KR101260076B1 - 포지티브형 포토레지스트 조성물 - Google Patents
포지티브형 포토레지스트 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101260076B1 KR101260076B1 KR1020060126185A KR20060126185A KR101260076B1 KR 101260076 B1 KR101260076 B1 KR 101260076B1 KR 1020060126185 A KR1020060126185 A KR 1020060126185A KR 20060126185 A KR20060126185 A KR 20060126185A KR 101260076 B1 KR101260076 B1 KR 101260076B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fluorine
- group
- photoresist composition
- positive
- formula
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 44
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 15
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 5
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 26
- -1 pn-butylbenzaldehyde Chemical compound 0.000 description 29
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 150000001896 cresols Chemical class 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(O)=C1 OGRAOKJKVGDSFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 3,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1C YCOXTKKNXUZSKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 3,5-xylenol Chemical compound CC1=CC(C)=CC(O)=C1 TUAMRELNJMMDMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylaniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 QPQKUYVSJWQSDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRRSNXCXLSVPFC-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-Trihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1O BRRSNXCXLSVPFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 2,5-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(C)C(O)=C1 NKTOLZVEWDHZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 2,6-Dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1O NXXYKOUNUYWIHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 236TMPh Natural products CC1=CC=C(C)C(O)=C1C QQOMQLYQAXGHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C)=C1C FDQQNNZKEJIHMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC(C=O)=C1 IAVREABSGIHHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQJBDVFEXQYNPV-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC(=C1O)O Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=CC(=C1O)O SQJBDVFEXQYNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- TUXJTJITXCHUEL-UHFFFAOYSA-N disperse red 11 Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(N)C(OC)=CC(N)=C3C(=O)C2=C1 TUXJTJITXCHUEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTFQKIATRPGRBS-UHFFFAOYSA-N o-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=O BTFQKIATRPGRBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N phenylacetaldehyde Chemical compound O=CCC1=CC=CC=C1 DTUQWGWMVIHBKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTMCUIACOKRXQA-UHFFFAOYSA-N (2-aminoacetyl) 2-aminoacetate Chemical class NCC(=O)OC(=O)CN YTMCUIACOKRXQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJOQHNBVJDFWAU-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl)-(2,3,4-trihydroxyphenyl)methanone naphthalene-1,2-dione Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=O)C2=CC=C(C=C2)O)C=CC(=C1O)O VJOQHNBVJDFWAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLCUIOWQYBYEBG-UHFFFAOYSA-N 1-Amino-2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(N)C(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 ZLCUIOWQYBYEBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical class C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSPPHHAIMCTKNN-UHFFFAOYSA-N 1-amino-4-hydroxy-2-methoxyanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(N)C(OC)=CC(O)=C3C(=O)C2=C1 WSPPHHAIMCTKNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQXYVFBSOOBBQV-UHFFFAOYSA-N 1-amino-4-hydroxyanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C(O)=CC=C2N AQXYVFBSOOBBQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKDZROJJLPDLDO-UHFFFAOYSA-N 10h-pyrido[3,2-b][1,4]benzothiazine Chemical class C1=CN=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 UKDZROJJLPDLDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1 KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003923 2,5-pyrrolediones Chemical class 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIGKGDPQRWZLU-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[(2,6-dichloro-4-nitrophenyl)diazenyl]-n-methylanilino]ethanol Chemical compound C1=CC(N(CCO)C)=CC=C1N=NC1=C(Cl)C=C([N+]([O-])=O)C=C1Cl MPIGKGDPQRWZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=O FPYUJUBAXZAQNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 2-dodecanoyloxyethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCC ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEPGPKGGSYXGKV-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxybutanoic acid Chemical compound CCOC(CC)C(O)=O JEPGPKGGSYXGKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGKYEIFFSOPYEW-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-[(4-phenyldiazenylphenyl)diazenyl]phenol Chemical compound Cc1cc(ccc1O)N=Nc1ccc(cc1)N=Nc1ccccc1 VGKYEIFFSOPYEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFKYDMBUMLWDA-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC1=CC=CC=C1 WHFKYDMBUMLWDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran-2-one Chemical compound O=C1C=CC=CO1 ZPSJGADGUYYRKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=CC(C=O)=C1 SRWILAKSARHZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZETIVVHRRQLWFW-UHFFFAOYSA-N 3-nitrobenzaldehyde Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC(C=O)=C1 ZETIVVHRRQLWFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCPQALWAROJVLE-UHFFFAOYSA-N 4-(2,4-dinitroanilino)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O BCPQALWAROJVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNBOSJFEZZJZLR-UHFFFAOYSA-N 4-(4-nitrophenylazo)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N=NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 UNBOSJFEZZJZLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCYPECIVGRXBMO-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)azobenzene Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 JCYPECIVGRXBMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSEYDVLGSMLKDL-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-ethoxyphenyl)diazenyl]naphthalen-1-ol Chemical compound C1=CC(OCC)=CC=C1N=NC1=CC=C(O)C2=CC=CC=C12 JSEYDVLGSMLKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRWMZRAFXGWHLA-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-phenyldiazenylphenyl)diazenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2C(N)=CC=C1N=NC(C=C1)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 NRWMZRAFXGWHLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNDXPKDBFOOQFC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-nitro-4-(trifluoromethyl)phenyl]morpholine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(C(F)(F)F)=CC=C1N1CCOCC1 UNDXPKDBFOOQFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBFRYSKTTHYWQZ-UHFFFAOYSA-N 4-anilino-3-nitro-n-phenylbenzenesulfonamide Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(S(=O)(=O)NC=2C=CC=CC=2)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 BBFRYSKTTHYWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobenzaldehyde Chemical compound ClC1=CC=C(C=O)C=C1 AVPYQKSLYISFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCFGSTMILLZSFI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-3-phenyldiazenyl-1H-quinolin-2-one Chemical compound OC1=NC2=CC=CC=C2C(O)=C1N=NC1=CC=CC=C1 XCFGSTMILLZSFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-M 4-hydroxybenzoate Chemical compound OC1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BPTKLSBRRJFNHJ-UHFFFAOYSA-N 4-phenyldiazenylbenzene-1,3-diol Chemical compound OC1=CC(O)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 BPTKLSBRRJFNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJVWPAVKJMKJRY-UHFFFAOYSA-N 5,5-diamino-2-(2-phenylethenyl)cyclohexa-1,3-diene-1-sulfonic acid Chemical class C1=CC(N)(N)CC(S(O)(=O)=O)=C1C=CC1=CC=CC=C1 SJVWPAVKJMKJRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCKGFJPFEHHHQA-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-4-phenyldiazenyl-4h-pyrazol-3-one Chemical compound CC1=NN(C=2C=CC=CC=2)C(=O)C1N=NC1=CC=CC=C1 XCKGFJPFEHHHQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 5-nonyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-ol Chemical compound C(CCCCCCCC)C1=C2C(=C(C=C1)O)O2 RNMDNPCBIKJCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRMHFOWRXMDZNW-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.C1(O)=CC(O)=CC=C1 Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.C1(O)=CC(O)=CC=C1 FRMHFOWRXMDZNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCXJLQZALRHWMD-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=O)C2=CC(=C(C(=C2)O)O)O)C(=CC(=C1)O)O Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=O)C2=CC(=C(C(=C2)O)O)O)C(=CC(=C1)O)O QCXJLQZALRHWMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCKJBPIUTHVJHO-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C=CC(=C1O)O)CCCCCCC(=O)CCCCCCC1=C(C(=C(C=C1)O)O)O Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C=CC(=C1O)O)CCCCCCC(=O)CCCCCCC1=C(C(=C(C=C1)O)O)O XCKJBPIUTHVJHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RALTXWQECLELFD-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC=C1)=O)=O.C1=CC(=CC=C1O)C Chemical compound C1(C(C=CC=C1)=O)=O.C1=CC(=CC=C1O)C RALTXWQECLELFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- FOQABOMYTOFLPZ-ISLYRVAYSA-N Disperse Red 1 Chemical compound C1=CC(N(CCO)CC)=CC=C1\N=N\C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 FOQABOMYTOFLPZ-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol distearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWKGVZASJYXZKN-UHFFFAOYSA-N Methyl violet 2B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(N)=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 WWKGVZASJYXZKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPGIHFRTRXVWOY-UHFFFAOYSA-N Oil red O Chemical compound Cc1ccc(C)c(c1)N=Nc1cc(C)c(cc1C)N=Nc1c(O)ccc2ccccc12 NPGIHFRTRXVWOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 1
- CVQUWLDCFXOXEN-UHFFFAOYSA-N Pyran-4-one Chemical compound O=C1C=COC=C1 CVQUWLDCFXOXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJJISKLXUJVZOA-UHFFFAOYSA-N Solvent yellow 56 Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 SJJISKLXUJVZOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHNINJWBTRXEBC-UHFFFAOYSA-N Sudan III Chemical compound OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1N=NC(C=C1)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 FHNINJWBTRXEBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLACRBOWFOSEPJ-UHFFFAOYSA-N [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC=1C=C(C(=O)OCCOC(C2=CC(=CC(=C2)O)O)=O)C=C(C1)O Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC=1C=C(C(=O)OCCOC(C2=CC(=CC(=C2)O)O)=O)C=C(C1)O QLACRBOWFOSEPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- UYEMGAFJOZZIFP-UHFFFAOYSA-N alpha-resorcylic acid Natural products OC(=O)C1=CC(O)=CC(O)=C1 UYEMGAFJOZZIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000007656 barbituric acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- FIILDLMPJVESRB-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde;4-nitrobenzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1.[O-][N+](=O)C1=CC=C(C=O)C=C1 FIILDLMPJVESRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- UTKDHCKJHYYPHZ-UHFFFAOYSA-N bis(2,4-dihydroxyphenyl)methanone naphthalene-1,2-dione Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=O)C2=C(C=C(C=C2)O)O)C=CC(=C1)O UTKDHCKJHYYPHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSYKIVIOFKYAU-UHFFFAOYSA-N camphor Chemical compound C1CC2(C)C(=O)CC1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- MRQIXHXHHPWVIL-UHFFFAOYSA-N chembl1397023 Chemical compound OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1N=NC1=CC=CC=C1 MRQIXHXHHPWVIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQFCCCIRTOLPEF-UHFFFAOYSA-N chembl1976978 Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=NC1=C(O)C=CC2=CC=CC=C12 BQFCCCIRTOLPEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHXXLZBKTKNTEF-UHFFFAOYSA-N chembl1997306 Chemical compound CC1=CC=CC(N=NC=2C(=CC(=CC=2)N=NC=2C3=CC=CC=C3C=CC=2O)C)=C1 NHXXLZBKTKNTEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISRJTGUYHVPAOR-UHFFFAOYSA-N dihydrodicyclopentadienyl acrylate Chemical compound C1CC2C3C(OC(=O)C=C)C=CC3C1C2 ISRJTGUYHVPAOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000000986 disperse dye Substances 0.000 description 1
- SVTDYSXXLJYUTM-UHFFFAOYSA-N disperse red 9 Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2NC SVTDYSXXLJYUTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)O GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CCOC(=O)CO ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEBTVDCNDKSOCC-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate;methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC.CCOC(=O)CCOC OEBTVDCNDKSOCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940100608 glycol distearate Drugs 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005204 hydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- OVWYEQOVUDKZNU-UHFFFAOYSA-N m-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=CC(C=O)=C1 OVWYEQOVUDKZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 1
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)C(O)C(C)C YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N monomethyl-formamide Natural products CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylformamide Chemical compound O=CN(C)C1=CC=CC=C1 JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATHHXGZTWNVVOU-VQEHIDDOSA-N n-methylformamide Chemical group CN[13CH]=O ATHHXGZTWNVVOU-VQEHIDDOSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OXIFAFLXZRDPPO-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dione 4-[2-(2,3,4-trihydroxyphenyl)propan-2-yl]benzene-1,2,3-triol Chemical compound C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C=CC(=C1O)O)C(C)(C)C1=C(C(=C(C=C1)O)O)O OXIFAFLXZRDPPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N neutral red Chemical compound Cl.C1=C(C)C(N)=CC2=NC3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N p-tolualdehyde Chemical compound CC1=CC=C(C=O)C=C1 FXLOVSHXALFLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229940100595 phenylacetaldehyde Drugs 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- RCTGMCJBQGBLKT-PAMTUDGESA-N scarlet red Chemical compound CC1=CC=CC=C1\N=N\C(C=C1C)=CC=C1\N=N\C1=C(O)C=CC2=CC=CC=C12 RCTGMCJBQGBLKT-PAMTUDGESA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940033816 solvent red 27 Drugs 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000001629 stilbenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N sulfadiazine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=NC=CC=N1 SEEPANYCNGTZFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N victoria blue B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)=C(C=C1)C2=CC=CC=C2C1=[NH+]C1=CC=CC=C1 LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Polyethers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
본 발명에 따르면, 큰 면적이라도 양호한 도포 균일성이 얻어지고, 레지스트 패턴 형상이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명에 따르면, 알칼리 가용성 수지, 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 유기 용제를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물에, 계면활성제로서 하기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물을 배합하여 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
식 중, Rf는 탄소수 5 내지 30의 분자쇄 중에 에테르 결합을 1개 이상 포함하는 퍼플루오로알킬기, Q는 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜의 단독 중합쇄 또는 이들 양쪽의 공중합쇄를 포함하는 폴리에테르기, R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, X는 산소 원자를 제외한 2가 연결기, Y는 2가 연결기이고, p는 3 이상의 정수이며, n은 0<n<3의 양수이다.
알칼기 가용성 수지, 1,2-퀴논디아지드, 불소 함유 유기 규소 화합물, 포지티브형 포토레지스트
Description
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평)3-22619호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2000-181055호 공보
본 발명은 큰 면적이라도 양호한 도포 균일성을 얻을 수 있고, 포지티브형 포토레지스트 조성물 본래의 목적인 레지스트 패턴 형상이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
일본 특허 공개 (평)3-22619호 공보(특허 문헌 1)에 개시되어 있는 포지티브형 포토레지스트는, 알칼리 가용성 수지에 알칼리 불용성의 1,2-퀴논디아지드 화합물을 배합하기 때문에 알칼리 수용액을 포함하는 현상액에 용해되기 어렵고, 거의 팽윤도 하지 않기 때문에, 즉 자외선 조사 부분의 1,2-퀴논디아지드 화합물이 인덴카르복실산으로 변화하고, 알칼리 수용액을 포함하는 현상액으로 현상되어도 레지스트 패턴이 되는 미조사 부분의 변화가 극단적으로 적기 때문에, 마스크 패턴에 충실하고, 높은 해상도를 갖는 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 따라서, 집적 회로의 고집적화가 요구되는 최근에는, 해상도가 우수한 포지티브형 포토레지스트가 많 이 이용되고 있다.
또한, 종래, 소형 유리 기판을 이용한 액정 표시 소자 제조 분야에 있어서는, 레지스트 도포 방법으로서 중앙 적하 후 스핀하는 방법이 이용되고 있었다. 이 방법으로 양호한 도포 균일성을 얻을 수 있는데, 예를 들면 1 m2 급의 대형 기판의 경우에는 회전시(스핀시) 휘둘려져 폐기되는 레지스트량이 꽤 많아진다. 또한, 고속 회전에 의해 기판이 갈라지거나, 택트 타임(tact time)을 확보하기 위한 문제가 발생하였다. 또한, 중앙 적하 후 스핀하는 방법에서의 도포 성능은, 스핀시의 회전 속도와 레지스트의 도포량에 의존하기 때문에, 더욱 대형화되는 제5 세대 기판(1,000 mm×1,200 mm 내지 1,280 mm×1,400 mm 정도)에 적용하고자 하면 필요한 가속도가 얻어지는 범용 모터가 없고, 그러한 모터를 특별 주문하면 부품 비용이 증대된다는 문제가 있었다. 또한, 기판 크기나 장치 크기가 대형화해도, 예를 들어 도포 균일성±3 ％, 택트 타임 60 내지 70 초/매 등, 도포 공정에서의 요구 성능은 거의 변하지 않기 때문에, 중앙 적하 후 스핀하는 방법으로는 도포 균일성 이외의 요구에 대응하는 것이 곤란해지고 있다.
이러한 현실로부터, 특히 제5 세대 기판 이후의 대형 기판에 적용 가능한 새로운 레지스트 도포 방법으로서, 토출 노즐식에 의한 레지스트 도포법이 제안되고 있다.
한편, 종래, 포지티브형 포토레지스트에는 건조 도막 형성 후의 방사선 조사부의 현상성이나 도포성, 스트리에이션을 개량하는 것을 목적으로 계면활성제를 첨 가하고 있다. 이 계면활성제로서는 불소계 계면활성제나, 불소-규소계 계면활성제 등이 레벨링성, 도포성 등이 우수하다는 이유로 광범위하게 사용되고 있다.
특히, 일본 특허 공개 제2000-181055호 공보(특허 문헌 2)에서는, 특정한 불소ㆍ규소 함유량을 갖는 비이온성 불소ㆍ규소계 계면활성제를 포토레지스트 조성물에 첨가함으로써, 포지티브형 포토레지스트 조성물 본래의 목적인 레지스트 패턴 형상이 우수한 것은 물론, 스트리에이션 및 건조 불균일이 발생하지 않고, 또한 적하 흔적이 남지 않는 액정 소자 제조용 포지티브형 포토레지스트 도포액을 제공한다고 개시하고 있다. 그러나, 이 포토레지스트 조성물을 상기 토출 노즐식에 의한 도포법으로 도포하면, 도포막에 줄무늬상의 흔적이 형성되는 경우가 있기 때문에, 그 성능이 충분하다고는 할 수 없었다.
이와 같이 기판의 대형화와 고정밀화가 요구되고 있는 가운데, 큰 면적이라도 양호한 도포 균일성을 얻을 수 있고, 포지티브형 포토레지스트 조성물 본래의 목적인 레지스트 패턴 형상이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물의 출현이 요구되고 있었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 큰 면적이라도 양호한 도포 균일성을 얻을 수 있고, 레지스트 패턴 형상이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 알칼리 가용성 수지, 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 유기 용제를 함유하여 이루어지는 포지티브형 포토레지스트 조성물에, 하기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물을 계면활성제로서 배합한 포지티브형 포토레지스트 조성물이 현저하게 양호한 도포 균일성을 갖고, 건조 불균일을 일으키지 않으며, 레지스트 패턴 형상이 매우 우수하다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
<화학식 1>
식 중, Rf는 탄소수 5 내지 30의 분자쇄 중에 에테르 결합을 1개 이상 포함하는 퍼플루오로알킬기, Q는 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜의 단독 중합쇄 또는 이들 양쪽의 공중합쇄를 포함하는 폴리에테르기, R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, X는 산소 원자를 제외한 2가 연결기, Y는 2가 연결기이고, p는 3 이상의 정수이며, n은 0<n<3의 양수이다.
따라서, 본 발명은 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 유기 용제를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물에, 계면활성제로서 상기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물을 배합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은, (A) 알칼리 가용성 수지, (B) 1,2-퀴논디아지드 화합물, (C) 유기 용제, 및 (D) 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물을 배합하여 이루어지는 것이다.
(A) 알칼리 가용성 수지
본 발명에 사용되는 알칼리 가용성 수지로서는 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 페놀 수지, 폴리히드록시스티렌 수지, 아크릴 수지 등의 페놀기나 카르복실기를 갖는 수지로부터 선택되는 것을 들 수 있는데, 특히 크레졸류와 알데히드류의 중축합에 의해 얻어지는 크레졸 노볼락 수지가 바람직하다.
이 크레졸 노볼락 수지의 원료로서 사용되는 크레졸류로서는, 예를 들면 o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀 등을 원료로서 들 수 있으며, 이들 크레졸류는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 상기 크레졸류 중, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀 및 2,3,5-트리메틸페놀이 바람직하다.
또한, 상기 페놀 수지를 얻기 위해 사용하는 크레졸류 등의 페놀류와 중축합시키는 알데히드류로서는, 예를 들면 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 벤즈알데히드, 페닐아세트알데히드, α-페닐프로필알데히드, β-페닐프로필알데히드, o-히드록시벤즈알데히드, m-히드록시벤즈알데히드, p-히드록시벤즈알데히드, o-클로로벤즈알데히드, m-클로로벤즈알데히드, p-클로로벤즈알데히드, o-니트 로벤즈알데히드, m-니트로벤즈알데히드, p-니트로벤즈알데히드, o-메틸벤즈알데히드, m-메틸벤즈알데히드, p-메틸벤즈알데히드, p-에틸벤즈알데히드, p-n-부틸벤즈알데히드, 푸르푸랄 등을 들 수 있으며, 이들 알데히드류는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 알데히드류 중, 특히 포름알데히드가 바람직하다.
상기 알데히드류의 사용량은, 페놀류 1 몰에 대하여 0.7 내지 3 몰이 바람직하고, 0.8 내지 1.8 몰이 더욱 바람직하다.
상기 페놀류와 알데히드류의 중축합에는 산성 촉매가 사용된다. 이 산성 촉매로서는, 예를 들면 염산, 질산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산 등을 들 수 있다. 이들 산성 촉매의 사용량은, 페놀류 1 몰에 대하여 통상 1×10-5 내지 5×10-1 몰이다.
상기 중축합은, 종래 공지된 방법에 의해 행할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 알칼리 가용성 수지의 겔 투과 크로마토그래피로 측정된 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(이하, 「Mw」라고 함)은, 통상적으로 2,000 내지 50,000이고, 특히 3,000 내지 40,000의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 이 수지의 Mw가 50,000을 초과하면, 포지티브형 레지스트를 기판 상에 균일하게 도포하는 것이 곤란해지는 경우가 있고, 또한 현상성 및 감도, 해상도가 저하하는 경향이 있다. 한편, Mw가 2,000 미만에서는 내열성이 저하하는 경향을 나타낸다.
(B) 1,2-퀴논디아지드 화합물
본 발명에 사용되는 1,2-퀴논디아지드 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 예 를 들면 1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등을 들 수 있다.
구체적으로는 p-크레졸-1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 레조르시놀-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 피로갈롤-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등의 (폴리)히드록시벤젠의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 2,4-디히드록시페닐-프로필케톤-1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,4-디히드록시페닐-n-헥실케톤-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,4-디히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,3,4-트리히드록시페닐-n-헥실케톤-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,4,6-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,4,6-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,2',3,4,6'-펜타히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,2',3,4,6'-펜타히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,3,3',4,4',5'-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,3,3',4,4',5'-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지 드-5-술폰산 에스테르, 2,3',4,4',5',6-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,3',4,4',5',6-헥사히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등의 (폴리)히드록시페닐알킬케톤 또는 (폴리)히드록시페닐아릴케톤의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 비스(p-히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,2-비스(p-히드록시페닐)프로판-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,2-비스(2,4-디히드록시페닐)프로판-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등의 비스[(폴리)히드록시페닐]알칸의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 3,5-디히드록시벤조산 라우릴-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 2,3,4-트리히드록시벤조산 페닐-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 3,4,5-트리히드록시벤조산 프로필나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 3,4,5-트리히드록시벤조산 페닐-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등의 (폴리)히드록시벤조산 알킬에스테르 또는 (폴리)히드록시벤조산 아릴에스테르의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 비스(2,5-디히드록시벤조일)메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, 비스(2,3,4-트리히드록시벤조일)메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 비스(2,4,6-트리히드록시벤조일)메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, p-비스(2,5-디히드록시벤조일)벤젠-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산 에스테르, p-비스(2,3,4-트리히드록시벤조일)벤젠-1,2- 나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, p-비스(2,4,6-트리히드록시벤조일)벤젠-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등의 비스[(폴리)히드록시벤조일]알칸 또는 비스[(폴리)히드록시벤조일]벤젠의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 에틸렌글리콜-디(3,5-디히드록시벤조에이트)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르, 폴리에틸렌글리콜(3,4,5-트리히드록시벤조에이트)-1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 등의 (폴리)에틸렌글리콜-디[(폴리)히드록시벤조에이트]의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 수산기를 갖는 α-피론계 천연 색소의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 수산기를 갖는 γ-피론계 천연 색소의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류, 수산기를 갖는 디아진계 천연 색소의 1,2-퀴논디아지드술폰산 에스테르류 등을 들 수 있다.
(B) 성분의 배합량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여 15 내지 40 질량부, 특히 20 내지 30 질량부인 것이 바람직하다. (B) 성분의 배합량이 지나치게 적으면 전사성의 저하가 커져 원하는 형상의 레지스트 패턴이 형성되지 않는 경우가 있고, 지나치게 많으면 감도나 해상성이 열화하고, 또한 현상 처리 후에 잔사물이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다.
(C) 유기 용제
본 발명에 사용되는 유기 용제로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르아세테이트 등의 글리콜에테르류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류, 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 히드록시아세트산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산 메틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸 등의 에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 용제는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용된다.
또한, 상기 용제는 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르아세테이트 등의 고비점 용제와 병용할 수도 있다.
유기 용제의 사용량은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 유기 용제 (C) 이외의 성분 (A), (B), (D)의 합계량이, 조성물의 전체 질량에 대하여 35 질량％ 이하, 바람직하게는 10 내지 30 질량％, 더욱 바람직하게는 10 내지 25 질량％가 되 도록 제조할 수 있다.
(D) 불소 함유 유기 규소 화합물
본 발명에 사용되는 불소 함유 유기 규소 화합물은 계면활성제로서의 기능을 갖는 것이며, 하기 화학식 1로 표시된다.
<화학식 1>
식 중, Rf는 탄소수 5 내지 30의 분자쇄 중에 에테르 결합을 1개 이상 포함하는 퍼플루오로알킬기, Q는 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜의 단독 중합쇄 또는 이들 양쪽의 공중합쇄를 포함하는 폴리에테르기, R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, X는 산소 원자를 제외한 2가 연결기, Y는 2가 연결기이고, p는 3 이상의 정수이며, n은 0<n<3의 양수이다.
여기서, Rf는 탄소수 5 내지 30의 분자쇄 중에 에테르 결합을 1개 이상 포함하는 퍼플루오로알킬기이고, 바람직하게는 탄소수 8 내지 20의 것이다. 탄소수가 상기 값보다 많으면, 계면활성제로서 사용할 때, 전체의 분자량이 커져 버리기 때문에 용매에 대한 용해성이 저하하게 된다. 또한, 탄소수가 상기 값보다 적으면, 불소 함유기의 특징이 충분히 발현되지 않아 높은 계면활성을 얻을 수 없다.
Rf의 구체예로서는, 하기에 나타내는 기 등을 들 수 있다.
-CF2CF2CF2OCF2CF3,
-CF2CF2CF2OCF2CF2CF2OCF3,
특히 하기 화학식 2로 표시되는 Rf기가 바람직하다.
식 중, s는 1 내지 9, 특히 2 내지 5의 정수이다.
본 발명의 유기 규소 화합물은, 상기 Rf기가 에테르 결합을 1개 이상 포함하는 퍼플루오로알킬기이고, 동일한 불소 변성률인 경우, 퍼플루오로알킬기 변성의 것보다 표면 장력 저하능이 높기 때문에, 소량의 첨가로 끝난다는 이점이 있다.
화학식 1 중의 Q는 폴리에테르기이고, 이 폴리에테르기는 에틸렌글리콜의 단독 중합쇄, 프로필렌글리콜의 단독 중합쇄, 에틸렌글리콜과 프로필렌글리콜의 공중합(블럭 중합, 랜덤 중합)쇄 중 어느 하나를 포함하는 것일 수도 있으며, 이 불소 함유 유기 규소 화합물의 용도에 따라 적절하게 선택된다.
상기 폴리에테르기의 중합도는, 통상적으로 소수성의 불소 함유 유기기 Rf와의 균형을 고려하여 결정하면 되며, 에틸렌글리콜을 단독 중합쇄로서 사용할 때에는 중합도는 바람직하게는 3 내지 20, 보다 바람직하게는 3 내지 12이다. 또한, 에틸렌글리콜보다 친수성이 낮은 프로필렌글리콜을 단독 중합쇄로서 사용할 때에는 상대적으로 고중합도의 중합쇄인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 중합도가 100 내지 200인 것이다. 또한, 프로필렌글리콜과 에틸렌글리콜과의 공중합쇄의 경우에는, 프로필렌글리콜의 폴리에테르기 전체에서 차지하는 함유량이 통상 0.1 내지 50 몰％의 범위, 바람직하게는 2 내지 10 몰％의 범위인 것이다.
Q의 구체예로서는, 하기의 기 등을 들 수 있다.
R은 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, iso-프로필기, n-부틸기, iso-부틸기 등을 들 수 있는데, R로서는 수소 원자, 메틸기 또는 n-부틸기가 바람직하다.
X는 산소 원자를 제외한 2가 연결기이며, 구체적으로는 탄소수 2 내지 10의 알킬렌기나 불소화 알킬렌기 등을 들 수 있으며, 특히 에틸렌기나 -CH2CH2C6F12CH2CH2- 등이 제조하는 데 있어서 용이하다는 점에서 바람직하다.
Y는 2가 연결기이고, 탄소수 2 내지 10의 것이 바람직하며, 에테르 결합(-O-)이 개재될 수도 있고, 카르보닐기나 이미노기, 이들이 결합한 -CONH-기를 개재할 수도 있는 알킬렌기 등을 들 수 있으며, 구체예로서 하기의 기를 들 수 있다.
p는 3 이상의 정수이고, -(CH2)p-는 구체적으로 탄소수 3 이상, 바람직하게는 3 내지 6의 알킬렌기, 특히 프로필렌기인 것이 제조하는 데 있어서 용이하기 때문에 바람직하다.
n은 0<n<3의 양수이고, n의 값을 변경함으로써 본원 발명의 유기 규소 화합물의 특성을 조절할 수 있다.
본 발명의 불소 함유 유기 규소 화합물은, 상기한 바와 같이 n의 값을 변경함으로써 계면활성제로서 사용할 때 그 특성을 조절할 수 있는데, 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물을 해당 포지티브형 포토레지스트 조성물에 첨가하기 위해서는 불소 함유율이 7 내지 35 질량％, 특히 9 내지 30 질량％, 또한 폴리에테르기 함유율이 15 내지 55 질량％, 특히 30 내지 45 질량％인 것이 바람직하며, 또한 상기 불소 함유 유기 규소 화합물의 HLB(친수기/소수기 균형)가 4.0 내지 10.0, 특히 5.5 내지 9.5인 것이 바람직하다.
불소 함유율 및 폴리에테르기 함유율이 상기 범위이고, 더욱 바람직하게는 HLB가 상기 범위임에 따라 표면 장력 저하능이 보다 높아지고, 용매로의 용해성 균형이 보다 양호해지기 때문에 계면활성제로서 매우 유효하다. 그 결과, 포토레지스트 조성물로 했을 때, 현저하게 양호한 도포 균일성을 갖고, 건조 불균일을 일으키지 않으며, 매우 우수한 레지스트 패턴 형상을 형성한다는 성능을 발현한다. 또한, 상기 범위이면 계면활성제의 첨가량을 적게 해도 그 성능이 발현되기 때문에 다른 레지스트 성능으로의 영향이 적다.
불소 함유율이 상기 값보다 작거나, HLB의 값이 상기 값보다 작으면, 불소 특유의 발수ㆍ발유성이 충분히 발현되지 않기 때문에 계면활성제로서의 기능이 저하하는 경우가 있고, 불소 함유율, HLB의 값이 상기 값보다 크면, 용매로의 용해성이 불량해지기 때문에 계면활성제로서의 역할을 할 수 없는 경우가 있다.
또한, 폴리에테르기 함유율이 지나치게 작으면 용매에 대한 용해성이 저하하는 경우가 있고, 지나치게 크면 상대적으로 불소 함유율이 저하하기 때문에, 상기와 동일한 이유에 의해 계면활성제로서의 기능이 저하해 버리는 경우가 있다.
또한, HLB치의 산출에는, 하기 수학식을 이용하였다.
HLB=[{(에틸렌옥시드쇄의 분자량)/(계면활성제의 분자량)}×100]÷ 5
이와 같이 포토레지스트 조성물에 첨가하는 계면활성제의 불소 함유율 및 폴리에테르기 함유율의 범위를 규정하고, 바람직한 HLB의 범위가 있다는 것을 발견한 것은 본 발명이 최초이며, 선행 기술인 일본 특허 공개 제2000-181055호 공보에도 이 점에 대해서는 언급되어 있지 않다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물은, 예를 들면 하기 화학식 3으로 표시되는 유기 규소 화합물에, 말단에 반응성 불포화 탄화수소 결합을 갖는 불소 함유 유기 화합물과, 하기 화학식 4로 표시되는 폴리에테르 화합물을 백금계 촉매의 존재하에 히드로실릴화 반응시킴으로써 용이하게 제조할 수 있다.
식 중, X는 상기와 동일하다.
식 중, p, Q 및 R은 상기와 동일하다.
여기서, 말단에 반응성 불포화 탄화수소 결합을 갖는 불소 함유 유기 화합물로서는, 상기 화학식 1 중의 -Y-Rf에 대응하는 화합물로서 Y'-Rf(여기서, Y'는 말단이 CH2=CH기이고, 여기에 수소 원자가 부가된 경우, 상기 Y가 되는 기임)로 표시되는 화합물이 사용된다.
상기 히드로실릴화 반응에 있어서, 화학식 3의 유기 규소 화합물과, 말단에 반응성 불포화 탄화수소 결합을 갖는 불소 함유 유기 화합물과, 화학식 4의 폴리에테르 화합물과의 혼합 비율은 적절하게 조정할 수 있으며, 불소 함유 유기 규소 화합물을 계면활성제로서 사용하는 경우에는, 부가 반응물이 생성되었을 때 불소 함유율, 폴리에테르기 함유율, 나아가 HLB의 값이 상기 범위가 되는 비율로 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 백금계 촉매로서는 백금, 백금 화합물 등의 히드로실릴화 반응에 통상적으로 사용되는 것을 촉매량으로 사용할 수 있고, 히드로실릴화도 통상적인 반응 조건으로 행할 수 있으며, 실온 내지 140 ℃에서 0.5 내지 6 시간 반응시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 불소 함유 유기 규소 화합물은, 1개의 규소 원자에 복수의 불소 변성기나 친수기가 결합되어 있기 때문에, 불소 변성기와 친수기가 1:1로 결합한 구조를 갖는 일반적인 불소 함유계 계면활성제에 비하여, 소량의 사용으로도 표면 장력을 현저하게 낮출 수 있어 불소 함유 계면활성제로서 유용하다. 본 발명의 불소 함유 유기 규소 화합물을 불소 함유 계면활성제로서 사용할 때에는 화학식 1로 표시되고, 불소 함유율, 폴리에테르기 함유율, 더욱 바람직하게는 HLB의 값이 상기 범위인 불소 함유 유기 규소 화합물의 1종을 단독으로 사용할 수도 있고, 적절하게 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 불소 함유 유기 규소 화합물의 배합량은, 포지티브형 포토레지스트 조성물 중, 유기 용제와 불소 함유 유기 규소 화합물을 제외한 고형분 100 질량부에 대하여 0.001 내지 2 질량부, 바람직하게는 0.01 내지 1 질량부의 범위이다. 배합량이 지나치게 적으면 계면활성제로서의 기능을 충분히 발현할 수 없는 경우가 있고, 지나치게 많으면 형상 안정성이나 조성물의 보존 안정성 등 도포성 이외의 레지스트 특성에 악영향을 미치는 경우가 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 다른 탄화수소계 계면활성제나 불소계 계면활성제, 규소계 계면활성제, 불소-규소계 계면활성제 등을 병용할 수도 있다. 예를 들면, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬페놀에테르류, 폴리에틸렌글리콜디라우레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트 등의 폴리에틸렌글리콜디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제, 에프톱 EF351, EF352(젬코(주) 제조), 메가페이스 F-171, F-173(다이닛본 잉크(주) 제조), 일본 특허 공개 (소)57-178242호 공보에 예시되어 있는 불화 알킬기 또는 퍼플루오로알킬기를 갖는 직쇄상의 불소계 계면활성제, 노벡 FC-4430(스미또모 쓰리엠(주) 제조), 서프론 S-381, S-383, S-393(세이미 케미컬(주) 제조) 등의 불소계 계면활성제, 오르가노실록산 중합체 KP341(신에츠 가가꾸 고교(주) 제조), 아크릴산계 또는 메타크릴산계 (공)중합체 폴리플로우 번호75, 번호95(교에샤 유시 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.
이 경우, 이들 다른 계면활성제의 사용량으로서는, 본 발명에 나타낸 불소 함유 유기 규소 화합물의 특성을 저해하지 않을 정도로 첨가할 수 있다. 구체적인 사용량은 계면활성제의 종류에 따라 상이하지만, 불소 함유 유기 규소 화합물 (D)의 첨가량에 대하여 0.01배 내지 1.0배가 바람직하다.
(E) 그 밖의 성분
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물에는, 레지스트로서의 감도를 향상시키기 위해 증감제를 배합할 수 있다. 예를 들면, 2H-피리도[3,2-b]-1,4-옥사진-3[4H]온류, 10H-피리도[3,2-b][1,4]-벤조티아진류, 우라졸류, 히단토인류, 바르비투르산류, 글리신 무수물류, 1-히드록시벤조트리아졸류, 알록산류, 말레이미드류 등을 들 수 있다.
증감제의 배합량은, 상기 1,2-퀴논디아지드 화합물 100 질량부에 대하여 통상적으로 100 질량부 이하, 바람직하게는 4 내지 60 질량부이다.
또한, 포지티브형 포토레지스트 조성물에는, 방사선 조사부의 잠상을 가시화시키거나, 방사선 조사시의 할레이션의 영향을 적게 하기 위해 착색제를, 또한 접착성을 개량하기 위해 접착 보조제를 배합할 수도 있다.
착색제로서는, 예를 들면 메틸 바이올렛 2B(CI 번호 42555), 말라카이트 그린(CI 번호 2000), 빅토리아 블루 B(CI 번호 44045), 뉴트럴 레드(CI 번호 50040), 솔벤트 옐로우 2(CI 번호 11020), 솔벤트 옐로우 6(CI 번호 11390), 솔벤트 옐로우 14 (CI 번호 12055), 솔벤트 옐로우 15(CI 번호 18820), 솔벤트 옐로우 16(CI 번호 12700), 솔벤트 옐로우 21(CI 번호 18690), 솔벤트 옐로우 D-33(CI 번호 47000), 솔벤트 옐로우 56(CI 번호 11021), 솔벤트 오렌지 1(CI 번호 11920), 솔벤트 오렌지 2(CI 번호 12100), 솔벤트 오렌지 14(CI 번호 26020), 솔벤트 오렌지 40, 솔벤트 레드 3(CI 번호 12010), 솔벤트 레드 8(CI 번호 12715), 솔벤트 레드 23(CI 번호 26100), 솔벤트 레드 24 (CI 번호 26105), 솔벤트 레드 25(CI 번호 26110), 솔벤트 레드 27(CI 번호 26125), 솔벤트 레드(CI 번호 45170B), 디스퍼스 레드 9(CI 번호 60505), 오일 스칼렛 308(CI 번호 21260), 솔벤트 브라운(CI 번호 12020), 디스퍼스 옐로우 1(CI 번호 10345), 디스퍼스 옐로우 3(CI 번호 11855), 디스퍼스 옐로우 4(CI 번호 12770), 디스퍼스 옐로우 8(CI 번호 27090), 디스퍼스 옐로우 42(CI 번호 10338), 디스퍼스 오렌지 1(CI 번호 11080), 디스퍼스 오렌지 3(CI 번호 11005), 디스퍼스 오렌지 5(CI 번호 11100), 디스퍼스 오렌지 11(CI 번호 60700), 디스퍼스 레드 1(CI 번호 11110), 디스퍼스 레드 4(CI 번호 60755), 디스퍼스 레드 11(CI 번호 62015), 디스퍼스 레드 15(CI 번호 60710), 디스퍼스 레드 58(CI 번호 11135) 등의 유용(油溶) 염료, 분산 염료 또는 염소성 염료, 미케톤ㆍ퍼스트ㆍ옐로우 7G, 미케톤ㆍ퍼스트ㆍ오렌지 5R(미쯔이 도아쯔 넨료(주) 제조), 호론(샌드사 제조), 마크로렉스 옐로우 6G(바이엘사 제조) 등의 메틴계 염료, 스틸벤, 4,4-디아미노스틸벤술폰산 유도체, 쿠마린 유도체, 피라졸린 유도체 등의 형광 증백제, 일본 특허 공개 (소)59-142538호 공보에 기재된 히드록시아조계 염료 등을 들 수 있다.
이들 착색제의 배합량은, 포지티브형 포토레지스트 조성물 중의 알칼리 가용성 노볼락 수지 및 1,2-퀴논디아지드 화합물의 총량 100 질량부당 통상적으로 6 질량부 이하, 바람직하게는 4 질량부 이하이다.
접착 보조제로서는, 예를 들면 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비닐트리클로로실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실에틸)트리메톡시실란 등의 오르가노실란 화합물 등이 사용된다.
접착 보조제의 배합량은, 포지티브형 포토레지스트 조성물 중의 알칼리 가용성 노볼락 수지 및 1,2-퀴논디아지드 화합물의 총량 100 질량부당 통상적으로 4 질량부 이하, 바람직하게는 2 질량부 이하이다.
또한, 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물에는, 필요에 따라 보존 안정제, 소포제 등도 배합할 수 있다.
포지티브형
포토레지스트
조성물의 제조
본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물의 제조 방법으로서는, 알칼리 가용성 수지, 1,2-퀴논디아지드 화합물, 불소 함유 유기 규소 화합물, 및 필요에 따라 배합되는 상기 각종 첨가제를, 목적으로 하는 막 두께에 따라, 예를 들면 고형분 농도가 5 내지 50 질량％가 되도록 용제에 용해하고, 예를 들어 공경 0.2 ㎛ 정도의 필터로 여과함으로써 용액으로서 제조된다.
레지스트
패턴의 형성
용액으로서 제조된 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성할 때에는 회전 도포, 유연 도포, 롤 도포, 토출 노즐식 도포 등의 도포 방법에 의해, 예를 들면 실리콘 산화막, 알루미늄, 크롬, ITO막 등으로 피복된 실리콘 웨이퍼나 유리 등의 기판 상에 도포하여 레지스트막을 형성하고, 소정의 마스크 패턴을 통해 선택적 노광을 행한다. 노광시의 파장은 ghi선(g선, h선, i선) 중 어느 하나의 단일광, 또는 그의 혼합광을 바람직하게 사용할 수 있다. 노광 후에는 현상액으로 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성한다. 여기서, 현상액으로서는 테트라메틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 유기 알칼리, KOH, 탄산소다 등의 무기 알칼리 수용액 등이 바람직하게 사용된다.
<실시예>
이하, 합성예, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것이 아니다. 또한, 하기의 예에 있어서, ％는 질량％를 나타내고, 중량 평균 분자량은 GPC에 의해 측정한 값이다.
<실시예 1>
m-크레졸/p-크레졸=60/40(질량비)의 혼합 크레졸과 포름알데히드를 부가 축합하여 얻은 중량 평균 분자량 8,000의 크레졸 노볼락 수지 100 질량부와, 2,3,4-트리히드록시벤조페논 및 1,2-나프톡시디아지드-5-술포닐클로라이드의 1:3 축합 반응물 27 질량부를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA) 440 질량부에 균일하게 용해시킨 후, 하기 화학식 5로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물(불소 함유율 21.6 ％, 폴리에테르 함유율 26.6 ％, HLB 5.3)을 전체 고형분 100 질량부에 대하여 0.03 질량부 첨가하였다. 이 용액을 공경 0.2 ㎛의 멤브레인 필터를 이용하여 여과하고, 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
상기 조성물을 사용하여, 하기에 나타낸 방법에 의해 도포 불균일, 레지스트 패턴의 치수 안정성 및 형상 안정성의 평가를 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
ㆍ 도포 불균일의 평가
실시예 1의 포지티브형 포토레지스트 조성물을, 도포 장치(도꾜 일렉트론 규슈(주) 제조, 제품명 CL1200)를 이용하여 Cr막이 형성된 유리 기판(1,100×1,250 mm) 상에 100 ㎛로 액침시킨 후 스핀시키고, 이어서 핫 플레이트에서 120 ℃로 120 초간의 건조를 실시하여 막 두께 1.5 ㎛의 레지스트 피막을 형성하였다. 얻어진 레지스트 피막의 표면을 나트륨 램프하에서 관찰하여, 줄무늬상 흔적 등의 도포 불균일의 발생이 보이지 않는 것을 ○, 희미하게 확인된 것을 △, 크게 발생한 것을 ×로서 표에 나타내었다.
ㆍ레지스트 패턴 치수 안정성의 평가
실시예 1의 포지티브형 포토레지스트 조성물을, 상기 도포 불균일의 평가와 동일하게 하여 막 두께 1.5 ㎛의 레지스트 피막을 형성한 후, 1.0 ㎛의 라인 앤드 스페이스의 레지스트 패턴을 재현하기 위한 마스크 패턴이 그려진 레티클을 통해 i선을 이용하여 노광하였다. 이어서, 2.38 ％ TMAH(테트라메틸암모늄히드록시드) 용액을 사용하여 현상하고, 순수한 물로 린스하였다. 얻어진 레지스트 패턴 50개의 선폭을 측정하고, 치수대로 제조되지 않은 것의 비율을 백분율로 나타내었다. 수치가 낮을 수록 패턴 치수 안정성이 높은 것을 나타낸다.
ㆍ레지스트 패턴 형상 안정성의 평가
실시예 1의 포지티브형 포토레지스트 조성물을, 상기 도포 불균일의 평가와 동일하게 하여 막 두께 1.5 ㎛의 레지스트 피막을 형성한 후, 0.5 ㎛의 라인 앤드 스페이스의 레지스트 패턴을 형성하였다. 주사형 전자 현미경을 사용하여, 최적 노광량으로 노광했을 때 해상된 상기 레지스트 패턴의 형상 단면의 밑변 폭 W1과 윗변 폭 W2를 측정하고, 0.85≤W2/W1≤1의 경우를 패턴 형상이 양호하다고 하였다. 단, 패턴의 밑변부가 해밍되어 있거나, 패턴 형상이 역테이퍼상이 되었을 때에는 W2/W1의 여하에 상관없이 패턴 형상이 불량하다고 하였다.
<실시예 2>
실시예 1에 나타낸 불소 함유 유기 규소 화합물 (5) 대신에, 하기 화학식 6으로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물(불소 함유율 9.1 ％, 폴리에테르 함유율 41.9 ％, HLB 8.4)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하여 실시예 1에 기재된 방법으로 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 1>
실시예 1에 나타낸 불소 함유 유기 규소 화합물 (5) 대신에, 하기 화학식 7로 표시되는 불소계 계면활성제(불소 함유율 31.5 ％, 폴리에테르 함유율 42.9 ％, HLB 8.6)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제조하여 실시예 1에 기재된 방법으로 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<참고예 1>
하기 화학식 8로 표시되는 SiH기 함유 폴리실록산 85.7 g과 톨루엔 105.6 g을 환류 냉각관과 온도계를 부착한 플라스크에 넣고, 백금/비닐실록산 착체 톨루엔 용액 0.18 g(Pt 0.9 mg 상당)을 첨가하여 80 ℃로 가열한 후, 하기 화학식 9로 표시되는 반응성 불포화 탄화수소 결합을 갖는 불소 함유 유기 화합물 125.4 g 및 하기 화학식 10으로 표시되는 폴리에테르 화합물 147.1 g을 상기 반응액에 적하하였다. 적하 종료 후, 2 시간 가열한 후, IR 스펙트럼으로 SiH기의 소실을 확인하였다. 가열, 감압하에서 용제 및 저비점 증류분을 제거하여 담갈색 유상 물질 320.0 g을 얻었다.
상기 유상 물질을 1H-NMR 및 IR 스펙트럼으로 분석하였다. 그 결과를 나타낸다.
1H-NMR 스펙트럼(TMS 표준, ppm):
이상의 결과로부터, 상기 유상 물질은 하기 화학식으로 표시되는 구조를 갖는다는 것을 알았다. 얻어진 불소 함유 유기 화합물의 불소 함유율, 폴리에테르기 함유율, HLB는 하기와 같았다. 또한, HLB는 하기 수학식에 의해 구하였다.
HLB=[{(에틸렌옥시드쇄의 분자량)/(계면활성제의 분자량)}×100]÷5
본 발명에 따르면, 큰 면적이라도 양호한 도포 균일성을 갖고, 건조 불균일을 일으키지 않으며, 레지스트 패턴 형상이 우수한 포지티브형 포토레지스트 조성물을 얻을 수 있다.
Claims (3)
- 알칼리 가용성 수지, 1,2-퀴논디아지드 화합물 및 유기 용제를 함유하는 포지티브형 포토레지스트 조성물에, 계면활성제로서 하기 화학식 1로 표시되는 불소 함유 유기 규소 화합물을 배합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.<화학식 1>
식 중, Rf는 탄소수 5 내지 30의 분자쇄 중에 에테르 결합을 1개 이상 포함하는 퍼플루오로알킬기, Q는 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜의 단독 중합쇄 또는 이들 양쪽의 공중합쇄를 포함하는 폴리에테르기, R은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기, X는 산소 원자를 제외한 2가 연결기, Y는 2가 연결기이고, p는 3 이상의 정수이며, n은 0<n<3의 양수이다. - 제1항에 있어서, 화학식 1 중의 Rf가 하기 화학식 2로 표시되는 기인 포지티브형 포토레지스트 조성물.<화학식 2>
식 중, s는 1 내지 9의 정수이다. - 제1항 또는 제2항에 있어서, 불소 함유 유기 규소 화합물의 불소 함유율이 7 내지 35 질량％이고, 폴리에테르기 함유율이 15 내지 55 질량％인 포지티브형 포토레지스트 조성물.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005358960A JP4553140B2 (ja) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPJP-P-2005-00358960 | 2005-12-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070062926A KR20070062926A (ko) | 2007-06-18 |
| KR101260076B1 true KR101260076B1 (ko) | 2013-05-02 |
Family
ID=37808073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060126185A KR101260076B1 (ko) | 2005-12-13 | 2006-12-12 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7378215B2 (ko) |
| EP (1) | EP1798596B1 (ko) |
| JP (1) | JP4553140B2 (ko) |
| KR (1) | KR101260076B1 (ko) |
| TW (1) | TWI427407B (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5112772B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2013-01-09 | 東京応化工業株式会社 | 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4903096B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-03-21 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2009151266A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-07-09 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| EP2712900A1 (en) * | 2008-03-11 | 2014-04-02 | 3M Innovative Properties Company | Phototools having a protective layer |
| KR101585996B1 (ko) | 2009-04-20 | 2016-01-18 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 미세 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법 |
| US8815747B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-08-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns on substrates |
| JP5729312B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US9330914B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-05-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming line patterns in substrates |
| KR102445235B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2022-09-20 | 도레이 카부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물, 감광성 시트, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP6507061B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2019-04-24 | 東芝メモリ株式会社 | 基板処理方法 |
| WO2024038814A1 (ja) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | Ａｇｃ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、隔壁および光学素子 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003255523A (ja) | 2001-12-27 | 2003-09-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2005107130A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2006321764A (ja) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 含フッ素有機ケイ素化合物及び含フッ素界面活性剤 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178242A (en) | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photosensitive lithographic plate |
| JPS59142538A (ja) | 1983-02-04 | 1984-08-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPH0322619A (ja) | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Corp | ディジタル論理回路 |
| JPH09241381A (ja) * | 1996-03-06 | 1997-09-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 含フッ素有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
| JP3945556B2 (ja) | 1998-12-17 | 2007-07-18 | 東京応化工業株式会社 | 液晶素子製造用ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた基材 |
| EP1324134B1 (en) * | 2001-12-27 | 2010-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| TWI247967B (en) * | 2003-06-19 | 2006-01-21 | Chisso Corp | Positive radiation-sensitive polymer composition, film using the composition, and element using the composition |
-
2005
- 2005-12-13 JP JP2005358960A patent/JP4553140B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-12-12 KR KR1020060126185A patent/KR101260076B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-12 TW TW095146446A patent/TWI427407B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-12-12 US US11/637,103 patent/US7378215B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-13 EP EP06256335A patent/EP1798596B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003255523A (ja) | 2001-12-27 | 2003-09-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP2005107130A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2006321764A (ja) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 含フッ素有機ケイ素化合物及び含フッ素界面活性剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1798596A3 (en) | 2011-02-02 |
| JP2007163756A (ja) | 2007-06-28 |
| EP1798596B1 (en) | 2012-08-01 |
| US20070134591A1 (en) | 2007-06-14 |
| TWI427407B (zh) | 2014-02-21 |
| US7378215B2 (en) | 2008-05-27 |
| TW200736825A (en) | 2007-10-01 |
| EP1798596A2 (en) | 2007-06-20 |
| KR20070062926A (ko) | 2007-06-18 |
| JP4553140B2 (ja) | 2010-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101260076B1 (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
| KR101365768B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| KR100690227B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물 | |
| JPS62150245A (ja) | 集積回路作製用ポジ型レジスト | |
| JPS62153950A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| TWI518117B (zh) | 光阻用樹脂組成物 | |
| JP2010085567A (ja) | フォトレジスト用樹脂組成物 | |
| KR100570948B1 (ko) | Ｌｃｄ 제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 | |
| KR100754232B1 (ko) | 롤 피복용 감광성 수지 조성물 및 롤 피복 방법 | |
| TW200307013A (en) | Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same | |
| KR100705302B1 (ko) | 방사선 감응성 수지 조성물 | |
| EP0424464A1 (en) | THERMOSTABLE PHENOLIC RESIN COMPOSITIONS AND THEIR USE IN LIGHT SENSITIVE COMPOSITIONS. | |
| KR100219257B1 (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 | |
| CN101566796A (zh) | 低温固化性感光性树脂组合物 | |
| JPS62280737A (ja) | 半導体デバイス製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| KR100945386B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 도포성 향상제 및 이를 함유하는감광성 수지 조성물 | |
| KR20170015147A (ko) | 감광성 조성물 | |
| KR101308267B1 (ko) | 수·유계 용매에 용해성을 가지는 실리콘계 계면활성제를함유하는 양성 포토레지스트 조성물 | |
| JP3478378B2 (ja) | アルカリ可溶性ノボラック樹脂 | |
| KR100585303B1 (ko) | 하나의 기판 위에 집적회로와 액정 디스플레이 부분이형성된 기판제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 | |
| WO1993009473A1 (en) | Selected structurally defined novolak binder resins | |
| JP2004191394A (ja) | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 | |
| TW202319411A (zh) | 含有特定之共聚物之正型感光性樹脂組成物 | |
| JPH07325395A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
| JPH05333539A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170330 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180418 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190418 Year of fee payment: 7 |