JP2000165274A - 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 - Google Patents
複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置Info
- Publication number
- JP2000165274A JP2000165274A JP10331073A JP33107398A JP2000165274A JP 2000165274 A JP2000165274 A JP 2000165274A JP 10331073 A JP10331073 A JP 10331073A JP 33107398 A JP33107398 A JP 33107398A JP 2000165274 A JP2000165274 A JP 2000165274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency switch
- frequency
- communication system
- port
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H7/463—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提
供する。 【解決手段】 複合高周波部品10は、ダイプレクサ1
1、第1及び第2の高周波スイッチ12,13、第1及
び第2のフィルタ14,15からなる。そして、ダイプ
レクサ11は、第1のインダクタL11,L12、第1
のコンデンサC11〜C15で構成される。また、第1
の高周波スイッチ12は、第1のダイオードD11〜D
13、第2のインダクタL21〜L25、第2のコンデ
ンサC21〜C25で構成される。さらに、第2の高周
波スイッチ13は、第1のダイオードD21,D22、
第3のインダクタL31〜L33、第3のコンデンサC
31〜C33で構成される。また、第1のフィルタ14
は、第4のインダクタL41、第4のコンデンサC4
1,C42で構成される。さらに、第2のフィルタ15
は、第5のインダクタL51、第5のコンデンサC5
1,C52で構成される。
Description
びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、3つの異
なる通信システムに利用可能な複合高周波部品及びそれ
を用いた移動体通信装置に関する。
波数帯域、例えば1.8GHz帯を使用したDCS(Dig
ital Cellular System)及びPCS(Personal Communica
tion Services)と900MHz帯を使用したGSM(Glo
bal System for Mobile communications)とで動作が可
能なトリプルバンド携帯電話器が提案されている。
のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接した
周波数を備える第1及び第2の通信システムに1.8G
Hz帯のDCS及びPCS、それらと周波数が異なる第
3の通信システムに900MHz帯のGSMとした場合
の一例を示したものである。
ド部は、アンテナ1、ダイプレクサ2、3ポートを備え
た第1乃至第3のスイッチ3〜5、第1及び第2のフィ
ルタ6,7を備える。ダイプレクサ2は、送信の際には
DCS、PCSあるいはGSMの送信信号を結合し、受
信の際にはDCS、PCSあるいはGSMに受信信号を
分配する役目を担う。第1の高周波スイッチ3は、DC
S及びPCSの送信部側とDCS及びPCSの受信部側
とを切り換え、第2の高周波スイッチ4は、DCSの受
信部Rxd側とPCSの受信部Rxp側とを切り換え、
第3の高周波スイッチ5は、GSMの送信部Txg側と
受信部Rxg側とを切り換える役目を担う。第1のフィ
ルタ6は、DCS、PCSの送受信信号を通過させ、2
次高調波及び3次高調波を減衰させ、第2のフィルタ7
は、GSMの送受信信号を通過させ、3次高調波を減衰
させる役目を担う。
について、まず、DCSの場合を説明する。送信の際に
は、第1の高周波スイッチ3にてPCSと共通の送信部
Txdpを接続して送信部Txdpからの送信信号を第
1のフィルタ6に送り、第1のフィルタ6を通過した送
信信号をダイプレクサ2で合波し、アンテナ1から送信
する。受信の際には、アンテナ1から受信した受信信号
をダイプレクサ2で分波し、アンテナ1からの受信信号
をDCS、PCS側の第1のフィルタ6に送り、第1の
高周波スイッチ3にて受信部側をオンにして第1のフィ
ルタ6を通過した受信信号を第2の高周波スイッチ4に
送り、第2の高周波スイッチ4にてDCSの受信部Rx
dを接続して第2の高周波スイッチ4を通過した受信信
号をDCSの受信部Rxdに送る。なお、PCSを用い
る場合にも同様の動作にて送受信される。
際には、第3の高周波スイッチ5にて送信部Txgを接
続して送信部Txgからの送信信号を第2のフィルタ7
に送り、第2のフィルタ7を通過した送信信号をダイプ
レクサ2で合波し、アンテナ1から送信する。受信の際
には、アンテナ1から受信した受信信号をダイプレクサ
2で分波し、アンテナ1からの受信信号をGSM側の第
2のフィルタ7に送り、第3の高周波スイッチ5にて受
信部Rxgを接続して第2のフィルタ7を通過した受信
信号を受信部Rxgに送る。
の移動体通信装置の1つであるトリプルバンド携帯電話
器によれば、近接した周波数を備える第1及び第2の通
信システム側で2つの高周波スイッチを備えているた
め、受信部に2つの高周波スイッチの挿入損失が発生
し、挿入損失が大きくなるという問題があった。
なり、回路基板が大型化し、その結果、トリプルバンド
携帯電話器(移動体通信装置)が大型化するという問題
もあった。
めになされたものであり、挿入損失を低減し、かつ回路
の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動
体通信装置を提供することを目的とする。
るため本発明の複合高周波部品は、近接した周波数を備
える第1及び第2の通信システムと、該第1及び第2の
通信システムと周波数が異なる第3の通信システムとに
対応したフロントエンド部を構成するとともに、送信の
際には前記第1乃至第3の通信システムからの送信信号
を結合し、受信の際には前記第1乃至第3の通信システ
ムに受信信号を分配するダイプレクサと、前記第1及び
第2の通信システムの共通の送信部、前記第1の通信シ
ステムの受信部、前記第2の通信システムの受信部に分
離する4ポートを有する第1の高周波スイッチと、前記
第3の通信システムの送信部、受信部に分離する3ポー
トを有する第2の高周波スイッチと、前記第1及び第2
の通信システムの送受信信号を通過させる第1のフィル
タと、前記第3の通信システムの送受信信号を通過させ
る第2のフィルタとからなることを特徴とする。
オフを、前記第1及び第2の通信システムの共通の送信
部側に接続される第1の制御電源、前記第1の通信シス
テムの受信部側に接続される第2の制御電源、及び前記
第2の通信システムの受信部側に接続される第3の制御
電源で制御し、前記第2の高周波スイッチのオン・オフ
を、前記第3の通信システムの送信部側に接続される第
4の制御電源、及び前記第3の通信システムの受信部側
に接続される第5の制御電源で制御することを特徴とす
る。
オフを、前記第1及び第2の通信システムの共通の送信
部側、前記第1の通信システムの受信部側、あるいは前
記第2の通信システムの受信部側のいずれか2つに接続
される第1及び第2の制御電源で制御し、前記第2の高
周波スイッチのオン・オフを、前記第3の通信システム
の送信部側、あるいは前記第3の通信システムの受信部
側のいずれかに接続される第3の制御電源で制御するこ
とを特徴とする。
くとも1つが、前記高周波スイッチの後段に配置される
ことを特徴とする。
2の高周波スイッチ、及び前記第1及び第2のフィルタ
が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してな
るセラミック多層基板に一体化されることを特徴とす
る。
クタンス素子、及び第1のキャパシタンス素子で構成さ
れ、前記第1の高周波スイッチが、第1のスイッチング
素子、第2のインダクタンス素子、及び第2のキャパシ
タンス素子で構成され、前記第2の高周波スイッチが、
第2のスイッチング素子、第3のインダクタンス素子、
及び第3のキャパシタンス素子で構成され、前記第1の
フィルタが、第4のインダクタンス素子、及び第4のキ
ャパシタンス素子で構成され、前記第2のフィルタが、
第5のインダクタンス素子、及び第5のキャパシタンス
素子で構成されるとともに、前記第1及び第2のスイッ
チング素子、前記第1乃至第5のインダクタンス素子、
及び前記第1乃至第5のキャパシタンス素子が、前記セ
ラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラ
ミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接
続されることを特徴とする。
複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
トを有する第1の高周波スイッチと3ポートを有する第
2の高周波スイッチとの2つの高周波スイッチで構成し
ているため、近接した周波数を備える第1及び第2の通
信システムの受信経路に第1の高周波スイッチのみを備
え、その結果、受信部の挿入損失を低減することが可能
となる。
の挿入損失を低減する複合高周波部品を用いるため、3
つの通信システムに対応したフロントエンド部の特性を
向上させることができる。
施例を説明する。図1は、本発明の複合高周波部品の第
1の実施例の回路図である。第1乃至第3の通信システ
ムであるDCS(1.8GHz帯)、PCS(1.8G
Hz帯)、GSM(900MHz帯)に対応したフロン
トエンド部の一部を構成する複合高周波部品10は、ダ
イプレクサ11、4ポートを有する第1の高周波スイッ
チ12、3ポートを有する第2の高周波スイッチ13、
第1及び第2のフィルタ14,15からなる。
P11にはアンテナ1が、第2のポートP12には第1
のフィルタ14の第1のポートP41が、第3のポート
P13には第2のフィルタ15の第1のポートP51が
それぞれ接続される。
P42には第1の高周波スイッチ12の第1のポートP
21が接続され、第1の高周波スイッチ12の第2のポ
ートP22にはDCSとPCSとの共通の送信部Txd
pが、第3のポートP23にはDCSの受信部Rxd
が、第4のポートP24にはPCSの受信部Rxpがそ
れぞれ接続される。
トP52には第2の高周波スイッチ13の第1のポート
P31が接続され、第2の高周波スイッチ13の第2の
ポートP32にはGSMの送信部Txgが、第3のポー
トP33にはGSMの受信部Rxgがそれぞれ接続され
る。
ス素子である第1のインダクタL11,L12、及び第
1のキャパシタンス素子である第1のコンデンサC11
〜C15で構成される。
トP12との間に第1のコンデンサC11,C12が直
列接続され、それらの接続点が第1のインダクタL11
及び第1のコンデンサC13を介して接地される。
P13との間に第1のインダクタL12と第1のコンデ
ンサC14とからなる並列回路が接続され、その並列回
路の第3のポートP13側が第1のコンデンサC15を
介して接地される。
ッチング素子である第1のダイオードD11〜D13、
第2のインダクタンス素子である第2のインダクタL2
1〜L25、及び第2のキャパシタンス素子である第2
のコンデンサC21〜C25で構成される。
トP22との間にカソードが第1のポートP21側にな
るように第1のダイオードD11が接続され、第1のダ
イオードD11には第2のインダクタL21と第2のコ
ンデンサC21とからなる直列回路が並列に接続され
る。
ートP22側、すなわちアノードは第2のインダクタL
22及び第2のコンデンサC22を介して接地され、第
2のインダクタL22と第2のコンデンサC22との接
続点には第1の制御端子Vc1が設けられる。
トP23との間に第2のインダクタL23が接続され、
第2のインダクタL23の第3のポートP23側は第1
のダイオードD12及び第2のコンデンサC23を介し
て接地され、第1のダイオードD12のカソードと第2
のコンデンサC23との接続点には第2の制御端子Vc
2が設けられる。
P24との間に第2のインダクタL24が接続され、第
2のインダクタL24の第4のポートP24側は第1の
ダイオードD13及び第2のコンデンサC24を介して
接地され、第1のダイオードD13のカソードと第2の
コンデンサC24との接続点には第3の制御端子Vc3
が設けられる。
ダクタL25及び第2のコンデンサC25を介して接地
され、第2のインダクタL25と第2のコンデンサC2
5との接続点は、抵抗Rを介して接地される。
ッチング素子である第2のダイオードD21,D22、
第3のインダクタンス素子である第3のインダクタL3
1〜L33、及び第3のキャパシタンス素子である第3
のコンデンサC31〜C33で構成される。
トP32との間にカソードが第1のポートP31側にな
るように第2のダイオードD21が接続され、第2のダ
イオードD21には第3のインダクタL31と第3のコ
ンデンサC31とからなる直列回路が並列に接続され
る。
ートP32側、すなわちアノードは第3のインダクタL
32及び第3のコンデンサC32を介して接地され、第
3のインダクタL32と第3のコンデンサC32との接
続点には第4の制御端子Vc4が設けられる。
トP33との間に第3のインダクタL33が接続され、
第3のインダクタL33の第3のポートP33側は第2
のダイオードD22及び第3のコンデンサC33を介し
て接地され、第2のダイオードD22のカソードと第3
のコンデンサC33との接続点には第5の制御端子Vc
5が設けられる。
ンス素子である第4のインダクタL41、及び第4のキ
ャパシタンス素子である第4のコンデンサC41,C4
2で構成される。
トP42との間に第4のインダクタL41が直列接続さ
れ、第4のインダクタL41には第4のコンデンサC4
1が並列に接続される。また、第4のインダクタL41
の第2のポートP42側は第4のコンデンサC42を介
して接地される。
ンス素子である第5のインダクタL51、及び第5のキ
ャパシタンス素子である第5のコンデンサC51,C5
2で構成される。
トP52との間に第5のインダクタL51が直列接続さ
れ、第5のインダクタL51には第5のコンデンサC5
1が並列に接続される。また、第5のインダクタL51
の第2のポートP52側は第5のコンデンサC52を介
して接地される。
波部品の要部分解斜視図である。複合高周波部品10
は、セラミック多層基板16を含み、セラミック多層基
板16には、図示していないが、ダイプレクサ11を構
成する第1のインダクタL11,L12、第1のコンデ
ンサC11〜C15、第1の高周波スイッチ12の第2
のインダクタL21,L23〜L25、第2のコンデン
サC21,C22,C25、第2の高周波スイッチ13
の第3のインダクタL31,L33、第3のコンデンサ
C31,C32、第1のフィルタ14を構成する第4の
インダクタL41、第4のコンデンサC41,C42、
第2のフィルタ15を構成する第5のインダクタL5
1、第5のコンデンサC51,C52がそれぞれ内蔵さ
れる。
は、チップ部品からなる第1の高周波スイッチ12を構
成する第1のダイオードD11〜D13、第2のインダ
クタL22、第2のコンデンサC23,C24、第2の
高周波スイッチ13を構成する第2のダイオードD2
1,D22、第3のインダクタL32、第3のコンデン
サC33がそれぞれ搭載される。
ら底面に架けて、12個の外部端子Ta〜Tlがスクリ
ーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子
Ta〜Tlのうち、5個の外部端子Ta〜Teはセラミ
ック多層基板11の一方長辺側、5個の外部端子Tg〜
Tkはセラミック多層基板11の他方長辺側、残りの2
個の外部端子Tf,Tlはセラミック多層基板11の相
対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより
形成される。
れ、ダイプレクサ11のポートP11、第1及び第2の
高周波スイッチ12,13の第2及び第3のポートP2
2,P23,P32,P33、第1及び第2の高周波ス
イッチ12,13の第1〜第5の制御端子Vc1,Vc
2,Vc3,Vc4,Vc5、並びにグランド用の端子
となる。
ラミック多層基板16の表面を覆うように金属キャップ
17が被せられる。この際、金属キャップ17と、ラミ
ック多層基板16の相対する短辺のそれぞれの側に設け
られるグランド用の端子となる外部端子Tf,Tlとは
接続される。
波部品10の動作について説明する。まず、DCSある
いはPCS(1.8GHz帯)の送信信号を送信する場
合には、第1の高周波スイッチ12において第1の制御
端子Vc1に1Vを、第2の制御端子Vc2に1Vを、
第3の制御端子Vc3に1Vをそれぞれ印加して第1の
高周波スイッチ12の第1のポートP21と第2のポー
トP22とを接続することにより、DCSあるいはPC
Sの送信信号が第1の高周波スイッチ12、第1のフィ
ルタ14及びダイプレクサ11を通過し、アンテナ1か
ら送信される。この際、第1のフィルタ14はDCS、
PCSの送信信号を通過させ、2次高調波及び3次高調
波を減衰させている。
第4の制御端子Vc4に0Vを、第5の制御端子Vc5
に1Vをそれぞれ印加して第2の高周波スイッチ13を
遮断している。
信号を送信する場合には、第2の高周波スイッチ13に
おいて第4の制御端子Vc4に1Vを、第5の制御端子
Vc5に0Vをそれぞれ印加して第2の高周波スイッチ
13の第1のポートP31と第2のポートP32とを接
続することにより、GSMの送信信号が第2の高周波ス
イッチ13、第2のフィルタ15及びダイプレクサ11
を通過し、アンテナ1から送信される。この際、第2の
フィルタ15はGSMの送信信号を通過させ、3次高調
波を減衰させている。
第1の制御端子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2
に0Vを、第3の制御端子Vc3に0Vをそれぞれ印加
して第1の高周波スイッチ12を遮断している。
には、第1の高周波スイッチ12において第1の制御端
子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2に0Vを、第
3の制御端子Vc3に1Vをそれぞれ印加して第1の高
周波スイッチ12の第1のポートP21と第3のポート
P23とを接続することにより、アンテナ1から受信さ
れたDCSの受信信号がダイプレクサ11、第1のフィ
ルタ14、及び第1の高周波スイッチ12を通過し、D
CSの受信部Rxdに送られる。この際、第1のフィル
タ14はDCSの受信信号を通過させ、2次高調波及び
3次高調波を減衰させている。
第4の制御端子Vc4に0Vを、第5の制御端子Vc5
に1Vをそれぞれ印加して第2の高周波スイッチ14を
遮断している。
には、第1の高周波スイッチ12において第1の制御端
子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2に1Vを、第
3の制御端子Vc3に0Vをそれぞれ印加して第1の高
周波スイッチ12の第1のポートP21と第4のポート
P24とを接続することにより、アンテナ1から受信さ
れたPCSの受信信号がダイプレクサ11、第1のフィ
ルタ14、第1の高周波スイッチ12を通過し、PCS
の受信部Rxpに送られる。この際、第1のフィルタ1
4はPCSの受信信号を通過させ、2次高調波及び3次
高調波を減衰させている。
第4の制御端子Vc4に0Vを、第5の制御端子Vc5
に1Vをそれぞれ印加して第2の高周波スイッチ13を
遮断している。
には、第2の高周波スイッチ13において第4の制御端
子Vc4に0Vを、第5の制御端子Vc5に1Vをそれ
ぞれ印加して第2の高周波スイッチ13の第1のポート
P31と第3のポートP33とを接続することにより、
アンテナ1から受信されたGSMの受信信号がダイプレ
クサ11、第2のフィルタ15、及び第2の高周波スイ
ッチ13を通過し、GSMの受信部Rxgに送られる。
この際、第2のフィルタ15はGSMの受信信号を通過
させ、3次高調波を減衰させている。
第1の制御端子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2
に0Vを、第3の制御端子Vc3に0Vをそれぞれ印加
して第1の高周波スイッチ12を遮断している。
れば、4ポートを有する第1の高周波スイッチと3ポー
トを有する第2の高周波スイッチとの2つの高周波スイ
ッチで構成しているため、近接した周波数を備える第1
及び第2の通信システムの受信経路に第1の高周波スイ
ッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減さ
せることが可能となる。
スイッチを5つのダイオードで構成することができるた
め、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現する
ことができる。
フを第1乃至第3の制御電源、第2の高周波スイッチの
オン・オフを第4及び第5の制御電源で制御しているた
め、近接した周波数を備えるDCS、PCSの送信時に
は、4ポートを有する第1の高周波スイッチを構成する
3つのダイオードが全てオンになり、その結果、複合高
周波部品の高調波歪みを低減させることができる。
サ、第1及び第2の高周波スイッチ、並びに第1及び第
2のフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層
を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、
それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソ
レーション特性を確保することができ、それに伴い、ダ
イプレクサと第1及び第2の高周波スイッチとの間の整
合回路が不要となる。
能となる。ちなみに、ダイプレクサ、第1及び第2の高
周波スイッチ、並びに第1及び第2のフィルタを6.3
mm×5mm×2mmの大きさのセラミック多層基板に
一体化することが可能となった。
タ、第1のコンデンサで構成され、第1の高周波スイッ
チが、第1のダイオード、第2のインダクタ、第2のコ
ンデンサで構成され、第2の高周波スイッチが、第2の
ダイオード、第3のインダクタ、第3のコンデンサで構
成され、第1のフィルタが、第4のインダクタ、第4の
コンデンサで構成され、第2のフィルタが、第5のイン
ダクタ、第5のコンデンサで構成されるとともに、それ
らがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セ
ラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって
接続されるため、複合高周波部品が1つのセラミック多
層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品
間の配線による損失を改善することができ、その結果、
複合高周波部品全体の損失を改善することが可能とな
る。
インダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮す
ることができるため、これらのストリップライン電極の
挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高
周波部品の小型化及び低損失化を実現することができ
る。
実施例の回路図である。複合高周波部品20は、ダイプ
レクサ11、第1及び第2の高周波スイッチ12,1
3、第1及び第2のフィルタ14,15からなる。
2のフィルタ14,15の構成は、図1の第1の実施例
の複合高周波部品10と同じであり、詳細な説明は省略
する。
ッチング素子である第1のダイオードD11〜D13、
第2のインダクタンス素子である第2のインダクタL2
1〜L25、及び第2のキャパシタンス素子である第2
のコンデンサC21〜C25で構成される。
トP22との間にカソードが第1のポートP21側にな
るように第1のダイオードD11が接続され、第1のダ
イオードD11には第2のインダクタL21と第2のコ
ンデンサC21とからなる直列回路が並列に接続され
る。
ートP22側、すなわちアノードは第2のインダクタL
22及び第2のコンデンサC22を介して接地され、第
2のインダクタL22と第2のコンデンサC22との接
続点には第1の制御端子Vc1が設けられる。
トP23との間に第2のインダクタL23が接続され、
第2のインダクタL23の第3のポートP23側は第1
のダイオードD12及び第2のコンデンサC23を介し
て接地され、第1のダイオードD12のカソードと第2
のコンデンサC23との接続点は抵抗Rを介して接地さ
れる。
P24との間にカソードが第1のポートP21側になる
ように第1のダイオードD13が接続され、第1のダイ
オードD13には第2のインダクタL24と第2のコン
デンサC24とからなる直列回路が並列に接続される。
ートP24側、すなわちアノードは第2のインダクタL
25及び第2のコンデンサC25を介して接地され、第
2のインダクタL25と第2のコンデンサC25との接
続点には第2の制御端子Vc2が設けられる。
ッチング素子である第2のダイオードD21,D22、
第3のインダクタンス素子である第3のインダクタL3
1〜L33、及び第3のキャパシタンス素子である第3
のコンデンサC31〜C33で構成される。
トP32との間にカソードが第1のポートP31側にな
るように第2のダイオードD21が接続され、第2のダ
イオードD21には第3のインダクタL31と第3のコ
ンデンサC31とからなる直列回路が並列に接続され
る。
ートP32側、すなわちアノードは第3のインダクタL
32及び第3のコンデンサC32を介して接地され、第
3のインダクタL32と第3のコンデンサC32との接
続点には第3の制御端子Vc3が設けられる。
トP33との間に第3のインダクタL33が接続され、
第3のインダクタL33の第3のポートP33側は第2
のダイオードD22及び第3のコンデンサC33を介し
て接地され、第2のダイオードD22のカソードと第3
のコンデンサC33との接続点は抵抗Rを介して接地さ
れる。
波部品20の動作について説明する。まず、DCSある
いはPCS(1.8GHz帯)の送信信号を送信する場
合には、第1の高周波スイッチ12において第1の制御
端子Vc1に1Vを、第2の制御端子Vc2に0Vをそ
れぞれ印加して第1の高周波スイッチ12の第1のポー
トP21と第2のポートP22とを接続することによ
り、DCSあるいはPCSの送信信号が第1の高周波ス
イッチ12、第1のフィルタ14及びダイプレクサ11
を通過し、アンテナ1から送信される。この際、第1の
フィルタ14はDCS、PCSの送信信号を通過させ、
2次高調波及び3次高調波を減衰させている。
第3の制御端子Vc3に0Vを印加して第2の高周波ス
イッチ13を遮断している。
信号を送信する場合には、第2の高周波スイッチ13に
おいて第3の制御端子Vc3に1Vを印加して第2の高
周波スイッチ13の第1のポートP31と第2のポート
P32とを接続することにより、GSMの送信信号が第
2の高周波スイッチ13、第2のフィルタ15及びダイ
プレクサ11を通過し、アンテナ1から送信される。こ
の際、第2のフィルタ15はGSMの送信信号を通過さ
せ、3次高調波を減衰させている。
第1の制御端子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2
に0Vをそれぞれ印加して第1の高周波スイッチ12を
遮断している。
には、第1の高周波スイッチ12において第1の制御端
子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2に0Vをそれ
ぞれ印加して第1の高周波スイッチ12の第1のポート
P21と第3のポートP23とを接続することにより、
アンテナ1から受信されたDCSの受信信号がダイプレ
クサ11、第1のフィルタ14、及び第1の高周波スイ
ッチ12を通過し、DCSの受信部Rxdに送られる。
この際、第1のフィルタ14はDCSの受信信号を通過
させ、2次高調波及び3次高調波を減衰させている。
第3の制御端子Vc3に0Vを印加して第2の高周波ス
イッチ13を遮断している。
には、第1の高周波スイッチ12において第1の制御端
子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2に1Vをそれ
ぞれ印加して第1の高周波スイッチ12の第1のポート
P21と第4のポートP24とを接続することにより、
アンテナ1から受信されたPCSの受信信号がダイプレ
クサ11、第1のフィルタ14、第1の高周波スイッチ
12を通過し、PCSの受信部Rxpに送られる。この
際、第1のフィルタ14はPCSの受信信号を通過さ
せ、2次高調波及び3次高調波を減衰させている。
第3の制御端子Vc3に0Vを印加して第3の高周波ス
イッチ13を遮断している。
には、第2の高周波スイッチ13において第3の制御端
子Vc3に0Vを印加して第2の高周波スイッチ13の
第1のポートP31と第3のポートP33とを接続する
ことにより、アンテナ1から受信されたGSMの受信信
号がダイプレクサ11、第2のフィルタ15、及び第2
の高周波スイッチ13を通過し、GSMの受信部Rxg
に送られる。この際、第2のフィルタ15はGSMの受
信信号を通過させ、3次高調波を減衰させている。
第1の制御端子Vc1に0Vを、第2の制御端子Vc2
に0Vをそれぞれ印加して第1の高周波スイッチ12を
遮断している。
れば、第1の高周波スイッチのオン・オフを第1及び第
2の制御電源、第2の高周波スイッチのオン・オフを第
3の制御電源で制御しているため、第1の高周波スイッ
チの後段のDCS、及び第2の高周波スイッチの後段の
GSMの受信時には、第1の高周波スイッチが備える第
1及び第2の制御電源、及び第2の高周波スイッチが備
える第3の制御電源に印加する印加電圧が0Vになり、
その結果、複合高周波部品の消費電流を低減させること
ができる。
実施例のブロック図である。複合高周波部品30は、第
1の実施例の複合高周波部品10(図1)と比較して第
1及び第2のフィルタ14,15の配置位置が異なる。
周波スイッチ12の後段の送信部側であるDCS、PC
Sの共通の送信部Txdp側に、第2のフィルタ15が
第2の高周波スイッチ13の後段の送信部側であるGS
Mの送信部Txgとの間にそれぞれ配置される。
れば、フィルタが高周波スイッチの後段の送信部側、す
なわち高周波スイッチと送信部との間に配置されるた
め、送信の際に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこ
のフィルタで減衰させることができる。したがって、受
信側の挿入損失を改善することができる。
ド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、
1.8GHz帯のDCS及びPCSと900MHz帯の
GSMとを組み合わせた一例を示したものである。トリ
プルバンド携帯電話器40は、アンテナ1及び複合高周
波部品10(図1)を備える。
1にはアンテナ1が、ポートP22,P23,P24,
P32,P33には、DCS、PCSの共通の送信部T
xdp、PCSの受信部Rxp、DCSの受信部Rx
d、GSMの送信部Txg、GSMの受信部Rxgが、
それぞれ接続される。
ば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているた
め、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小
型化及び高性能化が実現できる。
品20,30(図2、図3)を用いても同様の効果が得
られる。
ポートを有する第1の高周波スイッチと3ポートを有す
る第2の高周波スイッチとの2つの高周波スイッチで構
成しているため、近接した周波数を備える第1及び第2
の通信システムの受信経路に第1の高周波スイッチのみ
を備え、その結果、受信部の挿入損失を低減させること
が可能となる。
スイッチを5つのダイオードで構成することができるた
め、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現する
ことができる。
の高周波スイッチのオン・オフを第1乃至第3の制御電
源、第2の高周波スイッチのオン・オフを第4及び第5
の制御電源で制御しているため、近接した周波数を備え
る第1及び第2の通信システムの送信時には、4ポート
を有する第1の高周波スイッチを構成する3つのダイオ
ードが全てオンになり、その結果、複合高周波部品の高
調波歪みを低減させることができる。
の高周波スイッチのオン・オフを第1及び第2の制御電
源、第2の高周波スイッチのオン・オフを第3の制御電
源で制御しているため、第1の高周波スイッチの後段の
第1及び第2の通信システムのいずれか一方、及び第2
の高周波スイッチの後段の第3の通信システムの受信時
には、第1の高周波スイッチが備える第1及び第2の制
御電源、及び第2の高周波スイッチが備える第3の制御
電源に印加する印加電圧が0Vになり、その結果、複合
高周波部品の消費電流を低減させることができる。
及び第2のフィルタの少なくとも1つが高周波スイッチ
の後段の送信部側に配置されるため、送信部に構成する
高出力増幅器による送信信号の歪みを減衰させることが
できる。したがって、受信部の挿入損失を改善すること
ができる。
高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフ
ィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層
してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプ
レクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易とな
り、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波
スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路
を設ける必要がなくなる。
るため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成
する回路基板の小型化が可能となる。
プレクサが、第1のインダクタンス素子、第1のキャパ
シタンス素子で構成され、第1乃至第3の高周波スイッ
チが、第1及び第2のスイッチング素子、第2のインダ
クタンス素子、第2のキャパシタンス素子で構成され、
第1及び第2のフィルタが、第3のインダクタンス素
子、第3のキャパシタンス素子で構成されるとともに、
それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載さ
れ、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段に
よって接続されるため、複合高周波部品が1つのセラミ
ック多層基板で構成でき、さらに小型化が実現できる。
加えて、部品間の配線による損失を改善することがで
き、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善するこ
とが可能となる。
ンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮する
ことができるため、これらのストリップライン電極の挿
入損失を向上させることができる。その結果、複合高周
波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この
複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び
高性能化が実現できる。
回路図である。
る。
回路図である。
ブロック図である。
構成の一部を示すブロック図である。
信装置)のフロントエンド部の構成を示すブロック図で
ある。
41,C42,C51,C52 第1〜第5のキャ
パシタンス素子 D11〜D13,D21,D22 第1、第2のス
イッチング素子 L11,L12,L21〜L25,L31〜L33,L
41,L51 第1〜第5のインダクタ素子 Txdp,Txg 送信部 Rxd,Rxp,Rxg 受信部
Claims (7)
- 【請求項1】 近接した周波数を備える第1及び第2の
通信システムと、該第1及び第2の通信システムと周波
数が異なる第3の通信システムとに対応したフロントエ
ンド部を構成するとともに、 送信の際には前記第1乃至第3の通信システムからの送
信信号を結合し、受信の際には前記第1乃至第3の通信
システムに受信信号を分配するダイプレクサと、前記第
1及び第2の通信システムの共通の送信部、前記第1の
通信システムの受信部、前記第2の通信システムの受信
部に分離する4ポートを有する第1の高周波スイッチ
と、前記第3の通信システムの送信部、受信部に分離す
る3ポートを有する第2の高周波スイッチと、前記第1
及び第2の通信システムの送受信信号を通過させる第1
のフィルタと、前記第3の通信システムの送受信信号を
通過させる第2のフィルタとからなることを特徴とする
複合高周波部品。 - 【請求項2】 前記第1の高周波スイッチのオン・オフ
を、前記第1及び第2の通信システムの共通の送信部側
に接続される第1の制御電源、前記第1の通信システム
の受信部側に接続される第2の制御電源、及び前記第2
の通信システムの受信部側に接続される第3の制御電源
で制御し、前記第2の高周波スイッチのオン・オフを、
前記第3の通信システムの送信部側に接続される第4の
制御電源、及び前記第3の通信システムの受信部側に接
続される第5の制御電源で制御することを特徴とする請
求項1に記載の複合高周波部品。 - 【請求項3】 前記第1の高周波スイッチのオン・オフ
を、前記第1及び第2の通信システムの共通の送信部
側、前記第1の通信システムの受信部側、あるいは前記
第2の通信システムの受信部側のいずれか2つに接続さ
れる第1及び第2の制御電源で制御し、前記第2の高周
波スイッチのオン・オフを、前記第3の通信システムの
送信部側、あるいは前記第3の通信システムの受信部側
のいずれかに接続される第3の制御電源で制御すること
を特徴とする請求項1に記載の複合高周波部品。 - 【請求項4】 前記第1及び第2のフィルタの少なくと
も1つが、前記高周波スイッチの後段の送信部側に配置
されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれ
かに記載の複合高周波部品。 - 【請求項5】 前記ダイプレクサ、前記第1及び第2の
高周波スイッチ、及び前記第1及び第2のフィルタが、
セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセ
ラミック多層基板に一体化されることを特徴とする請求
項1乃至請求項4のいずれかに記載の複合高周波部品。 - 【請求項6】 前記ダイプレクサが、第1のインダクタ
ンス素子、及び第1のキャパシタンス素子で構成され、
前記第1の高周波スイッチが、第1のスイッチング素
子、第2のインダクタンス素子、及び第2のキャパシタ
ンス素子で構成され、前記第2の高周波スイッチが、第
2のスイッチング素子、第3のインダクタンス素子、及
び第3のキャパシタンス素子で構成され、前記第1のフ
ィルタが、第4のインダクタンス素子、及び第4のキャ
パシタンス素子で構成され、前記第2のフィルタが、第
5のインダクタンス素子、及び第5のキャパシタンス素
子で構成されるとともに、 前記第1及び第2のスイッチング素子、前記第1乃至第
5のインダクタンス素子、及び前記第1乃至第5のキャ
パシタンス素子が、前記セラミック多層基板に内蔵、あ
るいは搭載され、前記セラミック多層基板の内部に形成
される接続手段によって接続されることを特徴とする請
求項5に記載の複合高周波部品。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載
の複合高周波部品を用いたことを特徴とする移動体通信
装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33107398A JP3304898B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
US09/386,090 US6442376B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-08-30 | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
DE69942987T DE69942987D1 (de) | 1998-11-20 | 1999-09-10 | Hochfrequenz-Kompositunterteil und Mobilkommunikationsgerät mit einem solchen Kompositunterteil |
EP05026739A EP1659656B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-09-10 | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
EP99118121A EP1003291B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-09-10 | Composite high frequency switching circuit for mobile communications equipment |
DE69930450T DE69930450T2 (de) | 1998-11-20 | 1999-09-10 | Komposit-Hochfrequenzschalter für einen Mobilfunkgerät |
DE69938200T DE69938200T2 (de) | 1998-11-20 | 1999-09-10 | Hochfrequenzschalter |
EP02009492A EP1253722B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-09-10 | Radio frequency switch |
US10/090,789 US6768898B2 (en) | 1998-11-20 | 2002-03-06 | Composite high frequency component and mobile communication apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33107398A JP3304898B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001168675A Division JP2002026763A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
JP2002040615A Division JP3931681B2 (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | 高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000165274A true JP2000165274A (ja) | 2000-06-16 |
JP3304898B2 JP3304898B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=18239559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33107398A Expired - Lifetime JP3304898B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6442376B1 (ja) |
EP (3) | EP1659656B1 (ja) |
JP (1) | JP3304898B2 (ja) |
DE (3) | DE69942987D1 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000055983A1 (fr) * | 1999-03-18 | 2000-09-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Module de commutation haute frequence |
WO2002067451A1 (fr) * | 2001-02-19 | 2002-08-29 | Sony Corporation | Dispositif de commutation et terminal de communication portable |
JP2002290269A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置 |
WO2003015301A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Bypass filter, multi-band antenna switch circuit, and layered module composite part and communication device using them |
WO2003036806A1 (fr) * | 2001-10-24 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module de commutation composee haute frequence, et terminal de communication equipe de ce module |
WO2003065604A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Circuit de commutation et partie haute frequence composite |
US6606015B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high frequency switching method |
US6788958B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and mobile communication apparatus using the same |
US7027777B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency switch and high frequency radio communication apparatus |
WO2007114114A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 |
US7324493B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 3-frequency branching circuit, branching circuit and radio communication equipment |
WO2008013170A1 (fr) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module à haute fréquence et dispositif de communication l'utilisant |
KR100856237B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 코드레스폰의 송수신 스퓨리어스 제거용 필터 |
WO2008139819A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 複合高周波部品 |
WO2009069353A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 |
JP2010527192A (ja) * | 2007-05-08 | 2010-08-05 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | フロントエンド回路を有する電気的構成要素 |
US7904030B2 (en) | 2001-03-29 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | High frequency switch, radio communication apparatus, and high frequency switching method |
JP2011223441A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Kyocera Corp | 携帯通信端末 |
WO2018216448A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 京セラ株式会社 | 移動体および無線通信モジュール |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1650865B1 (en) | 1998-10-27 | 2009-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high frequency component and mobile communication device including the same |
JP3304898B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
JP3707351B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2005-10-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール及びそれを用いた無線機器 |
US6600385B2 (en) | 2000-08-21 | 2003-07-29 | Tdk Corporation | Front end module for mobile communications apparatus |
CN1233100C (zh) * | 2000-12-27 | 2005-12-21 | 松下电器产业株式会社 | 高频开关、双频带高频开关、三频带高频开关和无线电通信设备 |
DE10102201C2 (de) * | 2001-01-18 | 2003-05-08 | Epcos Ag | Elektrisches Schaltmodul, Schaltmodulanordnung und verwendung des Schaltmoduls und der Schaltmodulanordnung |
JP2003032001A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Murata Mfg Co Ltd | 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機 |
US20050059371A1 (en) * | 2001-09-28 | 2005-03-17 | Christian Block | Circuit arrangement, switching module comprising said circuit arrangement and use of switching module |
US6975841B2 (en) * | 2001-11-12 | 2005-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same |
US6912406B2 (en) * | 2002-02-13 | 2005-06-28 | Motorola Inc. | Apparatus for multiple band communication |
DE10246098A1 (de) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Epcos Ag | Schaltungsanordnung |
US7194241B2 (en) * | 2003-12-04 | 2007-03-20 | Skyworks Solutions, Inc. | Efficient multiple-band antenna switching circuit |
CN100533998C (zh) * | 2004-06-07 | 2009-08-26 | 日立金属株式会社 | 高频开关模块及其控制方法 |
US7418251B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-08-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Compact radio frequency harmonic filter using integrated passive device technology |
CN101160734B (zh) * | 2005-04-15 | 2011-04-13 | 日立金属株式会社 | 多频带高频电路、多频带高频电路部件及使用其的多频带通信装置 |
FR2889006B1 (fr) * | 2005-07-22 | 2007-09-21 | St Microelectronics Sa | Commutateur d'antenne |
CN101128985A (zh) * | 2005-08-26 | 2008-02-20 | 株式会社村田制作所 | 高频开关 |
JP3969453B1 (ja) * | 2006-05-17 | 2007-09-05 | 株式会社村田製作所 | ケース付き多層モジュール |
CN102104392B (zh) * | 2010-12-15 | 2013-10-09 | 华为技术有限公司 | 多频段多路收发设备及方法、基站*** |
KR101915526B1 (ko) * | 2012-04-17 | 2018-11-06 | 삼성전자 주식회사 | 휴대 단말기의 안테나 장치 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59169151A (ja) | 1983-03-17 | 1984-09-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01103930A (ja) | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Hoya Corp | ハライドガラス |
JPH04123627A (ja) | 1990-09-14 | 1992-04-23 | Nec Corp | 通信ネットワーク制御方式 |
JPH0515542A (ja) | 1991-07-12 | 1993-01-26 | Hitachi Medical Corp | 超音波断層装置 |
US5166640A (en) * | 1991-08-01 | 1992-11-24 | Allied-Signal Inc. | Two dimensional distributed amplifier having multiple phase shifted outputs |
JPH06188622A (ja) | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナ共用器 |
US5594394A (en) * | 1993-08-31 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna diversity switching device with switching circuits between the receiver terminal and each antenna |
JP3291913B2 (ja) | 1994-05-17 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
JP3198808B2 (ja) | 1994-06-30 | 2001-08-13 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
JP3031178B2 (ja) * | 1994-09-28 | 2000-04-10 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品 |
JP3235380B2 (ja) | 1994-11-30 | 2001-12-04 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
JP3299065B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2002-07-08 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合スイッチ |
JP3139327B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合部品 |
US5699023A (en) * | 1995-07-24 | 1997-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
US5999065A (en) * | 1995-08-24 | 1999-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite high-frequency component |
JP3139352B2 (ja) | 1995-09-01 | 2001-02-26 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチ |
US5742212A (en) * | 1995-12-05 | 1998-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch |
JPH09294042A (ja) | 1996-02-27 | 1997-11-11 | Hitachi Metals Ltd | 積層型分波器 |
JPH09284168A (ja) | 1996-04-17 | 1997-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロ波集積回路及びこのマイクロ波集積回路を 用いた通信システム用端末装置 |
JPH1032521A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | デュプレクサ |
US5794159A (en) | 1996-08-07 | 1998-08-11 | Nokia Mobile Phones Limited | Dual band mobile station employing cross-connected transmitter and receiver circuits |
JPH1056301A (ja) | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ |
JPH10145270A (ja) | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波デバイス |
JP3258922B2 (ja) | 1997-01-08 | 2002-02-18 | 三洋電機株式会社 | デュアルバンド無線通信装置 |
US6249670B1 (en) * | 1997-01-13 | 2001-06-19 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Signal combining device and method for radio communication |
DE19704151C1 (de) | 1997-02-04 | 1998-08-27 | Siemens Ag | Sende-Empfangs-Umschalteanordnung |
US5926751A (en) | 1997-02-19 | 1999-07-20 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for receiving communication signals |
US5815804A (en) * | 1997-04-17 | 1998-09-29 | Motorola | Dual-band filter network |
JPH10308602A (ja) | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Fujitsu Ltd | 高周波スイッチ回路 |
JPH11154804A (ja) | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Hitachi Ltd | 高周波回路装置 |
JP3255105B2 (ja) * | 1998-01-22 | 2002-02-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波複合部品 |
US6127979A (en) * | 1998-02-27 | 2000-10-03 | Motorola, Inc. | Antenna adapted to operate in a plurality of frequency bands |
DE19823049C2 (de) * | 1998-05-22 | 2000-09-21 | Ericsson Telefon Ab L M | Leistungsverstärker-Ausgangsschaltung zur Unterdrückung von Oberschwingungen für eine Mobilfunkeinheit mit Doppelbandbetrieb und Verfahren zum Betreiben derselben |
JP3304898B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33107398A patent/JP3304898B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-30 US US09/386,090 patent/US6442376B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 DE DE69942987T patent/DE69942987D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 EP EP05026739A patent/EP1659656B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 EP EP02009492A patent/EP1253722B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 DE DE69938200T patent/DE69938200T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 DE DE69930450T patent/DE69930450T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-10 EP EP99118121A patent/EP1003291B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-06 US US10/090,789 patent/US6768898B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7171234B2 (en) | 1999-03-18 | 2007-01-30 | Marino-Forum21 | High-frequency switch circuit |
US7130655B2 (en) | 1999-03-18 | 2006-10-31 | Marino-Forum 21 | High-frequency switch circuit |
US6987984B1 (en) | 1999-03-18 | 2006-01-17 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
WO2000055983A1 (fr) * | 1999-03-18 | 2000-09-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Module de commutation haute frequence |
US7324493B2 (en) | 2000-06-26 | 2008-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 3-frequency branching circuit, branching circuit and radio communication equipment |
US6788958B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and mobile communication apparatus using the same |
US7398103B2 (en) | 2000-07-27 | 2008-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and mobile communication apparatus using the same |
US6867662B2 (en) | 2000-12-26 | 2005-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high-frequency switching method |
US6606015B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high frequency switching method |
US7023296B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high-frequency switching method |
WO2002067451A1 (fr) * | 2001-02-19 | 2002-08-29 | Sony Corporation | Dispositif de commutation et terminal de communication portable |
JP2002290269A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 複合高周波部品及びこれを用いた情報端末装置 |
US7904030B2 (en) | 2001-03-29 | 2011-03-08 | Panasonic Corporation | High frequency switch, radio communication apparatus, and high frequency switching method |
WO2003015301A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Bypass filter, multi-band antenna switch circuit, and layered module composite part and communication device using them |
KR100902296B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2009-06-10 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 멀티 밴드 안테나 스위치 회로 및 이들을 사용한 적층 모듈 복합 부품과 통신 기기 |
WO2003036806A1 (fr) * | 2001-10-24 | 2003-05-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module de commutation composee haute frequence, et terminal de communication equipe de ce module |
US6995630B2 (en) | 2001-10-24 | 2006-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency compound switch module and communication terminal using it |
US7027777B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency switch and high frequency radio communication apparatus |
WO2003065604A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Circuit de commutation et partie haute frequence composite |
KR100856237B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 코드레스폰의 송수신 스퓨리어스 제거용 필터 |
CN101416405B (zh) * | 2006-04-05 | 2013-03-27 | 株式会社村田制作所 | 低电压控制高频开关以及复合高频部件 |
GB2449818A (en) * | 2006-04-05 | 2008-12-03 | Murata Manufacturing Co | Low-voltage control, high-frequency switch and composite high-frequency part |
GB2449818B (en) * | 2006-04-05 | 2011-11-16 | Murata Manufacturing Co | Low-voltage control high-frequency switch and composite high-frequency component |
KR100995300B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2010-11-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 저전압 제어 고주파 스위치 및 복합 고주파 부품 |
WO2007114114A1 (ja) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 |
US8401495B2 (en) | 2006-07-25 | 2013-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module and communication apparatus using the module |
WO2008013170A1 (fr) * | 2006-07-25 | 2008-01-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Module à haute fréquence et dispositif de communication l'utilisant |
JP2010527192A (ja) * | 2007-05-08 | 2010-08-05 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | フロントエンド回路を有する電気的構成要素 |
US8620244B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-12-31 | Epcos Ag | Electrical component with a front-end circuit |
WO2008139819A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 複合高周波部品 |
US8160511B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Low-voltage control high-frequency switch and composite high-frequency component |
WO2009069353A1 (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 低電圧制御高周波スイッチおよび複合高周波部品 |
JP2011223441A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Kyocera Corp | 携帯通信端末 |
WO2018216448A1 (ja) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 京セラ株式会社 | 移動体および無線通信モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1659656A3 (en) | 2008-02-13 |
EP1659656A2 (en) | 2006-05-24 |
DE69938200T2 (de) | 2009-02-12 |
DE69938200D1 (de) | 2008-04-03 |
US20020127973A1 (en) | 2002-09-12 |
DE69942987D1 (de) | 2011-01-05 |
EP1659656B1 (en) | 2010-11-24 |
EP1003291B1 (en) | 2006-03-22 |
US6442376B1 (en) | 2002-08-27 |
EP1003291A3 (en) | 2004-01-21 |
EP1253722B1 (en) | 2008-02-20 |
DE69930450D1 (de) | 2006-05-11 |
JP3304898B2 (ja) | 2002-07-22 |
EP1003291A2 (en) | 2000-05-24 |
EP1253722A2 (en) | 2002-10-30 |
DE69930450T2 (de) | 2006-08-17 |
EP1253722A3 (en) | 2004-01-21 |
US6768898B2 (en) | 2004-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3304898B2 (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
EP1650865B1 (en) | Composite high frequency component and mobile communication device including the same | |
KR100397744B1 (ko) | 고주파 모듈 및 이를 이용한 이동 통신 장치 | |
JP3304901B2 (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP2001274723A (ja) | 移動体通信装置及びそれに用いる高周波複合部品 | |
US7356349B2 (en) | High-frequency module and communication apparatus | |
JPH09200077A (ja) | 複合高周波部品 | |
JP2003032001A (ja) | 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機 | |
US20010004353A1 (en) | High frequency composite component and mobile communication apparatus incorporating the same | |
JP2003143033A (ja) | 高周波スイッチモジュール | |
JP4412231B2 (ja) | 高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP3931681B2 (ja) | 高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP3304900B2 (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP2002026763A (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP4289322B2 (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP4154532B2 (ja) | 携帯端末装置 | |
JP2002033679A (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP2002033678A (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 | |
JP2003078443A (ja) | 高周波スイッチ回路 | |
JP2001230698A (ja) | 複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120510 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130510 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140510 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |