JP2000022334A

JP2000022334A - 多層プリント配線板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000022334A
Application number: JP10181020A
Authority: JP
Inventors: Yoko Nishiwaki; 陽子西脇; Kota Noda; 宏太野田
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-06-26
Filing date: 1998-06-26
Publication date: 2000-01-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ふためっき層の欠損を招くことがなく、しか
もヒートサイクルなどの条件下での耐クラック性に優れ
る多層プリント配線板を提供すること。【解決手段】基板上に、層間樹脂絶縁層を介して導体
回路が形成されてなり、該基板にはスルーホールが設け
られ、そのスルーホールには充填材が充填された構造を
有する多層プリント配線板において、前記スルーホール
の直上には、充填材のスルーホールからの露出面を覆う
導体層が形成され、この導体層およびこれと同層に位置
する導体回路には、側面を含む全表面に粗化層が形成さ
れ、この粗化層の表面には、導体間の凹部を充填し、そ
の表面が平坦な層間樹脂絶縁層が形成されていることを
特徴とする多層プリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板およびその製造方法に関し、特に、配線やスルーホー
ルの高密度化を容易に実現でき、しかも、耐ヒートサイ
クル特性に優れる多層プリント配線板について提案す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、両面多層プリント配線板におけ
るコア基板には、表面と裏面を電気的に接続するための
スルーホールが形成される。ところが、このスルーホー
ルがデッドスペースとなり、配線の高密度化が著しく阻
害される。

【０００３】また、コア基板に形成したスルーホールと
バイアホールとの接続は、スルーホールのランドに、バ
イアホールを接続するためのパッドを設けることにより
行われる。ところが、このパッドが邪魔になってスルー
ホールのピッチを小さくすることができず、スルーホー
ルの高密度化が著しく阻害される。

【０００４】そこで、出願人は先に、配線やスルーホー
ルの形成密度向上のために、基板上に、層間樹脂絶縁層
を介して導体回路が形成されてなり、該基板にはスルー
ホールが設けられ、そのスルーホールには充填材が充填
された構造を有する多層プリント配線板において、前記
スルーホールの直上には、充填材のスルーホールからの
露出面を覆う導体層が形成され、この導体層上に、バイ
アホールが接続されてなる多層プリント配線板を提案し
た。

【０００５】この提案にかかる多層プリント配線板で
は、まず、コア基板にスルーホールを形成して酸化還元
処理などにより粗面化した後、このスルーホール内に充
填材を充填して平坦化し、次いで、めっき（ふためっ
き）を施してエッチングすることにより、充填材のスル
ーホールからの露出面を覆う導体層（以下、単に「ふた
めっき層」という）と導体回路を形成し、さらに、これ
らの導体表面に酸化還元処理などによる粗化層を形成し
て導体間の凹部に充填材を充填し、この充填材表面を研
磨してフラット化した後、インタープレート（荏原ユー
ジライトのCu−Ni−Ｐからなる合金粗化めっき）などに
よる粗化めっきを施してから、その上に層間樹脂絶縁層
を形成していた（図１参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、充填材を埋め込んだ後に行う平坦化のための研
磨処理で、ふためっき層が欠損するという問題があっ
た。また、この方法で製造した多層プリント配線板で
は、導体回路表面の粗化層がインタープレートによる合
金めっき粗化層からなり、導体回路側面の粗化層が黒化
還元処理層からなる場合、これらの粗化層を介して導体
に接合された層間樹脂絶縁層は、その粗化層の形態が異
なるために、ヒートサイクル試験などによってクラック
が発生するという問題があった。

【０００７】本発明は、上述した問題を解消するために
なされたものであり、その主たる目的は、ふためっき層
の欠損を招くことなく、配線やスルーホールの高密度化
を実現し得る多層プリント配線板の製造方法を提案する
ことにある。また、本発明の他の目的は、ヒートサイク
ルなどの条件下での耐クラック性に優れる多層プリント
配線板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする本発明を完成するに至った。 (1) 本発明の多層プリント配線板は、基板上に、層間樹
脂絶縁層を介して導体回路が形成されてなり、該基板に
はスルーホールが設けられ、そのスルーホールには充填
材が充填された構造を有する多層プリント配線板におい
て、前記スルーホールの直上には、充填材のスルーホー
ルからの露出面を覆う導体層が形成され、この導体層お
よびこれと同層に位置する導体回路には、側面を含む全
表面に粗化層が形成され、この粗化層の表面には、導体
間の凹部を充填し、その表面が平坦な層間樹脂絶縁層が
形成されていることを特徴とする。

【０００９】(2) 本発明の多層プリント配線板の製造方
法は、少なくとも下記〜の工程、即ち、．基板に
スルーホールを形成する工程、．前記スルーホールの内壁に粗化層を設ける工程、．前記スルーホールに充填材を充填する工程、．前記スルーホールの直上に、充填材のスルーホール
からの露出面を覆う導体層を形成する工程、．前記導体層およびこれと同層に位置する導体回路の
側面を含む全表面に、粗化層を設ける工程、．未硬化の層間樹脂絶縁剤の層を設け、この層間樹脂
絶縁剤の層を加熱プレスしてその表面を平坦化し、その
後、硬化処理して層間樹脂絶縁層を形成する工程、．前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする。

【００１０】なお、上記(2) に記載の製造方法におい
て、工程における粗化層は酸化還元処理層であること
が好ましい。前記工程において、感光性の層間樹脂絶
縁層を形成する場合には、加熱プレス前に層間樹脂絶縁
剤の層表面に透光性フィルムを貼付し、この透光性フィ
ルムを介して層間樹脂絶縁剤の層表面を加熱プレスによ
り平坦化したのち露光硬化し、その後、その透光性フィ
ルムを除去して現像処理することが好ましい。前記工程
における加熱プレスは、層間樹脂絶縁剤の層を加熱し
ながら金属板または金属ロールを押圧して行うことが好
ましい。前記工程において、エポキシ樹脂を主成分と
する層間樹脂絶縁剤の層の加熱プレスは、温度40〜60
℃、圧力 3.5〜6.5kgf／cm²、プレス時間30〜90秒間の
条件にて行うことが好ましい。また、前記層間樹脂絶縁
層には、前記スルーホール直上に位置する部分に開口を
設けて、導体回路およびバイアホールを形成することが
好ましい。さらに、前記充填材としては、金属粒子、熱
硬化性または熱可塑性の樹脂および硬化剤からなるもの
を用いることが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、導体間の凹部に充填材
を充填することなく、凹凸を有する基板の表面に直に層
間樹脂絶縁層を塗布などの方法によって形成した点に特
徴がある。また本発明では、凹凸を有する基板の表面に
未硬化の層間樹脂絶縁剤の層を形成した後、金属板や金
属ロールなどで加熱プレスして、得られる層間樹脂絶縁
層の表面を平坦化している点に特徴がある。より好まし
くは、凹凸を有する基板の表面に、エポキシ樹脂を主成
分とする感光性の層間絶縁樹脂を塗布してからＰＥＴフ
ィルムなどの透光性フィルムをラミネートし、温度40〜
60℃、圧力 3.5〜6.5kgf／cm²、プレス時間30〜90秒間
の条件にてプレスして、その表面を平坦化している。

【００１２】これにより、基板表面を平坦化するための
研磨工程が省略でき、ふためっき層が欠損するという問
題が解消できる。しかも、研磨によるゴミや異物の混入
を防止することができる。また、本発明では、層間樹脂
絶縁層表面の凹凸が原因となって、露光現像によるバイ
アホール形成用開口の形成不良を招いたり、ＩＣチップ
などの実装不良などの実装不良を招くこともない。さら
には、層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付して露光
硬化を行っているので、酸素による硬化反応の阻害が防
止される結果、その後に現像処理しても膜減りを防止で
き、また粗化処理して浅い粗化層を形成してもピール強
度の低下を招くことはない。

【００１３】また本発明は、導体回路と層間樹脂絶縁層
との界面が全て同一の粗化層で構成されている点に他の
特徴がある。これにより、導体回路と層間樹脂絶縁層と
の界面において、導体の表面と側面の粗化形態の違いが
原因となるクラックが防止できる。

【００１４】このように、本発明では、導体間の凹部に
充填材を充填することなく、しかも導体表面の粗化を一
工程で行っているので、製造工程が大幅に短縮される。
これにより、多層プリント配線板の製造コストが低減で
きる。

【００１５】ここで、基板の層間樹脂絶縁剤の層表面を
プレスにより平坦化する理由は以下のとおりである。即
ち、基板の凹凸面に未硬化の層間樹脂絶縁剤の層をロー
ルコータなどで直に塗布すると、形成される層間樹脂絶
縁層にもまた表面凹凸が生じるからである。例えば、図
２に示すように、導体回路の面積が広い領域に形成され
る層間樹脂絶縁層は、その厚みが相対的に厚く、導体回
路の面積が狭い領域（導体回路パターン領域）に形成さ
れる層間樹脂絶縁層は、パターン間に層間樹脂絶縁剤が
入り込むので、その厚みが薄くなる。つまり、層間樹脂
絶縁層は、その厚みが内層導体回路の表面凹凸により変
化し、その表面に凹凸が発生するのである。

【００１６】また、この平坦化処理におけるプレス条件
を、温度：40〜60℃、圧力： 3.5〜6.5kgf／cm²、時
間：30〜90秒とする理由は以下のとおりである。即ち、
そのプレス条件を、40℃未満、圧力3.5Kgf／cm² 未満、
プレス時間30秒未満にすると、充分な平坦性が得られな
い。一方、プレス温度が60℃を超えると、露光，現像前
に層間樹脂絶縁剤の硬化が進んでしまうおそれがあり、
プレス圧力が6.5Kgf/cm²を超えると、層間絶縁樹脂が基
板から流れ出してしまうおそれがあり、プレス時間が90
秒を超えると、従来の露光時間やポストベーク時間を考
慮した場合、生産性が落ちると予想されるからである。

【００１７】このような本発明において、スルーホール
内壁の導体表面には、粗化層、より好ましくは酸化還元
処理による粗化層が形成されていることが好ましい。こ
の理由は、充填材とスルーホールとがその粗化層を介し
て密着し隙間が発生しないからである。もし、充填材と
スルーホールとの間に空隙が存在すると、その直上に電
解めっきで形成される導体層が、平坦なものとならなか
ったり、空隙中の空気が熱膨張してクラックや剥離を引
き起こしたりし、また一方で、空隙に水が溜まってマイ
グレーションやクラックの原因となったりする。この
点、粗化層が形成されているとこのような不良発生を防
止することができる。

【００１８】例えば、酸化還元処理による粗化層は、酸
化浴として、NaOH（20ｇ／ｌ）、NaCl0₂（50ｇ／ｌ）、
Na₃PO₄（15.0ｇ／ｌ）の水溶液、還元浴として、NaOH
（ 2.7ｇ／ｌ）、NaBH₄（ 1.0ｇ／ｌ）の水溶液を用い
て形成される。

【００１９】また、本発明において、スルーホール内充
填材の露出面を覆う導体層（ふためっき層）とこの導体
層と同層に位置する他の導体回路の表面には、Cu−Ni−
Ｐからなる合金めっき粗化層（例えば、荏原ユージライ
トのインタープレート）や、酸化−還元処理による粗化
層、あるいはメック社製「メックエッチボンド」なるエ
ッチング液で処理形成された粗化層が形成されている。
この理由は、この粗化層により層間樹脂絶縁層やバイア
ホールとの密着性を改善することができるからである。
特に本発明では、前記導体の側面にも同一の粗化層が形
成されている。これにより、導体の表面と側面の粗化層
の相違に起因した層間樹脂絶縁層との密着不足によりこ
れらの界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて垂直に
発生するクラックを抑制することができる。

【００２０】これらの粗化層のうち、Cu−Ni−Ｐからな
る合金めっき粗化層は、針状合金層であり、例えば、硫
酸銅１〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.1〜6.0 ｇ／ｌ、
クエン酸10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100 ｇ／ｌ、
ホウ酸10〜40ｇ／ｌ、アセチレン含有ポリオキシエチレ
ン系界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌの水溶液からなる液組成
のめっき浴を用いて形成される。

【００２１】この粗化層は、イオン化傾向が銅より大き
くかつチタン以下である金属または貴金属の層で被覆さ
れていてもよい。これらの金属または貴金属の層は、粗
化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる局
部電極反応による導体回路の溶解を防止できるからであ
る。その層の厚さは 0.1〜２μｍがよい。このような金
属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジ
ウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビス
マスから選ばれるいずれか少なくとも１種がある。貴金
属としては、金、銀、白金、パラジウムがある。これら
のうち、特にスズがよい。スズは、無電解置換めっきに
より薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利で
ある。このスズの場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩
化スズ−チオ尿素液を使用する。そして、Cu−Snの置換
反応により 0.1〜２μｍ程度のSn層が形成される。貴金
属の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。

【００２２】本発明において、充填材は、金属粒子、熱
硬化性または熱可塑性の樹脂および硬化剤からなること
が好ましく、必要に応じて溶剤を添加してもよい。金属
粒子としては、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、
チタン、クロム、すず／鉛、パラジウム、プラチナなど
が使用できる。なお、この金属粒子の粒子径は、 0.1〜
50μｍがよい。この理由は、 0.1μｍ未満であると、銅
表面が酸化して樹脂に対する濡れ性が悪くなり、一方50
μｍを超えると、印刷性が悪くなるからである。また、
この金属粒子の配合量は、全体量に対して30〜90wt％が
よい。この理由は、30wt％より少ないと、フタめっきの
密着性が悪くなり、一方90wt％を超えると、印刷性が悪
化するからである。使用される樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＰ
Ｓ、ＰＥＮ、ＰＥＳ、ナイロン、アラミド、ＰＥＥＫ、
ＰＥＫＫ、ＰＥＴなどが使用できる。硬化剤としては、
イミダゾール系、フェノール系、アミン系などの硬化剤
が使用できる。溶剤としては、ＮＭＰ（ノルマルメチル
ピロリドン）、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチ
ルエーテル）、グリセリン、水、１−又は２−又は３−
のシクロヘキサノール、シクロヘキサノン、メチルセロ
ソルブ、メチルセロソルブアセテート、メタノール、エ
タノール、ブタノール、プロパノール、ビスフェノール
Ａ型エポキシなどが使用できる。

【００２３】また、この充填材として、無機超微粒子を
含有したものを用いることが望ましい。この理由は、金
属粒子の沈降を防止できるからである。この無機超微粒
子としては、シリカ、アルミナ、炭化珪素、ムライトを
用いることが望ましく、なかでもシリカが最適である。
この無機超微粒子の平均粒径は、１〜1000nm、より好ま
しくは２〜100nm とすることが望ましい。この理由は、
粒子径が微細であるため、スルーホールの充填性を損な
うことなく、また水素結合と推定される結合を網目状に
形成でき、粒子状物質をトラップできる範囲だからであ
る。この無機超微粒子の配合量は、樹脂組成物の全固形
分に対して 0.1〜５重量％とすることが望ましい。この
理由は、充填性を損なうことなく、金属粒子の沈降を防
止できる範囲だからである。なお、この充填材は、非導
電性（比抵抗1.48Ω・cm以上）であることが望ましい。
非導電性の方が硬化収縮が小さく、導体層（ふためっき
層）やバイアホールとの剥離が起こりにくいからであ
る。

【００２４】本発明において、層間樹脂絶縁層として
は、熱硬化性樹脂（熱硬化基の一部または全部を感光化
したものを含む）、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹
脂（熱硬化基の一部または全部を感光化したものを含
む）と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができる。熱
硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル（Ｐ
ＰＥ）などが使用できる。特に、エポキシ樹脂として
は、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂な
どを用いることができる。なお、この熱硬化性樹脂は、
熱硬化官能基の一部を感光基で置換して感光性を付与し
ておくことが好ましい。この理由は、感光性を付与した
熱硬化性樹脂を樹脂成分として含む樹脂絶縁剤を用いれ
ば、露光，現像処理により、その層間樹脂絶縁層にバイ
アホール用の開口部を容易に形成できるからである。熱
硬化基の一部または全部を感光化する場合は、熱硬化基
の一部または全部をメタクリル酸やアクリル酸などと反
応させてアクリル化させる。なかでもエポキシ樹脂のア
クリレートが最適である。熱可塑性樹脂としては、ポリ
テトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスルフォ
ン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、
熱可塑型ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエー
テルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥ
Ｉ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＥＳ）、４フッ
化エチレン６フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４
フッ化エチレンパーフロロアルコキシ共重合体（ＰＦ
Ａ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエー
テルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹
脂などが使用できる。熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複
合体としては、エポキシ樹脂−ＰＥＳ、エポキシ樹脂−
ＰＳＦ、エポキシ樹脂−ＰＰＳ、エポキシ樹脂−ＰＰＥ
Ｓなどが使用できる。

【００２５】本発明では、層間樹脂絶縁層としてガラス
クロス含浸樹脂複合体を用いることができる。このガラ
スクロス含浸樹脂複合体としては、ガラスクロス含浸エ
ポキシ、ガラスクロス含浸ビスマレイミドトリアジン、
ガラスクロス含浸ＰＴＦＥ、ガラスクロス含浸ＰＰＥ、
ガラスクロス含浸ポリイミドなどがある。

【００２６】また本発明において、層間樹脂絶縁層とし
ては、無電解めっき用接着剤を用いることができる。こ
の無電解めっき用接着剤としては、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理に
よって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性
樹脂中に分散されてなるものが最適である。この理由
は、酸や酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面を形成できるからである。

【００２７】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜10μ
ｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐
熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種
を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が 0.1〜0.8 μ
ｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μｍを超え２μｍ
未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が 0.1〜
1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末、から選ばれるいずれか少な
くとも１種を用いることが望ましい。これらは、より複
雑なアンカーを形成できるからである。この無電解めっ
き用接着剤で使用される耐熱性樹脂は、前述の熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複
合体を使用できる。

【００２８】本発明において、基板上に形成されたふた
めっき層と層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路と
は、バイアホールにて接続されることが望ましい。この
場合、バイアホールは、めっき膜や導電ペーストで充填
されたものがよい。

【００２９】以下、本発明の多層プリント配線板を製造
する方法について一例を挙げて具体的に説明する。な
お、以下に述べる方法は、セミアディティブ法による多
層プリント配線板の製造方法に関するものであるが、本
発明における多層プリント配線板の製造方法では、フル
アディティブ法やマルチラミネーション法、ピンラミネ
ーション法を採用することができる。

【００３０】(1) スルーホールの形成．まず、基板にドリルで貫通孔を明け、貫通孔の壁面
および基板表面に無電解めっきを施してスルーホールを
形成する。基板としては、ガラスエポキシ基板やポリイ
ミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ
素樹脂基板などの樹脂基板、あるいはこれらの樹脂基板
の銅張積層板、セラミック基板、金属基板などを用いる
ことができる。特に、誘電率を考慮する場合は、両面銅
張フッ素樹脂基板を用いることが好ましい。この基板
は、片面が粗化された銅箔をポリテトラフルオロエチレ
ン等のフッ素樹脂基板に熱圧着したものである。無電解
めっきとしては銅めっきがよい。フッ素樹脂基板のよう
にめっきのつきまわりが悪い基板の場合は、有機金属ナ
トリウムからなる前処理剤（商品名：潤工社製：テトラ
エッチ）による処理、プラズマ処理などの表面改質を行
う。

【００３１】．次に、厚付けのために電解めっきを行
う。この電解めっきとしては銅めっきがよい。．そしてさらに、スルーホール内壁および電解めっき
膜表面を粗化処理して粗化層を設ける。この粗化層に
は、酸化還元処理によるものを用いる。

【００３２】(2) 充填材の充填．前記(1) で形成したスルーホール内に、前述した成
分組成の充填材を充填する。具体的には、充填材は、ス
ルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した基板上
に、印刷法にて塗布することによりスルーホールに充填
され、充填後、乾燥、硬化される。

【００３３】この充填材には、金属粒子と樹脂の密着力
を上げるために、シランカップリング剤などの金属表面
改質剤を添加してもよい。また、その他の添加剤とし
て、アクリル系消泡剤やシリコン系消泡剤などの消泡
剤、シリカやアルミナ、タルクなどの無機充填材を添加
してもよい。また、金属粒子の表面には、シランカップ
リング剤を付着させてもよい。

【００３４】このような充填材は、例えば、以下の条件
にて印刷される。即ち、テトロン製メッシュ版の印刷マ
スク版と45℃の角スキージを用い、Cuペースト粘度： 1
20Pa・ｓ、スキージ速度：13mm／min 、スキージ押込み
量：１mmの条件で印刷する。

【００３５】．スルーホールからはみ出した充填材お
よび基板の電解めっき膜表面の粗化層を研磨により除去
して、基板表面を平坦化する。研磨は、ベルトサンダー
やバフ研磨がよい。

【００３６】(3) 導体層の形成．前記(2) で平坦化した基板の表面に触媒核を付与し
た後、無電解めっき、電解めっきを施し、さらにエッチ
ングレジストを形成し、レジスト非形成部分をエッチン
グすることにより、導体回路部分およびふためっき層部
分を形成する。そのエッチング液としては、硫酸−過酸
化水素の水溶液、過硫酸アンモニウムや過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄
や塩化第二銅の水溶液がよい。

【００３７】．そして、エッチングレジストを剥離し
て、独立した導体回路およびふためっき層とした後、そ
の導体回路およびふためっき層の表面に、インタープレ
ートによる針状合金めっきにて粗化層を形成する。導体
回路およびふためっき層の表面に粗化層を形成すると、
その導体は、層間樹脂絶縁層との密着性に優れるので、
導体回路およびふためっき層の側面あるいは表面と樹脂
絶縁層との界面を起点とするクラックが発生しない。ま
た一方で、ふためっき層は、電気的に接続されるバイア
ホールとの密着性が改善される。

【００３８】なお、導体層の形成方法として、以下の工
程を採用することができる。即ち、前記(1),(2) の工程
を終えた基板にめっきレジストを形成し、次いで、レジ
スト非形成部分に電解めっきを施して導体回路およびふ
ためっき層部分を形成し、これらの導体上に、ホウフッ
化スズ、ホウフッ化鉛、ホウフッ化水素酸、ペプトンか
らなる電解半田めっき液を用いて半田めっき膜を形成し
た後、めっきレジストを除去し、そのめっきレジスト下
の無電解めっき膜および銅箔をエッチング除去して独立
パターンを形成し、さらに、半田めっき膜をホウフッ酸
水溶液で溶解除去して導体層を形成する。

【００３９】(4) 層間樹脂絶縁層の形成．このようにして作製した配線基板上に、層間樹脂絶
縁剤の層を形成する。層間樹脂絶縁剤としては、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑
性樹脂の複合体を使用できる。また、本発明では、層間
樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用い
ることができる。層間樹脂絶縁層は、これらの樹脂の未
硬化液を塗布したり、フィルム状の樹脂を熱圧着してラ
ミネートすることにより形成される。

【００４０】．次に、未硬化の層間樹脂絶縁剤（無電
解めっき用接着剤）を塗布した場合には、その層間樹脂
絶縁剤の層を乾燥する。この，の終了時点では、基
板の導体回路上に設けた層間樹脂絶縁剤の層は、導体回
路間に樹脂を充填していないので、導体回路パターン領
域上の層間樹脂絶縁剤の層の厚さは薄く、導体回路の面
積が広い領域上の層間樹脂絶縁剤の層の厚さは厚く、凹
凸が発生している状態である（図４(d) 参照）。

【００４１】．次に、凹凸状態にある層間樹脂絶縁剤
の層を、金属板や金属ロールを用いて加熱しながら押圧
（加熱プレス）し、その表面を平坦化する（図４(e) 参
照）。ここで用いる金属板や金属ロールは、ステンレス
製のものがよい。その理由は耐腐食性に優れるからであ
る。加熱プレスは、層間樹脂絶縁剤の層を設けた基板を
金属板または金属ロールにて挟持し、加熱雰囲気でプレ
スすることにより行う。この加熱プレスにより、層間絶
縁剤の樹脂が流動して層間樹脂絶縁剤の層表面が平坦に
なる。この加熱プレスにおける加熱温度、圧力、時間
は、層間樹脂絶縁剤に用いる樹脂により異なる。例え
ば、エポキシ樹脂のアクリレートとポリエーテルスルフ
ォンの複合体を樹脂マトリックスとし、エポキシ樹脂粒
子を耐熱性樹脂粒子とした無電解めっき用接着剤を層間
樹脂絶縁剤に用いる場合は、加熱温度を60〜70℃、圧力
を15〜25 kgf／cm²、時間を15〜25分とすることが望ま
しい。

【００４２】なお、金属ロールを用いる場合は、搬送し
ながら加熱プレスすることができ、量産性の観点から有
利である。特に、ゴムのような弾性体のロールと金属ロ
ールを組み合わせて用いることが有利である。例えば、
最初にゴムロールにより加熱プレスし、次いで、金属ロ
ールにて加熱プレスする。この場合、層間樹脂絶縁剤の
層を設けた基板は最初のゴムロールにより予備加熱さ
れ、予備加熱されたその基板は金属ロールにより平坦化
される。

【００４３】本発明では、層間樹脂絶縁剤が感光性の場
合は、必要に応じて加熱プレス前に透光性フィルムを層
間樹脂絶縁剤の層上に貼り付けることができる。この透
光性フィルムは、光重合反応の際に酸素が反応を阻害し
て、現像時の膜減りやピール強度の低下を招くのを防止
するために使用される。このため、浅いアンカー深さで
も、ピール強度の低下は見られない。この透光性フィル
ムは、熱可塑性樹脂フィルムが望ましく、例えば、ポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレン（Ｐ
Ｅ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエーテル
エーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルサルフォン
（ＰＥＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル
（ＰＶＣ）などのフィルムがよい。

【００４４】なお、これらのフィルムは、貼着側の面に
粘着剤を塗布しておくことが望ましい。その理由は、層
間樹脂絶縁剤の層との密着性を確保できるからである。
この粘着剤は、特に限定はされないが、「伊保内賢、
小松公栄、北崎寧昭編著、工業調査会発行粘着
剤活用ノート」に記載されたものを使用できる。例え
ば、天然ゴム系、スチレンーブタジエン系、ポリイソブ
チレン系、イソプレン系、アクリル系、アクリルエマル
ジョン系、シリコーン系、天然ゴム−ブタジエンラテッ
クス系の粘着剤が挙げられる。具体的には、次のような
組成の粘着剤を挙げることができる。・天然ゴム系天然ゴム 100 重量部粘着付与剤樹脂 150〜120 重量部亜鉛華 25〜50 重量部炭酸カルシウム 35〜60 重量部カーボンブラック〜15 重量部老化防止剤〜1.5 重量部イオウ 0.5〜2.25 重量部・スチレン−ブタジエン系ゴムラテックス 100 重量部高融点粘着付与剤 89 重量部石鹸生成樹脂酸 5.6 重量部抵酸化剤 4.8 重量部アンモニア水 0.7 重量部水 151 重量部・ポリイソブチレン系ポリイソブチレン 100 重量部ポリブテン 10 重量部ホワイトオイル 20 重量部・イソプレン系クラレ製、商品名：クラプレンIR−10 ・アクリル系アクリル酸２−エチルヘキシン 78 重量部アクリル酸メチル 20 重量部無水マレイン酸２重量部ヘキサメチレンジアミン 0.5 重量部・アクリルエマルジョン系２−エチルヘキシルアクリレート 70 重量部酢酸ビニル 30 重量部アクリル酸２重量部・シリコーン系シリコーンゴム 100 重量部シリコーンレジン 80〜120 重量部縮合触媒 0.01〜0.5 重量部溶剤 100〜150 重量部

【００４５】本発明では、透光性フィルムを、凹凸状態
にある層間樹脂絶縁剤の層に貼着してこれを加熱プレス
（図４(e) 参照）してもよく、凹凸状態にある層間樹脂
絶縁剤の層を加熱プレスして平坦化した後に透光性フィ
ルムを貼着してもよい。平坦化する前に透光性フィルム
を貼着した方が、樹脂が金属板に付着しないため、有利
である。

【００４６】．そして、層間樹脂絶縁剤の層を硬化し
て層間樹脂絶縁層とするとともに、上層の導体回路とス
ルーホールとの電気的接続を確保するために、この層間
樹脂絶縁層にバイアホール形成用の開口を設ける。この
バイアホール形成用の開口は、層間樹脂絶縁剤が感光性
樹脂からなる場合は、露光、現像処理にて行い、熱硬化
性樹脂や熱可塑性樹脂からなる場合は、レーザ光にて行
う。このとき、使用されるレーザ光としては、炭酸ガス
レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザなどがある。レ
ーザ光にて孔明けした場合は、デスミア処理を行っても
よい。このデスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩
などの水溶液からなる酸化剤を使用して行うことがで
き、また酸素プラズマなどで処理してもよい。

【００４７】．バイアホール形成用開口を設けた層間
樹脂絶縁層の表面を、必要に応じて粗化する。上述した
無電解めっき用接着剤を層間樹脂絶縁層として使用した
場合は、表面を酸や酸化剤で処理して接着剤層の表面に
存在する耐熱性樹脂粒子のみを選択的に溶解または分解
により除去して粗化する。また、熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂を使用した場合でも、クロム酸、過マンガン酸塩
などの水溶液から選ばれる酸化剤による表面粗化処理が
有効である。なお、酸化剤では粗化されないフッ素樹脂
（ポリテトラフルオロエチレン等）などの樹脂の場合
は、プラズマ処理やテトラエッチなどにより表面を粗化
することができる。このとき、粗化面の深さは、１〜５
μｍ程度がよい。ここで、上記酸としては、リン酸、塩
酸、硫酸、あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、
特に有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合
に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させに
くいからである。一方、上記酸化剤としては、クロム
酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）の水
溶液を用いることが望ましい。

【００４８】(5) 導体回路の形成．層間樹脂絶縁層の表面を粗化した配線基板に、無電
解めっき用の触媒核を付与する。一般に触媒核は、パラ
ジウム−スズコロイドであり、この溶液に基板を浸漬、
乾燥、加熱処理して樹脂表面に触媒核を固定する。ま
た、金属核をＣＶＤ、スパッタ、プラズマにより樹脂表
面に打ち込んで触媒核とすることができる。この場合、
樹脂表面に金属核が埋め込まれることになり、この金属
核を中心にめっきが析出して導体回路が形成されるた
め、粗化しにくい樹脂やフッ素樹脂（ポリテトラフルオ
ロエチレン等）のように樹脂と導体回路との密着が悪い
樹脂でも、密着性を確保できる。この金属核としては、
パラジウム、銀、金、白金、チタン、銅およびニッケル
から選ばれる少なくとも１種以上がよい。なお、金属核
の量は、20μｇ／cm²以下がよい。この量を超えると金
属核を除去しなければならないからである。

【００４９】．次に、層間樹脂絶縁層の表面に無電解
めっきを施し、粗化面全面に、その粗面に沿って凹凸を
有する薄膜の無電解めっき膜を形成する。このとき、無
電解めっき膜の厚みは、 0.1〜５μｍ、より望ましくは
0.5〜３μｍとする。

【００５０】．次に、この無電解めっき膜上にめっき
レジストを形成する。めっきレジスト組成物としては、
特にクレゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとイミダゾー
ル硬化剤からなる組成物を用いることが望ましいが、他
に市販品のドライフィルムを使用することもできる。

【００５１】．次に、無電解めっき膜を形成した基板
を、10〜35℃、望ましくは15〜30℃の水で水洗する。こ
の理由は、水洗温度が35℃を超えると水が揮発してしま
い、無電解めっき膜の表面が乾燥して、酸化してしま
い、電解めっき膜が析出しない。そのため、エッチング
処理により、無電解めっき膜が溶解してしまい、導体が
存在しない部分が生じてしまう。一方、10℃未満では水
に対する汚染物質の溶解度が低下し、洗浄力が低下して
しまうからである。特に、バイアホールのランドの径が
200μｍ以下になると、めっきレジストが水をはじくた
め、水が揮発しやすく、電解めっきの未析出という問題
が発生しやすい。なお、洗浄水の中には、各種の界面活
性剤、酸、アルカリを添加しておいてもよい。また、洗
浄後に硫酸などの酸で洗浄してもよい。

【００５２】．次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールとなる
導体部を設ける。ここで、上記電解めっきとしては、銅
めっきを用いることが望ましく、その厚みは、10〜20μ
ｍがよい。

【００５３】．さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどの水溶液からなるエッチング液で
めっきレジスト下の無電解めっき膜を溶解除去し、無電
解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立した導体
回路、ならびにバイアホールを得る。

【００５４】(6) 配線基板の多層化前記(5) で形成した導体回路の表面に粗化層を形成した
後、前記 (4)，(5) の工程を繰り返してさらに上層の導
体回路を設けることにより、所定の多層プリント配線板
を製造する。

【００５５】

【実施例】（実施例１）Ａ．上層の無電解めっき用接着剤の調製．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消
泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65） 0.5重量部、ＮＭＰを
3.6重量部を攪拌混合した。．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径1.0 μｍのものを7.2 重量部、平均粒径 0.5μｍのも
のを3.09重量部を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合した。．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュアＩ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S） 0.2
重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合した。これらを混
合して２層構造の層間樹脂絶縁層を構成する上層側の接
着剤層として用いられる無電解めっき用接着剤を調製し
た。

【００５６】Ｂ．下層の層間樹脂絶縁剤の調製．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡
剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰを 3.6
重量部を攪拌混合した。．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 0.5μｍのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュアＩ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2
重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合した。これらを混
合して、２層構造の層間樹脂絶縁層を構成する下層側の
絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製した。

【００５７】Ｃ．スルーホール充填用樹脂組成物の調製クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル製、
エピコート152 ）3.5重量部、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂（油化シェル製、エピコート807 ）14.1重量
部、平均粒子径14nmのシリカ超微粒子（アエロジルＲ20
2 ）1.0 重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E
4MZ-CN）1.2 重量部、平均粒子径15μｍの銅粉 100重量
部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を22±１
℃で 200〜300 Pa・ｓに調整して、スルーホール充填用
樹脂組成物（樹脂充填材）５を調製した。

【００５８】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔２がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とし（図３(a) 参照）、まず、この銅張積層板をドリ
ル削孔した（図３(b) 参照）。

【００５９】次に、パラジウム−スズコロイドを付着さ
せ、下記組成で無電解めっきを施して、基板全面に２μ
ｍの無電解めっき膜を形成した。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００６０】さらに、以下の条件で電解銅めっきを施
し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜を形成した（図３(c)
参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００６１】(2) 全面に無電解銅めっき膜と電解銅めっ
き膜からなる導体（スルーホール３を含む）を形成した
基板を、水洗いし、乾燥した後、酸化浴として、NaOH
（20ｇ／ｌ）、NaClO₂（50ｇ／ｌ）、Na₃PO₄（15.0ｇ／
ｌ）の水溶液を用い、還元浴として、NaOH（ 2.7ｇ／
ｌ）、NaBH₄（ 1.0ｇ／ｌ）の水溶液を用いた酸化還元
処理に供し、そのスルーホール３を含む導体の全表面に
粗化層４を設けた（図３(d)参照）。

【００６２】(3) 前記Ｃで調製した樹脂充填材５を、ス
ルーホール３内にスクリーン印刷によって充填し、乾
燥、硬化させた。そして、導体上面の粗化層４およびス
ルーホール３からはみ出した充填材５を、＃600 のベル
ト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨
により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行い、基板表面を平坦化し
た（図３(e) 参照）。

【００６３】(4) 前記(3) で平坦化した基板表面に、パ
ラジウム触媒（アトテック製）を付与し、常法に従って
無電解銅めっきを施すことにより、厚さ 0.6μｍの無電
解銅めっき膜６を形成した（図３(f) 参照）。

【００６４】(5) ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜７を形成し、導体回
路９となる部分の厚付け、およびスルーホール３に充填
された充填材５を覆う導体層（ふためっき層）10となる
部分を形成した。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）１ ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００６５】(6) 導体回路９および導体層10となる部分
を形成した基板の両面に、市販の感光性ドライフィルム
を張り付け、マスク載置して、100 mJ／cm²で露光、0.
8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのエッチ
ングレジスト８を形成した（図４(a) 参照）。

【００６６】(7) そして、エッチングレジスト８を形成
してない部分のめっき膜を、硫酸と過酸化水素の混合液
を用いるエッチングにて溶解除去し、さらに、エッチン
グレジスト８を５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去して、独立
した導体回路９および充填材５を覆う導体層（ふためっ
き層）10を形成した（図４(b) 参照）。

【００６７】(8) 次に、導体回路９および充填材５を覆
う導体層（ふためっき層）10の側面を含む全表面にCu−
Ni−Ｐ合金からなる厚さ 2.5μｍの粗化層（凹凸層）11
を形成し、さらにこの粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍの
Sn層を形成した（図４(c) 参照、Sn層については図示し
ない）。その形成方法は以下のようである。即ち、基板
を酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラ
ジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒
を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、
硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン
酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤
（日信化学工業製、サーフィノール465） 0.1ｇ／ｌの
水溶液からなるｐＨ＝９の無電解めっき浴にてめっきを
施し、導体回路９および充填材５を覆う導体層10の表面
にCu−Ni−Ｐ合金の粗化層11を設けた。ついで、ホウフ
ッ化スズ 0.1mol／ｌ、チオ尿素 1.0 mol／ｌを用い、
温度50℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗
化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層につ
いては図示しない）。

【００６８】(9) 基板の両面に、Ｂの層間樹脂絶縁剤
（粘度15Pa・ｓ）をロールコータで塗布し、水平状態で
20分間放置してから、60℃で30分の乾燥を行い、絶縁剤
層を形成した。さらにこの絶縁剤層の上にＡの無電解め
っき用接着剤（粘度８Pa・ｓ）をロールコータを用いて
塗布し、55℃で40分の乾燥を行い、接着剤層を形成し、
層間樹脂絶縁剤の層12を形成した（図４(d) 参照）。こ
のとき、層間樹脂絶縁剤の層12の表面は、導体間の凹凸
に起因して平坦ではなかった。

【００６９】(10)前記(9) で形成した層間樹脂絶縁剤の
層12の表面にポリエチレンテレフタレートフィルム（透
光性フィルム）18を貼着した後、ステンレス板20で挟
み、20 kgf／cm² で加圧し、加熱炉内で65℃で加熱しな
がら、20分間加熱プレスした（図４(e) 参照）。この加
熱プレスにより、層間樹脂絶縁剤の層12の表面を平坦化
した。

【００７０】(11)前記(10)で平坦化した基板の両面に、
85μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密
着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm²で露光した。
これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像することにより、そ
の層間樹脂絶縁剤の層12に85μｍφのバイアホールとな
る開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ／cm²で露光し、100 ℃で１時間、その後 1
50℃で５時間の加熱処理をすることにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイアホ
ール形成用開口13）を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁
層12を形成した（図４(f) 参照）。なお、バイアホール
となる開口には、スズめっき層を部分的に露出させた。

【００７１】(12)バイアホール形成用開口を形成した基
板を、 800ｇ／ｌのクロム酸水溶液に70℃で19分間浸漬
し、層間樹脂絶縁層12の接着剤層の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂
絶縁層12の表面を粗面（深さ３μｍ）とし、その後、中
和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒
（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁
層12の表面およびバイアホール用開口13の内壁面に触媒
核を付けた。

【００７２】(13)以下の組成の無電解銅めっき水溶液中
に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6μｍの無電解銅
めっき膜14を形成した（図５(a) 参照）。このとき、め
っき膜が薄いために無電解めっき膜表面には凹凸が観察
された。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕70℃の液温度で30分

【００７３】(14)前記(13)で形成した無電解めっき膜14
上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを
載置して、100 mJ／cm²で露光、0.8 ％炭酸ナトリウム
で現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト16を設けた
（図５(b) 参照）。

【００７４】(15)ついで、基板を50℃の水で洗浄して脱
脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、
以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅
めっき膜15を形成した（図５(c) 参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸銅 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アドテックジャパン製、カパラシドＧＬ）１ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間 30分温度室温

【００７５】(16)めっきレジスト16を５％ＫＯＨ水溶液
で剥離除去した後、そのめっきレジスト16下の無電解め
っき膜14を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理
して溶解除去し、無電解銅めっき膜14と電解銅めっき膜
15からなる厚さ18μｍの導体回路（バイアホール17を含
む）９を形成した（図５(d) 参照）。さらに、70℃で80
0g／l のクロム酸水溶液に３分間浸漬して、導体回路非
形成部分に位置する導体回路間の無電解めっき用接着剤
層の表面を１μｍエッチング処理し、その表面に残存す
るパラジウム触媒を除去した。

【００７６】(17)導体回路９を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤（日信化学工業製、サーフィノール465 ）
0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬
し、該導体回路９の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−
リンからなる粗化層11を形成した。このとき、形成した
粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したと
ころ、Cu：98 mol％、Ni： 1.5 mol％、Ｐ： 0.5 mol％
の組成比であった。さらに、ホウフッ化スズ 0.1 mol／
ｌ、チオ尿素 1.0 mol／ｌの水溶液を用い、温度50℃、
ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、前記粗化層
11の表面に厚さ0.3 μｍのSn層を設けた（Sn層について
は図示しない）。

【００７７】(18)前記 (9)〜(17)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を
得た。但し、Sn置換は行わなかった（図６(a) 参照）。

【００７８】(19)一方、DMDGに溶解させた60wt％のクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポ
キシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー
（分子量4000）を 46.67重量部、メチルエチルケトンに
溶解させた80wt％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）15.0重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 重量部、感
光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬
製、Ｒ604 ）３重量部、同じく多価アクリルモノマー
（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5重量部、分散系消泡剤
（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71重量部を混合し、さら
にこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン
（関東化学製）を２重量部、光増感剤としてのミヒラー
ケトン（関東化学製）0.2 重量部を加えて、ソルダーレ
ジスト組成物を得た。

【００７９】(20)前記(18)で得た多層配線基板の両面
に、上記ソルダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗布
した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理
を行った後、クロム層によってソルダーレジスト開口部
の円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mm
のソーダライムガラス基板を、クロム層が形成された側
をソルダーレジスト層に密着させて1000mJ／cm²の紫外
線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80℃で１時
間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間
の条件で加熱処理し、はんだパッドの上面、バイアホー
ルおよびランド部分を開口した（開口径 200μｍ）ソル
ダーレジストパターン層19（厚み20μｍ）を形成した。

【００８０】(21)次に、ソルダーレジストパターン層18
を形成した基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌの水
溶液からなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に20分
間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層21
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム
２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリ
ウム50ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌの水溶液
からなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬し
て、ニッケルめっき層21上に厚さ0.03μｍの金めっき層
22を形成した。

【００８１】(22)そして、ソルダーレジストパターン層
19の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることによりはんだバンプ（はんだ体）23を形成
し、はんだバンプ23を有する多層プリント配線板を製造
した（図６(b) 参照）。

【００８２】（比較例１） (1) 実施例１の (1)〜(8) を実施した。 (2) 樹脂充填材の調製．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製、分子量310,YL983U）100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSi
Ｏ₂球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サ
ンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を３本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜
49,000cps に調整した。．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填材を調製した。 (3) この樹脂充填材を、基板の両面にロールコータを用
いて塗布することにより導体回路間に充填し、次いで、
100 ℃で１時間、 120℃で３時間、 150℃で１時間、 1
80℃で７時間の加熱処理を行って硬化した。 (4) 前記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃600 のベ
ルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研
磨により、内層銅パターンの表面やスルーホールのラン
ド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、
前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ
研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面
についても同様に行った。しかしながら、この研磨の際
に、ふためっきが剥離した。この点、本発明にかかる実
施例１の方法では、ふためっき層の欠損を招くことな
く、配線やスルーホールの高密度化を実現することがで
きる。

【００８３】（比較例２） (1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板の両面に18μ
ｍの銅箔がラミネートされている銅張積層板を出発材料
とした。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、めっき
レジストを形成した後、無電解めっき処理してスルーホ
ールを形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状に
エッチングすることにより、基板の両面に内層銅パター
ンを形成した。 (2) 内層銅パターンを形成した基板を、水洗いし、乾燥
した後、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／ｌ）、Na₃P
O₄（６ｇ／ｌ）の水溶液を酸化浴、またNaOH（10ｇ／
ｌ）、NaBH₄（６ｇ／ｌ）の水溶液を還元浴とし、導体
回路、スルーホール全表面に粗化層を設けた。 (3) 樹脂充填材の調製．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製、分子量310,YL983U）100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSi
Ｏ₂球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サ
ンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を３本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜
49,000cps に調整した。．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填材を調製した。 (4) この樹脂充填材を、基板の両面にロールコータを用
いて塗布することにより導体回路間あるいはスルーホー
ル内に充填し、次いで、100 ℃で１時間、 120℃で３時
間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行っ
て硬化した。即ち、この工程により、樹脂充填材が内層
銅パターンの間あるいはスルーホール内に充填される。 (5) 前記(4) の処理を終えた基板の片面を、＃600 のベ
ルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研
磨により、内層銅パターンの表面やスルーホールのラン
ド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、
前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ
研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面
についても同様に行った。このようにして、スルーホー
ル等に充填された樹脂充填材の表層部および内層導体回
路上面の粗化層を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充
填材と導体回路の側面とが粗化層を介して強固に密着
し、またスルーホールの内壁面と樹脂充填材とが粗化層
を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工
程により、樹脂充填材の表面と内層銅パターンの表面が
同一平面となる。ここで、充填した硬化樹脂のＴｇ点は
155.6℃、線熱膨張係数は44.5×10^-5／℃であった。 (6) さらに、露出した導体回路およびスルーホールのラ
ンド上面に厚さ５μｍのCu−Ni−Ｐ合金被覆層、厚さ２
μｍのCu−Ni−Ｐ針状合金粗化層および粗化層表面に厚
さ 0.3μｍのSn金属被覆層を設けた。これらの層の形成
方法は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂してソ
フトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸か
らなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒
を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ
／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／
ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サ
ーフィノール104 ） 0.1ｇ／ｌの水溶液からなるｐＨ＝
９の無電銅めっき浴に基板を浸漬し、この基板を４秒に
１回の割合で縦方向に振動させるとともに、めっき析出
後、３分後に空気をバブリングさせて、銅導体回路およ
びスルーホールの表面にCu−Ni−Ｐの非針状合金の被覆
層を最初に析出させ、次にCu−Ni−Ｐの針状合金を析出
させて粗化層を設けた。さらに、 100℃で30分、 120℃
で30分、 150℃で２時間の加熱処理を行い、10体積％の
硫酸水溶液、および0.2mol／ｌのホウフッ酸水溶液で処
理した後、ホウフッ化スズ 0.1 mol／ｌ、チオ尿素 1.0
mol／ｌの水溶液を用い、温度50℃、ｐＨ＝1.2 の条件
でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0.3μｍの
Sn金属被覆層を設けた。 (7) そして、実施例１の (9)〜(22)を実施し、はんだバ
ンプを有する多層プリント配線板を製造した。

【００８４】このようにして製造した多層プリント配線
板について、−55〜125 ℃で1000回のヒートサイクル試
験を実施し、光学顕微鏡により層間樹脂絶縁層中のクラ
ックの有無を確認した。その結果を表１に示す。また、
電子部品の実装性について評価した。

【００８５】表１に示す結果から明らかなように、本発
明のプリント配線板は、ヒートサイクルの条件下での耐
クラック性に優れている。電子部品の実装性についても
問題はなかった。

【００８６】

【表１】

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ふ
ためっき層の欠損を招くことなく、配線やスルーホール
の高密度化を実現した多層プリント配線板を製造するこ
とができる。しかも、本発明の多層プリント配線板は、
ヒートサイクルなどの条件下での耐クラック性に優れ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術にかかる多層プリント配線板の製造工
程のを示す概略図である。

【図２】内層の導体回路に起因する層間樹脂絶縁層の表
面凹凸を示す図である。

【図３】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。

【図４】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。

【図５】(a) 〜(d) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。

【図６】(a) 〜(b) は、本発明にかかる多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す図である。

【符号の説明】

１基板２銅箔３スルーホール４,11 粗化層５充填材６,14 無電解めっき膜７,15 電解めっき膜８エッチングレジスト９導体回路 10 導体層 12 層間樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁剤の層） 13 バイアホール用開口 16 めっきレジスト 17 バイアホール 18 透光性フィルム 19 ソルダーレジスト層 20 金属板（ステンレス板） 21 ニッケルめっき層 22 金めっき層 23 はんだバンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA12 AA32 AA43 AA54 CC02 CC04 CC09 CC10 CC14 CC32 CC33 CC34 CC38 CC39 CC52 CC55 CC57 DD02 DD12 DD16 DD17 DD23 DD32 DD33 EE03 EE04 EE06 EE09 EE13 EE19 EE33 EE38 FF07 FF15 GG17 GG27 GG28 HH18 HH25 HH26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、層間樹脂絶縁層を介して導体
回路が形成されてなり、該基板にはスルーホールが設け
られ、そのスルーホールには充填材が充填された構造を
有する多層プリント配線板において、前記スルーホールの直上には、充填材のスルーホールか
らの露出面を覆う導体層が形成され、この導体層および
これと同層に位置する導体回路には、側面を含む全表面
に粗化層が形成され、この粗化層の表面には、導体間の
凹部を充填し、その表面が平坦な層間樹脂絶縁層が形成
されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】少なくとも下記〜の工程、即ち、．基板にスルーホールを形成する工程、．前記スルーホールの内壁に粗化層を設ける工程、．前記スルーホールに充填材を充填する工程、．前記スルーホールの直上に、充填材のスルーホール
からの露出面を覆う導体層を形成する工程、．前記導体層およびこれと同層に位置する導体回路の
側面を含む全表面に、粗化層を設ける工程、．未硬化の層間樹脂絶縁剤の層を設け、この層間樹脂
絶縁剤の層を加熱プレスしてその表面を平坦化し、その
後、硬化処理して層間樹脂絶縁層を形成する工程、．前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。
【請求項３】前記工程における粗化層が酸化還元処
理層である請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】前記工程において、感光性の層間樹脂
絶縁層を形成するにあたり、加熱プレス前に層間樹脂絶
縁剤の層表面に透光性フィルムを貼付し、この透光性フ
ィルムを介して層間樹脂絶縁剤の層表面を加熱プレスに
より平坦化したのち露光硬化し、その後、その透光性フ
ィルムを除去して現像処理することを特徴とする請求項
２に記載の製造方法。
【請求項５】前記工程における加熱プレスは、層間
樹脂絶縁剤の層を加熱しながら金属板または金属ロール
を押圧して行うことを特徴とする請求項２に記載の製造
方法。
【請求項６】前記工程において、エポキシ樹脂を主
成分とする層間樹脂絶縁剤の層の加熱プレスは、温度40
〜60℃、圧力 3.5〜6.5kgf／cm²、プレス時間30〜90秒
間の条件にて行うことを特徴とする請求項２に記載の製
造方法。
【請求項７】前記層間樹脂絶縁層には、前記スルーホ
ール直上に位置する部分に開口を設けて、導体回路およ
びバイアホールを形成することを特徴とする請求項２に
記載の製造方法。
【請求項８】前記充填材として、金属粒子、熱硬化性
または熱可塑性の樹脂および硬化剤からなるものを用い
ることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。