JP2000207953A - Nanocable and its manufacture - Google Patents
Nanocable and its manufactureInfo
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- JP2000207953A JP2000207953A JP11010432A JP1043299A JP2000207953A JP 2000207953 A JP2000207953 A JP 2000207953A JP 11010432 A JP11010432 A JP 11010432A JP 1043299 A JP1043299 A JP 1043299A JP 2000207953 A JP2000207953 A JP 2000207953A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、太さが数十ナノメ
ートル以下の同軸ケーブルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coaxial cable having a thickness of several tens of nanometers or less.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ナノチューブ構造のチューブ内
に、コアとしてナノチューブと異なった物質を取り込ん
だヘテロ構造が実現している。例えば、毛管現象を利用
して、金属あるいはその化合物をナノチューブ内に注入
する技術が発表されている(Ajayan, P. M. and Iijima,
S, Nature 361, 333 (1993); Tsang, S. C., Chen, Y.
K., Harris, P.J. F., and Green, M. L. H., Nature
372, 159 (1994); Ugarte,D., Chatelain,A., and de H
eer, W. A., Science 274, 1897 (1996)、参照)。2. Description of the Related Art Conventionally, a heterostructure in which a substance different from a nanotube is taken in as a core has been realized in a tube having a nanotube structure. For example, a technique for injecting a metal or its compound into nanotubes using capillary action has been announced (Ajayan, PM and Iijima,
S, Nature 361, 333 (1993); Tsang, SC, Chen, Y.
K., Harris, PJF, and Green, MLH, Nature
372, 159 (1994); Ugarte, D., Chatelain, A., and de H
eer, WA, Science 274, 1897 (1996)).
【０００３】また、直接アーク放電を用いて、蒸気から
金属あるいはその化合物を内包するカーボンナノチュー
ブも合成されている(Seraphin,S., Zhou, D., Jiao,
J., Withers, J. C., and Loutfy, R., Nature 362, 50
3 (1993); Loiseau, A. and Pascard,H., Chem. Phys.
Lett. 256, 246 (1996); Terrones, M., et al., Appl.
Phys. A66, 307 (1998)、参照）。[0003] In addition, carbon nanotubes containing metals or their compounds from vapor have also been synthesized using direct arc discharge (Seraphin, S., Zhou, D., Jiao,
J., Withers, JC, and Loutfy, R., Nature 362, 50
3 (1993); Loiseau, A. and Pascard, H., Chem. Phys.
Lett. 256, 246 (1996); Terrones, M., et al., Appl.
Phys. A66, 307 (1998).
【０００４】このようなカーボンナノチューブにおい
て、炭化物との接合は特に注目される。なぜなら、一般
的に、炭化物は、炭素前駆体として生成され、それ自
身、半導体的から金属的、超伝導的、または絶縁体的に
振る舞う、非常に興味ある電気的性質を持っているから
である。このようなカーボンナノチューブと、直径や螺
旋状態によって、半導体あるいは金属的になる単層カー
ボンナノチューブ特有の電気的性質（Dresselhaus, M.
S.,Dresselhaus, G., and Eklund, P., Science ofFull
erenes and Carbon Nanotubes (New York, Academic Pr
ess, 1996)）とが結びついて、多様な機能素子の実現が
期待できる。例えば、外側のチューブを絶縁性、内側の
コア部を導電性にすれば、微細なケーブルとして利用で
きる。[0004] In such carbon nanotubes, bonding with carbides is particularly noted. Because, in general, carbides are formed as carbon precursors, and themselves have very interesting electrical properties that behave semiconductingly, metallically, superconducting, or insulating. . Depending on such carbon nanotubes, depending on the diameter and spiral state, the electrical properties of single-walled carbon nanotubes that are semiconducting or metallic (Dresselhaus, M.
S., Dresselhaus, G., and Eklund, P., Science of Full
erenes and Carbon Nanotubes (New York, Academic Pr
ess, 1996)) can be expected to realize various functional devices. For example, if the outer tube is made insulative and the inner core is made conductive, it can be used as a fine cable.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のヘテロ
構造では、同軸ケーブルを形成することはできなかっ
た。その理由は、同軸ケーブル構造を実現するには２層
の導体層と層間の絶縁層が必要であったからである。However, a coaxial cable cannot be formed with the conventional hetero structure. The reason is that two conductor layers and an insulating layer between the layers are required to realize the coaxial cable structure.
【０００６】そこで、本発明の技術的課題は、従来は実
現が不可能であった、同軸構造を備えたナノケーブルと
その製造方法とを提供することにある。Accordingly, it is an object of the present invention to provide a nanocable having a coaxial structure and a method of manufacturing the same, which have not been realized conventionally.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のナノケーブルで
は、ナノチューブのチューブ内に２種類以上の材料から
なるコア部を有することを特徴としている。The nanocable according to the present invention is characterized in that a nanotube tube has a core portion made of two or more kinds of materials.
【０００８】また、本発明のナノケーブルでは、前記ナ
ノケーブルにおいて、前記コア部の１種類の材料が結晶
構造を有することを特徴としている。[0008] In the nanocable according to the present invention, in the nanocable, one kind of the material of the core has a crystal structure.
【０００９】また、本発明のナノケーブルでは、前記ナ
ノケーブルにおいて、前記コア部の１種類の材料が非結
晶構造を有することを特徴としている。Further, in the nanocable according to the present invention, in the nanocable, one kind of material of the core has an amorphous structure.
【００１０】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記コア部は、各材料
ごとに互いに同軸構造を有することを特徴としている。[0010] Further, in the nanocable according to the present invention, in any of the nanocables described above, the core portion has a coaxial structure for each material.
【００１１】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記ナノチューブと前
記コア部は互いに同軸構造を有することを特徴としてい
る。Further, in the nano cable according to the present invention, in any one of the nano cables, the nanotube and the core have a coaxial structure with each other.
【００１２】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記コア部の中心に導
体層又は半導体層が設けられ、その外側に絶縁層が設け
られていることを特徴としている。Further, in the nano cable according to the present invention, in any one of the nano cables, a conductor layer or a semiconductor layer is provided at the center of the core portion, and an insulating layer is provided outside the core. .
【００１３】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記コア部の中心が炭
化シリコンであることを特徴としている。Further, in the nanocable according to the present invention, in any one of the nanocables, the center of the core portion is made of silicon carbide.
【００１４】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記コア部の中心部を
被覆する絶縁層がシリコン酸化層、又は二酸化シリコン
であることを特徴としている。Further, in the nanocable according to the present invention, in any one of the above nanocables, the insulating layer covering the center of the core is a silicon oxide layer or silicon dioxide.
【００１５】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記ナノチューブが単
層構造又は多層構造であることを特徴としている。Further, in the nano cable according to the present invention, in any one of the nano cables, the nanotube has a single-layer structure or a multi-layer structure.
【００１６】また、本発明のナノケーブルでは、前記い
ずれかのナノケーブルにおいて、前記ナノチューブが、
ホウ素、窒素、及び炭素の内の少なくとも１種の元素か
ら構成されていることを特徴としている。Further, in the nanocable according to the present invention, in any one of the above nanocables, the nanotube may be:
It is characterized by being composed of at least one element of boron, nitrogen and carbon.
【００１７】即ち、本発明のナノケーブルの基本的な構
成の一つは、コア部の中心に導体層が設けられ、その外
側に絶縁層が設けられたものであるが、例えば、半導体
−絶縁体−半導体（もしくは半導体−絶縁体−金属）の
放射方向における異質（ヘテロ）接合を構成することも
できる。以下、これらを総称して「同軸ナノケーブル」
と呼ぶ。That is, one of the basic constitutions of the nano cable of the present invention is that a conductor layer is provided at the center of a core portion and an insulating layer is provided outside the conductor layer. A heterogeneous (hetero) junction in the body-semiconductor (or semiconductor-insulator-metal) radiation direction can also be configured. Hereinafter, these are collectively referred to as “coaxial nano cable”
Call.
【００１８】また、本発明のナノケーブルを製造する方
法では、レーザーアブレーション法によるナノケーブル
の製造方法において、レーザービームターゲットに、窒
化ホウ素、炭素、酸化シリコンおよび窒化リチウム（Ｌ
ｉ3Ｎ）を含むことを特徴としている。In the method for manufacturing a nanocable according to the present invention, in the method for manufacturing a nanocable by laser ablation, boron laser, carbon, silicon oxide and lithium nitride (L
i 3 N).
【００１９】さらに、本発明のナノケーブルの製造方法
では、レーザーアブレーション法によるナノケーブルの
製造方法において、レーザービームターゲットに、窒化
ホウ素、炭素、および窒化リチウム（Ｌｉ3Ｎ）を含
み、酸化シリコン蒸気を流す工程を含むことを特徴とし
ている。Further, in the method for producing a nanocable according to the present invention, in the method for producing a nanocable by a laser ablation method, the laser beam target contains boron nitride, carbon, and lithium nitride (Li 3 N), Characterized in that it includes a step of flowing.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２１】図１は本発明の実施の形態による同軸ナノ
ケーブルの基本構造を模式的に示す断面斜視図である。
図１を参照すると、本発明の実施の形態によるナノケー
ブル１０は、コア部と外皮とを備え、コア部は、芯部３
と、その周囲を覆う絶縁層２とを備え、また、外皮は、
コア部の周囲を覆うナノチューブ１を備えている。FIG. 1 is a sectional perspective view schematically showing a basic structure of a coaxial nano cable according to an embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 1, a nano cable 10 according to an embodiment of the present invention includes a core portion and an outer cover, and the core portion includes a core portion 3.
And an insulating layer 2 covering the periphery thereof.
A nanotube 1 is provided to cover the periphery of the core.
【００２２】このナノケーブル１０において、芯部３が
１種類の材料から成る場合には、結晶構造を有するもの
であっても、非結晶構造を有するものであってもよい。
また、芯部３が２種類以上の材料からなる場合には、材
料ごとに互いに同軸構造をとることができる。In the nano cable 10, when the core 3 is made of one kind of material, it may have a crystalline structure or a non-crystalline structure.
When the core 3 is made of two or more types of materials, each material can have a coaxial structure.
【００２３】また、コア部の中心である芯部３として、
導体層又は半導体層が設けられ、その外側に絶縁層２が
設けられる。芯部３は、炭化シリコンであり、芯部３を
被覆する絶縁層２は、シリコン酸化層、あるいは二酸化
シリコンを用いることができるが、図１の例において
は、非結晶質二酸化シリコン層から形成されている。Further, as the core 3 which is the center of the core,
A conductor layer or a semiconductor layer is provided, and an insulating layer 2 is provided outside the conductor layer or the semiconductor layer. The core 3 is made of silicon carbide, and the insulating layer 2 covering the core 3 can be made of a silicon oxide layer or silicon dioxide. In the example of FIG. 1, the insulating layer 2 is made of an amorphous silicon dioxide layer. Have been.
【００２４】また、ナノケーブル１０において、外皮を
構成するナノチューブ１は、単層構造であっても多層構
造であってもよく、ホウ素、窒素、または炭素の元素か
ら構成することができるが、図１に示される例において
は、ＢＮとＣの多層チューブから形成されている。In the nano cable 10, the nanotube 1 constituting the outer sheath may have a single-layer structure or a multi-layer structure, and can be composed of boron, nitrogen or carbon. In the example shown in FIG. 1, it is formed from a multilayer tube of BN and C.
【００２５】以上説明した本発明の実施の形態によるナ
ノケーブル１０は、例えば、以下のように製造される。The nanocable 10 according to the embodiment of the present invention described above is manufactured, for example, as follows.
【００２６】レーザーアブレーション法によるナノケー
ブルの形成方法において、レーザービームターゲットに
窒化ホウ素、炭素、酸化シリコンおよび窒化リチウム
（Ｌｉ3Ｎ）を含むものを用いる。In a method of forming a nano cable by a laser ablation method, a laser beam target containing boron nitride, carbon, silicon oxide, and lithium nitride (Li 3 N) is used.
【００２７】また、レーザーアブレーション法によるナ
ノケーブルの形成において、酸化シリコンは、酸化シリ
コン蒸気を流す工程によって形成することもできる。In the formation of the nano cable by the laser ablation method, the silicon oxide may be formed by a step of flowing a silicon oxide vapor.
【００２８】実験的に決定されたナノケーブルの構造
は、軸方向においてナノワイヤーとナノチューブの両方
を兼ね備えており、そして理想的な半導体−絶縁体−半
導体（もしくは半導体−絶縁体−金属）の放射方向にお
ける異種（ヘテロ）接合を構成するので、電子輸送もし
くはナノ装置にきわめて重要である。ナノケーブルの重
要性は、それ自身の優れた構造のみならず、構造形成の
制御にもある。The experimentally determined structure of a nanocable combines both nanowires and nanotubes in the axial direction, and emits ideal semiconductor-insulator-semiconductor (or semiconductor-insulator-metal) radiation. It is very important for electron transport or nanodevices, as it constitutes a heterojunction in the direction. The importance of nanocables lies not only in their own excellent structure, but also in the control of structure formation.
【００２９】ナノケーブルの成長は２段階に分けられ
る。第１段階は、Ｃ（固体または蒸気）＋２ＳｉＯ（ガ
ス）→ＳｉＣ（固体）＋ＳｉＯ2（固体）の反応による
ＳｉＣ−ＳｉＯ2ナノワイヤーの形成である。第２段階
は、ＢＮ及びＣのナノ領域への分離による、ＢＣＮ鞘の
被覆である。The growth of nanocables can be divided into two stages. The first stage is the formation of SiC—SiO 2 nanowires by the reaction of C (solid or vapor) + 2SiO (gas) → SiC (solid) + SiO 2 (solid). The second step is the coating of the BCN sheath by separation of BN and C into nano-regions.
【００３０】このナノケーブルの内部にＬｉは検出され
なかったが、グラファイト様（graphitic or graphot
e-like）の鞘の形成において、Ｌｉは重大な役割を果た
すことを見出した。Although Li was not detected inside the nanocable, it was found to be graphite-like or graphot-like.
Li has been found to play a critical role in the formation of e-like sheaths.
【００３１】出発物質にＬｉ3Ｎがないと、グラファイ
ト様の鞘のない、ＳｉＣ−ＳｉＯ2ワイヤーのみが形成
される。チューブ状ＢＮ層は、グラファイトテンプレー
トなしでは形成が困難であるが、Ｃは実験温度（１２０
０℃）でＳｉＯと容易に反応するので、上記の結果は驚
くべきことではない。Ｌｉが出発原料に存在すると、Ｓ
ｉＯに対するＬｉの高い反応性は、外側のＣ層がＳｉＯ
との反応を避けて、テンプレートの役割を果たすことに
よるのであろう。さらに、Ｌｉはグラファイト状ＢＮの
生成を促進することができる。その結果、ナノチューブ
内に導体層とそれを被覆する同軸構造の絶縁層が設けら
れ、チューブの導電性と組み合わせることにより、同軸
（ナノ）ケーブルの実現が可能になる。In the absence of Li 3 N in the starting material, only a SiC—SiO 2 wire without a graphite-like sheath is formed. The tubular BN layer is difficult to form without a graphite template, but C is the experimental temperature (120
The above results are not surprising since they readily react with SiO at 0 ° C). If Li is present in the starting material, S
The high reactivity of Li to iO is that the outer C layer is SiO 2
This is probably because the role of the template is avoided, avoiding the reaction with. In addition, Li can promote the formation of graphite-like BN. As a result, a conductive layer and an insulating layer having a coaxial structure that covers the conductive layer are provided in the nanotube, and a coaxial (nano) cable can be realized by combining this with the conductivity of the tube.
【００３２】以下に、本発明の実施の形態による同軸ナ
ノケーブルの一製造例について、説明する。Hereinafter, an example of manufacturing a coaxial nanocable according to an embodiment of the present invention will be described.
【００３３】本発明の技術を用いて太さ数十ｎｍ以下の
同軸ケーブルを実現した。Using the technology of the present invention, a coaxial cable having a thickness of several tens nm or less has been realized.
【００３４】用いたレーザーアブレーション装置は、T.
Guo et al(Chem.Phys.Lett.243 (1955)49)の装置を原形
とするもので、レーザーとして、Ｎｄ：ＹＡＧパルスレ
ーザーの２次高調波（波長５３２ｎｍ）を用いた。パル
スレートは１０Ｈｚ，パルス幅は６〜７ｎｓであった。The laser ablation apparatus used was T.
The apparatus is based on the apparatus of Guo et al (Chem. Phys. Lett. 243 (1955) 49), and uses a second harmonic (wavelength: 532 nm) of a Nd: YAG pulse laser as a laser. The pulse rate was 10 Hz and the pulse width was 6-7 ns.
【００３５】ターゲットとして、窒化ホウ素、炭素、酸
化シリコン、および窒化リチウム（Ｌｉ3Ｎ）を混合圧
縮した。ターゲット上でのエネルギー密度は約３Ｊ／ｃ
ｍ2であった。ターゲットは、電気炉中で１２００℃に
加熱した石英反応管の中央にセットした。流量３００ｓ
ｃｃｍの窒素ガスを導入し、全体の圧力を５００ｔｏｒ
ｒに調整した。生成物を炉の下流で収集した。As a target, boron nitride, carbon, silicon oxide, and lithium nitride (Li 3 N) were mixed and compressed. The energy density on the target is about 3 J / c
m 2 . The target was set at the center of a quartz reaction tube heated to 1200 ° C. in an electric furnace. Flow rate 300s
ccm of nitrogen gas was introduced and the total pressure was increased to 500 torr.
adjusted to r. The product was collected downstream of the furnace.
【００３６】尚、酸化シリコンガスを流して窒化ホウ
素、炭素、および窒化リチウム（Ｌｉ3Ｎ）と高温下で
反応させる方法でも同様の生成物が得られた。A similar product was obtained by flowing silicon oxide gas and reacting it with boron nitride, carbon, and lithium nitride (Li 3 N) at a high temperature.
【００３７】得られた生成物の透過電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）観察により、同軸ナノケーブルが形成できたことを
確認した。A transmission electron microscope (TE) of the obtained product
M) Observation confirmed that a coaxial nanocable could be formed.
【００３８】図２は本発明の実施の形態によるナノケー
ブルの結晶構造を示す低倍率写真である。図３は、本発
明の実施の形態によるナノケーブル先端の結晶構造とそ
のコア部分の炭化シリコンの電子回折像を示す電子顕微
鏡写真である。図４は、ナノケーブルの詳細な多層構造
の組識を示す高分解能像の電子顕微鏡写真である。FIG. 2 is a low magnification photograph showing the crystal structure of the nanocable according to the embodiment of the present invention. FIG. 3 is an electron micrograph showing the crystal structure of the tip of the nanocable according to the embodiment of the present invention and an electron diffraction image of silicon carbide at the core thereof. FIG. 4 is an electron micrograph of a high-resolution image showing a detailed multi-layer structure of the nanocable.
【００３９】図２において、網状の像は試料の支持膜で
ある。In FIG. 2, the reticulated image is the supporting film of the sample.
【００４０】また、図３において、左上の拡大像が外側
の鞘であるチューブ部分の構造、右下の拡大像がコア部
分の炭化シリコン結晶構造を示している。In FIG. 3, the enlarged image on the upper left shows the structure of the tube portion as the outer sheath, and the enlarged image on the lower right shows the silicon carbide crystal structure of the core portion.
【００４１】レーザーアブレーション法で得られた、図
２に示すナノケーブルは、数十μｍ以下の長さと数十ナ
ノメートルの直径を有する、高アスペクト比をもち、ま
た直径は比較的均一である。The nanocable shown in FIG. 2 obtained by the laser ablation method has a length of less than several tens of μm and a diameter of several tens of nanometers, has a high aspect ratio, and is relatively uniform in diameter.
【００４２】また、拡大した図３では、ナノケーブルが
結晶構造のコア部分と、これを囲む非結晶構造の層とを
有することが示されている。FIG. 3 is an enlarged view showing that the nanocable has a core portion having a crystalline structure and a layer having an amorphous structure surrounding the core portion.
【００４３】図３に挿入した回折パターンは、結晶構造
のコア部分がβ相ＳｉＣで、電子線に平行な＜１１０＞
軸を有することを示しいる。｛１１１｝面からの回折ス
ポットはアスタリスク（*）が付され、これは双晶面を
示している。積層欠陥の存在は、ＳｉＣコア部分が、Ｃ
とＳｉＣの固−気反応により形成されたことを暗示して
いる。The diffraction pattern inserted in FIG. 3 shows that the core part of the crystal structure is β-phase SiC and <110> parallel to the electron beam.
Has an axis. The diffraction spot from the {111} plane is marked with an asterisk (*), indicating a twin plane. The existence of stacking faults indicates that the SiC core
And SiC by a solid-gas reaction.
【００４４】また、図４では、非結晶構造の鞘の外側に
別のグラファイト様の鞘が見られる。鞘からの格子の縁
（図４の左上に挿入）は、層間距離が約０．３５ｎｍで
あり、ＢＮまたはＣのターボストレイティックグラファ
イテック（turbostratic graphitic）層の（００２）間
隔に近いことを示している。結晶構造のＳｉＣコア部分
（図３の右下部に挿入）から、約０．２５ｎｍの（１１
１）面間隔をもつ典型的なフェースセンター（面心）立
方相の＜１１０＞プロジェクションを見ることができ
る。ここに示された構造は、信号伝送に使用されている
通常の同軸ケーブルと同じである。In FIG. 4, another graphite-like sheath can be seen outside the sheath having an amorphous structure. The edge of the grating from the sheath (inserted in the upper left of FIG. 4) indicates that the interlayer distance is about 0.35 nm, close to the (002) spacing of the BN or C turbostratic graphitic layers. ing. From the SiC core portion of the crystal structure (inserted in the lower right part of FIG. 3), about (0.25 nm) (11
1) A typical face center (face center) cubic phase <110> projection with face spacing can be seen. The structure shown here is the same as a normal coaxial cable used for signal transmission.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明にれば、コ
ア部の中心領域と外側の鞘であるチューブ部分が２層の
導体層となり、また中間層の二酸化シリコン層が絶縁層
となるので、従来は実現が不可能であった、同軸ナノケ
ーブルとその製造方法とを提供することができる。As described above, according to the present invention, the central region of the core portion and the tube portion which is the outer sheath become two conductor layers, and the intermediate silicon dioxide layer becomes the insulating layer. Therefore, it is possible to provide a coaxial nanocable and a method for manufacturing the same, which have not been realized conventionally.
【図１】本発明の実施の形態によるナノケーブルの基本
構造の概略を示す断面斜視図である。FIG. 1 is a cross-sectional perspective view schematically showing a basic structure of a nanocable according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態によるナノケーブルの結晶
構造を示す低倍率電子顕微鏡写真である。FIG. 2 is a low magnification electron micrograph showing a crystal structure of a nanocable according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態によるナノケーブル先端の
結晶構造とそのコア部分の炭化シリコンの電子回折像を
示す電子顕微鏡写真である。FIG. 3 is an electron micrograph showing a crystal structure of a tip of a nanocable according to an embodiment of the present invention and an electron diffraction image of silicon carbide in a core portion thereof.
【図４】ナノケーブルの詳細な多層構造の組識を示す高
分解能像の電子顕微鏡写真である。FIG. 4 is an electron micrograph of a high-resolution image showing a detailed multi-layer structure of a nanocable.
１ ナノチューブ ２ 絶縁層 ３ 芯部 １０ ナノケーブル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Nanotube 2 Insulating layer 3 Core part 10 Nano cable
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 594131887 サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェ ルシュ・シアンティフィク−シーエヌアー ルエス ＣＥＮＴＲＥ ＮＡＴＩＯＮＡＬ ＤＥ ＬＡ ＲＥＣＨＥＲＣＨＥ ＳＣＩＥＮＴ ＩＦＩＱＵＥ−ＣＮＲＳ フランス国 75794 パリ・セデックス 16リュ・ミシェル・アンジュ ３ (72)発明者 張 躍鋼 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 飯島 澄男 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 末永 和知 埼玉県川口市本町四丁目１番８号 科学技 術振興事業団内 (72)発明者 クリスチャン コーリアックス フランス国 75794 パリ・セデックス 16 リュ・ミシェル・アンジュ ３ サン トル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシ ュ・シアンティフィク−シーエヌアールエ ス内 Ｆターム(参考） 5G319 FC01 FC08 FC26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (71) Applicant 594131887 Center National de la Ruche Rousse Cantififi-Cenaures CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENT IFIQUE-CNRS France 75794 Paris Cedex 16Ru Michel Anju 3 (72) Inventor Zhang Yugang 5-7-1, Shiba, Minato-ku, Tokyo Within the NEC Corporation (72) Inventor Sumio Iijima 5-7-1, Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation (72) Inventor Kazuchi Suenaga 4-8-1, Honcho, Kawaguchi City, Saitama Prefecture Within the Science and Technology Promotion Agency (72) Inventor Christian Coriacs France 75794 Paris Cedex 16 Rue Michel A No. 3 Center National de la Rousselle Cyanifice-FN Term in CNR (reference) 5G319 FC01 FC08 FC26
Claims (12)
２種類の材料からなるコア部を有することを特徴とする
ナノケーブル。1. A nano cable having a core made of at least two kinds of materials in a nanotube tube.
て、前記コア部の１種類の材料が結晶構造を有すること
を特徴とするナノケーブル。2. The nanocable according to claim 1, wherein one material of the core has a crystal structure.
前記コア部の１種類の材料が非結晶構造を有することを
特徴とするナノケーブル。3. The nanocable according to claim 1, wherein
A nano cable, wherein one kind of material of the core portion has an amorphous structure.
ナノケーブルにおいて、前記コア部は、各材料ごとに互
いに同軸構造を有することを特徴とするナノケーブル。4. The nanocable according to claim 1, wherein the core has a coaxial structure for each material.
ナノケーブルにおいて、前記ナノチューブと前記コア部
分は互いに同軸構造を有することを特徴とするナノケー
ブル。5. The nanocable according to claim 1, wherein the nanotube and the core have a coaxial structure with each other.
ナノケーブルにおいて、前記コア部の中心に導体層又は
半導体層が設けられ、その外側に絶縁層が設けられてい
ることを特徴とするナノケーブル。6. The nanocable according to claim 1, wherein a conductor layer or a semiconductor layer is provided at a center of the core portion, and an insulating layer is provided outside the conductor layer or the semiconductor layer. And nano cable.
ナノケーブルにおいて、前記コア部の中心が炭化シリコ
ンであることを特徴とするナノケーブル。7. The nanocable according to claim 1, wherein a center of the core is made of silicon carbide.
いて、前記コア部の中心部を被覆する絶縁層がシリコン
酸化層、又は二酸化シリコンであることを特徴とするナ
ノケーブル。8. The nanocable according to claim 6, wherein the insulating layer covering the center of the core is a silicon oxide layer or silicon dioxide.
ナノケーブルにおいて、前記ナノチューブが単層又は多
層構造であることを特徴とするナノケーブル。9. The nanocable according to claim 1, wherein the nanotube has a single-layer or multi-layer structure.
のナノケーブルにおいて、前記ナノチューブが、ホウ
素、窒素、及び炭素の内の少なくとも１種の元素から構
成されていることを特徴とするナノケーブル。10. The nanocable according to claim 1, wherein the nanotube is composed of at least one element of boron, nitrogen, and carbon. Nano cable.
ケーブルの製造方法において、レーザービームターゲッ
トに、窒化ホウ素、炭素、酸化シリコンおよび窒化リチ
ウム（Ｌｉ3Ｎ）を含むことを特徴とするナノケーブル
の製造方法。11. A method for producing a nanocable according to a laser ablation method, wherein the laser beam target contains boron nitride, carbon, silicon oxide, and lithium nitride (Li 3 N).
ケーブルの製造方法において、レーザービームターゲッ
トに、窒化ホウ素、炭素、および窒化リチウム（Ｌｉ3
Ｎ）を含み、酸化シリコン蒸気を流す工程を含むことを
特徴とするナノケーブルの製造方法。12. A method for manufacturing a nanocable according to a laser ablation method, wherein a boron nitride, carbon, and lithium nitride (Li 3
N), and a step of flowing a silicon oxide vapor.
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