KR101972226B1 - 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 세정 장치는, 원형의 상단면을 갖는 세정 브러쉬를 포함하고, 스핀 척에 의해 회전되는 기판의 하면에 세정 브러쉬의 상단면을 접촉시킴으로써 기판의 하면을 세정한다. 세정 브러쉬를 세정하기 위해, 공간 형성 부재가 설치된다. 공간 형성 부재는 하단면을 갖는다. 또, 공간 형성 부재는, 하단면에 원형 개구를 갖는 내부 공간을 형성한다. 원형 개구가 세정 브러쉬의 상단면에 의해 폐색된 상태로 공간 형성 부재의 내부 공간에 세정액을 공급함으로써, 원형 개구로부터 세정 브러쉬의 상단면과 공간 형성 부재의 하단면의 사이를 통해 세정액을 유출시킨다.

Description

기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE CLEANING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은, 기판의 세정을 행하는 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조에 있어서의 리소그래피 공정에서는, 기판 상에 레지스트액 등의 도포액이 공급됨으로써 도포막이 형성된다. 도포막이 노광된 후, 현상됨으로써, 도포막에 소정의 패턴이 형성된다. 도포막이 노광되기 전의 기판에는, 세정 처리가 행해진다(예를 들어, 일본국 특허 공개 2009－123800호 공보 참조).
일본국 특허 공개 2009－123800호 공보에는, 세정/건조 처리 유닛을 갖는 기판 처리 장치가 기재되어 있다. 세정/건조 처리 유닛에 있어서는, 스핀 척에 의해 기판이 수평으로 유지된 상태로 회전된다. 이 상태로, 기판의 상면에 세정액이 공급됨으로써, 기판의 표면에 부착되는 먼지 등이 씻어 내어진다. 또, 기판의 하면의 전체 및 외주 단부가 세정액 및 세정 브러쉬로 세정됨으로써, 기판의 하면의 전체 및 외주 단부에 부착되는 오염물이 제거된다.
기판에 형성되는 패턴을 보다 미세화하기 위해, 기판의 하면의 보다 높은 청정도가 요구된다. 그러나, 기판으로부터 제거된 오염물이, 세정 브러쉬의 표면 또는 그 내부에 잔류하는 경우가 있다. 세정 브러쉬에 잔류하는 오염물은, 당해 세정 브러쉬를 향해 세정액을 공급해도, 간단하게 씻어낼 수 없다. 오염물이 잔류하는 세정 브러쉬에 의해 기판의 하면이 세정되면, 그 오염물이 기판의 하면에 재부착된다.
본 발명의 목적은, 기판의 하면에 부착된 오염물을 제거하는 것이 가능함과 더불어 제거된 오염물의 기판으로의 재부착을 저감하는 것이 가능한 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 일 국면에 따르는 기판 세정 장치는, 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치로서, 기판을 수평 자세로 유지하고 회전시키는 회전 유지부와, 원형의 상단면을 갖는 세정구를 포함하고, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 세정구의 상단면을 접촉시킴으로써 기판의 하면을 세정하는 하면 세정부와, 세정구를 세정하는 세정구 세정부를 구비하며, 세정구 세정부는, 하단면을 갖고 또한 하단면에 원형 개구를 갖는 내부 공간을 형성하는 공간 형성 부재와, 공간 형성 부재의 원형 개구가 세정구의 상단면에 의해 폐색된 상태로 공간 형성 부재의 내부 공간에 세정액을 공급함으로써, 내부 공간으로부터 원형 개구 및 세정구의 상단면과 공간 형성 부재의 하단면의 사이를 통해 세정액을 유출시키는 세정액 공급계를 포함한다.
그 기판 세정 장치에 있어서는, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 세정구의 상단면이 접촉함으로써, 기판의 하면이 세정된다. 이때, 기판의 하면에 부착되는 오염물은, 주로 세정구의 상단면의 외주 단부로 벗겨내진다. 그로 인해, 세정구의 상단면의 외주 단부에는, 기판의 하면으로부터 제거된 오염물이 잔류하기 쉽다. 그래서, 세정구 세정부에 의해 세정구가 세정된다.
상기의 세정구 세정부에 있어서는, 공간 형성 부재의 원형 개구가 세정구의 상단면에 의해 폐색된 상태로, 공간 형성 부재의 내부 공간에 세정액이 공급된다. 내부 공간에 공급된 세정액은, 원형 개구로부터 세정구의 상단면과 공간 형성 부재의 하단면의 사이를 통해 공간 형성 부재의 외부로 유출된다. 그것에 의해, 세정구의 상단면의 외주 단부에 잔류하는 오염물이, 공간 형성 부재의 내부 공간으로부터 유출되는 세정액과 더불어 씻어 내어진다.
이들의 결과, 기판의 하면에 부착된 오염물을 제거하는 것이 가능함과 더불어, 제거된 오염물의 기판으로의 재부착이 저감된다.
(2) 공간 형성 부재의 하단면은, 원형 개구의 내측 가장자리로부터 비스듬한 하방 또한 외방을 향해 경사져도 된다.
이러한 구성에 의해, 세정구의 세정시에는, 공간 형성 부재의 하단면의 형상을 따라, 세정액이 원형 개구의 내측 가장자리로부터 비스듬한 하방 또한 외방을 향해 원활하게 흐른다. 그것에 의해, 공간 형성 부재의 내부 공간으로부터 유출되는 세정액이 넓은 범위에 걸쳐 비산하는 것이 억제된다.
(3) 기판 세정 장치는, 공간 형성 부재의 원형 개구가 세정구의 상단면에 의해 폐색된 상태로, 상단면을 지나는 연직축의 둘레로 세정구를 공간 형성 부재에 대해 상대적으로 회전시키는 세정구 회전부를 더 구비해도 된다.
이 경우, 세정구의 세정시에 세정구가 회전함으로써, 세정구의 상단면에 잔류하는 오염물이 공간 형성 부재의 하단면에 의해 마찰되어 떨어진다. 또, 공간 형성 부재의 내부 공간에 있어서 연직축의 둘레로 회전하는 세정액의 흐름이 발생하고, 공간 형성 부재로부터 유출되는 세정액에 원심력이 작용한다. 그것에 의해, 공간 형성 부재의 하단면에 의해 마찰되어 떨어진 오염물이, 공간 형성 부재의 내부 공간으로부터 유출되는 세정액에 의해 원활하게 제거된다.
(4) 기판 세정 장치는, 세정구의 상단면이 공간 형성 부재의 원형 개구를 폐색하도록 세정구를 공간 형성 부재에 대해 상대적으로 이동시키는 상대적 이동부를 더 구비해도 된다. 이것에 의해, 세정구의 세정시에 세정구를 적절히 위치 결정할 수 있다.
(5) 세정구 세정부는, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외방의 대기 위치에 설치되고, 상대적 이동부는, 기판의 하면의 세정시에, 세정구를 세정구의 상단면이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 대향하는 세정 위치와 대기 위치의 사이에서 이동시킴과 더불어, 세정 위치에서 세정구의 상단면이 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 접촉하도록, 세정구를 회전 유지부에 의해 회전되는 기판에 대해 상대적으로 이동시키는 것이 가능하게 구성되어도 된다.
이 경우, 세정구의 세정시에 있어서의 세정구의 위치 결정 동작을 행하기 위한 구성과 기판의 하면의 세정시에 있어서의 세정구의 위치 결정 동작을 행하기 위한 구성을 개별적으로 설치할 필요가 없다. 따라서, 기판 세정 장치의 부품점수의 증가 및 대형화를 억제할 수 있다.
(6) 기판 세정 장치는, 연마구를 포함하고, 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 연마구를 접촉시킴으로써 기판의 하면을 연마하는 하면 연마부를 더 구비하며, 하면 세정부는, 하면 연마부에 의한 기판의 하면의 연마 후에 당해 기판의 하면을 세정해도 된다.
이 경우, 기판의 하면을 연마함으로써, 기판의 하면에 강고하게 부착되는 오염물을 제거할 수 있다. 또, 기판의 하면의 연마 후에 기판의 하면이 세정됨으로써, 기판의 하면의 연마에 의해 발생하는 오염물이 제거된다. 따라서, 기판의 하면의 청정도를 보다 향상시킬 수 있다.
(7) 본 발명의 다른 국면에 따르는 기판 처리 장치는, 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서, 기판의 상면에 감광성막을 도포하는 도포 장치와, 상기의 기판 세정 장치와, 도포 장치, 기판 세정 장치 및 노광 장치의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 구비하고, 기판 세정 장치는, 노광 장치에 의한 기판의 노광 처리 전에 기판의 하면을 세정한다.
그 기판 처리 장치에 있어서는, 노광 처리 전의 기판의 하면이 상기의 기판 세정 장치에 의해 세정된다. 상기의 기판 세정 장치에 의하면, 기판의 하면에 부착된 오염물을 제거하는 것이 가능함과 더불어 제거된 오염물의 기판으로의 재부착을 저감하는 것이 가능하다. 따라서, 노광 처리시의 기판의 하면의 청정도가 향상한다. 그 결과, 기판의 하면의 오염에 기인하는 기판의 처리 불량의 발생이 억제된다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 모식적 평면도,
도 2는, 도 1의 기판 세정 장치를 흰색의 화살표 M의 방향으로 본 모식적 측면도,
도 3은, 도 1의 기판 세정 장치를 흰색의 화살표 N의 방향으로 본 모식적 측면도,
도 4는, 도 1~도 3의 기판 세정부의 구성을 도시하는 모식적 측면도,
도 5는, 도 1의 브러쉬 세정부의 종단면도,
도 6(a) 및 (b)는, 세정 브러쉬의 세정 동작을 설명하기 위한 브러쉬 세정부의 종단면도,
도 7은, 기판의 외주 단부의 구조를 도시하는 확대 측면도,
도 8은, 도 1의 스핀 척 및 그 주변 부재의 구성을 설명하기 위한 개략 측면도,
도 9는, 스핀 척 및 그 주변 부재의 구성을 설명하기 위한 개략 평면도,
도 10은, 도 1의 기판 세정 장치의 제어 계통의 구성을 도시하는 블럭도,
도 11(a) 및 (b)는, 하우징 내에 기판이 반입될 때의 기판 세정 장치의 동작을 도시하는 측면도,
도 12(a) 및 (b)는, 하우징 내에 기판이 반입될 때의 기판 세정 장치의 동작을 도시하는 측면도,
도 13은, 기판의 상면의 세정에 대해 설명하기 위한 측면도,
도 14는, 기판의 하면의 연마에 대해 설명하기 위한 측면도,
도 15는, 기판의 하면의 세정에 대해 설명하기 위한 측면도,
도 16은, 도 1의 기판 세정 장치를 구비한 기판 처리 장치의 모식적 평면도,
도 17은, 주로 도 16의 도포 처리부, 도포 현상 처리부 및 세정 건조 처리부를 도시하는 기판 처리 장치의 모식적 측면도,
도 18은, 주로 도 16의 열처리부 및 세정 건조 처리부를 도시하는 기판 처리 장치의 모식적 측면도,
도 19는, 주로 도 16의 반송부를 도시하는 측면도이다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치에 대해 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 또는 포토마스크용 기판 등을 말한다. 또, 본 발명에 있어서, 기판의 상면이란 상방을 향한 기판의 면을 말하고, 기판의 하면이란 하방을 향한 기판의 면을 말한다.
(1) 기판 세정 장치
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치의 개략 구성을 도시하는 모식적 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 세정 장치(700)를 흰색의 화살표 M의 방향으로 본 모식적 측면도이며, 도 3은 도 1의 기판 세정 장치(700)를 흰색의 화살표 N의 방향으로 본 모식적 측면도이다.
도 1~도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 세정 장치(700)는, 스핀 척(200), 가드 기구(300), 복수(본 예에서는 3개)의 수도(受渡) 기구(350), 기판 연마부(400), 기판 세정부(500), 브러쉬 세정부(600), 하우징(710), 액 받이 배트(720) 및 연마 세정 컨트롤러(780)를 포함한다. 도 2 및 도 3에서는, 연마 세정 컨트롤러(780)의 도시가 생략된다.
하우징(710)은, 4개의 측벽(711, 712, 713, 714)(도 1), 천정부(715)(도 2) 및 저면부(716)(도 2)를 갖는다. 측벽(711, 713)이 서로 대향함과 더불어, 측벽(712, 714)이 서로 대향한다. 측벽(711)에는, 하우징(710)의 내부와 외부의 사이에서 기판(W)을 반입 및 반출하기 위한 도시하지 않은 개구가 형성되어 있다. 또한, 도 1에서는 천정부(715)의 도시가 생략되고, 도 2에서는 측벽(713)의 도시가 생략되며, 도 3에서는 측벽(714)의 도시가 생략된다.
이하의 설명에 있어서는, 하우징(710)의 내부로부터 측벽(711)을 통해 하우징(710)의 외방을 향하는 방향을 기판 세정 장치(700)의 전방이라고 부르고, 하우징(710)의 내부로부터 측벽(713)을 통해 하우징(710)의 외방을 향하는 방향을 기판 세정 장치(700)의 후방이라고 부른다. 또, 하우징(710)의 내부로부터 측벽(712)을 통해 하우징(710)의 외방을 향하는 방향을 기판 세정 장치(700)의 좌방이라고 부르고, 하우징(710)의 내부로부터 측벽(714)을 통해 하우징(710)의 외방을 향하는 방향을 기판 세정 장치(700)의 우방이라고 부른다.
하우징(710)의 내부에 있어서는, 중앙부 상방의 위치에 스핀 척(200)이 설치되어 있다. 스핀 척(200)은, 기판(W)을 수평 자세로 유지하고 회전시킨다. 도 1~도 3에서는, 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)이 굵은 이점쇄선으로 표시된다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(200)은 배관을 개재하여 유체 공급계(98)에 접속된다. 유체 공급계(98)는, 배관, 밸브, 유량계, 레귤레이터, 펌프, 온도 조절기 등을 포함하고, 스핀 척(200)의 후술하는 액 공급관(215)(도 8)에 세정액을 공급하는 것이 가능하다.
스핀 척(200)의 하방에는, 스핀 척(200)의 하방의 공간을 둘러싸도록, 가드 기구(300) 및 3개의 수도 기구(350)가 설치되어 있다. 가드 기구(300)는, 가드(310) 및 가드 승강 구동부(320)를 포함한다. 스핀 척(200), 가드 기구(300) 및 3개의 수도 기구(350)의 상세는 후술한다.
가드 기구(300) 및 복수의 수도 기구(350)보다도 좌방에 기판 연마부(400)가 설치되어 있다. 기판 연마부(400)는, 아암(410) 및 아암 지지 기둥(420)을 포함한다. 아암 지지 기둥(420)은, 측벽(713)의 근방에서 상하 방향으로 연장된다. 아암(410)은, 그 일단부가 아암 지지 기둥(420)의 내부에서 승강 가능하고 또한 회전 가능하게 지지된 상태로, 아암 지지 기둥(420)으로부터 수평 방향으로 연장된다.
아암(410)의 타단부에는, 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 하면을 연마하는 연마 헤드(ph)가 장착되어 있다. 연마 헤드(ph)는, 원 기둥 형상을 갖고, 예를 들어 연마 입자가 분산된 PVA(폴리비닐알코올) 스펀지에 의해 형성된다. 아암(410)의 내부에는, 연마 헤드(ph)를 그 축심의 둘레로 회전시키는 구동계(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
연마 헤드(ph)의 근방에 있어서의 아암(410)의 부분에 노즐(410N)이 장착되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 노즐(410N)은 배관을 개재하여 유체 공급계(98)에 접속된다. 유체 공급계(98)는, 노즐(410N)에 세정액을 공급하는 것이 가능하다. 본 실시 형태에서는, 세정액으로서 순수가 이용된다. 노즐(410N)의 토출구는 연마 헤드(ph)의 상단면(연마면) 주변을 향한다.
기판(W)의 하면의 연마가 행해지지 않은 상태로, 아암(410)은, 기판 세정 장치(700)의 전후 방향으로 연장되도록 아암 지지 기둥(420)에 지지된다. 이때, 연마 헤드(ph)는 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 외방에 위치한다. 이와 같이, 아암(410)이 전후 방향으로 연장되는 상태로 연마 헤드(ph)가 배치되는 위치를 헤드 대기 위치(p1)라고 부른다. 도 1에서는 헤드 대기 위치(p1)가 이점쇄선으로 표시된다.
기판(W)의 하면의 연마시에는, 아암(410)이 아암 지지 기둥(420)을 중심으로 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)보다 하방의 높이이고, 도 1에 굵은 화살표 a1로 나타내는 바와 같이, 연마 헤드(ph)가 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 중심에 대향하는 위치와 헤드 대기 위치(p1)의 사이를 이동한다. 또, 연마 헤드(ph)의 상단면(연마면)이 기판(W)의 하면에 접촉하도록, 아암(410)의 높이가 조정된다.
가드 기구(300) 및 복수의 수도 기구(350)보다도 우방에 기판 세정부(500)가 설치되어 있다. 기판 세정부(500)는, 아암(510) 및 아암 지지 기둥(520)을 포함한다. 아암 지지 기둥(520)은, 측벽(713)의 근방에서 상하 방향으로 연장된다. 아암(510)은, 그 일단부가 아암 지지 기둥(520)의 내부에서 승강 가능하고 또한 회전 가능하게 지지된 상태로, 아암 지지 기둥(520)으로부터 수평 방향으로 연장된다.
아암(510)의 타단부에는, 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 하면을 세정하는 세정 브러쉬(cb)가 장착되어 있다. 세정 브러쉬(cb)는, 원 기둥 형상을 갖고, 예를 들어 PVA 스펀지에 의해 형성된다. 아암(510)의 내부에는, 세정 브러쉬(cb)를 그 축심의 둘레로 회전시키는 구동계(후술하는 도 4 참조)가 설치되어 있다. 본 예에서는, 세정 브러쉬(cb)의 외경은 연마 헤드(ph)의 외경과 동일하다. 또한, 세정 브러쉬(cb)의 외경과 연마 헤드(ph)의 외경은 서로 상이한 크기로 설정되어도 된다.
세정 브러쉬(cb)의 근방에 있어서의 아암(510)의 부분에 노즐(510N)이 장착되어 있다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 노즐(510N)은 배관을 개재하여 유체 공급계(98)에 접속된다. 유체 공급계(98)는, 노즐(510N)에 세정액을 공급하는 것이 가능하다. 노즐(510N)의 토출구는 세정 브러쉬(cb)의 상단면(세정면) 주변을 향한다.
기판(W)의 하면의 세정이 행해지지 않은 상태로, 아암(510)은, 기판 세정 장치(700)의 전후 방향으로 연장되도록 아암 지지 기둥(520)에 지지된다. 이때, 세정 브러쉬(cb)는 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 외방에 위치한다. 이와 같이, 아암(510)이 전후 방향으로 연장되는 상태로 세정 브러쉬(cb)가 배치되는 위치를 브러쉬 대기 위치(p2)라고 부른다. 도 1에서는 브러쉬 대기 위치(p2)가 이점쇄선으로 표시된다.
기판(W)의 하면의 세정시에는, 아암(510)이 아암 지지 기둥(520)을 중심으로 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)보다 하방의 높이이고, 도 1에 굵은 화살표 a2로 나타내는 바와 같이, 세정 브러쉬(cb)가 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 중심에 대향하는 위치와 브러쉬 대기 위치(p2)의 사이를 이동한다. 또, 세정 브러쉬(cb)의 상단면(세정면)이 기판(W)의 하면에 접촉하도록, 아암(510)의 높이가 조정된다.
브러쉬 대기 위치(p2)에 배치되는 세정 브러쉬(cb)에 대향하도록, 기판 세정부(500)보다 상방이고 또한 스핀 척(200)보다 우방의 위치에 브러쉬 세정부(600)가 설치되어 있다. 브러쉬 세정부(600)는 배관을 개재하여 유체 공급계(98)에 접속된다. 유체 공급계(98)는, 브러쉬 세정부(600)에 세정액을 공급하는 것이 가능하다. 브러쉬 세정부(600)에 있어서는, 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)가 세정된다. 브러쉬 세정부(600)의 상세는 후술한다.
기판 세정 장치(700)의 저면부(716) 상에는, 스핀 척(200), 가드 기구(300), 복수의 수도 기구(350), 기판 연마부(400), 기판 세정부(500) 및 브러쉬 세정부(600)의 하방에 위치하도록 액 받이 배트(720)가 설치되어 있다. 액 받이 배트(720)는, 하우징(710) 내의 각부로부터 낙하하는 세정액을 받아들인다. 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 액 받이 배트(720)에는 폐액부(721)가 설치되어 있다. 폐액부(721)는, 배관을 개재하여 폐기계(99)에 접속된다.
연마 세정 컨트롤러(780)는, CPU(중앙 연산 처리 장치), ROM(리드 온리 메모리) 및 RAM(랜덤 엑세스 메모리) 등을 포함한다. ROM에는, 제어 프로그램이 기억된다. CPU는 ROM에 기억된 제어 프로그램을 RAM을 이용하여 실행함으로써 기판 세정 장치(700)의 각부의 동작을 제어한다.
(2) 기판 연마부 및 기판 세정부의 상세
도 1~도 3의 기판 연마부(400) 및 기판 세정부(500)는, 아암(410, 510)의 타단부에 설치되는 부재(연마 헤드(ph) 및 세정 브러쉬(cb))가 상이한 점을 제외하고 기본적으로 같은 구성을 갖는다. 그래서, 기판 연마부(400) 및 기판 세정부(500) 중, 대표하여 기판 세정부(500)의 구성을 설명한다.
도 4는, 도 1~도 3의 기판 세정부(500)의 구성을 도시하는 모식적 측면도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 아암(510)은, 일체적으로 접속된 아암 일단부(511), 아암 본체부(512) 및 아암 타단부(513)를 포함한다. 아암 지지 기둥(520)의 내부에는, 아암(510)의 아암 일단부(511)를 승강 가능하게 지지하는 아암 승강 구동부(530)가 설치되어 있다. 또, 아암 지지 기둥(520)의 내부에는, 아암(510) 및 아암 승강 구동부(530)를 아암 지지 기둥(520)의 축심의 둘레로 회전 가능하게 지지하는 아암 회전 구동부(540)가 설치되어 있다.
아암 일단부(511)의 내부에는, 풀리(517) 및 모터(518)가 설치되어 있다. 풀리(517)는, 모터(518)의 회전축에 접속되어 있다. 또, 아암 타단부(513)의 내부에는, 회전 지지축(514) 및 풀리(515)가 설치되어 있다. 세정 브러쉬(cb)는, 회전 지지축(514)의 상단부에 장착되어 있다. 풀리(515)는, 회전 지지축(514)의 하단부에 장착되어 있다. 또한, 아암 본체부(512)의 내부에는, 2개의 풀리(515, 517)를 접속하는 벨트(516)가 설치되어 있다. 도 1의 연마 세정 컨트롤러(780)의 제어에 의거하여 모터(518)가 동작하면, 모터(518)의 회전력이 풀리(517), 벨트(516), 풀리(515) 및 회전 지지축(514)을 통해 세정 브러쉬(cb)에 전달된다. 그것에 의해, 세정 브러쉬(cb)가 회전한다.
아암 승강 구동부(530)는, 연직 방향으로 연장되는 리니어 가드(531), 에어 실린더(532) 및 전공 레귤레이터(533)를 포함한다. 리니어 가드(531)에는, 아암 일단부(511)가 승강 가능하게 장착되어 있다. 이 상태로, 아암 일단부(511)가 에어 실린더(532)에 접속되어 있다.
에어 실린더(532)는, 전공 레귤레이터(533)를 통해 공기가 공급됨으로써 연직 방향으로 신축 가능하게 설치되어 있다. 전공 레귤레이터(533)는, 도 1의 연마 세정 컨트롤러(780)에 의해 제어되는 전기 제어식의 레귤레이터이다. 전공 레귤레이터(533)로부터 에어 실린더(532)에 부여되는 공기의 압력에 따라 에어 실린더(532)의 길이가 변화한다. 그것에 의해, 아암 일단부(511)가 에어 실린더(532)의 길이에 따른 높이로 이동한다.
아암 회전 구동부(540)는, 예를 들어 모터 및 복수의 기어 등을 포함하고, 도 1의 연마 세정 컨트롤러(780)에 의해 제어된다. 아암 지지 기둥(520)에는, 또한 아암(510)의 회전 각도를 검출하기 위한 엔코더(541)가 설치되어 있다. 엔코더(541)는, 세정 브러쉬(cb)가 브러쉬 대기 위치(p2)에 있을 때의 아암(510)이 연장되는 방향을 기준으로서 아암(510)의 회전 각도를 검출하고, 검출 결과를 나타내는 신호를 도 1의 연마 세정 컨트롤러(780)에 부여한다. 그것에 의해, 아암(510)의 회전 각도가 피드백 제어된다.
(3) 브러쉬 세정부의 상세
원 기둥 형상을 갖는 세정 브러쉬(cb)의 상단면으로 기판(W)의 하면을 세정하는 경우, 기판(W)의 하면에 부착되는 오염물은, 주로 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부로 벗겨내진다. 그로 인해, 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부에는, 기판(W)의 하면으로부터 제거된 오염물이 잔류하기 쉽다. 그래서, 브러쉬 세정부(600)에 의해 세정 브러쉬(cb)가 세정된다.
도 5는, 도 1의 브러쉬 세정부(600)의 종단면도이다. 도 5에서는, 브러쉬 세정부(600)의 종단면도와 더불어 도 4의 기판 세정부(500)의 일부의 구성이 도시된다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 브러쉬 세정부(600)는, 지지판(610), 공간 형성 부재(620) 및 세정액 도입관(630)을 포함한다. 지지판(610)에는, 원형의 관통 구멍(611)이 형성되어 있다.
공간 형성 부재(620)는, 원판부(621) 및 원통부(622)를 포함한다. 원판부(621)의 중심부에는, 관통 구멍(621h)이 형성되어 있다. 원판부(621)의 하면 중, 관통 구멍(621h)을 둘러싸는 부분으로부터 하방으로 연장되도록 원통부(622)가 형성되어 있다. 원통부(622)의 내측에 내부 공간(625)이 형성된다. 내부 공간(625)은, 그 하단부에 원형 개구(624)를 갖는다. 원통부(622)는, 원형 개구(624)를 형성하는 원환형상의 하단면(623)을 갖는다. 도 5의 예에서는, 원통부(622)의 하단면(623)은, 원형 개구(624)의 내측 가장자리로부터 비스듬한 하방 또한 외방을 향해 경사진다.
원통부(622)의 내경은 세정 브러쉬(cb)의 외경보다 작게 설정된다. 예를 들어, 세정 브러쉬(cb)의 외경이 20mm인 경우에, 원통부(622)의 내경은 12mm 정도로 설정된다. 또, 원통부(622)의 외경은 세정 브러쉬(cb)의 외경보다 크고 또한 지지판(610)의 관통 구멍(611)의 내경보다 작게 설정된다.
공간 형성 부재(620)의 원통부(622)가 지지판(610)의 관통 구멍(611)에 끼워넣어져, 지지판(610)에 접속된다. 지지판(610) 및 공간 형성 부재(620)는, 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)가 도 1의 브러쉬 대기 위치(p2)에 있는 상태로 원통부(622)의 하단면(623)이 세정 브러쉬(cb)의 상단면에 대향하도록 배치되어 있다.
공간 형성 부재(620)의 원판부(621)에 형성된 관통 구멍(621h)에 세정액 도입관(630)의 일단부가 접속된다. 이 상태로, 세정액 도입관(630)의 내부 공간과, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)이 연통한다. 세정액 도입관(630)의 타단부는, 배관을 개재하여 유체 공급계(98)에 접속된다. 유체 공급계(98)는, 배관 및 세정액 도입관(630)을 통해 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)에 세정액을 공급하는 것이 가능하다.
도 6은, 세정 브러쉬(cb)의 세정 동작을 설명하기 위한 브러쉬 세정부(600)의 종단면도이다. 세정 브러쉬(cb)의 세정 전에는, 미리 세정 브러쉬(cb)가 도 1의 브러쉬 대기 위치(p2)에 배치된다. 이때, 공간 형성 부재(620)의 원통부(622)의 하단면(623)과, 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부가 대향한다.
세정 브러쉬(cb)를 세정할 때에는, 우선, 도 6(a)에 흰색의 화살표로 나타내는 바와 같이, 세정 브러쉬(cb)의 상단면이 공간 형성 부재(620)의 원형 개구(624)를 폐색하고 또한 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부가 원통부(622)의 하단면(623)에 접촉하도록, 세정 브러쉬(cb)가 상방으로 이동되며, 위치 결정된다. 또한, 세정 브러쉬(cb)가 미리 정해진 압력으로 하단면(623)에 압압(押壓)된다. 또한, 미리 정해진 압력은 0이어도 된다.
계속해서, 도 6(b)에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 유체 공급계(98)로부터 배관 및 세정액 도입관(630)을 통해 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)에 세정액(순수)이 공급된다. 또, 도 6(b)에 흰색의 화살표로 나타내는 바와 같이, 세정 브러쉬(cb)가 그 축심의 둘레로 회전한다.
상기와 같이, 세정 브러쉬(cb)는, PVA 스펀지에 의해 형성되므로, 탄력성을 갖는다. 내부 공간(625) 내에 세정액이 공급되면, 내부 공간(625) 내의 세정액은, 공간 형성 부재(620)의 원형 개구(624)로부터 세정 브러쉬(cb)의 상단면과 공간 형성 부재(620)의 하단면(623)의 사이를 통해 공간 형성 부재(620)의 외부로 유출된다. 그것에 의해, 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부에 잔류하는 오염물이, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)으로부터 유출되는 세정액과 더불어 씻어 내어진다. 유출된 세정액은, 오염물과 더불어 도 1의 액 받이 배트(720)에 의해 받아들여지고, 도 2의 폐기계(99)에 보내진다.
그것에 의해, 기판(W)의 하면으로부터 제거된 오염물이 세정 브러쉬(cb)에 재부착되는 것이 방지되고, 세정 후의 세정 브러쉬(cb)의 청정도가 향상한다. 이들의 결과, 기판(W)의 하면에 부착된 오염물을 제거하는 것이 가능함과 더불어, 제거된 오염물의 기판(W)으로의 재부착이 저감된다.
상기의 예에서는, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에, 원통부(622)의 원형 개구(624)가 세정 브러쉬(cb)의 상단면에 의해 폐색된 상태로 세정 브러쉬(cb)가 회전되므로, 세정 브러쉬(cb)의 상단면에 잔류하는 오염물이 공간 형성 부재(620)의 하단면(623)에 의해 마찰되어 떨어진다. 또, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)에 있어서, 세정 브러쉬(cb)의 회전과 더불어 연직축의 둘레로 회전하는 세정액의 흐름이 발생한다. 그로 인해, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)으로부터 유출되는 세정액에 원심력이 작용한다. 그것에 의해, 공간 형성 부재(620)의 하단면(623)에 의해 마찰되어 떨어진 오염물이, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)으로부터 유출되는 세정액에 의해 원활하게 제거된다.
또한, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 세정 브러쉬(cb)를 회전시키지 않아도 된다. 이 경우, 도 4의 기판 세정부(500) 중, 세정 브러쉬(cb)를 회전시키기 위한 아암(510) 내부의 구성이 불필요해진다. 따라서, 기판 세정부(500)의 구성이 단순화한다.
도 5 및 도 6의 예에서는, 원통부(622)의 하단면(623)은, 원형 개구(624)의 내측 가장자리로부터 비스듬한 하방 또한 외방을 향해 경사진다. 이러한 구성에 의해, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에는, 원통부(622)의 하단면(623)의 형상을 따라, 세정액이 원형 개구(624)의 내측 가장자리로부터 비스듬한 하방 또한 외방을 향해 원활하게 흐른다. 그것에 의해, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)으로부터 유출되는 세정액이 넓은 범위에 걸쳐 비산하는 것이 방지된다.
또한, 원통부(622)의 하단면(623)은, 경사지는 일없이 원통부(622)의 축심에 직교하도록 형성되어도 된다. 이 경우, 공간 형성 부재(620)의 제작시에, 원통부(622)의 하단면(623)의 가공이 용이해진다.
세정 브러쉬(cb)의 세정은, 기판(W)의 하면의 연마 개시 시점보다 소정 시간 전(예를 들어 몇 초 전), 기판(W)의 하면의 세정 개시 시점보다 소정 시간 전(예를 들어 몇 초 전) 및 기판(W)의 하면의 세정 종료 시점으로부터 소정 시간 경과 후(예를 들어 몇 초 후) 중 적어도 1개의 타이밍으로 실행되는 것이 바람직하다. 또, 세정 브러쉬(cb)의 세정은, 기판 세정 장치(700)의 가동 중에 미리 정해진 주기(예를 들어 1시간)로 반복 실행되어도 된다.
상기의 구성에 있어서는, 원통부(622)의 하단면(623)은 평활하게 형성된다. 이 경우, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 상단면이 마모되는 것이 억제된다. 그것에 의해, 세정 브러쉬(cb)의 세정에 의한 세정 브러쉬(cb)의 단수명화가 억제된다.
또한, 세정 브러쉬(cb)가 내마모성이 뛰어난 재료로 형성되는 경우에는, 원통부(622)의 하단면(623)에 요철이 형성되어도 된다. 이 경우, 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부가 원통부(622)의 하단면(623)의 요철에 접촉함으로써, 세정 브러쉬(cb)의 상단면에 잔류하는 오염물이 보다 효율적으로 마찰되어 떨어진다.
(4) 스핀 척, 가드 기구 및 복수의 기판 수도 기구의 상세
우선, 도 1의 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 외주 단부의 구조를 설명한다. 도 7은, 기판(W)의 외주 단부의 구조를 도시하는 확대 측면도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 외주 단부(WE)는, 상면측의 베벨(bevel)부(1), 하면측의 베벨부(2) 및 단면(3)을 포함한다. 이하의 설명에 있어서는, 기판(W)의 하면 주연부란, 기판(W)의 베벨부(2)로부터 소정의 폭만큼 내측까지의 영역을 의미하고, 그 폭은 연마 헤드(ph) 및 세정 브러쉬(cb)의 외경보다 작다.
도 8은 도 1의 스핀 척(200) 및 그 주변 부재의 구성을 설명하기 위한 개략 측면도이며, 도 9는 스핀 척(200) 및 그 주변 부재의 구성을 설명하기 위한 개략 평면도이다. 도 8 및 도 9에서는, 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)이 굵은 이점쇄선으로 표시된다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 스핀 척(200)은, 스핀 모터(211), 원판 형상의 스핀 플레이트(213), 플레이트 지지 부재(214), 4개의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)(도 9), 4개의 마그넷 승강 기구(233A, 233B, 234A, 234B)(도 9), 복수의 척 핀(220) 및 복수의 보조 핀(290)을 포함한다.
스핀 모터(211)는, 도 1의 하우징(710) 내부의 중앙보다 약간 상방의 위치에서 도시하지 않은 지지 부재에 의해 지지되어 있다. 스핀 모터(211)는, 하방으로 연장되는 회전축(212)을 갖는다. 회전축(212)의 하단부에 플레이트 지지 부재(214)가 장착되어 있다. 플레이트 지지 부재(214)에 의해 스핀 플레이트(213)가 수평으로 지지되어 있다. 스핀 모터(211)가 동작함으로써 회전축(212)이 회전하고, 스핀 플레이트(213)가 연직축의 둘레로 회전한다.
회전축(212) 및 플레이트 지지 부재(214)에는, 액 공급관(215)이 삽입 통과되어 있다. 액 공급관(215)의 일단은, 플레이트 지지 부재(214)의 하단부보다 하방으로 돌출한다. 액 공급관(215)의 타단은, 배관을 개재하여 유체 공급계(98)에 접속된다. 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 상면 상에, 유체 공급계(98)로부터 액 공급관(215)을 통해 세정액을 토출할 수 있다.
복수의 척 핀(220)이, 회전축(212)에 관하여 등 각도 간격으로 스핀 플레이트(213)의 주연부에 설치된다. 본 예에서는, 8개의 척 핀(220)이, 회전축(212)에 관하여 45도 간격으로 스핀 플레이트(213)의 주연부에 설치된다. 각 척 핀(220)은, 축부(221), 핀 지지부(222), 유지부(223) 및 마그넷(224)을 포함한다.
축부(221)는, 스핀 플레이트(213)를 수직 방향으로 관통하도록 설치된다. 핀 지지부(222)는, 축부(221)의 하단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치된다. 유지부(223)는, 핀 지지부(222)의 선단부로부터 하방으로 돌출하도록 설치된다. 또, 스핀 플레이트(213)의 상면측에 있어서, 축부(221)의 상단부에 마그넷(224)이 장착되어 있다.
각 척 핀(220)은, 축부(221)의 중심을 통과하는 연직축의 둘레로 회전 가능하고, 유지부(223)가 기판(W)의 외주 단부(WE)(도 7)에 접촉하는 닫힘 상태와, 유지부(223)가 기판(W)의 외주 단부(WE)로부터 이격하는 열림 상태로 전환 가능하다. 또한, 본 예에서는, 마그넷(224)의 N극이 내측에 있는 경우에 각 척 핀(220)이 닫힘 상태가 되고, 마그넷(224)의 S극이 내측에 있는 경우에 각 척 핀(220)이 열림 상태가 된다. 또, 닫힘 상태에 있어서는, 유지부(223)는, 기판(W)의 베벨부(1, 2)(도 7)에 접촉한다.
스핀 플레이트(213)의 상방에는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 회전축(212)을 중심으로 하는 둘레 방향을 따라 나열되도록 원호형상의 4개의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)가 배치된다. 4개의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B) 중 마그넷 플레이트(232A)는, 도 1의 기판 연마부(400)의 아암(410)이 회전함으로써 연마 헤드(ph)가 이동하는 경로의 상방에 위치한다. 또, 마그넷 플레이트(232B)는, 도 1의 기판 세정부(500)의 아암(510)이 회전함으로써 세정 브러쉬(cb)가 이동하는 경로의 상방에 위치한다.
마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)의 각각은, 외측에 S극을 갖고, 내측에 N극을 갖는다. 마그넷 승강 기구(233A, 233B, 234A, 234B)는, 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)를 각각 승강시킨다. 이것에 의해, 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)는, 척 핀(220)의 마그넷(224)보다도 높은 상방 위치와 척 핀(220)의 마그넷(224)과 거의 같은 높이의 하방 위치의 사이에서 독립적으로 이동 가능하다.
마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)의 승강에 의해, 각 척 핀(220)이 열림 상태와 닫힘 상태로 전환된다. 구체적으로는, 각 척 핀(220)은, 복수의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B) 중, 가장 근접하는 마그넷 플레이트가 상방 위치에 있는 경우에 열림 상태가 된다. 한편, 각 척 핀(220)은, 가장 근접하는 마그넷 플레이트가 하방 위치에 있는 경우에 닫힘 상태가 된다.
도 8 및 도 9에 도시하는 바와 같이, 복수의 보조 핀(290)이, 회전축(212)에 관하여 등 각도 간격으로 또한 복수의 척 핀(220)과 간섭하지 않도록 스핀 플레이트(213)의 주연부에 설치된다. 본 예에서는, 8개의 보조 핀(290)이, 회전축(212)에 관하여 45도 간격으로 스핀 플레이트(213)의 주연부에 설치된다. 각 보조 핀(290)은, 서로 이웃하는 2개의 척 핀(220)의 중간의 위치에 있어서, 스핀 플레이트(213)를 수직 방향으로 관통하도록 배치된다. 각 척 핀(220)이 닫힘 상태가 되고, 유지부(223)가 기판(W)의 베벨부(1, 2)(도 7)에 접촉하고 있는 상태에 있어서, 각 보조 핀(290)의 일부가 기판(W)의 베벨부(1)에 접촉한다. 이때, 보조 핀(290)의 하단부는, 기판(W)보다 하방으로 돌출하지 않도록 형성되어 있다.
보조 핀(290)은, 기판(W)의 하면의 연마시에, 기판 연마부(400)의 연마 헤드(ph)에 의해 기판(W)의 하면에 더해지는 압압력에 저항하는 반력을 기판(W)에 발생시킨다. 또, 보조 핀(290)은, 기판(W)의 하면의 세정시에, 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)에 의해 기판(W)의 하면에 더해지는 압압력에 저항하는 반력을 기판(W)에 발생시킨다.
상기와 같이, 가드 기구(300)는, 가드(310) 및 가드 승강 구동부(320)를 포함한다. 도 8에서는, 가드(310)가 종단면도에서 도시된다. 가드(310)는, 스핀 척(200)의 회전축(212)에 관하여 회전 대칭인 형상을 갖고, 스핀 척(200) 및 그 하방의 공간보다도 외방에 설치된다. 가드 승강 구동부(320)는, 가드(310)를 승강시킨다. 가드(310)는, 기판(W)의 연마 및 세정시에 기판(W)으로부터 비산하는 세정액을 받아들이고, 도 1의 액 받이 배트(720)로 이끈다.
복수의 수도 기구(350)는, 스핀 척(200)의 회전축(212)을 중심으로서 등 각도 간격으로 가드(310)의 외방에 배치된다. 각 수도 기구(350)는, 승강 회전 구동부(351), 회전축(352), 아암(353) 및 유지 핀(354)을 포함한다.
회전축(352)은, 승강 회전 구동부(351)로부터 상방으로 연장되도록 설치된다. 아암(353)은, 회전축(352)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치된다. 유지 핀(354)은, 기판(W)의 외주 단부(WE)를 유지 가능하게 아암(353)의 선단부에 설치된다. 승강 회전 구동부(351)에 의해, 회전축(352)이 승강 동작 및 회전 동작을 행한다. 그것에 의해, 유지 핀(354)이 수평 방향 및 상하 방향으로 이동한다.
(5) 기판 세정 장치의 제어계
도 10은 도 1의 기판 세정 장치(700)의 제어 계통의 구성을 도시하는 블럭도이다. 도 10에는, 연마 세정 컨트롤러(780)의 기능적인 구성이 도시된다. 연마 세정 컨트롤러(780)는, 스핀 척 제어부(781), 수도 기구 제어부(782), 가드 승강 제어부(783), 기판 연마 제어부(784), 기판 상면용 액 공급 제어부(785), 브러쉬 세정용 액 공급 제어부(786) 및 기판 세정 제어부(790)를 포함한다. 기판 세정 제어부(790)는, 회전 제어부(791), 승강 제어부(792), 아암 제어부(793) 및 기판 하면용 액 공급 제어부(794)를 더 포함한다. 도 10의 연마 세정 컨트롤러(780)의 각부의 기능은, CPU가 제어 프로그램을 실행함으로써 실현된다.
기판 세정 제어부(790)의 회전 제어부(791), 승강 제어부(792), 아암 제어부(793) 및 기판 하면용 액 공급 제어부(794)는, 주로 기판 세정부(500)의 각부의 동작을 제어한다. 보다 구체적으로는, 회전 제어부(791)는, 모터(518)(도 4)를 제어함으로써 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)의 회전 속도를 조정한다. 승강 제어부(792)는, 전공 레귤레이터(533)(도 4)를 제어함으로써 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)의 높이를 조정한다. 아암 제어부(793)는, 기판 세정부(500)의 엔코더(541)(도 4)로부터의 신호에 의거하여 아암 회전 구동부(540)를 제어함으로써 아암(510)의 회전 각도를 피드백 제어한다. 기판 하면용 액 공급 제어부(794)는, 유체 공급계(98)를 제어함으로써, 기판 세정부(500)의 노즐(510N)로부터 기판(W)으로의 세정액의 공급량을 조정한다.
스핀 척 제어부(781)는, 스핀 척(200)의 각부의 동작을 제어한다. 수도 기구 제어부(782)는, 기판 세정 장치(700)에 설치되는 복수의 수도 기구(350)의 동작을 제어한다. 가드 승강 제어부(783)는, 가드 기구(300)의 가드 승강 구동부(320)를 제어함으로써, 가드(310)의 높이를 조정한다. 기판 연마 제어부(784)는, 기판 연마부(400)의 각부의 동작을 제어한다. 상기와 같이 기판 연마부(400)는, 기본적으로 기판 세정부(500)와 같은 구성을 갖는다. 따라서, 기판 연마 제어부(784)도, 기본적으로 상기의 기판 세정 제어부(790)와 같은 구성을 갖는다.
기판 상면용 액 공급 제어부(785)는, 유체 공급계(98)를 제어함으로써, 스핀 척(200)의 액 공급관(215)(도 8)으로부터 기판(W)으로의 세정액의 공급량을 조정한다. 브러쉬 세정용 액 공급 제어부(786)는, 유체 공급계(98)를 제어함으로써, 브러쉬 세정부(600)의 세정액 도입관(630)으로부터 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)으로의 세정액의 공급량을 조정한다.
(6) 기판 세정 장치에 의한 기판의 하면의 연마 및 세정
도 1의 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 예를 들어 기판(W)이 하우징(710) 내에 반입된 후, 기판(W)의 상면의 세정, 기판(W)의 하면의 연마 및 기판(W)의 하면의 세정이 이 순서대로 연속적으로 실행된다. 이때의 기판 세정 장치(700)의 동작에 대해 설명한다.
도 11 및 도 12는, 하우징(710) 내에 기판(W)이 반입될 때의 기판 세정 장치(700)의 동작을 도시하는 측면도이다. 우선, 도 11(a)에 도시하는 바와 같이, 가드(310)가 척 핀(220)보다도 낮은 위치로 이동한다. 그리고, 복수의 수도 기구(350)(도 8)의 유지 핀(354)이 가드(310)의 상방을 지나 스핀 플레이트(213)의 하방으로 이동한다. 복수의 유지 핀(354) 상에 도시하지 않은 반송 기구에 의해 기판(W)이 올려놓여진다.
이때, 모든 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)(도 9)는 상방 위치에 있다. 이 경우, 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)의 자력선(B)는, 척 핀(220)의 마그넷(224)의 높이에 있어서 내측으로부터 외측을 향한다. 그것에 의해, 각 척 핀(220)의 마그넷(224)의 S극이 내측에 흡인된다. 따라서, 각 척 핀(220)은 열림 상태가 된다.
다음에, 도 11(b)에 도시하는 바와 같이, 복수의 유지 핀(354)이 기판(W)을 유지한 상태로 상승한다. 이것에 의해, 기판(W)이, 복수의 척 핀(220)의 유지부(223) 사이에서 이동한다. 또, 기판(W)의 베벨부(1)(도 7)는, 복수의 보조 핀(290)에 접촉한다.
계속해서, 도 12(a)에 도시하는 바와 같이, 모든 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B)(도 9)가 하방 위치로 이동한다. 이 경우, 각 척 핀(220)의 마그넷(224)의 N극이 내측에 흡인되고, 각 척 핀(220)이 닫힘 상태가 된다. 그것에 의해, 기판(W)의 베벨부(1)(도 7)가 복수의 보조 핀(290)에 접촉한 상태로, 각 척 핀(220)의 유지부(223)에 의해 기판(W)의 베벨부(1, 2)(도 7)가 유지된다. 그 후, 복수의 유지 핀(354)이 스핀 척(200)의 외방으로 이동한다.
다음에, 도 12(b)에 도시하는 바와 같이, 가드(310)가 척 핀(220)에 의해 유지되는 기판(W)을 둘러싸는 높이로 이동한다. 이 상태로, 기판(W)의 상면의 세정이 개시된다.
도 13은, 기판(W)의 상면의 세정에 대해 설명하기 위한 측면도이다. 도 13에 도시하는 바와 같이, 기판(W)의 상면을 세정할 때에는, 스핀 척(200)에 의해 기판(W)이 회전하는 상태로, 액 공급관(215)을 통해 기판(W)의 상면에 세정액이 공급된다. 세정액은 원심력에 의해 기판(W)의 상면의 전체에 퍼져, 외방으로 비산한다. 이것에 의해, 기판(W)의 상면에 부착되는 먼지 등이 씻어 내어진다.
도 14는, 기판(W)의 하면의 연마에 대해 설명하기 위한 측면도이다. 기판(W)의 하면을 연마할 때에는, 스핀 척(200)에 의해 기판(W)이 회전하는 상태로, 기판 연마부(400)의 노즐(410N)로부터 세정액이 토출된다. 또, 기판 연마부(400)의 연마 헤드(ph)가 도 1의 헤드 대기 위치(p1)로부터 기판(W)의 하면 중심부에 대향하는 위치까지 이동하고, 상단면이 기판(W)의 하면에 접촉할 때까지 연마 헤드(ph)가 상승한다. 연마 헤드(ph)의 상단면이 기판(W)에 접촉하고 또한 연마 헤드(ph)가 기판(W)의 하면에 미리 정해진 압력으로 압압된다. 이 상태로, 도 14에 굵은 화살표로 나타내는 바와 같이, 연마 헤드(ph)가 기판(W)의 하면 중심부로부터 하면 주연부까지 이동한다. 이때, 연마 헤드(ph)는, 그 축심의 둘레로 회전해도 되고, 회전하지 않아도 된다. 이와 같이 하여, 기판(W)의 하면이 연마 헤드(ph)에 의해 연마된다. 기판(W)의 하면의 연마 후, 연마 헤드(ph)는, 기판(W)보다도 하방의 미리 정해진 높이까지 이동하고, 도 1의 헤드 대기 위치(p1)까지 이동한다.
연마 헤드(ph)에 의해 기판(W)의 하면 주연부가 연마될 때에는, 연마 헤드(ph)와 복수의 척 핀(220)이 간섭할 가능성이 있다. 그래서, 본 예에서는, 연마 헤드(ph)가 기판(W)의 하면 주연부에 도달할 때에, 도 9의 마그넷 승강 기구(234A)에 의해 도 9의 마그넷 플레이트(232A)가 하방 위치로부터 상방 위치로 이동한다. 그것에 의해, 각 척 핀(220)은, 복수의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B) 중 마그넷 플레이트(232A)에 대응하는 영역에서 국부적으로 열림 상태가 된다. 이 경우, 마그넷 플레이트(232A)는 연마 헤드(ph)의 이동 경로의 상방에 위치하므로, 연마 헤드(ph)가 복수의 척 핀(220)에 간섭하는 것이 방지된다.
연마 헤드(ph)에 의한 기판(W)의 하면 주연부의 연마 후, 도 9의 마그넷 플레이트(232A)는 상방 위치로부터 하방 위치로 이동한다. 그것에 의해, 기판(W)이 모든 척 핀(220)에 의해 유지된다.
도 15는, 기판(W)의 하면의 세정에 대해 설명하기 위한 측면도이다. 기판(W)의 하면을 세정할 때에는, 스핀 척(200)에 의해 기판(W)이 회전하는 상태로, 기판 세정부(500)의 노즐(510N)로부터 세정액이 토출된다. 또, 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)가 도 1의 브러쉬 대기 위치(p2)로부터 기판(W)의 하면 중심부에 대향하는 위치까지 이동하고, 상단면이 기판(W)의 하면에 접촉할 때까지 세정 브러쉬(cb)가 상승한다. 세정 브러쉬(cb)의 상단면이 기판(W)에 접촉하고 또한 세정 브러쉬(cb)가 기판(W)의 하면에 미리 정해진 압력으로 압압된다. 이 상태로, 도 15에 굵은 화살표로 나타내는 바와 같이, 세정 브러쉬(cb)가 기판(W)의 하면 중심부로부터 하면 주연부까지 이동한다. 이때, 세정 브러쉬(cb)는, 그 축심의 둘레로 회전해도 되고, 회전하지 않아도 된다. 이와 같이 하여, 기판(W)의 하면이 세정 브러쉬(cb)에 의해 세정된다. 그것에 의해, 기판(W)의 하면의 연마시에 기판(W)으로부터 박리된 오염물이 물리적으로 제거되고, 씻어 내어진다. 기판(W)의 하면의 세정 후, 세정 브러쉬(cb)는, 기판(W)보다 하방의 미리 정해진 높이까지 이동하고, 도 1의 브러쉬 대기 위치(p2)까지 이동한다.
세정 브러쉬(cb)에 의해 기판(W)의 하면 주연부가 세정될 때에는, 세정 브러쉬(cb)와 복수의 척 핀(220)이 간섭할 가능성이 있다. 그래서, 본 예에서는 세정 브러쉬(cb)가 기판(W)의 하면 주연부에 도달할 때에, 도 9의 마그넷 승강 기구(234B)에 의해 도 9의 마그넷 플레이트(232B)가 하방 위치로부터 상방 위치로 이동한다. 그것에 의해, 각 척 핀(220)은, 복수의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A, 232B) 중 마그넷 플레이트(232B)에 대응하는 영역에서 국부적으로 열림 상태가 된다. 이 경우, 마그넷 플레이트(232B)는 세정 브러쉬(cb)의 이동 경로의 상방에 위치하므로, 세정 브러쉬(cb)가 복수의 척 핀(220)에 간섭하는 것이 방지된다.
세정 브러쉬(cb)에 의한 기판(W)의 하면 주연부의 세정 후, 도 9의 마그넷 플레이트(232B)는 상방 위치로부터 하방 위치로 이동한다. 그것에 의해, 기판(W)이 모든 척 핀(220)에 의해 유지된다.
상기와 같이, 기판(W)의 하면 주연부의 연마 및 세정이 행해질 때에는, 어느 한 척 핀(220)이 기판(W)의 외주 단부(WE)로부터 이격한다. 이때, 당해 척 핀(220)의 근방의 기판(W)의 외주 단부(WE)는 척 핀(220)에 의해 유지되어 있지 않다. 이러한 상태에서도, 당해 척 핀(220)에 서로 이웃하는 2개의 보조 핀(290)은 기판(W)의 베벨부(1)에 맞닿고, 연마 헤드(ph) 또는 세정 브러쉬(cb)로부터 기판(W)에 부여되는 압압력에 저항하는 반력을 기판(W)에 발생시킨다. 그로 인해, 기판(W)의 휘어짐이 방지된다.
기판(W)의 상면의 세정 처리, 기판(W)의 하면의 연마 처리 및 기판(W)의 하면의 세정 처리 후에는, 기판(W)의 건조 처리가 행해진다. 이 경우, 모든 척 핀(220)에 의해 기판(W)이 유지된 상태로, 그 기판(W)이 고속으로 회전된다. 그것에 의해, 기판(W)에 부착되는 세정액이 흩뿌려져, 기판(W)이 건조된다.
또한, 기판(W)의 건조 처리시에, 액 공급관(215)을 통해 기판(W)에 불활성 가스(예를 들어 질소 가스) 또는 에어(공기) 등의 기체를 공급해도 된다. 그 경우, 스핀 플레이트(213)와 기판(W)의 사이에 형성되는 기류에 의해 기판(W) 상의 세정액이 외방으로 날려 버려진다. 그것에 의해, 기판(W)을 효율적으로 건조시킬 수 있다.
기판(W)의 건조 처리가 종료함으로써, 상기의 기판(W)의 반입시와는 반대의 순서로 기판(W)이 하우징(710)으로부터 반출된다.
(7) 기판 처리 장치
도 16은, 도 1의 기판 세정 장치(700)를 구비한 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 16 및 후술하는 도 17~도 19에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직 방향에 상당한다.
도 16에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 인덱서 블록(11), 제1 처리 블록(12), 제2 처리 블록(13), 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)을 구비한다. 세정 건조 처리 블록(14A) 및 반입 반출 블록(14B)에 의해, 인터페이스 블록(14)이 구성된다. 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록 노광 장치(15)가 배치된다. 노광 장치(15)에 있어서는, 액침법에 의해 기판(W)에 노광 처리가 행해진다.
인덱서 블록(11)은, 복수의 캐리어 재치부(111) 및 반송부(112)를 포함한다. 각 캐리어 재치부(111)에는, 복수의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(113)가 올려놓여진다.
반송부(112)에는, 메인 컨트롤러(114) 및 반송 장치(115)가 설치된다. 메인 컨트롤러(114)는, 기판 처리 장치(100)의 여러 가지의 구성 요소를 제어한다. 반송 장치(115)는, 기판(W)을 유지하면서 그 기판(W)을 반송한다.
제1 처리 블록(12)은, 도포 처리부(121), 반송부(122) 및 열처리부(123)를 포함한다. 도포 처리부(121) 및 열처리부(123)는, 반송부(122)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(122)와 인덱서 블록(11)의 사이에는, 기판(W)이 올려놓여지는 기판 재치부(PASS1) 및 후술하는 기판 재치부(PASS2~PASS4)(도 19 참조)가 설치된다. 반송부(122)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(127) 및 후술하는 반송 장치(128)(도 19 참조)가 설치된다.
제2 처리 블록(13)은, 도포 현상 처리부(131), 반송부(132) 및 열처리부(133)를 포함한다. 도포 현상 처리부(131) 및 열처리부(133)는, 반송부(132)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(132)와 반송부(122)의 사이에는, 기판(W)이 올려놓여지는 기판 재치부(PASS5) 및 후술하는 기판 재치부(PASS6~PASS8)(도 19 참조)가 설치된다. 반송부(132)에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(137) 및 후술하는 반송 장치(138)(도 19 참조)가 설치된다.
세정 건조 처리 블록(14A)은, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)를 포함한다. 세정 건조 처리부(161, 162)는, 반송부(163)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(163)에는, 반송 장치(141, 142)가 설치된다.
반송부(163)와 반송부(132)의 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1) 및 후술의 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 19 참조)가 설치된다.
또, 반송 장치(141, 142)의 사이에 있어서, 반입 반출 블록(14B)에 인접하도록, 기판 재치부(PASS9) 및 후술의 재치겸 냉각부(P-CP)(도 19 참조)가 설치된다.
반입 반출 블록(14B)에는, 반송 장치(146)가 설치된다. 반송 장치(146)는, 노광 장치(15)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다. 노광 장치(15)에는, 기판(W)을 반입하기 위한 기판 반입부(15a) 및 기판(W)을 반출하기 위한 기판 반출부(15b)가 설치된다.
(8) 도포 처리부 및 도포 현상 처리부의 구성
도 17은, 주로 도 16의 도포 처리부(121), 도포 현상 처리부(131) 및 세정 건조 처리부(161)를 도시하는 기판 처리 장치(100)의 모식적 측면도이다.
도 17에 도시하는 바와 같이, 도포 처리부(121)에는, 도포 처리실(21, 22, 23, 24)이 계층적으로 설치된다. 도포 처리실(21~24)의 각각에는, 도포 처리 유닛(스핀 코터)(129)이 설치된다. 도포 현상 처리부(131)에는, 현상 처리실(31, 33) 및 도포 처리실(32, 34)이 계층적으로 설치된다. 현상 처리실(31, 33)의 각각에는 현상 처리 유닛(스핀 디벨로퍼)(139)이 설치되고, 도포 처리실(32, 34)의 각각에는 도포 처리 유닛(129)이 설치된다.
각 도포 처리 유닛(129)은, 기판(W)을 유지하는 스핀 척(25) 및 스핀 척(25)의 주위를 덮도록 설치되는 컵(27)을 구비한다. 본 실시 형태에서는, 각 도포 처리 유닛(129)에 2쌍의 스핀 척(25) 및 컵(27)이 설치된다. 스핀 척(25)은, 도시하지 않은 구동 장치(예를 들어, 전동 모터)에 의해 회전 구동된다. 또, 도 16에 도시하는 바와 같이, 각 도포 처리 유닛(129)은, 처리액을 토출하는 복수의 처리액 노즐(28) 및 그 처리액 노즐(28)을 반송하는 노즐 반송 기구(29)를 구비한다.
도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척(25)이 회전됨과 더불어, 복수의 처리액 노즐(28) 중 어느 한 처리액 노즐(28)이 노즐 반송 기구(29)에 의해 기판(W)의 상방으로 이동되고, 그 처리액 노즐(28)로부터 처리액이 토출된다. 그것에 의해, 기판(W) 상에 처리액이 도포된다. 또, 도시하지 않은 에지 린스 노즐로부터, 기판(W)의 주연부에 린스액이 토출된다. 그것에 의해, 기판(W)의 주연부에 부착되는 처리액이 제거된다.
도포 처리실(22, 24)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 반사 방지막용의 처리액이 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)에 공급된다. 도포 처리실(21, 23)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 레지스트막용의 처리액이 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)에 공급된다. 도포 처리실(32, 34)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 레지스트 커버막용의 처리액이 처리액 노즐(28)로부터 기판(W)에 공급된다.
현상 처리 유닛(139)은, 도포 처리 유닛(129)과 마찬가지로, 스핀 척(35) 및 컵(37)을 구비한다. 또, 도 16에 도시하는 바와 같이, 현상 처리 유닛(139)은, 현상액을 토출하는 2개의 현상 노즐(38) 및 그 현상 노즐(38)을 X방향으로 이동시키는 이동 기구(39)를 구비한다.
현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 도시하지 않은 구동 장치에 의해 스핀 척(35)이 회전됨과 더불어, 한쪽의 현상 노즐(38)이 X방향으로 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급하고, 그 후, 다른쪽의 현상 노즐(38)이 이동하면서 각 기판(W)에 현상액을 공급한다. 이 경우, 기판(W)에 현상액이 공급됨으로써, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 또, 본 실시 형태에 있어서는, 2개의 현상 노즐(38)로부터 서로 상이한 현상액이 토출된다. 그것에 의해, 각 기판(W)에 2종류의 현상액을 공급할 수 있다.
세정 건조 처리부(161)에는, 세정 건조 처리실(81, 82, 83, 84)이 계층적으로 설치된다. 세정 건조 처리실(81~84)의 각각에, 도 1의 기판 세정 장치(700)가 설치된다. 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 노광 처리 전의 기판(W)의 상면 세정 처리, 하면 연마 처리, 하면 세정 처리 및 건조 처리가 행해짐과 더불어, 세정 브러쉬(cb)의 세정 처리가 행해진다.
여기서, 세정 건조 처리부(161)에 설치되는 복수의 기판 세정 장치(700)의 연마 세정 컨트롤러(780)는, 세정 건조 처리부(161)의 상부에 로컬 컨트롤러로서 설치되어도 된다. 혹은, 도 16의 메인 컨트롤러(114)가, 복수의 기판 세정 장치(700)의 연마 세정 컨트롤러(780)에 의해 실행되는 각종 처리를 실행해도 된다.
도 16 및 도 17에 도시하는 바와 같이, 도포 처리부(121)에 있어서 도포 현상 처리부(131)에 인접하도록 유체 박스부(50)가 설치된다. 마찬가지로, 도포 현상 처리부(131)에 있어서 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하도록 유체 박스부(60)가 설치된다. 유체 박스부(50) 및 유체 박스부(60) 내에는, 도포 처리 유닛(129) 및 현상 처리 유닛(139)으로의 처리액 및 현상액의 공급 및 도포 처리 유닛(129) 및 현상 처리 유닛(139)으로부터의 배액 및 배기 등에 관한 유체 관련 기기가 수납된다. 유체 관련 기기는, 도관, 이음매, 밸브, 유량계, 레귤레이터, 펌프, 온도 조절기 등을 포함한다.
(9) 열처리부의 구성
도 18은, 주로 도 16의 열처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)를 도시하는 기판 처리 장치(100)의 모식적 측면도이다. 도 18에 도시하는 바와 같이, 열처리부(123)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(301) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(302)를 갖는다. 상단 열처리부(301) 및 하단 열처리부(302)에는, 복수의 열처리 장치(PHP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(PAHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)이 설치된다.
열처리 장치(PHP)에 있어서는, 기판(W)의 가열 처리가 행해진다. 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서는, 기판(W)과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 행해진다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 HMDS(헥사메틸디실라잔) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 더불어, 기판(W)에 가열 처리가 행해진다. 냉각 유닛(CP)에 있어서는, 기판(W)의 냉각 처리가 행해진다.
열처리부(133)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(303) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(304)를 갖는다. 상단 열처리부(303) 및 하단 열처리부(304)에는, 냉각 유닛(CP), 복수의 열처리 장치(PHP) 및 에지 노광부(EEW)가 설치된다.
에지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W) 상에 형성된 레지스트막의 주연부의 일정폭의 영역에 노광 처리(에지 노광 처리)가 행해진다. 상단 열처리부(303) 및 하단 열처리부(304)에 있어서, 세정 건조 처리 블록(14A)에 서로 이웃하도록 설치되는 열처리 장치(PHP)는, 세정 건조 처리 블록(14A)으로부터의 기판(W)의 반입이 가능하게 구성된다.
세정 건조 처리부(162)에는, 세정 건조 처리실(91, 92, 93, 94, 95)이 계층적으로 설치된다. 세정 건조 처리실(91~95)의 각각에는, 세정 건조 처리 유닛(SD2)이 설치된다. 세정 건조 처리 유닛(SD2)은, 기판 연마부(400)가 설치되지 않는 점 및 도 9의 마그넷 플레이트(231A, 231B, 232A)가 일체적으로 설치되는 점을 제외하고 기판 세정 장치(700)와 같은 구성을 갖는다. 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 있어서는, 노광 처리 후의 기판(W)의 상면 세정 처리, 하면 세정 처리 및 건조 처리가 행해짐과 더불어, 세정 브러쉬(cb)의 세정 처리가 행해진다.
(10) 반송부의 구성
도 19는, 주로 도 16의 반송부(122, 132, 163)를 도시하는 측면도이다. 도 19에 도시하는 바와 같이, 반송부(122)는, 상단 반송실(125) 및 하단 반송실(126)을 갖는다. 반송부(132)는, 상단 반송실(135) 및 하단 반송실(136)을 갖는다. 상단 반송실(125)에는 반송 장치(반송 로봇)(127)가 설치되고, 하단 반송실(126)에는 반송 장치(128)가 설치된다. 또, 상단 반송실(135)에는 반송 장치(137)가 설치되고, 하단 반송실(136)에는 반송 장치(138)가 설치된다.
반송부(112)와 상단 반송실(125)의 사이에는, 기판 재치부(PASS1, PASS2)가 설치되고, 반송부(112)와 하단 반송실(126)의 사이에는, 기판 재치부(PASS3, PASS4)가 설치된다. 상단 반송실(125)과 상단 반송실(135)의 사이에는, 기판 재치부(PASS5, PASS6)가 설치되고, 하단 반송실(126)과 하단 반송실(136)의 사이에는, 기판 재치부(PASS7, PASS8)가 설치된다.
상단 반송실(135)과 반송부(163)의 사이에는, 재치겸 버퍼부(P-BF1)가 설치되고, 하단 반송실(136)과 반송부(163)의 사이에는 재치겸 버퍼부(P-BF2)가 설치된다. 반송부(163)에 있어서 반입 반출 블록(14B)과 인접하도록, 기판 재치부(PASS9) 및 복수의 재치겸 냉각부(P-CP)가 설치된다.
반송 장치(127)는, 기판 재치부(PASS1, PASS2, PASS5, PASS6), 도포 처리실(21, 22)(도 17) 및 상단 열처리부(301)(도 18)의 사이에서 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다. 반송 장치(128)는, 기판 재치부(PASS3, PASS4, PASS7, PASS8), 도포 처리실(23, 24)(도 17) 및 하단 열처리부(302)(도 18)의 사이에서 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다.
반송 장치(137)는, 기판 재치부(PASS5, PASS6), 재치겸 버퍼부(P-BF1), 현상 처리실(31)(도 17), 도포 처리실(32)(도 17) 및 상단 열처리부(303)(도 18)의 사이에서 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다. 반송 장치(138)는, 기판 재치부(PASS7, PASS8), 재치겸 버퍼부(P-BF2), 현상 처리실(33)(도 17), 도포 처리실(34)(도 17) 및 하단 열처리부(304)(도 18)의 사이에서 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다.
반송부(163)의 반송 장치(141)(도 16)는, 재치겸 냉각부(P-CP), 기판 재치부(PASS9), 재치겸 버퍼부(P-BF1, P－BF2) 및 세정 건조 처리부(161)(도 17)의 사이에서 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다.
반송부(163)의 반송 장치(142)(도 16)는, 재치겸 냉각부(P-CP), 기판 재치부(PASS9), 재치겸 버퍼부(P-BF1, P－BF2), 세정 건조 처리부(162)(도 18), 상단 열처리부(303)(도 18) 및 하단 열처리부(304)(도 18)의 사이에서 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다.
(11) 기판 처리 장치의 동작
도 16~도 19를 참조하면서 기판 처리 장치(100)의 동작을 설명한다. 인덱서 블록(11)의 캐리어 재치부(111)(도 16)에, 미처리의 기판(W)이 수용된 캐리어(113)가 올려놓여진다. 반송 장치(115)는, 캐리어(113)로부터 기판 재치부(PASS1, PASS3)(도 19)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 또, 반송 장치(115)는, 기판 재치부(PASS2, PASS4)(도 19)에 올려놓여진 처리 완료된 기판(W)을 캐리어(113)에 반송한다.
제1 처리 블록(12)에 있어서, 반송 장치(127)(도 19)는, 기판 재치부(PASS1)에 올려놓여진 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 18), 냉각 유닛(CP)(도 18) 및 도포 처리실(22)(도 17)의 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 장치(127)는, 도포 처리실(22)에 의해 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 열처리 장치(PHP)(도 18), 냉각 유닛(CP)(도 18) 및 도포 처리실(21)(도 17)의 순서대로 반송한다. 계속해서, 반송 장치(127)는, 도포 처리실(21)에 의해 레지스트막이 형성된 기판(W)을, 열처리 장치(PHP)(도 18) 및 기판 재치부(PASS5)(도 19)의 순서대로 반송한다.
이 경우, 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)에 있어서, 기판(W)에 밀착 강화 처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(22)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 17)에 의해 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 계속해서, 열처리 장치(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해진 후, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 레지스트막의 형성에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 다음에, 도포 처리실(21)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 17)에 의해, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 열처리 장치(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS5)에 올려놓여진다.
또, 반송 장치(127)는, 기판 재치부(PASS6)(도 19)에 올려놓여진 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS2)(도 19)에 반송한다.
반송 장치(128)(도 19)는, 기판 재치부(PASS3)에 올려놓여진 기판(W)을 밀착 강화 처리 유닛(PAHP)(도 18), 냉각 유닛(CP)(도 18) 및 도포 처리실(24)(도 17)의 순서대로 반송한다. 다음에, 반송 장치(128)는, 도포 처리실(24)에 의해 반사 방지막이 형성된 기판(W)을 열처리 장치(PHP)(도 18), 냉각 유닛(CP)(도 18) 및 도포 처리실(23)(도 17)의 순서대로 반송한다. 계속해서, 반송 장치(128)는, 도포 처리실(23)에 의해 레지스트막이 형성된 기판(W)을 열처리 장치(PHP)(도 18) 및 기판 재치부(PASS7)(도 19)의 순서대로 반송한다.
또, 반송 장치(128)(도 19)는, 기판 재치부(PASS8)(도 19)에 올려놓여진 현상 처리 후의 기판(W)을 기판 재치부(PASS4)(도 19)에 반송한다. 도포 처리실(23, 24)(도 17) 및 하단 열처리부(302)(도 18)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 도포 처리실(21, 22)(도 17) 및 상단 열처리부(301)(도 18)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 같다.
제2 처리 블록(13)에 있어서, 반송 장치(137)(도 19)는, 기판 재치부(PASS5)에 올려놓여진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 도포 처리실(32)(도 17), 열처리 장치(PHP)(도 18), 에지 노광부(EEW)(도 18) 및 재치겸 버퍼부(P-BF1)(도 19)의 순서대로 반송한다. 이 경우, 도포 처리실(32)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)(도 17)에 의해, 기판(W) 상에 레지스트 커버막이 형성된다. 그 후, 열처리 장치(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 에지 노광부(EEW)에 반입된다. 계속해서, 에지 노광부(EEW)에 있어서, 기판(W)에 에지 노광 처리가 행해진다. 에지 노광 처리 후의 기판(W)이 재치겸 버퍼부(P-BF1)에 올려놓여진다.
또, 반송 장치(137)(도 19)는, 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하는 열처리 장치(PHP)(도 18)로부터 노광 장치(15)에 의한 노광 처리 후이고 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 장치(137)는, 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 18), 현상 처리실(31)(도 17), 열처리 장치(PHP)(도 18) 및 기판 재치부(PASS6)(도 19)의 순서대로 반송한다.
이 경우, 냉각 유닛(CP)에 있어서, 현상 처리에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된 후, 현상 처리실(31)에 있어서, 현상 처리 유닛(139)에 의해 레지스트 커버막이 제거됨과 더불어 기판(W)의 현상 처리가 행해진다. 그 후, 열처리 장치(PHP)에 있어서, 기판(W)의 열처리가 행해지고, 그 기판(W)이 기판 재치부(PASS6)에 올려놓여진다.
반송 장치(138)(도 19)는, 기판 재치부(PASS7)에 올려놓여진 레지스트막 형성 후의 기판(W)을 도포 처리실(34)(도 17), 열처리 장치(PHP)(도 18), 에지 노광부(EEW)(도 18) 및 재치겸 버퍼부(P-BF2)(도 19)의 순서대로 반송한다.
또, 반송 장치(138)(도 19)는, 세정 건조 처리 블록(14A)에 인접하는 열처리 장치(PHP)(도 18)로부터 노광 장치(15)에 의한 노광 처리 후이고 또한 열처리 후의 기판(W)을 취출한다. 반송 장치(138)는, 그 기판(W)을 냉각 유닛(CP)(도 18), 현상 처리실(33)(도 17), 열처리 장치(PHP)(도 18) 및 기판 재치부(PASS8)(도 19)의 순서대로 반송한다. 현상 처리실(33), 도포 처리실(34) 및 하단 열처리부(304)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용은, 상기의 현상 처리실(31), 도포 처리실(32)(도 17) 및 상단 열처리부(303)(도 18)에 있어서의 기판(W)의 처리 내용과 같다.
세정 건조 처리 블록(14A)에 있어서, 반송 장치(141)(도 16)는, 재치겸 버퍼부(P-BF1, P－BF2)(도 19)에 올려놓여진 기판(W)을 세정 건조 처리부(161)의 기판 세정 장치(700)(도 17)에 반송한다. 계속해서, 반송 장치(141)는, 기판(W)을 기판 세정 장치(700)로부터 재치겸 냉각부(P-CP)(도 19)에 반송한다. 이 경우, 기판 세정 장치(700)에 있어서, 기판(W)의 세정 및 건조 처리가 행해진 후, 재치겸 냉각부(P-CP)에 있어서, 노광 장치(15)(도 16)에 있어서의 노광 처리에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다.
반송 장치(142)(도 16)는, 기판 재치부(PASS9)(도 19)에 올려놓여진 노광 처리 후의 기판(W)을 세정 건조 처리부(162)의 세정 건조 처리 유닛(SD2)(도 18)에 반송한다. 또, 반송 장치(142)는, 세정 및 건조 처리 후의 기판(W)을 세정 건조 처리 유닛(SD2)으로부터 상단 열처리부(303)의 열처리 장치(PHP)(도 18) 또는 하단 열처리부(304)의 열처리 장치(PHP)(도 18)에 반송한다. 이 열처리 장치(PHP)에 있어서는, 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다.
반입 반출 블록(14B)에 있어서, 반송 장치(146)(도 16)는, 재치겸 냉각부(P-CP)(도 19)에 올려놓여진 노광 처리 전의 기판(W)을 노광 장치(15)의 기판 반입부(15a)(도 16)에 반송한다. 또, 반송 장치(146)(도 16)는, 노광 장치(15)의 기판 반출부(15b)(도 16)로부터 노광 처리 후의 기판(W)을 취출하고, 그 기판(W)을 기판 재치부(PASS9)(도 19)에 반송한다.
또한, 노광 장치(15)가 기판(W)을 받아들일 수 없는 경우, 노광 처리 전의 기판(W)이 재치겸 버퍼부(P-BF1, P－BF2)에 일시적으로 수용된다. 또, 제2 처리 블록(13)의 현상 처리 유닛(139)(도 17)이 노광 처리 후의 기판(W)을 받아들일 수 없는 경우, 노광 처리 후의 기판(W)이 재치겸 버퍼부(P-BF1, P－BF2)에 일시적으로 수용된다.
상기의 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 상단에 설치된 도포 처리실(21, 22, 32), 현상 처리실(31) 및 상단 열처리부(301, 303)에 있어서의 기판(W)의 처리와, 하단에 설치된 도포 처리실(23, 24, 34), 현상 처리실(33) 및 하단 열처리부(302, 304)에 있어서의 기판(W)의 처리를 병행하여 행할 수 있다. 그것에 의해, 풋프린트를 증가시키는 일 없이, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
여기서, 기판(W)의 주면이란, 반사 방지막, 레지스트막 및 레지스트 커버막이 형성되는 면을 말하고, 기판(W)의 이면이란, 그 반대측의 면을 말한다. 본 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(100)의 내부에서는, 기판(W)의 주면이 상방을 향한 상태로, 기판(W)에 상기의 각종 처리가 행해진다. 즉, 기판(W)의 상면에 각종 처리가 행해진다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 기판(W)의 주면이 본 발명의 기판의 상면에 상당하고, 기판(W)의 이면이 본 발명의 기판의 하면에 상당한다.
(12) 효과
(a) 상기의 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 브러쉬 세정부(600)에 의해 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)가 세정된다. 세정 브러쉬(cb)의 세정시에는, 공간 형성 부재(620)의 원형 개구(624)가 세정 브러쉬(cb)의 상단면에 의해 폐색된 상태로, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)에 세정액이 공급된다. 공급된 세정액은, 원형 개구(624)로부터 세정 브러쉬(cb)의 상단면과 공간 형성 부재(620)의 하단면(623)의 사이를 통해 공간 형성 부재(620)의 외부로 유출된다. 그것에 의해, 세정 브러쉬(cb)의 상단면의 외주 단부에 잔류하는 오염물이, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)으로부터 유출되는 세정액과 더불어 씻어 내어진다. 그 결과, 기판(W)의 하면에 부착된 오염물을 제거하는 것이 가능함과 더불어, 제거된 오염물의 기판(W)으로의 재부착이 저감된다.
(b) 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 아암(510), 아암 승강 구동부(530) 및 아암 회전 구동부(540)에 의해 세정 브러쉬(cb)가 하우징(710) 내에서 이동한다. 그것에 의해, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 상단면이 공간 형성 부재(620)의 원형 개구(624)를 폐색하도록 세정 브러쉬(cb)가 적절히 위치 결정된다. 또, 기판(W)의 하면의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 상단면이 기판(W)의 하면에 접촉하도록 세정 브러쉬(cb)가 적절히 위치 결정된다.
상기의 구성에 의하면, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 있어서의 세정 브러쉬(cb)의 위치 결정 동작을 행하기 위한 구성과 기판(W)의 하면의 세정시에 있어서의 세정 브러쉬(cb)의 위치 결정 동작을 행하기 위한 구성을 개별적으로 설치할 필요가 없다. 따라서, 기판 세정 장치(700)의 부품점수의 증가 및 대형화를 억제할 수 있다.
(c) 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 기판 연마부(400)에 의해 기판(W)의 하면이 연마된다. 그것에 의해, 기판(W)의 하면에 강고하게 부착되는 오염물이 제거된다. 그 후, 기판 세정부(500)에 의해 기판(W)의 하면이 세정된다. 그것에 의해, 기판(W)의 하면의 연마에 의해 발생하는 오염물이 제거된다. 따라서, 기판(W)의 하면의 청정도를 보다 향상시킬 수 있다.
(d) 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 노광 처리 전의 기판(W)의 하면이 기판 세정 장치(700)에 의해 연마되고, 세정된다. 그것에 의해, 노광 처리시의 기판(W)의 하면의 청정도가 향상한다. 그 결과, 기판(W)의 하면의 오염에 기인하는 기판(W)의 처리 불량의 발생이 억제된다.
(13) 다른 실시 형태
(a) 상기 실시 형태에서는, 기판 세정 장치(700)의 스핀 척(200)에 복수의 보조 핀(290)이 설치되는데, 복수의 보조 핀(290)은 설치되지 않아도 된다. 이 경우, 스핀 척(200)의 부품점수가 저감됨과 더불어 스핀 척(200)의 구성이 단순화된다. 또, 도 9의 마그넷 플레이트(232A)에 대응하는 영역에서 각 척 핀(220)을 국부적으로 열림 상태로 함으로써, 연마 헤드(ph)가 다른 부재와 간섭하지 않는 상태로 연마 헤드(ph)를 기판(W)의 외주 단부(WE)에 접촉시킬 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 외주 단부(WE)(도 7)의 연마가 가능하게 된다. 또한, 도 9의 마그넷 플레이트(232B)에 대응하는 영역에서 각 척 핀(220)을 국부적으로 열림 상태로 함으로써, 세정 브러쉬(cb)가 다른 부재와 간섭하지 않는 상태로 세정 브러쉬(cb)를 기판(W)의 외주 단부(WE)에 접촉시킬 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)의 외주 단부(WE)(도 7)의 세정이 가능하게 된다.
(b) 상기 실시 형태에서는, 기판 세정 장치(700)에는, 기판(W)의 하면을 연마하는 기판 연마부(400)와 기판(W)의 하면을 세정하는 기판 세정부(500)가 설치되는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 세정 장치(700)에는, 세정 건조 처리 유닛(SD2)과 마찬가지로 기판 연마부(400)가 설치되지 않아도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치(700)의 구성이 단순화한다.
혹은, 기판 세정 장치(700)에는, 기판 연마부(400)를 대신하여 새로운 기판 세정부(500)가 설치되어도 된다. 즉, 기판 세정 장치(700)에는, 2개의 기판 세정부(500)가 설치되어도 된다. 이 경우, 2개의 기판 세정부(500)의 각 세정 브러쉬(cb)로부터 기판(W)에 작용하는 압압력 및 기판(W)의 하면 상에서의 각 세정 브러쉬(cb)의 이동 속도 등을 조정함으로써, 기판(W)의 하면을 2종류의 세정 조건에서 세정하는 것이 가능하게 된다. 그것에 의해, 처리 대상이 되는 기판(W)에 따른 세정이 가능하게 된다.
상기와 같이, 기판 세정 장치(700)에 복수의 기판 세정부(500)를 설치하는 경우에는, 복수의 기판 세정부(500)에 각각 대응하는 복수의 브러쉬 세정부(600)를 설치함으로써, 각 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)를 청정하게 유지할 수 있다. 또한, 복수의 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)의 이동 가능한 범위를 각각 확대함으로써, 복수의 기판 세정부(500)의 세정 브러쉬(cb)에 관하여 공통으로 사용 가능한 1개의 브러쉬 세정부(600)가 설치되어도 된다.
(c) 상기 실시 형태에서는, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 세정 브러쉬(cb)에 공급되는 세정액으로서 순수가 이용되는데, 순수를 대신하여 BHF(버퍼드불산), DHF(희불산), 불산, 염산, 황산, 질산, 인산, 아세트산, 옥살산 또는 암모니아 등의 약액이 세정액으로서 이용되어도 된다. 보다 구체적으로는, 암모니아수와 과산화수소수의 혼합 용액이 세정액으로서 이용되어도 되고, TMAH(수산화테트라메틸암모늄) 등의 알칼리성 용액이 세정액으로서 이용되어도 된다.
(d) 상기 실시 형태에서는, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에, 세정 브러쉬(cb)가 아암(510), 아암 승강 구동부(530) 및 아암 회전 구동부(540)에 의해 하우징(710) 내를 이동한다. 그것에 의해, 세정 브러쉬(cb)가 공간 형성 부재(620)에 대해 상대적으로 이동하고, 세정 브러쉬(cb)가 적절히 위치 결정되는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
세정 브러쉬(cb)를 이동시킴으로써 세정 브러쉬(cb)가 원형 개구(624)를 폐색하는 폐색 상태와 세정 브러쉬(cb)가 원형 개구(624)를 개방하는 개방 상태를 전환하는 대신에, 공간 형성 부재(620)를 이동시킴으로써 원형 개구(624)의 폐색 상태와 개방 상태를 전환해도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치(700)에는, 상기의 구성에 더해 공간 형성 부재(620)를 이동시키는 이동 기구를 설치할 필요가 있다.
(e) 상기의 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 아암(510), 아암 승강 구동부(530) 및 아암 회전 구동부(540)가, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 위치 결정 동작을 행함과 더불어 기판(W)의 하면의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 위치 결정 동작을 행하는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 세정 브러쉬(cb)의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 위치 결정 동작을 행하는 구성과, 기판(W)의 하면의 세정시에 세정 브러쉬(cb)의 위치 결정 동작을 행하는 구성이 개별적으로 설치되어도 된다.
(f) 상기 실시 형태에서는, 액침법에 의해 기판(W)의 노광 처리를 행하는 노광 장치(15)가 기판 처리 장치(100)의 외부 장치로서 설치되는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 액체를 이용하지 않고 기판(W)의 노광 처리를 행하는 노광 장치가 기판 처리 장치(100)의 외부 장치로서 설치되어도 된다. 이 경우, 도포 처리실(32, 34)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서, 기판(W) 상에 레지스트 커버막이 형성되지 않아도 된다. 그로 인해, 도포 처리실(32, 34)을 현상 처리실로서 이용할 수 있다.
(g) 상기 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)에 대해 레지스트막의 도포 형성 처리 및 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치(이른바 코터/디벨로퍼)인데, 기판 세정 장치(700)가 설치되는 기판 처리 장치는 상기의 예에 한정되지 않는다. 기판(W)에 세정 처리 등의 단일의 처리를 행하는 기판 처리 장치에 본 발명이 적용되어도 된다. 예를 들어, 본 발명에 따르는 기판 처리 장치는, 반송 장치 및 기판 재치부 등을 포함하는 인덱서 블록과 1개 또는 복수의 기판 세정 장치(700)로 구성되어도 된다.
(h) 상기의 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 기판 연마부(400)의 연마 헤드(ph)는 세정되지 않는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 세정 장치(700)에 있어서는, 헤드 대기 위치(p1)에 있는 연마 헤드(ph)에 대향하도록, 기판 연마부(400)보다 상방의 위치에 브러쉬 세정부(600)와 같은 구성이 설치되어도 된다. 그것에 의해, 연마 헤드(ph)에 대해서도, 세정 브러쉬(cb)와 마찬가지로, 기판(W)의 하면의 연마 전 및 연마 후 등의 타이밍으로 연마 헤드(ph)의 상단면의 세정 처리가 행해져도 된다.
(14) 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각부의 대응 관계
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 구성 요소의 대응의 예에 대해 설명하는데, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시 형태에 있어서는, 기판(W)이 기판의 예이고, 기판 세정 장치(700) 및 세정 건조 처리 유닛(SD2)이 기판 세정 장치의 예이며, 스핀 척(200)이 회전 유지부의 예이고, 세정 브러쉬(cb)가 세정구의 예이며, 기판 세정부(500)가 하면 세정부의 예이고, 브러쉬 세정부(600)가 세정구 세정부의 예이다.
또, 공간 형성 부재(620)가 공간 형성 부재의 예이고, 공간 형성 부재(620)의 하단면(623)이 하단면의 예이며, 공간 형성 부재(620)의 원형 개구(624)가 원형 개구의 예이고, 공간 형성 부재(620)의 내부 공간(625)이 내부 공간의 예이며, 세정액 도입관(630) 및 유체 공급계(98)가 세정액 공급계의 예이다.
또, 아암(510) 내의 회전 지지축(514), 풀리(515, 517), 벨트(516) 및 모터(518)가 세정구 회전부의 예이고, 아암(510), 아암 승강 구동부(530) 및 아암 회전 구동부(540)가 상대적 이동부의 예이며, 브러쉬 대기 위치(p2)가 대기 위치의 예이고, 세정 브러쉬(cb)가 스핀 척(200)에 의해 유지되는 기판(W)의 하면에 대향하는 위치가 세정 위치의 예이다.
또, 연마 헤드(ph)가 연마구의 예이고, 기판 연마부(400)가 하면 연마부의 예이며, 노광 장치(15)가 노광 장치의 예이고, 기판 처리 장치(100)가 기판 처리 장치의 예이며, 기판(W)에 레지스트막용의 처리액을 공급하는 도포 처리 유닛(129)이 도포 장치의 예이고, 반송 장치(115, 127, 128, 137, 138, 141, 142, 146)가 반송 장치의 예이다.
청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 구성 요소를 이용할 수도 있다.
［산업상의 이용 가능성］
본 발명은, 기판의 하면을 세정하는 세정 장치에 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평 자세로 유지하고 회전시키는 회전 유지부와,
    원형의 상단면을 갖는 세정구를 포함하고, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 상기 세정구의 상기 상단면을 접촉시킴으로써 기판의 하면을 세정하는 하면 세정부와,
    상기 세정구를 세정하는 세정구 세정부를 구비하며,
    상기 세정구 세정부는,
    하단면을 갖고 또한 상기 하단면에 원형 개구를 갖는 내부 공간을 형성하는 공간 형성 부재와,
    상기 공간 형성 부재의 상기 원형 개구가 상기 세정구의 상기 상단면에 의해 폐색된 상태로 상기 공간 형성 부재의 상기 내부 공간에 세정액을 공급함으로써, 상기 내부 공간으로부터 상기 원형 개구 및 상기 세정구의 상기 상단면과 상기 공간 형성 부재의 상기 하단면의 사이를 통해 세정액을 유출시키는 세정액 공급계를 포함하고,
    상기 공간 형성 부재의 상기 하단면은, 상기 원형 개구의 내측 가장자리로부터 비스듬한 하방 그리고 외방을 향해 경사지는, 기판 세정 장치.
  2. 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평 자세로 유지하고 회전시키는 회전 유지부와,
    원형의 상단면을 갖는 세정구를 포함하고, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 상기 세정구의 상기 상단면을 접촉시킴으로써 기판의 하면을 세정하는 하면 세정부와,
    상기 세정구를 세정하는 세정구 세정부를 구비하며,
    상기 세정구 세정부는,
    하단면을 갖고 또한 상기 하단면에 원형 개구를 갖는 내부 공간을 형성하는 공간 형성 부재와,
    상기 공간 형성 부재의 상기 원형 개구가 상기 세정구의 상기 상단면에 의해 폐색된 상태로 상기 공간 형성 부재의 상기 내부 공간에 세정액을 공급함으로써, 상기 내부 공간으로부터 상기 원형 개구 및 상기 세정구의 상기 상단면과 상기 공간 형성 부재의 상기 하단면의 사이를 통해 세정액을 유출시키는 세정액 공급계를 포함하고,
    상기 기판 세정 장치는,
    상기 공간 형성 부재의 상기 원형 개구가 상기 세정구의 상기 상단면에 의해 폐색된 상태로, 상기 상단면을 지나는 연직축의 둘레로 상기 세정구를 상기 공간 형성 부재에 대해 상대적으로 회전시키는 세정구 회전부를 더 구비하는, 기판 세정 장치.
  3. 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평 자세로 유지하고 회전시키는 회전 유지부와,
    원형의 상단면을 갖는 세정구를 포함하고, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 상기 세정구의 상기 상단면을 접촉시킴으로써 기판의 하면을 세정하는 하면 세정부와,
    상기 세정구를 세정하는 세정구 세정부를 구비하며,
    상기 세정구 세정부는,
    하단면을 갖고 또한 상기 하단면에 원형 개구를 갖는 내부 공간을 형성하는 공간 형성 부재와,
    상기 공간 형성 부재의 상기 원형 개구가 상기 세정구의 상기 상단면에 의해 폐색된 상태로 상기 공간 형성 부재의 상기 내부 공간에 세정액을 공급함으로써, 상기 내부 공간으로부터 상기 원형 개구 및 상기 세정구의 상기 상단면과 상기 공간 형성 부재의 상기 하단면의 사이를 통해 세정액을 유출시키는 세정액 공급계를 포함하고,
    상기 기판 세정 장치는,
    상기 세정구의 상기 상단면이 상기 공간 형성 부재의 상기 원형 개구를 폐색하도록 상기 세정구를 상기 공간 형성 부재에 대해 상대적으로 이동시키는 상대적 이동부를 더 구비하는, 기판 세정 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 세정구 세정부는, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 외방의 대기 위치에 설치되고,
    상기 상대적 이동부는, 기판의 하면의 세정시에, 상기 세정구를 상기 세정구의 상기 상단면이 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 대향하는 세정 위치와 상기 대기 위치의 사이에서 이동시킴과 더불어, 상기 세정 위치에서 상기 세정구의 상기 상단면이 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 접촉하도록, 상기 세정구를 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판에 대해 상대적으로 이동시키는 것이 가능하게 구성된, 기판 세정 장치.
  5. 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치로서,
    기판을 수평 자세로 유지하고 회전시키는 회전 유지부와,
    원형의 상단면을 갖는 세정구를 포함하고, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 상기 세정구의 상기 상단면을 접촉시킴으로써 기판의 하면을 세정하는 하면 세정부와,
    상기 세정구를 세정하는 세정구 세정부를 구비하며,
    상기 세정구 세정부는,
    하단면을 갖고 또한 상기 하단면에 원형 개구를 갖는 내부 공간을 형성하는 공간 형성 부재와,
    상기 공간 형성 부재의 상기 원형 개구가 상기 세정구의 상기 상단면에 의해 폐색된 상태로 상기 공간 형성 부재의 상기 내부 공간에 세정액을 공급함으로써, 상기 내부 공간으로부터 상기 원형 개구 및 상기 세정구의 상기 상단면과 상기 공간 형성 부재의 상기 하단면의 사이를 통해 세정액을 유출시키는 세정액 공급계를 포함하고,
    상기 기판 세정 장치는,
    연마구를 포함하고, 상기 회전 유지부에 의해 회전되는 기판의 하면에 상기 연마구를 접촉시킴으로써 기판의 하면을 연마하는 하면 연마부를 더 구비하며,
    상기 하면 세정부는, 상기 하면 연마부에 의한 기판의 하면의 연마 후에 당해 기판의 하면을 세정하는, 기판 세정 장치.
  6. 노광 장치에 인접하도록 배치되는 기판 처리 장치로서,
    기판의 상면에 감광성막을 도포하는 도포 장치와,
    청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 기재된 기판 세정 장치와,
    상기 도포 장치, 상기 기판 세정 장치 및 상기 노광 장치의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치를 구비하고,
    상기 기판 세정 장치는, 상기 노광 장치에 의한 기판의 노광 처리 전에 기판의 하면을 세정하는, 기판 처리 장치.
  7. 삭제
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102081706B1 (ko) * 2018-07-18 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN111069115A (zh) * 2018-10-22 2020-04-28 长鑫存储技术有限公司 一种cmp后清洗方法
CN111341699B (zh) * 2020-03-09 2023-03-31 杭州众硅电子科技有限公司 一种清洗刷预清洗***

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015019024A (ja) 2013-07-12 2015-01-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW316995B (ko) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
TW434052B (en) * 1996-02-20 2001-05-16 Pre Tech Co Ltd Washing device of disk to be washed
JP3756284B2 (ja) 1997-04-30 2006-03-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
EP0898301B1 (en) * 1997-08-18 2006-09-27 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of a substrate
JP3415435B2 (ja) * 1998-04-03 2003-06-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP4334758B2 (ja) * 1999-12-17 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 膜形成装置
US6418584B1 (en) * 2000-05-24 2002-07-16 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus and process for cleaning a work piece
JP3888608B2 (ja) * 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
JP2003007664A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP2003243350A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Tokyo Electron Ltd スクラブ洗浄装置におけるブラシクリーニング方法及び処理システム
JP2006278392A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR100795622B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-17 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4726752B2 (ja) * 2005-10-25 2011-07-20 義治 山本 基板洗浄装置
KR100892809B1 (ko) * 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US20070251035A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cleaning device
JP4796542B2 (ja) * 2007-05-30 2011-10-19 株式会社プレテック 洗浄装置
JP4939376B2 (ja) 2007-11-13 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5091687B2 (ja) * 2008-01-08 2012-12-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR101423611B1 (ko) * 2008-01-16 2014-07-30 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 노광 장치 및 클리닝 툴의 세정 방법
JP2010287686A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。
JP5437168B2 (ja) * 2009-08-07 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 基板の液処理装置および液処理方法
US20120285484A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Li-Chung Liu Method for cleaning a semiconductor wafer
TWI550686B (zh) * 2011-11-04 2016-09-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法及電腦記憶媒體
TWI524456B (zh) * 2011-11-04 2016-03-01 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體
JP5637974B2 (ja) * 2011-11-28 2014-12-10 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US9119464B2 (en) * 2012-01-31 2015-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Brush cleaning system
JP6001896B2 (ja) * 2012-03-27 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP6061484B2 (ja) * 2012-03-27 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP5887227B2 (ja) * 2012-08-07 2016-03-16 株式会社荏原製作所 ドレッサーディスク洗浄用ブラシ、洗浄装置及び洗浄方法
US9211568B2 (en) 2013-03-12 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Clean function for semiconductor wafer scrubber
JP6066861B2 (ja) * 2013-08-05 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板の裏面洗浄方法及び洗浄機構
KR20150075357A (ko) * 2013-12-25 2015-07-03 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 처리 장치
US9700988B2 (en) * 2014-08-26 2017-07-11 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
WO2016045072A1 (en) * 2014-09-26 2016-03-31 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
JP6503194B2 (ja) * 2015-02-16 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6751634B2 (ja) * 2016-09-21 2020-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP6885754B2 (ja) * 2017-03-09 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015019024A (ja) 2013-07-12 2015-01-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

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