JP2000267270A - ロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート方法 - Google Patents
ロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート方法Info
- Publication number
- JP2000267270A JP2000267270A JP7573999A JP7573999A JP2000267270A JP 2000267270 A JP2000267270 A JP 2000267270A JP 7573999 A JP7573999 A JP 7573999A JP 7573999 A JP7573999 A JP 7573999A JP 2000267270 A JP2000267270 A JP 2000267270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- roll coating
- photosensitive resin
- polyalkylene oxide
- coating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ロールコート法により塗布した際に塗布ムラの
発生しにくいロールコート用感光性樹脂組成物およびロ
ールコート方法を提供する。 【構成】非イオン性フッ素系界面活性剤あるいは非イオ
ン性シリコン系界面活性剤を含有させた、アルカリ可溶
性樹脂および感光剤からなる感光性樹脂組成物を用い、
これをロールコート法により基板に塗布する。非イオン
性フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル
（炭素数３〜１２）スルホンアミドのポリアルキレンオ
キサイド付加物、パーフルオロアルキル（炭素数３〜１
２）エチルアルコールのポリアルキレンオキサイド付加
物、あるいは（ａ）アクリル酸とパーフルオロアルキル
（炭素数３〜１２）エチルアルコールとのエステルとメ
タクリル酸メチルとの共重合物ならびに（ｂ）ポリアル
キレンオキサイドとの混合物が、非イオン性シリコン系
界面活性剤としては、ポリシロキサン誘導体のポリアル
キレンオキサイド付加物のような非イオン性シリコン系
界面活性剤が好ましい。
発生しにくいロールコート用感光性樹脂組成物およびロ
ールコート方法を提供する。 【構成】非イオン性フッ素系界面活性剤あるいは非イオ
ン性シリコン系界面活性剤を含有させた、アルカリ可溶
性樹脂および感光剤からなる感光性樹脂組成物を用い、
これをロールコート法により基板に塗布する。非イオン
性フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル
（炭素数３〜１２）スルホンアミドのポリアルキレンオ
キサイド付加物、パーフルオロアルキル（炭素数３〜１
２）エチルアルコールのポリアルキレンオキサイド付加
物、あるいは（ａ）アクリル酸とパーフルオロアルキル
（炭素数３〜１２）エチルアルコールとのエステルとメ
タクリル酸メチルとの共重合物ならびに（ｂ）ポリアル
キレンオキサイドとの混合物が、非イオン性シリコン系
界面活性剤としては、ポリシロキサン誘導体のポリアル
キレンオキサイド付加物のような非イオン性シリコン系
界面活性剤が好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ロールコート用感
光性樹脂組成物、さらに具体的にはロールコート法によ
り塗布した際に、塗布ムラが発生しにくい、レジスト膜
を形成することができるロールコート用感光性樹脂組成
物およびこのロールコート用感光性樹脂組成物を用いる
ロールコート方法に関する。
光性樹脂組成物、さらに具体的にはロールコート法によ
り塗布した際に、塗布ムラが発生しにくい、レジスト膜
を形成することができるロールコート用感光性樹脂組成
物およびこのロールコート用感光性樹脂組成物を用いる
ロールコート方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路素子、カラーフイルタ
ー、液晶表示素子等の製造においては、従来微細加工を
行なうためにリソグラフィー技術が用いられており、近
年ではサブミクロンあるいはさらにクォーターミクロン
オーダーでの微細加工を可能にする技術の開発が進めら
れている。このようなリソグラフィー技術においては、
基板上に必要に応じ反射防止膜が形成された後、ポジ型
あるいはネガ型の感光性樹脂組成物が塗布され、プリベ
ークされて感光性レジスト膜が形成される。その後、こ
の感光性レジスト膜は紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線
等の各種放射線により例えばパターン露光された後現像
されて、レジストパターンが形成される。
ー、液晶表示素子等の製造においては、従来微細加工を
行なうためにリソグラフィー技術が用いられており、近
年ではサブミクロンあるいはさらにクォーターミクロン
オーダーでの微細加工を可能にする技術の開発が進めら
れている。このようなリソグラフィー技術においては、
基板上に必要に応じ反射防止膜が形成された後、ポジ型
あるいはネガ型の感光性樹脂組成物が塗布され、プリベ
ークされて感光性レジスト膜が形成される。その後、こ
の感光性レジスト膜は紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線
等の各種放射線により例えばパターン露光された後現像
されて、レジストパターンが形成される。
【０００３】感光性樹脂組成物の塗布方法としては、ス
ピンコート法、ロールコート法、ランドコート法、流延
塗布法、ドクターコート法、浸漬塗布法など種々の方法
が知られている。具体的には半導体集績回路素子や液晶
表示素子の製造においては、レジスト素材としてはポジ
型の感光性樹脂組成物が、また塗布方法としてはスピン
コート法が多く用いられている。一方、液晶表示素子の
製造においては、塗布法としてスピンコート法とともに
ロールコート法も一般に採用されている。
ピンコート法、ロールコート法、ランドコート法、流延
塗布法、ドクターコート法、浸漬塗布法など種々の方法
が知られている。具体的には半導体集績回路素子や液晶
表示素子の製造においては、レジスト素材としてはポジ
型の感光性樹脂組成物が、また塗布方法としてはスピン
コート法が多く用いられている。一方、液晶表示素子の
製造においては、塗布法としてスピンコート法とともに
ロールコート法も一般に採用されている。
【０００４】ところで、感光性樹脂組成物を基板に塗布
する方法としてスピンコート法が用いられる場合には、
基板上に滴下されたレジスト溶液は基板の回転にともな
い遠心力により基板外周方向に流延された後、大部分の
レジスト溶液は過剰のレジスト溶液として基板外周から
飛散除去され、この飛散除去されたレジスト溶液は廃棄
されている。このスピンコート法においては、均一な膜
厚を有するレジスト膜を容易に形成することができる反
面、前記するように廃棄されるレジストの量が多く、高
コストとなる欠点を有している。これに対し、ロールコ
ート法は、使用するレジストの大部分をレジスト膜とし
て利用することができるため低コスト化が可能となる
が、感光性樹脂組成物の塗布時にすじ状やゆず肌状等の
塗布ムラが生じるという欠点を有する。例えば、このよ
うな塗布ムラの存在するレジスト膜を用いて製造した液
晶表示素子においては、光の濃淡が発生し、商品として
の価値が無くなる。
する方法としてスピンコート法が用いられる場合には、
基板上に滴下されたレジスト溶液は基板の回転にともな
い遠心力により基板外周方向に流延された後、大部分の
レジスト溶液は過剰のレジスト溶液として基板外周から
飛散除去され、この飛散除去されたレジスト溶液は廃棄
されている。このスピンコート法においては、均一な膜
厚を有するレジスト膜を容易に形成することができる反
面、前記するように廃棄されるレジストの量が多く、高
コストとなる欠点を有している。これに対し、ロールコ
ート法は、使用するレジストの大部分をレジスト膜とし
て利用することができるため低コスト化が可能となる
が、感光性樹脂組成物の塗布時にすじ状やゆず肌状等の
塗布ムラが生じるという欠点を有する。例えば、このよ
うな塗布ムラの存在するレジスト膜を用いて製造した液
晶表示素子においては、光の濃淡が発生し、商品として
の価値が無くなる。
【０００５】このようなロールコート法を採用したとき
に発生する問題を解決するために、材料面からは、沸
点、動粘度、蒸発速度を限定した溶剤を含む感光性樹脂
組成物（特開平１０−１８６６３７号公報）、プロピレ
ングリコール、ジプロピレングリコールから選ばれた溶
剤を含む混合溶剤を含有する感光性樹脂組成物（特開平
１０−１８６６３８号公報）などが、また、プロセス面
からは、一定方向に塗布後、方向を変えて再塗布する方
法（特開昭６２−１９８８５３号公報）、被塗布面に塗
布液の成分として用いられる希釈用液をスプレーコート
する方法（特開平５−２３７４４０号公報）、基板中央
部の主要パターン領域を塗布後、外周部の端面近傍のみ
を塗布する方法（特開平８−１４１４９０号公報）など
が提案されている。このように種々改善はおこなわれて
きたものの、従来の方法、材料においては、プロセスの
変更を必要としたり、塗布条件に制約を有したり、コス
トの面からみて問題があるなどの欠点を有するものであ
った。このため、このような欠点がない、すなわちプロ
セスの変更を必要とせず、プロセス許容度が大きく、か
つ安価に、また従来知られている感光性樹脂組成物に比
べより塗布ムラの発生しにくいロールコート用感光性樹
脂組成物が望まれていた。
に発生する問題を解決するために、材料面からは、沸
点、動粘度、蒸発速度を限定した溶剤を含む感光性樹脂
組成物（特開平１０−１８６６３７号公報）、プロピレ
ングリコール、ジプロピレングリコールから選ばれた溶
剤を含む混合溶剤を含有する感光性樹脂組成物（特開平
１０−１８６６３８号公報）などが、また、プロセス面
からは、一定方向に塗布後、方向を変えて再塗布する方
法（特開昭６２−１９８８５３号公報）、被塗布面に塗
布液の成分として用いられる希釈用液をスプレーコート
する方法（特開平５−２３７４４０号公報）、基板中央
部の主要パターン領域を塗布後、外周部の端面近傍のみ
を塗布する方法（特開平８−１４１４９０号公報）など
が提案されている。このように種々改善はおこなわれて
きたものの、従来の方法、材料においては、プロセスの
変更を必要としたり、塗布条件に制約を有したり、コス
トの面からみて問題があるなどの欠点を有するものであ
った。このため、このような欠点がない、すなわちプロ
セスの変更を必要とせず、プロセス許容度が大きく、か
つ安価に、また従来知られている感光性樹脂組成物に比
べより塗布ムラの発生しにくいロールコート用感光性樹
脂組成物が望まれていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のごときロールコート法において従来より問題となって
いる欠点を有さない感光性樹脂組成物、具体的には、ロ
ールコート法により塗布した際に塗布ムラの発生しにく
いロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート
方法を提供することにある。
のごときロールコート法において従来より問題となって
いる欠点を有さない感光性樹脂組成物、具体的には、ロ
ールコート法により塗布した際に塗布ムラの発生しにく
いロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート
方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意研
究、検討を重ねた結果、従来ロールコート用レジストに
界面活性剤を含有せしめると気泡が発生して塗布時ピン
ホールが形成され、欠陥のない塗布膜を得ることが難し
いため界面活性剤の使用は問題があるとされていたが、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂などのアルカリ可溶性樹
脂とナフトキノンジアジド化合物などの感光剤を含有す
る感光性樹脂組成物に、非イオン性フッ素系あるいはシ
リコン系界面活性剤を含有させることにより、従来技術
から予測しえないような良好な塗布特性を有する感光性
樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を成したも
のである。
究、検討を重ねた結果、従来ロールコート用レジストに
界面活性剤を含有せしめると気泡が発生して塗布時ピン
ホールが形成され、欠陥のない塗布膜を得ることが難し
いため界面活性剤の使用は問題があるとされていたが、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂などのアルカリ可溶性樹
脂とナフトキノンジアジド化合物などの感光剤を含有す
る感光性樹脂組成物に、非イオン性フッ素系あるいはシ
リコン系界面活性剤を含有させることにより、従来技術
から予測しえないような良好な塗布特性を有する感光性
樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を成したも
のである。
【０００８】すなわち、本発明は、アルカリ可溶性樹
脂、感光剤および非イオン性フッ素系界面活性剤を含有
するロールコート用感光性樹脂組成物に関するものであ
る。また、本発明は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤およ
び非イオン性シリコン系界面活性剤を含有するロールコ
ート用感光性樹脂組成物に関するものである。さらに、
本発明は、上記ロールコート用感光性樹脂組成物をロー
ルコート法により基板に塗布する感光性樹脂組成物のロ
ールコート方法に関するものである。
脂、感光剤および非イオン性フッ素系界面活性剤を含有
するロールコート用感光性樹脂組成物に関するものであ
る。また、本発明は、アルカリ可溶性樹脂、感光剤およ
び非イオン性シリコン系界面活性剤を含有するロールコ
ート用感光性樹脂組成物に関するものである。さらに、
本発明は、上記ロールコート用感光性樹脂組成物をロー
ルコート法により基板に塗布する感光性樹脂組成物のロ
ールコート方法に関するものである。
【０００９】以下、本発明を更に詳細に説明する。ま
ず、本発明の感光性樹脂組成物において用いられるアル
カリ可溶性樹脂は、フェノール類の少なくとも１種とホ
ルマリンなどのアルデヒド類とを重縮合することによっ
て得られるノボラック型のフェノール樹脂である。
ず、本発明の感光性樹脂組成物において用いられるアル
カリ可溶性樹脂は、フェノール類の少なくとも１種とホ
ルマリンなどのアルデヒド類とを重縮合することによっ
て得られるノボラック型のフェノール樹脂である。
【００１０】このアルカリ可溶性ノボラック樹脂を製造
するために用いられるフェノール類としては、例えばｏ
−クレゾール、ｐ−クレゾールおよびｍ−クレゾール等
のクレゾール類、３，５−キシレノール、２，５−キシ
レノール、２，３−キシレノール、３，４−キシレノー
ル等のキシレノール類、２，３，４−トリメチルフェノ
ール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，４，５
−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェ
ノール等のトリメチルフェノール類、２−ｔ−ブチルフ
ェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ−ブチル
フェノール等のｔ−ブチルフェノール類、２−メトキシ
フェノール、３−メトキシフェノール、４−メトキシフ
ェノール、２，３−ジメトキシフェノール、２，５−ジ
メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノール等
のメトキシフェノール類、２−エチルフェノール、３−
エチルフェノール、４−エチルフェノール、２，３−ジ
エチルフェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，
３，５−トリエチルフェノール、３，４，５−トリエチ
ルフェノール等のエチルフェノール類、ｏ−クロロフェ
ノール、ｍ−クロロフェノール，ｐ−クロロフェノー
ル，２，３−ジクロロフェノール等のクロロフェノール
類、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、４−
メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール等の
レゾルシノール類、５−メチルカテコール等のカテコー
ル類、５−メチルピロガロール等のピロガロール類、ビ
スフェノールＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ等のビスフェノー
ル類、２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾール等のメチ
ロール化クレゾール類、α−ナフトール、β−ナフトー
ル等のナフトール類などを挙げることができる。これら
は、単独でまたは複数種の混合物として用いられる。
するために用いられるフェノール類としては、例えばｏ
−クレゾール、ｐ−クレゾールおよびｍ−クレゾール等
のクレゾール類、３，５−キシレノール、２，５−キシ
レノール、２，３−キシレノール、３，４−キシレノー
ル等のキシレノール類、２，３，４−トリメチルフェノ
ール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，４，５
−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェ
ノール等のトリメチルフェノール類、２−ｔ−ブチルフ
ェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、４−ｔ−ブチル
フェノール等のｔ−ブチルフェノール類、２−メトキシ
フェノール、３−メトキシフェノール、４−メトキシフ
ェノール、２，３−ジメトキシフェノール、２，５−ジ
メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノール等
のメトキシフェノール類、２−エチルフェノール、３−
エチルフェノール、４−エチルフェノール、２，３−ジ
エチルフェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，
３，５−トリエチルフェノール、３，４，５−トリエチ
ルフェノール等のエチルフェノール類、ｏ−クロロフェ
ノール、ｍ−クロロフェノール，ｐ−クロロフェノー
ル，２，３−ジクロロフェノール等のクロロフェノール
類、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、４−
メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール等の
レゾルシノール類、５−メチルカテコール等のカテコー
ル類、５−メチルピロガロール等のピロガロール類、ビ
スフェノールＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ等のビスフェノー
ル類、２，６−ジメチロール−ｐ−クレゾール等のメチ
ロール化クレゾール類、α−ナフトール、β−ナフトー
ル等のナフトール類などを挙げることができる。これら
は、単独でまたは複数種の混合物として用いられる。
【００１１】また、アルデヒド類としては、ホルマリン
の他、サリチルアルデヒド、パラホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズ
アルデヒド、クロロアセトアルデヒドなどが挙げられ、
これらは単独でまたは複数種の混合物として用いられ
る。
の他、サリチルアルデヒド、パラホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズ
アルデヒド、クロロアセトアルデヒドなどが挙げられ、
これらは単独でまたは複数種の混合物として用いられ
る。
【００１２】ここで用いるアルカリ可溶性樹脂として
は、低分子量成分を分別除去したものも用いることがで
きる。低分子量成分を分別除去する方法としては、例え
ば、異なる溶解性を有する２種の溶剤中で樹脂を分別す
る液−液分別法や、低分子量成分を遠心分離により除去
する方法、薄膜蒸留法等を挙げることができる。
は、低分子量成分を分別除去したものも用いることがで
きる。低分子量成分を分別除去する方法としては、例え
ば、異なる溶解性を有する２種の溶剤中で樹脂を分別す
る液−液分別法や、低分子量成分を遠心分離により除去
する方法、薄膜蒸留法等を挙げることができる。
【００１３】また、感光剤としては、キノンジアジド基
を含む感光剤が好ましいものとして挙げられる。このキ
ノンジアジド基を含む感光剤としては、従来キノンジア
ジド−ノボラック系レジストで用いられている公知の感
光剤のいずれのものをも用いることができる。このよう
な感光剤としては、ナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリド等
と、これら酸クロリドと縮合反応可能な官能基を有する
低分子化合物または高分子化合物とを反応させることに
よって得られた化合物が好ましいものである。ここで酸
クロリドと縮合可能な官能基としては水酸基、アミノ基
等があげられるが、特に水酸基が好適である。水酸基を
含む酸クロリドと縮合可能な化合物としては、例えばハ
イドロキノン、レゾルシン、２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２’，３，４，６’−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン等のヒドロキシベンゾフェノン類、ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−ト
リヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）プロパン等のヒドロキシフェニルアル
カン類、４，４’，３”，４”−テトラヒドロキシ−
３，５，３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタ
ン、４，４’，２”，３”，４”−ペンタヒドロキシ−
３，５，３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタン
等のヒドロキシトリフェニルメタン類などを挙げること
ができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以
上を組合わせて用いてもよい。
を含む感光剤が好ましいものとして挙げられる。このキ
ノンジアジド基を含む感光剤としては、従来キノンジア
ジド−ノボラック系レジストで用いられている公知の感
光剤のいずれのものをも用いることができる。このよう
な感光剤としては、ナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリド等
と、これら酸クロリドと縮合反応可能な官能基を有する
低分子化合物または高分子化合物とを反応させることに
よって得られた化合物が好ましいものである。ここで酸
クロリドと縮合可能な官能基としては水酸基、アミノ基
等があげられるが、特に水酸基が好適である。水酸基を
含む酸クロリドと縮合可能な化合物としては、例えばハ
イドロキノン、レゾルシン、２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，
４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２’，３，４，６’−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン等のヒドロキシベンゾフェノン類、ビス（２，４−
ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−ト
リヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）プロパン等のヒドロキシフェニルアル
カン類、４，４’，３”，４”−テトラヒドロキシ−
３，５，３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタ
ン、４，４’，２”，３”，４”−ペンタヒドロキシ−
３，５，３’，５’−テトラメチルトリフェニルメタン
等のヒドロキシトリフェニルメタン類などを挙げること
ができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以
上を組合わせて用いてもよい。
【００１４】また、ナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドなど
の酸クロリドとしては、例えば、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルフォニルクロライド、１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルフォニルクロライドなどが
好ましいものとして挙げられる。キノンジアジド基を合
む感光剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部
当たり、通常５〜５０重量部、好ましくは、１０〜４０
重量部である。
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドなど
の酸クロリドとしては、例えば、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルフォニルクロライド、１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルフォニルクロライドなどが
好ましいものとして挙げられる。キノンジアジド基を合
む感光剤の配合量は、アルカリ可溶性樹脂１００重量部
当たり、通常５〜５０重量部、好ましくは、１０〜４０
重量部である。
【００１５】本発明において用いられる非イオン性フッ
素系界面活性剤は、従来知られた非イオン性フッ素系界
面活性剤のいずれであってもよい。本発明において好ま
しく用いることができる非イオン性フッ素系界面活性剤
を例示すると、例えば次のようなものである。 （１）Ｒf ＳＯ2 ＮＲＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ（Ｒ’Ｏ）n Ｈ
（フルオロアルキルスルホンアミドのポリアルキレンオ
キサイド付加物） （式中、Ｒf はアルキル基の水素原子の全部または一部
がフッ素で置換された炭素数３〜１２のフルオロアルキ
ル基を表し、Ｒは水素原子または炭素数１〜５の低級ア
ルキル基を表し、Ｒ’は炭素数２〜５の低級アルキレン
基を表し、ｎは０または１以上の整数を表す。） （２）Ｒf ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣＯＡｃ（アクリル酸とフル
オロアルキルエチルアルコールとのエステル）とＭＭＡ
（メタクリル酸メチル）との共重合物とポリアルキレン
オキサイドとの混合物（式中、Ｒf は上記で定義された
ものと同じものを表し、Ａｃはビニル基を表す。） （３）Ｒf ＣＯＮＲＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ（Ｒ’Ｏ）n Ｈ（フ
ルオロアルキルカルボン酸アミドのポリアルキレンオキ
サイド付加物） （式中、Ｒf 、Ｒ、Ｒ’およびｎは上記で定義されたも
のと同じものを表す。） （４）Ｒf ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ（Ｒ’Ｏ）n Ｈ（フルオロア
ルキルエチルアルコールのポリアルキレンオキサイド付
加物） （式中、Ｒf 、Ｒ’およびｎは上記で定義されたものと
同じものを表す。） 上記（１）および（２）で表される界面活性剤が特に好
ましいものであり、（１）で表される界面活性剤として
は、例えば、メガファックＦ−１４２−Ｄ、メガファッ
クＦ−１４４−Ｄ（以上、大日本インキ化学工業社製）
などを拳げることができる。また上記（２）の界面活性
剤としては、例えば、メガファックＦ−４７２（大日本
インキ化学工業社製）などを、（４）の界面活性剤とし
ては、フルオウェットＯＴＮ（クラリアント ジャパン
社製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ（住友スリーエム社
製）などを挙げることができる。
素系界面活性剤は、従来知られた非イオン性フッ素系界
面活性剤のいずれであってもよい。本発明において好ま
しく用いることができる非イオン性フッ素系界面活性剤
を例示すると、例えば次のようなものである。 （１）Ｒf ＳＯ2 ＮＲＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ（Ｒ’Ｏ）n Ｈ
（フルオロアルキルスルホンアミドのポリアルキレンオ
キサイド付加物） （式中、Ｒf はアルキル基の水素原子の全部または一部
がフッ素で置換された炭素数３〜１２のフルオロアルキ
ル基を表し、Ｒは水素原子または炭素数１〜５の低級ア
ルキル基を表し、Ｒ’は炭素数２〜５の低級アルキレン
基を表し、ｎは０または１以上の整数を表す。） （２）Ｒf ＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣＯＡｃ（アクリル酸とフル
オロアルキルエチルアルコールとのエステル）とＭＭＡ
（メタクリル酸メチル）との共重合物とポリアルキレン
オキサイドとの混合物（式中、Ｒf は上記で定義された
ものと同じものを表し、Ａｃはビニル基を表す。） （３）Ｒf ＣＯＮＲＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ（Ｒ’Ｏ）n Ｈ（フ
ルオロアルキルカルボン酸アミドのポリアルキレンオキ
サイド付加物） （式中、Ｒf 、Ｒ、Ｒ’およびｎは上記で定義されたも
のと同じものを表す。） （４）Ｒf ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ（Ｒ’Ｏ）n Ｈ（フルオロア
ルキルエチルアルコールのポリアルキレンオキサイド付
加物） （式中、Ｒf 、Ｒ’およびｎは上記で定義されたものと
同じものを表す。） 上記（１）および（２）で表される界面活性剤が特に好
ましいものであり、（１）で表される界面活性剤として
は、例えば、メガファックＦ−１４２−Ｄ、メガファッ
クＦ−１４４−Ｄ（以上、大日本インキ化学工業社製）
などを拳げることができる。また上記（２）の界面活性
剤としては、例えば、メガファックＦ−４７２（大日本
インキ化学工業社製）などを、（４）の界面活性剤とし
ては、フルオウェットＯＴＮ（クラリアント ジャパン
社製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ（住友スリーエム社
製）などを挙げることができる。
【００１６】また、本発明において用いられる非イオン
性シリコン系界面活性剤としては、例えばＳｉＲ’3 Ｏ
（ＳｉＲ”2 Ｏ）p （ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）q Ｈ（式中、
Ｒ’およびＲ”は各々水素原子、水酸基、炭素数１から
５のアルキル基、あるいはＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）r Ｈ）
で、ｐ、ｑおよびｒは各々１以上の数を表す。）で表さ
れるものが代表的なものとして挙げられる。この非イオ
ン性シリコン系界面活性剤の具体例としては、ポリフロ
ーＫＬ−２４５（共栄社化学社製）などを挙げることが
できる。またこれらの他に好ましいものとしては、ディ
スホームＣＥ−４５７、ディスホームＣＫ−１４０（以
上、日本油脂社製）、シリコン系のペインタッド３２
（ダウ コーニング アジア社製）などを挙げることが
できる。これら界面活性剤の配合量は、アルカリ可溶性
樹脂と感光剤の合計量１．００重量部に対し、通常２０
０〜５０００ｐｐｍ（２００×１０-6〜５０００×１０
-6重量部）添加される。
性シリコン系界面活性剤としては、例えばＳｉＲ’3 Ｏ
（ＳｉＲ”2 Ｏ）p （ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）q Ｈ（式中、
Ｒ’およびＲ”は各々水素原子、水酸基、炭素数１から
５のアルキル基、あるいはＯ（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）r Ｈ）
で、ｐ、ｑおよびｒは各々１以上の数を表す。）で表さ
れるものが代表的なものとして挙げられる。この非イオ
ン性シリコン系界面活性剤の具体例としては、ポリフロ
ーＫＬ−２４５（共栄社化学社製）などを挙げることが
できる。またこれらの他に好ましいものとしては、ディ
スホームＣＥ−４５７、ディスホームＣＫ−１４０（以
上、日本油脂社製）、シリコン系のペインタッド３２
（ダウ コーニング アジア社製）などを挙げることが
できる。これら界面活性剤の配合量は、アルカリ可溶性
樹脂と感光剤の合計量１．００重量部に対し、通常２０
０〜５０００ｐｐｍ（２００×１０-6〜５０００×１０
-6重量部）添加される。
【００１７】本発明の感光性樹脂組成物を溶解させる溶
剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレング
リコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート等のエテレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル
アセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラ
クトン類などを挙げることができる。これらの溶剤は、
単独でまたは２種以上を混合して使用される。
剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、
エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレング
リコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモ
ノエチルエーテルアセテート等のエテレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエー
テル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル
アセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステ
ル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチ
ルエチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等
のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等のアミド類、γ−ブチロラクトン等のラ
クトン類などを挙げることができる。これらの溶剤は、
単独でまたは２種以上を混合して使用される。
【００１８】本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応
じ染料、接着助剤等を配合することができる。染料の例
としては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレッ
ト、マラカイトグリーン等が、接着助剤の例としては、
アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロ
キシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、ｔ−ブチル
ノボラック、エポキシシラン、エポキシポリマー、シラ
ン等が挙げられる。
じ染料、接着助剤等を配合することができる。染料の例
としては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレッ
ト、マラカイトグリーン等が、接着助剤の例としては、
アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロ
キシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、ｔ−ブチル
ノボラック、エポキシシラン、エポキシポリマー、シラ
ン等が挙げられる。
【００１９】また、本発明の感光性樹脂組成物に適用さ
れるロールコート法としては、ロールコーターを用いて
塗布する方法として従来知られている何れの方法であっ
てもよい。代表的な方法としては、例えば、ドクターバ
ー式、ドクターロール式、リバース式ロールコーターを
用いる方法がある。
れるロールコート法としては、ロールコーターを用いて
塗布する方法として従来知られている何れの方法であっ
てもよい。代表的な方法としては、例えば、ドクターバ
ー式、ドクターロール式、リバース式ロールコーターを
用いる方法がある。
【００２０】本発明のロールコート用感光性樹脂組成物
を用いてレジスト画像を形成する方法の一例を示すと、
基板上にプリベーク後の膜厚が１．０〜３．０μｍとな
るよう感光性樹脂組成物をロールコーターにより塗布
し、この基板に塗布されたロールコート用感光性樹脂組
成物は、例えばホットプレート上でプリベークされて溶
剤が除去されて、感光性樹脂膜とされる。次いで、この
感光性樹脂膜を、常法にしたがって、露光、必要に応じ
ポストエクスポージャーベイクした後現像することによ
り、ポジのレジスト画像を得ることができる。
を用いてレジスト画像を形成する方法の一例を示すと、
基板上にプリベーク後の膜厚が１．０〜３．０μｍとな
るよう感光性樹脂組成物をロールコーターにより塗布
し、この基板に塗布されたロールコート用感光性樹脂組
成物は、例えばホットプレート上でプリベークされて溶
剤が除去されて、感光性樹脂膜とされる。次いで、この
感光性樹脂膜を、常法にしたがって、露光、必要に応じ
ポストエクスポージャーベイクした後現像することによ
り、ポジのレジスト画像を得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下に合成例、実施例および比較例をもって
本発明を更に具体的に説明するが、これらは本発明を説
明するために例示するものであり、本発明の態様が以下
の例に限定されるものではない。
本発明を更に具体的に説明するが、これらは本発明を説
明するために例示するものであり、本発明の態様が以下
の例に限定されるものではない。
【００２２】合成例１ ノボラック樹脂の合成 ｍ−クレゾール／ｐ−クレゾールを６／４の比率で混ぜ
た混合クレゾール１００重量部に対し、３７重量％ホル
ムアルデヒド５６重量部および蓚酸２重量部の割合で仕
込み、反応温度１００℃で５時間反応させた。このノボ
ラック樹脂の分子量はポリスチレン換算で１５，２００
であった。
た混合クレゾール１００重量部に対し、３７重量％ホル
ムアルデヒド５６重量部および蓚酸２重量部の割合で仕
込み、反応温度１００℃で５時間反応させた。このノボ
ラック樹脂の分子量はポリスチレン換算で１５，２００
であった。
【００２３】合成例２ 感光剤の合成 ２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンと１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルフォニルクロライドを
１／２．５の仕込み比（モル比）でジオキサン中に溶解
し、トリエチルアミンを触媒として常法によりエステル
化させ、感光剤を得た。
ナフトキノンジアジド−５−スルフォニルクロライドを
１／２．５の仕込み比（モル比）でジオキサン中に溶解
し、トリエチルアミンを触媒として常法によりエステル
化させ、感光剤を得た。
【００２４】実施例１〜３ 合成例１で得られたノボラック樹脂１００重量部に対
し、合成例２で得られた感光剤を１５重量部、非イオン
フッ素系界面活性剤であるメガファックＦ−１４２Ｄ
（大日本インキ化学工業社製）をノボラック樹脂と感光
剤の合計１．００重量部に対してそれぞれ表１の量（ｐ
ｐｍ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートに溶解し攪拌した後、０．２μｍのフイルターでろ
過し、実施例１〜３の感光性樹脂組成物を調製した。こ
れらの組成物を大日本スクリーン製造社製ロールコータ
ー（ＲＣ−３５３−Ｐ）にて、３００ｍｍ×４００ｍｍ
のクロム付きガラス基板に塗布した。その際、基板に転
写をおこなう前のロール状態の観察を目視により行っ
た。また、塗布直後に塗布膜のスジむらの状態の観察を
目視により行った。その後、１００℃、９０秒間ホット
プレートにてべークを行い、約１．８μｍのレジスト膜
が得られるように調製した、膜厚は大日本スクリーン製
造社製膜厚測定装置（ラムダエース）により測定した。
また、面内１００点の膜厚を測定し、最大膜厚と最小膜
厚の差を面内膜厚ばらつきとして測定をおこなった。こ
れら観察および測定においては、下記の判断基準に基づ
いて評価が行われた。結果を表１に示す。
し、合成例２で得られた感光剤を１５重量部、非イオン
フッ素系界面活性剤であるメガファックＦ−１４２Ｄ
（大日本インキ化学工業社製）をノボラック樹脂と感光
剤の合計１．００重量部に対してそれぞれ表１の量（ｐ
ｐｍ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートに溶解し攪拌した後、０．２μｍのフイルターでろ
過し、実施例１〜３の感光性樹脂組成物を調製した。こ
れらの組成物を大日本スクリーン製造社製ロールコータ
ー（ＲＣ−３５３−Ｐ）にて、３００ｍｍ×４００ｍｍ
のクロム付きガラス基板に塗布した。その際、基板に転
写をおこなう前のロール状態の観察を目視により行っ
た。また、塗布直後に塗布膜のスジむらの状態の観察を
目視により行った。その後、１００℃、９０秒間ホット
プレートにてべークを行い、約１．８μｍのレジスト膜
が得られるように調製した、膜厚は大日本スクリーン製
造社製膜厚測定装置（ラムダエース）により測定した。
また、面内１００点の膜厚を測定し、最大膜厚と最小膜
厚の差を面内膜厚ばらつきとして測定をおこなった。こ
れら観察および測定においては、下記の判断基準に基づ
いて評価が行われた。結果を表１に示す。
【００２５】（観察および測定の判断基準） （１）ロール状態 ○ はじき無し × はじき有り （２）塗布膜のスジ ○ すじ無し △ 消えかかっている × すじ有り （３）膜厚ばらつき ○ ２５００Å △ ２５００〜４５００Å × ４５００Å以上
【００２６】実施例４ メガファックＦ−１４２Ｄに替えてメガファックＦ−４
７２（大日本インキ化学工業社製）を用い、添加量を６
００ｐｐｍとすることを除き実施例１を繰り返し行っ
て、感光性樹脂組成物を調整した。実施例１と同様に、
ロール状態、塗布膜のスジむら状態および膜厚ばらつき
の評価を行い、表１の結果を得た。
７２（大日本インキ化学工業社製）を用い、添加量を６
００ｐｐｍとすることを除き実施例１を繰り返し行っ
て、感光性樹脂組成物を調整した。実施例１と同様に、
ロール状態、塗布膜のスジむら状態および膜厚ばらつき
の評価を行い、表１の結果を得た。
【００２７】実施例５ メガファックＦ−１４２Ｄに替えてフロラードＦＣ−１
７０Ｃ（住友スリーエム社製）を用い、添加量を６００
ｐｐｍとすることを除き実施例１を繰り返し行って、感
光性樹脂組成物を調整した。実施例１と同様に、ロール
状態、塗布膜のスジむら状態および膜厚ばらつきの評価
を行い、表１の結果を得た。
７０Ｃ（住友スリーエム社製）を用い、添加量を６００
ｐｐｍとすることを除き実施例１を繰り返し行って、感
光性樹脂組成物を調整した。実施例１と同様に、ロール
状態、塗布膜のスジむら状態および膜厚ばらつきの評価
を行い、表１の結果を得た。
【００２８】実施例６ メガファックＦ−１４２Ｄに替えてポリフローＫＬ−２
４５（共栄社化学社製）を用い、添加量を６００ｐｐｍ
とすることを除き実施例１を繰り返し行って、感光性樹
脂組成物を調整した。実施例１と同様に、ロール状態、
塗布膜のスジむら状態および膜厚ばらつきの評価を行
い、表１の結果を得た。
４５（共栄社化学社製）を用い、添加量を６００ｐｐｍ
とすることを除き実施例１を繰り返し行って、感光性樹
脂組成物を調整した。実施例１と同様に、ロール状態、
塗布膜のスジむら状態および膜厚ばらつきの評価を行
い、表１の結果を得た。
【００２９】比較例１ 界面活性剤を用いないことを除き実施例１を繰り返し行
って、感光性樹脂組成物を調整した。実施例１と同様
に、ロール状態、塗布膜のスジむら状態および膜厚ばら
つきの評価を行い、表１の結果を得た。
って、感光性樹脂組成物を調整した。実施例１と同様
に、ロール状態、塗布膜のスジむら状態および膜厚ばら
つきの評価を行い、表１の結果を得た。
【００３０】比較例２ メガファックＦ−１４２Ｄに替えて、カチオン性フッ素
系界面活性剤であるメガファックＣＡＯ−１（パーフル
オロアルキル基含有トリメチルアンモニウム塩、大日本
インキ化学工業社製）を用い、添加量を６００ｐｐｍと
することを除き実施例１を繰り返し行って、感光性樹脂
組成物を調整した。実施例１と同様に、ロール状態、塗
布膜のスジむら状態および膜厚ばらつきの評価を行い、
表１の結果を得た。
系界面活性剤であるメガファックＣＡＯ−１（パーフル
オロアルキル基含有トリメチルアンモニウム塩、大日本
インキ化学工業社製）を用い、添加量を６００ｐｐｍと
することを除き実施例１を繰り返し行って、感光性樹脂
組成物を調整した。実施例１と同様に、ロール状態、塗
布膜のスジむら状態および膜厚ばらつきの評価を行い、
表１の結果を得た。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】上記するように、本発明のロールコート
用感光性樹脂組成物を用いることにより、何等特殊な方
法、条件を用いることなくロールコート法によって塗布
しても、塗布ムラの無い感光性樹脂膜を形成することが
出来、これにより液晶表示素子などの製造において、光
の濃淡の無い高品質の製品を安価に製造することができ
る。
用感光性樹脂組成物を用いることにより、何等特殊な方
法、条件を用いることなくロールコート法によって塗布
しても、塗布ムラの無い感光性樹脂膜を形成することが
出来、これにより液晶表示素子などの製造において、光
の濃淡の無い高品質の製品を安価に製造することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB13 AB16 AB20 AC01 AC04 AC05 AC06 AD03 BE00 BE01 CB29 CB45 CB52 CC04 EA04 4D075 AC21 CA48 DA04 DB13 DC22 EA45 EB17 EB22 EB42 EB52 EC35
Claims (7)
- 【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、感光剤および非イオ
ン性フッ素系界面活性剤を含有するロールコート用感光
性樹脂組成物。 - 【請求項２】アルカリ可溶性樹脂、感光剤および非イオ
ン性シリコン系界面活性剤を含有するロールコート用感
光性樹脂組成物。 - 【請求項３】非イオン性フッ素系界面活性剤がパーフル
オロアルキルを含むフルオロアルキル（炭素数３〜１
２）スルホンアミドのポリアルキレンオキサイド付加物
である請求項１記載のロールコート用感光性樹脂組成
物。 - 【請求項４】非イオン性フッ素系界面活性剤がパーフル
オロアルキルを含むフルオロアルキル（炭素数３〜１
２）エチルアルコールのポリアルキレンオキサイド付加
物である請求項１記載のロールコート用感光性樹脂組成
物。 - 【請求項５】非イオン性フッ素系界面活性剤が（ａ）ア
クリル酸とパーフルオロアルキルを含むフルオロアルキ
ル（炭素数３〜１２）エチルアルコールとのエステルと
メタクリル酸メチルとの共重合物ならびに（ｂ）ポリア
ルキレンオキサイドとの混合物である請求項１記載のロ
ールコート用感光性樹脂組成物。 - 【請求項６】非イオン性シリコン系界面活性剤がポリシ
ロキサン誘導体のポリアルキレンオキサイド付加物であ
る請求項２記載のロールコート用感光性樹脂組成物。 - 【請求項７】請求項１〜６の何れか１項に記載のロール
コート用感光性樹脂組成物をロールコート法により基板
に塗布することを特徴とする感光性樹脂組成物のロール
コート方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7573999A JP2000267270A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | ロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート方法 |
| EP00906609A EP1170632A1 (en) | 1999-03-19 | 2000-03-01 | Photosensitive resin composition for roll coating and method of roll coating |
| CNB008048576A CN1170205C (zh) | 1999-03-19 | 2000-03-01 | 用于辊涂的辐射敏感性树脂组合物和辊涂方法 |
| PCT/JP2000/001208 WO2000057248A1 (fr) | 1999-03-19 | 2000-03-01 | Composition a base de resine photosensible pour revetement au rouleau et technique de revetement au rouleau |
| KR1020017011957A KR100754232B1 (ko) | 1999-03-19 | 2000-03-01 | 롤 피복용 감광성 수지 조성물 및 롤 피복 방법 |
| TW089104827A TW500977B (en) | 1999-03-19 | 2000-03-16 | Photosensitive resin composition for use in roll coating and roll coating method |
| MYPI20001073A MY133351A (en) | 1999-03-19 | 2000-03-17 | Radiation sensitive resin composition for roller coating and roller coating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7573999A JP2000267270A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | ロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000267270A true JP2000267270A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13584962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7573999A Pending JP2000267270A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | ロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1170632A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000267270A (ja) |
| KR (1) | KR100754232B1 (ja) |
| CN (1) | CN1170205C (ja) |
| MY (1) | MY133351A (ja) |
| TW (1) | TW500977B (ja) |
| WO (1) | WO2000057248A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006139264A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-06-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| WO2006107056A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Zeon Corporation | パターン形成方法 |
| JP2018165797A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型平版印刷版原版、及び、平版印刷版の作製方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI377440B (en) * | 2004-10-14 | 2012-11-21 | Sumitomo Chemical Co | Radiation sensitive resin composition |
| TW200622486A (en) * | 2004-10-14 | 2006-07-01 | Sumitomo Chemical Co | Radiation sensitive resin composition |
| KR20150051478A (ko) | 2013-11-04 | 2015-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| KR101418026B1 (ko) * | 2014-02-06 | 2014-08-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 열경화성 잉크 조성물 |
| CN107850843B (zh) * | 2015-08-21 | 2022-02-01 | 默克专利有限公司 | 基底上的图案化堤岸结构和形成方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0721626B2 (ja) * | 1985-08-10 | 1995-03-08 | 日本合成ゴム株式会社 | 半導体微細加工用レジスト組成物 |
| JPH04221956A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Konica Corp | 感光性平版印刷版 |
| JP3295453B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2002-06-24 | ジェイエスアール株式会社 | ロールコート用感放射線性樹脂溶液組成物 |
| JP3112229B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2000-11-27 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| US5364737A (en) * | 1994-01-25 | 1994-11-15 | Morton International, Inc. | Waterbone photoresists having associate thickeners |
| JPH095988A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Mitsubishi Chem Corp | 感放射線性塗布組成物 |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP7573999A patent/JP2000267270A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-01 CN CNB008048576A patent/CN1170205C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-01 KR KR1020017011957A patent/KR100754232B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-01 WO PCT/JP2000/001208 patent/WO2000057248A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-03-01 EP EP00906609A patent/EP1170632A1/en not_active Withdrawn
- 2000-03-16 TW TW089104827A patent/TW500977B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-03-17 MY MYPI20001073A patent/MY133351A/en unknown
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006139264A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-06-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP4655864B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-03-23 | 住友化学株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| WO2006107056A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Zeon Corporation | パターン形成方法 |
| JPWO2006107056A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2008-09-25 | 日本ゼオン株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2018165797A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型平版印刷版原版、及び、平版印刷版の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020007337A (ko) | 2002-01-26 |
| CN1170205C (zh) | 2004-10-06 |
| MY133351A (en) | 2007-11-30 |
| CN1343325A (zh) | 2002-04-03 |
| EP1170632A1 (en) | 2002-01-09 |
| KR100754232B1 (ko) | 2007-09-03 |
| TW500977B (en) | 2002-09-01 |
| WO2000057248A1 (fr) | 2000-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4978800B2 (ja) | 金属配線付き基板の製造方法 | |
| KR101260076B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
| US6475693B1 (en) | Positively photosensitive resin composition | |
| KR20070024634A (ko) | 유기막 조성물 및 레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR20070057004A (ko) | 레지스트 조성물 | |
| JP2008158281A (ja) | パターン形成方法およびそれに用いる感光性樹脂組成物 | |
| JP2000267270A (ja) | ロールコート用感光性樹脂組成物およびロールコート方法 | |
| US6391513B1 (en) | Positively photosensitive resin composition | |
| KR100224151B1 (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
| US6384103B1 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
| KR100219257B1 (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
| KR100945386B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 도포성 향상제 및 이를 함유하는감광성 수지 조성물 | |
| JP2005284114A (ja) | スピンレススリットコート用感放射線性樹脂組成物及びその利用 | |
| JP4496933B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 | |
| JP2005284115A (ja) | スリットスピンコート用感放射線性樹脂組成物及びその利用 | |
| KR20010099639A (ko) | 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지 조성물의 드라이 에칭내성을 향상시키는 방법 | |
| JP2002023358A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2619050B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP2008241797A (ja) | 新規なポジ型感光性樹脂組成物を用いるレジストパターン形成方法 | |
| JP2004045618A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 | |
| JPH06130661A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2008241798A (ja) | 新規なポジ型感光性樹脂組成物を用いるレジストパターン形成方法 | |
| JP2006145734A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2008241799A (ja) | 新規なポジ型感光性樹脂組成物を用いるレジストパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050228 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050228 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080527 |