JP2000243145A - 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 - Google Patents
透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000243145A JP2000243145A JP11039835A JP3983599A JP2000243145A JP 2000243145 A JP2000243145 A JP 2000243145A JP 11039835 A JP11039835 A JP 11039835A JP 3983599 A JP3983599 A JP 3983599A JP 2000243145 A JP2000243145 A JP 2000243145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- conductive thin
- thin film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
に当たり、膜応力が低く透明導電薄膜付きフィルムとし
たときのカールが小さくなるような透明導電薄膜付きフ
ィルム、及び透明導電薄膜付きフィルムの製造方法を提
供する。 【解決手段】 高分子フィルム上に透明導電薄膜を形成
するに当たり、主たる金属元素含有量が同一である透明
導電薄膜を複数回積層して所望の膜厚を得ることによっ
てカールが小さい透明導電薄膜付きフィルムを得る。
Description
フィルム及びその製造方法に関し、さらに詳しくは高分
子フィルム基板上に主としてインジウム酸化物からな
り、結晶性が異なる複数の透明導電薄膜が形成された透
明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法に関する。
この透明導電薄膜付きフィルムの応用例としては液晶表
示用基板、タッチパネル、電子写真、帯電防止材料、面
発熱体、固体ディスプレイ、太陽エネルギ−用材料など
の幅広い用途がある。
るITO(In−Sn−O)膜は、高導電性、高透明性
の特性を活かし、液晶ディスプレイ、タッチパネル等の
電極材料として広く用いられている。近年、成膜速度の
制御性、形成された薄膜の均一性等の点から、製造ライ
ンではDC マグネトロンスパッタリング法がその製造
法として一般的となっている。特に最近の薄膜形成技術
の進歩は目覚しく、耐熱性のあまりない高分子フィルム
基板上に透明導電薄膜を形成できるようになった。中で
もスパッタリング法は、長時間にわたって成膜が可能、
長時間膜形成を行っても組成の変動が少ない、大面積化
が容易などの特徴を有し、最も利用されている技術の一
つである。そこで、本発明者等も、スパッタリング法で
高分子フィルム基板上にITO膜を形成しその実用性を
評価した。しかし、ITM(In−SnMetal)ま
たはITOターゲットを使用してDCマグネトロンスパ
ッタリング法により高分子フィルム上に連続成膜した場
合には、成膜時間が長くなるに従って作製した透明導電
薄膜付きフィルムの変形が激しくなるなどの問題があっ
た。
いて説明する。高分子フィルム自身は平坦であるが、フ
ィルム上に薄膜を堆積するとその薄膜の応力によって透
明導電薄膜付きフィルム自身が変形してしまうことが知
られている。この変形を一般的にカールと称する。カー
ルを抑制するためには堆積する薄膜の応力を低減しなけ
ればならない。従来の技術としてこの膜応力を低減する
手法としては、成膜圧力をできるだけ高くして、作製さ
れる薄膜の密度を疎にする方法がある。その様な薄膜は
膜の密度が小さいために膜応力は若干低下して、透明導
電薄膜付きフィルムの変形は抑制される。しかし、成膜
条件によっては圧力を高くしてもその効果が発揮されな
いことがあった。
子フィルム上に透明導電薄膜を成膜した場合に、膜応力
が低く透明導電薄膜付きフィルムとしたときのカールが
小さくなるような透明導電薄膜付きフィルム及びその製
造方法を提案する。
スパッタリング法により高分子フィルム上に透明導電薄
膜を形成するに当たり、透明導電薄膜を複数回積層して
少なくとも一層を非晶質層とすることによってカールが
小さい透明導電薄膜付きフィルムが得られることを見出
し本発明を完成するに至った。
上に積層された複数の透明導電薄膜とからなり、該透明
導電薄膜の少なくとも1層が非晶質であることを特徴と
する透明導電薄膜付きフィルムである。
透明導電薄膜を積層して透明導電薄膜付きフィルムを製
造する方法において、高分子フィルム上に結晶性が異な
る2層以上の透明導電薄膜を形成することを特徴とする
透明導電薄膜付きフィルムの製造方法である。
する。本発明において、透明導電薄膜を形成するに当た
り、主にスパッタリング法が使用される。主としてイン
ジウム酸化物を含む層を形成するスパッタリング法に
は、インジウムを主成分とする合金、または酸化インジ
ウムを主成分とする焼結体をターゲットとして用いるこ
とができる。前者はアルゴンなどの不活性ガスおよび酸
素ガスなどの反応性ガスを真空槽内に導入して、反応性
スパッタリングを行う。後者においては、アルゴンなど
の不活性ガス単独かあるいはアルゴンなどの不活性ガス
に微意量の酸素ガスなどの反応性ガスを混合したものを
用いてスパッタリングを行う。スパッタリングの方式
は、直流または高周波二極スパッタリング、直流または
高周波マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパ
ッタなど公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン
方式は基板へのプラズマ衝撃が少なく、高速成膜が可能
であり好ましい。
産性からロールツーロール方式を用いることが好まし
い。
形成するに当たり、透明導電薄膜を複数回積層すること
によって薄膜の応力を低減できることを見出し本発明に
到達したものである。また、その積層膜の内少なくとも
一層を非晶質とすることで結晶層で発生する薄膜の応力
を分散させ、高分子フィルムに伝わる応力を低減できる
ことを見出した。
面TEM観察によって層と層の界面で膜の垂直方向の成
長が切断されている様子が観察され、膜の応力が分散さ
ている可能性が示されているものである。この透明導電
薄膜は各層の結晶性が異なることを特徴としているが、
望ましくは結晶層と非晶質層が交互に積層され、結晶層
が非晶質層に挟まれた構造の方が結晶層で発生した応力
緩和の緩和効果が高い。更に望ましくは高分子フィルム
と接する第一層目が非晶質である方が透明導電薄膜で発
生した応力の伝達を緩和しカール低減効果が高い。各層
を全て非晶質とする事により更にカール低減が可能であ
るが、移動度の向上による表面抵抗の低減や耐熱性の安
定化が困難であり、また耐屈曲性が悪化するため少なく
とも一層の結晶層を含むことが好ましい。ここで断面T
EM観察によって柱状の結晶粒が観察される層を結晶
層、柱状の結晶粒が観察されないものを非晶質層とす
る。ここで言う柱状結晶粒とは各層の膜厚で高さが限定
された円柱状の結晶のことである。従来、高分子フィル
ム上に主としてインジウム酸化物からなる透明導電薄膜
を形成してなる透明導電薄膜付きフィルムの製造方法に
おいて、ロールツーロール方式では、放電電力密度とフ
ィルム搬送スピードを調節して一回の搬送で目的の膜厚
の透明導電薄膜を形成している。本発明においては、同
じ放電電力密度下でフィルム搬送スピードを変化させか
つ搬送方向を反転させながら任意の割合で分割して複数
回積層し、その搬送の中で少なくとも一層を非晶質とし
て透明導電薄膜を形成すると本発明の透明導電薄膜付き
フィルムを好ましく得ることができる。
以上の積層の方が所望の膜厚を得るための各層の厚さを
少なくできるため、カールの低減の効果は大きい。また
実質的な上限は10回以下である。
はなく、それぞれの層の厚みが異なる場合のそれぞれの
積層順はそれほど重要ではないが、厚い層が非晶質であ
る方が応力が低く、更にフィルムに接する第一層目は非
晶質である方がカール低減効果が大きい。
方法は、スパッタリング法により高分子フィルム上に上
記透明導電薄膜を形成することが望ましい。この場合、
一つのターゲットを用いて透明導電薄膜を形成させる場
合は1回透明導電膜を形成させてから巻き取り、続いて
フィルムの搬送方向を反転させ次の透明導電膜を形成さ
せて製造することができる。1層目の透明導電薄膜を形
成させてから、続いて2層目、さらには3層目の透明導
電薄膜を形成させる操作は、連続して行われるか、ある
いは一端巻き取ったロールを改めて別の装置や、別の日
時に積層することも可能である。
を用いてフィルム搬送方向を反転させるよりも、ターゲ
ットを複数にして一回のフィルム搬送で作製する方が好
ましい。このように複数のターゲットを用いて連続して
透明導電薄膜の複数層を形成させても同様に膜応力が低
くカールを低減した透明導電薄膜付きフィルムを得るこ
とができる。
薄膜は、同じ膜厚であっても一回の搬送で目的の膜厚を
得た単層膜よりも膜応力が低く透明導電薄膜付きフィル
ムとした時のカールが小さい。
酸化物を含む層である。インジウム酸化物は本来透明な
電気絶縁体であるが、微量の不純物を含有する場合、
わずかに酸素不足になっている場合などに半導体にな
る。好ましい半導体金属酸化物としては、例えば不純物
としてスズまたはフッ素を含む酸化インジウムを挙げる
ことができる。特に好ましくは、酸化スズを2〜20重
量%含むインジウム酸化物の層である。本発明に用いら
れる主としてインジウム酸化物を含む透明導電薄膜の最
終的な膜厚は充分な導電性を得るためには100Å以上
であることが好ましい。
のカールは透明導電薄膜の膜厚が厚くなるほど大きくな
るため、本発明は目的の膜厚が500Å以上、5000
Å以下である透明導電薄膜を得ようとする場合に特にそ
のカール低減の効果を発揮する。
ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリスルホ
ン、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリオレフィンなどが挙げられる。もちろんこ
れらはホモポリマー、コポリマーとして、また単独のポ
リマーまたはポリマーブレンドとしても使用できる。
ィルムは膜応力が少ないので、膜厚0.0025mm以
上、0.4mm以下の上記高分子フィルム上に形成した
ときに特にそのカール低減の効果を発揮する。
せるため、透明導電薄膜形成前に上記高分子フィルム上
に中間層を形成してもよい。中間層としては、厚さ0.
01〜10μmで、例えば有機ケイ素化合物、チタンア
ルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステルなどの
有機金属化合物の加水分解により生成された層が好まし
く用いられる。該中間層は、多層構成としても良い。該
中間層は、高分子フィルム上に塗布後、乾燥し、加熱、
イオンボンバードあるいは紫外線、β線、γ線などの放
射線により硬化させる。また、本発明における透明導電
薄膜付きフィルムは、主としてインジウム酸化物を含む
透明導電薄膜上に耐スクラッチ性を向上させる、あるい
は他の塗工層との密着性を向上させるなどの目的のため
に保護層を積層させても良い。
明タッチパネルやエレクトロルミネッセンス用電極とし
て適しているだけでなく、例えば液晶表示装置、電子写
真、帯電防止材料、面発熱体、固体デイスプレイ、太陽
エネルギ−用材料などと広い用途を有する。
ムを製造するための装置の構成図の一例である。各種の
高分子フィルムのロールを基板フィルムとして巻き出し
軸4にセットし、フィルムを巻き出して図示の成膜経路
を沿って巻き取り軸7にセットされた巻き芯に巻き取り
できるようにセットする。成膜時には11の四重極質量
分析計(超小型分圧計MPA)で成膜中の水分圧と酸素分
圧をモニターしながら水導入量、酸素導入量を調節す
る。
する。
透明導電薄膜付きフィルムとしたときの変形率の測定方
法を以下に記載するが、その変形量をカールとする。透
明導電薄膜付きフィルムを10cm角の正方形に切り取
り、恒湿、常温下(25℃、50%RH環境下)で24
時間放置する。その後該透明導電薄膜付きフィルムを水
平な支持板上に透明導電薄膜を設ける面が下になるよう
に置き、四隅の支持板からの高さの平均値(カール)が
0〜20mmの範囲内にあるものを良好な特性として評
価する。
脂に包埋後、ミクロトームで薄切した。薄切にカーボン
蒸着を行った後、透過型電子顕微鏡JEM2010を用
いて200KVで測定した。
フィルムの表面抵抗(Ω/cm2)R0を測定し、その
後130℃、4時間の熱処理を施して同様に表面抵抗
(Ω/cm2)Rを測定する。この熱処理後の表面抵抗
Rを熱処理前の表面抵抗R0で割ったものをR/R0耐
熱性と称する。 R/R0=0.5〜1.5の範囲にあ
るものを良好な特性とする。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(PE
T)を用いた。該フィルムを巻き取り式マグネトロンス
パッタリング装置内に設置して6x10-6Torrまで
排気した。ターゲットにはITO(Sn/In=5wt
%/95wt%)ターゲットを用いた。その後、 Ar
/O2混合ガス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内
に100sccm導入し、かつ水と酸素の分圧比がH2
O/O2=2.0となるように水分を導入した。圧力を
1.0x10-3mTorrに保った後、メインロールの
温度を室温、投入電力密度を1.0W/cm2に設定し
て、フィルム速度をVf=0.3m/minとしてスパ
ッタリングを行い第1層目のA層を形成した。その後水
の導入を止め、それ以外はA層形成時と同じ条件でフィ
ルムの搬送方向を逆転させて第2層目のB層を形成し
た。更にフィルムの搬送方向を逆転させて第1層目と同
様の条件で第3層目を成膜してA/B/A/PETの3
層積層構造の透明導電薄膜を形成することにより透明導
電薄膜付きフィルムを作製した。
ルムの諸特性を示す。カール特性は下記の比較例1、2
と比べて低減できている。また、比抵抗も比較例1、2
と比べて低減されている。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入し、圧力を1.0x10-3mTorrに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を1W
/cm2に設定して、フィルム速度をVf=0.1m/
minとしてスパッタリングを行い、単層の透明導電薄
膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィルムを作
製した。下記表1に作製した透明導電薄膜付きフィルム
の諸特性を示す。実施例1と比べてカール特性の悪いも
のであった。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入し、水と酸素の分圧比がH2O/O2=2.0
となるように水分を導入した。圧力を1.0x10-3m
Torrに保った後、メインロールの温度を室温、投入
電力密度を1W/cm2に設定して、フィルム速度をV
f=0.1m/minとしてスパッタリングを行い、単
層の透明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付
きフィルムを作製した。下記表1に作製した透明導電薄
膜付きフィルムの諸特性を示す。比較例1と比べてカー
ル特性は良好であるが耐熱性が悪かった。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して5x10-5Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に200s
ccm導入しかつ水と酸素の分圧比がH2O /O2=2.
0となるように水分を導入した。 圧力を1.0x10
-3mTorrに保った後、メインロールの温度を室温、
投入電力密度を1.0W/cm2に設定して、フィルム
速度をVf=0.1m/min としてスパッタリング
を行い第1層目のA層を形成した。その後水の導入を止
め、それ以外はA層形成時と同じ条件でフィルムの搬送
方向を逆転させて第2層目のB層を形成しB/A/PE
T の2層積層構造の透明導電薄膜を形成することによ
り透明導電薄膜付きフィルムを作製した。下記表1に作
製した透明導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。カー
ル特性は比較例3と比べて低減できている。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入し、圧力を1.0x10-3mTorrに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を1.
0W/cm2に設定して、フィルム速度をVf=0.0
5m/min としてスパッタリングを行い、単層の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表1に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。実施例2と比べてカール特性の悪
いものであった。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して5x10-5Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に200s
ccm導入し 圧力を1.0x10-3mTorrに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を1.
0W/cm2に設定して、フィルム速度をVf=0.1
m/min としてスパッタリングを行い第1層目のB
層を形成した。その後水と酸素の分圧比がH2O /O2=
2.0となるように水分を導入して第2層目のA層を形
成しA/B/PET の2層積層構造の透明導電薄膜を
形成することにより透明導電薄膜付きフィルムを作製し
た。比較例3と比べてカール特性は良好であったが実施
例2と比べてカール特性にやや劣るものであった。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccmを導入しかつ水と酸素の分圧比がH2O /O2=
2.0となるように水分を導入した。圧力を1.0x1
0-3mTorrに保った後、メインロールの温度を室
温、投入電力密度を1.0W/cm2に設定して、フィ
ルム速度をVf=0.3m/minとしてスパッタリン
グを行い第1層目のA層を形成した。その後水の導入を
止め、それ以外はA層形成時と同じ条件でフィルムの搬
送方向を逆転させて第2層目のB層を形成した。この操
作を交互に繰り返してB/A/B/A/B/A/PET
の6層積層構造の透明導電薄膜を形成することにより
透明導電薄膜付きフィルムを作製した。表1に作製した
透明導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。カール特性
は比較例4、5と比べて低減できている。
構造透明導電薄膜の断面TEM観察結果、図3にこの写
真の模式図を示す。模式図に示すように柱状の結晶粒が
観察される層を結晶層、柱状の結晶粒が観察されないる
ものを非晶質層とする。ここで言う柱状結晶粒とは各層
の膜厚で高さが限定された円柱状の結晶のことである。
6層の積層構造が観察され膜の垂直方向の成長が切断さ
れていることが分かる。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入し、圧力を1.0x10-3mTorrに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を1.
0W/cm2に設定して、フィルム速度をVf=0.0
5m/min としてスパッタリングを行い、単層の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表1に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。実施例4と比べてカール特性の悪
いものであった。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入しかつ水と酸素の分圧比がH2O /O2=2.
0となるように水分を導入した。圧力を1.0x10-3
mTorrに保った後、メインロールの温度を室温、投
入電力密度を1.0W/cm2に設定して、フィルム速
度をVf=0.05m/min としてスパッタリング
を行い、単層の透明導電薄膜を形成することにより透明
導電薄膜付きフィルムを作製した。表1に作製した透明
導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。実施例4と比べ
てカール特性、耐熱性の悪いものであった。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccmを導入しかつ水と酸素の分圧比がH2O /O2=
2.0となるように水分を導入した。圧力を1.0x1
0-3mTorrに保った後、メインロールの温度を室
温、投入電力密度を1.0W/cm2に設定して、フィ
ルム速度をVf=0.12m/minとしてスパッタリ
ングを行い第1層目のA層を形成した。その後水の導入
を止め第2層目のB層を形成した。この操作を交互に繰
り返してB/A/B/A/PET の4層積層構造の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表1に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。カール特性は比較例6と比べて低
減できている。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入し、圧力を1.0x10-3mTorrに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を1.
0W/cm2に設定して、フィルム速度をVf=0.0
3m/minとしてスパッタリングを行い、単層の透明
導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィル
ムを作製した。実施例5と比べてカール特性の悪いもの
であった。表1に作製した透明導電薄膜付きフィルムの
諸特性を示す。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入しかつ水と酸素の分圧比がH2O /O2=2.
0となるように水分を導入した。圧力を1.0x10-3
mTorrに保った後、メインロールの温度を室温、投
入電力密度を1.0W/cm2に設定して、フィルム速
度をVf=0.15m/minとしてスパッタリングを
行い第1層目のA層を形成した。その後水の導入を止め
第2層目のB層を形成した。この操作を交互に繰り返し
てA/B/A/B/A/PETの5層積層構造の透明導
電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィルム
を作製した。表1に作製した透明導電薄膜付きフィルム
の諸特性を示す。カール特性は比較例7と比べて低減で
きている。
00μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して6x10-6Torrまで排気した。
ターゲットにはITO(Sn/In=5wt%/95w
t%)ターゲットを用いた。その後、 Ar/O2混合ガ
ス(O2:Ar=1.2:98.8)を槽内に100s
ccm導入し、圧力を1.0x10-3mTorrに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を1.
0W/cm2に設定して、フィルム速度をVf=0.0
3m/minとしてスパッタリングを行い、単層の透明
導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィル
ムを作製した。表1に作製した透明導電薄膜付きフィル
ムの諸特性を示す。実施例6と比べてカール特性の悪い
ものであった。
スパッタリング法を用いて、少なくとも1層が非晶質で
ある透明導電薄膜を複数回積層して目的の膜厚を得るこ
とによってカールの小さい透明導電薄膜付きフィルムを
提供できる。
ーロール式成膜法の製造装置の断面図である。
層積層構造の透明導電薄膜の断面TEM観察の断面図で
ある。
察の模式図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 高分子フィルムとその上に積層された複
数の透明導電薄膜とからなり、該透明導電薄膜の少なく
とも1層が非晶質であることを特徴とする透明導電薄膜
付きフィルム。 - 【請求項2】 透明導電薄膜が、インジウム酸化物を主
成分としてなり、かつ錫、亜鉛およびガリウムの酸化物
から選ばれた少なくとも1種の酸化物を含むことを特徴
とする請求項1記載の透明導電薄膜付きフィルム。 - 【請求項3】 高分子フィルムの膜厚が0.0025m
m以上0.4mm以下であることを特徴とする請求項1
または2に記載の透明導電薄膜付きフィルム。 - 【請求項4】 高分子フィルム上に複数の透明導電薄膜
を積層して透明導電薄膜付きフィルムを製造する方法に
おいて、高分子フィルム上に結晶性が異なる2層以上の
透明導電薄膜を形成することを特徴とする透明導電薄膜
付きフィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03983599A JP4842416B2 (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03983599A JP4842416B2 (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000243145A true JP2000243145A (ja) | 2000-09-08 |
JP4842416B2 JP4842416B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=12564032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03983599A Expired - Fee Related JP4842416B2 (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4842416B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006164745A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Kitagawa Ind Co Ltd | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
JP2009224152A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネル |
JP2013126718A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体および導電パターンフィルム製造方法 |
US20140353140A1 (en) * | 2011-11-28 | 2014-12-04 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing transparent electroconductive film |
JP2018171877A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体 |
WO2021241118A1 (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電性シート、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110785567B (zh) | 2018-05-14 | 2021-06-01 | 日立江森自控空调有限公司 | 空调机 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP03983599A patent/JP4842416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4716721B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2011-07-06 | 北川工業株式会社 | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
JP2006164745A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Kitagawa Ind Co Ltd | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
JP2009224152A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネル |
JP4687733B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2011-05-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネル |
CN109930109B (zh) * | 2011-11-28 | 2021-06-29 | 日东电工株式会社 | 透明导电膜的制造方法 |
US20140353140A1 (en) * | 2011-11-28 | 2014-12-04 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing transparent electroconductive film |
CN109930109A (zh) * | 2011-11-28 | 2019-06-25 | 日东电工株式会社 | 透明导电膜的制造方法 |
JP2013126718A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体および導電パターンフィルム製造方法 |
JP2018171877A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体 |
JP7014353B2 (ja) | 2017-03-31 | 2022-02-01 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体 |
WO2021241118A1 (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電性シート、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置 |
JP2021186966A (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-13 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電性シート、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置 |
CN115666928A (zh) * | 2020-05-25 | 2023-01-31 | 日东电工株式会社 | 透光性导电性片、接触式传感器、调光元件、光电转换元件、热线控制构件、天线、电磁波屏蔽构件和图像显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4842416B2 (ja) | 2011-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5432501B2 (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法 | |
US6617056B1 (en) | Transparent conductive laminate, its manufacturing method, and display comprising transparent conductive laminate | |
JP4917897B2 (ja) | 透明導電フィルムおよびその製造方法 | |
CN104651791B (zh) | 节能型柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
WO2014115770A1 (ja) | 透明導電性基材ならびにその製造方法 | |
US20160351752A1 (en) | Substrate with transparent electrode and method for producing same | |
CN204490985U (zh) | 柔性透明导电薄膜及其制备装置 | |
US20090269588A1 (en) | Transparent conductive film and method of producing transparent conductive film | |
JPWO2004065656A1 (ja) | Ito薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
JP4137254B2 (ja) | 透明導電積層体の製造方法 | |
JP4842416B2 (ja) | 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 | |
CN101582304A (zh) | 透明导电膜及其制造方法 | |
KR20160095838A (ko) | 망간주석산화물계 투명전도성산화물 및 이를 이용한 다층투명도전막 그리고 그 제조방법 | |
JP2001121641A (ja) | 透明導電積層体 | |
JP2000045063A (ja) | 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 | |
JP3511337B2 (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
JP4917906B2 (ja) | 透明導電フィルムおよびその製造方法 | |
JP2000192237A (ja) | 高透明ガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JPH08325711A (ja) | 透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法 | |
JPH07178863A (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法 | |
JP2001030409A (ja) | 透明導電積層体の製造方法 | |
JPH09234816A (ja) | 透明導電性積層体 | |
JP7478721B2 (ja) | 透明電極付き基板の製造方法 | |
JP3501819B2 (ja) | 平坦性に優れた透明導電性フィルム | |
JP4187315B2 (ja) | 液晶表示用透明導電積層体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100916 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110711 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110913 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |