JP2000098157A - 光分岐装置およびその製造方法 - Google Patents
光分岐装置およびその製造方法Info
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- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路のコア上面に高さ調整層を成膜して
光分岐装置の高さ調整および組み立てを容易最適化する
光分岐装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光ファイバを位置決め固定する断面V字
溝11を形成すると共に光学素子3、4を実装した第1
の基板1に対して光導波路を構成するコア22がクラッ
ド層21に埋設形成される第2の基板2をクラッド層2
1側を介して接合して構成される光分岐装置において、
クラッド層21の表面にクラッド層を構成する材料と同
一の材料より成る高さ調整層26を形成し、光学素子
3、4とコア22との間の高さ方向の位置合せをした光
分岐装置および方法。
光分岐装置の高さ調整および組み立てを容易最適化する
光分岐装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光ファイバを位置決め固定する断面V字
溝11を形成すると共に光学素子3、4を実装した第1
の基板1に対して光導波路を構成するコア22がクラッ
ド層21に埋設形成される第2の基板2をクラッド層2
1側を介して接合して構成される光分岐装置において、
クラッド層21の表面にクラッド層を構成する材料と同
一の材料より成る高さ調整層26を形成し、光学素子
3、4とコア22との間の高さ方向の位置合せをした光
分岐装置および方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光分岐装置およ
びその製造方法に関し、特に、光導波路のコア上面に高
さ調整層を成膜して光分岐装置の高さ調整および組み立
てを容易最適化する光分岐装置およびその製造方法に関
する。
びその製造方法に関し、特に、光導波路のコア上面に高
さ調整層を成膜して光分岐装置の高さ調整および組み立
てを容易最適化する光分岐装置およびその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来例を図1および図7を参照して説明
する。図1は光分岐装置の分解斜視図であり、図7は図
1の線c−cにおける垂直方向断面を矢印の向きに視た
図であるり、第2の基板のコアと第1の基板上に実装さ
れるLDの発光部との間の高さ方向の位置関係を説明す
る図である。
する。図1は光分岐装置の分解斜視図であり、図7は図
1の線c−cにおける垂直方向断面を矢印の向きに視た
図であるり、第2の基板のコアと第1の基板上に実装さ
れるLDの発光部との間の高さ方向の位置関係を説明す
る図である。
【0003】光学素子であるレーザダイオードLD3を
実装した第1の基板1の表面に第2の基板2を矢印によ
り示される方向に反転して搭載実装する場合、第2の基
板2に形成されるクラッド装21のコア22の中心位置
と第1の基板1の表面に実装されるLD3の発光部31
の中心位置とを基準面から視て1μm以下の精度で一致
させる必要がある。ここで、第1の基板1に対する第2
の基板2の実装は、第1の基板1の側部表面に形成され
る半田付けパッド17に対して第2の基板2の下面に形
成される半田付けパッド23を接合することにより実施
されるので、半田付けパッド23と半田付けパッド17
の接合面のレベルを基準面としている。
実装した第1の基板1の表面に第2の基板2を矢印によ
り示される方向に反転して搭載実装する場合、第2の基
板2に形成されるクラッド装21のコア22の中心位置
と第1の基板1の表面に実装されるLD3の発光部31
の中心位置とを基準面から視て1μm以下の精度で一致
させる必要がある。ここで、第1の基板1に対する第2
の基板2の実装は、第1の基板1の側部表面に形成され
る半田付けパッド17に対して第2の基板2の下面に形
成される半田付けパッド23を接合することにより実施
されるので、半田付けパッド23と半田付けパッド17
の接合面のレベルを基準面としている。
【0004】しかし、第1の基板1の接合面である半田
付けパッド17の上面とLD3の発光部31の中心位置
との間の距離即ち高さと、第2の基板2の接合面である
半田付けパッド23の下面とコア22の中心位置との間
の距離即ち高さとは一般に一致しない。これを数値によ
り具体的に説明するに、比屈折率差0. 3〜0. 4%の
シングルモード光導波路においては、コア22の寸法は
およそ7×7μmであり、クラッド層21の厚みは20
μm程度とされるので、クラッド層21下面に形成した
半田付けパッド23の厚さを含めて半田付けパッド23
下面からコア22の中心迄の高さはおよそ20数μmと
なる。一方において、LD3の発光部31はリード電極
15表面から高さ数μm程度の位置にある。従って、従
来、両者の高さを一致させるには、図7に示される如
く、LD3の高さを持ち上げる高さ調整部材5を別部品
として構成し、使用することにより行なわれている。
付けパッド17の上面とLD3の発光部31の中心位置
との間の距離即ち高さと、第2の基板2の接合面である
半田付けパッド23の下面とコア22の中心位置との間
の距離即ち高さとは一般に一致しない。これを数値によ
り具体的に説明するに、比屈折率差0. 3〜0. 4%の
シングルモード光導波路においては、コア22の寸法は
およそ7×7μmであり、クラッド層21の厚みは20
μm程度とされるので、クラッド層21下面に形成した
半田付けパッド23の厚さを含めて半田付けパッド23
下面からコア22の中心迄の高さはおよそ20数μmと
なる。一方において、LD3の発光部31はリード電極
15表面から高さ数μm程度の位置にある。従って、従
来、両者の高さを一致させるには、図7に示される如
く、LD3の高さを持ち上げる高さ調整部材5を別部品
として構成し、使用することにより行なわれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上の通り、第2の基
板2に形成されるコア22の中心位置と第1の基板1の
表面に実装されるLD1の発光部111の中心位置とを
一致させて両基板を接合するには、両者の間に高さ調整
部材5を適用する必要があり、その分だけ使用部品数が
増えて組み立てが複雑になる上に、半田の厚みを導波路
に合わせて、厚くしなければならない。従って、LD3
の実装に必要量以上の厚みの半田付けをすることにもな
り、接合強度および出来上りの位置精度を高める上にお
いて不都合の生ずる恐れがある。
板2に形成されるコア22の中心位置と第1の基板1の
表面に実装されるLD1の発光部111の中心位置とを
一致させて両基板を接合するには、両者の間に高さ調整
部材5を適用する必要があり、その分だけ使用部品数が
増えて組み立てが複雑になる上に、半田の厚みを導波路
に合わせて、厚くしなければならない。従って、LD3
の実装に必要量以上の厚みの半田付けをすることにもな
り、接合強度および出来上りの位置精度を高める上にお
いて不都合の生ずる恐れがある。
【0006】この発明は、上述の問題を解消した光分岐
装置およびその製造方法を提供するものである。
装置およびその製造方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1:光ファイバを
位置決め固定する断面V字溝11を形成すると共に光学
素子3、4を実装した第1の基板1に対して光導波路を
構成するコア22がクラッド層21に埋設形成される第
2の基板2をクラッド層21側を介して接合して構成さ
れる光分岐装置において、クラッド層21の表面にクラ
ッド層を構成する材料と同一の材料より成る高さ調整層
26を形成し、光学素子3、4とコア22との間の高さ
方向の位置合せをした光分岐装置。
位置決め固定する断面V字溝11を形成すると共に光学
素子3、4を実装した第1の基板1に対して光導波路を
構成するコア22がクラッド層21に埋設形成される第
2の基板2をクラッド層21側を介して接合して構成さ
れる光分岐装置において、クラッド層21の表面にクラ
ッド層を構成する材料と同一の材料より成る高さ調整層
26を形成し、光学素子3、4とコア22との間の高さ
方向の位置合せをした光分岐装置。
【0008】そして、請求項2:請求項1に記載される
光分岐装置において、高さ調整層26の表面に半田付け
パッド23を形成すると共に第1の基板1の表面に半田
付けパッド17を形成し、半田付けパッド17、23を
相互接続した光分岐装置を構成した。また、請求項3:
請求項1および請求項2の内の何れかに記載される光分
岐装置において、コア22およびクラッド層21はポリ
マより成るものである光分岐装置を構成した。
光分岐装置において、高さ調整層26の表面に半田付け
パッド23を形成すると共に第1の基板1の表面に半田
付けパッド17を形成し、半田付けパッド17、23を
相互接続した光分岐装置を構成した。また、請求項3:
請求項1および請求項2の内の何れかに記載される光分
岐装置において、コア22およびクラッド層21はポリ
マより成るものである光分岐装置を構成した。
【0009】ここで、請求項4:光導波路を構成するコ
ア22を形成する基板2の表面にアンダークラッド層2
11を成膜形成し、アンダークラッド層211表面にア
ライメントマーク24を形成し、コア層22’を成膜
し、アライメントマーク24を水平方向の位置基準とし
てコア22をパターニングし、クラッド材料と同一材料
より成る高さ調整層26をコア22を含むアンダークラ
ッド層211表面に成膜形成し、高さ調整層26表面に
金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド23を形成し、
高さ調整層26表面にオーバクラッド層212を成膜
し、オーバクラッド層212にエッチング処理を施して
半田付けパッド23を露出せしめる光導波路基板の製造
方法を構成した。
ア22を形成する基板2の表面にアンダークラッド層2
11を成膜形成し、アンダークラッド層211表面にア
ライメントマーク24を形成し、コア層22’を成膜
し、アライメントマーク24を水平方向の位置基準とし
てコア22をパターニングし、クラッド材料と同一材料
より成る高さ調整層26をコア22を含むアンダークラ
ッド層211表面に成膜形成し、高さ調整層26表面に
金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド23を形成し、
高さ調整層26表面にオーバクラッド層212を成膜
し、オーバクラッド層212にエッチング処理を施して
半田付けパッド23を露出せしめる光導波路基板の製造
方法を構成した。
【0010】そして、請求項5:光導波路を構成するコ
ア22を形成する基板2の表面にアンダークラッド層2
11、コア層22’、クラッド材料と同一材料より成る
高さ調整層26をこの順に成膜形成し、高さ調整層26
表面に金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド23およ
びアライメントマーク24を形成し、アライメントマー
ク24を水平方向の位置基準として、コア22を高さ調
整層26ごとパターニングした後、オーバークラッド層
212を成膜し、オーバークラッド層212にエッチン
グ処理を施して半田付けパッド23を露出せしめる光導
波路基板の製造方法を構成した。
ア22を形成する基板2の表面にアンダークラッド層2
11、コア層22’、クラッド材料と同一材料より成る
高さ調整層26をこの順に成膜形成し、高さ調整層26
表面に金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド23およ
びアライメントマーク24を形成し、アライメントマー
ク24を水平方向の位置基準として、コア22を高さ調
整層26ごとパターニングした後、オーバークラッド層
212を成膜し、オーバークラッド層212にエッチン
グ処理を施して半田付けパッド23を露出せしめる光導
波路基板の製造方法を構成した。
【0011】また、請求項6:請求項5に記載される光
導波路基板の製造方法において、半田付けパッド23を
パターニングするに際して、コア22をパターニングす
るマスク27を同時に形成する光導波路基板の製造方法
を構成した。更に、請求項7:請求項4ないし請求項6
の内の何れかに記載される光導波路基板の製造方法にお
いて、コア22およびクラッド層21を構成する材料と
してポリマを使用し、成膜はスピンコーティングによる
光導波路基板の製造方法を構成した。
導波路基板の製造方法において、半田付けパッド23を
パターニングするに際して、コア22をパターニングす
るマスク27を同時に形成する光導波路基板の製造方法
を構成した。更に、請求項7:請求項4ないし請求項6
の内の何れかに記載される光導波路基板の製造方法にお
いて、コア22およびクラッド層21を構成する材料と
してポリマを使用し、成膜はスピンコーティングによる
光導波路基板の製造方法を構成した。
【0012】
【発明の実施の形態】この発明は、第2の基板にクラッ
ド層を成膜するに際して、アンダークラッド層の表面に
高さ調整層を成膜し、高さ調整層の表面に金属薄膜より
成る半田付けパッドを形成し、次いで、この高さ調整層
の表面に光学特性を満足するに必要な厚さのコア層を成
膜する。そして、コアをパターニングするマスクを形成
してから、オーバークラッド層をエッチング除去して半
田付けパッドを露出させる。
ド層を成膜するに際して、アンダークラッド層の表面に
高さ調整層を成膜し、高さ調整層の表面に金属薄膜より
成る半田付けパッドを形成し、次いで、この高さ調整層
の表面に光学特性を満足するに必要な厚さのコア層を成
膜する。そして、コアをパターニングするマスクを形成
してから、オーバークラッド層をエッチング除去して半
田付けパッドを露出させる。
【0013】この際に、金属薄膜より成る半田付けパッ
ドがエッチングストップ層となるので、エッチングは半
田付けパッドの金属薄膜が露出したところで停止するこ
ととし、エッチングのコントロールおよび高さ調整層の
厚さコントロールは容易となる。コアの高さは高さ調整
層の成膜の厚さと半田付けパッドの厚さで決まり、両厚
さは高精度に実施することができるので、半田付けパッ
ドの表面からコアの中心位置までの高さは高精度に設定
される。
ドがエッチングストップ層となるので、エッチングは半
田付けパッドの金属薄膜が露出したところで停止するこ
ととし、エッチングのコントロールおよび高さ調整層の
厚さコントロールは容易となる。コアの高さは高さ調整
層の成膜の厚さと半田付けパッドの厚さで決まり、両厚
さは高精度に実施することができるので、半田付けパッ
ドの表面からコアの中心位置までの高さは高精度に設定
される。
【0014】高さ調整層はクラッド層と同一の材質によ
り形成されて、クラッド層の一部を構成するものである
が、この発明は、調整層として必要な厚さとクラッド層
として必要な厚さとを独立して設定することができるの
で、一方の厚さの調整制御を他方の厚さの調整制御を損
なうことなしに最適に設定することができる。
り形成されて、クラッド層の一部を構成するものである
が、この発明は、調整層として必要な厚さとクラッド層
として必要な厚さとを独立して設定することができるの
で、一方の厚さの調整制御を他方の厚さの調整制御を損
なうことなしに最適に設定することができる。
【0015】
【実施例】この発明の実施例を図1および図2を参照し
て説明する。図1はこの発明の光導波路装置の分解斜視
図であり、図2は図1の線c−cにおける垂直方向断面
を矢印の向きに視た図であるり、第2の基板のコアと第
1の基板上に実装されるLDの発光部との間の高さ方向
の位置関係を説明する図である。
て説明する。図1はこの発明の光導波路装置の分解斜視
図であり、図2は図1の線c−cにおける垂直方向断面
を矢印の向きに視た図であるり、第2の基板のコアと第
1の基板上に実装されるLDの発光部との間の高さ方向
の位置関係を説明する図である。
【0016】図において、1はシリコン半導体基板より
成る第1の基板を示す。この第1の基板1は、その長さ
方向に交差する2本の切り溝12により3部分に区画さ
れている。これら3部分の内の左端部の表面には基板の
長さ方向に一方の端部から切り溝12に亘って断面V字
溝11が形成されている。左端部の表面には、更にリー
ド電極15が形成されている。このリード電極15には
レーザダイオードLD3が半田付けされる。中間部の表
面には基板の長さ方向に一方の切り溝12から他方の切
り溝12に亘って幅広い凹部13が形成されて、結果と
して基板の長さ方向両側部に段部14が構成される。そ
して、段部14の表面には、その左右両端近傍に半田付
けパッド17が形成されると共にその中間にはアライメ
ントマーク18が形成されている。右端部の表面にはリ
ード電極16が形成されている。リード電極16にはホ
トダイオードPD4が半田付けされる。断面V字溝11
には図示されない光ファイバその端面を切り溝12に臨
ませて嵌合固定される2はシリコン半導体基板より成る
第2の基板を示す。この第2の基板2はその表面にクラ
ッド層21が成膜され、このクラッド層21には光導波
路を構成するコア22およびアライメントマーク24が
埋設されると共にその表面には4隅近傍に半田付けパッ
ド23が形成されている。コア22はクラッド層21の
左側端面および右側端面に露出している。25はコア2
2の分岐部端面に接合される誘電体多層膜フィルタであ
る。
成る第1の基板を示す。この第1の基板1は、その長さ
方向に交差する2本の切り溝12により3部分に区画さ
れている。これら3部分の内の左端部の表面には基板の
長さ方向に一方の端部から切り溝12に亘って断面V字
溝11が形成されている。左端部の表面には、更にリー
ド電極15が形成されている。このリード電極15には
レーザダイオードLD3が半田付けされる。中間部の表
面には基板の長さ方向に一方の切り溝12から他方の切
り溝12に亘って幅広い凹部13が形成されて、結果と
して基板の長さ方向両側部に段部14が構成される。そ
して、段部14の表面には、その左右両端近傍に半田付
けパッド17が形成されると共にその中間にはアライメ
ントマーク18が形成されている。右端部の表面にはリ
ード電極16が形成されている。リード電極16にはホ
トダイオードPD4が半田付けされる。断面V字溝11
には図示されない光ファイバその端面を切り溝12に臨
ませて嵌合固定される2はシリコン半導体基板より成る
第2の基板を示す。この第2の基板2はその表面にクラ
ッド層21が成膜され、このクラッド層21には光導波
路を構成するコア22およびアライメントマーク24が
埋設されると共にその表面には4隅近傍に半田付けパッ
ド23が形成されている。コア22はクラッド層21の
左側端面および右側端面に露出している。25はコア2
2の分岐部端面に接合される誘電体多層膜フィルタであ
る。
【0017】第2の基板2は矢印の向きに反転して第1
の基板1の長さ方向両側部の段部14に亘って接合固定
される。この接合固定は段部14に形成される半田付け
パッド17とクラッド層21表面の半田付けパッド23
相互を半田付付けして行われる。この接合は、段部14
に形成されるアライメントマーク18とクラッド層21
に形成されるアライメントマーク24を参照して実施さ
れる。以上により光導波路装置が構成される。
の基板1の長さ方向両側部の段部14に亘って接合固定
される。この接合固定は段部14に形成される半田付け
パッド17とクラッド層21表面の半田付けパッド23
相互を半田付付けして行われる。この接合は、段部14
に形成されるアライメントマーク18とクラッド層21
に形成されるアライメントマーク24を参照して実施さ
れる。以上により光導波路装置が構成される。
【0018】LD3から放射された光信号はコア22の
一方を介して伝送され、誘電体多層膜フィルタ25にお
いて反射する。反射光信号はコア22の一方を介して伝
送されて、断面V字溝11に嵌合固定される光ファイバ
を介して外部に送信される。反対に、光ファイバを介し
て外部から伝送されてきた光信号はコア22を介して誘
電体多層膜フィルタ25を透過し、PD4に受信され
る。
一方を介して伝送され、誘電体多層膜フィルタ25にお
いて反射する。反射光信号はコア22の一方を介して伝
送されて、断面V字溝11に嵌合固定される光ファイバ
を介して外部に送信される。反対に、光ファイバを介し
て外部から伝送されてきた光信号はコア22を介して誘
電体多層膜フィルタ25を透過し、PD4に受信され
る。
【0019】ここで、図3および図4を参照して第2の
基板2を製造する工程を説明する。先ず、図3(a)を
参照するに、第2の基板2の表面にアンダークラッド層
211を成膜する。そして、アンダークラッド層211
表面に金属薄膜を成膜してアライメントマーク24を形
成する。図3(b)を参照するに、次いで、アライメン
トマーク24を含みアンダークラッド層211表面にコ
ア層22’を成膜する。
基板2を製造する工程を説明する。先ず、図3(a)を
参照するに、第2の基板2の表面にアンダークラッド層
211を成膜する。そして、アンダークラッド層211
表面に金属薄膜を成膜してアライメントマーク24を形
成する。図3(b)を参照するに、次いで、アライメン
トマーク24を含みアンダークラッド層211表面にコ
ア層22’を成膜する。
【0020】図3(c)を参照するに、コア層22’の
表面にアライメントマーク24を位置基準としてコア2
2が形成される領域に対応してマスク27を形成する。
ここで、マスク27の形成には、例えば有機レジストを
使用することができる。図3(d)を参照するに、コア
層22’にエッチング処理を施してコア層22’を除去
し、アンダークラッド層211表面を露出する。これに
よりコア22がパターニング形成される。
表面にアライメントマーク24を位置基準としてコア2
2が形成される領域に対応してマスク27を形成する。
ここで、マスク27の形成には、例えば有機レジストを
使用することができる。図3(d)を参照するに、コア
層22’にエッチング処理を施してコア層22’を除去
し、アンダークラッド層211表面を露出する。これに
よりコア22がパターニング形成される。
【0021】図4(e)を参照するに、ここで、コア2
2を含む露出せしめられたアンダークラッド層211の
表面にクラッド材料より成る高さ調整層26を成膜す
る。そして、高さ調整層26の表面に金属薄膜を成膜し
て半田付けパッド23を形成する。図4(f)を参照す
るに、半田付けパッド23を含む高さ調整層26の表面
にオーバークラッド層212を成膜する。次いで、オー
バークラッド層212の半田付けパッド23上方部分を
除いて、コア22上方の表面にマスク28を形成する。
マスク28の形成には、例えば、有機レジストを使用す
ることができる。
2を含む露出せしめられたアンダークラッド層211の
表面にクラッド材料より成る高さ調整層26を成膜す
る。そして、高さ調整層26の表面に金属薄膜を成膜し
て半田付けパッド23を形成する。図4(f)を参照す
るに、半田付けパッド23を含む高さ調整層26の表面
にオーバークラッド層212を成膜する。次いで、オー
バークラッド層212の半田付けパッド23上方部分を
除いて、コア22上方の表面にマスク28を形成する。
マスク28の形成には、例えば、有機レジストを使用す
ることができる。
【0022】図4(g)を参照するに、ここで、オーバ
ークラッド層212にエッチング処理を施してその半田
付けパッド23上方部分を除去して半田付けパッド23
を露出せしめる。金属薄膜より成る半田付けパッド23
はエッチングされることはないので、エッチングを深く
堀りすぎても、半田付けパッド23の上下方向の位置は
影響されない。
ークラッド層212にエッチング処理を施してその半田
付けパッド23上方部分を除去して半田付けパッド23
を露出せしめる。金属薄膜より成る半田付けパッド23
はエッチングされることはないので、エッチングを深く
堀りすぎても、半田付けパッド23の上下方向の位置は
影響されない。
【0023】図5を参照して第2の基板2を製造する第
2の工程を説明する。先ず、図5(a)を参照するに、
第2の基板2の表面にアンダークラッド層211を成膜
し、アンダークラッド層211表面にコア層22’を成
膜する。コア層22’表面にクラッド材料より成る高さ
調整層26を成膜する。ここで、この高さ調整層26表
面に半田付けパッド23およびアライメントマーク24
を形成する。
2の工程を説明する。先ず、図5(a)を参照するに、
第2の基板2の表面にアンダークラッド層211を成膜
し、アンダークラッド層211表面にコア層22’を成
膜する。コア層22’表面にクラッド材料より成る高さ
調整層26を成膜する。ここで、この高さ調整層26表
面に半田付けパッド23およびアライメントマーク24
を形成する。
【0024】図5(b)を参照するに、ここで、半田付
けパッド23およびアライメントマーク24の表面にマ
スク27Aを形成すると共に、コア22が形成されるべ
き領域に対応する高さ調整層26表面にアライメントマ
ーク24を位置基準としてマスク27Bを形成する。図
5(c)を参照するに、高さ調整層26表面をアンダー
クラッド層211表面が露出するまでエッチング処理を
施してコア22を高さ調整層26ごとパターニングし、
次いで、マスク27Aおよび27Bを除去する。
けパッド23およびアライメントマーク24の表面にマ
スク27Aを形成すると共に、コア22が形成されるべ
き領域に対応する高さ調整層26表面にアライメントマ
ーク24を位置基準としてマスク27Bを形成する。図
5(c)を参照するに、高さ調整層26表面をアンダー
クラッド層211表面が露出するまでエッチング処理を
施してコア22を高さ調整層26ごとパターニングし、
次いで、マスク27Aおよび27Bを除去する。
【0025】図5(d)を参照するに、半田付けパッド
23、アライメントマーク24およびコア22を含みア
ンダークラッド層211表面に、オーバークラッド層2
12を成膜形成する。次いで、オーバークラッド層21
2の内の半田付けパッド23上方部分およびアライメン
トマーク24の上方部分を除くコア22上方の表面にマ
スク28を形成する。ここで、オーバークラッド層21
2にエッチング処理を施して半田付けパッド23上方部
分を除去して半田付けパッド23を露出せしめる。金属
薄膜より成る半田付けパッド23はエッチングされるこ
とはないので、エッチングを深く堀りすぎても、半田付
けパッド23の上下方向の位置は影響されない。
23、アライメントマーク24およびコア22を含みア
ンダークラッド層211表面に、オーバークラッド層2
12を成膜形成する。次いで、オーバークラッド層21
2の内の半田付けパッド23上方部分およびアライメン
トマーク24の上方部分を除くコア22上方の表面にマ
スク28を形成する。ここで、オーバークラッド層21
2にエッチング処理を施して半田付けパッド23上方部
分を除去して半田付けパッド23を露出せしめる。金属
薄膜より成る半田付けパッド23はエッチングされるこ
とはないので、エッチングを深く堀りすぎても、半田付
けパッド23の上下方向の位置は影響されない。
【0026】この第2の製造工程は、コア層22’表面
に高さ調整層26を成膜した後にコア22のパターニン
グを行う。従って、コア層22’の厚みも高さ調整層2
6の一部を構成しているので、この場合の高さ調整層2
6は第1の製造工程の場合と比較して薄く成膜する。図
6を参照するに、これは第2の製造工程において、金属
薄膜を成膜して半田付けパッドをパターニングする際
に、コア22をパターニングするマスク27Bを同時に
成膜形成する。即ち、コア22をパターニングする際の
マスク27Bを半田付けパッド23およびアライメント
マーク24形成と同時に金属薄膜で形成すれば、半田付
けパッド23およびアライメントマークコア24を1枚
のフォトマスクにより形成することができるので、夫々
の位置関係は容易に高精度に実現することができる。な
お、マスク27Aとしては、例えば、有機レジストを使
用することができる。
に高さ調整層26を成膜した後にコア22のパターニン
グを行う。従って、コア層22’の厚みも高さ調整層2
6の一部を構成しているので、この場合の高さ調整層2
6は第1の製造工程の場合と比較して薄く成膜する。図
6を参照するに、これは第2の製造工程において、金属
薄膜を成膜して半田付けパッドをパターニングする際
に、コア22をパターニングするマスク27Bを同時に
成膜形成する。即ち、コア22をパターニングする際の
マスク27Bを半田付けパッド23およびアライメント
マーク24形成と同時に金属薄膜で形成すれば、半田付
けパッド23およびアライメントマークコア24を1枚
のフォトマスクにより形成することができるので、夫々
の位置関係は容易に高精度に実現することができる。な
お、マスク27Aとしては、例えば、有機レジストを使
用することができる。
【0027】ここで、以上の製造工程のプロセス温度は
400℃程度であり、コア材料およびクラッド材料とし
てフッ素化ポリイミドの如きポリマを使用することによ
り、内層に金属薄膜を成膜しても影響を与えない。ま
た、成膜をスピンコーティングにより実施することによ
り、1μm以下の成膜の厚さ精度を容易に実現すること
ができる。
400℃程度であり、コア材料およびクラッド材料とし
てフッ素化ポリイミドの如きポリマを使用することによ
り、内層に金属薄膜を成膜しても影響を与えない。ま
た、成膜をスピンコーティングにより実施することによ
り、1μm以下の成膜の厚さ精度を容易に実現すること
ができる。
【0028】以上の通りにして構成された第2の基板2
は、アライメントマーク24に対するコア22および半
田付けパッド23の位置が水平および垂直方向共に高精
度に位置決めされるので、このアライメントマーク24
を認識しながら第1の基板1の所定位置に正確に搭載位
置決めすることができ、コア22とLD3との間の高精
度位置合せを実施することができる。
は、アライメントマーク24に対するコア22および半
田付けパッド23の位置が水平および垂直方向共に高精
度に位置決めされるので、このアライメントマーク24
を認識しながら第1の基板1の所定位置に正確に搭載位
置決めすることができ、コア22とLD3との間の高精
度位置合せを実施することができる。
【0029】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、光導
波路のコア上にクラッド材質の高さ調整層を成膜し、更
に、この表面に光学特性上必要な膜厚のオーバークラッ
ド層を成膜するので、高さ調整が容易は容易であり、高
さ調整層の厚さとオーバークラッド層の厚さとを独立し
て最適値に構成することができる。
波路のコア上にクラッド材質の高さ調整層を成膜し、更
に、この表面に光学特性上必要な膜厚のオーバークラッ
ド層を成膜するので、高さ調整が容易は容易であり、高
さ調整層の厚さとオーバークラッド層の厚さとを独立し
て最適値に構成することができる。
【0030】そして、半田付けパッドは金属薄膜より成
り、エッチングされることはないので、エッチングを少
し深く堀りすぎても半田付けパッドの上下方向の位置に
影響は及ばない。また、金属薄膜を成膜して半田付けパ
ッドをパターニングする際に、コアのマスクを半田付け
パッドおよびアライメントマーク形成と同時に金属薄膜
で形成することにより、半田付けパッドおよびアライメ
ントマークコアを1枚のフォトマスクにより形成するこ
とができるので、夫々の位置関係は容易に高精度に実現
することができる。
り、エッチングされることはないので、エッチングを少
し深く堀りすぎても半田付けパッドの上下方向の位置に
影響は及ばない。また、金属薄膜を成膜して半田付けパ
ッドをパターニングする際に、コアのマスクを半田付け
パッドおよびアライメントマーク形成と同時に金属薄膜
で形成することにより、半田付けパッドおよびアライメ
ントマークコアを1枚のフォトマスクにより形成するこ
とができるので、夫々の位置関係は容易に高精度に実現
することができる。
【0031】更に、製造工程のプロセス温度は400℃
程度であり、コア材料およびクラッド材料としてポリマ
を使用することにより、内層に金属薄膜を成膜しても影
響を与えない。成膜をスピンコーティングにより実施す
ることにより、1μm以下の成膜の厚さ精度を容易に実
現することができる。以上の通りにして構成された第2
の基板は、アライメントマークに対するコアおよび半田
付けパッドの位置が水平および垂直方向共に高精度に位
置決めされるので、このアライメントマークを認識しな
がら第1の基板の所定位置に正確に搭載位置決めするこ
とができ、コアと光学素子との間の高精度位置合せを実
施することができる。
程度であり、コア材料およびクラッド材料としてポリマ
を使用することにより、内層に金属薄膜を成膜しても影
響を与えない。成膜をスピンコーティングにより実施す
ることにより、1μm以下の成膜の厚さ精度を容易に実
現することができる。以上の通りにして構成された第2
の基板は、アライメントマークに対するコアおよび半田
付けパッドの位置が水平および垂直方向共に高精度に位
置決めされるので、このアライメントマークを認識しな
がら第1の基板の所定位置に正確に搭載位置決めするこ
とができ、コアと光学素子との間の高精度位置合せを実
施することができる。
【図1】実施例を説明する斜視図。
【図2】図1の一部の断面図。
【図3】製造工程の実施例を説明する図。
【図4】図3の続き。
【図5】製造工程の第2の実施例を説明する図。
【図6】製造工程の第3の実施例を説明する図。
【図7】従来例を説明する図。
1 第1の基板 11 断面V字溝 12 切り溝 13 凹部 14 段部 15 リード電極 16 リード電極 17 半田付けパッド 18 アライメントマーク 2 第2の基板 21 クラッド層 211 アンダークラッド層 212 オーバークラッド層 22 コア 22’コア層 23 半田付けパッド 24 アライメントマーク 25 誘電体多層膜フィルタ 26 高さ調整層 27 マスク 27A マスク 27B マスク 28 マスク 3 レーザダイオードLD 31 発光部 4 ホトダイオードPD 5 高さ調整部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H037 AA01 BA02 BA11 CA37 DA12 DA18 2H047 KA04 LA14 LA18 MA05 MA07 PA02 PA21 PA24 QA05 QA07 TA42 TA43 TA44
Claims (7)
- 【請求項1】 光ファイバを位置決め固定する断面V字
溝を形成すると共に光学素子を実装した第1の基板に対
して光導波路を構成するコアがクラッド層に埋設形成さ
れる第2の基板をクラッド層側を介して接合して構成さ
れる光分岐装置において、 クラッド層の表面にクラッド層を構成する材料と同一の
材料より成る高さ調整層を形成し、光学素子とコアとの
間の高さ方向の位置合わせをすることを特徴とする光分
岐装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載される光分岐装置におい
て、 高さ調整層の表面に半田付けパッドを形成すると共に第
1の基板の表面に半田付けパッドを形成し、半田付けパ
ッドを相互接続したことを特徴とする光分岐装置。 - 【請求項3】 請求項1および請求項2の内の何れかに
記載される光分岐装置において、 コアおよびクラッド層はポリマより成るものであること
を特徴とする光分岐装置。 - 【請求項4】 光導波路を構成するコアを形成する基板
の表面にアンダークラッド層を成膜形成し、アンダーク
ラッド層表面にアライメントマークを形成し、コア層を
成膜し、アライメントマークを水平方向の位置基準とし
てコアをパターニングし、クラッド材料と同一材料より
成る高さ調整層をコアを含むアンダークラッド層表面に
成膜形成し、高さ調整層表面に金属材料薄膜を成膜して
半田付けパッドを形成し、高さ調整層表面にオーバクラ
ッド層を成膜し、オーバクラッド層にエッチング処理を
施して半田付けパッドを露出せしめることを特徴とする
光導波路基板の製造方法。 - 【請求項5】 光導波路を構成するコアを形成する基板
の表面にアンダークラッド層、コア層、クラッド材料と
同一材料より成る高さ調整層をこの順に成膜形成し、高
さ調整層表面に金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド
およびアライメントマークを形成し、アライメントマー
クを水平方向の位置基準として、コアを高さ調整層ごと
パターニングした後、オーバークラッド層を成膜し、オ
ーバークラッド層にエッチング処理を施して半田付けパ
ッドを露出せしめることを特徴とする光導波路基板の製
造方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載される光導波路基板の製
造方法において、 半田付けパッドをパターニングするに際して、コアをパ
ターニングするマスクを同時に形成することを特徴とす
る光導波路基板の製造方法。 - 【請求項7】 請求項4ないし請求項6の内の何れかに
記載される光導波路基板の製造方法において、 コアおよびクラッド層を構成する材料としてポリマを使
用し、成膜はスピンコーティングによることを特徴とす
る光導波路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10271821A JP2000098157A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 光分岐装置およびその製造方法 |
EP99118067A EP0989641A3 (en) | 1998-09-25 | 1999-09-23 | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
US09/401,327 US6324314B1 (en) | 1998-09-25 | 1999-09-23 | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10271821A JP2000098157A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 光分岐装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000098157A true JP2000098157A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17505328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10271821A Pending JP2000098157A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 光分岐装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6324314B1 (ja) |
EP (1) | EP0989641A3 (ja) |
JP (1) | JP2000098157A (ja) |
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- 1998-09-25 JP JP10271821A patent/JP2000098157A/ja active Pending
-
1999
- 1999-09-23 EP EP99118067A patent/EP0989641A3/en not_active Withdrawn
- 1999-09-23 US US09/401,327 patent/US6324314B1/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
US6324314B1 (en) | 2001-11-27 |
EP0989641A3 (en) | 2001-11-07 |
EP0989641A2 (en) | 2000-03-29 |
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