JP2000017150A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、高温での
信頼性、耐半田クラック性、難燃性に優れた硬化物を与
える半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物に
よって封止された半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which gives a cured product having excellent moldability, high-temperature reliability, solder crack resistance and flame retardancy, and sealing with the cured product. Related to a manufactured semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体装置の高密度実装化に伴って表面実装型パッケー
ジが主流になってきている。これら表面実装型パッケー
ジを実装する際には、ぺーパーフェーズリフロー、赤外
線リフロー、半田浸漬等の工程が採用されている。しか
し、これらの工程では、パッケージが高温（２１５〜２
６０℃）にさらされるため、従来の封止樹脂で封止した
パッケージは、実装時に樹脂部分にクラックが発生し、
信頼性が保証できないという大きな問題が生じている。2. Description of the Related Art
2. Description of the Related Art Surface mounting packages have become mainstream along with high density mounting of semiconductor devices. In mounting these surface mount packages, processes such as paper phase reflow, infrared reflow, and solder immersion are employed. However, in these steps, the package is heated to a high temperature (215 to 2).
60 ° C), the package sealed with the conventional sealing resin has cracks in the resin during mounting,
A major problem is that reliability cannot be guaranteed.
【０００３】更に、近年では薄型のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ
のようなパッケージが主流となりつつあり、耐リフロー
クラック性の要求はますます強くなっている。また、近
年ではガラス転移温度が１００℃前後の封止樹脂の使用
により、耐リフロークラック性が改善されてはきている
が、高温での信頼性の低下が懸念されている。Further, in recent years, thin TSOPs and TQFPs have been developed.
Such packages are becoming mainstream, and the demand for reflow crack resistance is becoming stronger. In recent years, reflow crack resistance has been improved by using a sealing resin having a glass transition temperature of about 100 ° C., but there is a concern that reliability at a high temperature may be reduced.
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、成形性に優れ、かつ高温での信頼性及び耐リフロー
性に優れ、高い難燃性を有する硬化物を与える半導体封
止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された半
導体装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is an epoxy resin for semiconductor encapsulation which provides a cured product having excellent moldability, high reliability at high temperatures and reflow resistance, and high flame retardancy. An object is to provide a semiconductor device sealed with a composition and a cured product thereof.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、エポキシ樹脂として下記一般式（１）のビフェニル
アラルキル骨格を有するエポキシ樹脂と、硬化剤として
下記一般式（２）のビフェニルアラルキル骨格を有する
フェノール樹脂とを併用すると共に、下記一般式（３）
及び／又は（４）で示される硬化促進剤を使用すること
により、良好な成形性を有し、高温での信頼性及び耐リ
フロークラック性に優れ、難燃性の高い硬化物を与える
半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、その硬化物
で封止された半導体装置は高い信頼性を有することを見
出した。Means for Solving the Problems and Embodiments of the Invention The present inventors have made intensive studies to achieve the above object, and as a result, as an epoxy resin, an epoxy resin having a biphenylaralkyl skeleton represented by the following general formula (1): And a phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton represented by the following general formula (2) as a curing agent, and the following general formula (3)
And / or by using the curing accelerator represented by (4), a semiconductor encapsulant having good moldability, excellent in high-temperature reliability and reflow crack resistance, and providing a cured product with high flame retardancy. An epoxy resin composition for stopping was obtained, and the semiconductor device sealed with the cured product was found to have high reliability.
【０００６】即ち、本発明者は、エポキシ樹脂として下
記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂及びその硬化剤
として下記一般式（２）で表されるフェノール樹脂を必
須成分としてなるエポキシ樹脂組成物は、その硬化物が
耐熱性に優れるが、より優れた高温信頼性、耐クラック
性を示すためには十分に硬化反応が行われていることが
重要であることを知見した。しかし、式（１）で表され
るエポキシ樹脂及び式（２）で表されるフェノール樹脂
の間の硬化反応は、従来硬化促進剤として用いてきた
１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−
７、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、トリフェニルホスフィン、テトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレート等では十分進
行せず、成形性、高温信頼性及び耐クラック性に優れた
硬化物が得られないという問題があった。That is, the present inventors have developed an epoxy resin composition comprising an epoxy resin represented by the following general formula (1) as an epoxy resin and a phenol resin represented by the following general formula (2) as a curing agent thereof. Although the cured product has excellent heat resistance, it has been found that it is important that a sufficient curing reaction is performed in order to exhibit more excellent high-temperature reliability and crack resistance. However, the curing reaction between the epoxy resin represented by the formula (1) and the phenol resin represented by the formula (2) is based on 1,8-diazabicyclo (5.4.0) conventionally used as a curing accelerator. Undecene
7,2-Methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, etc. do not proceed sufficiently, and a cured product excellent in moldability, high-temperature reliability and crack resistance is obtained. There was a problem that it could not be obtained.
【０００７】これに対して、本発明者は、トリフェニル
ホスフィンもしくはテトラフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレートのフェニル基に電子供与基を導入
し、リン原子の塩基性を高めた下記一般式（３）及び／
又は（４）で表される硬化促進剤を使用することによ
り、式（１）のエポキシ樹脂と式（２）のフェノール樹
脂硬化剤との間の硬化反応が十分に進行し、成形性に優
れ、かつ高温信頼性及び耐クラック性に優れ、しかもブ
ロム化樹脂、三酸化アンチモン等の難燃化剤を配合しな
くても難燃性の高い硬化物を与え得ること、従って、こ
の硬化物で半導体装置を封止するこにより、信頼性の高
い半導体装置を得ることができることを見出し、本発明
をなすに至ったものである。On the other hand, the present inventor has proposed the following general formula (3) in which an electron donating group is introduced into a phenyl group of triphenylphosphine or tetraphenylphosphonium tetraphenylborate to increase the basicity of a phosphorus atom. /
Alternatively, by using the curing accelerator represented by (4), the curing reaction between the epoxy resin of the formula (1) and the phenol resin curing agent of the formula (2) sufficiently proceeds, and the moldability is excellent. It is excellent in high-temperature reliability and crack resistance, and can provide a cured product having high flame retardancy without blending a flame retardant such as brominated resin and antimony trioxide. The present inventors have found that a highly reliable semiconductor device can be obtained by sealing a semiconductor device, and have accomplished the present invention.
【０００８】[0008]
【化５】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及
びフェニル基から選択される同一もしくは異種の原子又
は基であり、ｎ＝０〜１０の数である。）Embedded image (In the formula, R 1 is the same or different atom or group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and n is a number of 0 to 10.)
【０００９】[0009]
【化６】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及
びフェニル基から選択される同一もしくは異種の原子又
は基であり、ｍ＝０〜１０の数である。）Embedded image (In the formula, R 2 is the same or different atom or group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and m is a number of 0 to 10.)
【００１０】[0010]
【化７】 （式中、Ｒ3は炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノ基から選ばれ
る同一又は異種の基であり、ｒは１〜３の整数、ａは０
〜２の整数である。）Embedded image (Wherein, R 3 is the same or different group selected from an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an amino group and an N, N-dimethylamino group, r is an integer of 1 to 3, and a is 0
整数 2. )
【００１１】[0011]
【化８】 （式中、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル
基、アルコキシ基、アミノ基及びＮ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ基から選ばれる同一又は異種の基である。ｓ、ｔはそ
れぞれ１〜３の整数、ｂ、ｃはそれぞれ０〜３の整数で
ある。）Embedded image (Wherein, R 4 and R 5 are the same or different groups selected from an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an amino group, and an N, N-dimethylamino group. S and t are each 1 And integers b and c are each an integer of 0 to 3.)
【００１２】従って、本発明は、（Ａ）上記式（１）の
エポキシ樹脂、（Ｂ）上記式（２）のフェノール樹脂硬
化剤、（Ｃ）無機充填剤、（Ｄ）上記式（３）及び／又
は（４）の硬化促進剤を必須成分とすることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこの硬化物で
封止された半導体装置を提供する。Accordingly, the present invention provides (A) an epoxy resin of the above formula (1), (B) a phenol resin curing agent of the above formula (2), (C) an inorganic filler, and (D) an above formula (3) And / or an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising the curing accelerator of (4) as an essential component, and a semiconductor device encapsulated with the cured product.
【００１３】以下、本発明について更に詳しく説明する
と、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）成分として下記一般式（１）で表されるビフェニ
ルアラルキル骨格を有するエポキシ樹脂（即ち、ビフェ
ニル骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹
脂）を配合する。このエポキシ樹脂は、熱分解開始温度
が他のエポキシ樹脂に比べて高く、熱分解速度が緩やか
であり、耐熱性に優れた樹脂である。Hereinafter, the present invention will be described in more detail. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention comprises:
As the component (A), an epoxy resin having a biphenyl aralkyl skeleton represented by the following general formula (1) (that is, a phenol aralkyl type epoxy resin having a biphenyl skeleton) is blended. This epoxy resin has a higher thermal decomposition start temperature than other epoxy resins, a slower thermal decomposition rate, and is excellent in heat resistance.
【００１４】[0014]
【化９】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及
びフェニル基から選択される同一もしくは異種の原子又
は基であり、ｎ＝０〜１０の数である。）Embedded image (In the formula, R 1 is the same or different atom or group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and n is a number of 0 to 10.)
【００１５】上記式（１）において、Ｒ1は水素原子、
炭素数１〜４のメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基といったアルキル基及びフェニル基から選
択される同一もしくは異種の原子又は基である。ｎは０
〜１０、好ましくは０〜２の数である。In the above formula (1), R 1 is a hydrogen atom,
A methyl group having 1 to 4 carbon atoms, an ethyl group, an n-propyl group,
Isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, ter
The same or different atoms or groups selected from an alkyl group such as a t-butyl group and a phenyl group. n is 0
-10, preferably 0-2.
【００１６】上記式（１）のエポキシ樹脂の具体例とし
ては、以下のものが例示される。The following are specific examples of the epoxy resin of the above formula (1).
【００１７】[0017]
【化１０】 （ｎ＝０〜１０である。）Embedded image (N = 0 to 10.)
【００１８】なお、これらの中では、特に上記式（１−
１）のエポキシ樹脂が好適に使用される。Of these, the above formula (1-
The epoxy resin of 1) is preferably used.
【００１９】本発明に用いる（Ａ）成分の式（１）で表
されるエポキシ樹脂は、１５０℃においてＩＣＩ粘度計
（コーンプレート型）により測定される樹脂溶融粘度が
０．１〜２．５ポイズ、特に０．１〜０．８ポイズであ
ることが望ましい。上記樹脂溶融粘度が２．５ポイズを
超えると、半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての無
機充填剤量を８０〜９０重量％にした場合、溶融時の流
動性が著しく低下してしまう場合があり、０．１ポイズ
に満たないと成形時に内部ボイドが発生し易くなり、信
頼性が低下したり、成形性に問題が生ずる場合がある。The epoxy resin represented by the formula (1) of the component (A) used in the present invention has a resin melt viscosity of 0.1 to 2.5 at 150 ° C. measured by an ICI viscometer (cone plate type). It is desirable that the poise be 0.1 to 0.8 poise. When the resin melt viscosity exceeds 2.5 poise, when the amount of the inorganic filler as the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation is set to 80 to 90% by weight, the fluidity during melting may be significantly reduced. If it is less than 0.1 poise, internal voids are likely to be generated during molding, which may lower reliability or cause problems in moldability.
【００２０】本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に
応じて上記式（１）のビフェニルアラルキル骨格を有す
るエポキシ樹脂以外の他のエポキシ樹脂を配合すること
ができる。他のエポキシ樹脂としては、例えばフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン
型エポキシ樹脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ
樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹
脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビフェニル骨格を
含有しないフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベ
ン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種又は
２種以上と併用することができる。これらの中では、特
に溶融時に低粘度であるビフェニル型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等が好ましい。The epoxy resin composition of the present invention may optionally contain other epoxy resins than the epoxy resin having a biphenylaralkyl skeleton represented by the above formula (1). Other epoxy resins include, for example, phenol novolak type epoxy resin, novolak type epoxy resin such as cresol novolak type epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, triphenol alkane type epoxy resin such as triphenol propane type epoxy resin, biphenyl type Epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, naphthalene ring-containing epoxy resins, phenol aralkyl epoxy resins containing no biphenyl skeleton, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, and other bisphenol epoxy resins, stilbene epoxy resins, etc. And one or more of these can be used in combination. Among these, a biphenyl-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a stilbene-type epoxy resin, and the like, which are particularly low in viscosity when melted, are preferred.
【００２１】本発明のエポキシ樹脂組成物において、エ
ポキシ樹脂全量（式（１）のエポキシ樹脂と上記他のエ
ポキシ樹脂との総和）に対して上記式（１）のエポキシ
樹脂の含有割合が５０〜１００重量％、特に７０〜１０
０重量％の範囲であることが好ましい。上記式（１）の
エポキシ樹脂の含有割合が５０重量％未満では、満足な
耐熱性が得られない場合がある。In the epoxy resin composition of the present invention, the content of the epoxy resin of the formula (1) is 50 to 50% based on the total amount of the epoxy resin (the sum of the epoxy resin of the formula (1) and the other epoxy resin). 100% by weight, especially 70 to 10
It is preferably in the range of 0% by weight. If the content of the epoxy resin of the formula (1) is less than 50% by weight, satisfactory heat resistance may not be obtained.
【００２２】次に、本発明では、硬化剤として（Ｂ）成
分の下記一般式（２）で表される、ビフェニル骨格を含
有するアラルキル型フェノール樹脂（即ち、ビフェニル
アラルキル骨格を有するフェノール樹脂）を配合する。
このフェノール樹脂も上記式（１）のエポキシ樹脂と同
様、ビフェニルアラルキル骨格を有する樹脂であり、耐
熱性に優れたものである。Next, in the present invention, an aralkyl-type phenol resin having a biphenyl skeleton (ie, a phenol resin having a biphenyl aralkyl skeleton) represented by the following general formula (2) of the component (B) is used as a curing agent. Mix.
This phenol resin is also a resin having a biphenylaralkyl skeleton, like the epoxy resin of the above formula (1), and has excellent heat resistance.
【００２３】[0023]
【化１１】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及
びフェニル基から選択される同一もしくは異種の原子又
は基であり、ｍ＝０〜１０の数である。）Embedded image (In the formula, R 2 is the same or different atom or group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and m is a number of 0 to 10.)
【００２４】上記式（２）中、Ｒ2としては、上記Ｒ1に
おいて例示したものと同じものを挙げることができ、ｍ
は０〜１０、好ましくは０〜２の数である。In the above formula (2), examples of R 2 include the same as those exemplified for R 1 above.
Is a number from 0 to 10, preferably from 0 to 2.
【００２５】上記式（２）のフェノール樹脂の具体例と
しては、以下のものが例示される。The following are specific examples of the phenol resin of the above formula (2).
【００２６】[0026]
【化１２】 （ｍ＝０〜１０の数である。）Embedded image (M is a number from 0 to 10)
【００２７】なお、これらの中では、特に上記式（２−
１）のフェノール樹脂が好適に使用される。Of these, the above formula (2-
The phenol resin of 1) is preferably used.
【００２８】（Ｂ）成分の上記式（２）のフェノール樹
脂硬化剤は、１５０℃においてＩＣＩ粘度計（コーンプ
レート型）により測定される樹脂溶融粘度が０．１〜
１．２ポイズ、特に０．２〜０．８ポイズであることが
望ましい。樹脂溶融粘度が上記範囲であることが好まし
いのは、エポキシ樹脂と同様の理由によるものである。The phenolic resin curing agent of the above formula (2) as the component (B) has a resin melt viscosity of 0.1 to 0.1 as measured by an ICI viscometer (cone plate type) at 150 ° C.
Desirably, it is 1.2 poise, especially 0.2 to 0.8 poise. The reason that the resin melt viscosity is preferably in the above range is for the same reason as the epoxy resin.
【００２９】本発明では、上記式（２）のビフェニルア
ラルキル骨格を有するフェノール樹脂の他に必要に応じ
て他の硬化剤を配合することができる。他の硬化剤とし
ては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノ
ボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、ナフタ
レン環含有フェノール樹脂、ビフェニル骨格を含有しな
いフェノールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル
型フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、トリ
フェノールプロパン型樹脂等のトリフェノールアルカン
型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フ
ェノール樹脂、ビスフェノールＡ型フェノール樹脂、ビ
スフェノールＦ型フェノール樹脂等のビスフェノール型
フェノール樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種又は
２種以上を使用することができる。In the present invention, in addition to the phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton represented by the above formula (2), other curing agents can be blended as required. As other curing agents, for example, phenol novolak resin, novolak phenol resin such as cresol novolak resin, phenol resin containing a naphthalene ring, phenol aralkyl phenol resin containing no biphenyl skeleton, biphenyl phenol resin, triphenol methane resin, Bisphenol type phenol resins such as triphenol alkane type phenol resins such as triphenol propane type resins, alicyclic phenol resins, heterocyclic type phenol resins, bisphenol A type phenol resins, and bisphenol F type phenol resins; One or more of them can be used.
【００３０】上記式（２）のフェノール樹脂硬化剤の配
合量は、硬化剤全量（式（２）のフェノール樹脂と他の
硬化剤との総和）に対して５０〜１００重量％、特に７
０〜１００重量％であることが好ましい。上記式（２）
のフェノール樹脂の配合量が５０重量％未満では、満足
な耐熱性が得られない場合がある。The compounding amount of the phenolic resin curing agent of the above formula (2) is 50 to 100% by weight, especially 7 to the total amount of the curing agent (total of the phenolic resin of the formula (2) and other curing agents).
It is preferably from 0 to 100% by weight. Equation (2) above
If the amount of the phenol resin is less than 50% by weight, satisfactory heat resistance may not be obtained.
【００３１】本発明では、式（１）で表されるエポキシ
樹脂と式（２）で表されるフェノール樹脂硬化剤の併用
が必須であるが、特にエポキシ樹脂として上記式（１−
１）のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂全体の５０重量％以
上、フェノール樹脂硬化剤として上記式（２−１）のフ
ェノール樹脂を硬化剤全体の５０重量％以上、とりわけ
両樹脂をそれぞれ８０重量％以上使用することが好まし
く、これにより高温時の信頼性、耐リフロークラック性
により優れた硬化物を与えると共に、組成物中にハロゲ
ン化樹脂、三酸化アンチモンを含有しなくともＶ−０レ
ベルの難燃性を得ることが可能である。In the present invention, it is essential to use the epoxy resin represented by the formula (1) and the phenol resin curing agent represented by the formula (2) in combination.
The epoxy resin of 1) is used in an amount of 50% by weight or more of the entire epoxy resin, and the phenolic resin of the formula (2-1) is used as a phenolic resin curing agent in an amount of 50% by weight or more of the entire curing agent, and in particular, both resins are used in an amount of 80% by weight or more. This gives a cured product with excellent reliability at high temperatures and resistance to reflow cracking, and has a flame retardancy of V-0 level even if the composition does not contain a halogenated resin or antimony trioxide. It is possible to obtain
【００３２】なお、式（１−２）、（１−３）、（１−
４）のエポキシ樹脂の配合量がエポキシ樹脂全体の５０
重量％以上になった場合や、式（２−２）、（２−
３）、（２−４）のフェノール樹脂の配合量が硬化剤全
体の５０重量％以上になった場合、置換基であるメチル
基の数が多くなり、耐熱性が若干低下する場合がある。The expressions (1-2), (1-3) and (1-
4) The compounding amount of the epoxy resin is 50% of the total epoxy resin.
% Or more, or the formulas (2-2) and (2-
When the amount of the phenolic resin of (3) or (2-4) is 50% by weight or more of the whole curing agent, the number of methyl groups as a substituent increases, and the heat resistance may slightly decrease.
【００３３】本発明において、エポキシ樹脂及び硬化剤
の配合量は特に制限されないが、硬化剤の配合量は、エ
ポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬
化剤中に含まれるフェノール性水酸基がモル比で０．５
〜１．５となる量であることが好ましい。In the present invention, the amounts of the epoxy resin and the curing agent are not particularly limited, but the amount of the curing agent is based on 1 mol of the epoxy group contained in the epoxy resin and phenolic content contained in the curing agent. The hydroxyl group is 0.5
It is preferred that the amount is 1.5.
【００３４】また、本発明では、硬化促進剤として下記
一般式（３）で表されるトリフェニルホスフィンの置換
体及び／又は下記一般式（４）で表されるテトラフェニ
ルホスホニウム・テトラフェニルボレートの置換体を配
合する。In the present invention, a substituted triphenylphosphine represented by the following general formula (3) and / or a tetraphenylphosphonium tetraphenylborate represented by the following general formula (4) is used as a curing accelerator. A substitute is compounded.
【００３５】[0035]
【化１３】 （式中、Ｒ3は炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノ基から選ばれ
る同一又は異種の基であり、ｒは１〜３の整数、ａは０
〜２の整数である。）Embedded image (Wherein, R 3 is the same or different group selected from an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an amino group and an N, N-dimethylamino group, r is an integer of 1 to 3, and a is 0
整数 2. )
【００３６】[0036]
【化１４】 （式中、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル
基、アルコキシ基、アミノ基及びＮ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ基から選ばれる同一又は異種の基である。ｓ、ｔはそ
れぞれ１〜３の整数、ｂ、ｃはそれぞれ０〜３の整数で
ある。）Embedded image (Wherein, R 4 and R 5 are the same or different groups selected from an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an amino group, and an N, N-dimethylamino group. S and t are each 1 And integers b and c are each an integer of 0 to 3.)
【００３７】上記式（３）中、Ｒ3としては、例えばメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基とい
った炭素数１〜４のアルキル基、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、
メトキシエトキシ基といった炭素数１〜４の非置換又は
アルコキシ置換のアルコキシ基、アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアミノ基などを挙げることができる。In the above formula (3), R 3 represents, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group,
n-butyl group, isobutyl group, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as tert-butyl group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, methoxymethoxy group,
Examples thereof include an unsubstituted or alkoxy-substituted alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxyethoxy group, an amino group, and an N, N-dimethylamino group.
【００３８】一般式（３）で表されるトリフェニルホス
フィンの置換体又は一般式（４）で示されるテトラフェ
ニルホスホニウム・テトラフェニルボレートの置換体の
配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部
に対して０．１〜５重量部、特に０．５〜３重量部の範
囲が望ましい。配合量を上記範囲とすることにより成形
性、高温信頼性、耐クラック性に優れた硬化物を得るこ
とができるもので、０．１重量部に満たないと高温信頼
性、耐クラック性に劣る場合があり、５重量部を超える
と硬化時間が短く、成形できない場合がある。The amount of the substituted triphenylphosphine represented by the general formula (3) or the substituted tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate represented by the general formula (4) is determined by the total amount of the epoxy resin and the curing agent. The range is preferably 0.1 to 5 parts by weight, particularly 0.5 to 3 parts by weight, per 100 parts by weight. By setting the compounding amount in the above range, a cured product having excellent moldability, high-temperature reliability and crack resistance can be obtained. If the amount is less than 0.1 part by weight, high-temperature reliability and crack resistance are poor. In some cases, when the amount exceeds 5 parts by weight, the curing time is short, and molding may not be performed.
【００３９】本発明では、硬化促進剤として上記式
（３）又は（４）の硬化促進剤の他に一般に封止材料に
用いられている他の硬化促進剤も併用することができ
る。他の硬化促進剤としては、例えば１，８−ジアザビ
シクロ（５．４．０）ウンデセン−７等のシクロアミジ
ン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニル
ホスホニウム・テトラフェニルボレート等の有機リン系
化合物、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メ
チルイミダゾール等のイミダゾール化合物などを挙げる
ことができる。In the present invention, in addition to the curing accelerator of the above formula (3) or (4), another curing accelerator generally used for a sealing material can be used in combination as the curing accelerator. As other curing accelerators, for example, cycloamidine compounds such as 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7, organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, and the like. And imidazole compounds such as -methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole.
【００４０】本発明において、無機充填剤としては、通
常樹脂組成物に配合されるものを使用することができ
る。具体的には、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ
類、アルミナ、ムライト、窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、窒化硼素、酸化チタン、ガラス繊維等が例示され
る。これらの中では、特に球状の溶融シリカ、結晶シリ
カ、アルミナが望ましく、その平均粒径は５〜３０μｍ
のものが成形性、流動性の面から望ましい。In the present invention, as the inorganic filler, those usually blended in a resin composition can be used. Specifically, silicas such as fused silica and crystalline silica, alumina, mullite, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, titanium oxide, glass fiber and the like are exemplified. Among these, spherical fused silica, crystalline silica, and alumina are particularly desirable, and the average particle size is 5 to 30 μm.
Is desirable from the viewpoint of moldability and fluidity.
【００４１】無機充填剤の配合量は、エポキシ樹脂と硬
化剤の合計量１００重量部に対して６００〜１１００重
量部、特に７００〜９００重量部が好ましい。配合量が
６００重量部未満では、樹脂の割合が高く、十分な耐リ
フロークラック性が得られない場合があり、１１００重
量部を超えると、粘度が高くなるために成形できなくな
る場合がある。The compounding amount of the inorganic filler is preferably from 600 to 1,100 parts by weight, particularly preferably from 700 to 900 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the epoxy resin and the curing agent. If the compounding amount is less than 600 parts by weight, the ratio of the resin is high, and sufficient reflow crack resistance may not be obtained. If it exceeds 1100 parts by weight, the viscosity may be high and molding may not be performed.
【００４２】更に、無機充填剤は、樹脂と無機充填剤表
面との結合強度を強くするため、予めシランカップリン
グ剤などで表面処理したものを配合することが好まし
い。なお、表面処理に用いるカップリング剤の種類及び
量や表面処理方法は特に制限されず、通常と同様とする
ことができる。Further, as the inorganic filler, in order to increase the bonding strength between the resin and the surface of the inorganic filler, it is preferable to add a material which has been previously surface-treated with a silane coupling agent or the like. The type and amount of the coupling agent used for the surface treatment and the surface treatment method are not particularly limited, and may be the same as usual.
【００４３】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、上記必須成分以外に必要に応じて各種の添加剤を
配合することができる。添加剤としては、例えば熱可塑
性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコ
ーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス
類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲン化樹脂、ア
ンチモン酸化物、モリブデン酸塩等の難燃剤、ハロゲン
トラップ剤等の添加剤を配合することができる。なお、
これら添加剤の配合量は、本発明の効果を妨げない範囲
で通常量とすることができる。The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention may contain various additives as required in addition to the above essential components. Examples of the additives include thermoplastic resins, thermoplastic elastomers, organic synthetic rubbers, low-stress agents such as silicones, waxes such as carnauba wax, coloring agents such as carbon black, halogenated resins, antimony oxide, and molybdic acid. Additives such as a flame retardant such as a salt and a halogen trapping agent can be blended. In addition,
The amount of these additives can be a usual amount within a range not to impair the effects of the present invention.
【００４４】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を成形材料として調製する場合の一般的な方法として
は、上記必須成分、その他の添加物を所定の組成比で配
合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した
後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶
融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさ
に粉砕して成形材料とすることができる。As a general method for preparing the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention as a molding material, the above-mentioned essential components and other additives are blended at a predetermined composition ratio, and this is mixed with a mixer or the like. After the mixture is sufficiently uniformly mixed, the mixture is subjected to a melt-mixing treatment using a hot roll, a kneader, an extruder, or the like, and then cooled and solidified, and pulverized to an appropriate size to obtain a molding material.
【００４５】このようにして得られる本発明の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に
有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の成形温度は
１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜
１８５℃で２〜２０時間行うことが望ましい。The thus obtained epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention can be effectively used for encapsulating various semiconductor devices. In this case, the most common method of encapsulation is low-pressure transfer. Molding method. In addition,
The molding temperature of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is 150 to 185 ° C for 30 to 180 seconds, and the post-curing is 150 to 185 ° C.
It is desirable to carry out at 185 ° C. for 2 to 20 hours.
【００４６】[0046]
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂及び硬
化促進剤を併用して配合したことにより、成形性、高温
での信頼性及び耐リフロークラック性に優れ、しかもハ
ロゲン化樹脂、三酸化アンチモンを含有しなくても高い
難燃性を有する硬化物を与え得る。従って、本発明の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止した半導体装置
は、高い信頼性を有するものである。The epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor according to the present invention is formulated by using an epoxy resin having a specific structure, a phenol resin and a curing accelerator in combination, so that moldability, high-temperature reliability and reflow resistance can be obtained. A cured product having excellent crack resistance and having high flame retardancy even without containing a halogenated resin or antimony trioxide can be obtained. Therefore, the semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention has high reliability.
【００４７】[0047]
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもの
ではない。なお、以下の例において部はいずれも重量部
である。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples. In the following examples, all parts are parts by weight.
【００４８】［実施例１〜７、比較例１〜３］下記に示
す原料を使用し、表１に示す組成成分を熱２本ロールで
均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を得た。[Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3] Using the raw materials shown below, the components shown in Table 1 were uniformly melted and mixed with two hot rolls, cooled and pulverized, and sealed in a semiconductor. An epoxy resin composition was obtained.
【００４９】更に、得られた成形材料をタブレット化
し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、７０ｋｇ
／ｃｍ2、１２０秒の条件で１２７×１２．７×１．６
ｍｍの耐熱テスト用試験片を成形した。また、耐リフロ
ークラック試験用として、１４×２０×２．７ｍｍのフ
ラットパッケージを成形した。各特性を下記方法で評価
した。試験結果を表２に示す。 使用した原材料 ・エポキシ樹脂： （イ）：式（１−１）で表されるエポキシ樹脂：ＮＣ３
０００Ｐ（日本化薬社製、エポキシ当量２７２、１５０
℃におけるＩＣＩ粘度計（コーンプレート型）による溶
融粘度０．８ポイズ） （ロ）：式（１−２）で表されるエポキシ樹脂：（日本
化薬社製、エポキシ当量２９０、１５０℃、ＩＣＩ粘度
計（コーンプレート型）による溶融粘度１．６ポイズ） （ハ）：ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル社製、エポキシ当量１９０、１５０℃にお
けるＩＣＩ粘度計（コーンプレート型）による溶融粘度
０．８ポイズ） ・硬化剤： （ニ）：式（２−１）で表されるフェノール樹脂：ＭＥ
Ｈ７８５１Ｌ（明和化成社製、フェノール当量１９９、
１５０℃におけるＩＣＩ粘度計（コーンプレート型）に
よる溶融粘度０．８ポイズ） （ホ）：フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ７８００Ｓ
Ｓ（明和化成社製、フェノール当量１７５、１５０℃、
ＩＣＩ粘度計（コーンプレート型）による溶融粘度１．
０ポイズ） ・無機充填剤： 球状溶融シリカ ・硬化促進剤： （ヘ）：式（３−１）で表される化合物 （ト）：式（４−１）で表される化合物 （チ）：テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニル
ボレート （リ）：トリフェニルホスフィン （ヌ）：１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデ
セン−７ ・カーボンブラック ・離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ
（株）製） ・イオントラップ剤：ＫＷ２２００（協和化学工業
（株）製） ・シランカップリング剤：Ｎ−フェニル−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランＫＢＭ５７３（信越化学工業
（株）製） ・三酸化アンチモン：Ｓｂ2Ｏ3ＲＸ（住友金属鉱山
（株）製） ・ブロモ化エポキシ樹脂：ＡＥＲ８０４９（旭チバ社
製）Further, the obtained molding material was tableted, and was subjected to low pressure transfer molding at 175 ° C. and 70 kg.
/ Cm 2 , 127 × 12.7 × 1.6 at 120 seconds
A heat-resistant test specimen having a thickness of 2 mm was formed. In addition, a flat package of 14 × 20 × 2.7 mm was formed for a reflow crack resistance test. Each property was evaluated by the following method. Table 2 shows the test results. Raw materials used Epoxy resin: (A): Epoxy resin represented by formula (1-1): NC3
000P (Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 272, 150
(I) Melt viscosity by ICI viscometer (cone plate type) at 0.8 ° C) (b): Epoxy resin represented by formula (1-2): (Nippon Kayaku Co., epoxy equivalent 290, 150 ° C, ICI Melt viscosity by viscometer (cone plate type) 1.6 poise) (c): Biphenyl type epoxy resin: YX4000HK
(Molten viscosity of 0.8 poise by ICI viscometer (cone plate type) at an epoxy equivalent of 190, 150 ° C., manufactured by Yuka Shell Co.) Curing agent: (d): phenolic resin represented by formula (2-1) : ME
H7851L (Meiwa Kasei Co., Ltd., phenol equivalent 199,
Melt viscosity at 150 ° C. by ICI viscometer (cone plate type) 0.8 poise) (e): Phenol aralkyl resin: MEH7800S
S (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., phenol equivalent: 175, 150 ° C,
1. Melt viscosity by ICI viscometer (cone plate type)
(Poise) ・ Inorganic filler: spherical fused silica ・ Curing accelerator: (f): compound represented by formula (3-1) (g): compound represented by formula (4-1) (h): Tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (II): Triphenylphosphine (Nu): 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7 Carbon black Release agent: Carnauba wax (Nikko Fine Products Co., Ltd.)・ Ion trapping agent: KW2200 (Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) ・ Silane coupling agent: N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane KBM573 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) ・ Antimony trioxide: Sb 2 O 3 RX (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.)-Brominated epoxy resin: AER8049 (Asahi Ciba)
【００５０】[0050]
【化１５】 Embedded image
【００５１】評価方法： 《スパイラルフロー》ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用
して、１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間９０秒の
条件で測定した。 《耐熱試験》ＵＬ−９４垂直試験（試料厚さ１．５８７
５ｍｍ（１／１６ｉｎｃｈ））、難燃性で表した。 《耐リフロークラック試験》１４×２０×２．７ｍｍの
フラットパッケージを成形した。１８０℃で４時間ポス
トキュアしたものを、８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿器
に１６８時間放置して吸湿させた後、温度２４０℃の半
田浴に３０秒浸漬し、パッケージ外部のクラックを観察
した。 《高温放置特性》シリコンチップ上にアルミ配線を形成
した模擬素子と部分金メッキされた４２アロイリードフ
レームとを太さ３０μｍの金線でボンディングし、１７
５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１
４ｐｉｎＤＩＰを成形した。１８０℃、４時間ポストキ
ュアしたものを２００℃の乾燥器に放置した後、樹脂硬
化物を発煙硝酸で溶かし、チップ側のボンディング部の
引張り強度を測定した。この引張り強度の値が初期値の
５０％以下になったものを不良とした。 《内部ボイド》オートモールド装置を用いて、１４×２
０×２．７ｍｍのフラットパッケージを１７５℃、７０
ｋｇ／ｃｍ2の圧力で成形した。成形したパッケージを
超音波探傷装置を用い、パッケージ内部のボイドを観察
した。Evaluation method: << Spiral flow >> Using a mold conforming to the EMMI standard, the measurement was carried out under the conditions of 175 ° C., 70 kg / cm 2 , and a molding time of 90 seconds. << Heat resistance test >> UL-94 vertical test (sample thickness 1.587)
5 mm (1/16 inch)). << Reflow crack resistance test >> A flat package of 14 × 20 × 2.7 mm was molded. The product post-cured at 180 ° C. for 4 hours is left in a thermo-hygrostat at 85 ° C./85% RH for 168 hours to absorb moisture, and then immersed in a solder bath at a temperature of 240 ° C. for 30 seconds to remove cracks outside the package. Observed. << High temperature storage characteristics >> A simulated element having aluminum wiring formed on a silicon chip and a 42-alloy lead frame partially plated with gold were bonded with a gold wire having a thickness of 30 μm.
5 ° C., 70 kg / cm 2 , molding time 120 seconds
4 pin DIP was molded. After being post-cured at 180 ° C. for 4 hours, the resin was left in a dryer at 200 ° C., and then the cured resin was melted with fuming nitric acid, and the tensile strength of the bonding portion on the chip side was measured. When the value of the tensile strength became 50% or less of the initial value, it was regarded as defective. << Internal void >> Using an auto-molding device, 14 × 2
0 × 2.7mm flat package at 175 ℃, 70
It was molded at a pressure of kg / cm 2 . The molded package was observed for voids inside the package using an ultrasonic flaw detector.
【００５２】表２の結果より、本発明の特定構造のエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂及び硬化促進剤を使用した組
成物は、ハロゲン化樹脂、三酸化アンチモンを含有しな
いにも拘らず、難燃性に優れ、かつ成形性及び耐リフロ
ークラック性に優れる硬化物を与えることが確認され
た。From the results in Table 2, it can be seen that the composition of the present invention using the epoxy resin, phenolic resin and curing accelerator having a specific structure has flame retardancy despite not containing a halogenated resin and antimony trioxide. It was confirmed that a cured product excellent in moldability and reflow crack resistance was obtained.
【００５３】[0053]
【表１】 [Table 1]
【００５４】[0054]
【表２】 [Table 2]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 浅野 英一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 青木 貴之 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CC042 CC062 CC172 CD041 CD051 CD061 CD071 CE002 DE137 DE147 DF017 DJ007 DJ017 DK007 DL007 EJ016 EJ026 EJ036 EJ046 EU118 EU138 EW018 EW178 FA047 FD017 FD142 FD146 FD158 GQ05 4J036 AF03 AF05 AF22 AF27 DA04 DB10 DD07 DD09 FA01 FB08 GA04 JA07 4M109 EA03 EB03 EB04 EB07 EB08 EB13 EB17 EB19 EC03 EC05 EC20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/31 (72) Inventor Eiichi Asano 1-chome, Hitomi, Matsuida-cho, Usui-gun, Gunma Prefecture 10 Shin-Etsu Chemical Inside Silicone Electronic Materials Research Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Takayuki Aoki 1-10 Hitomi, Matsuida-cho, Usui-gun, Gunma Prefecture Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Inside Silicone Electronic Materials Technology Laboratory (72) Inventor Toshio Shiobara Matsui, Usui-gun, Gunma Prefecture Hitomi Tamachi 1-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon Electronic Materials Research Laboratory F-term (reference) 4J002 CC032 CC042 CC062 CC172 CD041 CD051 CD061 CD071 CE002 DE137 DE147 DF017 DJ007 DJ017 DK007 DL007 EJ016 EJ026 EJ036 EJ046 EU118 EU138 047 FD142 FD146 FD158 GQ05 4J036 AF03 AF05 AF22 AF27 DA04 DB10 DD07 DD09 FA01 FB08 GA04 JA07 4M109 EA03 EB03 EB04 EB07 EB08 EB13 EB17 EB19 EC03 EC05 EC20
Claims (5)
キシ樹脂 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及
びフェニル基から選択される同一もしくは異種の原子又
は基であり、ｎ＝０〜１０の数である。） （Ｂ）下記一般式（２）で表されるフェノール樹脂硬化
剤 【化２】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基及
びフェニル基から選択される同一もしくは異種の原子又
は基であり、ｍ＝０〜１０の数である。） （Ｃ）無機充填剤 （Ｄ）下記一般式（３）及び／又は（４）で表される硬
化促進剤 【化３】 （式中、Ｒ3は炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノ基から選ばれ
る同一又は異種の基であり、ｒは１〜３の整数、ａは０
〜２の整数である。） 【化４】 （式中、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル
基、アルコキシ基、アミノ基及びＮ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ基から選ばれる同一又は異種の基である。ｓ、ｔはそ
れぞれ１〜３の整数、ｂ、ｃはそれぞれ０〜３の整数で
ある。）を必須成分とすることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。(A) an epoxy resin represented by the following general formula (1): (In the formula, R 1 is the same or different atom or group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and n is a number of 0 to 10.) (B) Phenolic resin curing agent represented by general formula (2) (Wherein, R 2 is the same or different atom or group selected from a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a phenyl group, and m is a number of 0 to 10.) (C) Inorganic Filler (D) a curing accelerator represented by the following general formulas (3) and / or (4) (Wherein, R 3 is the same or different group selected from an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an amino group and an N, N-dimethylamino group, r is an integer of 1 to 3, and a is 0
整数 2. ) (Wherein, R 4 and R 5 are the same or different groups selected from an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, an amino group, and an N, N-dimethylamino group. S and t are each 1 , And b and c are each an integer of 0 to 3) as essential components.
が、１５０℃においてＩＣＩ粘度計（コーンプレート
型）により測定される樹脂溶融粘度が０．１〜２．５ポ
イズのものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ
樹脂組成物。2. The epoxy resin represented by the general formula (1) has a resin melt viscosity of 0.1 to 2.5 poise measured at 150 ° C. by an ICI viscometer (cone plate type). Item 2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to Item 1.
が、１５０℃においてＩＣＩ粘度計（コーンプレート
型）により測定される樹脂溶融粘度が０．１〜１．２ポ
イズのものである請求項１又は２記載の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。3. The phenolic resin represented by the general formula (2) has a resin melt viscosity of 0.1 to 1.2 poise at 150 ° C. measured by an ICI viscometer (cone plate type). Item 3. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to item 1 or 2.
ポキシ樹脂及び硬化剤の合計配合量１００重量部に対し
て０．１〜５重量部である請求項１、２又は３記載の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。4. The compound according to claim 1, wherein the amount of the curing accelerator (D) is 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the epoxy resin and the curing agent. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半
導体装置。5. A semiconductor device encapsulated with a cured product of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1. Description:
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|---|---|---|---|
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