JP2000171775A

JP2000171775A - 電気光学装置及び電子機器

Info

Publication number: JP2000171775A
Application number: JP34554198A
Authority: JP
Inventors: Masao Muraide; 正夫村出
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1998-12-04
Filing date: 1998-12-04
Publication date: 2000-06-23
Anticipated expiration: 2018-12-04
Also published as: JP3826591B2

Abstract

(57)【要約】【課題】データ線同一色方式のデルタ配列のＴＦＴア
クティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、
データ線を用いて、データ線の引き回しを少なくしつつ
ＴＦＴを効率的に遮光し、高品質の画像表示を可能にす
る。【解決手段】液晶装置は、一対の基板間に挟持された
液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）に複数の
走査線と、複数のデータ線と、各走査線とデータ線に接
続されたＴＦＴ（３０）と画素電極（９ａ)とを有し、
画素電極は、１走査線毎に１．５画素ずらして配列され
ている。Ｙ方向に１走査線（３ａ）毎に配列された画素
電極の脇を縫って蛇行するデータ線（６）の本線部（６
ａ）と、この本線部から平面的に突出した突出部（６
ｂ）とにより、対向基板（２０）の側から見てＴＦＴ
（３０）のチャネル領域（１ａ、１ａ’）が少なくとも
部分的に覆われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テレビ、ビデオ等
の実写映像やアニメーション映像などの動画表示に好適
に用いられる液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属
し、特に画素配列パターンがデルタ配列である電気光学
装置及びそれを用いた電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶装置等の電気光学装置におけ
る画素の配列パターンには、画素が横方向及び縦方向に
夫々真っ直ぐに配列されたモザイク配列があり（この場
合、対応するカラーフィルタの着色パターンとしては、
斜めにＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）が夫々配列される
斜めモザイク配列や縦にＲ、Ｇ、Ｂが夫々配列されるス
トライプ配列などがあり）、縦線や横線を連続した直線
状に表示可能であるため、パソコン等のモニタにおける
キャラクタデータを表示するのに好適である。

【０００３】他方、図１１及び図１２に夫々電気光学装
置における画素の配列パターンを各画素電極９ａに画像
信号を供給するデータ線６と共に示すように、各画素が
Ｘ方向に真っ直ぐに配列されていると共にＹ方向には一
画素毎に０．５画素ピッチずつＸ方向にずれて配列され
たデルタ配列がある。このうち図１１のものは、同一デ
ータ線６に接続されており１走査線毎（即ち、行毎に）
に１．５画素ずつずらして配列された画素電極群には、
カラーフィルタにより同一色（即ち、Ｒ、Ｇ又はＢ）が
割り当てられるデータ線同一色方式のデルタ配列と呼ば
れる。他方、図１２のものは、同一データ線６に接続さ
れており１走査線毎に０．５画素ずつずらして配列され
た画素電極群には、カラーフィルタにより２色（即ち、
ＲとＧ、ＧとＢ又はＢとＧ）が交互に割り当てられるデ
ータ線２色ローテーション方式のデルタ配列と呼ばれ
る。

【０００４】後者の場合、同一データ線６に０．５画素
ずつずらして配列された画素電極９aを接続すればよい
ので、データ線６の引き回しが比較的少なくて済むとい
う利点はあるものの、各データ線６毎に、２色のデータ
に係る画像信号を交互に入力する必要があり、画像信号
処理用の外部回路が複雑化するという欠点があり、更
に、同一データ線６に係る２色のデータが相互に影響を
受けるため、表示むらが発生してしまう。これに対して
前者（データ線同一色方式）の場合、同一データ線６に
は同一色のデータに係る画像信号を入力するので、比較
的近くに位置する複数行に係るデータはそれ程大きく変
わらないため、異なる行間のデータの影響による表示む
らは殆ど発生しない。そこで、データ線同一色方式が一
般に採用されている。

【０００５】このデルタ配列は、横線や斜めの線をほぼ
連続した直線として表示可能であるため、テレビ、ビデ
オ等で実写映像やアニメーション映像などの動画を表示
するのに好適である。また、デルタ配列は、例えば一枚
の液晶装置をライトバルブとして用いてカラー表示を可
能とする安価な単板型のプロジェクタにも好適に採用さ
れており、更に、安価な白黒表示用の表示装置にも採用
されている。

【０００６】また、アクティブマトリクス駆動方式の液
晶装置の場合には、画素スイッチング用の薄膜トランジ
スタ（以下適宜、ＴＦＴと称す）のチャネル領域に光が
入射することに起因した光電流の発生によるトランジス
タ特性の劣化を防止する必要がある。

【０００７】このため、対向基板には、各ＴＦＴに夫々
対向する位置を含めた非画素開口領域（各画素において
光が透過しない領域）に、Ｃｒ（クロム）などの金属材
料や樹脂ブラックなどからブラックマトリクス或いはブ
ラックマスクと呼ばれる遮光膜が形成されるのが一般的
である。この遮光膜は、各画素の画素開口領域（即ち、
光が透過する領域）を規定したり、ＴＦＴの半導体層を
遮光したり、コントラスト比を向上させたりする各種機
能を果たしている。また、特にカラーフィルタ層が備え
られた液晶装置では、カラーフィルタ層を構成する色材
の混色防止などの機能も果たしている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したデータ線同一
色方式の場合、１走査線毎（即ち、１行毎）に１．５画
素ずつずらして配列された画素電極を同一データ線に接
続する必要があるため、データ線の引き回しを２色ロー
テーション方式と同程度に少なくするためには、データ
線の蛇行方向と反対側にＴＦＴを形成するのが最も効果
的である。

【０００９】しかしながら、このようにデータ線から外
れた側にＴＦＴを形成した場合、ＴＦＴを入射光が照射
されないように遮光するには、上述した対向基板上の遮
光膜等を用いて別途遮光する必要性が生じ、装置欠陥の
複雑化及びコスト上昇を招くと共に信頼性の高い遮光を
施すのが困難になるという問題点がある。

【００１０】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、画素パターンがデータ線同一色方式のデルタ
配列であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気
光学装置において、データ線の引き回しを少なくしつつ
ＴＦＴを効率的に遮光することにより、高品質の画像表
示が可能な液晶装置等の電気光学装置を提供することを
課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物
質が挟持されてなり、該一対の基板の一方の基板上に、
相交差する複数の走査線及び複数のデータ線と、前記各
走査線及び前記各データ線に接続された薄膜トランジス
タと、該薄膜トランジスタに接続されると共に１走査線
毎に０．５画素ずつずらして配列された画素電極とを備
え、前記画素電極のうち１走査線毎に１．５画素ずつず
らして配列された画素電極群が前記薄膜トランジスタを
介して同一データ線に接続され、前記データ線は、遮光
性の導電性材料からなり、前記薄膜トランジスタのソー
スに接続される箇所を含むと共に前記画素電極の間隙に
対応して１走査線毎に０．５画素ずつ蛇行して形成され
た本線部と該本線部から前記走査線に夫々対向する位置
において平面的に突出しており前記薄膜トランジスタの
チャネル領域を平面的に見て少なくとも部分的に覆う突
出部とを有する。

【００１２】本発明によれば、画素電極は、薄膜トラン
ジスタのドレインに接続され、１走査線毎に０．５画素
ずつずらして配列されている。そして、画素電極のうち
１走査線毎に１．５画素ずつずらして配列された画素電
極群は、薄膜トランジスタを介して同一データ線に接続
されている。ここで特に、例えばＡｌ等の遮光性の導電
性材料からなるデータ線の本線部は、薄膜トランジスタ
のソースに接続される箇所を含むと共に画素電極の間隙
に対応して１走査線毎に０．５画素ずつ蛇行して形成さ
れる。他方、遮光性の導電性材料からなる突出部は、こ
の本線部から走査線に対向する位置において、平面的に
突出している。そして、本線部にゲートが接続された薄
膜トランジスタのチャネル領域は、この突出部により、
対向基板側から見て少なくとも部分的に覆われている。
尚、本線部は、薄膜トランジスタのチャネル領域のうち
突出部により覆われた残りの部分の一部或いは全部を覆
うようにしてもよい。従って、他方の基板側からの入射
光に対する薄膜トランジスタにおける遮光は、この突出
部により効率的に実施される。

【００１３】更に、データ線を画素電極の間隙を縫って
蛇行するように形成すれば、データ線と画素電極との間
における寄生容量を低減できる。すると、製造プロセス
におけるデータ線と画素電極との位置ずれに起因する奇
数段と偶数段との間で生じる寄生容量の差を小さくでき
る。即ち、当該位置ずれが大きくても、それに応じて発
生する寄生容量の差を小さくできるので、奇数段と偶数
段との間での寄生容量の差に起因した横ラインむらを有
効に低減できる。

【００１４】以上の結果、本発明の電気光学装置によれ
ば、データ線の引き回しを少なくしつつ薄膜トランジス
タを効率的に遮光することにより、データ線上の画像信
号におけるＳ／Ｎ（信号／雑音）比の向上を図ると共
に、光リークによるＴＦＴの特性劣化を防ぐことによ
り、高品質の画像表示が可能となる。

【００１５】本発明の一の態様では、前記データ線の本
線部と前記画素電極とは、平面的に見て少なくとも部分
的に重なっている。

【００１６】この態様によれば、データ線の本線部と画
素電極とが重なった領域では、両者間を光が漏れて白抜
け等の画像劣化につながることはないので、このように
画素電極と重なったデータ線の本線部によって画素開口
領域の左右や上下を規定できる。

【００１７】本発明の他の態様によれば、前記走査線は
直線状に形成されており、前記薄膜トランジスタは、半
導体層が前記走査線を２度横切るＵ字形のデュアルゲー
トを有する薄膜トランジスタからなり、前記データ線
は、前記デュアルゲートのうち前記ソースに近い側のゲ
ートに対向するチャネル領域を前記本線部により覆うと
共に前記デュアルゲートのうち前記ドレインに近い側の
ゲートに対向するチャネル領域を前記突出部により覆う
ように構成されている。この態様によれば、例えばＡｌ
等の遮光性の導電性材料からなるデータ線は、デュアル
ゲートを有する薄膜トランジスタのソースに近い側のゲ
ートに対向するチャネル領域は、データ線の本線部によ
り、対向基板側から見て少なくとも部分的に覆われてい
る。他方、このデュアルゲートを有する薄膜トランジス
タのドレインに近い側のゲートに対向するチャネル領域
は、データ線の突出部により、対向基板側から見て少な
くとも部分的に覆われている。従って、対向基板側から
の入射光に対する薄膜トランジスタにおける遮光は、デ
ータ線の本線部及び突出部により極めて効率的に実施さ
れる。この際、半導体層のうちＵ字形のデュアルゲート
構造における二つのゲートを結ぶ部分を画素開口領域内
に配置し、様々な形状及びレイアウトが可能である突出
部を画素電極上から外して配置することにより、画素開
口率を全く又は殆ど低下させないで済む。

【００１８】本発明の他の態様では、前記データ線は、
前記チャネル領域に加えて前記チャネル領域に隣接する
ソース及びドレインとの接合領域を少なくとも部分的に
覆うように構成されている。

【００１９】この態様によれば、薄膜トランジスタを構
成する半導体層のチャネル領域のみならず、該チャネル
領域とソース領域及びドレイン領域との接合領域をも遮
光するので、光リークによるトランジスタ特性の劣化を
確実に阻止し得る。

【００２０】本発明の他の態様では、前記薄膜トランジ
スタは、ＬＤＤ構造を持つ薄膜トランジスタからなり、
前記データ線は、前記チャネル領域に加えて前記薄膜ト
ランジスタのＬＤＤ領域を少なくとも部分的に覆う。

【００２１】この態様によれば、その性質上薄膜トラン
ジスタがオフの時、リーク電流が少ないＬＤＤ構造を持
つ薄膜トランジスタを採用しつつ、該薄膜トランジスタ
におけるチャネル領域のみならずＬＤＤ領域をも遮光す
るので、光リークによるトランジスタ特性の劣化を確実
に阻止し得る。

【００２２】本発明の他の態様では、前記一方の基板上
に、前記走査線と並んで設けられており、前記画素電極
に対し蓄積容量を付与する容量線を更に備える。

【００２３】この態様によれば、容量線を設けることに
より蓄積容量を各画素電極に付与するので、特にデータ
線と画素電極との間における寄生容量による画像信号或
いは表示画像に対する影響を相対的に小さくできる。即
ち、前述した奇数段と偶数段との間での寄生容量の差に
起因した横ラインむらを有効に低減できる。

【００２４】この態様では、前記複数の容量線は、前記
データ線の下に延設されてもよい。

【００２５】このように構成すれば、データ線の下とい
う非画素開口領域を利用して蓄積容量を効率的に増加さ
せることが可能となり、前述した奇数段と偶数段との間
でのデータ線と画素電極との間の寄生容量の差に起因し
た横ラインむらを非常に有効に低減できる。

【００２６】本発明の他の態様では、前記一方の基板
に、少なくとも前記チャネル領域を前記一方の基板の側
から見て覆う位置に設けられた遮光膜を更に備える。

【００２７】この態様によれば、薄膜トランジスタの下
側にも、遮光膜を設けるので、一方の基板からの戻り光
等に対する薄膜トランジスタにおける遮光を行うことが
可能となる。更に、この遮光膜により、画素開口領域の
輪郭を規定する機能の一部又は全部を持たせることも可
能となるので、データ線に画素開口領域の輪郭を規定す
る機能の全てを持たせなくて済む。従って、データ線の
本線部や突出部の形状や位置の自由度が格段に増すた
め、結果として画素開口領域を広げることが可能とな
る。

【００２８】この態様では、前記遮光膜は、前記走査線
の下に延設されており定電位源に接続されてもよい。

【００２９】このように構成すれば、遮光膜は定電位と
されるので、その上方に層間絶縁膜等を介して形成され
る薄膜トランジスタに対して遮光膜の電位変動が悪影響
を及ぼすことがなくなる。従って、より高品位の画像表
示が可能で信頼性の高い電気光学装置を実現できる。

【００３０】この遮光膜を備えた態様では、前記遮光膜
は、前記薄膜トランジスタのドレインと前記画素電極と
のコンタクトホールの下には、設けられていないように
構成してもよい。

【００３１】一般に、この種の電気光学装置において
は、薄膜トランジスタを構成する半導体層の下に遮光膜
を設けるとストレスが強くなる。特に、半導体層と画素
電極とのコンタクトホールを開孔した際に、その周囲に
ストレスが発散してクラックや変形の原因となったり、
その周囲に容量線があると、蓄積容量を形成する絶縁膜
の耐圧が悪くなったりする。従って、このようにコンタ
クトホールの下に遮光膜を設けないことにより、遮光膜
の存在により生じるストレスによる悪影響がコンタクト
ホールの開孔の際に顕在化しないようにできる。

【００３２】本発明の他の態様では、前記一方の基板上
に、少なくとも前記走査線の上且つ前記データ線の下に
設けられた第１層間絶縁膜と、前記データ線の上且つ前
記画素電極の下に設けられた第２層間絶縁膜とを更に備
えており、前記一方の基板並びに前記第１層間絶縁膜及
び前記第２層間絶縁膜のうち少なくとも一つは、前記デ
ータ線及び前記走査線並びに前記容量線に対向する領域
の少なくとも一部分が凹状に窪んで形成されることによ
り、前記画素電極の下地表面が平坦化されている。

【００３３】このように構成すれば、いずれかの層間絶
縁膜或いは一方の基板は、データ線及び前記走査線並び
に前記容量線に対向する領域の少なくとも一部分が凹状
に窪んで形成されるので、データ線に重ねてＴＦＴ、容
量線、遮光膜等が形成される領域の他の領域に対する段
差が低減される。このようにして画素電極の下地表面が
平坦化されているので、画素電極を平坦化でき、当該平
坦化の度合いに応じて画素電極の表面の凹凸により引き
起こされる液晶のディスクリネーション（配向不良）を
低減できる。画素電極の下地となる最上層の層間絶縁膜
をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理、ス
ピンコート処理等により平坦化しても、同様の効果が得
られる。

【００３４】本発明の他の態様では、前記他方の基板
に、前記画素電極の配列に対応して着色されたカラーフ
ィルタ層を備える。

【００３５】この態様によれば、対向基板上にカラーフ
ィルタ層を備えることにより、デルタ配列のカラー電気
光学装置が得られる。従って、安価な単板型のプロジェ
クタ等を本発明の電気光学装置を１個だけ用いて作成可
能となる。また、対向基板上に備えられる通常ブラック
マスク又はブラックマトリクスと称される遮光膜によ
り、電気光学装置の画素開口領域の輪郭を少なくとも部
分的に規定することも可能である。

【００３６】本発明の他の態様では、前記データ線と前
記薄膜トランジスタを介して接続された前記画素電極群
に対して同一色に着色されたカラーフィルタ層を備え
る。

【００３７】この態様によれば、データ線同一色方式の
デルタ配列を持つカラー画素パターンが得られる。

【００３８】本発明の他の態様では、前記走査線に対向
する位置における前記データ線の本線部の延設方向と異
なる方向に前記チャネル領域が形成される。

【００３９】この態様によれば、走査線に対向する位置
におけるデータ線の本線部の延設方向と異なる方向にチ
ャネル領域が形成されるが、この位置においてデータ線
の本線部からこの異なる方向に突出部を突出させること
により、当該チャネル領域を遮光可能である。

【００４０】本発明の他の態様では、前記データ線の突
出部は、突出する方向が１走査線毎に異なる。

【００４１】この態様によれば、データ線の引き回しを
極力少なくすべく蛇行する本線部を基準としてチャネル
領域を１走査線毎に異なる方向に（即ち、通常は左右交
互に）形成しても、これに応じて１走査線毎に突出方向
が異なるデータ線の突出部により当該チャネル領域を遮
光可能である。

【００４２】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにする。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。

【００４４】（電気光学装置の第１実施形態）電気光学
装置の実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態
は、本発明を液晶装置に適用したものであり、図１は、
液晶装置のＴＦＴアレイ基板に形成された画素部及び周
辺回路を示すブロック図であり、図２は、データ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ
−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部
材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００４５】図１において、本実施形態による液晶装置
のＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域を構成する複
数の画素１０ｂは、マトリクス状配列の一種として特
に、デルタ配列されている。各画素１０ｂには、画素電
極９ａを制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０
が形成されており、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供
給されるデータ線６が当該ＴＦＴ３０のソースに電気的
に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、
グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ
３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、
所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号
Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するよ
うに構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のド
レインに電気的に接続されており、スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じるこ
とにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極
９ａを介して電気光学物質の一例たる液晶に書き込まれ
た所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向
基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）と
の間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レ
ベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラッ
クモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこ
の液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置から
は画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
ここで、画素電極９ａと対向電極との間に保持された画
像信号の電圧がＴＦＴ３０のオフ時における電流即ちリ
ーク電流により短時間で低下するのを防ぐために、画素
電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列
に蓄積容量７０を付加する。例えば、ソース電圧が印加
される時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０によ
り保持される。これにより、保持特性は更に改善され、
コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。尚、蓄積
容量７０を形成するための配線である容量線３ｂが、走
査線３ａと平行に形成されている。各容量線３ｂは、画
像表示領域の外部（即ち周辺領域）において一定電位Ｖ
ＭＯＳの配線と接続されており、蓄積容量の７０の一方
の蓄積容量電極の電位を一定にするように構成されてい
る。尚、一定電位ＶＭＯＳはデータ線駆動回路や走査線
駆動回路の定電位の電源や対向電極に供給される定電位
源に接続してもよい。

【００４６】また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域
には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０
４、サンプリング回路３０１及び検査回路４０１等の周
辺回路を同一基板に集積化しても良い。このような構成
を採れば、周辺ＩＣのコスト増大や実装不良による歩留
まり低下を招くことがないばかりでなく、画素ピッチの
狭ピッチ化が実現できるため、高精細な電気光学装置、
あるいは、小型の電気光学装置を実現することができ
る。

【００４７】走査線駆動回路１０４は、図中Ｙ方向ある
いはその逆方向に向かって転送信号を順次出力するシフ
トレジスタを含み、外部制御回路から供給される転送ス
タート信号に応じて転送動作を開始して、基準クロック
信号及びその反転信号に基づいて、走査線３に対し、転
送信号を走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍとしてパルス的
に線順次で印加する。

【００４８】データ線駆動回路１０１は、図中Ｘ方向あ
るいはその逆方向に向かって転送信号を順次出力するシ
フトレジスタを含み、外部制御回路から供給される転送
スタート信号に応じて転送動作を開始して、基準クロッ
ク信号及びその反転信号に基づいて、画像信号線１１５
から供給されるカラー画像信号である赤（Ｒ）の画像信
号ＶＩＤ−Ｒ、緑（Ｇ）の画像信号ＶＩＤ−Ｇ及び青
（Ｂ）の画像信号ＶＩＤ−Ｂをサンプリングするための
サンプリング回路駆動号をサンプリング回路駆動信号線
３０６を介してサンプリング回路３０１に供給する。

【００４９】サンプリング回路３０１は、スイッチとし
て機能するＴＦＴ３０２を各データ線６毎に備えてお
り、画像信号線１１５がＴＦＴ３０２のソース電極に接
続されており、サンプリング回路駆動信号線３０６がＴ
ＦＴ３０２のゲート電極に接続されている。そして、サ
ンプリング回路駆動信号に応じて、画像信号線１１５を
介して供給される画像信号ＶＩＤ−Ｒ、ＶＩＤ−Ｇ及び
ＶＩＤ−Ｂを夫々サンプリングし、画像信号Ｓ１、Ｓ
２、…、Ｓｎとして複数のデータ線６に夫々供給する。
サンプリング回路３０１の制御スイッチはＴＦＴで形成
され、Ｎチャネル型ＴＦＴ、Ｐチャネル型ＴＦＴあるい
は相補型ＴＦＴでも良い。また、検査回路４０１は、デ
ータ線６、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０等の配線や回路に
おける導通、断線などの品質・欠陥に関する所定検査を
製造途中や出荷時に実行可能とするように構成されてい
る。検査回路４０１により、次工程への不良品の流出を
防ぐことができ、部材のコストを低減することができ
る。

【００５０】以上図１に示した例では、各色毎にシリア
ルな画像信号ＶＩＤ−Ｂ、ＶＩＤ−Ｇ及びＶＩＤ−Ｒが
夫々、割り当てられた１本の画像信号線１１５を介して
供給され、各画像信号ＶＩＤ−Ｂ、ＶＩＤ−Ｇ及びＶＩ
Ｄ−Ｒをサンプリング回路３０１により順次サンプリン
グするように構成されている。

【００５１】次に図２に示すように、サンプリング回路
駆動信号線を隣接する画像信号ＶＩＤ-Ｒ，ＶＩＤ-Ｇ，
ＶＩＤ-Ｂに夫々対応したサンプリング回路３０１にサ
ンプリング回路駆動信号線３０６’を介して同時に供給
するようにして、画像信号ＶＩＤ-Ｒ，ＶＩＤ−Ｇ，Ｖ
ＩＤ-Ｂの位相を調整しても良い。例えば、画像信号Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３を同時にサンプリングする。これにより
データ線駆動回路１０１の動作周波数を１/３に低減で
きるため、消費電力やＥＭＩ（Electomagnetic wave
Interference）の低減を実現することができる。

【００５２】尚、外部の画像信号処理回路において所定
数のデータ線群毎にパラレルに各画像信号ＶＩＤ−Ｒ、
ＶＩＤ−Ｇ及びＶＩＤ−Ｂを供給可能となるように、予
めシリアルな各画像信号ＶＩＤ−Ｒ、ＶＩＤ−Ｇ及びＶ
ＩＤ−Ｂを夫々、所定数のパラレルな画像信号に変換し
ておき、シリアル−パラレル変換後の複数の画像信号を
データ線６サンプリングするようにしてもよい。このパ
ラレルな色毎の画像信号の数及び同時に画像信号を印加
する各グループを構成するデータ線の数は、例えば、当
該サンプリング回路３０１におけるサンプリング能力が
高ければ、本実施形態の如くに１でもよいし、若しく
は、逆にサンプリング能力が低ければ、１２、２４等で
もよい。このように画像信号をシリアル−パラレル変換
することで、余り高くないサンプリング能力のサンプリ
ング回路３０１を用いて所謂ＸＧＡ、ＳＸＧＡといった
高ドット周波数の画像信号にも対処可能となる。

【００５３】図１及び図２に示すように、本実施形態で
は、データ線６に同一のが対応するようにデータ線同一
色方式のデルタ配列から構成されている。このような構
成をとれば、同一データ線６には同一色のデータに係る
画像信号を入力するので、比較的近くに位置する複数行
に係るデータはそれ程大きく変わらないため、異なる行
間のデータの影響による表示むらは殆ど発生しない。デ
ータ線６に対して、同一の色が対応するようにするに
は、１走査線３ａ毎に１．５画素ずつＸ方向に互い違い
にずらすようにすれば良い。この際、画素電極９ａを制
御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、相隣接
する画素電極９ａ間を蛇行するように配設されたデータ
線６の蛇行方向とＹ方向軸にたいして反対側に設けるよ
うにすると、最も効率よく配線することができる。

【００５４】次に図３において、液晶装置のＴＦＴアレ
イ基板１０上には、データ線同一色方式でデルタ配列さ
れた複数の画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示
されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の
境界に各々沿ってデータ線６、走査線３ａ及び容量線３
ｂが設けられている。走査線３ａは、画素電極９ａのデ
ルタ配列におけるＸ方向に並べられた直線状の配列に対
応して夫々直線状に設けられている。データ線６は、画
素電極９ａのデルタ配列におけるＹ方向に並べられた１
走査線毎に０．５画素ずつずれた間を縫って蛇行するよ
うに設けられている。また、ＴＦＴ３０は、二つのゲー
トを持つデュアルゲート構造のＴＦＴからなり、画素電
極９ａにドレインが夫々接続されており、データ線６に
ソースが夫々接続されており、走査線３ａにゲートが夫
々接続されている。そして、データ線６は、デュアルゲ
ート構造のＴＦＴ３０を構成するポリシリコン膜等の半
導体層１のうち後述のソース領域に、コンタクトホール
５を介して電気的接続されており、画素電極９ａは、半
導体層１のうち後述のドレイン領域にコンタクトホール
８を介して電気的接続されている。また、半導体層１の
うち二つのゲートのチャネル領域１ａ及び１ａ’（図中
右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配
置されており、走査線３ａはゲート電極として機能す
る。

【００５５】本実施形態では特に、データ線６は、Ａｌ
等の低抵抗な遮光性の導電性材料からなり、１走査線毎
に０．５画素ずつずらして配列された相隣接する画素電
極９ａの間を縫って蛇行して伸びると共に、半導体層１
のソース領域にコンタクトホール５を介して接続される
個所を含む本線部６ａと当該本線部６ａから走査線３ａ
に対向する位置において夫々平面的に突出した突出部６
ｂとを備える。また、画素電極９ａのうち１走査線毎に
１．５画素ずつずらして配列された画素電極群は、ＴＦ
Ｔ３０を介して同一データ線６に接続されている。そし
て、これらデータ線６の本線部６ａ及び突出部６ｂによ
り、本線部６ａにゲートが接続されたデュアルゲート構
造のＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ及び１ａ’を対向基
板の側から見て少なくとも部分的に覆うように構成され
ている。従って、対向基板側からの入射光に対するチャ
ネル領域１ａ及び１ａ’における遮光が、データ線６の
本線部６ａ及び突出部６ｂによりなされる。

【００５６】また、本実施形態では、容量線３ｂを走査
線３ｂと並んで設けることにより、画素電極９ａに対し
蓄積容量７０を付与することができる。容量線３ｂを設
けることにより蓄積容量７０を各画素電極９ａに付与す
るので、特にデータ線６と画素電極９ａとの間における
寄生容量による画像信号或いは表示画像に対する影響を
相対的に小さくできる。即ち、前述した奇数段と偶数段
との間での寄生容量の差に起因した横ラインむらを有効
に低減できる。

【００５７】更に、容量線３ｂをデータ線６の下に延設
し、半導体層１の一部からなる第１蓄積容量電極１ｆと
の間で絶縁膜を介して蓄積容量７０を形成することがで
きる。

【００５８】このような構成をとれば、データ線６の下
という非光透過領域を利用して蓄積容量７０を効率的に
増加させることが可能となり、前述した奇数段と偶数段
との間でのデータ線６と画素電極９ａとの間の寄生容量
の差に起因した横ラインむらを非常に有効に低減でき
る。

【００５９】また本実施形態では、前記データ線６の突
出部６ｂは、突出する方向が１走査線毎に異なるように
構成される。このような構成をとることにより、データ
線の引き回しを極力少なくすべく蛇行する本線部を基準
としてチャネル領域を１走査線毎に異なる方向に（即
ち、通常は左右交互に）形成しても、これに応じて１走
査線毎に突出方向が異なるデータ線の突出部により当該
チャネル領域を遮光可能である。

【００６０】次に図４の断面図に示すように、液晶装置
は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基
板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の一
例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレ
イ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０
は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレ
イ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その
上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された
配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜
からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜な
どの有機薄膜からなる。

【００６１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下
側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配
向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、Ｉ
ＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２
は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００６２】ＴＦＴアレイ基板１０には、図３及び図４
に示すように、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画
素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用
ＴＦＴ３０が設けられている。

【００６３】対向基板２０には、更に図４に示すよう
に、各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が
設けられている。この第２遮光膜２３並びにデータ線６
の本線部６ａ及び突出部６ｂにより、対向基板２０の側
から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層
１のチャネル領域１ａ及び１ａ’や、チャネル領域１ａ
に隣接するＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃ並びにチャネル領域
１ａ’に隣接するＬＤＤ領域１ｂ’及び１ｃ’に侵入す
ることはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラスト
比の向上、色材の混色防止、液晶装置の入射光による温
度上昇の防止などの機能を有すると共に第２遮光膜２３
により、液晶装置の画素開口領域の輪郭を少なくとも部
分的に規定することも可能である。

【００６４】対向基板２０には、デルタ配列による色配
列を構成するカラーフィルタ層（色材層）２４とオーバ
ーコート膜２５とが更に設けられている。カラーフィル
タ層２４は、顔料分散法、染色法、印刷法、電着法、イ
ンクジェット法等により製造される。これらのうち顔料
分散法が分光特性、パターン精度、製造コスト、耐熱
性、耐光性等の面で総合的に優れており、現在主流とな
っている。他方、オーバーコート膜２５は、アクリル樹
脂やエポキシ樹脂から、厚さ０．５〜２μｍ程度の保護
膜及び平坦化膜としてカラーフィルタ層２４の全面に形
成される。このように当該液晶装置は、カラー液晶装置
として構成されている。従って、ノートパソコンや携帯
機器の直視型の液晶装置だけでなく、当該液晶装置を１
個だけ用いて、安価な単板型のプロジェクト等を作成可
能となる。尚、カラーフィルタ層２４は、カラーレジス
ト等によりＴＦＴアレイ基板１０上に直接形成しても良
い。また、第２遮光膜２３をＴＦＴアレイ基板１０上に
形成することも可能である。これにより、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ時のずれにより
画素開口率の低下を防ぐことができるため、高開口率化
が実現できるだけでなく、歩留まりの低下を招くことが
ないという利点がある。

【００６５】以上のように構成され、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材
（図９及び図１０参照）により囲まれた空間に液晶が封
入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素
電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１
６及び２２により所定の配向状態を採る。液晶層５０
は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合し
た液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及
び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、
例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であ
り、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイ
バー或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が
混入されている。

【００６６】下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０
の全面に形成されることにより、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０のための下地膜としての機能を有する。即ち、
ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、
洗浄後に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性劣化を防止する
機能を有する。下地絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノ
ンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケー
トガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰ
ＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガ
ラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からな
る。

【００６７】本実施の形態では特に、ゲート絶縁膜２を
走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として
用い、半導体層１の一部を第１蓄積容量電極１ｆとし、
更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量
電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されてい
る。より詳細には、画素電極９ａにコンタクトホール８
を介して接続された半導体層１の高濃度ドレイン領域１
ｅ’が、データ線６及び走査線３ａの下に延設されて、
同じくデータ線６及び走査線３ａに沿って伸びる容量線
３ｂ部分に絶縁膜（ゲート絶縁膜２と同一膜）を介して
対向配置されて、第１蓄積容量電極１ｆとされている。
これらの結果、データ線６下の領域及び走査線３ａに沿
って液晶のディスクリネーションが発生する領域（即
ち、容量線３ｂが形成された領域）という画素開口領域
を外れたスペースを有効に利用して、画素電極９ａの蓄
積容量を増やすことが出来る。このように蓄積容量７０
が比較的大容量となるように構成されているため、デー
タ線６と画素電極９ａとの間における寄生容量による画
像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎに対する影響を相対的に小
さくできる。即ち、前述した奇数段と偶数段との間での
寄生容量の差に起因した横ラインむらを有効に低減でき
る。

【００６８】再び、図４において、デュアルゲート構造
を有する画素スイッチング用ＴＦＴ３０は特に、各ゲー
ト毎にＬＤＤ構造を有しており、当該走査線３ａ、走査
線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層
１のチャネル領域１ａ、走査線３ａと半導体層１とを絶
縁するゲート絶縁膜２、データ線６（本線部６ａ、突出
部６ｂ）、ソースに近い側のチャネル領域１ａに対する
半導体層１の低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）
１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）
１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領
域１ｅとを備えており、更に、ドレインに近い側のチャ
ネル領域１ａ’に対する半導体層１の低濃度ソース領域
１ｂ’及び低濃度ドレイン領域１ｃ’並びに高濃度ソー
ス領域１ｄ’（高濃度ドレイン領域１ｅ）及び高濃度ド
レイン領域１ｅ’を備えている。

【００６９】特にチャネル領域１ａに対する高濃度ドレ
イン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’に対する高濃度ソ
ース領域１ｄ’としても機能し、画素スイッチング用Ｔ
ＦＴ３０が構築されている。また、このチャネル領域１
ａに対する高濃度ドレイン領域１ｅ（チャネル領域１
ａ’に対する高濃度ソース領域１ｄ’）は、図３に示し
たように、画素開口領域内に二つのゲートのＵ字形の連
結部分として大きくはみ出しているが、このはみ出し領
域における半導体層１は、元々膜厚が薄く、ほぼ透明で
あると共に比較的ＴＦＴアレイ基板１０の近くに（即
ち、層間絶縁膜等を介して画素電極９ａから厚み方向に
比較的離れて）形成されているので、このはみ出し領域
上の画素電極９ａ部分は、特に平坦化処理を施さなくて
も複数の薄膜形成プロセスの間に平坦化されてしまう
か、或いは、後工程における何らかの平坦化処理により
容易に平坦化される。この結果、このはみ出し領域にお
ける半導体層部分が画素電極９ａにおける凹凸を引き起
こす（即ち、液晶層５０における配向不良を引き起こ
す）という問題は殆ど生じないで済む。

【００７０】高濃度ドレイン領域１ｅ’には、複数の画
素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。半
導体層１のソース領域及びドレイン領域は後述のよう
に、半導体層１に対し、Ｎ型又はＰ型のチャネルを形成
するかに応じて所定濃度のＮチャネル型用又はＰチャネ
ル型用の不純物イオンをドープすることにより形成され
ている。Ｎチャネル型ＴＦＴは、動作速度が速いという
利点があり、画素のスイッチング素子であるＴＦＴとし
て用いられることが多い。

【００７１】本実施の形態では特にデータ線６は、Ａｌ
等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の
薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、ゲート絶
縁膜２及び下地絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域
１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領
域１ｅ’へ通じるコンタクトホール８が各々形成された
第１層間絶縁膜４が形成されている。この高濃度ソース
領域１ｄへのコンタクトホール５を介して、データ線６
の本線部６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的接続され
ている。更に、データ線６及び第１層間絶縁膜４の上に
は、高濃度ドレイン領域１ｅ’へのコンタクトホール８
が形成された第１層間絶縁膜７が形成されている。この
高濃度ドレイン領域１ｅ’へのコンタクトホール８を介
して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅ’に電気
的接続されている。前述の画素電極９ａは、このように
構成された第２層間絶縁膜７の上面に設けられている。
尚、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅ’とは、デ
ータ線６と同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリ
コン膜を中継して電気的接続するようにしてもよい。

【００７２】画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好まし
くは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領
域１ｂ、１ｂ’及び低濃度ドレイン領域１ｃ、１ｃ’に
不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持
ってよいし、ゲート電極をマスクとして高濃度で不純物
イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレ
イン領域を形成するセルフアライン構造のＴＦＴであっ
てもよい。

【００７３】また本実施の形態では、画素スイッチング
用ＴＦＴ３０にデュアルゲート構造を採用したため、チ
ャネルとソース−ドレイン領域接合部のリーク電流を防
止でき、オフ時の電流を低減することができる。更に、
これら二つののゲートの少なくとも１個をＬＤＤ構造に
すれば、オフ電流を低減でき、安定したスイッチング素
子を得ることができる。但し、デュアルゲート構造に代
えて、走査線３ａから角状に１個のゲート電極が突き出
てなるシングルゲート構造のＴＦＴを用いてもよいし、
３個以上のゲート電極を有するトリプルゲート構造のＴ
ＦＴ等を用いてもよい。

【００７４】本実施形態では特に、データ線６の本線部
６ａは、Ｙ方向に並べられた画素電極９ａの千鳥足状の
配列の脇を縫って蛇行して伸びており、データ線６の突
出部６ｂは、本線部６ａから走査線３ａに対向する位置
において、夫々平面的に突出している（図３参照）。そ
して、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１
ａ及び１ａ’は、これらの本線部６ａ及び突出部６ｂに
より少なくとも部分的に夫々覆われている。従って、対
向基板２０側からの入射光に対する画素スイッチング用
ＴＦＴ３０における遮光は、これらの本線部６ａ及び突
出部６ｂにより効率的に実施されており、画素スイッチ
ング用ＴＦＴ３０における半導体層１での入射光に基づ
く光電変換効果によりトランジスタ特性が劣化すること
を効果的に防止できる。この際、様々な形状及びレイア
ウトが可能である突出部６ｂの占有領域の一部又は全部
を画素電極９ａ上から外すことにより、画素開口率を全
く又は殆ど低下させないで済む。更に、データ線６の本
線部６ａは、隣接する画素電極９ａの間を縫って蛇行し
て形成するので、データ線６と画素電極９ａとの間にお
ける寄生容量を低減できる。すると、製造プロセスにお
けるデータ線６と画素電極９ａとの位置ずれに起因する
奇数段と偶数段との間での生じる寄生容量の差を小さく
できる。即ち、当該位置ずれが大きくても、それに応じ
て発生する寄生容量の差を小さくできるので、奇数段と
偶数段との間での寄生容量の差に起因した横ラインむら
を有効に低減できる。

【００７５】本実施形態では特に、対向基板２０側から
見て、本線部６ａの縁と画素電極９ａの縁とは、両者の
縁に沿った僅かな幅の部分において相重なっている（図
３参照）。従って、両者間を光が漏れて白抜け等の画像
劣化につながることはないので、このように重なった本
線部６ａによって画素開口領域の左右（即ち、画素開口
領域のＹ方向に伸びる各辺）を規定できる。尚、この重
なりの面積が大きい程に、データ線６と画素電極９ａと
の間における寄生容量が増加して上述の横ラインむらを
引き起こすので、この重なりの面積は製造精度を考慮し
つつなるべく小さい方がよい。また、このようなデータ
線６の平面レイアウト構成では、画素開口領域の上下
（即ち、画素開口領域のＸ方向に伸びる各辺）について
は、対向基板２０上の第２遮光膜２３（図４参照）によ
り規定すればよい。

【００７６】更に本実施形態では特に、デュアルゲート
構造を有した画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対して、
チャネル領域１ａをデータ線６の本線部６ａにより覆
い、チャネル領域１ａ’をデータ線６の突出部６ｂによ
り覆うように平面レイアウト構成したので、図３から分
かるように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０における遮
光は、本線部６ａ及び突出部６ｂにより極めて効率的に
実施されている。加えて、半導体層１のうちＵ字形の二
つのゲートを結ぶ部分を画素開口領域内に配置し、様々
な形状及びレイアウトが可能である突出部６ｂを画素電
極９ａと平面的に見て重ならないように配置しているの
で、当該データ線６の突出部６ｂと画素電極９ａとの間
で寄生容量が生じることがないため、寄生容量に起因す
る横ラインむらの発生を抑制することができる。逆に、
このようなデュアルゲート構造のＴＦＴは、データ線６
から画素電極９ａまでの距離を短くできるので、基本的
に画素開口率を高くできると共にオフ時のリーク電流が
少ないので、一般に画素スイッチング用のＴＦＴに適し
ている。

【００７７】以上詳細に説明したように第1実施形態に
よれば、データ線同一色方式のデルタ配列の液晶装置に
おいて、データ線の引き回しを少なくしつつＴＦＴ３０
を効率的に遮光することにより、データ線上の画像信号
におけるＳ／Ｎ（信号／雑音）比の向上を図ることがで
き、しかも画素開口率を高く維持しつつ且つデータ線６
と画素電極９ａとの間の寄生容量を低減することによ
り、高品質の画像表示が可能となる。

【００７８】（電気光学装置の第２実施形態）本発明に
よる電気光学装置の第２実施形態について図５を参照し
て説明する。

【００７９】上述した第１実施形態における液晶装置
は、対向基板２０にカラーフィルタ層を備えた単板のカ
ラー表示用液晶装置として構成されていたが、第２実施
形態における液晶装置は、このカラーフィルタ層を備え
ない白黒或いは単色表示用の液晶装置として構成される
ものである。その他の構成については、第１実施形態の
場合と同様であるので、図５中、図４と同一の構成要素
には同一の参照符号を付し、それらの説明を省略する。
尚、図５は、図４に示したＡ−Ａ’断面に対応する断面
図により、当該カラーフィルタ層を備えない第２実施形
態を示したものである。

【００８０】図５において、対向基板２０には、第２遮
光膜２３、対向電極２１及び配向膜２２が形成されてお
り、カラーフィルタ層やオーバーコート層については形
成されていない。従って、第２実施形態における液晶装
置を用いて単板型のカラープロジェクタ等を作成する場
合は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けた各画素毎に対応
するようにマイクロレンズを対向基板２０に設けて、光
の入射方向を変えることで色分離させることにより、カ
ラーフィルタ層を有しない液晶装置でも単板でカラー表
示させることができる。また、第２実施形態における液
晶装置を用いて単板型の白黒プロジェクタや３枚組み合
わせによる高画質のカラープロジェクタを作成できるこ
とは言うまでもない。

【００８１】（電気光学装置の第３実施形態）本発明に
よる電気光学装置の第３実施形態について図６を参照し
て説明する。

【００８２】上述した第１又は第２実施形態では、画素
スイッチング用ＴＦＴ３０、走査線３ａ、容量線３ｂ、
データ線６等を形成した積層領域における他の領域に対
する段差に対して、何等の平坦化処理も施していない
が、第３実施形態では、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁
膜４及び第２層間絶縁膜７並びにＴＦＴアレイ基板１０
のうち少なくとも一つは、少なくともデータ線６及び前
記走査線３ａ並びに前記容量線３ｂに対向する領域の少
なくとも一部分が凹状に窪んで形成されている。この結
果、画素電極９ａの下地表面が平坦化されている。その
他の構成については、第２実施形態の場合と同様である
ので、図中同一の構成要素には同一の参照符号を付し、
それらの説明を省略する。尚、図６は、図４に示したＡ
−Ａ’断面に対応する断面図により、当該カラーフィル
タ層を備えない実施形態を示したものである。

【００８３】図６に示すように、第３実施形態では、第
２層間絶縁膜７の表面が平坦化されている。このような
第２層間絶縁膜７は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mecha
nical Polishing）処理や有機ＳＯＧ（Spin On Glas
s）膜や無機ＳＯＧ膜、有機膜のスピンコート処理等に
より平坦化されている。この結果、データ線６の本線部
６ａ及び突出部６ｂに重ねて走査線３ａ、ＴＦＴ３０、
容量線３ｂ等が形成される領域と画素開口領域との段差
が低減される。このようにして画素電極９ａの下地表面
が平坦化されているので、画素電極９ａを平坦化でき、
当該平坦化の度合いに応じて画素電極９ａの表面の凹凸
により引き起こされる液晶のディスクリネーション（配
向不良）を低減できる。この結果、第４実施形態によれ
ば、より高品位の画像表示が可能となり、画素開口領域
を広げることも可能となる。

【００８４】尚、第１層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜
７、下地絶縁膜１２及びＴＦＴアレイ基板１０における
データ線６及び前記走査線３ａ並びに前記容量線３ｂに
対向する領域の少なくとも一部分を凹状に窪めて形成し
ても同様の平坦化の効果が得られる。各層間絶縁膜を凹
状に形成する方法としては、各層間絶縁膜を二層構造と
して、一層のみからなる薄い部分を凹状の窪み部分とし
て二層の厚い部分を凹状の土手部分とするように薄膜形
成及びエッチングを行なえばよい。或いは、各層間絶縁
膜を単一層構造として、エッチングにより凹状の窪みを
開孔するようにしてもよい。これらの場合、反応性イオ
ンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドラ
イエッチングを用いると、設計寸法通りに凹状部分を形
成できる利点がある。一方、少なくもとウエットエッチ
ングを単独で又はドライエッチングと組み合わせて用い
た場合には、凹状の窪みの側壁面をテーパ状に形成でき
るため、後工程で凹状の窪み内に形成されるポリシリコ
ン膜、レジスト等の側壁周囲への残留を低減できるの
で、歩留まりの低下を招かない利点が得られる。

【００８５】（電気光学装置の第４実施形態）本発明に
よる電気光学装置の第４実施形態について図７及び図８
を参照して説明する。

【００８６】上述した第１から第３実施形態では、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０側からの戻り光等に対する遮光のため
の遮光膜が、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下側に設
けられていないが、第４実施形態では、このような遮光
膜がＴＦＴアレイ基板１０と下地絶縁膜１２との間に形
成されている。その他の構成については、第２及び第３
実施形態の場合と同様であるので、図中同一の構成要素
には同一の参照符号を付し、それらの説明を省略する。
尚、図７は、データ線、走査線、画素電極等が形成され
たＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図
であり、図８は、図７のＢ−Ｂ’断面図である。

【００８７】図７に示すように、図中右上がりの斜線で
示した領域には、縞状配線部を含む第１遮光膜１１ａ
が、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の下側を通るように設け
られている。より具体的には、第１遮光膜１１ａの縞状
配線部は夫々、走査線３ａ下を走査線３ａに沿って直線
状に伸びている。特にチャネル領域１ａ及び１ａ’を含
むＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０の側（即ち、ＴＦ
Ｔ３０の下側）から見て覆うように、走査線３ａがデー
タ線６と交差する箇所では、ＴＦＴ３０の下側において
データ線６に沿って上方に若干幅広に形成されており、
それ以外の個所は、走査線３ａよりも平面的に若干幅狭
に（即ち、図７で走査線３ａの下方に寄って）形成され
ることにより、第１遮光膜１１ａに対向基板から入射し
た光ができるだけ照射されないように構成されている。

【００８８】更に、この第１遮光膜１１ａにより、画素
開口領域の輪郭を規定する機能の一部又は全部を持たせ
ることも可能となるので、データ線６に画素開口領域の
輪郭を規定する機能の全てを持たせなくて済む。従っ
て、データ線６の本線部６ａや突出部６ｂの形状や位置
の自由度が格段に増すため、結果として画素開口領域を
広げることが可能となる。

【００８９】図８に示すように、デュアルゲート構造の
ＴＦＴ３０の二つのチャネル領域１ａ及び１ａ’に各々
対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各デュア
ルゲート構造のＴＦＴ３０との間に、第１遮光膜１１ａ
が各々設けられている。第１遮光膜１１ａは、好ましく
は不透明な高融点金属であるＴｉ（チタン）、Ｃｒ、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデ
ン）及びＰｄ（鉛）のうちの少なくとも一つを含む、金
属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。この
ような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の
第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われるデュアルゲ
ート構造のＴＦＴ３０の形成工程における高温処理によ
り、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないように
できる。第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０の側からの戻り光等がデュアルゲート
構造のＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ及び１ａ’等に入
射する事態を未然に防ぐことができる。尚、このような
構成においては、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング
用ＴＦＴ３０との間にある下地絶縁膜１２は、前述の画
素スイッチング用ＴＦＴ３０の下地膜としての機能のほ
かに、半導体層１を第１遮光膜１１ａから電気的絶縁す
るために設けられるものである。

【００９０】本実施形態では好ましくは、第１遮光膜１
１ａは定電位源に電気的接続されており、定電位とされ
る。従って、第１遮光膜１１ａに対向配置されるデュア
ルゲート構造のＴＦＴ３０に対し第１遮光膜１１ａの電
位変動が悪影響を及ぼすことはない。この場合、定電位
源としては、当該液晶装置を駆動するための周辺回路
（例えば、走査線駆動回路、データ線駆動回路等）に供
給される負電源、正電源等の定電位源、接地電源、対向
電極２１に供給される定電位源等が挙げられる。このよ
うに周辺回路等の電源を利用すれば、専用の電位配線や
外部入力端子を設ける必要なく、第１遮光膜１１ａを定
電位にできる。

【００９１】本実施の形態では特に、第１遮光膜１１ａ
の縞状配線部は、走査線３ａに沿って夫々伸延してお
り、しかも、データ線６に沿った方向に対し分断されて
いる。このため、例えば各画素開口領域の周りに一体的
に形成された格子状の遮光膜を配設した場合と比較し
て、第１遮光膜１１ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂを形
成するポリシリコン膜等の半導体層１、データ線６を形
成する金属膜、層間絶縁膜等からなる当該液晶装置の積
層構造において、各膜の物性の違いに起因した製造プロ
セス中の加熱冷却に伴い発生するストレスが格段に緩和
される。このため、第１遮光膜１１ａ等におけるクラッ
クの発生防止や歩留まりの向上が図られる。

【００９２】以上説明した第４実施形態における液晶装
置では、従来と同様に入射光を対向基板２０の側から入
射することとしたが、第１遮光膜１１ａを設けているの
で、ＴＦＴアレイ基板１０の側から入射光を入射し、対
向基板２０の側から出射するようにしても良い。即ち、
このように液晶装置を液晶プロジェクタに取り付けて
も、半導体層１のチャネル領域及びＬＤＤ領域に光が入
射することを防ぐことが出来、高画質の画像を表示する
ことが可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板
１０の裏面側での反射を防止するために、反射防止用の
ＡＲ（Anti Reflection）被膜された偏光板を別途配置
したり、ＡＲフィルムを貼り付ける必要があった。しか
し、第４実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と
半導体層１の少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域と
の間に第１遮光膜１１ａが形成されているため、このよ
うなＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、
ＴＦＴアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使
用する必要が無くなる。従って、各実施の形態によれ
ば、材料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、
ごみ、傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有
利である。

【００９３】更に本実施形態では、第１遮光膜１１ａ
は、ドレインと画素電極９ａとを接続するコンタクトホ
ール８の下には、設けられていない。このため、半導体
層１の下に第１遮光膜１１ａを設けるとストレスが比較
的強く発生するが、コンタクトホール８を開孔した際
に、その周囲にストレスが発散してクラックや変形の原
因となることを回避でき、更に、その周囲にある容量線
３ｂにおける絶縁膜の耐圧が悪くなる事態を回避できる
ので、このような構成は、実用上有利である。

【００９４】（電気光学装置の全体構成）以上のように
構成された電気光学装置の各実施形態における液晶装置
の全体構成を図９及び図１０を参照して説明する。尚、
図９は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各
構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であ
り、図１０は、図９のＨ−Ｈ’断面図である。

【００９５】図９において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或い
は異なる材料から成り、画像表示領域の周辺を規定する
額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール
材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び
実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って
設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に
隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供
給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査
線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでも
ない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の
辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデー
タ線６は画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデ
ータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ
線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設された
データ線駆動回路から画像信号を供給するようにしても
よい。この様にデータ線６を櫛歯状に駆動するようにす
れば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することがで
きるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更
にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域
の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐた
めの複数の配線１０５が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通
をとるための導通材１０６が設けられている。そして、
図１０に示すように、図９に示したシール材５２とほぼ
同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２により
ＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。

【００９６】以上図１から図１０を参照して説明した各
実施形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上に
は更に、サンプリング回路３０１によるデータ線６への
画像信号の書き込み負担を軽減すべく画像信号に先行し
て所定電位のプリチャージ信号を各データ線６に書き込
むプリチャージ回路等を形成してもよい。また、データ
線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４及び検査回路
４０１をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、
例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上に実
装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺
部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び
機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２
０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出
射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Twisted Ne
matic）モード、ＶＡ(VerticallyAligned)モード、ＰＤ
ＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等
の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリ
ーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差
フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

【００９７】以上説明した各実施形態の液晶装置におい
て、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイク
ロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光
の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現で
きる。また、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違
する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、Ｒ
ＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成しても
よい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれ
ば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。

【００９８】以上説明した各実施形態における液晶装置
では、データ線６、第１遮光膜１１ａ或いは第２遮光膜
２３等により、耐光性が優れているため、明るい光源を
使用したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換し
て、光利用効率を向上させても、光によるクロストーク
等の画質劣化を生じない。

【００９９】尚、各画素に設けられるスイッチング素子
としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコン
ＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴや
アモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対
しても、各実施の形態は有効である。（電子機器）次
に、以上詳細に説明した液晶装置１００を備えた電子機
器の実施の形態について図１３から図１５を参照して説
明する。

【０１００】先ず図１３に、このように液晶装置１００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１０１】図１３において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、シリアル−パラレ
ル変換回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、ク
ランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されて
おり、クロック信号に基づいて入力された表示情報から
デジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆
動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶
装置１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各
回路に所定電源を供給する。尚、液晶装置１００を構成
するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載
してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を
搭載してもよい。

【０１０２】次に図１４から図１５に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。

【０１０３】図１４において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
ＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む
液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライ
トバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いた
プロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ
１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のラ
ンプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚
のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１
０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、
Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特に
Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レン
ズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１
２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれ
る。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、
ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された
後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０に
カラー画像として投射される。

【０１０４】図１５において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００が
トップカバーケース内に設けられており、更にＣＰＵ、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２
が組み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１０５】以上図１４から図１５を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図１３に示した電子機器の例として挙げられ
る。

【０１０６】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置
を備えた各種の電子機器を実現できる。

【０１０７】

【発明の効果】本発明によれば、データ線同一色方式の
デルタ配列のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電
気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板上で１走査線毎
に０．５画素ずつずれて配列された画素電極に対応して
蛇行する本線部とこの本線部から突出した突出部によ
り、画素部におけるＴＦＴを対向基板の側から覆うよう
に構成したので、データ線の引き回しを少なくしつつＴ
ＦＴを効率的に遮光することが可能となり、高品質の画
像表示が可能となる。これに加えて、画素開口率を高く
維持しつつデータ線と画素電極との間における寄生容量
を低減できるため、より高品位の画像表示が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】電気光学装置の第１実施形態の液晶装置におけ
るＴＦＴアレイ基板に形成された画素部及び周辺回路を
示すブロック図である。

【図２】第１実施形態の液晶装置の変形例を示すブロッ
ク図である。

【図３】第１実施形態の液晶装置におけるデータ線、走
査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣
接する複数の画素群の平面図である。

【図４】図３のＡ−Ａ’断面図である。

【図５】電気光学装置の第２実施形態の液晶装置の断面
図である。

【図６】電気光学装置の第３実施形態の液晶装置の断面
図である。

【図７】電気光学装置の第４実施形態の液晶装置におけ
るデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成された
ＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図で
ある。

【図８】図７のＢ−Ｂ’断面図である。

【図９】電気光学装置の各実施形態におけるＴＦＴアレ
イ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板
の側から見た平面図である。

【図１０】図９のＨ−Ｈ’断面図である。

【図１１】データ線２色同一方式のデルタ配列を示す図
式的平面図である。

【図１２】データ線２色ローテーション方式のデルタ配
列を示す図式的平面図である。

【図１３】本発明による電子機器の実施の形態の概略構
成を示すブロック図である。

【図１４】電子機器の一例として液晶プロジェクタを示
す断面図である。

【図１５】電子機器の他の例としてのパーソナルコンピ
ュータを示す正面図である。

【符号の説明】

１…半導体層１ａ、１ａ’…チャネル領域１ｂ、１ｂ’…低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領
域）１ｃ、１ｃ’…低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ
領域）１ｄ、１ｄ’…高濃度ソース領域１ｅ、１ｅ’…高濃度ドレイン領域１ｆ…第１蓄積容量電極２…絶縁膜３ａ…走査線３ｂ…容量線４…第１層間絶縁膜５…コンタクトホール６…データ線６ａ…本線部６ｂ…突出部７…第２層間絶縁膜８…コンタクトホール９ａ…画素電極１０…ＴＦＴアレイ基板１２…下地絶縁膜１６…配向膜２０…対向基板２１…対向電極２２…配向膜３０…ＴＦＴ５０…液晶層７０…蓄積容量１０１…データ線駆動回路１０４…走査線駆動回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板間に電気光学物質が挟持され
てなり、該一対の基板の一方の基板上に相交差する複数
の走査線及び複数のデータ線と、前記各走査線及び前記
各データ線に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜ト
ランジスタに接続されると共に１走査線毎に０．５画素
ずつずらして配列された画素電極とを備え、前記画素電極のうち１走査線毎に１．５画素ずつずらし
て配列された画素電極群が前記薄膜トランジスタを介し
て同一データ線に接続され、前記データ線は、遮光性の導電性材料からなり、前記薄
膜トランジスタのソースに接続される箇所を含むと共に
前記画素電極の間隙に対応して１走査線毎に０．５画素
ずつ蛇行して形成された本線部と該本線部から前記の走
査線に対向する位置において平面的に突出しており前記
薄膜トランジスタのチャネル領域を平面的に見て少なく
とも部分的に覆う突出部とを有することを特徴とする電
気光学装置。
【請求項２】前記データ線の本線部と前記画素電極と
は、平面的に見て少なくとも部分的に重なっていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】前記走査線は直線状に形成されており、
前記薄膜トランジスタは半導体層が前記走査線を２度横
切るＵ字形のデュアルゲートを有する薄膜トランジスタ
からなり、前記データ線は前記デュアルゲートのうち前記ソースに
近い側のゲートに対向するチャネル領域を前記本線部に
より覆うと共に前記デュアルゲートのうちドレインに近
い側のゲートに対向するチャネル領域を前記突出部によ
り覆うように構成されていることを特徴とする請求項１
又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】前記データ線は、前記チャネル領域に加
えて前記チャネル領域に隣接するソース及びドレインと
の接合領域を少なくとも部分的に覆うように構成されて
いることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に
記載の電気光学装置。
【請求項５】前記薄膜トランジスタは、ＬＤＤ（Ligh
tly Doped Drain）構造を持つ薄膜トランジスタからな
り、前記データ線は、前記チャネル領域に加えて前記薄
膜トランジスタのＬＤＤ領域を少なくとも部分的に覆う
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載
の電気光学装置。
【請求項６】前記一方の基板上に、前記走査線と並ん
で設けられており、前記画素電極に対し蓄積容量を付与
する容量線を更に備えたことを特徴とする請求項１から
５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】前記容量線は、前記データ線の下に延設
されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学
装置。
【請求項８】前記一方の基板上に、少なくとも前記チ
ャネル領域を前記一方の基板の側から見て覆う位置に設
けられた遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１
から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】前記遮光膜は、前記走査線の下に延設さ
れており定電位源に接続されていることを特徴とする請
求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】前記遮光膜は、前記薄膜トランジスタ
のドレインと前記画素電極とのコンタクトホールの下に
は、設けられていないことを特徴とする請求項８又は９
に記載の電気光学装置。
【請求項１１】前記一方の基板上に、少なくとも前記
走査線の上且つ前記データ線の下に設けられた第１層間
絶縁膜と、前記データ線の上且つ前記画素電極の下に設
けられた第２層間絶縁膜とを更に備えており、前記一方
の基板並びに前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁
膜のうち少なくとも一つは、前記データ線及び前記走査
線並びに前記容量線に対向する領域の少なくとも一部分
が凹状に窪んで形成されることにより、前記画素電極の
下地表面が平坦化されていることを特徴とする請求項１
から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】前記他方の基板に、前記画素電極の配
列に対応して着色されたカラーフィルタを備えたことを
特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電
気光学装置。
【請求項１３】前記データ線と前記薄膜トランジスタ
を介して接続された前記画素電極群に対して同一色に着
色されたカラーフィルタ層を備えたことを特徴とする請
求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】前記走査線に対向する位置における前
記データ線の本線部の延設方向と異なる方向に前記チャ
ネル領域が形成されたことを特徴とする請求項１から１
３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】前記データ線の突出部は、突出する方
向が１走査線毎に異なることを特徴とする請求項１から
１３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】請求項１から１５のいずれか一項に記
載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。