JP2000164546A - 半導体ウェーハの研削方法 - Google Patents
半導体ウェーハの研削方法Info
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Abstract
れている半導体ウェーハの裏面の研削において、バンプ
の影響を排除して半導体ウェーハの割れを防止すると共
に、ペレットの品質を低下させず、自然環境を汚染しな
いようにする。 【解決手段】 無数の気孔が少なくとも表面に形成され
弾性による復元力と密着性とで押圧した際に気孔が潰れ
負圧が生じて吸着力を有する所定の厚さからなる弾性パ
ッド13を半導体ウェーハ10の表面12に装着してバ
ンプを弾性パッド13内に埋没させ、研削装置のチャッ
クテーブルに、弾性パッド13を下にして半導体ウェー
ハ10を載置し、回転する研削砥石による押圧力を加え
て半導体ウェーハ10の裏面を研削する。
Description
クテーブルに半導体ウェーハの表面を保持してその裏面
を研削する方法に関し、詳しくは、保持される半導体ウ
ェーハの表面側を保護しながら裏面を研削する研削方法
に関するものである。
体ウェーハは、放熱性を良くするために、または、薄型
化のために、個々のペレットに分割される前に裏面が研
削されて所定の厚さとなる。
ャックテーブル40に保持された半導体ウェーハ41の
裏面42に対し、研削手段43が回転しながらその下端
に配設された研削砥石44が接触して押圧されることに
より行われるが、半導体ウェーハ41の表面45に傷が
付くのを防止するために、図示したように保護テープ4
6が貼着される。即ち、半導体ウェーハ41の表面45
が直接チャックテーブル40に保持されるのではなく、
表面45に貼着された保護テープ46がチャックテーブ
ル40に保持されることにより、回路が形成された表面
45が保護されている。
ウェーハ41を構成する個々のペレットが、CSP(Ch
ip Scale Package)等の基盤に表面実装するタイプであ
る場合には、半導体ウェーハ41の表面45にはバンプ
と呼ばれる突起が形成されている。従って、バンプが形
成された半導体ウェーハの場合は、保護テープ46を貼
着した場合でも、研削時に研削手段43による押圧力に
よって発生するバンプからの応力により保護が不十分と
なり、半導体ウェーハ41が割れることがあるという問
題がある。
る程度に保護テープ46の粘着層を厚くして応力を吸収
する等の工夫がなされているが、それでも完全にはバン
プからの応力を吸収することができない。また、粘着剤
が半導体ウェーハ41の表面45に付着することによっ
てペレットの品質の低下を招くという問題もある。
5の裏面42が研削された後は粘着力が低下するため再
利用されず廃棄されることになって不経済であると共
に、自然環境を汚染するという問題もある。
バンプが形成されている半導体ウェーハの裏面の研削に
おいては、バンプの影響を排除して半導体ウェーハの割
れを防止すると共に、ペレットの品質を低下させず、自
然環境を汚染しないようにすることに解決すべき課題を
有している。
の具体的手段として本発明は、半導体ウェーハの裏面を
研削する半導体ウェーハの研削方法であって、無数の気
孔が少なくとも表面に形成され弾性による復元力と密着
性とで押圧した際に気孔が潰れ負圧が生じて吸着力を有
する所定の厚さからなる弾性パッドを半導体ウェーハの
表面に装着する工程と、研削装置のチャックテーブル
に、弾性パッドを下にして半導体ウェーハを載置する工
程と、チャックテーブルに対峙して配設される研削手段
によって半導体ウェーハの裏面を所定の厚さに研削する
工程と、研削が終了した後、半導体ウェーハの表面から
弾性パッドを剥離する工程とから少なくとも構成される
半導体ウェーハの研削方法を提供するものである。
が形成されていて、弾性パッドにバンプが埋没した状態
で研削が遂行されること、半導体ウェーハから剥離され
た弾性パッドは、次に研削すべき半導体ウェーハに装着
され再利用されることを付加的要件とするものである。
削方法によれば、保護テープを使用せずに弾性パッドに
よって半導体ウェーハの表面を保護することができるた
め、弾性パッドの剥離後も半導体ウェーハの表面に粘着
剤が付着することがない。また、保護テープを使用しな
いため、保護テープを廃棄せずに済むばかりでなく、弾
性パッドは何回使用しても吸着力が低下しないため、保
護テープとは異なり何回でも再利用できる。
る場合は、バンプが弾性パッド内に埋没するため、半導
体ウェーハの割れを従来より確実に防止することができ
る。
後の個々のペレットがCSPに実装するタイプである場
合の半導体ウェーハの裏面を研磨する方法を例に挙げて
説明する。
たもので、表面には個々のペレット11ごとに回路が形
成されていると共に、CSPと接触するための突起であ
るバンプが複数形成されている。
0の厚さを例えば数十μm〜数百μm程度にする場合に
は、半導体ウェーハ10の表面12、即ち、バンプが形
成されているほうの面に、図2(A)に示す弾性パッド
13の表面を装着し、図2(B)に示すように、半導体
ウェーハ10と弾性パッド13とを一体とする。
して示すように、無数の気孔14が少なくとも表面15
に形成され、合成樹脂等の弾性のある部材により形成さ
れている。また、隣り合う気孔と気孔との間には、幅が
数十μmの隙間16が形成され、ここをエアーが流通可
能となっている。このような弾性パッド13は、例え
ば、ダースボンド社から提供されている。なお、弾性パ
ッド13には粘着層は形成されていない。
性パッド13の表面15を上方から押圧すると気孔14
がつぶれる。そして、押圧を解除すると、弾性パッド1
3が有する弾性による復元力と密着性とによって気孔1
4に負圧が生じ、この負圧が吸引力となって表面15に
おいて半導体ウェーハ10の表面12を吸引し、弾性パ
ッド13と半導体ウェーハ10とが一体となる。このと
き、半導体ウェーハ10の表面15に形成されたバンプ
は、弾性パッド13内に埋没する。
安定しており、時間が経過しても弱まることがなく、半
導体ウェーハ10の裏面を研削する際も両者の一体性は
維持される。このように、弾性パッド13は、半導体ウ
ェーハ10の表面に押圧するだけで容易に装着すること
ができる。
た半導体ウェーハ10は、弾性パッド13が下になるよ
うにして、図4に示す研削装置20のチャックテーブル
21に吸引保持される。
22の端部から壁体23が起立して設けられており、こ
の壁体23の内側の面には一対のレール24が垂直方向
に配設され、レール24に沿ってスライド板25が上下
動するのに伴ってスライド板25に取り付けられた研削
手段26が上下動するよう構成されている。また、基台
22上には、ターンテーブル27が回転可能に配設さ
れ、更にターンテーブル27上には半導体ウェーハ10
に装着された弾性パッド13を保持するチャックテーブ
ル21が複数配設されている。
を有するスピンドル28の先端にマウンタ29が装着さ
れ、更にその下部に研削砥石30が装着されており、研
削砥石30は、スピンドル28の回転に伴って回転する
構成となっている。
10の裏面を研削する際は、半導体ウェーハ10の表面
12に装着された弾性パッド13の裏面17をチャック
テーブル21に保持させて研削手段26の直下に位置付
け、スピンドル28を回転させると共に、研削手段26
を下降させていく。そして、スピンドル28の回転に伴
って研削砥石30が回転すると共に、回転する研削砥石
30が半導体ウェーハ10に接触して押圧力が加えられ
ることにより、その裏面が研削砥石30によって研削さ
れる。また、一枚の半導体ウェーハ10の研削が終了す
ると、ターンテーブル27が所要角度回転し、同様の研
削が行われる。
プが形成された半導体ウェーハ10に押圧力が加えられ
ると、従来は押圧時のバンプからの応力によって半導体
ウェーハWが割れてしまうことがあったが、本発明にお
いては、弾性パッド13が半導体ウェーハ10に装着さ
れており、バンプが弾性パッド13内に埋没するため、
押圧時の応力が弾性パッド13によって十分に吸収され
るようになる。従って、半導体ウェーハ10が割れるこ
とがなくなる。
ることが可能になる。更に、従来のような保護テープを
貼着しないため、半導体ウェーハ10に糊が付着して品
質を低下させるといったことがなくなる。
って吸収されるため、従来のように半導体ペレットの割
れを防止するためにバンプの高さが制限されるといった
ことがない。従って、ボンディングに必要なバンプの高
さ、具体的には0.09〜0.10mm程度の高さを確
保することができ、これによってボンディングを容易か
つ確実に行うことができるようになる。そして、ボンデ
ィング部が強化されることにより、断線が生じなくな
る。
ると、弾性パッド13と半導体ウェーハ10とが一体と
なった状態のままでチャックテーブル21から取り外
す。そして、弾性パッド13の裏面側から高圧エアーを
送り込む。すると、各気孔間に形成された隙間16にエ
アーが流通することにより気孔14の内部にエアーが入
り込んで吸引力が弱まり、図5に示すようにして容易に
弾性パッド13を剥離することができる。
ーハ10の表面12への装着、弾性パッド13と一体と
なった半導体ウェーハ10の研削装置のチャックテーブ
ルへの載置、半導体ウェーハ10の裏面研磨、弾性パッ
ド13の半導体ウェーハ10からの剥離という一連の工
程を経て、バンプの影響による割れのない、所望の厚さ
の半導体ウェーハが形成される。
4が元の形状に戻っていて吸着力も低下しないため、何
回でも再利用することができる。即ち、一枚の弾性パッ
ド13を使用して何枚もの半導体ウェーハを研削するこ
とができるため、一枚の半導体ウェーハごとにそれぞれ
保護テープを貼着し、研削後はそれらを再利用せずに廃
棄していた従来の方法と比べると、極めて経済的であ
る。また、保護テープを使用しないため、保護テープの
廃棄がなく、自然環境の汚染を減少させることができ
る。
ェーハの裏面を研削する場合も、粘着剤が付着すること
がないため品質の低下を招くことがなく、保護テープを
使用しないため経済的であると共に自然環境を汚染しな
いため、本発明を適用する意義がある。
体ウェーハの研削方法によれば、保護テープを使用せず
に弾性パッドによって半導体ウェーハの表面を保護する
ことができ、弾性パッドの剥離後も半導体ウェーハの表
面に粘着剤が付着しないため、半導体ウェーハの品質を
低下させることがない。
テープを廃棄せずに済み、自然環境を汚染しないだけで
なく、弾性パッドは何回使用しても吸着力が低下しない
ため、保護テープとは異なり何回でも再利用できて経済
的である。
る場合は、バンプが弾性パッド内に埋没するため、半導
体ウェーハの割れを従来より確実に防止することがで
き、これにより、歩留まりが向上すると共に、従来より
も薄く研削することが可能になる。
す斜視図である。
着する弾性パッドを示す斜視図であり、(B)は、同弾
性パッドを半導体ウェーハの表面に装着した状態を示す
斜視図である。
する研削装置の一例を示す斜視図である。
ッドを半導体ウェーハから剥離する様子を示す斜視図で
ある。
である。
半導体ウェーハの表面 13……弾性パッド 14……気孔 15……弾性パッ
ドの表面 16……隙間 17……弾性パッドの裏面 20……研削装置 21…
…チャックテーブル 22……基台 23……壁体 24……レール 25…
…スライド板 26……研削手段 27……ターンテーブル 28……
スピンドル 29……マウンタ 30……研削砥石 40……チャックテーブル 41……半導体ウェーハ
42……裏面 43……研削手段 44……研削砥石 45……表面
46……保護テープ
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体ウェーハの裏面を研削する半導体
ウェーハの研削方法であって、 無数の気孔が少なくとも表面に形成され弾性による復元
力と密着性とで押圧した際に気孔が潰れ負圧が生じて吸
着力を有する所定の厚さからなる弾性パッドを半導体ウ
ェーハの表面に装着する工程と、 研削装置のチャックテーブルに、該弾性パッドを下にし
て該半導体ウェーハを載置する工程と、 該チャックテーブルに対峙して配設される研削手段によ
って該半導体ウェーハの裏面を所定の厚さに研削する工
程と、 研削が終了した後、該半導体ウェーハの表面から該弾性
パッドを剥離する工程とから少なくとも構成される半導
体ウェーハの研削方法。 - 【請求項2】 半導体ウェーハの表面にはバンプが形成
されていて、弾性パッドに該バンプが埋没した状態で研
削が遂行される請求項1に記載の半導体ウェーハの研削
方法。 - 【請求項3】 半導体ウェーハから剥離された弾性パッ
ドは、次に研削すべき半導体ウェーハに装着され再利用
される請求項1または2に記載の半導体ウェーハの研削
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10339362A JP2000164546A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 半導体ウェーハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10339362A JP2000164546A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 半導体ウェーハの研削方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000164546A true JP2000164546A (ja) | 2000-06-16 |
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ID=18326756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10339362A Pending JP2000164546A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 半導体ウェーハの研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000164546A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020061737A (ko) * | 2001-01-17 | 2002-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 웨이퍼 가공방법 |
JP2007243112A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの凹状加工方法及び凹凸吸収パッド |
JP2014170790A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 固定部材及び加工方法 |
JP2019071466A (ja) * | 2013-01-21 | 2019-05-09 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 構造化された基板を搬送する収容装置 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP10339362A patent/JP2000164546A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020061737A (ko) * | 2001-01-17 | 2002-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 웨이퍼 가공방법 |
JP2007243112A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの凹状加工方法及び凹凸吸収パッド |
JP2019071466A (ja) * | 2013-01-21 | 2019-05-09 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 構造化された基板を搬送する収容装置 |
JP2014170790A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | 固定部材及び加工方法 |
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