JP3559463B2 - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光装置に関し、特にページプリンタ用感光ドラムの露光用光源などに用いられる半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
従来の半導体発光装置を図4ないし図6に示す。図4および図5は断面図、図6は平面図である。図4ないし図6において、21は半導体基板、22は一導電型半導体層、23は逆導電型半導体層、24は個別電極、25は共通電極である。
【0003】
半導体基板21上に、一導電型半導体層22と逆導電型半導体層23を設けると共に、この一導電型半導体層22の露出部Rに共通電極25(25a、25b)を接続して設け、逆導電型半導体層23に個別電極24を接続して設けている。なお、図4および図5において、26は窒化シリコン膜などから成る保護膜である。また、図4に示すように、共通電極25(25a、25b)は隣接する島状半導体層22、23ごとに異なる群に属するように二群に分けて接続され、隣接する島状半導体層22、23が同じ個別電極24に接続されている。
【0004】
このような発光ダイオードアレイでは、個別電極24と共通電極25(25a、25b)の組み合わせを選択して電流を流すことによって、各発光ダイオードを選択的に発光させることができる。
【0005】
ところが、この従来の半導体発光装置では、半導体層を複数の発光素子に分離する際にメサエッチングを行い島状に形成していた。この場合、電極取り出し部は断線を防止するために順メサ状に形成していたが、横方向の側壁部は逆メサ状になっていた。
【0006】
この場合、横方向に発光した光が逆メサ状の側壁部分で反射されて島状半導体層の上部側に放射され、図7に示すように、島状半導体層の端面に近い部分で角状の突出した発光強度分布が発生し、これが印画品質を劣化させる原因になっていた。
【0007】
また、図8に示すように、側壁部からの発光は、外部回路と接続するためのワイヤーボンディングボールに反射し、これについても印画品質を劣化させる原因となっていた。
【0008】
端面部でのこのように突出した発光強度分布を防ぐために、端面部に電極材料で被覆する方法もあるが、電極材料が被着されている部分を側壁部の一部のみに限定できず、より多く電極材料で覆う必要があり、発光強度を低下させるという問題があった。また、側壁部を完全に覆うことも困難であることから、結果的に側壁部からの光漏れが発生し、印画品質の完全な改善にはならないと言う問題があった。
【0009】
本発明はこのような従来装置の問題点に鑑みてなされたものであり、隣接する島状半導体層の側壁部が逆メサ構造であることに起因して発生する発光強度分布の改善、および側壁部からの発光と迷光に起因する印画品質の劣化を解消した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に係る半導体発光装置では、基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層した島状半導体層を複数設けて、それぞれの半導体層に電極を接続した半導体発光装置において、前記島状半導体層の逆メサ構造の側壁部に酸化領域を設けた。
【0011】
上記半導体発光装置では、前記酸化領域を設ける半導体層をAlGaAsで構成することが望ましい。
【0012】
また、上記半導体発光装置では、前記酸化領域を形成した島状半導体層を絶縁膜で被覆したことが望ましい。
【0013】
さらに、請求項4に係る半導体発光装置の製造方法では、基板上にAlGaAsとGaAsを積層した島状半導体層を設け、このAlGaAsの逆メサ構造の側壁部を水蒸気中で酸化し、しかる後前記GaAsに電極を接続する。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図1は本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示す断面図、図2は平面図である。
【0015】
図1および図2において、1は基板、2は一導電型半導体層、3は逆導電型半導体層、4は個別電極、5は共通電極、6は絶縁膜、7は酸化領域である。
【0016】
基板1はシリコン(Si)やガリウム砒素(GaAs)などの単結晶半導体基板やサファイア(Al2 O3 )などの単結晶絶縁基板から成る。単結晶半導体基板の場合、(100)面を<011>方向に2〜7°オフさせた基板などが好適に用いられる。サファイアの場合、C面基板が好適に用いられる。
【0017】
一導電型半導体層2は、バッファ層2a、オーミックコンタクト層2b、電子注入層2cで構成される。バッファ層2aは2〜4μm程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層2bは0.1〜1.0μm程度の厚みに形成され、電子注入層2cは0.2〜0.4μm程度の厚みに形成される。バッファ層2aとオーミックコンタクト層2bはガリウム砒素などで形成され、電子注入層2cはアルミニウムガリウム砒素(AlGaAs)などで形成される。オーミックコンタクト層2bはシリコンなどの一導電型半導体不純物を1×1016〜1017atoms/cm3 程度含有し、電子注入層2cはシリコンなどの一導電型半導体不純物を1×1016〜1019atoms/cm3 程度含有する。また、このとき電子注入層2cのAlの組成はx=0.24〜0.5程度に形成する。バッファ層2aは基板1と半導体層との格子定数の不整合に基づくミスフィット転位を防止するために設けるものであり、半導体不純物を含有させる必要はない。
【0018】
逆導電型半導体層3は、発光層3a、クラッド層3b、および第2のオーミックコンタクト層3cで構成される。発光層3aとクラッド層3bは0.2〜0.4μm程度の厚みに形成され、オーミックコンタクト層3cは0.01〜0.1μm程度の厚みに形成される。発光層3aとクラッド層3bはAlGaAsなどから成る。第2のオーミックコンタクト層3cはガリウム砒素などから成る。
【0019】
発光層3aとクラッド層3bは、電子の閉じ込め効果と光の取り出し効果を考慮してアルミニウム砒素(AlAs)とガリウム砒素(GaAs)との混晶比を異ならしめる。発光層3aとクラッド層3bは亜鉛(Zn)などの逆導電型半導体不純物を1×1016〜1018atoms/cm3 程度含有し、第2のオーミックコンタクト層3cは亜鉛などの逆導電型半導体不純物を1×1019〜1020atoms/cm3 程度含有する。
【0020】
絶縁膜6a、6bは窒化シリコンなどから成り、厚み3000〜5000Å程度に形成される。また、個別電極4と共通電極5はAu/AuGe/Crなどから成り、厚み1μm程度に形成される。
【0021】
本発明の半導体発光装置では、図2に示すように、一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3から成る島状半導体層2、3を基板1上に一列状に並べて、隣接する島状半導体層2、3毎に同じ個別電極4に接続し、同じ個別電極4に接続された下の一導電型半導体層2が異なる共通電極5に接続されるように二群に分けて接続される。個別電極4を選択して電流を流すことによってページプリンタ用感光ドラムの露光用光源として用いられる。
【0022】
島状半導体層2、3は、結晶の面方位とエッチングとの関係から一方の対向する壁面が順メサ構造で、他方の対向する壁面が逆メサ構造を有する。
【0023】
本発明では、AlGaAsから成る一導電型半導体層2c、AlGaAsから成る逆導電型半導体層3a、3bを側面から酸化し、酸化領域7を形成した。また、図2で示すように発光面の上面の周辺部に逆導電型半導体層3bをエッチングで露出して同じく酸化領域7を形成した。この酸化領域7は、10〜1200Å程度の厚みを有するAl2 Ox で形成される。
【0024】
このようにAlGaAsから成る一導電型半導体層2c、AlGaAsから成る逆導電型半導体層3a、3bを側面から酸化して酸化領域7を形成することで、酸化領域7は電気的に抵抗が2×1013Ω・cm程度まで高くなる。したがって、島状半導体層周辺部での発光再結合が起こりにくく、島状半導体層周辺部での発光が低減して角状の発光強度分布が低減する。さらに酸化領域7の屈折率はn=1.66となることで光の反射吸収を行うことができる。この発光層3aからの光は屈折率n=1.87のときに光透過率が最大になる。絶縁膜6もそれに近接させて形成されるが、この絶縁膜6とは光屈折率が異なる酸化領域7を設けることによって、側壁部からの光透過を防止できる。例えば波長が740nmの場合光の吸収は膜厚が薄いほど効果的であり、1114Åで光の吸収が小さい。このことにより、図3に示すように、発光分布も島状半導体層の端部での発光強度分布を改善できる。さらに側面からの光の漏れを完全に抑えることができる。
【0025】
次に、上述のような半導体発光装置の製造方法を説明する。まず、単結晶基板1上に、一導電型半導体層2、逆導電型半導体層3をMOCVD法などで順次積層して形成する。
【0026】
これらの半導体層2、3を形成する場合、基板温度をまず400〜500℃に設定して200〜2000Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形成した後、基板温度を700〜900℃に上げて所望厚みの半導体層2、3を形成する。
【0027】
この場合、原料ガスとしてはTMG((CH3 )3 Ga)、TEG((C3 H5 )3 Ga)、アルシン(AsH3 )、TMA((CH3 )3 Al)、TEA((C2 H5 )3 Al)などが用いられ、導電型を制御するためのガスとしては、シラン(SiH4 )、セレン化水素(H2 Se)、TMZ((CH3 )3 Zn)などが用いられ、キャリアガスとしては、H2 などが用いられる。
【0028】
次に、隣接する素子同志が電気的に分離されるように、半導体層2、3が島状にパターニングされる。このエッチングは、硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウエットエッチングやCCl2 F2 ガスを用いたドライエッチングなどで行われる。
【0029】
次に、一導電型半導体層2の一端部側の一部を露出させるためにエッチングする。さらに、表面の半導体層3cの表面の一部をエッチングする。それぞれのエッチングも硫酸過酸化水素系のエッチング液を用いたウェットエッチングやCCl2 F2 ガスを用いたドライエッチングなどで行なわれる。
【0030】
次に、側面および上面に露出したAlGaAs層2c、3a、3bを表面の半導体層3cをマスクに酸化する。この酸化は、水蒸気酸化で350度〜500度程度の温度で行う。Alの組成はx=0.15以上で表面が酸化されることはJ.APPL.Phys.71(4) 、15February1992 A.Mesarwiらによって報告されている。この場合、GaAsやSiは酸化層としては殆ど成長しないことから、AlGaAs層2c、3a、3bを選択的に酸化することができる。
【0031】
次に、プラズマCVD法で、シランガス(SiH4 )とアンモニアガス(NH3 )を用いて窒化シリコンから成る絶縁膜を形成してパターニングする。次に、クロムと金を蒸着法やスパッタリング法で形成してパターニングし、さらに、もう一度プラズマCVD法で、シランガス(SiH4 )とアンモニアガス(NH3 )を用いて窒化シリコンから成る絶縁膜を形成してパターニングすることにより完成する。
【0032】
このように、キャップ層となるGaAs層の一部をエッチングして露出部分を選択的に酸化し、酸化領域形成後にSiNx などの絶縁膜を形成する構造とすることで、隣接する島状半導体層の側壁部が逆メサ構造であることに起因して発生する発光強度分布の改善、および側面からの発光による迷光を防ぎ印画品質の劣化を解消した半導体発光装置となる。
【0033】
【発明の効果】
以上のように、請求項1に係る半導体発光装置では、島状半導体層の逆メサ構造の側壁部および上面周辺部を強制的に酸化した領域を有することから、隣接する島状半導体層の側壁部が逆メサ構造であることに起因して発生する発光強度分布の改善、および側面からの発光による迷光を防ぎ印画品質が向上した半導体発光装置を提供できる。
【0034】
また、請求項4に係る半導体発光装置の製造方法では、基板上にAlGaAsとGaAsを積層して設け、このAlGaAsの逆メサ構造の側壁部を水蒸気雰囲気中で酸化し、しかる後前記GaAsの表面部に電極を接続することから、AlGaAsの側壁部に簡単且つ確実に酸化領域を形成でき、もって隣接する島状半導体層の側壁部が逆メサ構造であることに起因して発生する発光強度分布の改善、および側面からの発光による迷光を防ぎ、印画品質が向上した半導体発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示す断面図である。
【図2】本発明に係る半導体発光装置の一実施形態を示す平面図である。
【図3】本発明に係る半導体発光装置の発光強度分布を示す図である。
【図4】従来の半導体発光装置を示す断面図である。
【図5】従来の半導体発光装置を示す他の部分の断面図である。
【図6】従来の半導体発光装置を示す平面図である。
【図7】従来の半導体発光装置の発光強度分布を示す図である。
【図8】従来の半導体発光装置の側面からの発光の状態を示す図である。
【符号の説明】
1………基板、2………一導電型半導体層、3………逆導電型半導体層、4………個別電極、5………共通電極、6………絶縁膜、7………酸化領域
Claims (4)
- 基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層した島状半導体層を複数設けて、それぞれの半導体層に電極を接続した半導体発光装置において、前記島状半導体層の逆メサ構造の側壁部に酸化領域を設けたことを特徴とする半導体発光装置。
- 前記酸化領域を設ける半導体層をAlGaAsで構成したことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 前記酸化領域を形成した島状半導体層を絶縁膜で被覆したことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。
- 基板上にAlGaAsとGaAsを積層した島状半導体層を設け、このAlGaAsの逆メサ構造の側壁部を水蒸気雰囲気中で酸化し、しかる後前記GaAsに電極を接続する半導体発光装置の製造方法。
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