JP2000124181A

JP2000124181A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2000124181A
Application number: JP10290791A
Authority: JP
Inventors: Yusuke Muraoka; 祐介村岡
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-10-13
Filing date: 1998-10-13
Publication date: 2000-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の表裏両面に十分に処理液または処理気
体を供給することができるとともに、基板周囲の雰囲気
による悪影響を抑制することができ、処理液の再付着に
よる基板の汚染を防止することができる基板処理装置を
提供する。【解決手段】基板処理装置１において、回転ベース部
材１１と遮蔽部材２１とによって覆うように支持された
基板Ｗに対して、基板Ｗの上面（ＵＳ）側および下面
（ＬＳ）側に確保された処理空間ＳＵ、ＳＬ内に所定の
処理液を供給部５０によって供給し、同処理空間内を処
理液で満たした状態で、回転ベース部材１１および遮蔽
部材２１とともに基板Ｗを回転させながら基板処理を行
う。また、処理空間ＳＵ、ＳＬ内の外周部に設けられる
排出口から排出される処理液は、排出口のラビリンスＬ
Ａにおいて流体抵抗が増加されて排出流量が抑制され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器用基板等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板（以下「基板」という）を処理する基板処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】基板に対する洗浄などを行う従来の基板
処理装置として、スピンチャックの中心から放射状に延
設された複数のチャック腕により基板を下方から水平に
支持しつつスピンチャックを基板と一体に回転させると
ともに、スピンチャックの上方および下方にそれぞれ設
けられたノズルより所定の処理液または処理気体（この
明細書では「処理流体」と総称する）を被回転基板の表
裏両面に供給するものが知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
基板処理装置によると基板の裏面に供給される処理流体
が回転するスピンチャックのチャック腕に遮られるの
で、基板の裏面に十分に処理流体を供給できないという
問題がある。また、スピンチャックに支持された基板
は、処理中に周囲の雰囲気に曝されるため周囲の雰囲気
による悪影響を受けやすいという問題がある。さらに、
処理流体が処理液の場合には、チャック腕に遮られた処
理液は飛散して基板に再付着し、基板を汚染するという
問題も存在する。

【０００４】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、基
板の表裏両面に十分に処理流体を供給することができ、
基板周囲の雰囲気による悪影響を抑制することがで
き、処理流体が処理液の場合にはその処理液の再付着
による基板の汚染を防止することができる基板処理装置
を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の基板処理装置は、基板を処理する
基板処理装置であって、基板の下面側に空間を確保した
状態で基板を水平に支持する回転可能な回転台と、前記
回転台に支持された基板に対向して配置されるととも
に、基板の上面側に空間を確保した状態で前記回転台と
一体に回転可能な対向部材と、前記回転台と前記対向部
材との間の処理空間に所定の処理流体を供給して、前記
処理空間内を前記処理流体で満たす供給手段と、前記回
転台に支持された基板の周囲において前記回転台と前記
対向部材とが対向する部分に形成されて、前記処理空間
から前記処理流体を排出する排出経路と、を備え、前記
排出経路には、前記処理流体についての流体抵抗が前記
処理空間よりも高い部分が形成されていることを特徴と
する。

【０００６】請求項２に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置であって、前記排出経路の一部
に設けたラビリンスによって前記処理流体についての流
体抵抗が高められていることを特徴とする。

【０００７】請求項３に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置であって、前記排出経路の断面
がその排出経路の出口側に向かって先細り形状とされて
いることによって前記処理流体についての流体抵抗が高
められていることを特徴とする。

【０００８】請求項４に記載の基板処理装置は、基板を
処理する基板処理装置であって、基板の下面側に空間を
確保した状態で基板を水平に支持する回転可能な回転台
と、前記回転台に支持された基板に対向して配置される
とともに、基板の上面側に空間を確保した状態で前記回
転台と一体に回転可能な対向部材と、前記回転台と前記
対向部材との間の処理空間に所定の処理流体を供給し、
前記処理空間内を前記処理流体で満たす供給手段と、前
記回転台に支持された基板の周囲において前記回転台と
前記対向部材とが対向する部分に形成されて、前記処理
空間から前記処理流体を排出する排出経路と、を備え、
前記排出経路がその出口側において上方に屈曲している
ことを特徴とする。

【０００９】請求項５に記載の基板処理装置は、請求項
１から請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であっ
て、前記排出経路の出口付近に設けられ、前記排出経路
から排出される処理流体の流量を制限する流量制限手段
をさらに備えることを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】＜第１実施形態＞＜装置＞図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理
装置１の概略構成を示す一部断面図である。図１に示す
ように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの基板Ｗ
を下方から水平に支持する回転ベース部材（回転台）１
１と、回転ベース部材１１および基板Ｗに対向して上方
に配置され基板Ｗの上部空間を遮蔽する遮蔽部材（対向
部材）２１とを備え、また、基板Ｗおよび回転ベース部
材１の相互間の処理空間ＳＬと基板Ｗおよび遮蔽部材２
１の相互間の処理空間ＳＵとに所定の処理流体を供給す
る供給部５０をさらに備える。

【００１１】回転ベース部材１１は、基板Ｗの下面ＬＳ
側を覆うような円盤状の部材であり、基板Ｗの下面ＬＳ
側に空間ＳＬを確保した状態で基板Ｗを支持する。ま
た、遮蔽部材２１は、基板Ｗの上面ＵＳ側を覆うような
円盤状の部材であり、基板Ｗの上面ＵＳ側に空間ＳＵを
確保した状態で基板Ｗを支持する。

【００１２】供給部５０は、異なる半径を有する同心円
状の二重の配管５１（５１ａ、５１ｂ）、配管５２（５
２ａ、５２ｂ）と、ミキシングバルブ５３（５３ａ、５
３ｂ）と、窒素ガス供給部５５と、純水（ＤＩＷ）供給
部５６と、複数の薬液Ｃ１〜Ｃｎを供給することができ
る薬液供給部５７とを備える。ミキシングバルブ５３
（５３ａ、５３ｂ）において各供給部５５〜５７に対応
する弁を開閉することにより、配管５１を介して所望の
処理液（純水あるいは薬液Ｃ１〜Ｃｎ）または処理気体
（窒素ガス）を、処理空間ＳＵ、ＳＬに選択的に供給す
ることができる。

【００１３】回転ベース部材１１は、その下部側にギア
１５を有し、ベルト１６は、このギア１５と、モータＭ
１の回転軸に対して固定されるギアＧ１とに巻き掛けら
れている。同様に、遮蔽部材２１は、その上部側にギア
２５を有し、ベルト２６は、このギア２５と、モータＭ
２の回転軸に対して固定されるギアＧ２とに巻き掛けら
れている。また、図２の拡大断面図に示すように、外側
の配管５２ａはその下端において支持部材２９に接続さ
れており、その支持部材２９と遮蔽部材２１の回転部の
内側面２１Ａとはベアリング２８を介して接続されてい
る。同様に、外側の配管５２ｂはその上端において支持
部材１９に接続されており、その支持部材１９と回転ベ
ース部材１１の回転部の内側面１１Ａとはベアリング１
８を介して接続されている。したがって、モータＭ２を
駆動することにより、遮蔽部材２１は、静止側の円筒形
状の支持部材２９の周囲を回転することが可能であり、
また、モータＭ１を駆動することにより、回転ベース部
材１１は、静止側の円筒形状の支持部材１９の周囲を回
転することが可能である。モータＭ１およびＭ２は、制
御部ＣＴＲによって、同期して回転するように制御され
る。

【００１４】ここにおいて、内側の配管５１も外側の配
管５２と同様に、回転ベース部材１１および遮蔽部材２
１が回転する際においても静止している。この静止側の
配管５１と、回転側の回転ベース部材１１および遮蔽部
材２１との間にはラビリンスシール部１７および２７が
それぞれ設けられており、処理空間ＳＵおよびＳＬ内の
処理流体が漏出することを防止している。また、配管５
２を通じて窒素ガスを供給することにより、この漏出を
より確実に防止することができ、この際、供給される窒
素ガスのほとんどは、ベアリング１８の隙間を通じて回
転ベース部材１１の下部へ、ベアリング２８の隙間を通
じて遮蔽部材２１の上部へと排出される。

【００１５】回転ベース部材１１は、図３の概略斜視図
に示すように、その上面の外周部に基板支持用ピン１２
を有している。同様に、遮蔽部材２１も、図４の概略下
面図に示すように、その下面の外周部に基板支持用ピン
２２を有している。この基板支持用ピン１２および２２
の配置位置は、基板Ｗ上において半導体デバイスＤＶ
（図５）などが作成される領域ＲＡの以外の領域ＲＢを
支持するように、たとえば、図５に示すように、基板Ｗ
の外周面から２〜３ｍｍ（ミリメートル）程度の位置で
基板Ｗを挟持するように設定されていることが好まし
い。この基板支持用ピン１２および２２としては、シリ
コンゴム、ウレタンゴム、ＰＦＡ樹脂（四フッ化エチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂）
被覆のフッ素ゴムなどの弾性材料を用いることができ
る。回転ベース部材１１と遮蔽部材２１とで基板Ｗを保
持した状態の拡大断面図を表す図６にも示されるよう
に、基板Ｗは、薬液処理などの所定の基板処理中におい
ては、弾力性を有する基板支持用ピン１２および２２の
両者に挟まれた状態で保持され、回転ベース部材１１お
よび遮蔽部材２１と一体になって回転される。

【００１６】基板処理中において、供給部５０によって
処理空間ＳＵ、ＳＬへと供給された処理流体は、回転ベ
ース部材１１に支持された基板Ｗの周囲から、言い換え
れば、回転する回転ベース部材１１および遮蔽部材２１
の外周部から遠心力によって外側へと排出される。回転
ベース部材１１および遮蔽部材２１との間の外周部にお
ける間隙は、処理空間ＳＵ、ＳＬ内の処理流体を処理空
間ＳＵ、ＳＬ外へと排出する排出経路ＥＰ（図６）とし
て機能する。回転ベース部材１１および遮蔽部材２１の
外周部において回転ベース部材１１と遮蔽部材２１との
対向面付近に設けられるこの排出経路にはラビリンスＬ
Ａ（図１、図６）が設けられている。

【００１７】このラビリンスＬＡは、回転ベース部材１１の外周部に同心円状に設けられ
た、異なる半径のリング状の複数のラビリンス用部材１
３（図３、図６）と、遮蔽部材２１の外周部に同心円状に設けられた、異な
る半径のリング状の複数のラビリンス用部材２３（図
４、図６）と、の交互配置によって構成されている。

【００１８】処理流体の排出経路ＥＰに上記のようなラ
ビリンスＬＡを設けられていることにより、回転する回
転ベース部材１１および遮蔽部材２１の外周部から遠心
力によって外側へと処理流体が排出される際の流体抵抗
が、処理空間ＳＵ、ＳＬにおける流体抵抗よりも高めら
れている。このため、処理流体が回転ベース部材１１お
よび遮蔽部材２１の外周部から排出経路ＥＰを通って外
部に排出される際の排出速度は比較的緩やかになる。そ
の結果、処理空間ＳＵ、ＳＬ内の処理流体がその供給速
度以上で外部に流出して処理空間ＳＵ、ＳＬ内の処理流
体が不足してしまうような状況を防止できる。

【００１９】また、回転ベース部材１１は、外周部にお
いてテーパ部１４（図６）を有している。このテーパ部
１４を設けることにより、排出経路口ＥＰの幅（断面
積）が部分的に狭くなっており、これによっても排出経
路ＥＰの流体抵抗が高められているため、排出経路ＥＰ
から処理流体が過剰な速さで流出してしまうことをさら
に有効に防止している。なお、テーパ部１４は、基板Ｗ
の基板支持用ピン１２への載置位置の補正を行う位置決
め機能、および仮に基板支持用ピン１２および２２のピ
ンによる把持が解かれた場合の飛び出し防止部材として
の機能などを果たすものでもある。

【００２０】基板処理装置１は、図１に示すように、排
気排液部４０をさらに備える。排気排液部４０は、排出
口から排出（排液・排気）された処理流体を受け取るリ
ング状の受け部材（上側部材４１ａ、下側部材４１ｂ）
と、この上側部材４１ａおよび下側部材４１ｂをそれぞ
れ支持する支持部材４５ａおよび支持部材４５ｂと、配
管４３とを有する。上側部材４１ａ、下側部材４１ｂ
は、次述するカップ部３の昇降に伴い、互いに分離する
構造になっており、それらが相互に組合わさった際には
リング状の受け溝ＧＶが形成されるようになっている。
処理空間ＳＵ、ＳＬから排出された処理流体は、受け溝
ＧＶで受け止められた後、配管４３を介してさらに本装
置１の外部へと導かれる。

【００２１】基板処理装置１は、回転ベース部材１１お
よび遮蔽部材２１などを収納するカップ部３を備えてい
る。このカップ部３は、上カップ３ａと下カップ３ｂと
を有しており、上カップ３ａは、昇降駆動部５により、
昇降することができる。基板Ｗの処理は、図１に示すよ
うに上カップ３ａと下カップ３ｂとが接触して閉じた状
態で行われるが、基板Ｗの処理の開始前および終了後に
おいては、上カップ３ａの上昇動作によって上カップ３
ａと下カップ３ｂとが分離される。これにより両者の中
間に生成された空間を利用して、図示しない搬送ロボッ
トが基板Ｗを回転ベース部材１１上に載置したり、回転
ベース部材１１上から基板Ｗを取り除いたりすることが
可能になる。

【００２２】基板処理装置１は、搬送ロボットによる基
板Ｗの移載を行う際に用いられる基板昇降部３０をさら
に備えている。この基板昇降部３０は、搬送ロボットと
の間で基板Ｗの授受を行う複数の昇降用支持ピン３１
（図３）と、それらの昇降用支持ピン３１を相互に接続
する接続部３３と、昇降用支持ピン３１および接続部３
３を昇降させる昇降用シリンダ３５とを有している。昇
降用支持ピン３１は、このような昇降機構により、搬送
ロボットとの基板Ｗの受け渡し位置（上方位置）と、基
板処理中の退避位置（下方位置）との間を昇降すること
が可能である。

【００２３】＜動作＞つぎに、基板処理装置１における
処理の動作について説明する。以下の動作は、制御部Ｃ
ＴＲにより各駆動機構を制御することにより行われる。

【００２４】処理対象となる基板Ｗは、搬送ロボットに
より搬送され、回転ベース部材１１上に移載される。こ
のとき上カップ３ａは昇降駆動部５によって上昇されて
おり、上カップ３ａ側の遮蔽部材２１、上側部材４１ａ
などは、下カップ３ｂ側の回転ベース部材１１、下側部
材４１ｂの上方位置に存在している。遮蔽部材２１と回
転ベース部材１１との間には、所定の空間が形成されて
おり、この空間を利用して、搬送ロボットが基板Ｗを回
転ベース部材１１上に移載する。より具体的には、回転
ベース部材１１の表面上に突出した昇降用支持ピン３１
が、受け渡し位置（上方位置）で搬送ロボットから基板
Ｗを受け取った後、下降することにより、基板Ｗを回転
ベース部材１１の基板支持用ピン１２上に載置する。昇
降用支持ピン３１は、貫通穴ＨＬを通過して下降し、基
板処理中において回転する回転ベース部材１１と干渉し
ないように、退避位置（下方位置）にまで下降する。

【００２５】この貫通穴ＨＬは、図７の貫通穴ＨＬの周
辺部分の概略断面図に示すように、昇降用支持ピン３１
の通過に伴って矢印ＡＲの方向に開閉する開閉部ＣＰを
有していることが好ましい。開閉部ＣＰは、たとえば、
図７（ａ）に示すように、矢印ＡＲ方向に回動自在とな
るように開閉用部材ＣＰＡによって回転ベース部材１１
に取り付けられていてもよいし、図７（ｂ）に示すよう
に、開閉部ＣＰの一部ＣＰＢを回転ベース部材１１に対
して固定して、開閉部ＣＰ自体の弾力性を利用して矢印
ＡＲの方向に回動可能となるようにしてもよい。このよ
うな開閉部ＣＰを貫通穴ＨＬに設けることによって、基
板処理中において、処理流体が貫通穴ＨＬを通じて漏出
しないようにすることが可能である。

【００２６】その後、上カップ３ａを下降して、図１に
示すように上カップ３ａと下カップ３ｂとが接触した状
態にする。この状態においては、基板Ｗは、基板Ｗの下
面ＬＳ側に処理空間ＳＬが確保され、基板Ｗの上面ＵＳ
側に処理空間ＳＵが確保された状態で、回転ベース部材
１１の基板支持用ピン１２と遮蔽部材２１の基板支持用
ピン２２とでしっかりと挟持されている。

【００２７】そして、制御部ＣＴＲの制御下において、
モータＭ１およびＭ２を駆動することにより回転ベース
部材１１および遮蔽部材２１を同期して回転させなが
ら、複数の薬液のうち基板Ｗの処理内容に応じて選択さ
れた薬液が、配管５１を介して基板Ｗに対して処理流体
として供給され、基板処理が開始される。

【００２８】基板処理中において、供給部５０により供
給される薬液は、基板Ｗ、回転ベース部材１１、遮蔽部
材２１などによって形成される処理空間ＳＬ、ＳＵ内を
満たし、基板Ｗの上下（表裏）両面を覆う。したがっ
て、基板Ｗの表面に確実に薬液を供給して基板処理を行
うことができる。また、狭小な空間である処理空間Ｓ
Ｕ、ＳＬに対して薬液を供給して基板Ｗの表面処理を行
うので、薬液の消費量が少なくて済む。

【００２９】そして、配管５１から基板Ｗの中央部に向
けて供給された処理空間ＳＵ、ＳＬ内の薬液は、図１な
どにおいて破線矢印で示すように、回転による遠心力で
外周部に向けて徐々に進行し、回転ベース部材１１およ
び遮蔽部材２１の外周部から外側へと排出される。上述
のラビリンスＬＡは、回転ベース部材１１および遮蔽部
材２１の外周部に設けられており、排出時の流体抵抗を
増加させることによって、薬液が回転ベース部材１１お
よび遮蔽部材２１の外周部から排出されにくくする機能
を有する。これにより、薬液の消費量を最小限にとどめ
ることができる。

【００３０】このように、本実施形態の基板処理装置１
によれば、薬液の消費量を抑制しつつ、基板の上下（表
裏）両面に十分に薬液を供給することができる。また、
基板Ｗは回転ベース部材１１および遮蔽部材２１によっ
て覆われているので、一旦使用された処理液が飛散して
再付着することもない。さらに、基板Ｗの表面は、処理
空間内を満たしている処理薬液で覆われているので、基
板Ｗが基板周囲の雰囲気に接触することを防止して基板
周囲の雰囲気による悪影響を抑制することができる。

【００３１】なお、上記においては、供給部５０からの
処理液として薬液が供給される場合を例示したが、処理
液として純水を供給する場合も同様の効果を得ることが
できる。また、供給部５０から処理液が供給される代わ
りに、窒素ガスなどの処理気体が供給される場合も同様
である。

【００３２】このようにして所定の薬液による処理が行
われた後、さらに、その他の薬液による処理および純水
による処理などが同様に行われる。

【００３３】そして、基板Ｗに対する所定の処理が終了
した後、搬送ロボットによって基板Ｗが基板処理装置１
の外部へと搬送される。具体的には、下方の退避位置に
存在していた昇降用支持ピン３１は、回転ベース部材１
１に設けられている貫通穴ＨＬ（図１）を通過して上昇
し、回転ベース部材１１の表面からその上方へと突出し
て、基板支持用ピン１２に代わって基板Ｗの下面を支持
する。さらに、上昇を続けることにより、昇降用支持ピ
ン３１は、基板Ｗを回転ベース部材１１から持ち上げ、
搬送ロボットとの受け渡し位置（上方位置）にまで到達
する。そして、昇降用支持ピン３１によって支持された
基板Ｗは、搬送ロボットに受け渡されて、外部へと搬送
される。

【００３４】＜変形例１〜ラビリンス＞上記実施形態に
おいては、回転ベース部材１１の外周部の全周に亙って
テーパ部１４（図６）を設け、処理流体を排出する排出
経路ＥＰの幅を狭くした上で、さらにラビリンスを設け
て、流体抵抗を増加させて処理流体が排出されにくくな
るようにする場合を例示したが、これに限定されない。

【００３５】たとえば、図８に示すようにラビリンスＬ
Ａのみを設けて、流出しようとする処理流体の流体抵抗
を増加することによっても、処理流体の処理空間ＳＵ、
ＳＬからの過度の流出を有効に防止して、基板Ｗの表面
に確実に処理流体を供給することができるので、処理流
体の消費量を最小限にとどめることが可能である。

【００３６】なお、この場合には、テーパ部１４を回転
ベース部材１１の外周部の一部、たとえば、基板支持用
ピン１２に対応する位置にだけ設けてもよい。この場
合、テーパ部１４は、排出経路ＥＰの幅を狭くするとい
う機能はほとんど果たさないものの、基板Ｗの基板支持
用ピン１２への載置位置の補正を行う位置決め機能、お
よび仮に基板支持用ピン１２および２２のピンによる把
持が解かれた場合の飛び出し防止部材としての機能を果
たすことは可能である。

【００３７】＜変形例２〜先細り形状＞上記実施形態に
おいては、処理流体の流出を有効に防止するために、ラ
ビリンスを設けていたが、これに限定されない。たとえ
ば、図９および図１０に示すように排出経路ＥＰの出口
側を、外側に延びるにしたがいその幅が徐々に小さくな
る先細り形状としておくことも可能である。図９におい
ては、遮蔽部材２１側に排出口を設けており、図１０に
おいては、回転ベース部材１１側に排出口が設けられて
いる場合を示している。これらの排出経路においては、
処理流体が流出する向き（破線矢印で示される向き）に
いくにしたがって、その幅が徐々に小さくなっているの
で、処理流体が流出しにくくなっている。このような流
体抵抗の増加を利用することにより、上記と同様の効果
を得ることも可能である。

【００３８】＜変形例３〜内圧付与部＞あるいは、図１
１に示すように、排出口の付近に、回転ベース部材１１
との間隔を調整することによって、処理流体の流量を制
限する内圧付与部６０を設けることもできる。内圧付与
部６０は、図１２に示すように、円環状の板材６２と取
付部６４と昇降用シリンダ６６とを備え、昇降用シリン
ダ６６によって、板材６２を矢印ＡＺ方向に昇降するこ
とができる。図１１にも示すように、この板材６２を回
転ベース部材１１に近づけたり、離したりすることによ
って、排出口から流出する処理流体の流量を調整するこ
とが可能である。この内圧付与部６０の板材６２と回転
ベース部材１１との距離を近接させて処理流体の流体抵
抗を増加させることによって、排出口から排出される流
量を制限して処理流体が流出されにくくすることができ
る。この場合、板材６２と回転ベース部材１１との距離
を定めることによって、より正確に流量を調整すること
が可能である。

【００３９】また、内圧付与部６０は、これに限定され
ず排出経路ＥＰの出口に板材を近接させる構成であれば
良く、他の変形例にも適用可能である。

【００４０】＜変形例４〜重力＞上記実施形態において
は、流体抵抗を増加させることによって処理流体が流出
し難くなるようにしていたが、これに限定されず、重力
を利用して処理流体が流出し難くなるようにすることが
可能である。たとえば、図１３に示すように、回転ベー
ス部材１１および遮蔽部材２１との間隙として形成され
る排出口を、処理空間ＳＵ、ＳＬよりも上側に設けるこ
とが可能である。これにより、この排出口から排出され
る処理流体は、重力に逆らって上昇する必要があるの
で、排出口から排出されにくくなる。この変形は、処理
流体が液体（処理液）であることによりその自重が大き
いときに特に有効である。

【００４１】＜その他の変形例＞上記実施形態において
は、図６に示すように、ラビリンスＬＡは、回転ベース
部材１１と遮蔽部材２１とにそれぞれ設けられたラビリ
ンス用部材１３、２３によって構成されていたが、これ
に限定されず、回転ベース部材１１あるいは遮蔽部材２
１の一部として構成されてもよい。たとえば、一体とし
て形成されたラビリンス部材（ラビリンス用部材１３、
２３の双方に相当する部材を含む）を回転ベース部材１
１の外周部上に回転ベース部材１１の一部として設け、
そのラビリンス部材の上面と遮蔽部材２１の下面とを処
理流体が漏出しないように接触させることにより、回転
ベース部材１１上に一体として形成されたラビリンス部
材を介して処理流体を排出することができる。このよう
な排出経路によっても上記と同様の機能を果たすことが
可能である。

【００４２】また、上記実施形態においては、排出経路
ＥＰは回転ベース部材１１と遮蔽部材２１との間隙とし
て形成されていたが、回転ベース部材１１あるいは遮蔽
部材２１の一部を切り欠いて外部へ通じる流路を形成す
ることによっても実現可能である。

【００４３】なお、上記実施形態においては、上カップ
３ａ側を昇降駆動部５によって昇降することによって、
上カップ３ａと下カップ３ｂとを分離したり係合させた
りしたが、これに限定されず、下カップ３ｂ側を昇降駆
動部によって昇降することによっても同様の動作を行う
ことができる。

【００４４】また、本発明はＣｕ電解メッキ装置などの
基板メッキ装置にも適用できる。基板メッキ装置に適用
する場合は、薬液として硫酸銅などの電解液を使用し、
基板の裏面には、電解液が供給されない構成とするのが
好ましい。さらに、電解メッキ処理を施す場合は電解液
に給電する機構を追加する。

【００４５】

【発明の効果】以上のように、請求項１ないし請求項３
に記載の基板処理装置によれば、回転台に水平に支持さ
れた基板に対して、基板の上面側および下面側に確保さ
れた処理空間内に所定の処理流体を供給することによ
り、処理空間内を処理流体で満たした状態で基板処理を
行うことができる。その際、処理流体の排出経路に、処
理流体についての流体抵抗が処理空間よりも高い部分が
形成されていることによって、処理空間から排出される
処理流体の排出流量が抑制される。したがって、処理流
体の消費量を抑制しつつ、基板の表裏（上下）両面に十
分に処理流体を供給することができる。また、基板の表
裏両面は、処理空間内を満たしている処理流体で覆われ
ているので、基板周囲の雰囲気への接触を防止して基板
周囲の雰囲気による悪影響を抑制することができる。さ
らに、処理流体が処理液の場合において、基板は回転台
および対向部材によって覆われているので、一旦使用さ
れた処理液が飛散して再付着することもない。

【００４６】また、請求項４に記載の基板処理装置によ
れば、回転台に水平に支持された基板に対して、基板の
上面側および下面側に確保された処理空間内に所定の処
理流体を供給することにより、処理空間内を処理流体で
満たした状態で基板処理を行うことができる。その際、
処理流体の排出経路は、その出口側において上方に屈曲
しているので、処理空間から排出される処理流体の排出
流量が抑制される。したがって、処理流体の消費量を抑
制しつつ、基板の表裏（上下）両面に十分に処理流体を
供給することができる。また、基板の表面は、処理空間
内を満たしている処理流体で覆われているので、基板周
囲の雰囲気への接触を防止して基板周囲の雰囲気による
悪影響を抑制することができる。さらに、処理流体が処
理液の場合において、基板は回転台および対向部材によ
って覆われているので、一旦使用された処理液が飛散し
て再付着することもない。

【００４７】さらに、請求項５に記載の基板処理装置に
よれば、排出経路の出口付近に設けられ、排出経路から
排出される処理流体の流量を制限する流量制限手段をさ
らに備えるので、より正確に流量を調整することが可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１の概略
内部構造を示す一部断面図である。

【図２】図１の一部を表す部分拡大断面図である。

【図３】回転ベース部材１１の概略斜視図である。

【図４】遮蔽部材２１の概略下面図である。

【図５】基板支持用ピン１２および２２によって支持さ
れる基板Ｗの側面図である。

【図６】回転ベース部材１１と遮蔽部材２１とで保持さ
れた基板Ｗの拡大断面図である。

【図７】貫通穴ＨＬ（回転ベース部材１１）の周辺部分
を表す概略断面図である。

【図８】変形例１における、回転ベース部材１１および
遮蔽部材２１の外周部付近の拡大断面図である。

【図９】変形例２における、回転ベース部材１１および
遮蔽部材２１の外周部付近の拡大断面図である。

【図１０】変形例２における、回転ベース部材１１およ
び遮蔽部材２１の外周部付近の拡大断面図である。

【図１１】変形例３における、回転ベース部材１１およ
び遮蔽部材２１の外周部付近の拡大断面図である。

【図１２】内圧付与部６０を表す概略斜視図である。

【図１３】変形例４における、回転ベース部材１１およ
び遮蔽部材２１の外周部付近の拡大断面図である。

【符号の説明】

１基板処理装置１１回転ベース部材２１遮蔽部材１２，２２基板支持用ピン１３，２３ラビリンス用部材ＬＡラビリンスＥＰ排出経路１５，２５，Ｇ１，Ｇ２ギア１６，２６ベルトＭ１，Ｍ２モータ３１昇降用支持ピン３５，６６昇降用シリンダ４１受け部材４３，５１，５２配管５３ミキシングバルブ６２板材ＳＬ，ＳＵ処理空間Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を処理する基板処理装置であって、基板の下面側に空間を確保した状態で基板を水平に支持
する回転可能な回転台と、前記回転台に支持された基板に対向して配置されるとと
もに、基板の上面側に空間を確保した状態で前記回転台
と一体に回転可能な対向部材と、前記回転台と前記対向部材との間の処理空間に所定の処
理流体を供給して、前記処理空間内を前記処理流体で満
たす供給手段と、前記回転台に支持された基板の周囲において前記回転台
と前記対向部材とが対向する部分に形成されて、前記処
理空間から前記処理流体を排出する排出経路と、を備
え、前記排出経路には、前記処理流体についての流体抵抗が
前記処理空間よりも高い部分が形成されていることを特
徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置であっ
て、前記排出経路の一部に設けたラビリンスによって前記処
理流体についての流体抵抗が高められていることを特徴
とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１に記載の基板処理装置であっ
て、前記排出経路の断面がその排出経路の出口側に向かって
先細り形状とされていることによって前記処理流体につ
いての流体抵抗が高められていることを特徴とする基板
処理装置。
【請求項４】基板を処理する基板処理装置であって、基板の下面側に空間を確保した状態で基板を水平に支持
する回転可能な回転台と、前記回転台に支持された基板に対向して配置されるとと
もに、基板の上面側に空間を確保した状態で前記回転台
と一体に回転可能な対向部材と、前記回転台と前記対向部材との間の処理空間に所定の処
理流体を供給し、前記処理空間内を前記処理流体で満た
す供給手段と、前記回転台に支持された基板の周囲において前記回転台
と前記対向部材とが対向する部分に形成されて、前記処
理空間から前記処理流体を排出する排出経路と、を備
え、前記排出経路がその出口側において上方に屈曲している
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項１から請求項４のいずれかに記載
の基板処理装置であって、前記排出経路の出口付近に設けられ、前記排出経路から
排出される処理流体の流量を制限する流量制限手段をさ
らに備えることを特徴とする基板処理装置。