28 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 및 폴리싱방법 |
KR100674923B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 인접한 화소간에 출력회로를 공유하는 씨모스 이미지 센서 |
JP5112614B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2013-01-09 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
JP4814677B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-11-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置および研磨装置 |
JP5009101B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置 |
US7727055B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Flexible membrane for carrier head |
US7651384B2 (en) * | 2007-01-09 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method and system for point of use recycling of ECMP fluids |
US7731572B2 (en) * | 2007-05-24 | 2010-06-08 | United Microelectronics Corp. | CMP head |
DE112007003710T5 (de) * | 2007-11-20 | 2010-12-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polierkopf und Poliervorrichtung |
US7959496B2 (en) | 2008-01-03 | 2011-06-14 | Strasbaugh | Flexible membrane assembly for a CMP system and method of using |
US20090242125A1 (en) * | 2008-03-25 | 2009-10-01 | Applied Materials, Inc. | Carrier Head Membrane |
CN102131617B (zh) * | 2008-08-29 | 2016-06-01 | 信越半导体股份有限公司 | 研磨头及研磨装置 |
US8475231B2 (en) * | 2008-12-12 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane |
US10160093B2 (en) | 2008-12-12 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane roughness to control polishing rate |
JP5648954B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-01-07 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
KR101196652B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2012-11-02 | 주식회사 케이씨텍 | 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드 |
US10669023B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-06-02 | Raytheon Company | Tactical aerial platform |
US11267099B2 (en) | 2017-09-27 | 2022-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical mechanical planarization membrane |
JP7356996B2 (ja) | 2018-03-13 | 2023-10-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨装置における消耗部品モニタリング |
SG10202008012WA (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-30 | Ebara Corp | Elastic membrane and substrate holding apparatus |
US11728203B2 (en) * | 2020-10-13 | 2023-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Chuck assembly, planarization process, apparatus and method of manufacturing an article |
CN114918721B (zh) * | 2022-06-27 | 2023-12-05 | 江苏常北宸机械有限公司 | 一种汽车减震内管及外管生产用倒角装置及倒角方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270538A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-10-09 | Integrated Process Equip Corp | 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置 |
JPH10337658A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-22 | Applied Materials Inc | 機械化学的研磨装置用の基板検出機構を有するキャリヤヘッド |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3313707C2 (de) | 1983-04-15 | 1985-02-07 | B. Bacher GmbH, 7204 Wurmlingen | Kopierrahmen |
US4669915A (en) | 1985-11-19 | 1987-06-02 | Shell Offshore Inc. | Manipulator apparatus with flexible membrane for gripping submerged objects |
US4918869A (en) | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
JP2527232B2 (ja) | 1989-03-16 | 1996-08-21 | 株式会社日立製作所 | 研磨装置 |
US5193316A (en) | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
US5205082A (en) | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
US5643053A (en) | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
US5624299A (en) | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
US5423716A (en) | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
US5449316A (en) | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
JP3158934B2 (ja) | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
US5908530A (en) | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
US5643061A (en) | 1995-07-20 | 1997-07-01 | Integrated Process Equipment Corporation | Pneumatic polishing head for CMP apparatus |
DE69717510T2 (de) | 1996-01-24 | 2003-10-02 | Lam Research Corp., Fremont | Halbleiterscheiben-Polierkopf |
JP3663767B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の鏡面研磨装置 |
US6146259A (en) | 1996-11-08 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US6056632A (en) | 1997-02-13 | 2000-05-02 | Speedfam-Ipec Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head |
US5870793A (en) * | 1997-05-02 | 1999-02-16 | Integrated Process Equipment Corp. | Brush for scrubbing semiconductor wafers |
DE19728962A1 (de) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Ätzen einer Halbleiterscheibe |
US5964653A (en) | 1997-07-11 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US5993302A (en) | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6124146A (en) * | 1998-05-15 | 2000-09-26 | Motorola, Inc. | Resistless device fabrication method |
-
1999
- 1999-04-22 US US09/296,935 patent/US6210255B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-20 EP EP00303393A patent/EP1048406A3/en not_active Withdrawn
- 2000-04-22 SG SG200002270A patent/SG96551A1/en unknown
- 2000-04-22 KR KR1020000021464A patent/KR20000071788A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-04-24 JP JP2000122904A patent/JP4516662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270538A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-10-09 | Integrated Process Equip Corp | 柔軟なキャリアプレートを有する半導体ウェハポリシング装置 |
JPH10337658A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-22 | Applied Materials Inc | 機械化学的研磨装置用の基板検出機構を有するキャリヤヘッド |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003086706A1 (fr) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | Ebara Corporation | Procede de polissage |
US7163895B2 (en) | 2002-04-18 | 2007-01-16 | Ebara Corporation | Polishing method |
KR100973759B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2010-08-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱방법 |
JP2005347752A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 化学機械的研磨装置、キャリアヘッド及び区画リング |
US10319982B2 (en) | 2013-02-01 | 2019-06-11 | Encell Technology, Inc. | Coated iron electrode and method of making same |
US10804523B2 (en) | 2013-02-01 | 2020-10-13 | Encell Technology Inc. | Coated iron electrode and method of making same |
KR20160131242A (ko) * | 2015-05-06 | 2016-11-16 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 연마장치의 디척 방법 |
KR102332801B1 (ko) | 2015-05-06 | 2021-11-30 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 연마장치의 디척 방법 |
KR20200116217A (ko) * | 2019-04-01 | 2020-10-12 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 헤드용 격벽 멤브레인 |
KR102673907B1 (ko) | 2019-04-01 | 2024-06-10 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 헤드용 격벽 멤브레인 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4516662B2 (ja) | 2010-08-04 |
EP1048406A2 (en) | 2000-11-02 |
US6210255B1 (en) | 2001-04-03 |
SG96551A1 (en) | 2003-06-16 |
KR20000071788A (ko) | 2000-11-25 |
EP1048406A3 (en) | 2003-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4516662B2 (ja) | 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド | |
US6514124B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate | |
US6277009B1 (en) | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus | |
US6241593B1 (en) | Carrier head with pressurizable bladder | |
US6645044B2 (en) | Method of chemical mechanical polishing with controllable pressure and loading area | |
JP4427191B2 (ja) | 化学機械研磨用可撓メンブレン付キャリアヘッド | |
US6406361B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
US6776694B2 (en) | Methods for carrier head with multi-part flexible membrane | |
US6705932B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
US6056632A (en) | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head | |
US5899801A (en) | Method and apparatus for removing a substrate from a polishing pad in a chemical mechanical polishing system | |
US20020164938A1 (en) | Carrier head with a compressible film | |
JP2001526969A (ja) | ケミカルメカニカルポリシング装置用の着脱式リテーナリングを有するキャリヤヘッド | |
US6358121B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring | |
JP4519972B2 (ja) | 化学機械研磨の制御可能圧力及びローディング領域を有するキャリヤヘッド | |
KR100423909B1 (ko) | 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드 및 그것을이용한 폴리싱방법 | |
JP4378135B2 (ja) | 化学的機械研磨システムの支持ヘッド用メンブレン | |
JPH08150558A (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100106 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100208 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100212 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100308 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100311 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100420 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4516662 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |