JP2001144033A - プリコート膜の形成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台構造及び成膜装置 - Google Patents
プリコート膜の形成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台構造及び成膜装置Info
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- JP2001144033A JP2001144033A JP32705999A JP32705999A JP2001144033A JP 2001144033 A JP2001144033 A JP 2001144033A JP 32705999 A JP32705999 A JP 32705999A JP 32705999 A JP32705999 A JP 32705999A JP 2001144033 A JP2001144033 A JP 2001144033A
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Abstract
イドリング期間であっても載置台の温度を下げる必要が
なく、これによりスループットを向上させることができ
るプリコート膜の形成方法を提供する。 【解決手段】 載置台構造のプリコート膜の形成方法に
おいて、被処理体Wを載置するための載置台16を有す
る載置台構造18を内部に有する成膜装置内に処理ガス
を流してTiN膜よりなるプリコート膜22を前記載置
台の表面に堆積させる堆積工程と、前記載置台を前記堆
積工程の温度よりも高い温度に維持しつつNH3 (アン
モニア)含有ガスに晒して前記プリコート膜を安定化さ
せる安定化工程とを有する。これにより、プリコート膜
を安定化させることにより、アイドリング期間であって
も載置台の温度を下げる必要がなく、これによりスルー
プットを向上させることができる。
Description
成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台構造及び
成膜装置に関する。
には、半導体ウエハ等のシリコン基板に対して、成膜と
パターンエッチング等を繰り返し行なって、多数の所望
の素子を形成するようになっている。ところで、各素子
間を接続する配線、各素子に対する電気的コンタクトを
図る配線層の下層には、基板のSiと配線材料との相互
拡散を抑制する目的で、或いは下地層との剥離を防止す
る目的でバリヤメタルが用いられるが、このバリヤメタ
ルとしては、電気抵抗が低いことは勿論のこと、耐腐食
性に優れた材料を用いなければならない。このような要
請に対応できるバリヤメタルの材料として、特に、Ti
N膜が多用される傾向にある。
一般的には非常に薄いTi膜をプラズマCVDにより成
膜し、これを窒化処理して、更にTiN膜を、TiCl
4 とNH3 ガスを用いて熱CVDで成膜するようになっ
ている。このTi膜の成膜時のプロセス温度は、一般的
な薄膜を成膜する場合と同様に、膜特性を高く維持する
ために、特に厳しく管理されなければならない。半導体
ウエハを載置する載置台の表面には、このウエハの熱的
面内均一性を保持し、且つ載置台等に含まれる金属元素
に起因する金属汚染等を防止する目的で、TiN膜より
なるプリコート膜が予め形成されているのが一般的であ
る。このプリコート膜は、成膜装置内をクリーニングす
る毎に除去されてしまうので、クリーニングした場合
に、実際にウエハに成膜するに先立って前処理として載
置台の表面に薄くプリコート膜を堆積させるようになっ
ている。
ート膜は、例えば680℃程度の高温域で形成される
が、上述のように、一旦形成されると、次に成膜装置内
をクリーニングするまで、長期間連続的に使用されるこ
とになる。この場合、成膜処理に使用されない、いわゆ
るアイドリング期間が発生すると、プリコート膜の膜質
が変化しない温度、例えば300〜500℃程度まで降
温させて待機するようになっている。この理由は、載置
台の昇降温操作及び温度安定化操作に多くの時間を要す
ることから、スループットの向上の上からは、TiN膜
形成のプロセス温度に載置台温度を維持するのが好まし
いが、例えば680℃程度の高温に載置台を晒しておく
と、処理容器内の微量なアウターガスや微量なリークガ
ス等によってプリコート膜が変質してこの輻射率や透過
率等が変化し、結果的に、同じように温度制御している
にもかかわらず、上記輻射率や透過率等の変化により載
置台からの熱が逃げ易くなっていることから、投入電力
量が増大してウエハ温度が予定よりも高くなる傾向にな
るからである。
成膜装置内の載置台にプリコート膜を付着して、直ちに
TiN膜をプロセス温度略680℃で成膜した時と、そ
の後、載置台を略680℃に維持して17時間放置した
後に成膜した時の膜質(比抵抗)の変化を示す。これに
よると、17時間放置後のTiN膜の比抵抗は、放置前
と比較して略50ohms/sq程低下している。これ
は、ウエハ温度に換算すると、17時間放置後の方が、
略20℃程度温度が高くなっていることを意味する。こ
のようなことから、従来にあっては、前述のように成膜
装置のアイドリング期間中には、載置台の温度を300
〜500℃程度まで低下させ、更に、N2 ガス等の不活
性ガスを流すなどしてウエハ温度不安定化の原因となる
プリコート膜の変質を防止していた。
化操作に多くの時間を要し、成膜処理を再開しようと思
っても迅速な処理ができず、スループットを大きく下げ
る原因となっていた。本発明は、以上のような問題点に
着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであ
る。本発明の目的は、プリコート膜を安定化させること
により、アイドリング期間であっても載置台の温度を下
げる必要がなく、これによりスループットを向上させる
ことができるプリコート膜の形成方法、載置台構造及び
成膜装置を提供することにある。また、本発明の他の目
的は、プリコート膜を安定させなくても、アイドリング
期間中に所定のガスを流すことにより、アイドリング期
間であっても載置台の温度を下げる必要がなく、これに
よりスループットを向上させることができる成膜装置の
アイドリング方法を提供することにある。
よりなるプリコート膜の変質について鋭意研究した結
果、変質の原因は、プリコート膜の表面には分子レベル
で不安定なサイトが存在し、これが長期間に亘って徐々
に他の原子と反応する点に存在する、という知見を得る
ことにより、本発明に至ったものである。請求項1に規
定する発明は、載置台構造のプリコート膜の形成方法に
おいて、被処理体を載置するための載置台を有する載置
台構造を内部に有する成膜装置内に処理ガスを流してT
iN膜よりなるプリコート膜を前記載置台の表面に堆積
させる堆積工程と、前記載置台を前記堆積工程の温度よ
りも高い温度に維持しつつNH3 (アンモニア)含有ガ
スに晒して前記プリコート膜を安定化させる安定化工程
とを有する。
膜を、NH3 含有ガス中に晒してアニールすることによ
り安定化できる。これにより、成膜装置のアイドリング
期間に載置台の温度を下げる必要もなくなり、従って、
被処理体への成膜開始時に昇温に要する時間も不要にな
るので、その分、スループットを向上させることが可能
となる。請求項2に規定する発明は、載置台構造のプリ
コート膜の形成方法において、被処理体を載置するため
の載置台を有する載置台構造を内部に有する成膜装置内
に処理ガスを流してTiN膜よりなるプリコート膜を前
記載置台の表面に堆積させる堆積工程と、前記載置台を
O2 (酸素)含有ガス或いはH2 O(水分)含有ガスに
晒して前記プリコート膜を安定化させる安定化工程とを
有する。このように、TiN膜よりなるプリコート膜
を、O2 含有ガス、或いはH2 O含有ガス中に晒してア
ニールすることにより安定化できる。これにより、成膜
装置のアイドリング期間に載置台の温度を下げる必要も
なくなり、従って、被処理体への成膜開始時に昇温に要
する時間も不要になるので、その分、スループットを向
上させることが可能となる。
ガス或いはH2 O含有ガスを用いて処理を行なう前記安
定化工程における前記載置台の温度は、前記成膜装置内
で前記被処理体に対して成膜処理を行なう時のプロセス
温度と略同じである。これにより、プリコート膜の安定
化後、載置台を昇降温することなく直ちに被処理体の成
膜処理へ移行できるので、スループットを一層向上させ
ることが可能となる。
膜装置では、前記被処理体に対して、Ti膜、或いはT
i含有膜を堆積させる。請求項5に規定する発明は、被
処理体にTi膜、或いはTiN膜を形成するために真空
引き可能になされた処理容器内に、表面にTiN膜より
なるプリコート膜を形成した載置台を有する載置台構造
が設けられた成膜装置のアイドリング方法において、前
記処理容器内にNH3 含有ガスを流すようにする。
膜を安定化させる必要がなく、アイドリング期間に単に
NH3 含有ガスを流しておくだけで、例えば載置台を成
膜プロセス温度に維持していても、プリコート膜の変質
を防止することが可能となる。従って、被処理体に対す
る成膜開始時に昇温に要する時間も不要になるので、そ
の分、スループットを向上させることが可能となる。こ
の場合、例えば請求項6に規定するように、前記載置台
の温度は、前記処理容器内で行なう成膜プロセス時の温
度と略同じ温度に維持される。
な安定化処理された載置台を有する載置台構造を規定し
たものであり、被処理体にTi膜、或いはTi含有膜を
堆積させるための成膜処理を施す成膜装置内に、前記被
処理体を載置するために設けられた載置台を有する載置
台構造において、前記載置台の表面に、安定化処理がな
されたTiN膜よりなるプリコート膜を形成したことを
特徴とする載置台構造である。請求項8に規定する発明
は、上記載置台構造を備えた成膜装置を規定したもので
あり、被処理体にTi膜、或いはTi含有膜を形成する
成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器
と、この処理容器内に必要な処理ガスを供給するガス供
給手段と、前記被処理体を載置するために、表面に安定
化処理がなされたTi膜よりなるプリコート膜を形成し
た載置台を有する載置台構造と、前記被処理体を加熱す
る加熱手段とを備えたことを特徴とする成膜装置であ
る。
膜の形成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台構
造及び成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図1は本発明の載置台構造を有する成膜装置を示す
構成図、図2はNH3 ガスを用いて載置台にプリコート
膜を形成する工程を示す工程図、図3はO2 ガスを用い
て載置台にプリコート膜を形成する工程図である。本実
施例では、成膜装置によりTiN膜を形成する場合を例
にとって説明する。図示するように、成膜装置2は、例
えばステンレススチール等により円筒体状に成形された
処理容器4を有している。この処理容器4の底部6に
は、容器内の雰囲気を排出するための排気口8が設けら
れており、この排気口8には真空引きポンプ10を介設
した排気系12が接続されて、処理容器4内を底部周辺
部から均一に真空引きできるようになっている。
に支持される円板状の載置台16とよりなる載置台構造
18が設けられ、この円板状の載置台16上に被処理体
として例えば半導体ウエハWを載置し得るようになって
いる。具体的には、この載置台16は、支柱14に直接
支持される例えばAlNなどのセラミック製の下台16
Aと、この上面に接合されるAlN等の上台16Bとよ
りなり、これらの接合面に加熱手段として抵抗加熱ヒー
タ20が挟み込まれている。この下台16Aと上台16
Bは、その接合面にて例えば溶着により接合される。そ
して、この載置台16の表面、すなわち、下台16Aの
側面と上台16Bの側面及び上面に、TiN膜よりなる
本発明の特徴とする安定化処理されたプリコート膜22
が全面的に形成されている。このプリコート膜22の厚
さは、例えば1μm程度であり、この成膜及び安定化処
理については後述する。
理ガスを供給するガス供給手段としてシャワーヘッド2
4が一体的に設けられた天井板26が容器側壁に対して
気密に取り付けられている。このシャワーヘッド24
は、上記載置台16の上面の略全面を覆うように対向さ
せて設けられており、載置台16との間に処理空間Sを
形成している。このシャワーヘッド24は、処理空間S
に各種のガスをシャワー状に導入するものであり、シャ
ワーヘッド24の下面の噴射面28にはガスを噴射する
ための多数の噴射孔30が形成される。また、このシャ
ワーヘッド24の内部には、多数の拡散孔32を有する
拡散板34が設けられてガスを拡散できるようになって
いる。
は、ヘッド内にガスを導入するガス導入ポート36が設
けられており、このガス導入ポート36にはガスを流す
供給通路38が接続されている。この供給通路38に
は、複数の分岐管40が接続され、各分岐管40には、
成膜用のガスとして、例えばTiCl4 ガスを貯留する
TiCl4 ガス源42、NH3 ガスを貯留するNH3 ガ
ス源44、不活性ガスとして例えばN2 ガスを貯留する
N2 ガス源46、O2 ガスを貯留するO2 ガス源48が
それぞれ接続されている。そして、各ガスの流量は、そ
れぞれの分岐管に介設した流量制御器、例えばマスフロ
ーコントローラ50により制御される。尚、ここでは、
成膜時の各ガスを1つの供給通路38内を混合状態で供
給する場合を示しているが、これに限定されず、一部の
ガス或いは全てのガスを個別に異なる通路内に供給し、
シャワーヘッド24内、或いは処理空間Sにて混合させ
る、いわゆるポストミックスのガス搬送形態を用いるよ
うにしてもよい。
ド24の側壁には、この壁面の温度調節を行なうため
に、必要に応じて例えば冷却された、或いは加熱された
熱媒体を選択的に流すための温調ジャケット52が設け
られている。また、この容器側壁には、ウエハの搬入・
搬出時に気密に開閉可能になされたゲートバルブ54が
設けられる。尚、図示されていないが、ウエハ搬入・搬
出時にこれを持ち上げたり、持ち下げたりするウエハリ
フタピンが載置台に設けられるのは勿論である。
て行なわれる本発明のプリコート膜の形成方法について
図2乃至図3も参照して説明する。まず、処理容器4内
の載置台16上には、半導体ウエハWを何ら載置してい
ない状態とし、処理容器4内を密閉する。この処理容器
4内は、例えば前工程において、クリーニング処理され
て不要な膜が全て除去されており、従って、図2(A)
に示すように載置台16の表面には何らプリコート膜が
ついておらず、載置台16の素材が剥き出し状態となっ
ている。そして、処理容器4内を密閉したならば、成膜
用ガスとしてTiCl4 ガスと、NH3 ガスと、キャリ
アガスとしてのN2 ガスを、それぞれシャワーヘッド2
4から所定の流量で処理容器4内に導入し、且つ真空引
きポンプ10により処理容器4内を真空引きし、所定の
圧力に維持する。
に埋め込んだ抵抗加熱ヒータ20により所定の温度によ
り加熱維持される。この熱CVD操作により、載置台1
6の表面には、図2(B)に示すように、TiN膜が堆
積して薄いプリコート膜22が形成されることになる。
この時のプロセス条件は、載置台16の寸法が8インチ
ウエハサイズの時はTiCl4 ガスの流量が30〜50
sccm程度、NH3 ガスの流量が400sccm程
度、N2 ガスが500sccm程度であり、プロセス圧
力は40Pa(≒300mTorr)程度、プロセス温
度は680℃程度である。このプロセス温度は、これに
限定されず、TiN膜が熱CVDにより成膜できる温
度、例えば400℃以上ならばどのような温度でもよ
い。
リコート膜22を形成して堆積工程が終了したならば、
次に上記プリコート膜22を安定化させる安定化工程へ
移行する。この安定化工程では、アニールによって不完
全な反応状態のTiNプリコート膜22の表面を安定化
させるために、TiNの成膜時のプロセス温度よりも例
えば50℃程度高い温度、略730℃まで載置台16の
温度を昇温する。これは、50℃に限定されず、TiN
の成膜温度よりも高ければ何度でも良く、温度が高い
程、安定化処理を迅速に行なうことができる。また、こ
の時のアニール用のガスとしては、NH3 ガスを用い、
希釈ガスとしてN2 ガスも用いる。この時のプロセス条
件は、NH3 ガスは1000sccm程度、N2 ガスは
500sccm程度であり、プロセス圧力は40Pa
(≒300mTorr)〜1333Pa(≒10Tor
r)程度である。この安定化処理を、所定の時間、例え
ば2分程度行なうことにより、プリコート膜22の表面
の不安定な原子(サイト)は、NH3 ガスと反応してT
iNへ完全に変化し、安定な状態となる。これにより、
プリコート膜の安定化工程が終了することになる。
エハをロードして、通常の成膜処理、例えばTiCl4
ガスとNH3 ガスとを用いて例えばプロセス温度680
℃にて熱CVDによりTiN膜を連続的に成膜すればよ
い。また、処理すべき半導体ウエハWがなくなった時に
は、上述のようにプリコート膜22は化学的に安定して
いるので、載置台16の温度を従来のように降下させる
必要はなく、この温度をプロセス温度、すなわちここで
は680℃程度に維持した状態で、次に処理すべき半導
体ウエハが発生するまでアイドリングを行なえばよい。
従って、次に処理すべき半導体ウエハが発生した場合に
は、載置台16の温度はアイドリング期間を通じて、プ
ロセス温度に維持されているので、直ちに成膜処理に入
ることができる。従って、載置台16をプロセス温度ま
で昇温するため時間が省け、その分、スループットを向
上させることが可能となる。
びこの安定化処理は、前述の如く一般的には、処理容器
4内をクリーニング処理する毎に行なわれることにな
る。ここでは、安定化工程として、NH3 含有ガスを用
いたが、これに代えてO2含有ガス或いはH2 O含有ガ
スを用いてもよい。図3は、O2 含有ガスとしてO2 ガ
スとN2 ガスを用いて安定化工程を行なった時の状態を
示す図である。尚、堆積工程は、図2(B)で説明した
と同様に行なう。この図3に示す安定化工程では、先の
図2(C)に示すNH3 ガスに代えてO2 ガスを流す。
尚、キャリアガスとしてのN2 ガスに代えて他の不活性
ガス、例えばHe、Ne、Ar等を供給してもよい。こ
の時のプロセス条件は、O2 ガスは200sccm程
度、N2 ガスは100sccm程度、プロセス温度は6
80℃程度、プロセス圧力は133Pa(≒1Tor
r)程度である。
化工程のプロセス温度はTiN膜のプリコート膜22の
成膜温度と同じ680℃で行なうことができ、従って、
プリコート膜安定化のために載置台16の温度を昇降温
させる必要がなく、このプリコート膜の安定化処理の後
に直ちに半導体ウエハに対する成膜処理を行なうことが
でき、その分、一層スループットを向上させることが可
能となる。また、上記安定化処理により、プリコート膜
22の表面の不安定な原子や分子(サイト)は、O2 ガ
スと反応してTiO或いはTiONへ完全に変化し、安
定な状態となる。安定化のためには、O2 ガス濃度にも
よるが、プリコート膜22の厚さが1μm程度の時は、
例えば少なくとも2分間程度のアニール処理を行なえば
よい。また、O2 ガスを用いた安定化処理のプロセス温
度は、前述のようにO2 ガスが反応性に富むので、Ti
Nプリコート膜22の成膜温度よりも低い温度でもよ
く、例えば400℃程度でTiNプリコート膜22を安
定化させることができる。
て、O2 ガスとN2 ガスを用いてTiNプリコート膜の
安定化処理を行なった時の評価を行なったので、その評
価結果について図4を参照して説明する。図4は安定化
アニール処理時間に対するTiN膜の比抵抗の変化を示
すグラフである。ここでは、プリコート膜をアニールす
る際に、安定化アニール処理時間を、0分、2分、4
分、6分、8分と種々変化させ、このようにアニール処
理したプリコート付きの載置台を用いてウエハ上にTi
N膜を実際に堆積させ、このウエハ上のTiN膜の比抵
抗を測定した。このグラフから明らかなように、O2ア
ニール処理していない場合には比抵抗が450ohms
/sqであるが、O2アニール処理を2分以上行なう
と、比抵抗は略400ohms/sqに安定しているこ
とが判明する。従って、2分以上O2 アニール処理を行
なえばTiNプリコート膜22が化学的に安定すること
が判明する。
ト膜22を予め化学的に安定化させる安定化処理を行な
うことによって、成膜装置のアイドリング時にこのプリ
コート膜22が変質することを防止するようにしたが、
これに限定されず、上述のような安定化処理を施さなく
ても、成膜装置のアイドリング時に、この処理容器4内
にNH3 含有ガス(純粋NH3 ガスを含む)を流し続け
ることにより、上記したと同様な作用効果を発揮するこ
とができる。
は図3に示すようなプリコート膜の安定化処理を行なわ
ず、装置のアイドリング時には、NH3 ガスとN2 ガス
とを処理容器4内に流し続け、これにより、TiNプリ
コート膜22が変質することを防止する。この時のガス
流量は、例えばNH3 ガスが500sccm程度、N2
ガスが500sccm程度である。これによれば、プリ
コート膜22の表面の不安定なサイト部分がNH3 ガス
によって占められるので、他のガスと反応することがな
い。この場合にも、装置のアイドリング時には、載置台
16の温度を、ウエハに対してTiNの成膜を行なう時
のプロセス温度と同じ温度、例えば680℃に維持して
おけば、ウエハにTiNの成膜を行なう必要が生じた時
には、載置台16の昇降温の操作を行うことなく直ちに
成膜処理に移行することができるので、スループットを
向上させることができる。
半導体ウエハ表面にTiN膜を熱CVDにより成膜する
装置を例にとって説明したが、これに限定されず、Ti
膜或いはTiNのようなTi含有膜を形成するようなす
べての成膜装置に適用できる。例えば、TiCl4 ガス
とH2 ガスとを用いて、プラズマCVDによりTi膜を
成膜するようなプラズマCVD成膜装置にも本発明を適
用することができる。また、加熱手段として、抵抗発熱
ヒータに限らず、ランプ加熱を用いた装置にも本発明を
適用できる。更に、被処理体としては、半導体ウエハに
限定されず、ガラス基板、LCD基板等にも適用するこ
とができる。
ト膜の形成方法、成膜装置のアイドリング方法、載置台
構造及び成膜装置によれば、次のように優れた作用効果
を発揮することができる。請求項1に規定する発明によ
れば、TiN膜よりなるプリコート膜を、NH3含有ガ
ス中に晒してアニールすることにより安定化できる。こ
れにより、成膜装置のアイドリング期間に載置台の温度
を下げる必要もなくなり、従って、被処理体への成膜開
始時に昇温に要する時間も不要になるので、その分、ス
ループットを向上させることができる。請求項2に規定
する発明によれば、TiN膜よりなるプリコート膜を、
O2 含有ガス、或いはH2 O含有ガス中に晒してアニー
ルすることにより安定化できる。これにより、成膜装置
のアイドリング期間に載置台の温度を下げる必要もなく
なり、従って、被処理体への成膜開始時に昇温に要する
時間も不要になるので、その分、スループットを向上さ
せることができる。請求項3に規定する発明によれば、
O2 含有ガス或いはH2 O含有ガスを用いて安定化工程
を行なう時に、その温度を被処理体に対して成膜処理を
行なう時のプロセス温度と略同じに設定することによ
り、プリコート膜の安定化後、載置台を昇降温すること
なく直ちに被処理体の成膜処理へ移行できるので、スル
ープットを一層向上させることができる。請求項5及び
6に規定する発明によれば、TiN膜よりなるプリコー
ト膜を安定化させる必要がなく、アイドリング期間に単
にNH3 含有ガスを流しておくだけで、例えば載置台を
成膜プロセス温度に維持していても、プリコート膜の変
質を防止することができる。従って、被処理体に対する
成膜開始時に昇温に要する時間も不要になるので、その
分、スループットを向上させることができる。請求項7
及び8に規定する発明によれば、載置台のプリコート膜
は安定化されているので、成膜装置のアイドリング期間
に載置台の温度を下げる必要もなくなり、従って、被処
理体への成膜開始時に昇温に要する時間も不要になるの
で、その分、スループットを向上させることができる。
成図である。
成する工程を示す工程図である。
する工程図である。
抵抗の変化を示すグラフである。
TiN膜を成膜した時と、その後、載置台を17時間放
置した後に成膜した時の膜質(比抵抗)の変化を示すグ
ラフである。
Claims (8)
- 【請求項1】 載置台構造のプリコート膜の形成方法に
おいて、被処理体を載置するための載置台を有する載置
台構造を内部に有する成膜装置内に処理ガスを流してT
iN膜よりなるプリコート膜を前記載置台の表面に堆積
させる堆積工程と、前記載置台を前記堆積工程の温度よ
りも高い温度に維持しつつNH3 (アンモニア)含有ガ
スに晒して前記プリコート膜を安定化させる安定化工程
とを有することを特徴とするプリコート膜の形成方法。 - 【請求項2】 載置台構造のプリコート膜の形成方法に
おいて、被処理体を載置するための載置台を有する載置
台構造を内部に有する成膜装置内に処理ガスを流してT
iN膜よりなるプリコート膜を前記載置台の表面に堆積
させる堆積工程と、前記載置台をO2 (酸素)含有ガス
或いはH2 O(水分)含有ガスに晒して前記プリコート
膜を安定化させる安定化工程とを有することを特徴とす
るプリコート膜の形成方法。 - 【請求項3】 前記安定化工程における前記載置台の温
度は、前記成膜装置内で前記被処理体に対して成膜処理
を行なう時のプロセス温度と略同じであることを特徴と
する請求項2記載のプリコート膜の形成方法。 - 【請求項4】 前記成膜装置では、前記被処理体に対し
て、Ti膜、或いはTi含有膜を堆積させることを特徴
とする請求項1乃至3のいずれかに記載のプリコート膜
の形成方法。 - 【請求項5】 被処理体にTi膜、或いはTiN膜を形
成するために真空引き可能になされた処理容器内に、表
面にTiN膜よりなるプリコート膜を形成した載置台を
有する載置台構造が設けられた成膜装置のアイドリング
方法において、前記処理容器内にNH3 含有ガスを流す
ようにしたことを特徴とする成膜装置のアイドリング方
法。 - 【請求項6】 前記載置台の温度は、前記処理容器内で
行なう成膜プロセス時の温度と略同じ温度に維持される
ことを特徴とする請求項5記載の成膜装置のアイドリン
グ方法。 - 【請求項7】 被処理体にTi膜、或いはTi含有膜を
堆積させるための成膜処理を施す成膜装置内に、前記被
処理体を載置するために設けられた載置台を有する載置
台構造において、前記載置台の表面に、安定化処理がな
されたTiN膜よりなるプリコート膜を形成したことを
特徴とする載置台構造。 - 【請求項8】 被処理体にTi膜、或いはTi含有膜を
形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処
理容器と、この処理容器内に必要な処理ガスを供給する
ガス供給手段と、前記被処理体を載置するために、表面
に安定化処理がなされたTi膜よりなるプリコート膜を
形成した載置台を有する載置台構造と、前記被処理体を
加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とする成膜装
置。
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