JP2000077361A - Method of dicing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハから
個々のチップを切り離す半導体ウエハのダイシング方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer dicing method for separating individual chips from a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、各種半導体素子は、半導体ウ
エハ上に複数個を同時に形成し、ダイシング工程で個々
の素子をチップに切り離し、パッケージ封入などの工程
を経て製造されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various semiconductor devices have been manufactured through processes such as forming a plurality of semiconductor devices simultaneously on a semiconductor wafer, separating individual devices into chips in a dicing process, and enclosing a package.
【０００３】図８は、従来からの一般的なダイシングの
状態を示す。図８（１）は発光表示用の発光ダイオード
素子が複数個同時に形成されている半導体ウエハを切断
している状態を示し、図８（２）は切断された発光ダイ
オードの半導体チップを示す。ダイシングの対象となる
半導体ウエハ１は、裏面側が貼付シート２に貼付けら
れ、ダイシングブレード３で切断される。貼付シート２
は、紫外線（以下、「ＵＶ」と略称することがある）硬
化型、または熱硬化型の粘着剤層が表面に形成されてい
る合成樹脂フィルムであり、半導体ウエハ１の裏面に貼
付けて、ダイシングの際に切離された半導体チップを保
持することができる。ダイシングブレード３は、薄い可
撓性がある円板状の基体に、ダイヤモンドなどのように
硬質な研削材の粒子を付着させて形成され、周縁部は先
細状になっている。FIG. 8 shows a state of a conventional general dicing. FIG. 8A shows a state in which a semiconductor wafer on which a plurality of light emitting diode elements for light emitting display are simultaneously formed is cut, and FIG. 8B shows a semiconductor chip of the cut light emitting diode. The back side of the semiconductor wafer 1 to be diced is adhered to the adhesive sheet 2 and cut by the dicing blade 3. Sticking sheet 2
Is a synthetic resin film having an ultraviolet (hereinafter sometimes abbreviated as “UV”) curable or thermosetting pressure-sensitive adhesive layer formed on the front surface thereof. In this case, the separated semiconductor chip can be held. The dicing blade 3 is formed by attaching particles of a hard abrasive such as diamond to a thin and flexible disk-shaped substrate, and has a tapered peripheral edge.
【０００４】一般には、図８（１）に示すように、「セ
ミフルダイス」と呼ばれる方法で半導体ウエハ１が切断
される。ダイシングブレード３は半導体ウエハ１の厚み
の全部を切断するのではないので、図８（２）に示すよ
うに、切離される発光ダイオードチップ４の底面の形状
は台形となる。このようなセミフルダイスのダイシング
では、最終的な半導体チップの切り離しを、残存部分を
折り曲げることなどによって行うことができる。しかし
ながら、図８（２）に示すように、底面にバリができる
ような形状となる。Generally, as shown in FIG. 8A, a semiconductor wafer 1 is cut by a method called “semi-full dice”. Since the dicing blade 3 does not cut the entire thickness of the semiconductor wafer 1, as shown in FIG. 8 (2), the shape of the bottom surface of the light-emitting diode chip 4 to be cut is trapezoidal. In such a semi-full dicing, final separation of the semiconductor chip can be performed by bending the remaining portion. However, as shown in FIG. 8 (2), the shape is such that burrs can be formed on the bottom surface.
【０００５】半導体ウエハ１の厚さは、たとえば標準
（Typ.）で２８０μｍである。したがって、発光ダイオ
ードチップ４の高さＨは標準で２８０μｍとなる。バリ
の高さＤは、約２０μｍ程度となる。半導体ウエハ１か
らダイシングによって切出す半導体素子としては、発光
ダイオードチップ４の他に、各種トランジスタなどの半
導体回路素子、あるいは半導体集積回路などがある。半
導体ウエハ１から切り離される発光ダイオードチップ４
は、たとえば特開平６−１７７４３５に示すように、Ｐ
Ｎ接合部５が基板に垂直となるように実装される場合が
ある。そのような発光ダイオードチップ４は、図８
（１）の状態では側面となる部分が、基板に載置され、
また真空コレットで吸着されて取扱われる。The thickness of the semiconductor wafer 1 is, for example, 280 μm as a standard (Typ.). Therefore, the height H of the light emitting diode chip 4 is 280 μm as a standard. The height D of the burrs is about 20 μm. Semiconductor elements cut out from the semiconductor wafer 1 by dicing include semiconductor circuit elements such as various transistors and semiconductor integrated circuits in addition to the light emitting diode chips 4. Light emitting diode chip 4 separated from semiconductor wafer 1
Is, for example, as shown in JP-A-6-177435,
There is a case where the N junction 5 is mounted so as to be perpendicular to the substrate. Such a light emitting diode chip 4 is shown in FIG.
In the state of (1), the side portion is placed on the substrate,
In addition, it is absorbed and handled by a vacuum collet.
【０００６】なお半導体ウエハのダイシングに関連する
先行技術は、特開平６−８５０５７や特開平９−１７７
５２などにも開示されている。特開平６−８５０５７に
は、ダイシングブレードで半導体ウエハを切断するダイ
シングラインに沿って紫外線硬化性樹脂膜を形成してお
き、ダイシングの際に受ける機械的衝撃を緩和し、チッ
ピングクラックの発生を防ごうとしている。特開平９−
１７７５２の先行技術では、ダイシングブレードで切断
する半導体ウエハの裏面側に接着しているダイシングテ
ープの接着剤層を、紫外線を照射して接着力を低下させ
ながら切断し、切断屑の洗浄が容易に行えるようにして
いる。Prior art relating to dicing of a semiconductor wafer is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 6-85057 and 9-177.
52 and the like. In JP-A-6-85057, an ultraviolet-curable resin film is formed along a dicing line for cutting a semiconductor wafer with a dicing blade, so as to alleviate mechanical shocks received during dicing and prevent chipping cracks from occurring. I'm going. JP-A-9-
In the prior art of 17752, the adhesive layer of the dicing tape adhered to the back side of the semiconductor wafer to be cut by the dicing blade is cut while irradiating ultraviolet rays to reduce the adhesive strength, so that the chips can be easily cleaned. I can do it.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図８（１）に示すよう
に、「セミフルダイス」方式のダイシングで図８（２）
に示すような台形の発光ダイオードチップ４を形成する
と、図９に示すように、いわゆるチップ横置き方式で、
ＰＮ接合部５をプリント配線基板６の表面に垂直な状態
で実装しようとするとき支障が生じる。すなわち図８
（１）に示す半導体ウエハ１の状態の表面と裏面とに電
極を形成しておき、プリント配線基板６の配線パターン
７間に発光ダイオードチップ４をＰＮ接合部５がプリン
ト配線基板６の表面に垂直となるように載置し、配線パ
ターン７と発光ダイオードチップ４の電極との間を半田
などの導電剤８で接合する実装形態では、バリ９のため
にＰＮ接合部５が傾斜してしまう。発光ダイオードチッ
プ４では、ＰＮ接合部５と平行な方向に光量が強くなる
ので、ＰＮ接合部５が傾斜していると、複数の発光ダイ
オードチップ４を実装するプリント配線基板６の全体と
しては均一な発光が得られなくなってしまう。[0008] As shown in FIG. 8 (1), the “semi-full dicing” type dicing is performed as shown in FIG. 8 (2).
When a trapezoidal light emitting diode chip 4 as shown in FIG. 9 is formed, as shown in FIG.
When the PN junction part 5 is mounted in a state perpendicular to the surface of the printed wiring board 6, a problem occurs. That is, FIG.
Electrodes are formed on the front and back surfaces of the semiconductor wafer 1 shown in (1), and the light emitting diode chips 4 are connected between the wiring patterns 7 of the printed wiring board 6 by the PN junctions 5 on the surface of the printed wiring board 6. In a mounting configuration in which the wiring pattern 7 and the electrode of the light emitting diode chip 4 are bonded vertically by a conductive agent 8 such as solder, the PN junction 5 is inclined due to the burr 9. . In the light emitting diode chip 4, the amount of light increases in the direction parallel to the PN junction 5. Therefore, if the PN junction 5 is inclined, the entire printed wiring board 6 on which the plurality of light emitting diode chips 4 are mounted is uniform. Light emission cannot be obtained.
【０００８】図１０は図８に示すように半導体ウエハ１
の厚み方向の途中までしか切断しない方式ではなく、半
導体ウエハ１の厚み全体を切断する「フルダイス」を行
った状態を示す。貼付シート２は、表面に形成されてい
る粘着剤層で半導体ウエハ１の裏面を粘着し、機械的に
保持している。ダイシングブレード３の先端を貼付シー
ト２内に切込ませて、ダイシングブレード３の側面で半
導体ウエハ１を切断するようにすれば、側面を平面に切
断することができる。しかしながら、粘着剤がゲル状の
ために、ダイシングブレード３から受けるストレスによ
って、粘着剤が地盤沈下し、切り離される半導体チップ
が傾いて切断精度が悪くなってしまう恐れがある。バリ
が生じなくても、傾いた面を図９に示すようなプリント
配線基板６に載置すると、ＰＮ接合部５は図９と同様に
傾斜してしまう。FIG. 10 shows a semiconductor wafer 1 as shown in FIG.
3 shows a state in which "full dicing" for cutting the entire thickness of the semiconductor wafer 1 is performed, instead of the method of cutting only halfway in the thickness direction of the semiconductor wafer 1. The adhesive sheet 2 adheres the back surface of the semiconductor wafer 1 with an adhesive layer formed on the surface and mechanically holds the semiconductor wafer 1. If the tip of the dicing blade 3 is cut into the adhesive sheet 2 and the semiconductor wafer 1 is cut on the side surface of the dicing blade 3, the side surface can be cut flat. However, since the pressure-sensitive adhesive is in a gel state, the pressure of the pressure-sensitive adhesive from the dicing blade 3 causes the pressure-sensitive adhesive to sink into the ground, and the semiconductor chip to be separated may be inclined to lower the cutting accuracy. Even if burrs do not occur, if the inclined surface is placed on the printed wiring board 6 as shown in FIG. 9, the PN junction 5 will be inclined as in FIG.
【０００９】特開平６−８５０５７の先行技術のよう
に、半導体ウエハの表面側に紫外線硬化性樹脂膜を形成
しても、半導体ウエハの裏面側で生じる問題を解決する
ことはできない。また特開平９−１７７５２の先行技術
のようにダイシングの際に接着剤の接着力を低下させる
と、図１０に示すような切断精度の劣化を一層助長する
と考えられる。Even if an ultraviolet-curable resin film is formed on the front side of a semiconductor wafer as in the prior art of Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-85057, the problem that occurs on the back side of the semiconductor wafer cannot be solved. Further, it is considered that when the adhesive force of the adhesive is reduced during dicing as in the prior art of Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-177752, deterioration of cutting accuracy as shown in FIG. 10 is further promoted.
【００１０】本発明の目的は、半導体ウエハから精度よ
く個々の半導体チップを切出すことができる半導体ウエ
ハのダイシング方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer dicing method capable of cutting out individual semiconductor chips accurately from a semiconductor wafer.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、複数のチップ
が形成される半導体ウエハを切断して、個々のチップを
切出す半導体ウエハのダイシング方法において、半導体
ウエハの一方表面側を未硬化のシート粘着材に貼付け、
シート粘着材を硬化させた後、ダイシングブレードで他
方表面側から半導体ウエハをダイシングすることを特徴
とする半導体ウエハのダイシング方法である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a method of dicing a semiconductor wafer for cutting a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed and cutting out individual chips. Paste on sheet adhesive,
A dicing method for a semiconductor wafer, comprising curing a sheet adhesive and dicing the semiconductor wafer from the other surface side with a dicing blade.
【００１２】本発明に従えば、半導体ウエハの一方表面
側を未硬化のシート粘着材に貼付け、シート粘着材を硬
化させた後、半導体ウエハの他方表面側からダイシング
ブレードで半導体ウエハを切断し、個々のチップを切出
す。ダイシングブレードによる切断の際には、シート粘
着材が硬化しているので、切断される半導体チップがダ
イシングブレードから受ける力によって変位しないよう
にシート粘着材によって支えられ、切断精度の向上を図
ることができる。According to the present invention, one surface of the semiconductor wafer is attached to an uncured sheet adhesive, and after the sheet adhesive is cured, the semiconductor wafer is cut with a dicing blade from the other surface of the semiconductor wafer. Cut out individual chips. When cutting with a dicing blade, the sheet adhesive is hardened, so the semiconductor chip to be cut is supported by the sheet adhesive so as not to be displaced by the force received from the dicing blade, and cutting accuracy can be improved. it can.
【００１３】また本発明で前記シート粘着材は、紫外線
硬化性であり、紫外線を照射して硬化させることを特徴
とする。Further, in the present invention, the sheet adhesive is ultraviolet curable, and is cured by irradiating ultraviolet rays.
【００１４】本発明に従えば、シート粘着材は紫外線硬
化性であるので、半導体ウエハを貼付けた後、紫外線を
照射することによって容易に硬化させることができる。According to the present invention, since the sheet adhesive is ultraviolet curable, it can be easily cured by irradiating ultraviolet light after attaching the semiconductor wafer.
【００１５】また本発明で前記シート粘着材は、熱硬化
性であり、加熱して硬化させることを特徴とする。In the present invention, the sheet adhesive is thermosetting, and is cured by heating.
【００１６】本発明に従えば、シート粘着材は熱硬化性
であるので、半導体ウエハを貼付けた後、全体を加熱す
ることによって容易に硬化させることができる。According to the present invention, since the sheet adhesive is thermosetting, it can be easily cured by heating the whole after attaching the semiconductor wafer.
【００１７】また本発明で前記ダイシングは、半導体ウ
エハの前記他方表面から前記一方表面まで１回で切断す
るフルダイシングによって行うことを特徴とする。Further, in the present invention, the dicing is performed by full dicing in which the semiconductor wafer is cut from the other surface to the one surface at one time.
【００１８】本発明に従えば、ダイシングブレードで半
導体ウエハを切断する際に、半導体ウエハの他方表面か
らシート粘着材に貼付けられる表面まで１回で切断し、
良好な側面の形状を得ることができる。According to the present invention, when the semiconductor wafer is cut with a dicing blade, the semiconductor wafer is cut once from the other surface to the surface to be attached to the sheet adhesive,
A good side shape can be obtained.
【００１９】また本発明で前記ダイシングは、ダイシン
グブレードの先端を前記シート粘着材中に切り込ませ、
ダイシングブレードの側面の平坦な部分で半導体ウエハ
を切断するように行うことを特徴とする。In the dicing according to the present invention, the tip of the dicing blade is cut into the sheet adhesive material,
The semiconductor wafer is cut at a flat portion on the side surface of the dicing blade.
【００２０】本発明に従えば、ダイシングブレードの側
面の平坦な部分で半導体ウエハを切断するので、切断さ
れた半導体チップの側面として、平坦な側面を得ること
ができる。According to the present invention, since the semiconductor wafer is cut at the flat portion of the side surface of the dicing blade, a flat side surface can be obtained as the side surface of the cut semiconductor chip.
【００２１】また本発明で前記シート粘着材は、半導体
ウエハの付着強度が予め定める強度に低下するまで硬化
させることを特徴とする。Further, in the present invention, the sheet adhesive is cured until the adhesive strength of the semiconductor wafer is reduced to a predetermined strength.
【００２２】本発明に従えば、シート粘着材を硬化させ
るとともに、半導体ウエハの付着強度が予め定める強度
に低下するので、切断後の半導体チップを容易にシート
粘着材から剥離させることができる。According to the present invention, while the sheet adhesive is cured, the adhesive strength of the semiconductor wafer is reduced to a predetermined strength, so that the semiconductor chips after cutting can be easily separated from the sheet adhesive.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態の
ダイシング方法の概要を示す。図１（１）では、半導体
ウエハ１１を紫外線を照射することによって硬化する未
硬化のＵＶ硬化シート１２に貼付ける状態を示す。図１
（２）は、半導体ウエハ１１を貼付けたＵＶ硬化シート
１２の裏面側から、紫外線を照射してＵＶ硬化シート１
２を硬化させている状態を示す。図１（３）は、半導体
ウエハ１１の表面側からダイシングブレード１３で半導
体ウエハ１１を切断するダイシングの状態を示す。半導
体ウエハ１１にはウエハプロセスで複数の発光ダイオー
ドチップ１４が形成され、ダイシングによって個々の発
光ダイオードチップ１４に切り離される。FIG. 1 shows an outline of a dicing method according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a state where the semiconductor wafer 11 is attached to an uncured UV cured sheet 12 which is cured by irradiating ultraviolet rays. FIG.
(2) UV irradiation from the back side of the UV cured sheet 12 to which the semiconductor wafer 11 is attached
2 shows a state in which Curing No. 2 is cured. FIG. 1C shows a dicing state in which the semiconductor wafer 11 is cut by the dicing blade 13 from the front side of the semiconductor wafer 11. A plurality of light emitting diode chips 14 are formed on the semiconductor wafer 11 by a wafer process, and are separated into individual light emitting diode chips 14 by dicing.
【００２４】本実施形態で、半導体ウエハ１１の厚みは
３００μｍ程度であり、シート粘着材であるＵＶ硬化シ
ート１２は株式会社古河電工製のＵＣ−１００Ｍで、接
着剤の厚みが２０μｍで、基材となるフイルムの厚みは
１００μｍである。図１（２）で照射する紫外線の光強
度は、１００ｍｊ／ｃｍ2としている。このときＵＶ硬
化シート１２の粘着力は、紫外線の照射前に１０００ｇ
ｆ／２５ｍｍであり、紫外線照射後は１７ｇｆ／２５ｍ
ｍ程度に低下する。粘着力は、ＳＵＳ２８０に対する粘
着力であり、ＪＩＳに規定されている測定方法にしたが
って求めている。In this embodiment, the thickness of the semiconductor wafer 11 is about 300 μm, and the UV-curable sheet 12 as a sheet adhesive is UC-100M manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd. The thickness of the film is 100 μm. The light intensity of the ultraviolet light irradiated in FIG. 1 (2) is 100 mj / cm 2 . At this time, the adhesive strength of the UV-curable sheet 12 is 1000 g before irradiation with ultraviolet rays.
f / 25mm, and 17gf / 25m after UV irradiation
m. The adhesive force is an adhesive force to SUS280, and is determined according to a measurement method specified in JIS.
【００２５】図１（３）のダイシングでは、半導体ウエ
ハ１１がＵＶ硬化シート１２に付着したままの状態で、
フルダイシングを行っている。ＵＶ硬化シート１２の粘
着剤層は、紫外線照射によって硬化されている。ダイシ
ングの条件は、ダイシングブレード１３として、株式会
社ディスコ製で、製品型番ＮＢＣ−ＺＢ ２０５０ ５
０、６Ｘ０，０３Ｘ４を用いている。ＵＶ硬化シート１
２は、紫外線照射で硬化させると、粘着力は低下する。
この粘着力が１０〜５０ｇｆ／２５ｍｍの範囲でダイシ
ングを行うことが好ましいと判明している。In the dicing shown in FIG. 1C, the semiconductor wafer 11 is kept attached to the UV cured sheet 12 while the dicing is being performed.
Performs full dicing. The pressure-sensitive adhesive layer of the UV curing sheet 12 is cured by ultraviolet irradiation. The dicing conditions are as follows. The dicing blade 13 is manufactured by Disco Corporation and has a product number of NBC-ZB 20505.
0, 6X0, 03X4 are used. UV curing sheet 1
In No. 2, when cured by irradiation with ultraviolet light, the adhesive strength decreases.
It has been found that dicing is preferably performed when the adhesive force is in the range of 10 to 50 gf / 25 mm.
【００２６】図２は、ダイシングの際におけるダイシン
グブレード１３と半導体ウエハ１１およびＵＶ硬化シー
ト１２の関係を示す。ＵＶ硬化シート１２の粘着剤１５
の表層の厚さＴ１は、たとえば２０μｍであり、フイル
ムの厚みは前述のように１００μｍであるので、貼付シ
ート１２全体の厚みＴｔ＝１２０μｍである。ダイシン
グブレード１３の先端は、ＵＶ硬化シート１２中に６０
μｍまで切込まれている。ＵＶ硬化シート１２は、Ｔ２
＝４０μｍの切り残しができる。ダイシングブレード１
３は、ＵＶ硬化シート１２を粘着剤１５の層よりもさら
に下方まで、８０μｍだけ切断しているので、ダイシン
グブレード１３の先端付近の先細状の部分は半導体ウエ
ハ１１の切断部分にはかからず、半導体ウエハ１１の切
断面を平面にすることができる。なおダイシング速度
は、５ｍｍ／ｓｅｃとする。FIG. 2 shows the relationship between the dicing blade 13, the semiconductor wafer 11, and the UV cured sheet 12 during dicing. Adhesive 15 for UV cured sheet 12
The thickness T1 of the surface layer is, for example, 20 μm, and the thickness of the film is 100 μm as described above. Therefore, the thickness Tt of the entire adhesive sheet 12 is 120 μm. The tip of the dicing blade 13 is
It is cut down to μm. UV curing sheet 12 is T2
= 40 μm can be left uncut. Dicing blade 1
3 cuts the UV cured sheet 12 by 80 μm further below the layer of the adhesive 15, so that the tapered portion near the tip of the dicing blade 13 does not cover the cut portion of the semiconductor wafer 11. The cut surface of the semiconductor wafer 11 can be made flat. The dicing speed is 5 mm / sec.
【００２７】図３は、本発明の実施の他の形態としての
ダイシングの概要を示す。図３（１）に示すように、本
実施形態で半導体ウエハ１１は、未硬化の熱硬化シート
２２に貼付けられる。シート粘着材である熱硬化シート
２２は、加熱によって硬度が上昇する材料であり、図３
（１）で貼付けた後、図３（２）でホットプレート２３
で加熱し、熱硬化シート２２を硬化させている状態を示
す。ホットプレート２３は、内部にヒータなどの加熱源
が収納されている。熱硬化シート２２が硬化して粘着力
が１０〜５０ｇｆ／２５ｍｍに低下した後で、図３
（３）に示すように、図１（３）と同様にダイシングを
行い、個々の発光ダイオードチップ１４を得ることがで
きる。FIG. 3 shows an outline of dicing as another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3A, in this embodiment, the semiconductor wafer 11 is attached to an uncured thermosetting sheet 22. The thermosetting sheet 22, which is a sheet adhesive, is a material whose hardness increases by heating.
After pasting in (1), hot plate 23 in FIG.
And shows a state where the thermosetting sheet 22 is cured by heating. The hot plate 23 contains a heating source such as a heater inside. After the thermosetting sheet 22 is cured and the adhesive strength is reduced to 10 to 50 gf / 25 mm, FIG.
As shown in (3), dicing is performed in the same manner as in FIG. 1 (3), and individual light emitting diode chips 14 can be obtained.
【００２８】図１の実施形態または図３に示す実施形態
では、ダイシングの際に図４に示すようなフルダイシン
グを行う。本実施形態では、ＵＶ硬化シート１２または
熱硬化シート２２が紫外線の照射または加熱で硬化して
いるので、ダイシングブレード１３の先端２５がＵＶ硬
化シート１２または熱硬化シート２２中に切込まれて寸
法精度が悪化することなく、切断面である発光ダイオー
ドチップ１４の側面２６が平坦で、かつ、」半導体ウエ
ハ１１の表面に対して垂直となるように得られる。ま
た、ＵＶ硬化シート１２または熱硬化シート２２の粘着
力は低下しているので、切離した後の発光ダイオード１
４を分離する作業が容易となる。In the embodiment shown in FIG. 1 or the embodiment shown in FIG. 3, full dicing as shown in FIG. 4 is performed at the time of dicing. In the present embodiment, since the UV-curable sheet 12 or the thermosetting sheet 22 is cured by irradiation of ultraviolet light or heating, the tip 25 of the dicing blade 13 is cut into the UV-curable sheet 12 or the thermosetting sheet 22 to measure the size. It is obtained that the side surface 26 of the light-emitting diode chip 14, which is a cut surface, is flat and perpendicular to the surface of the semiconductor wafer 11 without deteriorating accuracy. Further, since the adhesive strength of the UV-curable sheet 12 or the thermosetting sheet 22 is reduced, the light-emitting diode 1
4 becomes easy.
【００２９】図５は、フルダイシングの深さに付いての
概念を示す。ダイシングブレード１３の先端２５がＵＶ
硬化シート１２または熱硬化シート２２中に切込む深さ
Ｔ３は、切離された発光ダイオードチップ１４としての
側面２６が平坦となることが望ましい。必要な深さは、
ダイシングブレード１３の形状によっても変る。前述の
条件下では、Ｔ３≧３０μｍであることが判明してい
る。すなわち、ダイシングブレード１３の下端が、半導
体ウエハ１１の裏面から３０μｍよりも下になるような
ダイシング方法が望ましいことになる。したがって、ダ
イシングブレード１３の先端２５が摩耗して、ダイシン
グブレード１３の径が小さくなるようなときには、ダイ
シングブレード１３の切込み深さの調整を行い、不足し
ないようにする必要がある。FIG. 5 shows the concept of the depth of full dicing. The tip 25 of the dicing blade 13 is UV
As for the depth T3 cut into the cured sheet 12 or the thermoset sheet 22, it is desirable that the side surface 26 as the separated light emitting diode chip 14 becomes flat. The required depth is
It also depends on the shape of the dicing blade 13. Under the conditions described above, it has been found that T3 ≧ 30 μm. That is, a dicing method in which the lower end of the dicing blade 13 is lower than 30 μm from the back surface of the semiconductor wafer 11 is desirable. Therefore, when the tip 25 of the dicing blade 13 is worn and the diameter of the dicing blade 13 is reduced, it is necessary to adjust the cutting depth of the dicing blade 13 so as not to be insufficient.
【００３０】図６および図７は、図１または図３の実施
形態でダイシングを行った発光ダイオードチップ１４
を、いわゆるチップ横置き状態で、配線パターン２７間
に導電剤２８で接合し、プリント配線基板２９上に実装
する状態を示す。図６は斜視した状態、図７は断面視し
た状態をそれぞれ示す。各実施形態でダイシングした発
光ダイオードチップ１４は、側面２６が平坦かつＰＮ接
合部１５に垂直であるので、プリント配線基板２９の表
面に対して垂直な方向への発光強度を高めることができ
る。したがって、プリント配線基板２９の表面に、多数
の発光ダイオードチップ１４を実装して発光表示装置な
どを構成しても、発光強度が高い方向を均一にして、高
品位の表示を行うことができる。なお、導電剤２８とし
ては、はんだなどの低融点金属のろう材や、導電性樹脂
などを用いることができる。FIGS. 6 and 7 show a light emitting diode chip 14 which has been diced in the embodiment of FIG. 1 or FIG.
Are mounted on a printed wiring board 29 by bonding with a conductive agent 28 between wiring patterns 27 in a so-called chip horizontal state. 6 shows a perspective view, and FIG. 7 shows a sectional view. Since the light-emitting diode chip 14 diced in each embodiment has a flat side surface 26 and is perpendicular to the PN junction 15, the light-emitting intensity in a direction perpendicular to the surface of the printed wiring board 29 can be increased. Therefore, even when a large number of light emitting diode chips 14 are mounted on the surface of the printed wiring board 29 to constitute a light emitting display device or the like, a direction in which light emission intensity is high can be made uniform and high quality display can be performed. In addition, as the conductive agent 28, a low-melting-point metal brazing material such as solder, a conductive resin, or the like can be used.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
エハを貼付けるシート粘着材を硬化させてからダイシン
グブレードによる半導体ウエハの切断を行うので、切り
離された半導体チップがシート粘着材側に確実に保持さ
れ、切断精度を向上させることができる。As described above, according to the present invention, the semiconductor wafer is cut by the dicing blade after the sheet adhesive to which the semiconductor wafer is to be adhered is cured. It is securely held and cutting accuracy can be improved.
【００３２】また本発明によれば、紫外線によってシー
ト粘着材を硬化させ、半導体ウエハの切断を精度よく行
うことができる。Further, according to the present invention, the sheet adhesive can be hardened by ultraviolet rays, and the semiconductor wafer can be cut accurately.
【００３３】また本発明によれば、加熱によってシート
粘着材を硬化させ、半導体ウエハの切断を精度よく行う
ことができる。Further, according to the present invention, the sheet adhesive can be cured by heating, and the semiconductor wafer can be cut accurately.
【００３４】また本発明によれば、ダイシングでは半導
体ウエハの全断面を１回で切断するフルダイシングを行
うので、側面の形状が平坦に近い半導体チップを得るこ
とができる。Further, according to the present invention, since full dicing is performed in dicing in which the entire cross section of the semiconductor wafer is cut at one time, a semiconductor chip having a substantially flat side surface can be obtained.
【００３５】また本発明によれば、ダイシングブレード
の先端をシート粘着材中に切込ませて、ダイシングブレ
ードの側面の平坦な部分で半導体ウエハを切断するの
で、半導体チップのダイシング切断面が平面となり、側
面側を基板に載置するような実装の際にも真空コレット
で確実に吸着して、精度よく実装することができる。ま
たダイシングブレードの先端をシート粘着材中に切込ま
せているので、ダイシングブレードが磨耗して径が小さ
くなるようなことがあっても、確実に半導体チップの側
面を切断し、半導体チップの分離を確実に行うことがで
きる。Further, according to the present invention, since the tip of the dicing blade is cut into the sheet adhesive and the semiconductor wafer is cut at a flat portion on the side surface of the dicing blade, the dicing cut surface of the semiconductor chip becomes flat. In addition, even when mounting such that the side surface side is mounted on the substrate, it is possible to reliably mount the vacuum collet and to mount it with high accuracy. In addition, since the tip of the dicing blade is cut into the sheet adhesive, even if the dicing blade is worn and its diameter becomes smaller, the side of the semiconductor chip is reliably cut to separate the semiconductor chip. Can be performed reliably.
【００３６】また本発明によれば、半導体ウエハの付着
強度が予め定める強度に低下するまで硬化させるので、
硬化後のシート粘着材から半導体チップを容易に剥離す
ることができる。According to the present invention, the semiconductor wafer is cured until the adhesive strength of the semiconductor wafer decreases to a predetermined strength.
The semiconductor chip can be easily peeled off from the cured sheet adhesive.
【図１】本発明の実施の一形態でのダイシングの概要を
示す簡略化した断面図である。FIG. 1 is a simplified cross-sectional view showing an outline of dicing according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の実施形態で行うフルダイシングの状態を
示す部分的な断面図である。FIG. 2 is a partial sectional view showing a state of full dicing performed in the embodiment of FIG.
【図３】本発明の実施の他の形態でのダイシングの概要
を示す簡略化した断面図である。FIG. 3 is a simplified cross-sectional view showing an outline of dicing according to another embodiment of the present invention.
【図４】図１または図３の実施形態で、ダイシングブレ
ード１３の側面で平坦に切断する状態を示す部分的な断
面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a state where the dicing blade 13 is cut flat on the side surface in the embodiment of FIG. 1 or FIG. 3;
【図５】図１または図３の実施形態でのフルダイシング
の概念を示す部分的な断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the concept of full dicing in the embodiment of FIG. 1 or FIG.
【図６】図１または図３の実施形態でダイシングした発
光ダイオードチップ１４を横置き方式で実装する状態を
示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a state in which the light emitting diode chips 14 diced in the embodiment of FIG. 1 or 3 are mounted in a horizontal manner.
【図７】図１または図３の実施形態でダイシングした発
光ダイオードチップ１４を横置き方式で実装する状態を
示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state where the light-emitting diode chips 14 diced in the embodiment of FIG. 1 or 3 are mounted in a horizontal manner.
【図８】従来からのダイシングの概要を示す簡略化した
断面図である。FIG. 8 is a simplified sectional view showing an outline of conventional dicing.
【図９】図８でダイシングした発光ダイオードチップ４
を横置き方式で実装する状態を示す断面図である。9 is a light emitting diode chip 4 diced in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which is mounted in a horizontal manner.
【図１０】従来からのダイシングの方式でフルダイシン
グする際に生じる問題を示す部分的な断面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a problem that occurs when performing full dicing by a conventional dicing method.
１１ 半導体ウエハ １２ ＵＶ硬化シート １３ ダイシングブレード １４ 発光ダイオードチップ １５ 粘着剤 ２２ 熱硬化シート ２５ 先端 ２６ 側面 ２９ プリント配線基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Semiconductor wafer 12 UV curing sheet 13 Dicing blade 14 Light emitting diode chip 15 Adhesive 22 Thermosetting sheet 25 Tip 26 Side surface 29 Printed wiring board
Claims (6)
を切断して、個々のチップを切出す半導体ウエハのダイ
シング方法において、 半導体ウエハの一方表面側を未硬化のシート粘着材に貼
付け、 シート粘着材を硬化させた後、ダイシングブレードで他
方表面側から半導体ウエハをダイシングすることを特徴
とする半導体ウエハのダイシング方法。1. A semiconductor wafer dicing method for cutting a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed and cutting out individual chips, the method comprising: attaching one surface side of the semiconductor wafer to an uncured sheet adhesive; A method for dicing a semiconductor wafer, comprising dicing the semiconductor wafer from the other surface side with a dicing blade after curing the material.
り、紫外線を照射して硬化させることを特徴とする請求
項１記載の半導体ウエハのダイシング方法。2. The dicing method for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the sheet adhesive is ultraviolet curable, and is cured by irradiating ultraviolet rays.
加熱して硬化させることを特徴とする請求項１記載の半
導体ウエハのダイシング方法。3. The sheet adhesive is thermosetting,
The method for dicing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the dicing is performed by heating.
他方表面から前記一方表面まで１回で切断するフルダイ
シングによって行うことを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。4. The semiconductor wafer dicing method according to claim 1, wherein the dicing is performed by full dicing in which the semiconductor wafer is cut once from the other surface to the one surface. .
の先端を前記シート粘着材中に切り込ませ、ダイシング
ブレードの側面の平坦な部分で半導体ウエハを切断する
ように行うことを特徴とする請求項４記載の半導体ウエ
ハのダイシング方法。5. The dicing is performed so that a tip of a dicing blade is cut into the sheet adhesive material, and a semiconductor wafer is cut at a flat portion on a side surface of the dicing blade. Semiconductor wafer dicing method.
着強度が予め定める強度に低下するまで硬化させること
を特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体ウ
エハのダイシング方法。6. The method for dicing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the sheet adhesive is cured until the adhesive strength of the semiconductor wafer decreases to a predetermined strength.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24222398A JP2000077361A (en) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | Method of dicing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24222398A JP2000077361A (en) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | Method of dicing semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077361A true JP2000077361A (en) | 2000-03-14 |
Family
ID=17086073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24222398A Pending JP2000077361A (en) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | Method of dicing semiconductor wafer |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077361A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-08-27 JP JP24222398A patent/JP2000077361A/en active Pending
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