JP2000164586A - エッチング液 - Google Patents

エッチング液

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JP2000164586A
JP2000164586A JP10332782A JP33278298A JP2000164586A JP 2000164586 A JP2000164586 A JP 2000164586A JP 10332782 A JP10332782 A JP 10332782A JP 33278298 A JP33278298 A JP 33278298A JP 2000164586 A JP2000164586 A JP 2000164586A
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water
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Takehiko Kezuka
健彦 毛塚
Makoto Suyama
誠 陶山
Mitsushi Itano
充司 板野
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Daikin Industries Ltd
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Daikin Industries Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】 【課題】不純物をドープした酸化膜を選択的にエッチン
グする。 【解決手段】フッ化水素（ＨＦ）を含み、ボロンガラス
膜（ＢＳＧ）もしくはボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）
のエッチングレート／熱酸化膜（ＴＨＯＸ）のエッチン
グレートが２５℃で１０以上であるエッチング液。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング液、エ
ッチング処理物の製造方法及び該方法により得ることが
できるエッチング処理物に関し、より詳しくは、ドープ
酸化膜、特にＢＳＧ又はＢＰＳＧを非ドープ酸化膜、特
にＴＨＯＸに対して選択的にエッチングするエッチング
液、エッチング処理物の製造方法及び該方法により得る
ことができるエッチング処理物に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】従来、シリコンウェハなど
のエッチング剤は、ＨＦ（５０重量％）とＮＨ4Ｆ（４
０重量％）を所望のエッチングレートになるように適当
な割合で混合したバッファードフッ酸が用いられてい
た。
【０００３】しかしながら、バッファードフッ酸は、Ｂ
ＳＧ、ＢＰＳＧ、リンガラス膜（ＰＳＧ）、砒素ガラス
膜（ＡｓＳＧ）などのドープ酸化膜及びＴＥＯＳ（テト
ラエトキシシランガスを用いたＣＶＤ法による酸化膜）
等のＵＳＧ、ＴＨＯＸなどの非ドープ酸化膜をともにエ
ッチングするため、ドープ酸化膜を選択的にエッチング
することはできなかった。
【０００４】本発明は、ＴＥＯＳ、ＴＨＯＸに対し不純
物をドープした酸化膜を選択的にエッチングするエッチ
ング液及びエッチング方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の項１〜
項１６に関する。 項１． フッ化水素（ＨＦ）を含み、ボロンガラス膜
（ＢＳＧ）もしくはボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）の
エッチングレート／熱酸化膜（ＴＨＯＸ）のエッチング
レートが２５℃で１０以上であるエッチング液。 項２． エッチング液の溶媒の比誘電率が６１以下であ
る項１記載のエッチング液。 項３． 有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒からな
る群から選ばれる少なくとも１種を含む項１に記載のエ
ッチング液。 項４． 水及び有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒
からなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、水の濃
度が７０重量％以下である項１に記載のエッチング液。 項５． ＨＦ：イソプロピルアルコール：水の重量比が
０．１〜５０重量％：３０〜９９重量％：０〜７０重量
％である項１に記載のエッチング液。 項６． ＨＦ：酢酸：水の重量比が０．１〜５０重量
％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％である項１
に記載のエッチング液。 項７． ＨＦ：テトラヒドロフラン：水の重量比が０．
１〜５０重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量
％である項１に記載のエッチング液。 項８． ＨＦ：アセトン：水の重量比が０．１〜５０重
量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％である項
１に記載のエッチング液。 項９． ＨＦ：メタノール：水の重量比が０．１〜５０
重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％である
項１に記載のエッチング液。 項１０． ＨＦ：エタノール：水の重量比が０．１〜５
０重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％であ
る項１に記載のエッチング液。 項１１． 無機酸を含む項１に記載のエッチング液。 項１２． 無機酸の２５℃でのｐＫａ値が２以下である
項１１に記載のエッチング液。 項１３． ＨＦ：ＨＣｌ：水の重量比が０．０１〜５０
重量％：１〜３６重量％：０〜９９重量％である項１２
に記載のエッチング液。 項１４． ＨＦ：ＨＮＯ3：水の重量比が０．０１〜５
０重量％：１〜７０重量％：０〜９９重量％である項１
２に記載のエッチング液。 項１５． 項１〜１４のいずれかに記載のエッチング液
を用いて被エッチング物をエッチング処理するエッチン
グ処理物の製造方法。 項１６． 項１５の方法により得ることができるエッチ
ング処理物。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のエッチング液は、ＢＳＧ
／ＴＨＯＸのエッチングレートもしくはＢＰＳＧ／ＴＨ
ＯＸのエッチングレートのいずれか一方あるいは両方
が、２５℃で１０以上、好ましくは２０以上、より好ま
しくは５０以上、特に１００以上である。
【０００７】なお、ＴＨＯＸに代えてＴＥＯＳとの比
は、ＢＳＧ／ＴＥＯＳのエッチングレートもしくはＢＰ
ＳＧ／ＴＥＯＳのエッチングレートのいずれか一方ある
いは両方が、２５℃で５以上、好ましくは１０以上、よ
り好ましくは５０以上、特に１００以上である。
【０００８】本発明のエッチング液のエッチングレート
は、本発明のエッチング液を用いて各膜（ＢＳＧ；ＢＰ
ＳＧ；ＴＨＯＸ；ＴＥＯＳ等のＵＳＧなど）をエッチン
グし、エッチング前後での膜厚の差をエッチング時間で
割って、計算により求めることができる。
【０００９】本明細書におけるエッチング液の比誘電率
は、６１以下、好ましくは５０以下、より好ましくは３
０以下である。エッチング液の比誘電率は、ＨＦ及び無
機酸以外のエッチング液の各成分の比誘電率を相加平均
で表した値である。
【００１０】無機酸としては、好ましくは２５℃でのｐ
Ｋａ値が２以下の無機酸が挙げられ、例えば塩酸（ｐＫ
ａ＝−８）、硝酸（ｐＫａ＝−１．８）、臭化水素酸
（ｐＫａ＝−９）、ヨウ化水素酸（ｐＫａ＝−１０）、
過塩素酸（ｐＫａが測定できないほどの強酸）が例示さ
れる。
【００１１】有機酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、モノ
クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、モノフル
オロ酢酸、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、α−ク
ロロ酪酸、β−クロロ酪酸、γ−クロロ酪酸、乳酸、グ
リコール酸、ピルビン酸、グリオキサル酸、アクリル酸
等のモノカルボン酸、メタンスルホン酸、トルエンスル
ホン酸等のスルホン酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン
酸、酒石酸、クエン酸等のポリカルボン酸が挙げられ
る。
【００１２】ヘテロ原子を有する有機溶媒としては、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、
１−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、
ｔ−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、１−
ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、
４−ヘプタノール、１−オクタノール、１−ノニルアル
コール、１−デカノール、１−ドデカノールなどのアル
コール類；エチレングリコール。１，２−プロパンジオ
ール、プロピレングリコール、２，３−ブタンジオー
ル、グリセリンなどのポリオール類、アセトン、アセチ
ルアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブ
チロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ホルム
アルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド
などのアルデヒド類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどの
アルキレングリコールモノアルキルエーテル；テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、トリフルオロ
エタノール、ペンタフルオロプロパノール、2,2,3,3-テ
トラフルオロプロパノール等のフッ素アルコール、スル
ホラン、ニトロメタン等が挙げられる。
【００１３】ＨＦの含有量は、０．０１〜５０重量％程
度、好ましくは１〜５重量％程度である。
【００１４】水の含有量は、７０重量％以下、好ましく
は３０重量％以下、より好ましくは０〜５重量％程度で
ある。
【００１５】無機酸の含有量は、１〜９９重量％程度、
好ましくは３０〜７０重量％程度である。
【００１６】有機酸の含有量は、３０〜９９．９重量％
程度、好ましくは７０〜９９．９重量％程度である。
【００１７】ヘテロ原子を有する有機溶媒の含有量は、
３０〜９９．９重量％程度、好ましくは７０〜９９．９
重量％程度である。
【００１８】無機酸、有機酸及びヘテロ原子を有する有
機溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の含有量
は、３０〜９９．９重量％程度、好ましくは７０〜９
９．９重量％程度である。
【００１９】無機酸の２５℃におけるｐＫａは、約２以
下、好ましくは約−５以下程度である。
【００２０】有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒の
誘電率は、好ましくは約４０以下、より好ましくは約１
０以下である。
【００２１】ＨＦとしては、希フッ酸（５０重量％水溶
液）を通常用いるが、水を含まない場合には、１００％
ＨＦを用いることもできる。同様にＨＣｌ、ＨＢｒ、Ｈ
Ｉの場合には、これらのガスをエッチング液に吹き込む
ことにより無水のエッチング液を得ることができる。
【００２２】本発明の好ましいエッチング液及びその配
合比を以下に示す。 ・ＨＦ：ＩＰＡ：水＝１〜１０重量％：７０〜９９重量
％：０〜３０重量％ ・ＨＦ：酢酸：水＝０．５〜５重量％：７０〜９９．５
重量％：０〜３０重量％ ・ＨＦ：ＨＣｌ：水＝０．０１〜５重量％：１〜３６重
量％：５０〜９９重量％ ・ＨＦ：硝酸：水＝０．０１〜５重量％：１〜７０重量
％：２０〜９９重量％ ・ＨＦ：アセトン：水＝１〜１０重量％：７０〜９９重量
％：０〜３０重量％ ・ＨＦ：ＴＨＦ：水＝１〜１０重量％：７０〜９９重量
％：０〜３０重量％ ・ＨＦ：メタノール：水＝１〜１０重量％：７０〜９９重量
％：０〜３０重量％ ・ＨＦ：エタノール：水＝１〜１０重量％：７０〜９９重量
％：０〜３０重量％ 本発明のエッチング液は、Ｂ、Ｐなどをドープした酸化
膜（ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等）及びＴＨＯＸやＴＥＯＳ等の
非ドープ酸化膜を有する被エッチング物でドープ酸化膜
を選択的にエッチングするのに好適に使用できる。
【００２３】本発明のエッチング方法において、エッチ
ング液の温度は１５〜４０℃程度である。
【００２４】被エッチング物としては、シリコン単結晶
ウェハ、ガリウム−砒素ウェハなどのウェハが挙げら
れ、特にドープ酸化膜（ＢＳＧ，ＢＰＳＧなど）と非ド
ープ酸化膜（ＴＨＯＸ，ＴＥＯＳ等のＵＳＧ）を有する
被エッチング物が好ましい。
【００２５】本発明のエッチング液のエッチングレート
はＢＳＧに対して通常１０〜２０００ｎｍ／ｍｉｎ程
度、好ましくは４０〜５００ｎｍ／ｍｉｎ程度である。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ＴＨＯＸ、ＴＥＯＳ等
のＵＳＧに対しＢＳＧ、ＢＰＳＧなどの不純物をドープ
した膜を選択的にエッチングできるエッチング液、該エ
ッチング液を用いたエッチング処理物の製造方法及びエ
ッチング処理物を提供できる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例および比較例を用いて
より詳細に説明する。 実施例１〜２及び比較例１〜４（無機酸) ＨＦ、水及びヘテロ原子を含む有機溶媒（イソプロピル
アルコール（ＩＰＡ），ＴＨＦ、アセトン、メタノー
ル、エタノール）、有機酸（酢酸）、無機酸(ＨＣｌ、
ＨＮＯ3)を表１で表される割合で含んだエッチング液を
調合し、シリコン基板上に熱酸化膜（ＴＨＯＸ）、テト
ラエトキシシランガスを用いたＣＶＤ法によるＵＳＧ
（ＴＥＯＳ）、ボロンガラス膜（ＢＳＧ）、ボロンリン
ガラス膜（ＢＰＳＧ）を形成した試験基板に対するエッ
チングレート及び選択比を求めた。
【００２８】さらに、比較例として従来のＨＦ−Ｈ2Ｏ
のエッチング液及びＨＦ−ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏのエッチング
液を用い、同様にエッチングレート及び選択比を求め
た。
【００２９】エッチングレートは、Rudolf Research 社
Auto EL-IIIエリプリメータを用いてエッチング前後の
膜厚を測定することで行った。
【００３０】エッチング液のエッチングレートは、各エ
ッチング液を２５℃で各膜をエッチングし、エッチング
前後での膜厚の差をエッチング時間で割って計算したも
のである。
【００３１】各組成での結果を、表１〜表８に示す。
【００３２】なお、比誘電率は、溶媒（ヘテロ原子を含
む有機溶媒または有機酸）＋水の誘電率として２５℃に
おける溶媒の比誘電率と水の比誘電率の、その組成での
平均値を計算値として示す。 比誘電率の平均値＝〔78.3×(水の重量%)＋(溶媒の25℃
での比誘電率)×(溶媒の重量%)〕／〔（水の重量％）＋
（溶媒の重量％）〕
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】
【表４】
【００３７】
【表５】
【００３８】
【表６】
【００３９】
【表７】
【００４０】
【表８】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 板野 充司 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 Ｆターム(参考） 4K057 WA13 WB06 WB11 WE01 WE02 WE07 WE11 5F043 AA31 AA37 BB22 DD30 GG10

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フッ化水素（ＨＦ）を含み、ボロンガラス
    膜（ＢＳＧ）もしくはボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）
    のエッチングレート／熱酸化膜（ＴＨＯＸ）のエッチン
    グレートが２５℃で１０以上であるエッチング液。
  2. 【請求項２】エッチング液の溶媒の比誘電率が６１以下
    である請求項１記載のエッチング液。
  3. 【請求項３】有機酸及びヘテロ原子を有する有機溶媒か
    らなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１に
    記載のエッチング液。
  4. 【請求項４】水及び有機酸及びヘテロ原子を有する有機
    溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、水
    の濃度が７０重量％以下である請求項１に記載のエッチ
    ング液。
  5. 【請求項５】ＨＦ：イソプロピルアルコール：水の重量
    比が０．１〜５０重量％：３０〜９９重量％：０〜７０
    重量％である請求項１に記載のエッチング液。
  6. 【請求項６】ＨＦ：酢酸：水の重量比が０．１〜５０重
    量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％である請
    求項１に記載のエッチング液。
  7. 【請求項７】ＨＦ：テトラヒドロフラン：水の重量比が
    ０．１〜５０重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０
    重量％である請求項１に記載のエッチング液。
  8. 【請求項８】ＨＦ：アセトン：水の重量比が０．１〜５
    ０重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％であ
    る請求項１に記載のエッチング液。
  9. 【請求項９】ＨＦ：メタノール：水の重量比が０．１〜
    ５０重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％で
    ある請求項１に記載のエッチング液。
  10. 【請求項１０】ＨＦ：エタノール：水の重量比が０．１
    〜５０重量％：３０〜９９．９重量％：０〜７０重量％
    である請求項１に記載のエッチング液。
  11. 【請求項１１】無機酸を含む請求項１に記載のエッチン
    グ液。
  12. 【請求項１２】無機酸の２５℃でのｐＫａ値が２以下で
    ある請求項１１に記載のエッチング液。
  13. 【請求項１３】ＨＦ：ＨＣｌ：水の重量比が０．０１〜
    ５０重量％：１〜３６重量％：０〜９９重量％である請
    求項１２に記載のエッチング液。
  14. 【請求項１４】ＨＦ：ＨＮＯ3：水の重量比が０．０１
    〜５０重量％：１〜７０重量％：０〜９９重量％である
    請求項１２に記載のエッチング液。
  15. 【請求項１５】請求項１〜１４のいずれかに記載のエッ
    チング液を用いて被エッチング物をエッチング処理する
    エッチング処理物の製造方法。
  16. 【請求項１６】請求項１５の方法により得ることができ
    るエッチング処理物。
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CN99813592A CN100595893C (zh) 1998-11-24 1999-11-22 蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353443A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003514373A (ja) * 1999-07-28 2003-04-15 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング フッ化水素酸を含むエッチング溶液
US6645876B2 (en) 2000-12-15 2003-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching for manufacture of semiconductor devices
WO2004000972A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. An etchant for a wiring, a method for manufacturing the wiring using the etchant, a thin film transistor array panel including the wiring, and a method for manufacturing the same
EP1426346A1 (en) * 2001-08-24 2004-06-09 Stella Chemifa Kabushiki Kaisha Surface treating solution for fine processing of glass base plate having a plurality of components
JPWO2004025718A1 (ja) * 2002-09-13 2006-01-12 ダイキン工業株式会社 エッチング液及びエッチング方法
WO2006126583A1 (ja) * 2005-05-25 2006-11-30 Daikin Industries, Ltd. Bpsg膜とsod膜を含む基板のエッチング液
WO2010137544A1 (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 エッチング液およびそれを用いたトレンチ・アイソレーション構造の形成方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164586A (ja) * 1998-11-24 2000-06-16 Daikin Ind Ltd エッチング液
US6762132B1 (en) 2000-08-31 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Compositions for dissolution of low-K dielectric films, and methods of use
WO2004019134A1 (ja) * 2002-08-22 2004-03-04 Daikin Industries, Ltd. 剥離液
US7169323B2 (en) * 2002-11-08 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Fluorinated surfactants for buffered acid etch solutions
US7482208B2 (en) 2003-09-18 2009-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
KR20060108436A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자 세정용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의세정 방법
JP5122731B2 (ja) * 2005-06-01 2013-01-16 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
US8066967B2 (en) * 2005-06-13 2011-11-29 Electrox Corporation System and method for the manipulation, classification sorting, purification, placement, and alignment of nano fibers using electrostatic forces and electrographic techniques
US7297639B2 (en) * 2005-09-01 2007-11-20 Micron Technology, Inc. Methods for etching doped oxides in the manufacture of microfeature devices
US20070207622A1 (en) * 2006-02-23 2007-09-06 Micron Technology, Inc. Highly selective doped oxide etchant
KR20080041766A (ko) * 2006-11-08 2008-05-14 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물
US7851374B2 (en) 2007-10-31 2010-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Silicon wafer reclamation process
WO2009066624A1 (ja) * 2007-11-19 2009-05-28 Asahi Glass Co., Ltd. ガラス基板のエッチング処理方法
KR100868228B1 (ko) * 2007-12-04 2008-11-11 주식회사 켐트로닉스 유리 기판용 식각액 조성물
CN102102208A (zh) * 2009-12-21 2011-06-22 北大方正集团有限公司 半导体芯片钛层与氮化钛层分层显示液及其制备和应用
WO2014178426A1 (ja) * 2013-05-02 2014-11-06 富士フイルム株式会社 エッチング方法、これに用いるエッチング液およびエッチング液のキット、ならびに半導体基板製品の製造方法
CN103936289A (zh) * 2014-04-04 2014-07-23 惠州市清洋实业有限公司 Ogs玻璃二次强化液及其制备方法、ogs玻璃二次强化工艺
KR101539907B1 (ko) * 2015-01-22 2015-08-06 성균관대학교산학협력단 패턴화된 태양전지용 유리기판 제조방법 및 이를 이용한 박막태양전지
KR102275790B1 (ko) * 2019-11-15 2021-07-09 세메스 주식회사 석영 부재의 표면 처리 방법 및 석영 부재
JP2021150644A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 東京応化工業株式会社 半導体処理液、及び基板の処理方法
US11807792B2 (en) 2020-03-19 2023-11-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Semiconductor processing liquid and method for processing substrate
CN111607399A (zh) * 2020-04-29 2020-09-01 苏州美法光电科技有限公司 一种用于硅片晶圆再生技术的表层腐蚀液制备方法
KR102447288B1 (ko) * 2022-03-22 2022-09-26 영창케미칼 주식회사 몰리브데늄막 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3518135A (en) * 1967-01-30 1970-06-30 Sylvania Electric Prod Method for producing patterns of conductive leads
US3751314A (en) * 1971-07-01 1973-08-07 Bell Telephone Labor Inc Silicon semiconductor device processing
US3968565A (en) * 1972-09-01 1976-07-13 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body
DE2359511A1 (de) * 1973-11-29 1975-06-05 Siemens Ag Verfahren zum lokalisierten aetzen von siliciumkristallen
US3997381A (en) * 1975-01-10 1976-12-14 Intel Corporation Method of manufacture of an epitaxial semiconductor layer on an insulating substrate
JPS5256869A (en) * 1975-11-05 1977-05-10 Toshiba Corp Production of semiconductor element
US4052253A (en) * 1976-09-27 1977-10-04 Motorola, Inc. Semiconductor-oxide etchant
JPS5456869A (en) 1977-10-14 1979-05-08 Seiko Instr & Electronics Ltd Battery containing device of wristwatches
US4273826A (en) * 1979-12-03 1981-06-16 Owens-Illinois, Inc. Process of making glass articles having antireflective coatings and product
US4395304A (en) * 1982-05-11 1983-07-26 Rca Corporation Selective etching of phosphosilicate glass
JPS58204540A (ja) * 1982-05-22 1983-11-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置の製法
JPS6064437A (ja) * 1983-09-20 1985-04-13 Toshiba Corp 鉛系パツシベ−シヨンガラスのエツチング液
JP2553946B2 (ja) * 1990-02-20 1996-11-13 信淳 渡辺 基板表面処理用ガスの供給方法
US5294568A (en) * 1990-10-12 1994-03-15 Genus, Inc. Method of selective etching native oxide
JP2632262B2 (ja) * 1991-08-20 1997-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 シリコンウエハ上のコンタクトホール内の自然酸化膜の除去方法
JP2833946B2 (ja) * 1992-12-08 1998-12-09 日本電気株式会社 エッチング方法および装置
WO1994027314A1 (en) * 1993-05-13 1994-11-24 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method for semiconductor processing using mixtures of hf and carboxylic acid
JP3355504B2 (ja) 1994-02-25 2002-12-09 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法及びエッチング液
US5439553A (en) * 1994-03-30 1995-08-08 Penn State Research Foundation Controlled etching of oxides via gas phase reactions
US5783495A (en) * 1995-11-13 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same
US5716535A (en) * 1996-03-05 1998-02-10 Micron Technology, Inc. Methods and etchants for etching oxides of silicon with low selectivity
TW434196B (en) 1997-06-25 2001-05-16 Ibm Selective etching of silicate
US5824601A (en) 1997-06-30 1998-10-20 Motorola, Inc. Carboxylic acid etching solution and method
KR100252223B1 (ko) 1997-08-30 2000-04-15 윤종용 반도체장치의 콘택홀 세정방법
JP2000164586A (ja) * 1998-11-24 2000-06-16 Daikin Ind Ltd エッチング液
JP3903215B2 (ja) * 1998-11-24 2007-04-11 ダイキン工業株式会社 エッチング液

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003514373A (ja) * 1999-07-28 2003-04-15 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング フッ化水素酸を含むエッチング溶液
JP4837211B2 (ja) * 1999-07-28 2011-12-14 ベーアーエスエフ アクチエンゲゼルシャフト フッ化水素酸を含むエッチング溶液
US6645876B2 (en) 2000-12-15 2003-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Etching for manufacture of semiconductor devices
JP2002353443A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
EP1426346A4 (en) * 2001-08-24 2009-03-25 Stella Chemifa Kk SURFACE TREATMENT SOLUTION FOR FINE PROCESSING OF A GLASS BASIC PLATE WITH MULTIPLE COMPONENTS
EP1426346A1 (en) * 2001-08-24 2004-06-09 Stella Chemifa Kabushiki Kaisha Surface treating solution for fine processing of glass base plate having a plurality of components
US8066898B2 (en) 2001-08-24 2011-11-29 Stella Chemifa Kabushiki Kaisha Surface treatment solution for the fine surface processing of a glass substrate containing multiple ingredients
WO2004000972A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. An etchant for a wiring, a method for manufacturing the wiring using the etchant, a thin film transistor array panel including the wiring, and a method for manufacturing the same
KR100853216B1 (ko) * 2002-06-25 2008-08-20 삼성전자주식회사 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법, 그 배선을포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법
CN1311056C (zh) * 2002-06-25 2007-04-18 三星电子株式会社 用于布线的蚀刻剂、利用该蚀刻剂制造布线的方法、包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
JPWO2004025718A1 (ja) * 2002-09-13 2006-01-12 ダイキン工業株式会社 エッチング液及びエッチング方法
WO2006126583A1 (ja) * 2005-05-25 2006-11-30 Daikin Industries, Ltd. Bpsg膜とsod膜を含む基板のエッチング液
WO2010137544A1 (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 エッチング液およびそれを用いたトレンチ・アイソレーション構造の形成方法
JP2011009685A (ja) * 2009-05-25 2011-01-13 Az Electronic Materials Kk エッチング液およびそれを用いたトレンチ・アイソレーション構造の形成方法
US8828877B2 (en) 2009-05-25 2014-09-09 Az Electronic Materials Usa Corp. Etching solution and trench isolation structure-formation process employing the same

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Publication number Publication date
WO2000031785A1 (fr) 2000-06-02
US7404910B1 (en) 2008-07-29
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KR20050019721A (ko) 2005-03-03

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