JP2000098157A - 光分岐装置およびその製造方法 - Google Patents
光分岐装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路のコア上面に高さ調整層を成膜して
光分岐装置の高さ調整および組み立てを容易最適化する
光分岐装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光ファイバを位置決め固定する断面Ｖ字
溝１１を形成すると共に光学素子３、４を実装した第１
の基板１に対して光導波路を構成するコア２２がクラッ
ド層２１に埋設形成される第２の基板２をクラッド層２
１側を介して接合して構成される光分岐装置において、
クラッド層２１の表面にクラッド層を構成する材料と同
一の材料より成る高さ調整層２６を形成し、光学素子
３、４とコア２２との間の高さ方向の位置合せをした光
分岐装置および方法。
光分岐装置の高さ調整および組み立てを容易最適化する
光分岐装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 光ファイバを位置決め固定する断面Ｖ字
溝１１を形成すると共に光学素子３、４を実装した第１
の基板１に対して光導波路を構成するコア２２がクラッ
ド層２１に埋設形成される第２の基板２をクラッド層２
１側を介して接合して構成される光分岐装置において、
クラッド層２１の表面にクラッド層を構成する材料と同
一の材料より成る高さ調整層２６を形成し、光学素子
３、４とコア２２との間の高さ方向の位置合せをした光
分岐装置および方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光分岐装置およ
びその製造方法に関し、特に、光導波路のコア上面に高
さ調整層を成膜して光分岐装置の高さ調整および組み立
てを容易最適化する光分岐装置およびその製造方法に関
する。
びその製造方法に関し、特に、光導波路のコア上面に高
さ調整層を成膜して光分岐装置の高さ調整および組み立
てを容易最適化する光分岐装置およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図１および図７を参照して説明
する。図１は光分岐装置の分解斜視図であり、図７は図
１の線ｃ−ｃにおける垂直方向断面を矢印の向きに視た
図であるり、第２の基板のコアと第１の基板上に実装さ
れるＬＤの発光部との間の高さ方向の位置関係を説明す
る図である。
する。図１は光分岐装置の分解斜視図であり、図７は図
１の線ｃ−ｃにおける垂直方向断面を矢印の向きに視た
図であるり、第２の基板のコアと第１の基板上に実装さ
れるＬＤの発光部との間の高さ方向の位置関係を説明す
る図である。
【０００３】光学素子であるレーザダイオードＬＤ３を
実装した第１の基板１の表面に第２の基板２を矢印によ
り示される方向に反転して搭載実装する場合、第２の基
板２に形成されるクラッド装２１のコア２２の中心位置
と第１の基板１の表面に実装されるＬＤ３の発光部３１
の中心位置とを基準面から視て１μｍ以下の精度で一致
させる必要がある。ここで、第１の基板１に対する第２
の基板２の実装は、第１の基板１の側部表面に形成され
る半田付けパッド１７に対して第２の基板２の下面に形
成される半田付けパッド２３を接合することにより実施
されるので、半田付けパッド２３と半田付けパッド１７
の接合面のレベルを基準面としている。
実装した第１の基板１の表面に第２の基板２を矢印によ
り示される方向に反転して搭載実装する場合、第２の基
板２に形成されるクラッド装２１のコア２２の中心位置
と第１の基板１の表面に実装されるＬＤ３の発光部３１
の中心位置とを基準面から視て１μｍ以下の精度で一致
させる必要がある。ここで、第１の基板１に対する第２
の基板２の実装は、第１の基板１の側部表面に形成され
る半田付けパッド１７に対して第２の基板２の下面に形
成される半田付けパッド２３を接合することにより実施
されるので、半田付けパッド２３と半田付けパッド１７
の接合面のレベルを基準面としている。
【０００４】しかし、第１の基板１の接合面である半田
付けパッド１７の上面とＬＤ３の発光部３１の中心位置
との間の距離即ち高さと、第２の基板２の接合面である
半田付けパッド２３の下面とコア２２の中心位置との間
の距離即ち高さとは一般に一致しない。これを数値によ
り具体的に説明するに、比屈折率差０. ３〜０. ４％の
シングルモード光導波路においては、コア２２の寸法は
およそ７×７μｍであり、クラッド層２１の厚みは２０
μｍ程度とされるので、クラッド層２１下面に形成した
半田付けパッド２３の厚さを含めて半田付けパッド２３
下面からコア２２の中心迄の高さはおよそ２０数μｍと
なる。一方において、ＬＤ３の発光部３１はリード電極
１５表面から高さ数μｍ程度の位置にある。従って、従
来、両者の高さを一致させるには、図７に示される如
く、ＬＤ３の高さを持ち上げる高さ調整部材５を別部品
として構成し、使用することにより行なわれている。
付けパッド１７の上面とＬＤ３の発光部３１の中心位置
との間の距離即ち高さと、第２の基板２の接合面である
半田付けパッド２３の下面とコア２２の中心位置との間
の距離即ち高さとは一般に一致しない。これを数値によ
り具体的に説明するに、比屈折率差０. ３〜０. ４％の
シングルモード光導波路においては、コア２２の寸法は
およそ７×７μｍであり、クラッド層２１の厚みは２０
μｍ程度とされるので、クラッド層２１下面に形成した
半田付けパッド２３の厚さを含めて半田付けパッド２３
下面からコア２２の中心迄の高さはおよそ２０数μｍと
なる。一方において、ＬＤ３の発光部３１はリード電極
１５表面から高さ数μｍ程度の位置にある。従って、従
来、両者の高さを一致させるには、図７に示される如
く、ＬＤ３の高さを持ち上げる高さ調整部材５を別部品
として構成し、使用することにより行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の通り、第２の基
板２に形成されるコア２２の中心位置と第１の基板１の
表面に実装されるＬＤ１の発光部１１１の中心位置とを
一致させて両基板を接合するには、両者の間に高さ調整
部材５を適用する必要があり、その分だけ使用部品数が
増えて組み立てが複雑になる上に、半田の厚みを導波路
に合わせて、厚くしなければならない。従って、ＬＤ３
の実装に必要量以上の厚みの半田付けをすることにもな
り、接合強度および出来上りの位置精度を高める上にお
いて不都合の生ずる恐れがある。
板２に形成されるコア２２の中心位置と第１の基板１の
表面に実装されるＬＤ１の発光部１１１の中心位置とを
一致させて両基板を接合するには、両者の間に高さ調整
部材５を適用する必要があり、その分だけ使用部品数が
増えて組み立てが複雑になる上に、半田の厚みを導波路
に合わせて、厚くしなければならない。従って、ＬＤ３
の実装に必要量以上の厚みの半田付けをすることにもな
り、接合強度および出来上りの位置精度を高める上にお
いて不都合の生ずる恐れがある。
【０００６】この発明は、上述の問題を解消した光分岐
装置およびその製造方法を提供するものである。
装置およびその製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１：光ファイバを
位置決め固定する断面Ｖ字溝１１を形成すると共に光学
素子３、４を実装した第１の基板１に対して光導波路を
構成するコア２２がクラッド層２１に埋設形成される第
２の基板２をクラッド層２１側を介して接合して構成さ
れる光分岐装置において、クラッド層２１の表面にクラ
ッド層を構成する材料と同一の材料より成る高さ調整層
２６を形成し、光学素子３、４とコア２２との間の高さ
方向の位置合せをした光分岐装置。
位置決め固定する断面Ｖ字溝１１を形成すると共に光学
素子３、４を実装した第１の基板１に対して光導波路を
構成するコア２２がクラッド層２１に埋設形成される第
２の基板２をクラッド層２１側を介して接合して構成さ
れる光分岐装置において、クラッド層２１の表面にクラ
ッド層を構成する材料と同一の材料より成る高さ調整層
２６を形成し、光学素子３、４とコア２２との間の高さ
方向の位置合せをした光分岐装置。
【０００８】そして、請求項２：請求項１に記載される
光分岐装置において、高さ調整層２６の表面に半田付け
パッド２３を形成すると共に第１の基板１の表面に半田
付けパッド１７を形成し、半田付けパッド１７、２３を
相互接続した光分岐装置を構成した。また、請求項３：
請求項１および請求項２の内の何れかに記載される光分
岐装置において、コア２２およびクラッド層２１はポリ
マより成るものである光分岐装置を構成した。
光分岐装置において、高さ調整層２６の表面に半田付け
パッド２３を形成すると共に第１の基板１の表面に半田
付けパッド１７を形成し、半田付けパッド１７、２３を
相互接続した光分岐装置を構成した。また、請求項３：
請求項１および請求項２の内の何れかに記載される光分
岐装置において、コア２２およびクラッド層２１はポリ
マより成るものである光分岐装置を構成した。
【０００９】ここで、請求項４：光導波路を構成するコ
ア２２を形成する基板２の表面にアンダークラッド層２
１１を成膜形成し、アンダークラッド層２１１表面にア
ライメントマーク２４を形成し、コア層２２’を成膜
し、アライメントマーク２４を水平方向の位置基準とし
てコア２２をパターニングし、クラッド材料と同一材料
より成る高さ調整層２６をコア２２を含むアンダークラ
ッド層２１１表面に成膜形成し、高さ調整層２６表面に
金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド２３を形成し、
高さ調整層２６表面にオーバクラッド層２１２を成膜
し、オーバクラッド層２１２にエッチング処理を施して
半田付けパッド２３を露出せしめる光導波路基板の製造
方法を構成した。
ア２２を形成する基板２の表面にアンダークラッド層２
１１を成膜形成し、アンダークラッド層２１１表面にア
ライメントマーク２４を形成し、コア層２２’を成膜
し、アライメントマーク２４を水平方向の位置基準とし
てコア２２をパターニングし、クラッド材料と同一材料
より成る高さ調整層２６をコア２２を含むアンダークラ
ッド層２１１表面に成膜形成し、高さ調整層２６表面に
金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド２３を形成し、
高さ調整層２６表面にオーバクラッド層２１２を成膜
し、オーバクラッド層２１２にエッチング処理を施して
半田付けパッド２３を露出せしめる光導波路基板の製造
方法を構成した。
【００１０】そして、請求項５：光導波路を構成するコ
ア２２を形成する基板２の表面にアンダークラッド層２
１１、コア層２２’、クラッド材料と同一材料より成る
高さ調整層２６をこの順に成膜形成し、高さ調整層２６
表面に金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド２３およ
びアライメントマーク２４を形成し、アライメントマー
ク２４を水平方向の位置基準として、コア２２を高さ調
整層２６ごとパターニングした後、オーバークラッド層
２１２を成膜し、オーバークラッド層２１２にエッチン
グ処理を施して半田付けパッド２３を露出せしめる光導
波路基板の製造方法を構成した。
ア２２を形成する基板２の表面にアンダークラッド層２
１１、コア層２２’、クラッド材料と同一材料より成る
高さ調整層２６をこの順に成膜形成し、高さ調整層２６
表面に金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド２３およ
びアライメントマーク２４を形成し、アライメントマー
ク２４を水平方向の位置基準として、コア２２を高さ調
整層２６ごとパターニングした後、オーバークラッド層
２１２を成膜し、オーバークラッド層２１２にエッチン
グ処理を施して半田付けパッド２３を露出せしめる光導
波路基板の製造方法を構成した。
【００１１】また、請求項６：請求項５に記載される光
導波路基板の製造方法において、半田付けパッド２３を
パターニングするに際して、コア２２をパターニングす
るマスク２７を同時に形成する光導波路基板の製造方法
を構成した。更に、請求項７：請求項４ないし請求項６
の内の何れかに記載される光導波路基板の製造方法にお
いて、コア２２およびクラッド層２１を構成する材料と
してポリマを使用し、成膜はスピンコーティングによる
光導波路基板の製造方法を構成した。
導波路基板の製造方法において、半田付けパッド２３を
パターニングするに際して、コア２２をパターニングす
るマスク２７を同時に形成する光導波路基板の製造方法
を構成した。更に、請求項７：請求項４ないし請求項６
の内の何れかに記載される光導波路基板の製造方法にお
いて、コア２２およびクラッド層２１を構成する材料と
してポリマを使用し、成膜はスピンコーティングによる
光導波路基板の製造方法を構成した。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明は、第２の基板にクラッ
ド層を成膜するに際して、アンダークラッド層の表面に
高さ調整層を成膜し、高さ調整層の表面に金属薄膜より
成る半田付けパッドを形成し、次いで、この高さ調整層
の表面に光学特性を満足するに必要な厚さのコア層を成
膜する。そして、コアをパターニングするマスクを形成
してから、オーバークラッド層をエッチング除去して半
田付けパッドを露出させる。
ド層を成膜するに際して、アンダークラッド層の表面に
高さ調整層を成膜し、高さ調整層の表面に金属薄膜より
成る半田付けパッドを形成し、次いで、この高さ調整層
の表面に光学特性を満足するに必要な厚さのコア層を成
膜する。そして、コアをパターニングするマスクを形成
してから、オーバークラッド層をエッチング除去して半
田付けパッドを露出させる。
【００１３】この際に、金属薄膜より成る半田付けパッ
ドがエッチングストップ層となるので、エッチングは半
田付けパッドの金属薄膜が露出したところで停止するこ
ととし、エッチングのコントロールおよび高さ調整層の
厚さコントロールは容易となる。コアの高さは高さ調整
層の成膜の厚さと半田付けパッドの厚さで決まり、両厚
さは高精度に実施することができるので、半田付けパッ
ドの表面からコアの中心位置までの高さは高精度に設定
される。
ドがエッチングストップ層となるので、エッチングは半
田付けパッドの金属薄膜が露出したところで停止するこ
ととし、エッチングのコントロールおよび高さ調整層の
厚さコントロールは容易となる。コアの高さは高さ調整
層の成膜の厚さと半田付けパッドの厚さで決まり、両厚
さは高精度に実施することができるので、半田付けパッ
ドの表面からコアの中心位置までの高さは高精度に設定
される。
【００１４】高さ調整層はクラッド層と同一の材質によ
り形成されて、クラッド層の一部を構成するものである
が、この発明は、調整層として必要な厚さとクラッド層
として必要な厚さとを独立して設定することができるの
で、一方の厚さの調整制御を他方の厚さの調整制御を損
なうことなしに最適に設定することができる。
り形成されて、クラッド層の一部を構成するものである
が、この発明は、調整層として必要な厚さとクラッド層
として必要な厚さとを独立して設定することができるの
で、一方の厚さの調整制御を他方の厚さの調整制御を損
なうことなしに最適に設定することができる。
【００１５】
【実施例】この発明の実施例を図１および図２を参照し
て説明する。図１はこの発明の光導波路装置の分解斜視
図であり、図２は図１の線ｃ−ｃにおける垂直方向断面
を矢印の向きに視た図であるり、第２の基板のコアと第
１の基板上に実装されるＬＤの発光部との間の高さ方向
の位置関係を説明する図である。
て説明する。図１はこの発明の光導波路装置の分解斜視
図であり、図２は図１の線ｃ−ｃにおける垂直方向断面
を矢印の向きに視た図であるり、第２の基板のコアと第
１の基板上に実装されるＬＤの発光部との間の高さ方向
の位置関係を説明する図である。
【００１６】図において、１はシリコン半導体基板より
成る第１の基板を示す。この第１の基板１は、その長さ
方向に交差する２本の切り溝１２により３部分に区画さ
れている。これら３部分の内の左端部の表面には基板の
長さ方向に一方の端部から切り溝１２に亘って断面Ｖ字
溝１１が形成されている。左端部の表面には、更にリー
ド電極１５が形成されている。このリード電極１５には
レーザダイオードＬＤ３が半田付けされる。中間部の表
面には基板の長さ方向に一方の切り溝１２から他方の切
り溝１２に亘って幅広い凹部１３が形成されて、結果と
して基板の長さ方向両側部に段部１４が構成される。そ
して、段部１４の表面には、その左右両端近傍に半田付
けパッド１７が形成されると共にその中間にはアライメ
ントマーク１８が形成されている。右端部の表面にはリ
ード電極１６が形成されている。リード電極１６にはホ
トダイオードＰＤ４が半田付けされる。断面Ｖ字溝１１
には図示されない光ファイバその端面を切り溝１２に臨
ませて嵌合固定される２はシリコン半導体基板より成る
第２の基板を示す。この第２の基板２はその表面にクラ
ッド層２１が成膜され、このクラッド層２１には光導波
路を構成するコア２２およびアライメントマーク２４が
埋設されると共にその表面には４隅近傍に半田付けパッ
ド２３が形成されている。コア２２はクラッド層２１の
左側端面および右側端面に露出している。２５はコア２
２の分岐部端面に接合される誘電体多層膜フィルタであ
る。
成る第１の基板を示す。この第１の基板１は、その長さ
方向に交差する２本の切り溝１２により３部分に区画さ
れている。これら３部分の内の左端部の表面には基板の
長さ方向に一方の端部から切り溝１２に亘って断面Ｖ字
溝１１が形成されている。左端部の表面には、更にリー
ド電極１５が形成されている。このリード電極１５には
レーザダイオードＬＤ３が半田付けされる。中間部の表
面には基板の長さ方向に一方の切り溝１２から他方の切
り溝１２に亘って幅広い凹部１３が形成されて、結果と
して基板の長さ方向両側部に段部１４が構成される。そ
して、段部１４の表面には、その左右両端近傍に半田付
けパッド１７が形成されると共にその中間にはアライメ
ントマーク１８が形成されている。右端部の表面にはリ
ード電極１６が形成されている。リード電極１６にはホ
トダイオードＰＤ４が半田付けされる。断面Ｖ字溝１１
には図示されない光ファイバその端面を切り溝１２に臨
ませて嵌合固定される２はシリコン半導体基板より成る
第２の基板を示す。この第２の基板２はその表面にクラ
ッド層２１が成膜され、このクラッド層２１には光導波
路を構成するコア２２およびアライメントマーク２４が
埋設されると共にその表面には４隅近傍に半田付けパッ
ド２３が形成されている。コア２２はクラッド層２１の
左側端面および右側端面に露出している。２５はコア２
２の分岐部端面に接合される誘電体多層膜フィルタであ
る。
【００１７】第２の基板２は矢印の向きに反転して第１
の基板１の長さ方向両側部の段部１４に亘って接合固定
される。この接合固定は段部１４に形成される半田付け
パッド１７とクラッド層２１表面の半田付けパッド２３
相互を半田付付けして行われる。この接合は、段部１４
に形成されるアライメントマーク１８とクラッド層２１
に形成されるアライメントマーク２４を参照して実施さ
れる。以上により光導波路装置が構成される。
の基板１の長さ方向両側部の段部１４に亘って接合固定
される。この接合固定は段部１４に形成される半田付け
パッド１７とクラッド層２１表面の半田付けパッド２３
相互を半田付付けして行われる。この接合は、段部１４
に形成されるアライメントマーク１８とクラッド層２１
に形成されるアライメントマーク２４を参照して実施さ
れる。以上により光導波路装置が構成される。
【００１８】ＬＤ３から放射された光信号はコア２２の
一方を介して伝送され、誘電体多層膜フィルタ２５にお
いて反射する。反射光信号はコア２２の一方を介して伝
送されて、断面Ｖ字溝１１に嵌合固定される光ファイバ
を介して外部に送信される。反対に、光ファイバを介し
て外部から伝送されてきた光信号はコア２２を介して誘
電体多層膜フィルタ２５を透過し、ＰＤ４に受信され
る。
一方を介して伝送され、誘電体多層膜フィルタ２５にお
いて反射する。反射光信号はコア２２の一方を介して伝
送されて、断面Ｖ字溝１１に嵌合固定される光ファイバ
を介して外部に送信される。反対に、光ファイバを介し
て外部から伝送されてきた光信号はコア２２を介して誘
電体多層膜フィルタ２５を透過し、ＰＤ４に受信され
る。
【００１９】ここで、図３および図４を参照して第２の
基板２を製造する工程を説明する。先ず、図３（ａ）を
参照するに、第２の基板２の表面にアンダークラッド層
２１１を成膜する。そして、アンダークラッド層２１１
表面に金属薄膜を成膜してアライメントマーク２４を形
成する。図３（ｂ）を参照するに、次いで、アライメン
トマーク２４を含みアンダークラッド層２１１表面にコ
ア層２２’を成膜する。
基板２を製造する工程を説明する。先ず、図３（ａ）を
参照するに、第２の基板２の表面にアンダークラッド層
２１１を成膜する。そして、アンダークラッド層２１１
表面に金属薄膜を成膜してアライメントマーク２４を形
成する。図３（ｂ）を参照するに、次いで、アライメン
トマーク２４を含みアンダークラッド層２１１表面にコ
ア層２２’を成膜する。
【００２０】図３（ｃ）を参照するに、コア層２２’の
表面にアライメントマーク２４を位置基準としてコア２
２が形成される領域に対応してマスク２７を形成する。
ここで、マスク２７の形成には、例えば有機レジストを
使用することができる。図３（ｄ）を参照するに、コア
層２２’にエッチング処理を施してコア層２２’を除去
し、アンダークラッド層２１１表面を露出する。これに
よりコア２２がパターニング形成される。
表面にアライメントマーク２４を位置基準としてコア２
２が形成される領域に対応してマスク２７を形成する。
ここで、マスク２７の形成には、例えば有機レジストを
使用することができる。図３（ｄ）を参照するに、コア
層２２’にエッチング処理を施してコア層２２’を除去
し、アンダークラッド層２１１表面を露出する。これに
よりコア２２がパターニング形成される。
【００２１】図４（ｅ）を参照するに、ここで、コア２
２を含む露出せしめられたアンダークラッド層２１１の
表面にクラッド材料より成る高さ調整層２６を成膜す
る。そして、高さ調整層２６の表面に金属薄膜を成膜し
て半田付けパッド２３を形成する。図４（ｆ）を参照す
るに、半田付けパッド２３を含む高さ調整層２６の表面
にオーバークラッド層２１２を成膜する。次いで、オー
バークラッド層２１２の半田付けパッド２３上方部分を
除いて、コア２２上方の表面にマスク２８を形成する。
マスク２８の形成には、例えば、有機レジストを使用す
ることができる。
２を含む露出せしめられたアンダークラッド層２１１の
表面にクラッド材料より成る高さ調整層２６を成膜す
る。そして、高さ調整層２６の表面に金属薄膜を成膜し
て半田付けパッド２３を形成する。図４（ｆ）を参照す
るに、半田付けパッド２３を含む高さ調整層２６の表面
にオーバークラッド層２１２を成膜する。次いで、オー
バークラッド層２１２の半田付けパッド２３上方部分を
除いて、コア２２上方の表面にマスク２８を形成する。
マスク２８の形成には、例えば、有機レジストを使用す
ることができる。
【００２２】図４（ｇ）を参照するに、ここで、オーバ
ークラッド層２１２にエッチング処理を施してその半田
付けパッド２３上方部分を除去して半田付けパッド２３
を露出せしめる。金属薄膜より成る半田付けパッド２３
はエッチングされることはないので、エッチングを深く
堀りすぎても、半田付けパッド２３の上下方向の位置は
影響されない。
ークラッド層２１２にエッチング処理を施してその半田
付けパッド２３上方部分を除去して半田付けパッド２３
を露出せしめる。金属薄膜より成る半田付けパッド２３
はエッチングされることはないので、エッチングを深く
堀りすぎても、半田付けパッド２３の上下方向の位置は
影響されない。
【００２３】図５を参照して第２の基板２を製造する第
２の工程を説明する。先ず、図５（ａ）を参照するに、
第２の基板２の表面にアンダークラッド層２１１を成膜
し、アンダークラッド層２１１表面にコア層２２’を成
膜する。コア層２２’表面にクラッド材料より成る高さ
調整層２６を成膜する。ここで、この高さ調整層２６表
面に半田付けパッド２３およびアライメントマーク２４
を形成する。
２の工程を説明する。先ず、図５（ａ）を参照するに、
第２の基板２の表面にアンダークラッド層２１１を成膜
し、アンダークラッド層２１１表面にコア層２２’を成
膜する。コア層２２’表面にクラッド材料より成る高さ
調整層２６を成膜する。ここで、この高さ調整層２６表
面に半田付けパッド２３およびアライメントマーク２４
を形成する。
【００２４】図５（ｂ）を参照するに、ここで、半田付
けパッド２３およびアライメントマーク２４の表面にマ
スク２７Ａを形成すると共に、コア２２が形成されるべ
き領域に対応する高さ調整層２６表面にアライメントマ
ーク２４を位置基準としてマスク２７Ｂを形成する。図
５（ｃ）を参照するに、高さ調整層２６表面をアンダー
クラッド層２１１表面が露出するまでエッチング処理を
施してコア２２を高さ調整層２６ごとパターニングし、
次いで、マスク２７Ａおよび２７Ｂを除去する。
けパッド２３およびアライメントマーク２４の表面にマ
スク２７Ａを形成すると共に、コア２２が形成されるべ
き領域に対応する高さ調整層２６表面にアライメントマ
ーク２４を位置基準としてマスク２７Ｂを形成する。図
５（ｃ）を参照するに、高さ調整層２６表面をアンダー
クラッド層２１１表面が露出するまでエッチング処理を
施してコア２２を高さ調整層２６ごとパターニングし、
次いで、マスク２７Ａおよび２７Ｂを除去する。
【００２５】図５（ｄ）を参照するに、半田付けパッド
２３、アライメントマーク２４およびコア２２を含みア
ンダークラッド層２１１表面に、オーバークラッド層２
１２を成膜形成する。次いで、オーバークラッド層２１
２の内の半田付けパッド２３上方部分およびアライメン
トマーク２４の上方部分を除くコア２２上方の表面にマ
スク２８を形成する。ここで、オーバークラッド層２１
２にエッチング処理を施して半田付けパッド２３上方部
分を除去して半田付けパッド２３を露出せしめる。金属
薄膜より成る半田付けパッド２３はエッチングされるこ
とはないので、エッチングを深く堀りすぎても、半田付
けパッド２３の上下方向の位置は影響されない。
２３、アライメントマーク２４およびコア２２を含みア
ンダークラッド層２１１表面に、オーバークラッド層２
１２を成膜形成する。次いで、オーバークラッド層２１
２の内の半田付けパッド２３上方部分およびアライメン
トマーク２４の上方部分を除くコア２２上方の表面にマ
スク２８を形成する。ここで、オーバークラッド層２１
２にエッチング処理を施して半田付けパッド２３上方部
分を除去して半田付けパッド２３を露出せしめる。金属
薄膜より成る半田付けパッド２３はエッチングされるこ
とはないので、エッチングを深く堀りすぎても、半田付
けパッド２３の上下方向の位置は影響されない。
【００２６】この第２の製造工程は、コア層２２’表面
に高さ調整層２６を成膜した後にコア２２のパターニン
グを行う。従って、コア層２２’の厚みも高さ調整層２
６の一部を構成しているので、この場合の高さ調整層２
６は第１の製造工程の場合と比較して薄く成膜する。図
６を参照するに、これは第２の製造工程において、金属
薄膜を成膜して半田付けパッドをパターニングする際
に、コア２２をパターニングするマスク２７Ｂを同時に
成膜形成する。即ち、コア２２をパターニングする際の
マスク２７Ｂを半田付けパッド２３およびアライメント
マーク２４形成と同時に金属薄膜で形成すれば、半田付
けパッド２３およびアライメントマークコア２４を１枚
のフォトマスクにより形成することができるので、夫々
の位置関係は容易に高精度に実現することができる。な
お、マスク２７Ａとしては、例えば、有機レジストを使
用することができる。
に高さ調整層２６を成膜した後にコア２２のパターニン
グを行う。従って、コア層２２’の厚みも高さ調整層２
６の一部を構成しているので、この場合の高さ調整層２
６は第１の製造工程の場合と比較して薄く成膜する。図
６を参照するに、これは第２の製造工程において、金属
薄膜を成膜して半田付けパッドをパターニングする際
に、コア２２をパターニングするマスク２７Ｂを同時に
成膜形成する。即ち、コア２２をパターニングする際の
マスク２７Ｂを半田付けパッド２３およびアライメント
マーク２４形成と同時に金属薄膜で形成すれば、半田付
けパッド２３およびアライメントマークコア２４を１枚
のフォトマスクにより形成することができるので、夫々
の位置関係は容易に高精度に実現することができる。な
お、マスク２７Ａとしては、例えば、有機レジストを使
用することができる。
【００２７】ここで、以上の製造工程のプロセス温度は
４００℃程度であり、コア材料およびクラッド材料とし
てフッ素化ポリイミドの如きポリマを使用することによ
り、内層に金属薄膜を成膜しても影響を与えない。ま
た、成膜をスピンコーティングにより実施することによ
り、１μｍ以下の成膜の厚さ精度を容易に実現すること
ができる。
４００℃程度であり、コア材料およびクラッド材料とし
てフッ素化ポリイミドの如きポリマを使用することによ
り、内層に金属薄膜を成膜しても影響を与えない。ま
た、成膜をスピンコーティングにより実施することによ
り、１μｍ以下の成膜の厚さ精度を容易に実現すること
ができる。
【００２８】以上の通りにして構成された第２の基板２
は、アライメントマーク２４に対するコア２２および半
田付けパッド２３の位置が水平および垂直方向共に高精
度に位置決めされるので、このアライメントマーク２４
を認識しながら第１の基板１の所定位置に正確に搭載位
置決めすることができ、コア２２とＬＤ３との間の高精
度位置合せを実施することができる。
は、アライメントマーク２４に対するコア２２および半
田付けパッド２３の位置が水平および垂直方向共に高精
度に位置決めされるので、このアライメントマーク２４
を認識しながら第１の基板１の所定位置に正確に搭載位
置決めすることができ、コア２２とＬＤ３との間の高精
度位置合せを実施することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、光導
波路のコア上にクラッド材質の高さ調整層を成膜し、更
に、この表面に光学特性上必要な膜厚のオーバークラッ
ド層を成膜するので、高さ調整が容易は容易であり、高
さ調整層の厚さとオーバークラッド層の厚さとを独立し
て最適値に構成することができる。
波路のコア上にクラッド材質の高さ調整層を成膜し、更
に、この表面に光学特性上必要な膜厚のオーバークラッ
ド層を成膜するので、高さ調整が容易は容易であり、高
さ調整層の厚さとオーバークラッド層の厚さとを独立し
て最適値に構成することができる。
【００３０】そして、半田付けパッドは金属薄膜より成
り、エッチングされることはないので、エッチングを少
し深く堀りすぎても半田付けパッドの上下方向の位置に
影響は及ばない。また、金属薄膜を成膜して半田付けパ
ッドをパターニングする際に、コアのマスクを半田付け
パッドおよびアライメントマーク形成と同時に金属薄膜
で形成することにより、半田付けパッドおよびアライメ
ントマークコアを１枚のフォトマスクにより形成するこ
とができるので、夫々の位置関係は容易に高精度に実現
することができる。
り、エッチングされることはないので、エッチングを少
し深く堀りすぎても半田付けパッドの上下方向の位置に
影響は及ばない。また、金属薄膜を成膜して半田付けパ
ッドをパターニングする際に、コアのマスクを半田付け
パッドおよびアライメントマーク形成と同時に金属薄膜
で形成することにより、半田付けパッドおよびアライメ
ントマークコアを１枚のフォトマスクにより形成するこ
とができるので、夫々の位置関係は容易に高精度に実現
することができる。
【００３１】更に、製造工程のプロセス温度は４００℃
程度であり、コア材料およびクラッド材料としてポリマ
を使用することにより、内層に金属薄膜を成膜しても影
響を与えない。成膜をスピンコーティングにより実施す
ることにより、１μｍ以下の成膜の厚さ精度を容易に実
現することができる。以上の通りにして構成された第２
の基板は、アライメントマークに対するコアおよび半田
付けパッドの位置が水平および垂直方向共に高精度に位
置決めされるので、このアライメントマークを認識しな
がら第１の基板の所定位置に正確に搭載位置決めするこ
とができ、コアと光学素子との間の高精度位置合せを実
施することができる。
程度であり、コア材料およびクラッド材料としてポリマ
を使用することにより、内層に金属薄膜を成膜しても影
響を与えない。成膜をスピンコーティングにより実施す
ることにより、１μｍ以下の成膜の厚さ精度を容易に実
現することができる。以上の通りにして構成された第２
の基板は、アライメントマークに対するコアおよび半田
付けパッドの位置が水平および垂直方向共に高精度に位
置決めされるので、このアライメントマークを認識しな
がら第１の基板の所定位置に正確に搭載位置決めするこ
とができ、コアと光学素子との間の高精度位置合せを実
施することができる。
【図１】実施例を説明する斜視図。
【図２】図１の一部の断面図。
【図３】製造工程の実施例を説明する図。
【図４】図３の続き。
【図５】製造工程の第２の実施例を説明する図。
【図６】製造工程の第３の実施例を説明する図。
【図７】従来例を説明する図。
１ 第１の基板 １１ 断面Ｖ字溝 １２ 切り溝 １３ 凹部 １４ 段部 １５ リード電極 １６ リード電極 １７ 半田付けパッド １８ アライメントマーク ２ 第２の基板 ２１ クラッド層 ２１１ アンダークラッド層 ２１２ オーバークラッド層 ２２ コア ２２’コア層 ２３ 半田付けパッド ２４ アライメントマーク ２５ 誘電体多層膜フィルタ ２６ 高さ調整層 ２７ マスク ２７Ａ マスク ２７Ｂ マスク ２８ マスク ３ レーザダイオードＬＤ ３１ 発光部 ４ ホトダイオードＰＤ ５ 高さ調整部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 BA11 CA37 DA12 DA18 2H047 KA04 LA14 LA18 MA05 MA07 PA02 PA21 PA24 QA05 QA07 TA42 TA43 TA44
Claims (7)
- 【請求項１】 光ファイバを位置決め固定する断面Ｖ字
溝を形成すると共に光学素子を実装した第１の基板に対
して光導波路を構成するコアがクラッド層に埋設形成さ
れる第２の基板をクラッド層側を介して接合して構成さ
れる光分岐装置において、 クラッド層の表面にクラッド層を構成する材料と同一の
材料より成る高さ調整層を形成し、光学素子とコアとの
間の高さ方向の位置合わせをすることを特徴とする光分
岐装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載される光分岐装置におい
て、 高さ調整層の表面に半田付けパッドを形成すると共に第
１の基板の表面に半田付けパッドを形成し、半田付けパ
ッドを相互接続したことを特徴とする光分岐装置。 - 【請求項３】 請求項１および請求項２の内の何れかに
記載される光分岐装置において、 コアおよびクラッド層はポリマより成るものであること
を特徴とする光分岐装置。 - 【請求項４】 光導波路を構成するコアを形成する基板
の表面にアンダークラッド層を成膜形成し、アンダーク
ラッド層表面にアライメントマークを形成し、コア層を
成膜し、アライメントマークを水平方向の位置基準とし
てコアをパターニングし、クラッド材料と同一材料より
成る高さ調整層をコアを含むアンダークラッド層表面に
成膜形成し、高さ調整層表面に金属材料薄膜を成膜して
半田付けパッドを形成し、高さ調整層表面にオーバクラ
ッド層を成膜し、オーバクラッド層にエッチング処理を
施して半田付けパッドを露出せしめることを特徴とする
光導波路基板の製造方法。 - 【請求項５】 光導波路を構成するコアを形成する基板
の表面にアンダークラッド層、コア層、クラッド材料と
同一材料より成る高さ調整層をこの順に成膜形成し、高
さ調整層表面に金属材料薄膜を成膜して半田付けパッド
およびアライメントマークを形成し、アライメントマー
クを水平方向の位置基準として、コアを高さ調整層ごと
パターニングした後、オーバークラッド層を成膜し、オ
ーバークラッド層にエッチング処理を施して半田付けパ
ッドを露出せしめることを特徴とする光導波路基板の製
造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載される光導波路基板の製
造方法において、 半田付けパッドをパターニングするに際して、コアをパ
ターニングするマスクを同時に形成することを特徴とす
る光導波路基板の製造方法。 - 【請求項７】 請求項４ないし請求項６の内の何れかに
記載される光導波路基板の製造方法において、 コアおよびクラッド層を構成する材料としてポリマを使
用し、成膜はスピンコーティングによることを特徴とす
る光導波路基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271821A JP2000098157A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 光分岐装置およびその製造方法 |
| EP99118067A EP0989641A3 (en) | 1998-09-25 | 1999-09-23 | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
| US09/401,327 US6324314B1 (en) | 1998-09-25 | 1999-09-23 | Optical hybrid integrated device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10271821A JP2000098157A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 光分岐装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000098157A true JP2000098157A (ja) | 2000-04-07 |
Family
ID=17505328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10271821A Pending JP2000098157A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | 光分岐装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6324314B1 (ja) |
| EP (1) | EP0989641A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000098157A (ja) |
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| WO2021161971A1 (ja) * | 2020-02-14 | 2021-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法 |
| JPWO2022118861A1 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 |
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- 1998-09-25 JP JP10271821A patent/JP2000098157A/ja active Pending
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1999
- 1999-09-23 EP EP99118067A patent/EP0989641A3/en not_active Withdrawn
- 1999-09-23 US US09/401,327 patent/US6324314B1/en not_active Expired - Lifetime
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