JP2000319393A - 光通信用ポリイミド - Google Patents
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光通信用ポリイミドを提供する。
【解決手段】 下記式で表わされる光通信用ポリイミ
ド、但し、式中、Ｒ１及びＲ２は相互独立的にＣＦ３、
ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハロゲン化され
た芳香族環基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相
互独立的にＣｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非
置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基
よりなる群から選ばれ、ｎは１から３９までの整数であ
る。 【化１】
ド、但し、式中、Ｒ１及びＲ２は相互独立的にＣＦ３、
ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハロゲン化され
た芳香族環基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相
互独立的にＣｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非
置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基
よりなる群から選ばれ、ｎは１から３９までの整数であ
る。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信用ポリイミド
に係り、さらに詳しくは、光通信波長領域における光吸
収損失が低く、屈折率が調節し易いだけでなく、有機溶
媒への可溶性及び加工性に優れている光導波用ポリイミ
ドに関する。
に係り、さらに詳しくは、光通信波長領域における光吸
収損失が低く、屈折率が調節し易いだけでなく、有機溶
媒への可溶性及び加工性に優れている光導波用ポリイミ
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】情報産業の急激な発展に伴い、次世代高
速及び大容量情報通信事業の核心となる各種の光学素
子、例えば光パワー分割器、光波長分割器などの製造に
用いられる光学材料への需要が次第に高まりつつある。
速及び大容量情報通信事業の核心となる各種の光学素
子、例えば光パワー分割器、光波長分割器などの製造に
用いられる光学材料への需要が次第に高まりつつある。
【０００３】初期の光学材料としては、ニオブ酸リチウ
ム（ＬｉＮｂＯ３） などの無機化合物が主として使用
された。ところが、かかる無機化合物は材料の特性か
ら、製造性及び加工性に劣っており、量産体制には向い
てない。この理由から、製造コスト及び加工性の点で有
利であり、大量生産性に優れている有機光学材料、特に
高分子に関心が寄せられており、この高分子への研究が
盛んになされている。
ム（ＬｉＮｂＯ３） などの無機化合物が主として使用
された。ところが、かかる無機化合物は材料の特性か
ら、製造性及び加工性に劣っており、量産体制には向い
てない。この理由から、製造コスト及び加工性の点で有
利であり、大量生産性に優れている有機光学材料、特に
高分子に関心が寄せられており、この高分子への研究が
盛んになされている。
【０００４】ところが、通常の高分子は、主鎖にある炭
素−水素（Ｃ−Ｈ）結合のストレッチング振動及びデフ
ォメーション振動による高周波の倍音によって１０００
〜１７００ｎｍの近赤外線領域の光を吸収する。この光
吸収損失を低減するために、Ｃ−Ｈ結合の水素をフッ素
（Ｆ）または重水素（Ｄ）に置換する方法が提案されて
いる。
素−水素（Ｃ−Ｈ）結合のストレッチング振動及びデフ
ォメーション振動による高周波の倍音によって１０００
〜１７００ｎｍの近赤外線領域の光を吸収する。この光
吸収損失を低減するために、Ｃ−Ｈ結合の水素をフッ素
（Ｆ）または重水素（Ｄ）に置換する方法が提案されて
いる。
【０００５】前記方法の内、Ｃ−Ｈ結合の水素を重水素
に置換する方法は、Ｃ−Ｄ結合が１５５０ｎｍ波長帯の
光を吸収するために、近赤外線領域（１０００〜１７０
０ｎｍ）の波長帯を用いる光通信素子用光学材料として
不向きであった。
に置換する方法は、Ｃ−Ｄ結合が１５５０ｎｍ波長帯の
光を吸収するために、近赤外線領域（１０００〜１７０
０ｎｍ）の波長帯を用いる光通信素子用光学材料として
不向きであった。
【０００６】これに対し、Ｃ−Ｈ結合の水素をフッ素に
置換する方法は、近赤外線領域（１０００〜１７００ｎ
ｍ）波長帯の光吸収損失が最小化できる方法と確認され
た。
置換する方法は、近赤外線領域（１０００〜１７００ｎ
ｍ）波長帯の光吸収損失が最小化できる方法と確認され
た。
【０００７】一方、ポリイミドは、熱的及び機械的特性
に優れており、半導体保護用緩衝剤として汎用されてき
ている。最近には、このように優れた物性を有するポリ
イミドにフッ素を導入して低損失光通信用材料に応用し
ている。
に優れており、半導体保護用緩衝剤として汎用されてき
ている。最近には、このように優れた物性を有するポリ
イミドにフッ素を導入して低損失光通信用材料に応用し
ている。
【０００８】通常、光導波路は、光が導波されるコア層
と、これを取り囲んでいるクラッド層とから構成され、
このときコア層には、クラッド層より高い屈折率が要さ
れる。
と、これを取り囲んでいるクラッド層とから構成され、
このときコア層には、クラッド層より高い屈折率が要さ
れる。
【０００９】光導波路の製造に際してフッ素に置換され
たポリイミドを用いる場合、前述のような屈折率条件が
満たせるように、フッ素を含んでいる単量体とこのフッ
素を含んでいない単量体とを適宜な組成比にて共重合さ
せることにより、高分子内のフッ素含量が制御される必
要がある。
たポリイミドを用いる場合、前述のような屈折率条件が
満たせるように、フッ素を含んでいる単量体とこのフッ
素を含んでいない単量体とを適宜な組成比にて共重合さ
せることにより、高分子内のフッ素含量が制御される必
要がある。
【００１０】ポリイミド内のフッ素含量は屈折率の減少
量と比例関係にある。従って、Ｃ-Ｈ結合の水素をフッ
素に置換したフッ素化されたポリイミドは屈折率が低い
ため、これをコア層として用いる場合、クラッド層形成
用材料に対する選択肢が少なくなる。さらに、コア層及
びクラッド層を同じ高分子にて形成する場合、コア層が
クラッド層より高い屈折率を有するため、コア層形成用
高分子内のフッ素含量を減らす必要があり、これは、Ｃ
-Ｈ結合の増加による光吸収損失を招く原因となる。
量と比例関係にある。従って、Ｃ-Ｈ結合の水素をフッ
素に置換したフッ素化されたポリイミドは屈折率が低い
ため、これをコア層として用いる場合、クラッド層形成
用材料に対する選択肢が少なくなる。さらに、コア層及
びクラッド層を同じ高分子にて形成する場合、コア層が
クラッド層より高い屈折率を有するため、コア層形成用
高分子内のフッ素含量を減らす必要があり、これは、Ｃ
-Ｈ結合の増加による光吸収損失を招く原因となる。
【００１１】さらに、高分子内のフッ素含量が増えるほ
どその表面張力は弱まるため、コア層及びクラッド層形
成用材料としてフッ素化されたポリイミドを用いる場合
には、層間接着性及びコーティング性が低下する問題が
あった。
どその表面張力は弱まるため、コア層及びクラッド層形
成用材料としてフッ素化されたポリイミドを用いる場合
には、層間接着性及びコーティング性が低下する問題が
あった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みて成されたものであり、その目的は、近赤外線領域に
おける光吸収損失が小さく、耐熱性に優れ、屈折率の増
加による光吸収損失の増加が抑止でき、弱い表面張力に
よって層間接着性及びコーティング性が低下する問題を
効率的に防止できる光通信用ポリイミドを提供すること
である。
みて成されたものであり、その目的は、近赤外線領域に
おける光吸収損失が小さく、耐熱性に優れ、屈折率の増
加による光吸収損失の増加が抑止でき、弱い表面張力に
よって層間接着性及びコーティング性が低下する問題を
効率的に防止できる光通信用ポリイミドを提供すること
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明からは、下記化学式１で表わされる光通信用
ポリイミドが提供される。
に、本発明からは、下記化学式１で表わされる光通信用
ポリイミドが提供される。
【００１４】
【化６】 式中、Ｒ１及びＲ２は相互独立的にＣＦ３、ＣＣｌ３、
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれ、ｎは１から３９までの整数である。
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれ、ｎは１から３９までの整数である。
【００１５】前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４において、
非置換された芳香族環基の具体例としては、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、ハロゲ
ン化された芳香族環基の具体例としては、４−クロロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、４−トリフルオロ
メチルフェニル基、４−トリクロロメチルフェニル基な
どが挙げられる。このとき、非置換された芳香族環基及
びハロゲン化された芳香族環基内にある芳香族Ｃ−Ｈ結
合は脂肪族Ｃ−Ｈ結合に比べて近赤外線領域における光
吸収損失が小さいので、光通信用光学材料として使用可
能である。
非置換された芳香族環基の具体例としては、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、ハロゲ
ン化された芳香族環基の具体例としては、４−クロロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、４−トリフルオロ
メチルフェニル基、４−トリクロロメチルフェニル基な
どが挙げられる。このとき、非置換された芳香族環基及
びハロゲン化された芳香族環基内にある芳香族Ｃ−Ｈ結
合は脂肪族Ｃ−Ｈ結合に比べて近赤外線領域における光
吸収損失が小さいので、光通信用光学材料として使用可
能である。
【００１６】好ましくは、前記化学式１で表わされるポ
リイミドは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４がＣＦ３である
下記構造式の化合物（Ｅ）、またはＲ１及びＲ２がＣＦ
３であり、Ｒ３及びＲ４がＣｌである下記構造式の化合
物（Ｆ）である。
リイミドは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４がＣＦ３である
下記構造式の化合物（Ｅ）、またはＲ１及びＲ２がＣＦ
３であり、Ｒ３及びＲ４がＣｌである下記構造式の化合
物（Ｆ）である。
【００１７】
【化７】 式中、ｅ及びｆは相互独立的に１〜３９から選ばれる整
数である。
数である。
【００１８】好ましくは、前記ポリイミド（Ｅ）及び
（Ｆ）の屈折率は、入射光の波長を１５５０ｎｍとする
とき、ＴＥモード時に１．５１７６〜１．５７１４であ
る。
（Ｆ）の屈折率は、入射光の波長を１５５０ｎｍとする
とき、ＴＥモード時に１．５１７６〜１．５７１４であ
る。
【００１９】さらに、本発明の目的は、下記化学式２で
表わされる光通信用ポリイミドによって成し遂げられ
る。
表わされる光通信用ポリイミドによって成し遂げられ
る。
【００２０】
【化８】 式中、Ｚ１及びＺ２は相互同一に
【化９】 であり、Ｒ３及びＲ４は相互独立的にＣｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂ
ｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハ
ロゲン化された芳香族環基よりなる群から選ばれ、ｘは
０＜ｘ＜１範囲のモル分率である。
ｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハ
ロゲン化された芳香族環基よりなる群から選ばれ、ｘは
０＜ｘ＜１範囲のモル分率である。
【００２１】前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４において、
非置換された芳香族環基の具体例としては、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、ハロゲ
ン化された芳香族環基の具体例としては、４−クロロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、４−トリフルオロ
メチルフェニル基、４−トリクロロメチルフェニル基な
どが挙げられる。
非置換された芳香族環基の具体例としては、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、ハロゲ
ン化された芳香族環基の具体例としては、４−クロロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、４−トリフルオロ
メチルフェニル基、４−トリクロロメチルフェニル基な
どが挙げられる。
【００２２】好ましくは、前記化学式２で表わされるポ
リイミドは、特にＺ１及びＺ２が相互同一に
リイミドは、特にＺ１及びＺ２が相互同一に
【化１０】 であり、Ｒ３及びＲ４はＣｌであり、Ｒ１及びＲ２がＣ
Ｆ３である下記構造式の化合物（Ｇ）、またはＺ１及び
Ｚ２が相互同一に
Ｆ３である下記構造式の化合物（Ｇ）、またはＺ１及び
Ｚ２が相互同一に
【化１１】 であり、Ｒ３及びＲ４がＣｌである下記構造式の化合物
（Ｍ）である。
（Ｍ）である。
【００２３】
【化１２】 式中、ｇ１及びｍ１は相互独立的に１〜３９から選ばれ
る整数であり、ｇ２及びｍ２は相互独立的に１〜３９か
ら選ばれる整数である。
る整数であり、ｇ２及びｍ２は相互独立的に１〜３９か
ら選ばれる整数である。
【００２４】好ましくは、前記ポリイミド（Ｇ）の屈折
率は、入射光の波長を１５５０ｎｍとするとき、ＴＥモ
ード時に１．６０２１〜１．７２１３であり、ＴＭモー
ド時に１．４９３０〜１．５７７３である。
率は、入射光の波長を１５５０ｎｍとするとき、ＴＥモ
ード時に１．６０２１〜１．７２１３であり、ＴＭモー
ド時に１．４９３０〜１．５７７３である。
【００２５】また、好ましくは、前記ポリイミド（Ｍ）
の屈折率は、入射光の波長を１５５０ｎｍとするとき、
ＴＭモード時に１．６０２１〜１．７２１３であり、Ｔ
Ｅモード時に１．４９３０〜１．５７７３である。
の屈折率は、入射光の波長を１５５０ｎｍとするとき、
ＴＭモード時に１．６０２１〜１．７２１３であり、Ｔ
Ｅモード時に１．４９３０〜１．５７７３である。
【００２６】
【発明の実施の形態】下記化学式１で表わされるポリイ
ミドは酸無水物（Ａ）及びジアミン化合物（Ｂ）をＮ，
Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの有機溶媒に溶解した後
に反応させてポリアミック酸を合成し、これをイミド化
させることにより得られる。
ミドは酸無水物（Ａ）及びジアミン化合物（Ｂ）をＮ，
Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの有機溶媒に溶解した後
に反応させてポリアミック酸を合成し、これをイミド化
させることにより得られる。
【００２７】
【化１３】 式中、Ｒ１及びＲ２は相互独立的にＣＦ３、ＣＣｌ３、
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれ、ｎは１から３９までの整数である。
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれ、ｎは１から３９までの整数である。
【００２８】前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４において、
非置換された芳香族環基の具体例としては、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、ハロゲ
ン化された芳香族環基の具体例としては、４−クロロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、４−トリフルオロ
メチルフェニル基、４−トリクロロメチルフェニル基な
どが挙げられる。
非置換された芳香族環基の具体例としては、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられ、ハロゲ
ン化された芳香族環基の具体例としては、４−クロロフ
ェニル基、４−フルオロフェニル基、４−トリフルオロ
メチルフェニル基、４−トリクロロメチルフェニル基な
どが挙げられる。
【００２９】前記ポリアミック酸のポリイミドへのイミ
ド化は、通常の反応条件下に化学的方法または熱的方法
によって行われる。
ド化は、通常の反応条件下に化学的方法または熱的方法
によって行われる。
【００３０】
【化１４】 式中、Ｒ１及びＲ２は相互独立的にＣＦ３、ＣＣｌ３、
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれる。
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれる。
【００３１】前記化学的方法は、酸無水物（Ａ）及びジ
アミン化合物（Ｂ）の混合物にアセト酸無水物及びピリ
ジンを付加し、これを６０〜１５０℃の温度条件下に加
熱したり、或いは、酸無水物（Ａ）及びジアミン化合物
（Ｂ）にトルエンを付加し、これをトルエンの沸点で加
熱することにより行われる。そして熱的方法は、ポリア
ミック酸を５０〜４００℃の温度範囲内で段階的に加熱
することにより行われる。
アミン化合物（Ｂ）の混合物にアセト酸無水物及びピリ
ジンを付加し、これを６０〜１５０℃の温度条件下に加
熱したり、或いは、酸無水物（Ａ）及びジアミン化合物
（Ｂ）にトルエンを付加し、これをトルエンの沸点で加
熱することにより行われる。そして熱的方法は、ポリア
ミック酸を５０〜４００℃の温度範囲内で段階的に加熱
することにより行われる。
【００３２】一方、前記ジアミン化合物（Ｂ）は以下の
プロセスで製造される。
プロセスで製造される。
【００３３】まず、１-ハロゲン-３-ニトロベンゼンを
溶媒に溶解し、ここに塩化ナトリウム及びエチレングリ
コールを付加して還元反応を行いアゾ化合物を合成す
る。次にこのアゾ化合物をさらに還元し、ジアミン化合
物（Ｂ）を得る。
溶媒に溶解し、ここに塩化ナトリウム及びエチレングリ
コールを付加して還元反応を行いアゾ化合物を合成す
る。次にこのアゾ化合物をさらに還元し、ジアミン化合
物（Ｂ）を得る。
【００３４】好ましくは、前記化学式１で表わされるポ
リイミドは、重量当たり平均分子量が１０,０００〜５
０,０００である。これは、この範囲で優れた光吸収損
失、加工性、接着性が得られるからである。また、前記
ポリイミドの分子量は、ゲルパーミエーションクロマト
グラフィ法にて測定される。
リイミドは、重量当たり平均分子量が１０,０００〜５
０,０００である。これは、この範囲で優れた光吸収損
失、加工性、接着性が得られるからである。また、前記
ポリイミドの分子量は、ゲルパーミエーションクロマト
グラフィ法にて測定される。
【００３５】そして前記化学式２で表わされるポリイミ
ドは、酸無水物（Ａ）または（Ｃ）のいずれかを２種の
ジアミン化合物（Ｂ）及び（Ｄ）と反応させることによ
り得られる。ここで、前記ポリイミドのモル分率ｘは、
前記ジアミン化合物（Ｂ）及び（Ｄ）の混合比に応じて
変わる。
ドは、酸無水物（Ａ）または（Ｃ）のいずれかを２種の
ジアミン化合物（Ｂ）及び（Ｄ）と反応させることによ
り得られる。ここで、前記ポリイミドのモル分率ｘは、
前記ジアミン化合物（Ｂ）及び（Ｄ）の混合比に応じて
変わる。
【００３６】前記化学式２で表わされるポリイミドは、
下記構造式から明らかなように、繰り返し単位（Ｉ）及
び（ＩＩ）を含んでいる共重合体である。ここで、繰り
返し単位（Ｉ）及び（ＩＩ）の重合度をそれぞれｒ及び
ｓとするとき、モル分率ｘは下記式のように表わされ
る。
下記構造式から明らかなように、繰り返し単位（Ｉ）及
び（ＩＩ）を含んでいる共重合体である。ここで、繰り
返し単位（Ｉ）及び（ＩＩ）の重合度をそれぞれｒ及び
ｓとするとき、モル分率ｘは下記式のように表わされ
る。
【００３７】ｘ＝ｒ／（ｒ＋ｓ） ここで、モル分率ｘは特別に限定されるものではなく、
所望の屈折率に応じて適宜調節されることが好ましい。
すなわち、屈折率は、ポリイミド合成に際して、ジアミ
ン化合物（Ｂ）及び（Ｄ）の混合比を可変させることに
よって調節できる。
所望の屈折率に応じて適宜調節されることが好ましい。
すなわち、屈折率は、ポリイミド合成に際して、ジアミ
ン化合物（Ｂ）及び（Ｄ）の混合比を可変させることに
よって調節できる。
【００３８】
【化１５】 式中、Ｚ１及びＺ２は相互同一に
【化１６】 であり、Ｒ３及びＲ４は相互独立的にＣｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂ
ｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハ
ロゲン化された芳香族環基よりなる群から選ばれ、ｘは
０＜ｘ＜１範囲のモル分率である。
ｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハ
ロゲン化された芳香族環基よりなる群から選ばれ、ｘは
０＜ｘ＜１範囲のモル分率である。
【００３９】前記化学式２で表わされるポリイミドは光
通信用材料に広範に使用できるが、中でも、光導波路の
コア層及びクラッド層を形成する上で極めて有用であ
る。
通信用材料に広範に使用できるが、中でも、光導波路の
コア層及びクラッド層を形成する上で極めて有用であ
る。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例を通じて詳細に説明す
るが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
るが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
【００４１】合成例１ 水酸化ナトリウム６０ｇ及びエチレングリコール２１０
ｍｌが溶解されているエタノール１７５ｍｌに１-クロ
ロ-３-ニトロベンゼン２２．０６ｇを付加し、２時間反
応させた。
ｍｌが溶解されているエタノール１７５ｍｌに１-クロ
ロ-３-ニトロベンゼン２２．０６ｇを付加し、２時間反
応させた。
【００４２】次に、この反応混合物を氷水２リットルに
付加して沈殿物を形成させ、この沈殿物をろ過、乾燥、
及びエタノールにて再結晶化して３,３'ジクロロアゾベ
ンゼンを得た。
付加して沈殿物を形成させ、この沈殿物をろ過、乾燥、
及びエタノールにて再結晶化して３,３'ジクロロアゾベ
ンゼンを得た。
【００４３】この３,３'-ジクロロアゾベンゼン１８ｇ
をテトラハイドロフラン１５０ｍｌに溶解し、ここにア
セト酸２１０ｍｌ及び亜鉛１６．８ｇを付加して反応を
行った。
をテトラハイドロフラン１５０ｍｌに溶解し、ここにア
セト酸２１０ｍｌ及び亜鉛１６．８ｇを付加して反応を
行った。
【００４４】反応が終わると、前記反応混合物にリン酸
３０ｍｌを付加した後に、メチレンクロライドを用いて
抽出する。この抽出物に濃塩酸９０ｍｌを付加し、これ
を塩化ナトリウム水溶液にて中和させ、２，２'-ジクロ
ロ-４，４'-ジアミノビフェニルを得た。
３０ｍｌを付加した後に、メチレンクロライドを用いて
抽出する。この抽出物に濃塩酸９０ｍｌを付加し、これ
を塩化ナトリウム水溶液にて中和させ、２，２'-ジクロ
ロ-４，４'-ジアミノビフェニルを得た。
【００４５】合成例２ 水酸化ナトリウム６０ｇ及びエチレングリコール２１０
ｍｌが溶解されているエタノール１７５ｍｌに１-ブロ
モ-３-ニトロベンゼン２２．０６ｇを付加して２時間反
応させた。
ｍｌが溶解されているエタノール１７５ｍｌに１-ブロ
モ-３-ニトロベンゼン２２．０６ｇを付加して２時間反
応させた。
【００４６】次に、この反応混合物を氷水２リットルに
付加して沈殿物を形成させる。この沈殿物をろ過、乾
燥、及びエタノールにて再結晶化して３,３'ジブロモア
ゾベンゼンを得た。
付加して沈殿物を形成させる。この沈殿物をろ過、乾
燥、及びエタノールにて再結晶化して３,３'ジブロモア
ゾベンゼンを得た。
【００４７】この３,３'-ジブロモアゾベンゼン１８ｇ
をテトラハイドロフラン１５０ｍｌに溶解し、ここにア
セト酸２１０ｍｌ及び亜鉛１６．８ｇを付加して反応を
行った。
をテトラハイドロフラン１５０ｍｌに溶解し、ここにア
セト酸２１０ｍｌ及び亜鉛１６．８ｇを付加して反応を
行った。
【００４８】反応が終わると、前記反応混合物にリン酸
３０ｍｌを付加した後に、メチレンクロライドを用いて
抽出を行い、このメチレンクロライド層に塩酸を付加し
た。次に、これを中和させて２，２'-ジブロモ-４，４'
-ジアミノビフェニルを得た。
３０ｍｌを付加した後に、メチレンクロライドを用いて
抽出を行い、このメチレンクロライド層に塩酸を付加し
た。次に、これを中和させて２，２'-ジブロモ-４，４'
-ジアミノビフェニルを得た。
【００４９】合成例３ 水酸化ナトリウム６０ｇ及びエチレングリコール２１０
ｍｌが溶解されているエタノール１７５ｍｌに１-ヨー
ド-３-ニトロベンゼン２２.０６ｇを付加して２時間反
応させた。
ｍｌが溶解されているエタノール１７５ｍｌに１-ヨー
ド-３-ニトロベンゼン２２.０６ｇを付加して２時間反
応させた。
【００５０】次に、この反応混合物を氷水２リットルに
付加して沈殿物を形成させ、得られた沈殿物をろ過、乾
燥、及びエタノールにて再結晶化して３,３'ジブロモア
ゾベンゼンを得た。
付加して沈殿物を形成させ、得られた沈殿物をろ過、乾
燥、及びエタノールにて再結晶化して３,３'ジブロモア
ゾベンゼンを得た。
【００５１】この３,３'-ジブロモアゾベンゼン１８ｇ
をテトラハイドロフラン１５０ｍｌに溶解し、ここにア
セト酸２１０ｍｌ及び亜鉛１６．８ｇを付加して反応を
行った。
をテトラハイドロフラン１５０ｍｌに溶解し、ここにア
セト酸２１０ｍｌ及び亜鉛１６．８ｇを付加して反応を
行った。
【００５２】反応が終わると、前記反応混合物にリン酸
３０ｍｌを付加し、メチレンクロライドを用いて抽出を
行い、このメチレンクロライド層に塩酸を付加した。次
に、これを中和させて２，２'-ジブロモ-４，４'-ジア
ミノビフェニルを得た。
３０ｍｌを付加し、メチレンクロライドを用いて抽出を
行い、このメチレンクロライド層に塩酸を付加した。次
に、これを中和させて２，２'-ジブロモ-４，４'-ジア
ミノビフェニルを得た。
【００５３】実施例１ 窒素雰囲気下に、２,２'-ビス（トリフルオロメチル）-
４，４'-ジアミノビフェニル（ＰＦＭＢ）７．２０５ｇ
（０．２２５モル）及び２,２-ビス（ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンジアンハイドライド（Ｆ
ＤＡ）１０ｇ（０．０２２５モル）をＮ，Ｎ-ジメチル
アセトアミド５７．３５ｇに溶解した後に、これを２４
時間攪拌した。
４，４'-ジアミノビフェニル（ＰＦＭＢ）７．２０５ｇ
（０．２２５モル）及び２,２-ビス（ジカルボキシフェ
ニル）ヘキサフルオロプロパンジアンハイドライド（Ｆ
ＤＡ）１０ｇ（０．０２２５モル）をＮ，Ｎ-ジメチル
アセトアミド５７．３５ｇに溶解した後に、これを２４
時間攪拌した。
【００５４】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、ポリイミ
ド（Ｅ）膜を完成した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、ポリイミ
ド（Ｅ）膜を完成した。
【００５５】
【化１７】 式中、ｅは１〜３９の整数である。
【００５６】実施例２ 窒素雰囲気下に、２,２'-ビス（トリフルオロメチル）-
４，４'-ジアミノビフェニル（ＤＣＢ）０．９ｇ（０．
０３５モル）及びＦＤＡ１．５７７ｇ（０．０３５モ
ル）をＮ，Ｎ-ジメチルアセトアミド１６．５ｇに溶解
した後に、これを２４時間攪拌した。
４，４'-ジアミノビフェニル（ＤＣＢ）０．９ｇ（０．
０３５モル）及びＦＤＡ１．５７７ｇ（０．０３５モ
ル）をＮ，Ｎ-ジメチルアセトアミド１６．５ｇに溶解
した後に、これを２４時間攪拌した。
【００５７】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｆ）膜を完成した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｆ）膜を完成した。
【００５８】
【化１８】 式中、ｆは１〜３９の整数である。
【００５９】実施例３ 窒素雰囲気下に、ＰＦＭＢ及びＤＣＢを８：２の含量比
にて、例えば、ＦＤＡ３．２０４ｇ（０．０１モル）、
ＰＦＭＢ ２．５６１ｇ（０．００８モル）及びＤＣＢ
０．０５１ｇ（０．００２モル）をＮ，Ｎ-ジメチルア
セトアミド４４．０ｇに溶解した後に、これを２４時間
攪拌した。
にて、例えば、ＦＤＡ３．２０４ｇ（０．０１モル）、
ＰＦＭＢ ２．５６１ｇ（０．００８モル）及びＤＣＢ
０．０５１ｇ（０．００２モル）をＮ，Ｎ-ジメチルア
セトアミド４４．０ｇに溶解した後に、これを２４時間
攪拌した。
【００６０】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｇ）膜を完成した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｇ）膜を完成した。
【００６１】
【化１９】 式中、ｇ１及びｇ２は相互独立的に１〜３９から選ばれ
る整数であり、ｇ１及びｇ２の総和は３９以下である。
る整数であり、ｇ１及びｇ２の総和は３９以下である。
【００６２】実施例４ ＦＤＡ、ＰＦＭＢ及びＤＣＢの含量をそれぞれ３．２０
２４ｇ（０．０１モル）、１．９２１３ｇ（０．００６
モル）及び０．１０２８ｇ（０．００４モル）（ここ
で、ＰＦＭＢ：ＤＣＢの含量比は６：４である）に変え
た以外は実施例３の方法と同様にして、前記構造式のポ
リイミド（Ｇ）膜を完成した。但し、式中、ｇ１及びｇ
２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数である実施例５ ＦＤＡ、ＰＦＭＢ及びＤＣＢの含量をそれぞれ３．２０
２４ｇ（０．０１モル）、１．２８０９ｇ（０．００４
モル）及び０．１５４３ｇ（０．００６モル）（ここ
で、ＰＦＭＢ：ＤＣＢの含量比は４：６である）に変え
た以外は実施例３の方法と同様にして、前記構造式のポ
リイミド（Ｇ）膜を完成した。但し、式中、ｇ１及びｇ
２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数である実施例６ ＦＤＡ、ＰＦＭＢ及びＤＣＢの含量をそれぞれ３．２０
２４ｇ（０．０１モル）、０．６４０４ｇ（０．００２
モル）及び０．２０５７ｇ（０．００８モル）（ここ
で、ＰＦＭＢ：ＤＣＢの含量比は２：８である）に変え
た以外は実施例３の方法と同様にして、前記構造式のポ
リイミド（Ｇ）膜を完成した。但し、式中、ｇ１及びｇ
２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数である実施例７ ＰＦＭＢ ７．２０５ｇ（０．０２２５モル）及び １，
２，４，５−ベンゼンテトラカルボキシジアンハイドラ
イド（ＰＭＤＡ）４．９０８ｇ（０．０２２５モル）を
Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド４０．３８ｇに溶解した
後に、これを２４時間攪拌した。
２４ｇ（０．０１モル）、１．９２１３ｇ（０．００６
モル）及び０．１０２８ｇ（０．００４モル）（ここ
で、ＰＦＭＢ：ＤＣＢの含量比は６：４である）に変え
た以外は実施例３の方法と同様にして、前記構造式のポ
リイミド（Ｇ）膜を完成した。但し、式中、ｇ１及びｇ
２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数である実施例５ ＦＤＡ、ＰＦＭＢ及びＤＣＢの含量をそれぞれ３．２０
２４ｇ（０．０１モル）、１．２８０９ｇ（０．００４
モル）及び０．１５４３ｇ（０．００６モル）（ここ
で、ＰＦＭＢ：ＤＣＢの含量比は４：６である）に変え
た以外は実施例３の方法と同様にして、前記構造式のポ
リイミド（Ｇ）膜を完成した。但し、式中、ｇ１及びｇ
２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数である実施例６ ＦＤＡ、ＰＦＭＢ及びＤＣＢの含量をそれぞれ３．２０
２４ｇ（０．０１モル）、０．６４０４ｇ（０．００２
モル）及び０．２０５７ｇ（０．００８モル）（ここ
で、ＰＦＭＢ：ＤＣＢの含量比は２：８である）に変え
た以外は実施例３の方法と同様にして、前記構造式のポ
リイミド（Ｇ）膜を完成した。但し、式中、ｇ１及びｇ
２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数である実施例７ ＰＦＭＢ ７．２０５ｇ（０．０２２５モル）及び １，
２，４，５−ベンゼンテトラカルボキシジアンハイドラ
イド（ＰＭＤＡ）４．９０８ｇ（０．０２２５モル）を
Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド４０．３８ｇに溶解した
後に、これを２４時間攪拌した。
【００６３】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｋ）膜を完成した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｋ）膜を完成した。
【００６４】
【化２０】 式中、ｋは１〜３９の整数である。
【００６５】実施例８ ＤＣＢ ０．９ｇ（０．０３５モル）及びＰＭＤＡ ７．
６３４ｇ（０．０３５モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド２８．４５ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
６３４ｇ（０．０３５モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド２８．４５ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
【００６６】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｌ）膜を完成した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｌ）膜を完成した。
【００６７】
【化２１】 式中、ｌは１〜３９の整数である。
【００６８】実施例９ ＰＭＤＡ ２．１８１ｇ（０．０１モル）、ＰＦＭＢ
２．５６１８ｇ（０．００８モル）及びＤＣＢ ０．０
５１４ｇ（０．００２モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は８：２である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１７．５０ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
２．５６１８ｇ（０．００８モル）及びＤＣＢ ０．０
５１４ｇ（０．００２モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は８：２である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１７．５０ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
【００６９】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、下記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。
【００７０】
【化２２】 式中、ｍ１及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれ
る整数であり、ｍ１及びｍ２の総和は３９以下である。
る整数であり、ｍ１及びｍ２の総和は３９以下である。
【００７１】実施例１０ ＰＭＤＡ ２．１８１ｇ（０．０１モル）、ＰＦＭＢ
１．９２１３ｇ（０．００６モル）及びＤＣＢ ０．１
０２８ｇ（０．００４モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は６：４である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１７．０５ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
１．９２１３ｇ（０．００６モル）及びＤＣＢ ０．１
０２８ｇ（０．００４モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は６：４である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１７．０５ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
【００７２】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、前記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。但し、式中、ｍ １
及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数であ
る。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、前記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。但し、式中、ｍ １
及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数であ
る。
【００７３】実施例１１ ＰＭＤＡ ２．１８１ｇ（０．０１モル）、ＰＦＭＢ
１．２８０９ｇ（０．００４モル）及びＤＣＢ ０．１
５４３ｇ（０．００６モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は４：６である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６．６０ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
１．２８０９ｇ（０．００４モル）及びＤＣＢ ０．１
５４３ｇ（０．００６モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は４：６である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６．６０ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
【００７４】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、前記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。但し、式中、ｍ １
及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数であ
る実施例１２ ＰＭＤＡ ２．１８１ｇ（０．０１モル）、ＰＦＭＢ
０．６４０４ｇ（０．００２モル）及びＤＣＢ ０．２
０５７ｇ（０．００８モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は２：８である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６．１６ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、前記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。但し、式中、ｍ １
及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数であ
る実施例１２ ＰＭＤＡ ２．１８１ｇ（０．０１モル）、ＰＦＭＢ
０．６４０４ｇ（０．００２モル）及びＤＣＢ ０．２
０５７ｇ（０．００８モル）（ここで、ＰＦＭＢ：ＤＣ
Ｂの含量比は２：８である）をＮ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド１６．１６ｇに溶解した後に、これを２４時間攪
拌した。
【００７５】次に、この反応混合物をワーク-アップし
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、前記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。但し、式中、ｍ １
及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数であ
る 前記実施例１−１２に従い製造されたポリイミドを用い
て作製された光導波路において、入射光の波長を１５５
０ｎｍとするとき、それぞれＴＥモード時及びＴＭモー
ド時の屈折率を測定し、その結果を下記表１に示した。
てポリアミック酸溶液を得た。このように得られたポリ
アミック酸溶液をシリコン基板上にスピンコートし、こ
れをホットプレートで１００℃／３０分間、２００℃／
６０分間、３５０℃／６０分間熱処理を施し、前記構造
式のポリイミド（Ｍ）膜を完成した。但し、式中、ｍ １
及びｍ２は相互独立的に１〜３９から選ばれる整数であ
る 前記実施例１−１２に従い製造されたポリイミドを用い
て作製された光導波路において、入射光の波長を１５５
０ｎｍとするとき、それぞれＴＥモード時及びＴＭモー
ド時の屈折率を測定し、その結果を下記表１に示した。
【００７６】
【表１】 前記表１から、前記実施例１-１２に従い製造されたポ
リイミドから作製された光導波路は、従来のフッ素化さ
れたポリイミドの屈折率１．５１９〜１．５６６より相
対的に高い屈折率を有する。これにより、このポリイミ
ドを光導波路のコア層形成用材料として使用すると、ク
ラッド層形成用材料への選択肢が多くなる 。
リイミドから作製された光導波路は、従来のフッ素化さ
れたポリイミドの屈折率１．５１９〜１．５６６より相
対的に高い屈折率を有する。これにより、このポリイミ
ドを光導波路のコア層形成用材料として使用すると、ク
ラッド層形成用材料への選択肢が多くなる 。
【００７７】さらに、前記実施例１-１２に従い製造さ
れたポリイミドの接着性、コーティング性、加工性及び
１３００ｎｍ及び１５５０ｎｍにおける光吸収損失を評
価したところ、いずれの項目も従来のフッ素化されたポ
リイミドに比べて向上されたことが分かる。
れたポリイミドの接着性、コーティング性、加工性及び
１３００ｎｍ及び１５５０ｎｍにおける光吸収損失を評
価したところ、いずれの項目も従来のフッ素化されたポ
リイミドに比べて向上されたことが分かる。
【００７８】ここで、前記評価は、シリコンウェーハ上
にポリアミック酸溶液をスピンコートし、これを熱処理
して得られた膜の形状を判断し、且つナイフなどの道具
を用いて膜の表面に引っ掻き傷をつけた後の状態を観察
することにより行われた。
にポリアミック酸溶液をスピンコートし、これを熱処理
して得られた膜の形状を判断し、且つナイフなどの道具
を用いて膜の表面に引っ掻き傷をつけた後の状態を観察
することにより行われた。
【００７９】そして赤外線（ＩＲ）分光計を用い、前記
実施例２に従い製造されたポリイミド（図１の"ポリイ
ミドＡ"）の１３００ｎｍ及び１５５０ｎｍにおける光
吸収損失特性と、この光吸収損失特性の比較のためにＦ
ＤＡ及び４，４−ジアミノビフェニル（ＢＰ）からなる
ポリイミド（図１の"ポリイミドＢ"）の光吸収損失特性
を併せて測定し、その結果を図１に示した。
実施例２に従い製造されたポリイミド（図１の"ポリイ
ミドＡ"）の１３００ｎｍ及び１５５０ｎｍにおける光
吸収損失特性と、この光吸収損失特性の比較のためにＦ
ＤＡ及び４，４−ジアミノビフェニル（ＢＰ）からなる
ポリイミド（図１の"ポリイミドＢ"）の光吸収損失特性
を併せて測定し、その結果を図１に示した。
【００８０】図１から明らかなように、ポリイミドＡが
ポリイミドＢの場合に比べて光吸収損失特性に優れてい
る。
ポリイミドＢの場合に比べて光吸収損失特性に優れてい
る。
【００８１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係るポリイ
ミドは、近赤外線領域における光吸収損失が小さく、耐
熱性及び加工性に優れているほか、屈折率の増加による
光吸収損失の増加や、弱い表面張力によって層間接着性
及びコーティング性が低下することが効率良く防止でき
る。さらに、前記ポリイミドをコア層形成用材料として
使用すると、クラッド層形成用材料への選択肢が多くな
る。
ミドは、近赤外線領域における光吸収損失が小さく、耐
熱性及び加工性に優れているほか、屈折率の増加による
光吸収損失の増加や、弱い表面張力によって層間接着性
及びコーティング性が低下することが効率良く防止でき
る。さらに、前記ポリイミドをコア層形成用材料として
使用すると、クラッド層形成用材料への選択肢が多くな
る。
【図１】本発明の実施例２に従い製造されたポリイミド
及び従来のポリイミドの赤外線領域における光吸収スペ
クトルである。
及び従来のポリイミドの赤外線領域における光吸収スペ
クトルである。
Claims (8)
- 【請求項１】 下記化学式１で表わされる光通信用ポリ
イミド： 【化１】 式中、Ｒ１及びＲ２は相互独立的にＣＦ３、ＣＣｌ３、
非置換された芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環
基よりなる群から選ばれ、Ｒ３及びＲ４は相互独立的に
Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＣｌ３、非置換された
芳香族環基及びハロゲン化された芳香族環基よりなる群
から選ばれ、ｎは１から３９までの整数である。 - 【請求項２】 前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はＣＦ３
であることを特徴とする請求項１に記載の光通信用ポリ
イミド。 - 【請求項３】 前記Ｒ１及びＲ２はＣＦ３であり、前記
Ｒ３及びＲ４はＣｌであることを特徴とする請求項１に
記載の光通信用ポリイミド。 - 【請求項４】 下記化学式２で表わされる光通信用ポリ
イミド： 【化２】 式中、Ｚ１及びＺ２は相互同一に 【化３】 Ｒ３及びＲ４は相互独立的にＣｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ、ＣＦ
３、ＣＣｌ３、非置換された芳香族環基及びハロゲン化
された芳香族環基よりなる群から選ばれ、ｘは０＜ｘ＜
１範囲のモル分率である。 - 【請求項５】 Ｚ１及びＺ２は相互同一に 【化４】 であり、Ｒ３及びＲ４はＣｌであることを特徴とする請
求項４に記載の光通信用ポリイミド。 - 【請求項６】 前記ポリイミドの屈折率は、入射光の波
長を１５５０ｎｍとするとき、ＴＥモード時に１．５１
７６〜１．５７１４であり、ＴＭモード時に１．５０７
６〜１．５５９０であることを特徴とする請求項５に記
載の光通信用ポリイミド。 - 【請求項７】 Ｚ１及びＺ２は相互同一に 【化５】 であり、Ｒ３及びＲ４はＣｌであることを特徴とする請
求項４に記載の光通信用ポリイミド。 - 【請求項８】 前記ポリイミドの屈折率が、入射光の波
長を１５５０ｎｍとするとき、ＴＥモード時に１．６０
２１〜１．７２１３であり、ＴＭモード時に１．４９３
０〜１．５７７３であることを特徴とする請求項７に記
載の光通信用ポリイミド。
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|---|---|---|---|---|
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| US4530993A (en) * | 1984-11-02 | 1985-07-23 | Director General Of Agency Of Industrial Science & Technology | Poly 2,2'-dichloro-4,4'-biphenylene pyromellitimide film |
| US5338826A (en) * | 1987-07-15 | 1994-08-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administation | Structures from low dielectric polyimides |
| CA2041133C (en) * | 1990-04-27 | 1995-01-03 | Toru Matsuura | Polymide optical waveguide |
| US5233018A (en) * | 1990-09-28 | 1993-08-03 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Perfluorinated polyimide, perfluorinated poly(amic acid), starting compounds therefor, and methods for preparing them |
| JP2940645B2 (ja) * | 1991-04-26 | 1999-08-25 | 日本電信電話株式会社 | 耐熱性プラスチック光ファイバ |
| JPH04328504A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリイミド光導波路 |
| JPH063713A (ja) | 1991-04-26 | 1994-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ２次光非線形材料及びその製造方法 |
| US5322924A (en) * | 1991-10-07 | 1994-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Addition polyimides with enhanced processability |
| DE69434548T2 (de) * | 1993-03-18 | 2006-08-03 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | Herstellungsverfahren eines polyimiden optischen wellenleiters |
| JP3131940B2 (ja) * | 1994-11-16 | 2001-02-05 | 日本電信電話株式会社 | ポリイミド共重合体及びその製造方法 |
| US5649045A (en) * | 1995-12-13 | 1997-07-15 | Amoco Corporation | Polymide optical waveguide structures |
| JPH1048418A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Tokai Rubber Ind Ltd | 誘電体多層膜光フィルタおよびその製造方法 |
| JPH10104447A (ja) * | 1996-10-03 | 1998-04-24 | Hitachi Ltd | ポリイミド系光導波路およびこれを用いた光スイッチ |
| KR100288742B1 (ko) * | 1997-03-12 | 2001-05-02 | 윤종용 | 광도파로소자의제조방법 |
| KR19990025815A (ko) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | 윤종용 | 광통신용 폴리이미드 및 그 제조방법 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7058271B2 (en) * | 2002-09-12 | 2006-06-06 | Asahi Glass Company, Limited | Plastic optical fiber |
| JP2022516281A (ja) * | 2019-01-02 | 2022-02-25 | デリム カンパニー リミテッド | ポリアミド酸組成物の製造方法、ポリアミド酸組成物、これを用いたポリイミドフィルムの製造方法及びその製造方法によって製造されたポリイミドフィルム |
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