JP2000026584A - ポリエステル及びそれからなるフィルム - Google Patents

ポリエステル及びそれからなるフィルム

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JP2000026584A
JP2000026584A JP10194532A JP19453298A JP2000026584A JP 2000026584 A JP2000026584 A JP 2000026584A JP 10194532 A JP10194532 A JP 10194532A JP 19453298 A JP19453298 A JP 19453298A JP 2000026584 A JP2000026584 A JP 2000026584A
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polyester
film
salt
sulfonic acid
acid
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JP10194532A
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Takafumi Kudo
孝文 工藤
Masahiko Kosuge
雅彦 小菅
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Teijin Ltd
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Teijin Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリエステルフィルムを製造する際、回転冷
却ドラム上への密着性に優れ、静電ワイヤー汚れ、押出
口金への昇華物付着を抑制し生産性に優れ、且つ衛生性
に優れたポリエステル樹脂組成物およびポリエステルフ
ィルムを提供する。 【解決手段】 ポリエステル中の酸成分に対し0.1〜
45mmol%のエステル形成性官能基を有するスルホ
ン酸4級ホスホニウム塩を含み、ポリマー中のジエチレ
ングリコール量が0.3〜5.0%であることを特徴と
するポリエステル。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポリエステル及びそ
れからなるフィルムに関し、さらに詳しくは、ポリエス
テルの酸成分に対して0.1〜45mmol%のエステ
ル形成性官能基を有するスルホン酸4級ホスホニウム塩
を含み、そしてポリマー中のジエチレングリコール成分
量が0.3〜5.0wt%であることを特徴とするポリ
エステル及びそれからなるフィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】ポリエチレンテレフタレートフィルムに
代表されるポリエステルフィルムは、優れた物理的、化
学的性質を有することから磁気テープ、電気絶縁、コン
デンサー、写真、包装等の多岐にわたる用途に用いられ
ている。
【0003】ポリエステルフィルムは通常、押出口金よ
り溶融押出しされるフィルム状ポリエステル溶融物を回
転冷却ドラムの表面で急冷し、その後縦、横方向に延伸
して製造される。この場合、フィルムの表面欠点をなく
し厚みの均一性を高めるには、溶融押出しされたフィル
ム状ポリエステルを回転冷却ドラムの表面に均一に密着
させる必要があるが、この方法として該フィルム状ポリ
エステルのエアー側面(ドラムに接触しない面)の近傍
にワイヤー状の金属電極(以下、静電ワイヤーという)を
設けて該フィルム状溶融物の表面に静電荷を析出させる
方法(以下、静電キャスト法という)が知られている。
【0004】フィルムの製膜において生産性を高め製造
コストを低減することは、フィルム品質の向上と共に重
要な課題であるが、そのためには前記回転冷却ドラムの
周速を高め、製膜速度を向上させることが最も効果的な
方法である。そこで、前記静電キャスト法において回転
冷却ドラムの周速を速めて行くと、フィルム状物表面へ
の単位面積静電荷量が少なくなり、回転冷却ドラムとの
密着性が低下してフィルム表面に欠点を生じさせたり、
フィルム厚みが不均一になったりするなどの問題が生じ
る。
【0005】この密着性を高めるべく前記電極に印加す
る電圧を高めて溶融ポリエステル上に析出させる静電荷
量を多くすることもできるが、印加電圧を高めすぎると
電極と回転冷却ドラムとの間にアーク放電が生じ、冷却
ドラム面上のフィルム状物が破壊され、冷却ドラム表面
上にも損傷を与えることがある。従って、電極に印可す
る電圧はある程度以上に高めることは実質的に不可能で
ある。
【0006】このような静電キャスト法の限界を克服
し、製膜速度を向上させて高効率でポリエステルフィル
ムを製造する方法として、溶融ポリエステルの比抵抗を
下げる方法が種々提案されている。
【0007】例えば、特公平7−5765号公報では、
二官能性カルボン酸成分に対し0.1〜45mmol%のエ
ステル形成性官能基を有するスルホン酸4級ホスホニウ
ム塩を重合体鎖中に含有し、且つ溶融フィルムの交流体
積抵抗率の値が6.5×108Ωcm以下の芳香族ポリエ
ステルを使用することが提案されている。
【0008】しかしながら、かかる製膜方法を実施した
場合には、押出口金から押出されたフィルム状溶融ポリ
エステルから発生したと考えられる昇華物が静電ワイヤ
ーに汚れとして付着し、電流低下や放電スパークを生じ
て密着性が減少するため、短時間で静電ワイヤーの交換
を余儀なくされるばかりか、押出口金面にも昇華物が付
着しフィルム表面に筋状のムラが形成されるため押出口
金の清掃も頻繁に行わなければならないなど、生産性に
極めて劣るという問題が発生することが判明した。ま
た、包装用途等のフィルムに上記ポリエステルを使用す
る場合には、衛生性の観点から、ポリエステル中に含有
されるスルホン酸4級ホスホニウム塩が、ポリエステル
フィルムから多量に溶出しないことが必要であるが、こ
れについては一切言及されていない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明者らは、
ポリエステルフィルムを製造する際、回転冷却ドラム上
への密着性に優れ、静電ワイヤー汚れ、押出口金への昇
華物付着を抑制して生産性に優れ、且つ衛生性に優れた
ポリエステルを得るべく鋭意検討した結果、本発明に至
った。
【0010】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ポ
リエステルの酸成分に対し0.1〜45mmol%の、
エステル形成性官能基を有するスルホン酸4級ホスホニ
ウム塩を含み、そしてポリマー中のジエチレングリコー
ル成分量が0.3〜5.0wt%であることを特徴とす
るポリエステルである。
【0011】本発明のポリエステルは、ポリマーを構成
する酸成分(二官能性カルボン酸成分)の0.1〜45
mmol%がエステル形成性官能基を有するスルホン酸4級
ホスホニウム塩によって占められている必要がある。ス
ルホン酸4級ホスホニウム塩の量が0.1mmol%未満の
場合には製膜速度を向上させることができず、他方45
mmol%を超えるとフィルムの表面欠点が多くなり好まし
くない。
【0012】このエステル形成性官能基を有する4級ホ
スホニウム塩としては、例えば下記式で表される化合物
が好ましく挙げられる。
【0013】
【化1】
【0014】ここで、Aは炭素数6〜18の芳香環を含
む基であり、Y1およびY2は同一もしくは異なり、水素
原子またはエステル形成性官能基であり(但し、Y1およ
びY2が同時に水素原子であることはない)、そしてnは
1または2であり、R1、R2、R3およびR4は同一もし
くは異なり、炭素数1〜18のアルキル基、ベンジル基
または炭素数6〜12のアリール基である。
【0015】上記式において、Aは炭素数6〜18の芳
香環を含む基であり、例えばベンゼン骨格、ナフタレン
骨格あるいはビフェニル骨格を含む基を好ましい例とし
てあげることができる。かかる芳香環はY1、Y2および
スルホン酸4級ホスホニウム塩基のほかに、例えば炭素
数1〜12のアルキル基等で置換されていても良い。Y
1およびY2は、水素原子またはエステル形成性官能基と
して、例えば−COOH、−COOR’、−OCO
R’、−(CH2)nOH、−(OCH2)nOH等を挙げるこ
とができる。これらの基中、R’は炭素数1〜4の低級
アルキル基またはフェニル基であり、nは1〜10の整
数である。R’としてはメチル、エチル、n−プロピ
ル、iso−プロピル、n−ブチル等を好ましい例とし
て挙げることができる。また、スルホン酸4級ホスホニ
ウム塩基の部分を構成する基R1、R2、R3およびR
4は、同一もしくは異なり、炭素数1〜18のアルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ドデシ
ル、ステアリル等を挙げることができる。炭素数6〜1
2のアリール基としては、例えばフェニル、ナフチル、
ビフェニル等を挙げることができる。
【0016】上記スルホン酸4級ホスホニウム塩の好ま
しい具体例としては、3,5-ジカルボキシベンゼンスルホ
ン酸テトラブチルホスホニウム塩、3,5-ジカルボキシベ
ンゼンスルホン酸エチルトリブチルホスホニウム塩、3,
5-ジカルボキシベンゼンスルホン酸ベンジルトリブチル
ホスホニウム塩、3,5-ジカルボキシベンゼンスルホン酸
フェニルトリブチルホスホニウム塩、3,5-ジカルボキシ
ベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、3,
5-ジカルボキシベンゼンスルホン酸ブチルトリフェニル
ホスホニウム塩、3,5-ジカルボメトキシベンゼンスルホ
ン酸テトラブチルホスホニウム塩、3,5-ジカルボメトキ
シベンゼンスルホン酸エチルトリブチルホスホニウム
塩、3,5-ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸ベンジル
トリブチルホスホニウム塩、3,5-ジカルボメトキシベン
ゼンスルホン酸フェニルトリブチルホスホニウム塩、3,
5-ジ(βーヒドロキシエトキシカルボニル)ベンゼンス
ルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、3,5-ジ(βーヒ
ドロキシエトキシカルボニル)ベンゼンスルホン酸テト
ラフェニルホスホニウム塩、3-カルボキシベンゼンスル
ホン酸テトラブチルホスホニウム塩、3-カルボキシベン
ゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、3-ジ
(β-ヒドロキシエトキシカルボニル)ベンゼンスルホ
ン酸テトラブチルホスホニウム塩、3-(β-ヒドロキシ
エトキシカルボニル)ベンゼンスルホン酸テトラフェニ
ルホスホニウム塩、4-(β-ヒドロキシエトキシカルボ
ニル)ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩、ビスフェノールA-3,3-ジ(スルホン酸テトラブチ
ルホスホニウム塩)、2,6-ジカルボキシナフタレン-4-
スルホン酸テトラブチルホスホニウム塩等を挙げること
ができる。上記スルホン酸4級ホスホニウム塩は1種の
みを単独で用いても、2種以上を併用しても良い。
【0017】本発明におけるポリエステルを構成する二
官能性カルボン酸成分としては例えば、テレフタル酸、
ナフタレンジカルボン酸、イソフタル酸、ジフェニルジ
カルボン酸等を好ましく挙げることができる。かかるカ
ルボン酸は単独でも、2種以上を併用しても良い。一
方、グリコール成分としてはエチレングリコール、テト
ラメチレングリコールなどを好ましく挙げることがで
き、特にエチレングリコールが好ましい。
【0018】本発明におけるポリエステルは、ポリマー
中にジエチレングリコール成分を0.3〜5wt%含有
している必要がある。ジエチレングリコール成分の含有
量が0.3wt%未満だと静電ワイヤー汚れおよび押出
口金への昇華物付着が十分に抑制されない。またジエチ
レングリコールの含有量が5wt%を超えると、製造さ
れたフィルムの耐熱安定性が不十分になってしまう。ポ
リマー中に含有されるジエチレングリコール量はポリエ
ステルの合成条件、あるいは添加剤の添加によりその含
有量を調整してもよいし、該ポリマーの合成時にジエチ
レングリコールを原料の一部として添加することにより
調整してもよいし、これらを組み合わせて調整してもよ
い。例えば、ジエチレングリコール量を減少させるに
は、ヒンダードフェノール系抗酸化剤やリン酸エステル
等の添加が有効であることが知られている。
【0019】かかるポリエステルは実質的に線状であっ
てフィルム形成性、特に溶融状態によるフィルム形成性
を有する。かかるポリエステルの中でも特にポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレー
トが好ましい。また、前記ポリエステルには実質的に線
状である範囲の量であり、且つ本発明の効果を損なわな
いかぎり、例えば全酸成分に対し2モル%以下の量で3
官能以上のポリカルボン酸またはポリヒドロキシ化合
物、例えばトリメリット酸、ペンタエリスリトール等を
共重合させる事ができる。
【0020】さらに、本発明におけるポリエステルには
表面平坦性、乾熱劣化性を損なわない程度であれば、例
えば顔料、染料、酸化防止剤、光安定剤、遮光剤の如き
添加剤を必要に応じて含有させる事ができる。
【0021】本発明において、スルホン酸4級ホスホニ
ウム塩は全二官能性カルボン酸成分の0.1〜45mm
ol%を占め、ポリエステル樹脂組成物の溶融時の交流
体積抵抗率は2.0×108Ωcm以下を示し、比較的
速く回転する冷却ドラム上にも密着するに十分な電荷量
を付与でき、本発明の目的のひとつである製膜速度の向
上を達成することができる。
【0022】本発明におけるポリエステルは公知の方法
に準じて製造することができる。例えば、便宜のために
ポリエチレンテレフタレートを例に挙げて説明すれば、
通常、テレフタル酸とエチレングリコールとを直接エス
テル化反応させるか、テレフタル酸ジメチルの如きテレ
フタル酸の低級アルキルエステルとエチレングリコール
とをエステル交換反応させるか又はテレフタル酸とエチ
レンオキサイドとを付加反応させるなどしてテレフタル
酸のグリコールエステル及び/又はその低重合体を生成
させる第一段階の反応と、第一段階の反応生成物を減圧
下加熱して所望の重合度になるまで重縮合させる第二段
階の反応によって製造される。その際、触媒等の添加剤
は任意に使用することができる。上記スルホン酸4級ホ
スホニウム塩をポリエステル中に含有させるには、前述
したポリエステルの合成が完了するまでの任意の段階
で、反応系中に添加してもよいし、前述のポリエステル
の合成が完了し、これとスルホン酸4級ホスホニウム塩
を、例えばベント付き二軸混練押出し機にフィードして
含有させてもよい。
【0023】本発明のポリエステルは50%エタノール
溶液中に250°F、2時間浸漬した後に検出されるス
ルホン酸4級ホスホニウム塩が1ppm以下であること
が好ましい。検出されるスルホン酸4級ホスホニウム塩
が1ppmを超えると、フィルムを食品包装用途等に用
いる際に好ましくない。スルホン酸4級ホスホニウム塩
の検出量を1ppm以下にするには、ポリエステルの製
造の際に、スルホン酸4級ホスホニウム塩を、ポリエス
テルの合成段階あるいはポリエステルに添加後、少なく
とも3分以上、系内が240℃以上となるような添加時
期を選んでスルホン酸4級ホスホニウム塩を添加すれば
よい。
【0024】本発明におけるフィルムは上記したポリエ
ステルからなるが、厚みは1〜300μm、さらに1〜
200μmであることが好ましい。
【0025】前記ポリエステルフィルムを製造する方法
は、特に制約はないが、静電キャスト法を用いて製造す
るのが好ましい。例えば融点(Tm)℃ないし(Tm+
70)℃の温度で回転冷却ドラム上に押出し、静電密着
させて急冷して例えば20〜500μの未延伸フィルム
とし、ついで該未延伸フィルムを一軸方向(縦方向また
は横方向)に(Tg−10)℃〜(Tg+70)℃の温
度(但しTg;ポリエステルのガラス転移温度)で2.5
〜6.0倍の倍率で延伸し、続いて上記延伸方向と直角
方向に(Tg)℃〜(Tg+70)℃の温度で2.5〜
6.0倍の倍率で延伸することで二軸延伸フィルムを得
ることが好ましい。延伸方法は逐次二軸延伸、同時二軸
延伸のいずれでもよい。更に得られたフィルムは(Tg
+70)℃〜(Tm)℃の温度で熱固定することができ
る。熱固定時間は例えば1〜30秒である。
【0026】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて更に詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例によって限定されるものではない。なお、実施例で
の各特性値の測定は次の方法による。
【0027】(1)ジエチレングリコールの定量 ポリエステルを、重水素化クロロホルム/重水素化トリ
フルオロ酢酸=1/1の混合溶媒に溶解させ、1H−N
MRにより測定する。
【0028】(2)溶融ポリマーの交流体積抵抗率 測定しようとするポリマー中に一対の電極を挿入した容
器を加熱媒体中に浸し、ポリマーを285℃の温度に加
熱溶融しこの温度に保った。ポリマー中に挿入した電極
に外部より接続した交流電源から100V−50Hzの
電圧を印加する。この時の電流計と電圧計の指示値およ
び電極面積、電極間距離より計算により交流体積抵抗率
を求める。
【0029】(3)静電キャスト性 ポリマーをフィルム状に溶融押出しする口金の近くで、
且つ押出したフィルムの上部に設置した電極により、冷
却ドラムとの間に6kVの電圧を印加してキャスティン
グする際、表面欠点を生じず、厚みの均一性を低下する
事なく安定に製膜できる最大の冷却ドラムの速度を求め
る。冷却ドラムの最大速度により以下の如くランク付け
して評価する。 ランクA:冷却ドラムの速度が70m/分以上で安定に
製膜できる。 ランクB:冷却ドラムの速度が60m/分以上、70m
/分未満で安定に製膜できる。 ランクC:冷却ドラムの速度が55m/分以上、60m
/分未満で安定に製膜できる。 ランクD:冷却ドラムの速度が55m/分未満でしか安
定に製膜できない。
【0030】(4)静電ワイヤーの汚れ性 上記(3)の静電キャスト性テストにおいてテスト時間
を延長し、静電ワイヤーへの汚れに基づく静電ワイヤー
の電流値の低下率を調べる。テスト開始時の電流値とテ
スト終了時の電流値を読み取り、その差をテスト時間で
除して単位時間当たりの電流低下率を求める。その値に
より次の如くランク付けして評価する。 ランクA:電流低下率1%/hr未満 ランクB:電流低下率1%/hr以上5%/hr未満 ランクC:電流低下率5%/hr以上10%/hr未満 ランクD:電流低下率10%/hr以上 ランクAならば実用上特に問題はない。ランクB、Cで
は静電ワイヤーの交換頻度が多くなり、生産効率の点か
らやや不利となる。ランクDでは実用に供することはで
きない。
【0031】(5)押出し口金への昇華物付着 押出し口金への昇華物付着が起こると、口金より押出さ
れる溶融ポリマーが付着物に接触し、フィルム表面に筋
が発生する。この筋の発生の有無を目視観察により判定
する方法であって、溶融ポリマーを285℃で押出し口
金より押出し、8時間経過後に、回転冷却ドラムに密着
させて冷却して、実質的に非晶状態のフィルムを得、こ
のフィルムを目視観察する。8時間経過後に筋が認めら
れる場合には、押出し口金に付着した昇華物を除去する
必要があり生産性に劣る。
【0032】(6)フィルム表面欠点 熱可塑性ポリエステルの重合から押出し工程で副生する
粒子状異物の評価であって、溶融ポリマーを285℃で
押出し、回転冷却ドラムに密着させて冷却して、実質的
に非晶状態のフィルムを得、その後、これを縦方向に
3.6倍、横方向に3.9倍の延伸を行って、厚さ15
μmのフィルムを製造する。このフィルムを位相差顕微
鏡を用いて観察し、画像解析装置ルーゼックス500
(日本レギュレーター製)で顕微画像内の最大長が10
μm以上の粒子数をカウントする。この粒子数が10個
/cm2以下の物ものを実用に供する事ができる。
【0033】(7)フィルム耐熱安定性 縦延伸倍率3.5倍、横延伸倍率3.5倍、フィルム厚
み25μmの二軸延伸フィルムを160℃で熱処理し、
フィルム破断強度が熱処理をしていないフィルムの50
%まで減少するのに要する熱処理時間により評価する。
フィルム破断強度が熱処理をしていないフィルムの50
%まで減少するのに要する熱処理時間が700時間を下
回ると、コンデンサー用途などのフィルム使用環境が高
温となる用途には適さない。
【0034】(8)エタノール溶液処理によるスルホン
酸4級ホスホニウム塩の溶出量 フィルムの片面の表面積が25inch2になるように
採取し、これを50%エタノール溶液中に浸漬し、オー
トクレーブ内で250°Fで2時間処理し、得られた抽
出液をホットプレート上で蒸発乾固し、残留物にメタノ
ールを加えこれを高速液体クロマトグラフ(島津LC−
10AD)により測定し、スルホン酸4級ホスホニウム
塩の溶出量を定量した。
【0035】[実施例1]テレフタル酸ジメチル100
重量部とエチレングリコール70重量部の混合物に酢酸
マンガン・4水塩0.038重量部を添加し、150℃
から240℃に徐々に昇温しながらエステル交換反応を
行った。途中反応温度が170℃に達した時点で三酸化
アンチモン0.04重量部を添加し、さらに平均粒径
0.6μmの球状シリカ0.2重量部を添加し、次いで
220℃に達した時点で3,5−ジカルボキシベンゼン
スルホン酸テトラブチルホスホニウム塩0.017重量
部とエチレングリコール0.124重量部との混合物を
40℃に加熱した溶液として添加した。引き続きエステ
ル交換反応を行い、エステル交換反応終了後、リン酸ト
リメチルをエチレングリコール中で135℃、5時間、
1.1〜1.6kg/cm2の加圧下で加熱処理した溶
液(リン酸トリメチル換算量で0.049重量部)を添
加した。その後反応生成物を重合容器に移し、290℃
まで昇温し、0.2mmHg以下の高真空にて重縮合反
応を行って、固有粘度0.60、ジエチレングリコール
成分量が1.5%であるポリエステルを得た。このポリ
エステルの285℃における交流体積抵抗率の値は5.
5×107Ω・cmであった。
【0036】このポリエステルのペレットを170℃で
3時間乾燥後、押出し機ホッパーに供給し、溶融温度2
90℃で1mmのスリット状ダイを通して200μmに
溶融押出しし、線状電極を用いて表面温度20℃の回転
冷却ドラム上に密着固化した。この時、冷却ドラムの速
度を徐々に高めて、密着不良に起因する表面欠点を生じ
る事なく、安定に冷却フィルムが製造できる最高のキャ
スティング速度は105m/分であった。次いでこの未
延伸フィルムを75℃にて予熱し、低速、高速のロール
間で15mm上方より900℃の表面温度のIRヒータ
ー1本にて加熱し縦方向に3.6倍に延伸し、続いてこ
の一軸延伸フィルムをステンターに供給し105℃にて
横方向に3.9倍に延伸し、これを220℃の温度で3
秒間熱固定処理し、厚み14μmの二軸延伸フィルムを
得た。このフィルムの特性を表1に示す。
【0037】[比較例1]3,5ジカルボキシベンゼン
スルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を添加しない以
外は実施例1と同様に行った。この結果を表1に示す。
【0038】[実施例2,3および比較例2]3,5ジ
カルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩の添加量を、表1に示す如く変更する以外は実施例
1と同様に行った。この結果を表1に示す。
【0039】[実施例4および比較例3]エステル交換
反応後にテトラキス[メチレンー3(3’、5’−ジー
t−ブチルー4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
トメタン]をそれぞれ0.08重量部、0.12重量部
添加してから、反応生成物を重合容器に移す以外は実施
例1と同様に行った。この結果を表1に示す。
【0040】[実施例5および比較例4]テレフタル酸
ジメチル100重量部とエチレングリコール70部の混
合物にジエチレングリコールをそれぞれ、6.6重量
部、8重量部添加する以外は、実施例1と同様に行っ
た。この結果を表1に示す。
【0041】[実施例6]3,5−ジカルボキシベンゼ
ンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩のかわりに
3,5−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニ
ルホスホニウム塩を、表1に示す量使用する以外は実施
例1と同様に行った。この結果を表1に示す。
【0042】[実施例7]3,5−ジカルボキシベンゼ
ンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を添加するこ
となく、ポリエステル樹脂の合成反応を完了させこれを
チップ化し、ついで、このチップをベント付き二軸混練
押出し機に20kg/hrの割合で供給し、これに対し
て10mmol%の割合となるように3,5−ジカルボ
キシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を
供給する(その際、ベント孔の真空度を1mmHgに設
定し、シリンダ温度を285℃にして溶融混練する)以
外は、実施例1と同様に行った。この結果を表1に示
す。
【0043】[実施例8]テレフタル酸のヒ゛ス−β−ヒ
ドロキシエチルエステル100重量部とテレフタル酸6
5重量部にエチレングリコール29重量部と3,5−ジ
カルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩0.031重量部の混合物を210〜230℃の温
度でエステル化反応を行った。反応により生成する水の
留出量が13重量部となった時点で反応を終了とし、反
応生成物100重量部あたり0.027重量部の三酸化
アンチモン、リン酸トリメチルを135℃、5時間加熱
処理した溶液(リン酸トリメチル換算量で0.002重
量部)を添加した。その後反応生成物を重合容器に移
し、290℃まで昇温し0.2mmHg以下の高真空に
て重縮合反応を行ってポリエステルを得た。このポリエ
ステルを用いて実施例1と同様に特性の評価を行った。
この結果を表1に示す。
【0044】[実施例9]テレフタル酸ジメチル(DM
T)100重量部/hrおよびエチレングリコール70
重量部/hrを酢酸マンガン0.05mol%/DM
T、酢酸亜鉛0.01mol%/DMTの触媒と共に連
続式エステル交換反応槽に連続的に供給し、メタノール
を留出させながら150〜250℃に加熱してエステル
交換反応させた。次いで得られたエステル交換反応生成
物に、亜リン酸0.1mol%/DMT、3,5−ジカ
ルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム
塩0.01mol%/DMT、さらに重合触媒として三
酸化アンチモン0.03mol%/DMTを加えた後、
初期重合槽に連続的にフィードし50mmHg、260
℃で1時間反応させた。更にこれを溶融状態のまま中間
重合槽で5mmHg、280℃で二時間反応させ、次に
これを最終重合槽へ溶融状態のまま連続的にフィードし
1mmHg、290℃で10分間反応させ、ポリエステ
ル樹脂組成物を得た。このポリエステル樹脂組成物を用
いて実施例1と同様に特性の評価を行った。この結果を
表1に示す。
【0045】
【表1】
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、ポリエステルフィルム
を製造する際、回転冷却ドラム上への密着性に優れ、静
電ワイヤー汚れ、押出口金への昇華物付着を抑制し生産
性に優れ、且つ衛生性に優れたポリエステル樹脂組成物
およびポリエステルフィルムを提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F071 AA43 AC05A AC14 AE19A AF05Y AF55 AH04 AH12 AH14 BA01 BB06 BB08 BC01 4J029 AA03 AB04 AC02 AE03 BA03 BA05 BF09 CB05A CB06A CB10A CC05A CH02 CH03 DB01 DC08 FC08 FC36 HA01 HB01 HB02 KB02 KE02 KE03 KE05

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリエステルの酸成分に対して0.1〜
    45mmol%のエステル形成性官能基を有するスルホ
    ン酸4級ホスホニウム塩を含み、そしてポリマー中のジ
    エチレングリコール成分の量が0.3〜5.0wt%で
    あることを特徴とするポリエステル。
  2. 【請求項2】 50%エタノール溶液中に250°F、
    2時間浸漬した後に検出されるスルホン酸4級ホスホニ
    ウム塩が1ppm以下であることを特徴とする請求項1
    記載のポリエステル。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2記載のポリエス
    テルより製造されるフィルム。
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