JP2000077938A

JP2000077938A - 水晶発振器

Info

Publication number: JP2000077938A
Application number: JP10248020A
Authority: JP
Inventors: Koji Tanaka; 宏治田中
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-09-02
Filing date: 1998-09-02
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】水晶発振器の出力周波数安定化を図るため
に、水晶振動子の温度を最適の温度に保つヒータ温度制
御は環境温度及び水晶振動子の特性に応じた非線形の制
御特性なのが効果的であるが、従来の装置では困難であ
った。【解決手段】環境温度及び水晶振動子に応じた制御値
をＥＰＲＯＭに記憶させて、ヒータ用のレギュレータ回
路を構成して、その中のＭＯＳＦＥＴのゲートパルスデ
ューティーをＥＰＲＯＭの値によって制御することで環
境温度に応じてヒータ温度を最適にしながら水晶発振器
の出力周波数を安定化するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波通
信、レーダ等で使用される水晶発振器に係り、特にその
周波数特性安定化に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来の水晶発振器の一例を示した
ものである。この図において、１は水晶振動子、２はヒ
ータ、３は発振回路、４はバッファ回路、５はサーミス
タ、６は比較回路、７はトランジスタ、２６ａは第１の
電源、２６ｂは第２の電源、２６ｃは第３の電源、２７
ａは第１の抵抗、２７ｂは第２の抵抗、２７ｃは第３の
抵抗、２７ｄは第４の抵抗、２７ｅは第５の抵抗、２８
ａは第１のコンデンサ、２８ｂは第２のコンデンサ、２
９はトランジスタ、３０は差動増幅器、３１は基準電
源、３２はダイオードである。

【０００３】次に動作について説明する。水晶振動子１
は適切なバイアスが加わることで水晶が振動し、且つト
ランジスタ２９、第２の電源とトランジスタ２９のコレ
クタ間に接続した第１の抵抗２７ａ、第２の電源とトラ
ンジスタ２９のベース間に接続した第２の抵抗２７ｂ、
トランジスタ２９のエミッタとグランド間に接続した第
３の抵抗２７ｃ、トランジスタ２９のエミッタとベース
間に接続した第１のコンデンサ２８ａ、トランジスタ２
９のベースとグランド間に接続した第２のコンデンサ２
８ｂ等で構成される発振回路３に接続して所定の周波数
で共振することで、安定して且つ増幅された発振信号を
生ずる。この発振信号はバッファ回路４により更に増幅
されて特定のレベルに達する。この際、水晶振動子１は
ヒータ２により緩められて所定の温度に保たれる。サー
ミスタ５は水晶振動子１の温度によりその抵抗値が変わ
り、その結果第３の電源２６ｃの電圧は第４の抵抗２７
ｄと第５の抵抗２７ｅとサーミスタ５の抵抗によって分
圧されるので、比較回路６の中の差動増幅器３０に入力
する電圧が変わり、基準電圧電源３１の電圧と比較され
てその差分が差動増幅器３０により増幅されて制御信号
として出力する。この制御信号は整流用のダイオード３
２を経由しながらトランジスタ７のベースに入力してコ
レクタ電流を制御する結果、第１の電源２６ａからヒー
タ２に流れる電流が調整されてヒータ２の温度が制御さ
れる。その結果環境温度に応じて水晶振動子１の温度が
制御されることになる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の水晶発振器は、
以上のようにサーミスタ５と比較回路６により制御して
いたので、環境温度に対してヒータ温度の制御はほぼ線
形な関係となっている。しかし、水晶振動子温度と周波
数の特性は図７に示すような非線形な関係であり、この
特性の傾きが零になるターニングポイント近傍の温度範
囲にて動作させる必要があり、周波数の安定化が困難で
あった。また、水晶振動子温度と周波数の関係は水晶振
動子個々によって温度特性が異なることが多く、このよ
うな個々の特性の差に対応することも困難であった。

【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、水晶振動子温度と周波数の関係が
非線形な関係であり、かつ個々の水晶振動子の特性に差
が生じても、周波数が安定した出力を得る水晶発振器を
提供する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の発明による水晶発
振器は、プッシュプル回路によるヒータ用のレギュレー
タ回路を構成して、かつ環境温度および水晶振動子の特
性に応じた制御値をメモリに記憶させて、レギュレータ
回路の中の金属酸化膜半導体電界効果型トランジスタ
（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートパルスデューティーを、上記
メモリの制御値によりパルス幅変調回路のパルス出力デ
ューティーを調整することで、制御しながらヒータ温度
を最適に管理して発振周波数を安定化するようにするも
のである。

【０００７】第２の発明による水晶発振器は、フォーワ
ードコンバータ回路によるヒータ用のレギュレータ回路
を構成して、かつ環境温度および水晶振動子の特性に応
じた制御値をメモリに記憶させて、レギュレータ回路の
中のＭＯＳＦＥＴのゲートパルスデューティーを、メモ
リの制御値によりパルス幅変調回路のパルス出力デュー
ティーを調整することで、制御しながらヒータ温度を最
適に管理して発振周波数を安定化するようにするもので
ある。

【０００８】第３の発明による水晶発振器は、フライバ
ックコンバータ回路によるヒータ用のレギュレータ回路
を構成して、かつ環境温度および水晶振動子の特性に応
じた制御値をメモリに記憶させて、レギュレータ回路の
中のＭＯＳＦＥＴのゲートパルスデューティーを、メモ
リの制御値によりパルス幅変調回路のパルス出力デュー
ティーを調整することで、制御しながらヒータ温度を最
適に管理して発振周波数を安定化するようにするもので
ある。

【０００９】第４の発明による水晶発振器は、フルブリ
ッジコンバータ回路によるヒータ用のレギュレータ回路
を構成して、かつ環境温度および水晶振動子の特性に応
じた制御値をメモリに記憶させて、レギュレータ回路の
中のＭＯＳＦＥＴのゲートパルスデューティーを、メモ
リの制御値によりパルス幅変調回路のパルス出力デュー
ティーを調整することで、制御しながらヒータ温度を最
適に管理して発振周波数を安定化するようにするもので
ある。

【００１０】第５の発明による水晶発振器は、シリーズ
レギュレータ回路によるヒータ用のレギュレータ回路を
構成して、かつ環境温度および水晶振動子の特性に応じ
た制御値をメモリに記憶させて、レギュレータ回路の中
のトランジスタのベース電圧をメモリの制御値によって
制御することで、ヒータ温度を最適に管理して発振周波
数を安定化するようにするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１を示すブロック図であり、図において１〜
５および２６〜２９は上記従来装置と同一のものであ
る。８は温度センサ回路、９はＡ／Ｄコンバータ、１０
はラッチ回路、１１はイレーザブル／プログラマブルリ
ードオンリメモリ（ＥＰＲＯＭ）回路、１２はＤ／Ａコ
ンバータ、１３はパルス幅変調回路、１４はドライバ回
路、１５はＭＯＳＦＥＴ、１６はトランス、１７は整流
／フィルタ回路である。

【００１２】次に動作について説明する。水晶振動子１
は適切なバイアスが加わることで水晶が振動し、かつト
ランジスタ２９、第２の電源とトランジスタ２９のコレ
クタ間に接続した第１の抵抗２７ａ、第２の電源とトラ
ンジスタ２９のベース間に接続した第２の抵抗２７ｂ、
トランジスタ２９のエミッタとグランド間に接続した第
３の抵抗２７ｃ、トランジスタ２９のエミッタとベース
間に接続した第１のコンデンサ２８ａ、トランジスタ２
９のベースとグランド間に接続した第２のコンデンサ２
８ｂ等で構成される発振回路３に接続して所定の周波数
で共振することで、安定して且つ増幅された発振信号を
生ずる。この発振信号はバッファ回路４により更に増幅
されて特定のレベルに達する。この際、水晶振動子１は
ヒータ２により緩められて所定の温度に保たれる。サー
ミスタ５は水晶振動子１の温度によりその抵抗値が変わ
り、その抵抗値の変動は温度センサ回路８にて検知され
てアナログ信号により出力される。この出力信号はＡ／
Ｄコンバータ９によってデジタル化された後にラッチ回
路１０によってホールドされてＥＰＲＯＭ回路１１に入
力する。このデジタル化された温度に関する信号はＥＰ
ＲＯＭ回路１１においてアドレスとして読み込まれ、水
晶振動子１の温度特性と環境温度に対応して出力周波数
が安定するためにヒータを制御するように記憶された制
御信号がＥＰＲＯＭ回路１１から読み出される。

【００１３】この信号はＤ／Ａコンバータ１２に入力し
てアナログ化されてパルス幅変調回路１３に入力する。
このアナログ信号はパルス幅変調回路１３の中で発生す
る特定の三角波と比較されて三角波の電圧が高い場合は
パルスを発生して、アナログ信号の電圧が高い場合は０
Ｖが出力する。したがって、アナログ信号の電圧が低い
程、パルスデューティーが高くなる。パルス幅変調回路
１３は２つのこのパルス信号が交互に出力するように構
成されており、それぞれのパルス信号はドライバ回路１
４ａおよび１４ｂで増幅された後にＭＯＳＦＥＴ１５ａ
とＭＯＳＦＥＴ１５ｂのゲートにそれぞれ入力する。

【００１４】従って、ＭＯＳＦＥＴ１５ａとＭＯＳＦＥ
Ｔ１５ｂは交互にＯＮ／ＯＦＦを繰り返し、第１の電源
２６ａから流れる電流によりトランス１６を励磁してそ
の２次側に電圧を発生する。この電圧は整流／フィルタ
回路１７にて整流およびフィルタ機能によって不要なリ
ップル等が抑圧されて平滑されたＤＣ電圧がヒータ２に
印加される。従って、サーミスタ５からの温度情報によ
って、ＭＯＳＦＥＴ１５のゲートパルスデューティーが
適切に制御されることでヒータ電圧を水晶振動子１の特
性に合わせて最適の値に管理することができ、発振周波
数の安定化が図れる。図８（ａ）は従来の環境温度とヒ
ータ制御温度の関係を示すが、この発明によって図８
（ｂ）に示す水晶振動子の特性に応じて必要なヒータ制
御温度カーブにほぼ近似した図８（ｃ）に示す特性が得
られる。

【００１５】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２を示したブロック図であり、図において１〜１７お
よび２６〜２９は上記実施の形態１と同一のものであ
る。１８はダイオード、１９は抵抗、２０はコンデン
サ、２６は電源である。

【００１６】次に動作について説明する。水晶振動子１
からパルス幅変調回路１３までの動作は実施の形態１と
同じであり省略する。パルス幅変調回路１３から出力す
る信号はドライバ回路１４で増幅された後にＭＯＳＦＥ
Ｔ１５のゲートに入力する。ＭＯＳＦＥＴ１５がＯＮの
時、電源からトランス１６、ＭＯＳＦＥＴ１５を経由し
て電流が流れる。ＯＦＦの場合は、トランス１６の起電
力によりダイオード１６、抵抗１９、コンデンサ２０、
トランス１６のループ内で電流が流れる。この一連の動
作により第１の電源２６からの電流によりトランス１６
は励磁してその２次側に電圧を発生する。この電圧は整
流／フィルタ回路１７にて整流およびフィルタ機能によ
って不要なリップル等が抑圧されて平滑されたＤＣ電圧
がヒータに印加される。従って、サーミスタ５からの温
度情報によって、ＭＯＳＦＥＴ１５のゲートパルスデュ
ーティーが適切に制御されることでヒータ電圧を水晶振
動子１の特性に合わせて最適の値に管理することがで
き、発振周波数の安定化が図れる。図８（ａ）は従来の
環境温度とヒータ制御温度の関係を示すが、この発明に
よって図８（ｂ）に示す水晶振動子の特性に応じて必要
なヒータ制御温度カーブにほぼ近似した図８（ｃ）に示
す特性が得られる。

【００１７】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３を示したブロック図であり、図において１〜１７お
よび２６〜２９は上記実施の形態１と同一のものであ
る。２１はダイオード、２６は電源である。

【００１８】次に動作について説明する。水晶振動子１
からパルス幅変調回路１３までの動作は実施の形態１と
同じであり省略する。パルス幅変調回路１３から出力す
る信号はドライバ回路１４で増幅された後にＭＯＳＦＥ
Ｔ１５のゲートに入力する。ＭＯＳＦＥＴ１５がＯＮの
時、第１の電源２６からトランス１６、ＭＯＳＦＥＴ１
５を経由して電流が流れる。ＯＦＦの場合は、一次側に
は電流は流れない。しかしトランス１６の二次側の起電
力によりトランス１６、ダイオード２１、整流／フィル
タ回路１７のループ内で電流が流れる。この一連の動作
により２次側に連続したリップルが付随したＤＣ電圧を
発生する。この電圧は整流／フィルタ回路１７にて整流
およびフィルタ機能によって不要なリップル等が抑圧さ
れて平滑されたＤＣ電圧がヒータに印加される。従っ
て、サーミスタ５からの温度情報によって、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１５のゲートパルスデューティーが適切に制御される
ことでヒータ電圧を水晶振動子１の特性に合わせて最適
の値に管理することができ、発振周波数の安定化が図れ
る。図８（ａ）は従来の環境温度とヒータ制御温度の関
係を示すが、この発明によって図８（ｂ）に示す水晶振
動子の特性に応じて必要なヒータ制御温度カーブにほぼ
近似した図８（ｃ）に示す特性が得られる。

【００１９】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４を示したブロック図であり、図において１〜１４お
よび２６〜２９は上記実施の形態１と同一のものであ
る。１５ａは第１のＭＯＳＦＥＴ、１５ｂは第２のＭＯ
ＳＦＥＴ、１５ｃは第３のＭＯＳＦＥＴ、１５ｄは第４
のＭＯＳＦＥＴ、１６はトランス、１７は整流／フィル
タ回路、２２ａは第１のダイオード、２２ｂは第２のダ
イオード、２２ｃは第３のダイオード、２２ｄは第４の
ダイオードである。

【００２０】次に動作について説明する。水晶振動子１
からパルス幅変調回路１３までの動作は実施の形態１と
同じであり省略する。パルス幅変調回路１３から出力す
る信号はドライバ回路１４で増幅された後にＭＯＳＦＥ
Ｔ１５ａ〜１５ｄのゲートに入力する。ＭＯＳＦＥＴ１
５ａとＭＯＳＦＥＴ１５ｃが、ＭＯＳＦＥＴ１５ｂとＭ
ＯＳＦＥＴ１５ｄがペアでそれぞれＯＮ／ＯＦＦするこ
とでトランス１６が励磁され、二次側に電圧を発生す
る。また、全てのＭＯＳＦＥＴがＯＦＦの場合、ＭＯＳ
ＦＥＴ１５ａとＭＯＳＦＥＴ１５ｃがＯＮであった後は
トランス１６のエネルギーはトランス１６の、ダイオ
ード２２ｂ、第１の電源２６ｂ、グランド、ダイオード
２２ｄ、トランス１６のの順に電流が流れ放出され
る。また、全てのＭＯＳＦＥＴがＯＦＦの場合、ＭＯＳ
ＦＥＴ１５ｄとＭＯＳＦＥＴ１５ｄがＯＮであった後は
トランス１６のエネルギーはトランス１６の、ダイオ
ード２２ａ、第１の電源２６ｂ、グランド、ダイオード
２２ｃ、トランス１６のの順に電流が流れ放出され
る。２次側に発生した電圧は整流／フィルタ回路１７に
て整流およびフィルタ機能によって不要なリップル等が
抑圧されて平滑されたＤＣ電圧がヒータ２に印加され
る。従って、サーミスタ５からの温度情報によって、Ｍ
ＯＳＦＥＴ１５ａ〜１５ｄのゲートパルスデューティー
が適切に制御されることでヒータ電圧を水晶振動子１の
特性に合わせて最適の値に管理することができ、発振周
波数の安定化が図れる。図８（ａ）は従来の環境温度と
ヒータ制御温度の関係を示すが、この発明によって図８
（ｂ）に示す水晶振動子の特性に応じて必要なヒータ制
御温度カーブにほぼ近似した図８（ｃ）に示す特性が得
られる。

【００２１】実施の形態５．図５はこの発明の実施の形
態５を示したブロック図であり、図において１〜１２，
１４は上記実施の形態１と同一のものである。２３はト
ランジスタ、２４はダイオード、２５はフィルタ回路、
２６は電源である。

【００２２】次に動作について説明する。水晶振動子１
からＥＰＲＯＭ回路１１までの動作は実施の形態１と同
じであり省略する。デューティー化された温度に関する
信号はＥＰＲＯＭ回路１１においてアドレスとして読み
込まれ、水晶振動子１の温度特性と環境温度に対応して
出力周波数が安定するためにヒータを制御するように記
憶された制御信号がＥＰＲＯＭ回路１１から読み出され
る。この信号はＤ／Ａコンバータ１２に入力してアナロ
グ化されてドライバ回路１４で増幅された後にトランジ
スタ２３のベースに入力する。ベース電圧のレベルによ
ってトランジスタ２３のコレクタ−エミッタ間の電圧を
制御することで、第１の電源２６からダイオード２４を
経由して希望の電圧を出力してフィルタ回路２５で平滑
化された後にヒータ２に印加される。従って、サーミス
タ５からの温度情報によって、トランジスタ２３のベー
ス電圧が適切に制御されることでヒータ電圧を水晶振動
子１の特性に合わせて最適の値に管理することができ、
発振周波数の安定化が図れる。図８（ａ）は従来の環境
温度とヒータ制御温度の関係を示すが、この発明によっ
て図８（ｂ）に示す水晶振動子の特性に応じて必要なヒ
ータ制御温度カーブにほぼ近似した図８（ｃ）に示す特
性が得られる。

【００２３】

【発明の効果】第１の発明によれば、メモリに必要な制
御信号を記憶させることで、環境温度に応じて最適のヒ
ータ温度の制御が可能になり、更に水晶振動子の特性も
反映させることができるので、発振器の出力周波数の安
定化を図ることができる。また、トランスの１次側と２
次側のリターンラインをアイソレートさせることができ
るので、ヒータ回路回りのノイズの干渉についても改善
が図れる。

【００２４】第２の発明によれば、メモリに必要な制御
信号を記憶させることで、環境温度に応じて最適のヒー
タ温度の制御が可能になり、更に水晶振動子の特性も反
映させることができるので、発振器の出力周波数の安定
化を図ることができる。また、トランスの１次側と２次
側のリターンラインをアイソレートさせることができる
ので、ヒータ回路回りのノイズの干渉についても改善が
図れる。第１の発明に比べややノイズが大きくなるもの
の、ドライバ回路が半減して、ＭＯＳＦＥＴが１つ、ダ
イオード、抵抗、コンデンサで構成されて回路の簡潔
化、コスト低減を図れる。

【００２５】第３の発明によれば、メモリに必要な制御
信号を記憶させることで、環境温度に応じて最適のヒー
タ温度の制御が可能になり、更に水晶振動子の特性も反
映させることができるので、発振器の出力周波数の安定
化を図ることができる。また、トランスの１次側と２次
側のリターンラインをアイソレートさせることができる
ので、ヒータ回路回りのノイズの干渉についても改善が
図れる。第１および第２の発明に比べややノイズが大き
くなるものの、ＭＯＳＦＥＴが１つおよびダイオード１
つで構成されて回路の簡潔化、コスト低減を図れる。

【００２６】第４の発明によれば、メモリに必要な制御
信号を記憶させることで、環境温度に応じて最適のヒー
タ温度の制御が可能になり、更に水晶振動子の特性も反
映させることができるので、発振器の出力周波数の安定
化を図ることができる。また、トランスの１次側と２次
側のリターンラインをアイソレートさせることができる
ので、ヒータ回路回りのノイズの干渉についても改善が
図れる。第１、第２および第３の発明に比べやや回路規
模が大きくなるものの、１次側で比較的大きな電流を扱
えるので、ヒータ温度制御の高速化を図れるので、環境
温度範囲が広い場合は有利になる。

【００２７】第５の発明によれば、メモリに必要な制御
信号を記憶させることで、環境温度に応じて最適のヒー
タ温度の制御が可能になり、更に水晶振動子の特性も反
映させることができるので、発振器の出力周波数の安定
化を図ることができる。第１、第２、第３および第４の
発明に比べて電力変換効率が悪いものの、パルス幅変調
回路、トランス、整流回路等が不要になり、最も回路構
成が簡潔化されてコストの低減を図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による水晶発振器の実施の形態１を
示す図である。

【図２】この発明による水晶発振器の実施の形態２を
示す図である。

【図３】この発明による水晶発振器の実施の形態３を
示す図である。

【図４】この発明による水晶発振器の実施の形態４を
示す図である。

【図５】この発明による水晶発振器の実施の形態５を
示す図である。

【図６】従来の水晶発振器の構成の一例を示す図であ
る。

【図７】水晶振動子の温度と発振周波数の関係を示す
図である。

【図８】水晶振動子における環境温度とヒータ制御温
度の関係を示す図である。

【符号の説明】

１水晶振動子、２ヒータ、３発振回路、４バッ
ファ回路、５サーミスタ、６比較回路、７第１の
トランジスタ、８温度センサ回路、９Ａ／Ｄコンバ
ータ、１０ラッチ回路、１１ＥＰＲＯＭ回路、１２
Ｄ／Ａコンバータ、１３パルス幅変調回路、１４
ドライバ回路、１４ａ第１のドライバ回路、１４ｂ
第２のドライバ回路、１４ｃ第３のドライバ回路、１
４ｄ第４のドライバ回路、１５ＭＯＳＦＥＴ、１５
ａ第１のＭＯＳＦＥＴ、１５ｂ第２のＭＯＳＦＥＴ、
１５ｃ第３のＭＯＳＦＥＴ、１５ｄ第４のＭＯＳＦ
ＥＴ、１６トランス、１７整流／フィルタ回路、１
８ダイオード、１９抵抗、２０コンデンサ、２１
ダイオード、２２ａ第１のダイオード、２２ｂ第２
のダイオード、２２ｃ第３のダイオード、２２ｄ第
４のダイオード、２３トランジスタ、２４ダイオー
ド、２５フィルタ回路、２６ａ第１の電源、２６ｂ
第２の電源、２７ａ第１の抵抗、２７ｂ第２の抵
抗、２７ｃ第３の抵抗、２７ｄ第４の抵抗、２７ｅ
第５の抵抗、２８ａ第１のコンデンサ、２８ｂ第
２のコンデンサ、２９トランジスタ、３０差動増幅
器、３１基準電源、３２ダイオード。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発振回路と、上記発振回路に接続する水
晶振動子と、上記水晶振動子の温度を検知する温度検知
素子と、上記温度検知素子で検知された温度情報をアナ
ログ信号に変換する温度センサ回路と、上記温度センサ
回路の出力信号をデジタル化するＡ／Ｄコンバータと、
上記Ａ／Ｄコンバータの出力信号をサンプルアンドホー
ルドするラッチ回路と、このラッチ回路の出力信号をア
ドレス信号として読み込み環境温度及び上記水晶振動子
の温度特性に対応して記憶された制御信号を出力するメ
モリと、上記メモリの出力信号をアナログ化するＤ／Ａ
コンバータと、上記Ｄ／Ａコンバータに接続して入力信
号レベルに応じて出力するパルス幅のデューティーが変
わるパルス幅変調回路と、上記パルス幅変調回路に接続
したドライバ回路と、上記ドライバ回路によりゲートを
駆動されるように接続した第１と第２の金属酸化膜半導
体電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と、上記第
１と第２のＭＯＳＦＥＴのドレインが一次側にて接続し
たトランスと、上記トランスの１次側の巻線のセンター
タップで接続した第１の電源と、上記トランスの二次側
に接続され上記水晶振動子の温度を所定値に保つヒータ
とを具備したことを特徴とする水晶発振器。
【請求項２】発振回路と、上記発振回路に接続する水
晶振動子と、上記水晶振動子の温度を検知する温度検知
素子と、上記温度検知素子で検知された温度情報をアナ
ログ信号に変換する温度センサ回路と、上記温度センサ
回路の出力信号をデジタル化するＡ／Ｄコンバータと、
上記Ａ／Ｄコンバータの出力信号をサンプルアンドホー
ルドするラッチ回路と、このラッチ回路の出力信号をア
ドレス信号として読み込み環境温度及び上記水晶振動子
の温度特性に対応して記憶された制御信号を出力するメ
モリと、上記メモリの出力信号をアナログ化するＤ／Ａ
コンバータと、上記Ｄ／Ａコンバータに接続して入力信
号レベルに応じて出力するパルス幅のデューティーが変
わるパルス幅変調回路と、上記パルス幅変調回路に接続
したドライバ回路と、上記ドライバ回路によりゲートを
駆動されるように接続した金属酸化膜半導体電界効果型
トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と、上記ＭＯＳＦＥＴの
ドレインに接続したトランスと、上記トランスのＭＯＳ
ＦＥＴが接続している一次側巻線の反対側に接続した電
源と、上記電源に接続して抵抗およびダイオードと、上
記ＭＯＳＦＥＴのドレインと上記抵抗およびダイオード
に接続したダイオードと、上記トランスの二次側に接続
され上記水晶振動子の温度を所定値に保つヒータとを具
備したことを特徴とする水晶発振器。
【請求項３】発振回路と、上記発振回路に接続する水
晶振動子と、上記水晶振動子の温度を検知する温度検知
素子と、上記温度検知素子で検知された温度情報をアナ
ログ信号に変換する温度センサ回路と、上記温度センサ
回路の出力信号をデジタル化するＡ／Ｄコンバータと、
上記Ａ／Ｄコンバータの出力信号をサンプルアンドホー
ルドするラッチ回路と、このラッチ回路の出力信号をア
ドレス信号として読み込み環境温度及び上記水晶振動子
の温度特性に対応して記憶された制御信号を出力するメ
モリと、上記メモリの出力信号をアナログ化するＤ／Ａ
コンバータと、上記Ｄ／Ａコンバータに接続して入力信
号レベルに応じて出力するパルス幅のデューティーが変
わるパルス幅変調回路と、上記パルス幅変調回路に接続
したドライバ回路と、上記ドライバ回路によりゲートを
駆動されるように接続した金属酸化膜半導体電界効果型
トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と、上記ＭＯＳＦＥＴの
ドレインと電源に一次側で接続したトランスと、上記ト
ランスのＭＯＳＦＥＴが接続している一次側巻線の反対
側に接続した電源と、上記トランスの二次側に接続した
ダイオードと、上記ダイオードに接続され、上記水晶振
動子の温度を所定値に保つヒータとを具備したことを特
徴とする水晶発振器。
【請求項４】トランジスタ、抵抗、コンデンサ等で構
成される発振回路と、上記発振回路に接続する水晶振動
子と、上記発振回路の出力信号を増幅するバッファ回路
と、上記水晶振動子の温度を検知する温度検知素子と、
上記温度検知素子で検知された温度情報をアナログ信号
に変換する温度センサ回路と、上記温度センサ回路の出
力信号をデジタル化するＡ／Ｄコンバータと、上記Ａ／
Ｄコンバータの出力信号をサンプルアンドホールドする
ラッチ回路と、このラッチ回路の出力信号をアドレス信
号として読み込み環境温度及び上記水晶振動子の温度特
性に対応して記憶された制御信号を出力するメモリと、
上記メモリの出力信号をアナログ化するＤ／Ａコンバー
タと、上記Ｄ／Ａコンバータに接続して入力信号レベル
に応じて出力するパルス幅のデューティーが変わるパル
ス幅変調回路と、上記パルス幅変調回路に接続したドラ
イバ回路と、上記ドライバ回路によりゲートを駆動され
るように接続した第１〜第４の金属酸化膜半導体電界効
果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）と、上記第１〜第４
のＭＯＳＦＥＴのドレインとソース間に接続した第１〜
第４のダイオードと、上記第１と第３のＭＯＳＦＥＴに
接続した電源と、上記第１のＭＯＳＦＥＴのソースと第
４のＭＯＳＦＥＴのドレインが一次側巻線の一方に、上
記第２のＭＯＳＦＥＴのソースと第３のＭＯＳＦＥＴの
ドレインが一次側巻線のもう片方にそれぞれ接続したト
ランスと、上記トランスの二次側に接続され上記水晶振
動子の温度を所定値に保つヒータとを具備したことを特
徴とする水晶発振器。
【請求項５】発振回路と、上記発振回路に接続する水
晶振動子と、上記水晶振動子の温度を検知する温度検知
素子と、上記温度検知素子で検知された温度情報をアナ
ログ信号に変換する温度センサ回路と、上記温度センサ
回路の出力信号をデジタル化するＡ／Ｄコンバータと、
上記Ａ／Ｄコンバータの出力信号をサンプルアンドホー
ルドするラッチ回路と、このラッチ回路の出力信号をア
ドレス信号として読み込み環境温度及び上記水晶振動子
の温度特性に対応して記憶された制御信号を出力するメ
モリと、上記メモリの出力信号をアナログ化するＤ／Ａ
コンバータと、上記Ｄ／Ａコンバータに接続するドライ
バ回路と、上記ドライバ回路がベースに接続したトラン
ジスタと、上記トランジスタのコレクタに接続したダイ
オードと、上記ダイオードに接続した電源と、上記トラ
ンジスタのエミッタに接続され上記水晶振動子の温度を
所定値に保つヒータとを具備したことを特徴とする水晶
発振器。