JP2000340554A - バッチ式熱処理装置の運用方法 - Google Patents
バッチ式熱処理装置の運用方法Info
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Abstract
の面内、面間均一性及び再現性も高く維持することがで
きるバッチ式熱処理装置の運用方法を提供する。 【解決手段】 複数枚の被処理体Wを保持した被処理体
保持具10を処理容器8内へ挿入し、前記処理容器の一
端側より他端側へ向けて処理ガスを流しつつ前記被処理
体に対して所定の処理を施すようにしたバッチ式熱処理
装置の運用方法において、前記被処理体保持具に保持し
得る最大枚数よりも少ない枚数の被処理体を処理する時
には、前記被処理体を前記処理ガスの流れ方向の上流側
に寄せた状態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側に
ダミー被処理体DWを保持させる。これにより、被処理
体未載置の空き領域があっても熱処理の面内、面間均一
性及び再現性も高く維持することが可能となる。
Description
ように一度に多数の半導体ウエハを熱処理することがで
きるバッチ式熱処理装置の運用方法に関する。
対して成膜処理、酸化処理、拡散処理等の熱処理を行な
う処理装置として横型炉や縦型炉のようなバッチ式熱処
理装置が知られている。図11は一般的なバッチ式熱処
理装置を示す概略構成図であり、このバッチ式熱処理装
置2は内筒4と外筒6とよりなる2重管構造の処理容器
8を有しており、内筒4内の処理空間Sには、その下方
より挿脱自在になされたウエハボート10が収容されて
おり、これに多数枚、例えば150枚程の製品ウエハW
を所定のピッチで満載状態で載置して所定の熱処理、例
えばCVD(ChemicalVapor Depos
ition)処理を行なうようになっている。
部から導入されて、内筒4内の処理空間Sを反応しつつ
上昇した後、下方向へ折り返して、内筒4と外筒6との
間の間隙を降下して外部へ排出される。尚、処理容器の
外周には、ゾーン分割された図示しない加熱ヒータが設
けられ、また、プロセス圧力は排気口12に設けた圧力
センサP1により検出されている。ここでウエハボート
10にウエハを満載した状態で処理する時の、プロセス
温度、圧力、ガス流量は予めプロセス目的に対応させて
求められており、処理時にはこの処理条件に適合するよ
うにプロセス温度、圧力、ガス流量等を制御することに
なる。尚、ウエハボート10には、一般的に、処理の再
現性を上げるためのサイドウエハがウエハボート10の
上下側に、それぞれ複数載置されており、また、処理結
果を確認するためのモニタウエハが製品ウエハ中に散在
させて載置されている。
ては、多種多様な半導体デバイスが要求されることから
小ロットで多品種のウエハ熱処理が必要とされる場合が
ある。例えば製品ウエハとして例えば150枚の処理が
必要な時には、ウエハボート10は満載状態となるが、
それよりも少ない枚数、例えば100枚、50枚或いは
25枚の熱処理が必要な場合もある。このような場合、
ウエハボート10内にウエハ未載置の空き領域を設ける
と、部分的にウエハ温度やガス濃度が乱れたりして、熱
処理のウエハ面内均一性、面間均一性及び処理速度が変
わって熱処理の再現性が低下して好ましくないので、不
足枚数だけダミーウエハを用いてウエハボート10を満
載状態とし、ウエハ満載時の通常のプロセス条件で熱処
理を行なうようにしていた。尚、満載時で150枚の製
品ウエハを処理できるウエハボート10の支柱10Aに
は、例えば170個の支持溝が形成されており、上記サ
イドウエハが13枚、モニタウエハが7枚それぞれ載置
できるようになっている。
ミーウエハは複数回の処理毎に洗浄等が行われて繰り返
し使用されるが、最終的には廃棄処分となり、従って、
ランニングコストを高騰させる原因となっていた。本発
明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決
すべく創案されたものである。本発明の目的は、被処理
体未載置の空き領域があっても熱処理の面内、面間均一
性及び再現性も高く維持することができるバッチ式熱処
理装置の運用方法を提供することにある。
も少ない枚数の半導体ウエハでも、製品ウエハの載置位
置、ダミーウエハの載置位置、プロセス温度等を適宜工
夫することにより、熱処理の再現性を高く維持すること
ができる、という知見を得ることにより、本発明に至っ
たものである。請求項1に規定する発明は、複数枚の被
処理体を保持した被処理体保持具を処理容器内へ挿入
し、前記処理容器の一端側より他端側へ向けて処理ガス
を流しつつ前記被処理体に対して所定の処理を施すよう
にしたバッチ式熱処理装置の運用方法において、前記被
処理体保持具に保持し得る最大枚数よりも少ない枚数の
被処理体を処理する時には、前記被処理体を前記処理ガ
スの流れ方向の上流側に寄せた状態で保持し、この被処
理体群の直ぐ下流側にダミー被処理体を保持させるよう
にしている。これにより、熱処理の面間、面内均一性及
び再現性も満載処理時と同等にかなり高く維持すること
が可能となる。
被処理体の内、前記処理ガスの流れ方向の最下流側近傍
に位置する被処理体の制御対象温度を、前記被処理体保
持具に満載して処理を行なう時の基準温度よりも数度低
い温度に設定するようにしてもよい。これによれば、特
に、設定値よりも実際の温度が高くなって熱処理が促進
される傾向にある処理ガスの流れ方向の最下流側に位置
する被処理体の実際の温度を適正値にして熱処理を抑制
でき、熱処理の面間均一性を一層向上させて、満載処理
時と同等に維持することが可能となる。
内の処理空間の圧力を、前記被処理体保持具に満載して
処理を行なう時の圧力と同じ圧力になるように設定する
ことにより、特に、熱処理速度も改善することができ、
再現性も大幅に向上させることが可能となる。請求項4
に規定するように、前記処理容器内の温度は、前記処理
ガスの流れ方向の上流側から下流側に行くに従って次第
に高くなるようにチルト温度になされているようにして
もよい。
処理装置の運用方法の一実施例を添付図面に基づいて詳
述する。図1は本発明方法を実施するためのバッチ式熱
処理装置を示す概略構成図、図2は被処理体保持具へ空
き領域を残したまま被処理体を載置した時の一例を示す
図である。ここでは、熱処理として、例えばSiNの成
膜を施す場合を例にとって説明する。まず、本発明方法
を実施するバッチ式熱処理装置の一例について説明す
る。この熱処理装置2の構造は、図11を参照して説明
したものと同じであり、内筒4と外筒6とよりなる石英
製の2重管構造の処理容器8を有している。上記内筒4
内の処理空間Sには、被処理体保持具としての石英製の
ウエハボート10が収容されている。このウエハボート
10は、処理容器8の下方を開閉するキャップ16上に
保温筒18を介して載置されており、昇降可能なエレベ
ータ20により、処理容器8内へその下方から挿脱可能
になされている。処理容器8の下端開口部は、例えばス
テンレス製のマニホールド22が接合されており、この
マニホールド22には、処理ガスとして流量制御された
ジクロルシランを導入する第1のノズル24や流量制御
されたNH3 を導入する第2のノズル26が設けられ
る。
ル24、26から供給された後に、内筒4内の処理空間
Sを上昇し、天井部で下方へ折り返して内筒4と外筒6
との間隙内を流下して排出されることになる。また、外
筒6の底部側壁には、真空ポンプ等が接続される排気口
12が設けられると共に、ここには圧力を検出する第1
の圧力センサP1が設けられる。更に、上記マニホール
ド22には、処理空間Sに直結する空間の圧力を測定す
る第2の圧力センサP2が設けられている。また、処理
容器8の外周には、高さ方向に例えば5つのゾーンに区
分された加熱ヒータ28が設けられており、各ゾーンに
は熱電対のような温度センサ30を設けて、ゾーン毎に
個別に制御可能になされている。
載時の枚数よりも少ない枚数の半導体ウエハを処理する
場合、例えば最大150枚(満載時)の製品ウエハを処
理できるウエハボート10を用いて、それよりも少ない
100枚、50枚或いは25枚のウエハを処理する場合
には、図2に示すように、製品ウエハWを処理ガスの流
れ方向32の上流側に寄せた状態でウエハボート10に
支持させる。そして、更に、この製品ウエハ群の直ぐ下
流側にダミーウエハDWを複数枚載置する。ここでは、
処理ガスは下方から上方に向けてガスが流れる場合を想
定しているので、上記製品ウエハWは、下方向へ完全に
寄せて詰めた状態となっている。また、従来方法の場合
と同様に、ウエハボート22の最下端部と最上端部に
は、それぞれ7枚及び6枚程のサイドウエハSWが載置
されている。このサイドウエハSWの機能は、中央部に
位置する製品ウエハに対して熱的に不平衡となりがちな
上下端側に位置する製品ウエハの温度補償等を行なうも
のであり、これにより前述したように熱処理の再現性を
高く維持するものである。
ウエハを処理できるウエハボート10の支柱10Aに
は、例えば170個の支持溝が形成されており、サイド
ウエハが最下端部及び最上端部合わせて13枚、モニタ
ウエハが7枚それぞれ載置できるようになっている。上
述のように下詰めした結果、ウエハボート22の途中に
は、何らウエハを載置していない未載置領域34が発生
することになる。このように、各ウエハWを載置した状
態で、ウエハ満載時と同じプロセス条件(基準プロセス
条件)、すなわち同じ処理ガス量、同じプロセス圧力、
同じプロセス温度で成膜処理することにより、ウエハに
付着した膜の面内、面間均一性及び再現性を向上させる
ことができる。
に位置する製品ウエハ、すなわち図2中ではダミーウエ
ハDWと製品ウエハWとの境界部分に位置する複数枚の
製品ウエハWaの温度は、後述するように上昇する傾向
にあるので、この部分の温度をウエハ満載時のプロセス
温度(基準温度)よりも数度、例えば1℃〜5℃程度低
い温度に設定することにより、この部分の成膜を抑制し
て膜厚の面間均一性を一層向上させることができる。更
に、成膜速度には、プロセス圧力が大きく関与するが、
内筒4内の処理空間S内の圧力を正確に測定し、この処
理空間Sの圧力を、ウエハ満載時の基準圧力と精度良く
同じ圧力になるように制御することにより、成膜速度を
基準プロセス時と略同じにでき、再現性を一層向上させ
ることができる。ウエハ未満載状態で熱処理する場合、
熱処理の面間、面内均一性及び再現性を高く維持するた
めには、製品ウエハの載置場所、ダミーウエハの存否及
びその載置位置、プロセス圧力、プロセス温度等が複雑
にからみあうが、以下に、上述したような結論に達した
理由を詳述する。
対する載置位置について検討する。図3はウエハボート
に対する製品ウエハWの載置位置と膜厚の状態を示す
図、図4は図3の結果を示すグラフである。尚、膜厚の
測定に関しては、製品ウエハ間に適宜間隙で散在させた
5枚のモニタウエハの膜厚を用いている。図3に示す場
合には、100枚の製品ウエハWを処理する時の載置態
様を示しており、下詰100枚処理は、100枚の製品
ウエハWをウエハボートの下部に集中させて載置した状
態を示し、上詰100枚処理は100枚の製品ウエハW
をウエハボートの上部に集中させて載置した状態を示
し、中詰100枚処理は製品ウエハWをウエハボートの
中央部に集中させて載置した状態を示しており、図中”
空”は何らウエハを載置していない未載置領域を示して
いる。
述のようにそれぞれ所定の枚数のサイドウエハSWを載
置している。そして、製品ウエハ150枚を載置して熱
処理を行なった満載150枚処理を、基準値として参考
のために併記してある。尚、この時は7枚のモニタウエ
ハを用いている。図中には、各モニタウエハの膜厚及び
その平均値膜厚の面内均一性及びその平均値、面間均一
性、成膜レートをそれぞれ記している。図3中では、5
枚のモニタウエハの内、製品ウエハ群の上部に位置させ
た”トップ”と、製品ウエハ群の略中央部に位置させ
た”センタ”と、製品ウエハ群の下部に位置させた”ボ
トム”との3枚のモニタウエハの値を代表として記載し
てある。処理条件としては、以下の各プロセスも同じで
あるが、8インチウエハを用い、プロセス圧力は0.2
5Torr(33.25Pa)、プロセス温度は760
℃(チルト温度:チルト温度ついては後述する)、処理
ガスはジクロルシラン及びNH3 ガスがそれぞれ100
sccm及び1000sccm、更に不活性ガスとして
N2 ガスを50sccm供給する。
00枚処理の場合には、膜厚及びこの平均値、膜厚の面
内均一性及びその平均値は共に、基準値である満載時1
50枚の場合よりもかなり大きくなっており、好ましく
ないことが判明する。また、下詰100枚処理及び中詰
100枚処理の場合は共に、トップ側の膜厚は異常に高
くなっているが、膜厚平均値は下詰100枚処理の場合
は151.24nmであって中詰100枚処理の16
2.90nmよりも小さく、基準値の152.27nm
に最も近い。また、膜厚の面内均一性の平均値は下詰1
00枚処理の場合は2.31%であって、中詰100枚
処理の場合の2.52%及び基準値の2.40%よりも
かなり良く、良好な結果を示している。
100枚処理の場合は、共に、面間均一性がそれぞれ
8.75%と6.92%であり、基準値の0.77%よ
りもかなり劣化している。この理由は、トップの膜厚が
共に異常に大きくなっているからである。従って、トッ
プの膜厚が異常に大きい点を除けば、下詰100枚処理
が、中詰100枚処理の場合よりも熱処理の均一性や再
現性の維持の上から最も優れていることが判明する。
尚、製品ウエハの50枚処理、25枚処理についても上
述した3つの載置状態で行なったところ上述した内容と
略同様な結果となった。ただし、成膜レートは、50枚
処理の場合は、2.08nm/min、25枚処理の場
合は2.07nm/minであり、基準値の2.14n
m/minに対してある程度、変動していた。この点、
膜厚の再現性について少し問題はあるが、この改善方法
については後述する。
ハを用いた時の製品ウエハのトップにおける膜厚の抑制
について説明する。図5はダミーウエハを用いた場合と
用いない場合の膜厚の変化を説明するための図、図6は
図5の結果を示すグラフである。ここで図5中において
下詰100枚処理+DW5枚の態様は、100枚の製品
ウエハ群の直上に、5枚のダミーウエハDWを載置した
態様を示している。尚、図5中の下詰100枚処理及び
満載150枚処理の数値は、図3に示す数値と同じであ
る。図5及び図6から明らかなように、トップの膜厚
は、下詰100枚処理が170.99nmであるのに対
して、下詰100枚+DW5枚処理は147.34nm
であって基準値152.27nmにかなり近い値であ
る。更に、下詰100枚+DW5枚処理の膜厚の面間均
一性は、2.37%となり、下詰100枚処理の8.7
5%よりもかなり向上している。この結果、製品ウエハ
群の直上に、すなわち成膜ガスの流れ方向の直ぐ下流側
に、複数枚のダミーウエハDWを載置することにより、
膜厚の面間均一性も改善できることが判明する。
数は、多い程よいが、ダミーウエハDWの設置効果と経
済性を考慮すれば5枚〜6枚の範囲内が適切である。以
上の結果を総括すると、定数(満載時)よりも少ない枚
数の製品ウエハを熱処理する場合には、この製品ウエハ
W群を処理ガスの流れ方向の上流側に寄せた状態で載置
し(図示例の場合には下方に寄せた状態で保持し)、更
に、製品ウエハ群の直ぐ下流側に(図示例の場合は直上
に)複数枚のダミーウエハDWを載置させる。そして、
この状態で製品ウエハの満載時と同様なプロセス条件で
成膜処理を行なうことにより、膜厚の面間及び面内均一
性を、ウエハ満載時と同様な程度に高く維持することが
できる。
プロセス温度について検討したので、この点について図
7及び図8を参照して説明する。図7はプロセス温度7
60℃のチルト温度制御時における処理容器内の実際の
温度と載置状態との関係を示すグラフ、図8は図7に示
す結果に基づいて温度補償を行なった時の膜厚の面間均
一性、成膜レート及び再現性を表す図である。図7にお
いては、ウエハ170枚(サイドウエハ等を含む)載置
可能なウエハボートにおける高さ方向の温度分布を示し
ており、ここではプロセス温度760℃のチルト温度制
御を行なっている。チルト温度制御とは、従来において
一般的に行なわれている温度制御の一種であり、主とし
て膜厚の面間均一性等を改善する目的で行なわれてお
り、処理ガスの流れ方向の上流側から下流側に行くに従
って、図示例ではウエハボートの下側より上方へ行くに
従って、プロセス温度760℃を中心として次第に温度
が高くなるように傾斜をつけるようにした温度制御方法
である。
理、下詰100枚処理及び満載150枚処理の4つの態
様について行なっている。この図7に示すグラフから明
らかなように、各処理態様において下詰め製品ウエハ群
の最上端の近傍(処理ガス流れ方向の最下流側近傍)に
おけるウエハ温度がそれぞれ設定値(制御対象温度)よ
りもΔt1、Δt2、Δt3度ずつ高くなっていること
が判明する。このΔt1〜Δt3は略1℃〜8℃程度の
範囲内であり、このように僅かに温度が高い分だけこの
部分における反応が促進されてしまい、この部分に位置
する製品ウエハに対する成膜レートが高くなってしま
う。そこで、ゾーン毎に個別に制御可能な加熱ヒータを
用いて、上記対応する部分のみの温度を、基準温度(満
載時)よりも数℃、例えば1℃〜8℃程度だけ低くなる
ように設定し、温度補償を行なって円滑な直線状のチル
ト温度変化となるようにする。
図8に示す。図中、TOP、C−T、CTR、C−B及
びBTMは、図7中で設けた熱電対に対応している。図
8に示すように、下詰100枚処理時には、C−T温度
がその基準値(771.5℃)よりも7℃だけ低くなる
ように温度補償しており、下詰50枚処理時には、CT
R温度がその基準値(760℃)よりも4.5℃だけ低
くなるように温度補償しており、下詰25枚処理時に
は、CTR温度がその基準値(760℃)よりも7.5
(=4.5+3.0)℃だけ低くなるように温度補償し
ている。尚、下詰25枚処理時にもCTRの温度を制御
する理由は、下詰25枚処理時の製品ウエハ群の上端部
近傍に位置する製品ウエハは熱電対CTRのゾーンの加
熱ヒータにより大きく影響を受けるからである。
態様において膜厚の面間均一性は、基準値の0.77%
と同等、若しくはそれよりも小さな値となっており、良
好な結果を示している。ただし、成膜レートが基準値の
2.14nm/minよりも少し変動しており、それが
ために成膜処理毎の再現性が少し劣化している。そこ
で、更に再現性を改善するために、成膜レートに大きな
影響を与えるプロセス圧力について検討したので、その
結果について図9を参照して説明する。ここで、一般
に、処理空間Sの圧力を制御するためには図1に示した
排気口12に圧力センサP1を設置して、この検出圧力
値が所定のプロセス圧力を維持すれば処理空間Sの圧力
も一定になるであろうという仮定の基に制御を行なって
いるが、満載時の枚数(150枚)よりも少ない枚数の
製品ウエハを処理する場合には、製品ウエハを下詰めし
て未載置領域34(図2参照)が発生するので処理容器
8内のコンダクタンスが変動する。従って、コンダクタ
ンスの変動分だけ、処理空間Sの圧力が変動しているこ
とが判明した。換言すれば、排気口12における第1の
圧力センサP1の検出値が一定となるように制御して
も、製品ウエハの枚数が少なくなる程、処理空間Sの実
際の圧力は変動して低下してしまう。
処理空間Sの圧力を略正確に検出する第2の圧力センサ
(ガスIN側)P2と第1の圧力センサP1との関係を
表している。図9(A)に示すように排気口12に設け
た第1の圧力センサP1の検出値を0.250Torr
に一定に維持しても、ガスIN側に設けた第2の圧力セ
ンサP2の検出値は、製品ウエハの枚数が小さくなる
程、圧力が変動して小さくなっている。このため、成膜
レートが基準値2.14nm/minより低下し、その
結果、再現性も2.34%〜4.67%まで劣化してい
る。そこで、ガスIN側に設けた第2のセンサP2の検
出値が、製品ウエハ満載処理時の圧力と同じになるよう
に制御することにより、成膜レート及び再現性が劣化す
ることを防止することが可能となる。この結果は図9
(B)に示されており、載置態様に関係なくガスIN側
の第2の圧力センサP2の検出値を0.385Torr
(51.205Pa)に一定になるように制御すれば
(第1の圧力センサP1の検出値は当然変動する)、成
膜レートはそれ程変動せず、従って、再現性も0.93
%程度となって1%以内に抑制することができ、良好な
結果を示すことが判明する。換言すれば、第1の圧力セ
ンサP1の検出値に基づいて圧力制御する場合には、載
置態様に従って、補正値分だけ圧力が大きくなるように
制御すればよいことになる。
の処理ガス最下流側の近傍に位置する製品ウエハの温度
を僅かに補償することにより、膜厚の面間均一性をさら
に向上させることができる。また、処理空間Sの圧力
を、満載処理時の圧力と精度良く同一となるように制御
することにより、成膜レートを改善して再現性を高く維
持することができる。尚、上記実施例では、処理空間S
においては、下方向から上方に向かって処理ガスが流れ
る場合を例にとって説明したが、これに限定されず、例
えば図10に示すように、処理容器8の下方より導入し
た処理ガスが内筒4と外筒6の間隙内を上昇し、天井部
で下方向へ折り返して処理空間Sには、上方向から下方
向へ流下するような形式の熱処理装置にも適用できる。
この場合には、製品ウエハWは処理ガスの流れ方向の上
流側、すなわち上詰めされることになり、下方に未載置
領域34が形成されることになる。
0、100枚に限定されず、またウエハボートの満載時
のウエハ枚数も150枚に限定されないのは勿論であ
る。また、2重管構造の熱処理装置のみならず、単管構
造の熱処理装置にも適用することができる。更には、本
発明は、SiNの成膜のみならず、他の膜種、例えばS
iO2 等の成膜にも適用できる。また、被処理体として
は、半導体ウエハに限定されず、LCD基板、ガラス基
板等にも適用できるのは勿論である。
熱処理装置の運用方法によれば、次のように優れた作用
効果を発揮することができる。請求項1に規定するよう
に、満載時よりも少ない数の被処理体を熱処理する際
に、処理ガスの流れ方向の上流側に被処理体を寄せた状
態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側にダミー被処
理体を保持させた状態で熱処理を行なうことにより、満
載時と同様に熱処理の面間、面内均一性及び再現性を維
持することができる。従って、用いるダミー被処理体を
少なくできる分だけランニングコストを削減することが
できる。請求項2に規定するように、処理ガスの流れ方
向の最下流側近傍に位置する被処理体の制御対象温度を
基準温度よりも数度低く設定することにより、実際の温
度は適正な温度値となり、熱処理の面間均一性を一層向
上させることができる。請求項3に規定するように、処
理空間の圧力を満載処理時の圧力と実質的に同じになる
ように制御することにより、熱処理速度が略同じになっ
て、再現性を一層向上させることができる。請求項4に
規定するように、チルト温度制御を行なうことにより、
面間均一性を一層向上させることができる。
置を示す概略構成図である。
体を載置した時の一例を示す図である。
と膜厚の状態を示す図である。
厚の変化を説明するための図である.
ける処理容器内の実際の温度と載置状態との関係を示す
グラフである。
時の膜厚の面間均一性、成膜レート及び再現性を表す図
である。
センサ(ガスIN側)と第1の圧力センサと成膜レート
と再現性との関係を表す図である。
図である。
図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 複数枚の被処理体を保持した被処理体保
持具を処理容器内へ挿入し、前記処理容器の一端側より
他端側へ向けて処理ガスを流しつつ前記被処理体に対し
て所定の処理を施すようにしたバッチ式熱処理装置の運
用方法において、前記被処理体保持具に保持し得る最大
枚数よりも少ない枚数の被処理体を処理する時には、前
記被処理体を前記処理ガスの流れ方向の上流側に寄せた
状態で保持し、この被処理体群の直ぐ下流側にダミー被
処理体を保持させるようにしたことを特徴とするバッチ
式熱処理装置の運用方法。 - 【請求項2】 前記複数枚の被処理体の内、前記処理ガ
スの流れ方向の最下流側近傍に位置する被処理体の制御
対象温度を、前記被処理体保持具に満載して処理を行な
う時の基準温度よりも数度低い温度に設定するようにし
たことを特徴とする請求項1記載のバッチ式熱処理装置
の運用方法。 - 【請求項3】 前記処理容器内の処理空間の圧力を、前
記被処理体保持具に満載して処理を行なう時の圧力と同
じ圧力になるように設定するようにしたことを特徴とす
る請求項1または2記載のバッチ式熱処理装置の運用方
法。 - 【請求項4】 前記処理容器内の温度は、前記処理ガス
の流れ方向の上流側から下流側に行くに従って次第に高
くなるようにチルト温度になされていることを特徴とす
る請求項1乃至3のいずれかに記載のバッチ式熱処理装
置の運用方法。
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