JP2000243145A - 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法 - Google Patents
透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分子フィルム上に透明導電薄膜を形成する
に当たり、膜応力が低く透明導電薄膜付きフィルムとし
たときのカールが小さくなるような透明導電薄膜付きフ
ィルム、及び透明導電薄膜付きフィルムの製造方法を提
供する。 【解決手段】 高分子フィルム上に透明導電薄膜を形成
するに当たり、主たる金属元素含有量が同一である透明
導電薄膜を複数回積層して所望の膜厚を得ることによっ
てカールが小さい透明導電薄膜付きフィルムを得る。
に当たり、膜応力が低く透明導電薄膜付きフィルムとし
たときのカールが小さくなるような透明導電薄膜付きフ
ィルム、及び透明導電薄膜付きフィルムの製造方法を提
供する。 【解決手段】 高分子フィルム上に透明導電薄膜を形成
するに当たり、主たる金属元素含有量が同一である透明
導電薄膜を複数回積層して所望の膜厚を得ることによっ
てカールが小さい透明導電薄膜付きフィルムを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電薄膜付き
フィルム及びその製造方法に関し、さらに詳しくは高分
子フィルム基板上に主としてインジウム酸化物からな
り、結晶性が異なる複数の透明導電薄膜が形成された透
明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法に関する。
この透明導電薄膜付きフィルムの応用例としては液晶表
示用基板、タッチパネル、電子写真、帯電防止材料、面
発熱体、固体ディスプレイ、太陽エネルギ−用材料など
の幅広い用途がある。
フィルム及びその製造方法に関し、さらに詳しくは高分
子フィルム基板上に主としてインジウム酸化物からな
り、結晶性が異なる複数の透明導電薄膜が形成された透
明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法に関する。
この透明導電薄膜付きフィルムの応用例としては液晶表
示用基板、タッチパネル、電子写真、帯電防止材料、面
発熱体、固体ディスプレイ、太陽エネルギ−用材料など
の幅広い用途がある。
【０００２】
【従来の技術】従来、スパッタリング法によって得られ
るＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）膜は、高導電性、高透明性
の特性を活かし、液晶ディスプレイ、タッチパネル等の
電極材料として広く用いられている。近年、成膜速度の
制御性、形成された薄膜の均一性等の点から、製造ライ
ンではＤＣ マグネトロンスパッタリング法がその製造
法として一般的となっている。特に最近の薄膜形成技術
の進歩は目覚しく、耐熱性のあまりない高分子フィルム
基板上に透明導電薄膜を形成できるようになった。中で
もスパッタリング法は、長時間にわたって成膜が可能、
長時間膜形成を行っても組成の変動が少ない、大面積化
が容易などの特徴を有し、最も利用されている技術の一
つである。そこで、本発明者等も、スパッタリング法で
高分子フィルム基板上にＩＴＯ膜を形成しその実用性を
評価した。しかし、ＩＴＭ（Ｉｎ−ＳｎＭｅｔａｌ）ま
たはＩＴＯターゲットを使用してＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により高分子フィルム上に連続成膜した場
合には、成膜時間が長くなるに従って作製した透明導電
薄膜付きフィルムの変形が激しくなるなどの問題があっ
た。
るＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）膜は、高導電性、高透明性
の特性を活かし、液晶ディスプレイ、タッチパネル等の
電極材料として広く用いられている。近年、成膜速度の
制御性、形成された薄膜の均一性等の点から、製造ライ
ンではＤＣ マグネトロンスパッタリング法がその製造
法として一般的となっている。特に最近の薄膜形成技術
の進歩は目覚しく、耐熱性のあまりない高分子フィルム
基板上に透明導電薄膜を形成できるようになった。中で
もスパッタリング法は、長時間にわたって成膜が可能、
長時間膜形成を行っても組成の変動が少ない、大面積化
が容易などの特徴を有し、最も利用されている技術の一
つである。そこで、本発明者等も、スパッタリング法で
高分子フィルム基板上にＩＴＯ膜を形成しその実用性を
評価した。しかし、ＩＴＭ（Ｉｎ−ＳｎＭｅｔａｌ）ま
たはＩＴＯターゲットを使用してＤＣマグネトロンスパ
ッタリング法により高分子フィルム上に連続成膜した場
合には、成膜時間が長くなるに従って作製した透明導電
薄膜付きフィルムの変形が激しくなるなどの問題があっ
た。
【０００３】この透明導電薄膜付きフィルムの変形につ
いて説明する。高分子フィルム自身は平坦であるが、フ
ィルム上に薄膜を堆積するとその薄膜の応力によって透
明導電薄膜付きフィルム自身が変形してしまうことが知
られている。この変形を一般的にカールと称する。カー
ルを抑制するためには堆積する薄膜の応力を低減しなけ
ればならない。従来の技術としてこの膜応力を低減する
手法としては、成膜圧力をできるだけ高くして、作製さ
れる薄膜の密度を疎にする方法がある。その様な薄膜は
膜の密度が小さいために膜応力は若干低下して、透明導
電薄膜付きフィルムの変形は抑制される。しかし、成膜
条件によっては圧力を高くしてもその効果が発揮されな
いことがあった。
いて説明する。高分子フィルム自身は平坦であるが、フ
ィルム上に薄膜を堆積するとその薄膜の応力によって透
明導電薄膜付きフィルム自身が変形してしまうことが知
られている。この変形を一般的にカールと称する。カー
ルを抑制するためには堆積する薄膜の応力を低減しなけ
ればならない。従来の技術としてこの膜応力を低減する
手法としては、成膜圧力をできるだけ高くして、作製さ
れる薄膜の密度を疎にする方法がある。その様な薄膜は
膜の密度が小さいために膜応力は若干低下して、透明導
電薄膜付きフィルムの変形は抑制される。しかし、成膜
条件によっては圧力を高くしてもその効果が発揮されな
いことがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高分
子フィルム上に透明導電薄膜を成膜した場合に、膜応力
が低く透明導電薄膜付きフィルムとしたときのカールが
小さくなるような透明導電薄膜付きフィルム及びその製
造方法を提案する。
子フィルム上に透明導電薄膜を成膜した場合に、膜応力
が低く透明導電薄膜付きフィルムとしたときのカールが
小さくなるような透明導電薄膜付きフィルム及びその製
造方法を提案する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、主として
スパッタリング法により高分子フィルム上に透明導電薄
膜を形成するに当たり、透明導電薄膜を複数回積層して
少なくとも一層を非晶質層とすることによってカールが
小さい透明導電薄膜付きフィルムが得られることを見出
し本発明を完成するに至った。
スパッタリング法により高分子フィルム上に透明導電薄
膜を形成するに当たり、透明導電薄膜を複数回積層して
少なくとも一層を非晶質層とすることによってカールが
小さい透明導電薄膜付きフィルムが得られることを見出
し本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち本発明は、高分子フィルムとその
上に積層された複数の透明導電薄膜とからなり、該透明
導電薄膜の少なくとも1層が非晶質であることを特徴と
する透明導電薄膜付きフィルムである。
上に積層された複数の透明導電薄膜とからなり、該透明
導電薄膜の少なくとも1層が非晶質であることを特徴と
する透明導電薄膜付きフィルムである。
【０００７】また本発明は、高分子フィルム上に複数の
透明導電薄膜を積層して透明導電薄膜付きフィルムを製
造する方法において、高分子フィルム上に結晶性が異な
る２層以上の透明導電薄膜を形成することを特徴とする
透明導電薄膜付きフィルムの製造方法である。
透明導電薄膜を積層して透明導電薄膜付きフィルムを製
造する方法において、高分子フィルム上に結晶性が異な
る２層以上の透明導電薄膜を形成することを特徴とする
透明導電薄膜付きフィルムの製造方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、透明導電薄膜を形成するに当た
り、主にスパッタリング法が使用される。主としてイン
ジウム酸化物を含む層を形成するスパッタリング法に
は、インジウムを主成分とする合金、または酸化インジ
ウムを主成分とする焼結体をターゲットとして用いるこ
とができる。前者はアルゴンなどの不活性ガスおよび酸
素ガスなどの反応性ガスを真空槽内に導入して、反応性
スパッタリングを行う。後者においては、アルゴンなど
の不活性ガス単独かあるいはアルゴンなどの不活性ガス
に微意量の酸素ガスなどの反応性ガスを混合したものを
用いてスパッタリングを行う。スパッタリングの方式
は、直流または高周波二極スパッタリング、直流または
高周波マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパ
ッタなど公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン
方式は基板へのプラズマ衝撃が少なく、高速成膜が可能
であり好ましい。
する。本発明において、透明導電薄膜を形成するに当た
り、主にスパッタリング法が使用される。主としてイン
ジウム酸化物を含む層を形成するスパッタリング法に
は、インジウムを主成分とする合金、または酸化インジ
ウムを主成分とする焼結体をターゲットとして用いるこ
とができる。前者はアルゴンなどの不活性ガスおよび酸
素ガスなどの反応性ガスを真空槽内に導入して、反応性
スパッタリングを行う。後者においては、アルゴンなど
の不活性ガス単独かあるいはアルゴンなどの不活性ガス
に微意量の酸素ガスなどの反応性ガスを混合したものを
用いてスパッタリングを行う。スパッタリングの方式
は、直流または高周波二極スパッタリング、直流または
高周波マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパ
ッタなど公知の方式が適用できる。中でもマグネトロン
方式は基板へのプラズマ衝撃が少なく、高速成膜が可能
であり好ましい。
【０００９】また、スパッタリング装置としてはその生
産性からロールツーロール方式を用いることが好まし
い。
産性からロールツーロール方式を用いることが好まし
い。
【００１０】本発明者は鋭意検討の末、透明導電薄膜を
形成するに当たり、透明導電薄膜を複数回積層すること
によって薄膜の応力を低減できることを見出し本発明に
到達したものである。また、その積層膜の内少なくとも
一層を非晶質とすることで結晶層で発生する薄膜の応力
を分散させ、高分子フィルムに伝わる応力を低減できる
ことを見出した。
形成するに当たり、透明導電薄膜を複数回積層すること
によって薄膜の応力を低減できることを見出し本発明に
到達したものである。また、その積層膜の内少なくとも
一層を非晶質とすることで結晶層で発生する薄膜の応力
を分散させ、高分子フィルムに伝わる応力を低減できる
ことを見出した。
【００１１】本発明の透明導電薄膜付きフィルムは、断
面ＴＥＭ観察によって層と層の界面で膜の垂直方向の成
長が切断されている様子が観察され、膜の応力が分散さ
ている可能性が示されているものである。この透明導電
薄膜は各層の結晶性が異なることを特徴としているが、
望ましくは結晶層と非晶質層が交互に積層され、結晶層
が非晶質層に挟まれた構造の方が結晶層で発生した応力
緩和の緩和効果が高い。更に望ましくは高分子フィルム
と接する第一層目が非晶質である方が透明導電薄膜で発
生した応力の伝達を緩和しカール低減効果が高い。各層
を全て非晶質とする事により更にカール低減が可能であ
るが、移動度の向上による表面抵抗の低減や耐熱性の安
定化が困難であり、また耐屈曲性が悪化するため少なく
とも一層の結晶層を含むことが好ましい。ここで断面Ｔ
ＥＭ観察によって柱状の結晶粒が観察される層を結晶
層、柱状の結晶粒が観察されないものを非晶質層とす
る。ここで言う柱状結晶粒とは各層の膜厚で高さが限定
された円柱状の結晶のことである。従来、高分子フィル
ム上に主としてインジウム酸化物からなる透明導電薄膜
を形成してなる透明導電薄膜付きフィルムの製造方法に
おいて、ロールツーロール方式では、放電電力密度とフ
ィルム搬送スピードを調節して一回の搬送で目的の膜厚
の透明導電薄膜を形成している。本発明においては、同
じ放電電力密度下でフィルム搬送スピードを変化させか
つ搬送方向を反転させながら任意の割合で分割して複数
回積層し、その搬送の中で少なくとも一層を非晶質とし
て透明導電薄膜を形成すると本発明の透明導電薄膜付き
フィルムを好ましく得ることができる。
面ＴＥＭ観察によって層と層の界面で膜の垂直方向の成
長が切断されている様子が観察され、膜の応力が分散さ
ている可能性が示されているものである。この透明導電
薄膜は各層の結晶性が異なることを特徴としているが、
望ましくは結晶層と非晶質層が交互に積層され、結晶層
が非晶質層に挟まれた構造の方が結晶層で発生した応力
緩和の緩和効果が高い。更に望ましくは高分子フィルム
と接する第一層目が非晶質である方が透明導電薄膜で発
生した応力の伝達を緩和しカール低減効果が高い。各層
を全て非晶質とする事により更にカール低減が可能であ
るが、移動度の向上による表面抵抗の低減や耐熱性の安
定化が困難であり、また耐屈曲性が悪化するため少なく
とも一層の結晶層を含むことが好ましい。ここで断面Ｔ
ＥＭ観察によって柱状の結晶粒が観察される層を結晶
層、柱状の結晶粒が観察されないものを非晶質層とす
る。ここで言う柱状結晶粒とは各層の膜厚で高さが限定
された円柱状の結晶のことである。従来、高分子フィル
ム上に主としてインジウム酸化物からなる透明導電薄膜
を形成してなる透明導電薄膜付きフィルムの製造方法に
おいて、ロールツーロール方式では、放電電力密度とフ
ィルム搬送スピードを調節して一回の搬送で目的の膜厚
の透明導電薄膜を形成している。本発明においては、同
じ放電電力密度下でフィルム搬送スピードを変化させか
つ搬送方向を反転させながら任意の割合で分割して複数
回積層し、その搬送の中で少なくとも一層を非晶質とし
て透明導電薄膜を形成すると本発明の透明導電薄膜付き
フィルムを好ましく得ることができる。
【００１２】ここで複数回とは２回以上であるが、３回
以上の積層の方が所望の膜厚を得るための各層の厚さを
少なくできるため、カールの低減の効果は大きい。また
実質的な上限は１０回以下である。
以上の積層の方が所望の膜厚を得るための各層の厚さを
少なくできるため、カールの低減の効果は大きい。また
実質的な上限は１０回以下である。
【００１３】またそれぞれの層の厚みは同一である必要
はなく、それぞれの層の厚みが異なる場合のそれぞれの
積層順はそれほど重要ではないが、厚い層が非晶質であ
る方が応力が低く、更にフィルムに接する第一層目は非
晶質である方がカール低減効果が大きい。
はなく、それぞれの層の厚みが異なる場合のそれぞれの
積層順はそれほど重要ではないが、厚い層が非晶質であ
る方が応力が低く、更にフィルムに接する第一層目は非
晶質である方がカール低減効果が大きい。
【００１４】本発明の透明導電薄膜付きフィルムの製造
方法は、スパッタリング法により高分子フィルム上に上
記透明導電薄膜を形成することが望ましい。この場合、
一つのターゲットを用いて透明導電薄膜を形成させる場
合は１回透明導電膜を形成させてから巻き取り、続いて
フィルムの搬送方向を反転させ次の透明導電膜を形成さ
せて製造することができる。１層目の透明導電薄膜を形
成させてから、続いて２層目、さらには３層目の透明導
電薄膜を形成させる操作は、連続して行われるか、ある
いは一端巻き取ったロールを改めて別の装置や、別の日
時に積層することも可能である。
方法は、スパッタリング法により高分子フィルム上に上
記透明導電薄膜を形成することが望ましい。この場合、
一つのターゲットを用いて透明導電薄膜を形成させる場
合は１回透明導電膜を形成させてから巻き取り、続いて
フィルムの搬送方向を反転させ次の透明導電膜を形成さ
せて製造することができる。１層目の透明導電薄膜を形
成させてから、続いて２層目、さらには３層目の透明導
電薄膜を形成させる操作は、連続して行われるか、ある
いは一端巻き取ったロールを改めて別の装置や、別の日
時に積層することも可能である。
【００１５】また生産効率を考えると一つのターゲット
を用いてフィルム搬送方向を反転させるよりも、ターゲ
ットを複数にして一回のフィルム搬送で作製する方が好
ましい。このように複数のターゲットを用いて連続して
透明導電薄膜の複数層を形成させても同様に膜応力が低
くカールを低減した透明導電薄膜付きフィルムを得るこ
とができる。
を用いてフィルム搬送方向を反転させるよりも、ターゲ
ットを複数にして一回のフィルム搬送で作製する方が好
ましい。このように複数のターゲットを用いて連続して
透明導電薄膜の複数層を形成させても同様に膜応力が低
くカールを低減した透明導電薄膜付きフィルムを得るこ
とができる。
【００１６】こうして複数層積層されてできた透明導電
薄膜は、同じ膜厚であっても一回の搬送で目的の膜厚を
得た単層膜よりも膜応力が低く透明導電薄膜付きフィル
ムとした時のカールが小さい。
薄膜は、同じ膜厚であっても一回の搬送で目的の膜厚を
得た単層膜よりも膜応力が低く透明導電薄膜付きフィル
ムとした時のカールが小さい。
【００１７】上記透明導電薄膜は、主としてインジウム
酸化物を含む層である。インジウム酸化物は本来透明な
電気絶縁体であるが、微量の不純物を含有する場合、
わずかに酸素不足になっている場合などに半導体にな
る。好ましい半導体金属酸化物としては、例えば不純物
としてスズまたはフッ素を含む酸化インジウムを挙げる
ことができる。特に好ましくは、酸化スズを２〜２０重
量％含むインジウム酸化物の層である。本発明に用いら
れる主としてインジウム酸化物を含む透明導電薄膜の最
終的な膜厚は充分な導電性を得るためには１００Å以上
であることが好ましい。
酸化物を含む層である。インジウム酸化物は本来透明な
電気絶縁体であるが、微量の不純物を含有する場合、
わずかに酸素不足になっている場合などに半導体にな
る。好ましい半導体金属酸化物としては、例えば不純物
としてスズまたはフッ素を含む酸化インジウムを挙げる
ことができる。特に好ましくは、酸化スズを２〜２０重
量％含むインジウム酸化物の層である。本発明に用いら
れる主としてインジウム酸化物を含む透明導電薄膜の最
終的な膜厚は充分な導電性を得るためには１００Å以上
であることが好ましい。
【００１８】また、透明導電薄膜付きフィルムとした時
のカールは透明導電薄膜の膜厚が厚くなるほど大きくな
るため、本発明は目的の膜厚が５００Å以上、５０００
Å以下である透明導電薄膜を得ようとする場合に特にそ
のカール低減の効果を発揮する。
のカールは透明導電薄膜の膜厚が厚くなるほど大きくな
るため、本発明は目的の膜厚が５００Å以上、５０００
Å以下である透明導電薄膜を得ようとする場合に特にそ
のカール低減の効果を発揮する。
【００１９】本発明における高分子フィルムは、例えば
ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリスルホ
ン、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリオレフィンなどが挙げられる。もちろんこ
れらはホモポリマー、コポリマーとして、また単独のポ
リマーまたはポリマーブレンドとしても使用できる。
ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリスルホ
ン、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリオレフィンなどが挙げられる。もちろんこ
れらはホモポリマー、コポリマーとして、また単独のポ
リマーまたはポリマーブレンドとしても使用できる。
【００２０】本発明により得られる透明導電薄膜付きフ
ィルムは膜応力が少ないので、膜厚０．００２５ｍｍ以
上、０．４ｍｍ以下の上記高分子フィルム上に形成した
ときに特にそのカール低減の効果を発揮する。
ィルムは膜応力が少ないので、膜厚０．００２５ｍｍ以
上、０．４ｍｍ以下の上記高分子フィルム上に形成した
ときに特にそのカール低減の効果を発揮する。
【００２１】さらに、透明導電薄膜との密着性を向上さ
せるため、透明導電薄膜形成前に上記高分子フィルム上
に中間層を形成してもよい。中間層としては、厚さ０．
０１〜１０μｍで、例えば有機ケイ素化合物、チタンア
ルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステルなどの
有機金属化合物の加水分解により生成された層が好まし
く用いられる。該中間層は、多層構成としても良い。該
中間層は、高分子フィルム上に塗布後、乾燥し、加熱、
イオンボンバードあるいは紫外線、β線、γ線などの放
射線により硬化させる。また、本発明における透明導電
薄膜付きフィルムは、主としてインジウム酸化物を含む
透明導電薄膜上に耐スクラッチ性を向上させる、あるい
は他の塗工層との密着性を向上させるなどの目的のため
に保護層を積層させても良い。
せるため、透明導電薄膜形成前に上記高分子フィルム上
に中間層を形成してもよい。中間層としては、厚さ０．
０１〜１０μｍで、例えば有機ケイ素化合物、チタンア
ルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステルなどの
有機金属化合物の加水分解により生成された層が好まし
く用いられる。該中間層は、多層構成としても良い。該
中間層は、高分子フィルム上に塗布後、乾燥し、加熱、
イオンボンバードあるいは紫外線、β線、γ線などの放
射線により硬化させる。また、本発明における透明導電
薄膜付きフィルムは、主としてインジウム酸化物を含む
透明導電薄膜上に耐スクラッチ性を向上させる、あるい
は他の塗工層との密着性を向上させるなどの目的のため
に保護層を積層させても良い。
【００２２】本発明の透明導電薄膜付きフィルムは、透
明タッチパネルやエレクトロルミネッセンス用電極とし
て適しているだけでなく、例えば液晶表示装置、電子写
真、帯電防止材料、面発熱体、固体デイスプレイ、太陽
エネルギ−用材料などと広い用途を有する。
明タッチパネルやエレクトロルミネッセンス用電極とし
て適しているだけでなく、例えば液晶表示装置、電子写
真、帯電防止材料、面発熱体、固体デイスプレイ、太陽
エネルギ−用材料などと広い用途を有する。
【００２３】図１は、本発明の透明導電薄膜付きフィル
ムを製造するための装置の構成図の一例である。各種の
高分子フィルムのロールを基板フィルムとして巻き出し
軸４にセットし、フィルムを巻き出して図示の成膜経路
を沿って巻き取り軸７にセットされた巻き芯に巻き取り
できるようにセットする。成膜時には１１の四重極質量
分析計(超小型分圧計ＭＰＡ)で成膜中の水分圧と酸素分
圧をモニターしながら水導入量、酸素導入量を調節す
る。
ムを製造するための装置の構成図の一例である。各種の
高分子フィルムのロールを基板フィルムとして巻き出し
軸４にセットし、フィルムを巻き出して図示の成膜経路
を沿って巻き取り軸７にセットされた巻き芯に巻き取り
できるようにセットする。成膜時には１１の四重極質量
分析計(超小型分圧計ＭＰＡ)で成膜中の水分圧と酸素分
圧をモニターしながら水導入量、酸素導入量を調節す
る。
【００２４】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００２５】（カール測定）本発明の薄膜の応力による
透明導電薄膜付きフィルムとしたときの変形率の測定方
法を以下に記載するが、その変形量をカールとする。透
明導電薄膜付きフィルムを１０ｃｍ角の正方形に切り取
り、恒湿、常温下（２５℃、５０％ＲＨ環境下）で２４
時間放置する。その後該透明導電薄膜付きフィルムを水
平な支持板上に透明導電薄膜を設ける面が下になるよう
に置き、四隅の支持板からの高さの平均値（カール）が
０〜２０ｍｍの範囲内にあるものを良好な特性として評
価する。
透明導電薄膜付きフィルムとしたときの変形率の測定方
法を以下に記載するが、その変形量をカールとする。透
明導電薄膜付きフィルムを１０ｃｍ角の正方形に切り取
り、恒湿、常温下（２５℃、５０％ＲＨ環境下）で２４
時間放置する。その後該透明導電薄膜付きフィルムを水
平な支持板上に透明導電薄膜を設ける面が下になるよう
に置き、四隅の支持板からの高さの平均値（カール）が
０〜２０ｍｍの範囲内にあるものを良好な特性として評
価する。
【００２６】（断面ＴＥＭ観察方法）試料をエポキシ樹
脂に包埋後、ミクロトームで薄切した。薄切にカーボン
蒸着を行った後、透過型電子顕微鏡ＪＥＭ２０１０を用
いて２００ＫＶで測定した。
脂に包埋後、ミクロトームで薄切した。薄切にカーボン
蒸着を行った後、透過型電子顕微鏡ＪＥＭ２０１０を用
いて２００ＫＶで測定した。
【００２７】（耐熱性の評価方法）成膜直後のＩＴＯ付
フィルムの表面抵抗（Ω／ｃｍ2）Ｒ０を測定し、その
後１３０℃、４時間の熱処理を施して同様に表面抵抗
（Ω／ｃｍ2）Ｒを測定する。この熱処理後の表面抵抗
Ｒを熱処理前の表面抵抗Ｒ０で割ったものをＲ／Ｒ０耐
熱性と称する。 Ｒ／Ｒ０＝０．５〜１．５の範囲にあ
るものを良好な特性とする。
フィルムの表面抵抗（Ω／ｃｍ2）Ｒ０を測定し、その
後１３０℃、４時間の熱処理を施して同様に表面抵抗
（Ω／ｃｍ2）Ｒを測定する。この熱処理後の表面抵抗
Ｒを熱処理前の表面抵抗Ｒ０で割ったものをＲ／Ｒ０耐
熱性と称する。 Ｒ／Ｒ０＝０．５〜１．５の範囲にあ
るものを良好な特性とする。
【００２８】［実施例１］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥ
Ｔ)を用いた。該フィルムを巻き取り式マグネトロンス
パッタリング装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで
排気した。ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ
％／９５ｗｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ
／Ｏ2混合ガス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内
に１００ｓｃｃｍ導入し、かつ水と酸素の分圧比がＨ2
Ｏ／Ｏ2=２．０となるように水分を導入した。圧力を
１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの
温度を室温、投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定し
て、フィルム速度をＶｆ＝０．３ｍ／ｍｉｎとしてスパ
ッタリングを行い第１層目のＡ層を形成した。その後水
の導入を止め、それ以外はＡ層形成時と同じ条件でフィ
ルムの搬送方向を逆転させて第２層目のＢ層を形成し
た。更にフィルムの搬送方向を逆転させて第１層目と同
様の条件で第３層目を成膜してＡ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴの３
層積層構造の透明導電薄膜を形成することにより透明導
電薄膜付きフィルムを作製した。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥ
Ｔ)を用いた。該フィルムを巻き取り式マグネトロンス
パッタリング装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで
排気した。ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ
％／９５ｗｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ
／Ｏ2混合ガス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内
に１００ｓｃｃｍ導入し、かつ水と酸素の分圧比がＨ2
Ｏ／Ｏ2=２．０となるように水分を導入した。圧力を
１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの
温度を室温、投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定し
て、フィルム速度をＶｆ＝０．３ｍ／ｍｉｎとしてスパ
ッタリングを行い第１層目のＡ層を形成した。その後水
の導入を止め、それ以外はＡ層形成時と同じ条件でフィ
ルムの搬送方向を逆転させて第２層目のＢ層を形成し
た。更にフィルムの搬送方向を逆転させて第１層目と同
様の条件で第３層目を成膜してＡ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴの３
層積層構造の透明導電薄膜を形成することにより透明導
電薄膜付きフィルムを作製した。
【００２９】下記表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。カール特性は下記の比較例１、２
と比べて低減できている。また、比抵抗も比較例１、２
と比べて低減されている。
ルムの諸特性を示す。カール特性は下記の比較例１、２
と比べて低減できている。また、比抵抗も比較例１、２
と比べて低減されている。
【００３０】［比較例１］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１Ｗ
／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．１ｍ／
ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単層の透明導電薄
膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィルムを作
製した。下記表１に作製した透明導電薄膜付きフィルム
の諸特性を示す。実施例１と比べてカール特性の悪いも
のであった。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１Ｗ
／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．１ｍ／
ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単層の透明導電薄
膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィルムを作
製した。下記表１に作製した透明導電薄膜付きフィルム
の諸特性を示す。実施例１と比べてカール特性の悪いも
のであった。
【００３１】［比較例２］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ／Ｏ2=２．０
となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１０-3ｍ
Ｔｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、投入
電力密度を１Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶ
ｆ＝０．１ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単
層の透明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付
きフィルムを作製した。下記表１に作製した透明導電薄
膜付きフィルムの諸特性を示す。比較例１と比べてカー
ル特性は良好であるが耐熱性が悪かった。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ／Ｏ2=２．０
となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１０-3ｍ
Ｔｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、投入
電力密度を１Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶ
ｆ＝０．１ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単
層の透明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付
きフィルムを作製した。下記表１に作製した透明導電薄
膜付きフィルムの諸特性を示す。比較例１と比べてカー
ル特性は良好であるが耐熱性が悪かった。
【００３２】［実施例２］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して５ｘ１０-5Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に２００ｓ
ｃｃｍ導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=２．
０となるように水分を導入した。 圧力を１．０ｘ１０
-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、
投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム
速度をＶｆ＝０．１ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリング
を行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入を止
め、それ以外はＡ層形成時と同じ条件でフィルムの搬送
方向を逆転させて第２層目のＢ層を形成しＢ／Ａ／ＰＥ
Ｔ の２層積層構造の透明導電薄膜を形成することによ
り透明導電薄膜付きフィルムを作製した。下記表１に作
製した透明導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。カー
ル特性は比較例３と比べて低減できている。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して５ｘ１０-5Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に２００ｓ
ｃｃｍ導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=２．
０となるように水分を導入した。 圧力を１．０ｘ１０
-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、
投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム
速度をＶｆ＝０．１ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリング
を行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入を止
め、それ以外はＡ層形成時と同じ条件でフィルムの搬送
方向を逆転させて第２層目のＢ層を形成しＢ／Ａ／ＰＥ
Ｔ の２層積層構造の透明導電薄膜を形成することによ
り透明導電薄膜付きフィルムを作製した。下記表１に作
製した透明導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。カー
ル特性は比較例３と比べて低減できている。
【００３３】［比較例３］高分子フィルムとして厚み１
００μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
５ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリングを行い、単層の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。実施例２と比べてカール特性の悪
いものであった。
００μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
５ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリングを行い、単層の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。実施例２と比べてカール特性の悪
いものであった。
【００３４】［実施例３］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して５ｘ１０-5Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に２００ｓ
ｃｃｍ導入し 圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．１
ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリングを行い第１層目のＢ
層を形成した。その後水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=
２．０となるように水分を導入して第２層目のＡ層を形
成しＡ／Ｂ／ＰＥＴ の２層積層構造の透明導電薄膜を
形成することにより透明導電薄膜付きフィルムを作製し
た。比較例３と比べてカール特性は良好であったが実施
例２と比べてカール特性にやや劣るものであった。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して５ｘ１０-5Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に２００ｓ
ｃｃｍ導入し 圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．１
ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリングを行い第１層目のＢ
層を形成した。その後水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=
２．０となるように水分を導入して第２層目のＡ層を形
成しＡ／Ｂ／ＰＥＴ の２層積層構造の透明導電薄膜を
形成することにより透明導電薄膜付きフィルムを作製し
た。比較例３と比べてカール特性は良好であったが実施
例２と比べてカール特性にやや劣るものであった。
【００３５】［実施例４］高分子フィルムとして厚み１
００μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍを導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=
２．０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１
０-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室
温、投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィ
ルム速度をＶｆ＝０．３ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリン
グを行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入を
止め、それ以外はＡ層形成時と同じ条件でフィルムの搬
送方向を逆転させて第２層目のＢ層を形成した。この操
作を交互に繰り返してＢ／Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴ
の６層積層構造の透明導電薄膜を形成することにより
透明導電薄膜付きフィルムを作製した。表１に作製した
透明導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。カール特性
は比較例４、５と比べて低減できている。
００μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍを導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=
２．０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１
０-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室
温、投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィ
ルム速度をＶｆ＝０．３ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリン
グを行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入を
止め、それ以外はＡ層形成時と同じ条件でフィルムの搬
送方向を逆転させて第２層目のＢ層を形成した。この操
作を交互に繰り返してＢ／Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴ
の６層積層構造の透明導電薄膜を形成することにより
透明導電薄膜付きフィルムを作製した。表１に作製した
透明導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。カール特性
は比較例４、５と比べて低減できている。
【００３６】図２にＢ／Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａの６層積層
構造透明導電薄膜の断面ＴＥＭ観察結果、図３にこの写
真の模式図を示す。模式図に示すように柱状の結晶粒が
観察される層を結晶層、柱状の結晶粒が観察されないる
ものを非晶質層とする。ここで言う柱状結晶粒とは各層
の膜厚で高さが限定された円柱状の結晶のことである。
６層の積層構造が観察され膜の垂直方向の成長が切断さ
れていることが分かる。
構造透明導電薄膜の断面ＴＥＭ観察結果、図３にこの写
真の模式図を示す。模式図に示すように柱状の結晶粒が
観察される層を結晶層、柱状の結晶粒が観察されないる
ものを非晶質層とする。ここで言う柱状結晶粒とは各層
の膜厚で高さが限定された円柱状の結晶のことである。
６層の積層構造が観察され膜の垂直方向の成長が切断さ
れていることが分かる。
【００３７】［比較例４］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
５ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリングを行い、単層の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。実施例４と比べてカール特性の悪
いものであった。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
５ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリングを行い、単層の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。実施例４と比べてカール特性の悪
いものであった。
【００３８】［比較例５］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=２．
０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１０-3
ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、投
入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速
度をＶｆ＝０．０５ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリング
を行い、単層の透明導電薄膜を形成することにより透明
導電薄膜付きフィルムを作製した。表１に作製した透明
導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。実施例４と比べ
てカール特性、耐熱性の悪いものであった。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=２．
０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１０-3
ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、投
入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速
度をＶｆ＝０．０５ｍ／ｍｉｎ としてスパッタリング
を行い、単層の透明導電薄膜を形成することにより透明
導電薄膜付きフィルムを作製した。表１に作製した透明
導電薄膜付きフィルムの諸特性を示す。実施例４と比べ
てカール特性、耐熱性の悪いものであった。
【００３９】［実施例５］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍを導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=
２．０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１
０-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室
温、投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィ
ルム速度をＶｆ＝０．１２ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリ
ングを行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入
を止め第２層目のＢ層を形成した。この操作を交互に繰
り返してＢ／Ａ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴ の４層積層構造の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。カール特性は比較例６と比べて低
減できている。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍを導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=
２．０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１
０-3ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室
温、投入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィ
ルム速度をＶｆ＝０．１２ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリ
ングを行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入
を止め第２層目のＢ層を形成した。この操作を交互に繰
り返してＢ／Ａ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴ の４層積層構造の透
明導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィ
ルムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィ
ルムの諸特性を示す。カール特性は比較例６と比べて低
減できている。
【００４０】［比較例６］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
３ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単層の透明
導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィル
ムを作製した。実施例５と比べてカール特性の悪いもの
であった。表１に作製した透明導電薄膜付きフィルムの
諸特性を示す。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
３ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単層の透明
導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィル
ムを作製した。実施例５と比べてカール特性の悪いもの
であった。表１に作製した透明導電薄膜付きフィルムの
諸特性を示す。
【００４１】［実施例６］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=２．
０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１０-3
ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、投
入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速
度をＶｆ＝０．１５ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを
行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入を止め
第２層目のＢ層を形成した。この操作を交互に繰り返し
てＡ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴの５層積層構造の透明導
電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィルム
を作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィルム
の諸特性を示す。カール特性は比較例７と比べて低減で
きている。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入しかつ水と酸素の分圧比がＨ2Ｏ ／Ｏ2=２．
０となるように水分を導入した。圧力を１．０ｘ１０-3
ｍＴｏｒｒに保った後、メインロールの温度を室温、投
入電力密度を１．０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速
度をＶｆ＝０．１５ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを
行い第１層目のＡ層を形成した。その後水の導入を止め
第２層目のＢ層を形成した。この操作を交互に繰り返し
てＡ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａ／ＰＥＴの５層積層構造の透明導
電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィルム
を作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィルム
の諸特性を示す。カール特性は比較例７と比べて低減で
きている。
【００４２】［比較例７］高分子フィルムとして厚み１
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
３ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単層の透明
導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィル
ムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィル
ムの諸特性を示す。実施例６と比べてカール特性の悪い
ものであった。
００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い
た。該フィルムを巻き取り式マグネトロンスパッタリン
グ装置内に設置して６ｘ１０-6Ｔｏｒｒまで排気した。
ターゲットにはＩＴＯ（Ｓｎ／Ｉｎ＝５ｗｔ％／９５ｗ
ｔ％）ターゲットを用いた。その後、 Ａｒ／Ｏ2混合ガ
ス（Ｏ2：Ａｒ＝１．２：９８．８）を槽内に１００ｓ
ｃｃｍ導入し、圧力を１．０ｘ１０-3ｍＴｏｒｒに保っ
た後、メインロールの温度を室温、投入電力密度を１．
０Ｗ／ｃｍ2に設定して、フィルム速度をＶｆ＝０．０
３ｍ／ｍｉｎとしてスパッタリングを行い、単層の透明
導電薄膜を形成することにより透明導電薄膜付きフィル
ムを作製した。表１に作製した透明導電薄膜付きフィル
ムの諸特性を示す。実施例６と比べてカール特性の悪い
ものであった。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【発明の効果】本発明により、ロールツーロール方式の
スパッタリング法を用いて、少なくとも1層が非晶質で
ある透明導電薄膜を複数回積層して目的の膜厚を得るこ
とによってカールの小さい透明導電薄膜付きフィルムを
提供できる。
スパッタリング法を用いて、少なくとも1層が非晶質で
ある透明導電薄膜を複数回積層して目的の膜厚を得るこ
とによってカールの小さい透明導電薄膜付きフィルムを
提供できる。
【図１】本発明に用いることのできる一般的なロールツ
ーロール式成膜法の製造装置の断面図である。
ーロール式成膜法の製造装置の断面図である。
【図２】実施例４におけるＢ／Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ／Ａの６
層積層構造の透明導電薄膜の断面ＴＥＭ観察の断面図で
ある。
層積層構造の透明導電薄膜の断面ＴＥＭ観察の断面図で
ある。
【図３】実施例４における透明導電薄膜の断面ＴＥＭ観
察の模式図である。
察の模式図である。
１． 真空チャンバー ２． 長尺ロール状ポリマーフィルム ３． ターゲット ４． 巻きだし軸 ５． メインロール ６． サブロール ７． 巻き取り軸 ８． Ａｒガス導入系 ９． Ｏ2ガス導入系 １０．Ｈ2Ｏ導入系 １１．四重極質量分析計（ＭＰＡ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 寛 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA17C AA28B AA28C AA33 AK01A AK42 BA03 BA07 BA10A BA10C BA13 JA12C JA20A JG01B JG01C JM02B JM02C JN01B JN01C YY00A 5G307 FA02 FB01 5G323 BA01 BA02 BB05
Claims (4)
- 【請求項１】 高分子フィルムとその上に積層された複
数の透明導電薄膜とからなり、該透明導電薄膜の少なく
とも１層が非晶質であることを特徴とする透明導電薄膜
付きフィルム。 - 【請求項２】 透明導電薄膜が、インジウム酸化物を主
成分としてなり、かつ錫、亜鉛およびガリウムの酸化物
から選ばれた少なくとも１種の酸化物を含むことを特徴
とする請求項1記載の透明導電薄膜付きフィルム。 - 【請求項３】 高分子フィルムの膜厚が０．００２５ｍ
ｍ以上０．４ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１
または２に記載の透明導電薄膜付きフィルム。 - 【請求項４】 高分子フィルム上に複数の透明導電薄膜
を積層して透明導電薄膜付きフィルムを製造する方法に
おいて、高分子フィルム上に結晶性が異なる２層以上の
透明導電薄膜を形成することを特徴とする透明導電薄膜
付きフィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000243145A true JP2000243145A (ja) | 2000-09-08 |
| JP4842416B2 JP4842416B2 (ja) | 2011-12-21 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4842416B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164745A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Kitagawa Ind Co Ltd | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
| JP2009224152A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネル |
| JP2013126718A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体および導電パターンフィルム製造方法 |
| US20140353140A1 (en) * | 2011-11-28 | 2014-12-04 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing transparent electroconductive film |
| JP2018171877A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体 |
| WO2021241118A1 (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電性シート、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110785567B (zh) | 2018-05-14 | 2021-06-01 | 日立江森自控空调有限公司 | 空调机 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4716721B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2011-07-06 | 北川工業株式会社 | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
| JP2006164745A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Kitagawa Ind Co Ltd | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
| JP2009224152A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネル |
| JP4687733B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2011-05-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明電極、透明導電性基板および透明タッチパネル |
| CN109930109B (zh) * | 2011-11-28 | 2021-06-29 | 日东电工株式会社 | 透明导电膜的制造方法 |
| US20140353140A1 (en) * | 2011-11-28 | 2014-12-04 | Nitto Denko Corporation | Method for manufacturing transparent electroconductive film |
| CN109930109A (zh) * | 2011-11-28 | 2019-06-25 | 日东电工株式会社 | 透明导电膜的制造方法 |
| JP2013126718A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層体および導電パターンフィルム製造方法 |
| JP2018171877A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体 |
| JP7014353B2 (ja) | 2017-03-31 | 2022-02-01 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体 |
| WO2021241118A1 (ja) * | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電性シート、タッチセンサ、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ、電磁波シールド部材および画像表示装置 |
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