JP2000196149A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光した光の横からの漏れ防止や、一導電型
半導体層の露出工程における選択的エッチング液の採用
により、逆導電型半導体層とコンタクトして基板上に引
き出される個別電極がメサ形状不良により断線するとい
う問題があった。 【解決手段】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電
型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を
設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半
導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記一導電型半導体層の露出部における前記逆導電
型半導体層の側壁部を一導電型半導体層の露光の工程に
おいて順メサ構造となるようにパターニングしたことを
特徴とする。
半導体層の露出工程における選択的エッチング液の採用
により、逆導電型半導体層とコンタクトして基板上に引
き出される個別電極がメサ形状不良により断線するとい
う問題があった。 【解決手段】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電
型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を
設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半
導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記一導電型半導体層の露出部における前記逆導電
型半導体層の側壁部を一導電型半導体層の露光の工程に
おいて順メサ構造となるようにパターニングしたことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられる半導体発光装置に関する。
し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源など
に用いられる半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
半導体発光装置を図４および図５に示す。図４は断面
図、図５は平面図である。図４および図５において、２
１は半導体基板、２２は一導電型半導体層、２３は逆導
電型半導体層、２４は個別電極、２５は共通電極であ
る。
半導体発光装置を図４および図５に示す。図４は断面
図、図５は平面図である。図４および図５において、２
１は半導体基板、２２は一導電型半導体層、２３は逆導
電型半導体層、２４は個別電極、２５は共通電極であ
る。
【０００３】半導体基板２１上に、一導電型半導体層２
２と逆導電型半導体層２３を一導電型半導体層２２より
も逆導電型半導体層２３が小面積となるように設けると
共に、この一導電型半導体層２２の露出部Ｒに共通電極
２５（２５ａ、２５ｂ）を接続して設け、逆導電型半導
体層２３に個別電極２４を接続して設けている。なお、
図４中、２６は窒化シリコン膜などから成る保護膜であ
る。また、図４に示すように、共通電極２５（２５ａ、
２５ｂ）は隣接する島状半導体層２２、２３ごとに異な
る群に属するように二群に分けて接続して設けられ、隣
接する島状半導体層２２、２３が同じ個別電極２４に接
続されている。
２と逆導電型半導体層２３を一導電型半導体層２２より
も逆導電型半導体層２３が小面積となるように設けると
共に、この一導電型半導体層２２の露出部Ｒに共通電極
２５（２５ａ、２５ｂ）を接続して設け、逆導電型半導
体層２３に個別電極２４を接続して設けている。なお、
図４中、２６は窒化シリコン膜などから成る保護膜であ
る。また、図４に示すように、共通電極２５（２５ａ、
２５ｂ）は隣接する島状半導体層２２、２３ごとに異な
る群に属するように二群に分けて接続して設けられ、隣
接する島状半導体層２２、２３が同じ個別電極２４に接
続されている。
【０００４】この場合、逆導電型半導体層２３を例えば
ガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素などの化合物
半導体で形成すると、島状半導体層２２、２３の対向す
る側壁部は一組側Ｗ1 が順メサ構造となり、他の組側Ｗ
2 が逆メサ構造になる。
ガリウム砒素やアルミニウムガリウム砒素などの化合物
半導体で形成すると、島状半導体層２２、２３の対向す
る側壁部は一組側Ｗ1 が順メサ構造となり、他の組側Ｗ
2 が逆メサ構造になる。
【０００５】この順メサ構造は＜１ １０＞方向にあら
われ、この＜１ １０＞方向に個別電極２４と共通電極
２５を引き出していた。
われ、この＜１ １０＞方向に個別電極２４と共通電極
２５を引き出していた。
【０００６】ところが、この従来の半導体発光装置で
は、島状半導体層２２、２３における電極２４、２５の
引き出し方向とは異なる側壁部Ｗ2 から光漏れが発生す
るのを防止するために、この側壁部Ｗ2 を電極材料で被
覆しようとすると、この側壁部Ｗ2 は逆メサ構造である
ことから、良好に被覆できず、結局光漏れは防止できな
いという問題があった。
は、島状半導体層２２、２３における電極２４、２５の
引き出し方向とは異なる側壁部Ｗ2 から光漏れが発生す
るのを防止するために、この側壁部Ｗ2 を電極材料で被
覆しようとすると、この側壁部Ｗ2 は逆メサ構造である
ことから、良好に被覆できず、結局光漏れは防止できな
いという問題があった。
【０００７】そこで、この側壁部Ｗ2 の逆メサ構造を和
らげるために、逆メサの角度が小さくなるエッチング液
でエッチングすると、逆メサ構造が緩やかになるもの
の、今度は順メサ側の側壁部Ｗ1 が切り立ち、この順メ
サ側の側壁部Ｗ1 での電極の断線が頻繁に発生するとい
う問題があった。
らげるために、逆メサの角度が小さくなるエッチング液
でエッチングすると、逆メサ構造が緩やかになるもの
の、今度は順メサ側の側壁部Ｗ1 が切り立ち、この順メ
サ側の側壁部Ｗ1 での電極の断線が頻繁に発生するとい
う問題があった。
【０００８】本発明はこのような従来装置の問題点に鑑
みてなされたものであり、逆導電型半導体層とコンタク
トして引き出される個別電極が断線などを起こさないよ
うにメサ部の形状を確保することを目的とする。
みてなされたものであり、逆導電型半導体層とコンタク
トして引き出される個別電極が断線などを起こさないよ
うにメサ部の形状を確保することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体発光装置では、単結晶基板上に
島状の一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型
半導体層上にこの一導電型半導体層の一部が露出するよ
うに逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の
露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設け
た半導体発光装置において、前記電極を前記単結晶基板
の＜１１０＞方向に引き出したことを特徴とする。
に、本発明に係る半導体発光装置では、単結晶基板上に
島状の一導電型半導体層を設けると共に、この一導電型
半導体層上にこの一導電型半導体層の一部が露出するよ
うに逆導電型半導体層を設け、この一導電型半導体層の
露出部と前記逆導電型半導体層上に電極を接続して設け
た半導体発光装置において、前記電極を前記単結晶基板
の＜１１０＞方向に引き出したことを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る半導体発光装置の製造
方法では、単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導電型
半導体層を積層して設け、この一導電型半導体層と逆導
電型半導体層が前記単結晶基板上に島状に残るようにパ
ターニングするとともに、この一導電型半導体層の一部
が露出するように逆導電型半導体層の一部を除去して、
この一導電型半導体層の露出部と逆導電型半導体層に電
極が接続されるように形成する半導体発光装置の製造方
法において、前記一導電型半導体層の一部が露出するよ
うに逆導電型半導体層の一部を除去する際に、Ｉ2 系の
エッチング液を用いて除去することを特徴とする。
方法では、単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導電型
半導体層を積層して設け、この一導電型半導体層と逆導
電型半導体層が前記単結晶基板上に島状に残るようにパ
ターニングするとともに、この一導電型半導体層の一部
が露出するように逆導電型半導体層の一部を除去して、
この一導電型半導体層の露出部と逆導電型半導体層に電
極が接続されるように形成する半導体発光装置の製造方
法において、前記一導電型半導体層の一部が露出するよ
うに逆導電型半導体層の一部を除去する際に、Ｉ2 系の
エッチング液を用いて除去することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体発光装置の
一実施形態を示す断面図、図２は平面図である。
詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体発光装置の
一実施形態を示す断面図、図２は平面図である。
【００１２】図１および図２において、１は基板、２は
一導電型半導体層、３は逆導電型半導体層、４は個別電
極、５は共通電極、６は絶縁膜である。
一導電型半導体層、３は逆導電型半導体層、４は個別電
極、５は共通電極、６は絶縁膜である。
【００１３】基板１はシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素
（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板やサファイア（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板から成る。単結晶半導
体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に２〜７
°オフさせた基板などが好適に用いられる。サファイア
の場合、Ｃ面基板が好適に用いられる。
（ＧａＡｓ）などの単結晶半導体基板やサファイア（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）などの単結晶絶縁基板から成る。単結晶半導
体基板の場合、（１００）面を＜０１１＞方向に２〜７
°オフさせた基板などが好適に用いられる。サファイア
の場合、Ｃ面基板が好適に用いられる。
【００１４】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、
オーミックコンタクト層２ｂ、発光層２ｃで構成され
る。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成さ
れ、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μｍ
程度の厚みに形成され、クラッド層２ｃは０．２〜０．
４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ層２ａとオー
ミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素などで形成さ
れ、発光層２ｃはアルミニウムガリウム砒素などで形成
される。オーミックコンタクト層２ｂはシリコンやセレ
ンなどの一導電型半導体不純物を１×１０18〜１０22ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、クラッド層２ｃはシリコ
ンやセレンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜
１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。バッファ層２
ａは基板１と半導体層との格子定数の不整合に基づくミ
スフィット転位を防止するために設けるものであり、半
導体不純物を含有させる必要はない。
オーミックコンタクト層２ｂ、発光層２ｃで構成され
る。バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに形成さ
れ、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜１．０μｍ
程度の厚みに形成され、クラッド層２ｃは０．２〜０．
４μｍ程度の厚みに形成される。バッファ層２ａとオー
ミックコンタクト層２ｂはガリウム砒素などで形成さ
れ、発光層２ｃはアルミニウムガリウム砒素などで形成
される。オーミックコンタクト層２ｂはシリコンやセレ
ンなどの一導電型半導体不純物を１×１０18〜１０22ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、クラッド層２ｃはシリコ
ンやセレンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜
１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。バッファ層２
ａは基板１と半導体層との格子定数の不整合に基づくミ
スフィット転位を防止するために設けるものであり、半
導体不純物を含有させる必要はない。
【００１５】逆導電型半導体層３は、発光層３ａ、第２
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミ
ックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚
みに形成される。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは
アルミニウムガリウム砒素などから成り、第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
のクラッド層３ｂ、および第２のオーミックコンタクト
層３ｃで構成される。発光層３ａと第２のクラッド層３
ｂは０．２〜０．４μｍ程度の厚みに形成され、オーミ
ックコンタクト層３ｃは０．０１〜０．１μｍ程度の厚
みに形成される。発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは
アルミニウムガリウム砒素などから成り、第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
【００１６】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは、電
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミ
ニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）と
の混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド
層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０19程度含有し、第２のオーミックコンタ
クト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を１×１
０19〜１０22程度含有する。
子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミ
ニウム砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）と
の混晶比を異ならしめる。発光層３ａと第２のクラッド
層３ｂは亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１
×１０16〜１０19程度含有し、第２のオーミックコンタ
クト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を１×１
０19〜１０22程度含有する。
【００１７】絶縁膜６は窒化シリコンなどから成り、厚
み３０００Å程度に形成される。個別電極４と共通電極
５は金／クロム（Ａｕ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μ
ｍ程度に形成される。
み３０００Å程度に形成される。個別電極４と共通電極
５は金／クロム（Ａｕ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μ
ｍ程度に形成される。
【００１８】本発明の半導体発光装置では、図２に示す
ように、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から
成る島状半導体層２、３を基板１上に一列状に並べて、
隣接する島状半導体層２、３毎に同じ個別電極４に接続
し、同じ個別電極４に接続された下の一導電型半導体層
２が異なる共通電極５（５ａ、５ｂ）に接続されるよう
に二群に分けて接続される。個別電極４を選択して電流
を流すことによってページプリンタ用感光ドラムの露光
用光源として用いられる。
ように、一導電型半導体層２と逆導電型半導体層３から
成る島状半導体層２、３を基板１上に一列状に並べて、
隣接する島状半導体層２、３毎に同じ個別電極４に接続
し、同じ個別電極４に接続された下の一導電型半導体層
２が異なる共通電極５（５ａ、５ｂ）に接続されるよう
に二群に分けて接続される。個別電極４を選択して電流
を流すことによってページプリンタ用感光ドラムの露光
用光源として用いられる。
【００１９】島状半導体層２、３は、結晶の面方位とエ
ッチングとの関係から一方の対向する壁面が順メサ構造
で、他方の対向する壁面が逆メサ構造を有する。本発明
では、一導電型半導体層２の露出部Ｒにおける逆導電型
半導体層３の側壁部Ｗ1 が順メサとなるように形成し
た。すなわち、段差エッチングを行う際、ＧａＡｓは全
方向順メサ形状になるが、ＡｌＧａＡｓの＜１−１０＞
方向は逆メサ形状に＜１１０＞方向は順メサ形状になる
Ｉ2 系エッチング液を用いて逆導電型半導体層３の側壁
部Ｗを順メサ形状になる方向にパターニングする。この
逆導電型半導体層３の側壁部Ｗ1 を順メサ形状とするこ
とで、個別電極４の基板上への引き出しにおいて、メサ
部で断線しないようにできる。
ッチングとの関係から一方の対向する壁面が順メサ構造
で、他方の対向する壁面が逆メサ構造を有する。本発明
では、一導電型半導体層２の露出部Ｒにおける逆導電型
半導体層３の側壁部Ｗ1 が順メサとなるように形成し
た。すなわち、段差エッチングを行う際、ＧａＡｓは全
方向順メサ形状になるが、ＡｌＧａＡｓの＜１−１０＞
方向は逆メサ形状に＜１１０＞方向は順メサ形状になる
Ｉ2 系エッチング液を用いて逆導電型半導体層３の側壁
部Ｗを順メサ形状になる方向にパターニングする。この
逆導電型半導体層３の側壁部Ｗ1 を順メサ形状とするこ
とで、個別電極４の基板上への引き出しにおいて、メサ
部で断線しないようにできる。
【００２０】また、＜１１０＞方向への電極引き出しに
おいては、図３に示す構造にすることで、従来通り一導
電型半導体層２の露出部Ｒにおける逆導電型半導体層３
の側壁部Ｗが逆メサとなるように形成したまま個別電極
４がメサ部で断線せず、発光の光漏れもないようにでき
る。すなわち，この図３に示す例では、図１に示す例と
は９０°方向が異なり、電極を引き出す側壁Ｗ3 は逆メ
サ形状となるが、Ｗ2の側壁側にも電極を引き出してい
ることから、この部分で繋がっており、ここから電流は
流れることになる。
おいては、図３に示す構造にすることで、従来通り一導
電型半導体層２の露出部Ｒにおける逆導電型半導体層３
の側壁部Ｗが逆メサとなるように形成したまま個別電極
４がメサ部で断線せず、発光の光漏れもないようにでき
る。すなわち，この図３に示す例では、図１に示す例と
は９０°方向が異なり、電極を引き出す側壁Ｗ3 は逆メ
サ形状となるが、Ｗ2の側壁側にも電極を引き出してい
ることから、この部分で繋がっており、ここから電流は
流れることになる。
【００２１】次に、上述のような半導体発光装置の製造
方法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半
導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順
次積層して形成する。
方法を説明する。まず、単結晶基板１上に、一導電型半
導体層２、逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法などで順
次積層して形成する。
【００２２】これらの半導体層２、３を形成する場合、
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成した後、基板温度を７００〜９００℃に上げて所望厚
みの半導体層２、３を形成する。
【００２３】この場合、原料ガスとしてはＴＭＧ（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アル
シン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥ
Ａ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制
御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレ
ン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ）な
どが用いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用い
られる。
Ｈ3 ）3 Ｇａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アル
シン（ＡｓＨ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥ
Ａ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制
御するためのガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレ
ン化水素（Ｈ2 Ｓｅ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ）な
どが用いられ、キャリアガスとしては、Ｈ2 などが用い
られる。
【００２４】次に、隣接する素子同志が電気的に分離さ
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングされ
る。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング
液を用いたウエットエッチングやＣＣ１2 Ｆ2 ガスを用
いたドライエッチングなどで行われる。また、一導電型
半導体層２と共通電極５との接続部が逆導電型半導体層
３から露出するようにエッチングされる。このエッチン
グは、Ｉ2 ：ＫＩ：ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ＝２ｇ：４ｇ：１ｃ
ｃ：１００ｃｃなどのエッチング液を用いたウエットエ
ッチングで行われる。
れるように、半導体層２、３が島状にパターニングされ
る。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング
液を用いたウエットエッチングやＣＣ１2 Ｆ2 ガスを用
いたドライエッチングなどで行われる。また、一導電型
半導体層２と共通電極５との接続部が逆導電型半導体層
３から露出するようにエッチングされる。このエッチン
グは、Ｉ2 ：ＫＩ：ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ＝２ｇ：４ｇ：１ｃ
ｃ：１００ｃｃなどのエッチング液を用いたウエットエ
ッチングで行われる。
【００２５】次に、プラズマＣＶＤ法で、シランガス
（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用いて窒化
シリコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。
最後に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成
してパターニングすることにより完成する。
（ＳｉＨ4 ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）を用いて窒化
シリコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。
最後に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成
してパターニングすることにより完成する。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体発光
装置によれば、一導電型半導体層の露出部における前記
逆導電型半導体層の側壁部を順メサ構造になる方向にパ
ターニングしたことから、逆導電型半導体層上の電極を
メサ部で断線することなく基板上に引き出せ、又、逆導
電型半導体層のサイドから電極を引き出すような構造に
することで従来通り個別電極と共通電極が近接して配設
されても短絡などを有効に防止することができる。ま
た、一導電型半導体層の露出部から近傍からの光漏れを
低減でき、印画品質を向上させることができる。
装置によれば、一導電型半導体層の露出部における前記
逆導電型半導体層の側壁部を順メサ構造になる方向にパ
ターニングしたことから、逆導電型半導体層上の電極を
メサ部で断線することなく基板上に引き出せ、又、逆導
電型半導体層のサイドから電極を引き出すような構造に
することで従来通り個別電極と共通電極が近接して配設
されても短絡などを有効に防止することができる。ま
た、一導電型半導体層の露出部から近傍からの光漏れを
低減でき、印画品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
【図５】従来の半導体発光装置を示す平面図である。
１‥‥‥基板、２‥‥‥一導電型半導体層、３‥‥‥逆
導電型半導体層、４‥‥‥個別電極、５‥‥‥共通電
極、６‥‥‥絶縁膜
導電型半導体層、４‥‥‥個別電極、５‥‥‥共通電
極、６‥‥‥絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶基板上に島状の一導電型半導体層
を設けると共に、この一導電型半導体層上にこの一導電
型半導体層の一部が露出するように逆導電型半導体層を
設け、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半
導体層上に電極を接続して設けた半導体発光装置におい
て、前記電極を前記単結晶基板の＜１１０＞方向に引き
出したことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導
電型半導体層を積層して設け、この一導電型半導体層と
逆導電型半導体層が前記単結晶基板上に島状に残るよう
にパターニングするとともに、この一導電型半導体層の
一部が露出するように逆導電型半導体層の一部を除去し
て、この一導電型半導体層の露出部と逆導電型半導体層
に電極が接続されるように形成する半導体発光装置の製
造方法において、前記一導電型半導体層の一部が露出す
るように逆導電型半導体層の一部を除去する際に、Ｉ2
系のエッチング液を用いて除去することを特徴とする半
導体発光装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP36883898A JP2000196149A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP2000196149A true JP2000196149A (ja) | 2000-07-14 |
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