JPH0952940A - Epoxy resin composition and semiconductor device - Google Patents
Epoxy resin composition and semiconductor deviceInfo
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- JPH0952940A JPH0952940A JP22857795A JP22857795A JPH0952940A JP H0952940 A JPH0952940 A JP H0952940A JP 22857795 A JP22857795 A JP 22857795A JP 22857795 A JP22857795 A JP 22857795A JP H0952940 A JPH0952940 A JP H0952940A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装用パッケ
ージの成形時において高い信頼性を有する硬化物を与え
るエポキシ樹脂組成物及びこの硬化物で封止された半導
体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition which gives a highly reliable cured product when molding a surface mounting package, and a semiconductor device sealed with the cured product.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体産業の中では樹脂封止型のダイオード、トランジ
スター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流となっており、
中でもエポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤を配
合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂
に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等
に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を
封止することが多く行われている。2. Description of the Related Art
In the semiconductor industry, resin-sealed diodes, transistors, ICs, LSIs, and super LSIs have become mainstream,
Among them, epoxy resin, epoxy resin composition containing a curing agent and various additives are generally excellent in moldability, adhesiveness, electrical properties, mechanical properties, moisture resistance, etc. as compared with other thermosetting resins. In many cases, a semiconductor device is sealed with an epoxy resin composition.
【０００３】最近においては、これらの半導体装置は集
積度が益々大きくなり、それに応じてチップ寸法も大き
くなりつつある。一方、これに対してパッケージ外形寸
法は電子機器の小型化、軽量化の要求に伴い、小型化、
薄型化が進んでいる。更に、半導体部品を回路基板へ取
り付ける方法も、基板上の部品の高密度化のため半導体
部品の表面実装が幅広く行われるようになってきた。Recently, the degree of integration of these semiconductor devices has been increasing, and the chip size has been increasing accordingly. On the other hand, package dimensions have been reduced due to the demand for smaller and lighter electronic devices.
Thinning is progressing. Furthermore, in the method of attaching a semiconductor component to a circuit board, surface mounting of the semiconductor component has been widely performed in order to increase the density of components on the board.
【０００４】しかしながら、半導体装置を表面実装する
場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が
溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的である
が、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生
したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に
剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、半
導体装置の信頼性を大きく損なうという問題がある。し
かし、実際の作業工程においては、封止用エポキシ樹脂
層の吸湿は避けられないため、低吸湿性のエポキシ樹脂
組成物に対する要求が高まり、種々の試みが行われてい
る。具体的にエポキシ樹脂組成物を低吸湿性とする取組
みとしては、低粘度のエポキシ樹脂、フェノール樹脂を
用い、シリカを高充填することで耐リフロー性を改善す
る努力がなされている。However, when the semiconductor device is surface-mounted, it is common to immerse the entire semiconductor device in a solder bath or pass through a high temperature zone where the solder melts. A crack may occur in the layer, or peeling may occur at the interface between the lead frame or chip and the sealing resin. Such cracks and peeling have a problem that the reliability of the semiconductor device is significantly impaired. However, in the actual working process, moisture absorption of the encapsulating epoxy resin layer is unavoidable, so that demand for low hygroscopic epoxy resin compositions has increased, and various attempts have been made. Specifically, efforts have been made to improve the reflow resistance by using a low-viscosity epoxy resin or phenol resin and highly filling silica with high viscosity as an effort to make the epoxy resin composition have low hygroscopicity.
【０００５】一方、エポキシ樹脂組成物を難燃化するた
めブロム化エポキシ樹脂、例えばノボラックタイプのブ
ロム化エポキシ樹脂やハイブロムタイプのエポキシ樹脂
が主に使用されている。しかし、従来のノボラックタイ
プのエポキシ樹脂は、粘度が高いためトランスファー成
形用のエポキシ樹脂組成物に添加した場合、フィラーを
高充填化できず、また液状のエポキシ樹脂組成物に添加
した場合は組成物の粘度が高くなり流動性に欠けるもの
となってしまう。また、ハイブロムタイプのブロム化エ
ポキシ樹脂は、重合度をある程度自由にコントロールで
きることから組成物の粘度を低くすることができるが、
この種のブロム化エポキシ樹脂を高温で放置した場合、
容易にブロム原子が遊離しやすい欠点がある。On the other hand, in order to make an epoxy resin composition flame-retardant, a brominated epoxy resin such as a novolac type brominated epoxy resin or a high brominated epoxy resin is mainly used. However, the conventional novolac type epoxy resin has a high viscosity, so when it is added to the epoxy resin composition for transfer molding, the filler cannot be highly filled, and when it is added to the liquid epoxy resin composition, the composition is Has a high viscosity and lacks fluidity. Further, the high-brom type brominated epoxy resin can lower the viscosity of the composition because the degree of polymerization can be freely controlled to some extent.
When this kind of brominated epoxy resin is left at high temperature,
There is a drawback that the bromine atom is easily released.
【０００６】更に、最近、エポキシ樹脂組成物は耐リフ
ロー性を改善すべくフィラーを高充填化するためエポキ
シ樹脂、硬化剤とも低粘度品が使用されるようになって
きている。ブロム化エポキシ樹脂もこのため低粘度化品
が望まれ、主にハイブロムタイプがエポキシ樹脂組成物
のブロム化エポキシ樹脂として採用されるようになって
きている。しかし、一方で低粘度樹脂の使用により硬化
物のガラス転移温度が低下し、この種のエポキシ樹脂組
成物で封止した半導体装置は高温保管下において金線と
アルミ配線の結合部において金属間化合物を生じ、抵抗
が増大したり断線するといった信頼性の低下が大きな問
題となっており、この点の改善が望まれていた。Further, in recent years, low-viscosity epoxy resin compositions have been used for both the epoxy resin and the curing agent in order to increase the filler content to improve the reflow resistance. For this reason, a brominated epoxy resin is also desired to have a low viscosity, and a high brominated type resin is mainly used as a brominated epoxy resin for an epoxy resin composition. However, on the other hand, the glass transition temperature of the cured product decreases due to the use of a low-viscosity resin, and a semiconductor device encapsulated with this type of epoxy resin composition has an intermetallic compound at the joint between the gold wire and the aluminum wire under high temperature storage. As a result, there is a big problem that reliability is lowered such that resistance is increased or wire breakage occurs, and improvement of this point has been desired.
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、高流動性で、耐半田リフロー性、耐熱性、耐吸湿性
に優れた硬化物を与え、この硬化物で封止することによ
り信頼性の高い半導体装置を与えるエポキシ樹脂組成物
及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a cured product having high fluidity and excellent solder reflow resistance, heat resistance, and moisture absorption resistance, and is sealed by the cured product to be reliable. It is an object of the present invention to provide an epoxy resin composition that gives a semiconductor device having high properties and a semiconductor device sealed with a cured product of the composition.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有する
エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂の一部又は
全部として下記一般式（１）で示される２核体及び３核
体を主体とするブロム化エポキシ樹脂を配合することに
より、高流動性で、耐半田リフロー性、耐熱性、耐吸湿
性に優れた硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物が得ら
れ、このエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体
装置は、高温保管において金線とアルミ配線の結合部で
抵抗が増大したり断線するといったことがなく、信頼性
が高く高品質であることを知見し、本発明をなすに至っ
たものである。Means for Solving the Problems and Modes for Carrying Out the Invention As a result of extensive studies conducted by the present inventor to achieve the above-mentioned object, an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler, By blending a brominated epoxy resin mainly composed of a dinuclear body and a trinuclear body represented by the following general formula (1) as a part or all of the epoxy resin, high fluidity, solder reflow resistance, and heat resistance can be obtained. , An epoxy resin composition that gives a cured product with excellent moisture absorption resistance is obtained, and the semiconductor device sealed with the cured product of this epoxy resin composition has an increased resistance at the joint between the gold wire and the aluminum wiring during high temperature storage. The present invention has been accomplished by discovering that it has high reliability and high quality without being broken or broken.
【０００９】[0009]
【化２】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
０重量％以上である。）Embedded image (However, in the formula, R is a hydrogen atom or a methyl group, and n is 0.
The above is an integer, but the total amount of those in which n is 0 and 1 is 6
0% by weight or more. )
【００１０】従って、本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤
及び無機質充填剤を含有するエポキシ樹脂組成物におい
て、エポキシ樹脂の一部又は全部として上記一般式
（１）で示されるブロム化エポキシ樹脂を含有すること
を特徴とするエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹
脂組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。Therefore, the present invention provides an epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler, which contains the brominated epoxy resin represented by the above general formula (1) as a part or all of the epoxy resin. An epoxy resin composition, and a semiconductor device encapsulated with a cured product of the epoxy resin composition are provided.
【００１１】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬
化剤及び無機質充填剤を配合してなるエポキシ樹脂組成
物において、エポキシ樹脂の一部又は全部として下記一
般式（１）で示されるブロム化エポキシ樹脂を含有する
ことを特徴とするものであり、これにより従来のブロム
化エポキシノボラック樹脂を用いた場合よりも良好な流
動性が得られ、また従来のハイブロムタイプのビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂を使用した場合に比べ、耐熱性
の良好な特性を得ることができる。The present invention will be described in more detail below. The epoxy resin composition of the present invention comprises an epoxy resin, a curing agent, and an inorganic filler, and a part or all of the epoxy resin. Is characterized by containing a brominated epoxy resin represented by the following general formula (1), which provides better fluidity than when using a conventional brominated epoxy novolac resin, and As compared with the case of using a conventional high brom type bisphenol A type epoxy resin, excellent heat resistance can be obtained.
【００１２】[0012]
【化３】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
０重量％以上である。）Embedded image (However, in the formula, R is a hydrogen atom or a methyl group, and n is 0.
The above is an integer, but the total amount of those in which n is 0 and 1 is 6
0% by weight or more. )
【００１３】ここで、上記式（１）のブロム化エポキシ
樹脂は、予めフェノール誘導体とホルマリンからノボラ
ック樹脂を合成した後、臭素化することで得られる臭素
化フェノール樹脂をエポキシ化することにより合成する
ことができ、このブロム化エポキシ樹脂はグリシジル変
性されたフェノール骨格を２個有する、いわゆる２核体
の単独あるいは３核体の単独でもよく、また２核体と３
核体との混合物であってもよい。即ち、ｎは０以上の整
数であるが、ｎが０のもの及び／又は１のものを主体と
し、ｎが０のもの、ｎが１のものとの総合計量が、ｎが
０のもの、１のもの及び２以上のものの総合計量の６０
％（重量％、以下同様）以上であることが必要である。Here, the brominated epoxy resin of the above formula (1) is synthesized by previously synthesizing a novolak resin from a phenol derivative and formalin, and then epoxidizing the brominated phenol resin obtained by bromination. This brominated epoxy resin may be a so-called binuclear body alone or a trinuclear body alone having two glycidyl-modified phenol skeletons, or a binuclear body and a trinuclear body.
It may be a mixture with a nucleus. That is, although n is an integer of 0 or more, n is 0 and / or 1 is the main, and n is 0, and n is 1; 60 of total measurement of one thing and two or more things
% (% By weight, the same shall apply hereinafter) or more.
【００１４】通常、このような方法で合成した臭素化エ
ポキシ樹脂は、２核体や３核体におけるフェノール骨格
上のグリシドキシ基に対する臭素原子の結合位置として
オルソ／パラ比が０．５〜２のものである。Usually, the brominated epoxy resin synthesized by such a method has an ortho / para ratio of 0.5 to 2 as the bonding position of the bromine atom to the glycidoxy group on the phenol skeleton in the binuclear or trinuclear body. It is a thing.
【００１５】このようにして得られる上記式（１）のブ
ロム化エポキシ樹脂は、いずれも従来の臭素化エポキシ
ノボラック樹脂と異なり、室温（例えば５〜３０℃）で
液状又は高粘度液状の樹脂で軟化点が非常に低く容易に
液状化でき、かつ低粘度のものである。なお、上記式
（１）のブロム化エポキシ樹脂は、２５℃における粘度
が０．１〜１．８ポイズ、特に０．５〜１．２ポイズ、
軟化点が４０〜７０℃、特に４５〜６０℃の範囲である
ことが望ましい。The brominated epoxy resin of the above formula (1) thus obtained is a resin which is liquid or highly viscous at room temperature (eg 5 to 30 ° C.), unlike conventional brominated epoxy novolac resins. It has a very low softening point, can be easily liquefied, and has a low viscosity. The brominated epoxy resin of the above formula (1) has a viscosity at 25 ° C. of 0.1 to 1.8 poises, particularly 0.5 to 1.2 poises.
The softening point is preferably in the range of 40 to 70 ° C, particularly 45 to 60 ° C.
【００１６】また、臭素原子の置換数としては、いずれ
の場合もフェニル核に１個を超えてあってはならず、２
個以上の臭素原子を導入すると耐熱性の低下となってし
まう。The number of bromine atom substitutions must not exceed 1 in the phenyl nucleus in any case.
If more than one bromine atom is introduced, the heat resistance will decrease.
【００１７】上記式（１）のブロム化エポキシ樹脂は、
上述したように、２核体単独や３核体単独でも、更に２
核体と３核体の混合物として使用してもよいが、低粘度
化を目的とすることから、樹脂中に占める２核体と３核
体の合計量は全体の６０％以上、特に８０％以上、とり
わけ９０％以上である。いずれの場合も７核体以上のも
のが実質的に存在しないことが望ましい。最も望ましく
は２核体又は３核体のみなからなるものであってそれぞ
れ単独で又は混合して使用することが好ましい。The brominated epoxy resin of the above formula (1) is
As described above, even if a binuclear body or a trinuclear body alone is used,
Although it may be used as a mixture of a nucleolar and a trinuclear, the total amount of the dinuclear and trinuclear occupying in the resin is 60% or more, particularly 80%, for the purpose of lowering the viscosity. Above all, especially 90% or more. In any case, it is desirable that there is substantially no 7-nuclear body or more. Most preferably, it is composed of all binuclear or trinuclear bodies, and it is preferable to use them individually or in a mixture.
【００１８】上記式（１）の難燃化エポキシ樹脂として
具体的には、下記化合物を挙げることができる。Specific examples of the flame retardant epoxy resin represented by the above formula (1) include the following compounds.
【００１９】[0019]
【化４】 Embedded image
【００２０】[0020]
【化５】 Embedded image
【００２１】本発明において上記式（１）のブロム化エ
ポキシ樹脂は、全樹脂組成（通常はエポキシ樹脂と硬化
剤の合計）１００部（重量部、以下同様）に対して１〜
１２部、特に３〜８部の範囲で使用することが好まし
く、１部未満では十分な難燃性が得られないことがあ
り、１２部を超えると耐熱性を十分満足できない場合が
ある。In the present invention, the brominated epoxy resin of the above formula (1) is 1 to 100 parts by weight of the total resin composition (usually the sum of the epoxy resin and the curing agent) (the same applies hereinafter).
It is preferable to use 12 parts, particularly 3 to 8 parts, and if less than 1 part, sufficient flame retardancy may not be obtained, and if it exceeds 12 parts, heat resistance may not be sufficiently satisfied.
【００２２】本発明では、上記式（１）のブロム化エポ
キシ樹脂以外にその他のエポキシ樹脂を配合することが
できる。ここで、その他のエポキシ樹脂としては、１分
子中にエポキシ基を少なくとも２個以上有するものであ
ればその分子構造、分子量等は特に限定されず、具体的
にはフェノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、アラ
ルキル型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、ジシク
ロペンタジエン含有エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、これらに臭素以外
のハロゲン原子を導入したエポキシ樹脂等を例示するこ
とができる。In the present invention, other epoxy resin can be blended in addition to the brominated epoxy resin of the above formula (1). Here, the other epoxy resin is not particularly limited in its molecular structure, molecular weight and the like as long as it has at least two epoxy groups in one molecule, and specifically, a phenol novolac type epoxy resin, biphenyl, etc. -Type epoxy resin, bisphenol-type epoxy resin, aralkyl-type epoxy resin, polyfunctional epoxy resin, dicyclopentadiene-containing epoxy resin, naphthalene ring-containing epoxy resin, heterocyclic-type epoxy resin, and epoxy in which halogen atoms other than bromine are introduced Resin etc. can be illustrated.
【００２３】本発明では、上記エポキシ樹脂として特に
室温（例えば５〜３０℃）で結晶性を持ち、かつメタク
レゾールに３０重量％の濃度で溶解させた場合の２５℃
における粘度が８０センチポイズ（ｃｐ）以下のエポキ
シ樹脂が好ましく使用される。粘度が８０ｃｐ以下のエ
ポキシ樹脂を使用すると、シリカ等の無機質充填剤の高
充填化が可能になり、これにより低吸水率、低線膨張係
数の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることがで
きるが、粘度が８０ｃｐを超えると無機質充填剤による
高充填化は期待できず、このため上記特性が得られない
場合がある。また、上記エポキシ樹脂において溶解状態
が８０ｃｐ以下であっても室温で結晶性を持たいないも
のは、作業性や他成分との分散性に劣る場合がある。In the present invention, the epoxy resin has crystallinity at room temperature (for example, 5 to 30 ° C.) and 25 ° C. when dissolved in metacresol at a concentration of 30% by weight.
An epoxy resin having a viscosity of 80 centipoise (cp) or less is preferably used. When an epoxy resin having a viscosity of 80 cp or less is used, an inorganic filler such as silica can be highly filled, whereby an epoxy resin composition giving a cured product having a low water absorption coefficient and a low linear expansion coefficient can be obtained. However, if the viscosity exceeds 80 cp, it cannot be expected that the inorganic filler will be highly filled, and thus the above characteristics may not be obtained. Further, in the above-mentioned epoxy resin, even if the dissolved state is 80 cp or less, those which do not have crystallinity at room temperature may be inferior in workability and dispersibility with other components.
【００２４】上記エポキシ樹脂として具体的には、以下
のものを挙げることができ、特に下記式（２）で示され
るビフェニル型エポキシ樹脂が好適に用いられる。Specific examples of the epoxy resin include the following, and a biphenyl type epoxy resin represented by the following formula (2) is preferably used.
【００２５】[0025]
【表１】 [Table 1]
【００２６】[0026]
【化６】 [Chemical 6]
【００２７】上記式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂
の配合割合は、組成物中に配合するエポキシ樹脂全体の
２０％以上、特に５０％以上の範囲とすることが好まし
い。式（２）のビフェニル型エポキシ樹脂の配合量が２
０％に満たないと、低吸湿化が得られず、吸湿後の熱衝
撃時の耐クラック性が十分改善されない上、高流動性が
得られず、成形性、硬化特性等に劣る場合がある。The compounding ratio of the biphenyl type epoxy resin of the above formula (2) is preferably in the range of 20% or more, particularly 50% or more of the total epoxy resin compounded in the composition. The compounding amount of the biphenyl type epoxy resin of the formula (2) is 2
If it is less than 0%, low moisture absorption cannot be obtained, crack resistance at the time of thermal shock after moisture absorption cannot be sufficiently improved, high fluidity may not be obtained, and moldability and curing characteristics may be poor. .
【００２８】また、液状エポキシ樹脂組成物の場合は、
ビスフェノールＡ型又はＦ型エポキシ樹脂が主に好適に
使用される。In the case of a liquid epoxy resin composition,
Bisphenol A-type or F-type epoxy resin is mainly preferably used.
【００２９】次に、硬化剤としては、１分中にエポキシ
基と反応する官能基を２個以上有する化合物である限
り、分子構造、分子量は特に限定されず、無水トリメリ
ット酸、無水テトラヒドロフタル酸等の無水物や、アミ
ン系硬化物、フェノ−ルノボラック樹脂、レゾール型フ
ェノール樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂、多官能
型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール
樹脂、ナフタレン環含有フェノ−ル樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられるが、
これらの中でもフェノール樹脂、特にナフタレン環含有
フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好適に使
用される。Next, the curing agent is not particularly limited in its molecular structure and molecular weight as long as it is a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in 1 minute, and trimellitic anhydride or tetrahydrophthalic anhydride is used. Anhydrides such as acids, amine-based cured products, phenol novolac resins, resol type phenol resins, triphenol alkane type resins, polyfunctional type phenol resins, dicyclopentadiene type phenol resins, naphthalene ring-containing phenol resins, phenol Examples include aralkyl resin and other phenolic resins,
Among these, phenol resins, particularly naphthalene ring-containing phenol resins and phenol aralkyl resins are preferably used.
【００３０】ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂としては、それぞれ下記化合物を挙
げることができる。Examples of the naphthalene ring-containing phenol resin and the phenol aralkyl resin include the following compounds.
【００３１】[0031]
【化７】 （但し、Ｒ1は水素原子、塩素、臭素等のハロゲン原子
又は炭素数１〜５のアルキル基を示し、ｍは０〜３の整
数、ｋ及びｇは０又は１以上の整数、ｐは１以上の整数
である。）[Chemical 7] (However, R 1 represents a hydrogen atom, a halogen atom such as chlorine or bromine or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, m is an integer of 0 to 3, k and g are integers of 0 or 1 or more, and p is 1 Is an integer greater than or equal to.)
【００３２】[0032]
【化８】 Embedded image
【００３３】ここで、ナフタレン環含有フェノール樹
脂、フェノールアラルキル樹脂の配合量は、フェノール
樹脂全体の１０〜９０％、特に２０〜７０％での使用が
好ましく、配合量が１０％に満たないと低吸湿性が得ら
れない場合があり、９０％を超えるとガラス転移温度が
低下し、耐熱性に劣る場合がある。The naphthalene ring-containing phenol resin and the phenol aralkyl resin are preferably used in an amount of 10 to 90%, particularly preferably 20 to 70% of the total amount of the phenol resin. In some cases, hygroscopicity may not be obtained, and when it exceeds 90%, the glass transition temperature may be lowered, and heat resistance may be poor.
【００３４】本発明において、硬化剤の配合量は常用量
であるが、硬化剤としてフェノール樹脂を使用した場
合、全エポキシ樹脂中のエポキシ基の量（ｃ）とフェノ
−ル性水酸基の量（ｄ）とのモル比を（ｃ）／（ｄ）＝
０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲とした配合
が好ましく、配合比が上記範囲外になると硬化性、耐ク
ラック性、吸湿性に劣る場合がある。In the present invention, the compounding amount of the curing agent is a usual amount, but when a phenol resin is used as the curing agent, the amount of epoxy groups (c) and the amount of phenolic hydroxyl groups in the total epoxy resin ( The molar ratio with d) is (c) / (d) =
A compounding ratio within the range of 0.5 to 1.5, particularly 0.8 to 1.2 is preferable, and if the compounding ratio is out of the above range, the curability, crack resistance and hygroscopicity may be poor.
【００３５】本発明では、硬化触媒を配合することがで
きる。硬化触媒しては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を
促進するものであれば分子量、分子構造は特に限定され
ず、例えばイミダゾール化合物、アミン系硬化促進剤、
リン系化合物等が挙げられるが、耐湿信頼性の高いエポ
キシ樹脂組成物を得るためにはリン系化合物を用いるこ
とが望ましい。また、硬化触媒の配合量は特に制限はな
いが、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計量１００部に対し
て０．２〜５部、特に０．４〜３部とすることが好まし
い。In the present invention, a curing catalyst can be added. The curing catalyst is not particularly limited in molecular weight and molecular structure as long as it accelerates the reaction between the epoxy resin and the curing agent, and for example, an imidazole compound, an amine curing accelerator,
Phosphorus compounds and the like can be mentioned, but it is desirable to use phosphorus compounds in order to obtain an epoxy resin composition having high moisture resistance reliability. Further, the compounding amount of the curing catalyst is not particularly limited, but it is preferably 0.2 to 5 parts, particularly 0.4 to 3 parts with respect to 100 parts of the total amount of the epoxy resin and the curing agent.
【００３６】本発明で使用される無機質充填剤として
は、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用す
ることができる。具体的には、結晶性シリカ、溶融シリ
カ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、アルミ
ナ、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が
挙げられ、中でも溶融シリカが好適である。これら無機
質充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均
粒径が３〜１５μｍであるものが好ましく、また高充填
化やチップ表面に対する応力を小さくするため球状のも
のが好ましく使用される。なお、無機質充填剤は樹脂と
その表面の結合強度を強くするため、シランカップリン
グ剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で
予め表面処理したものを使用することが低吸水性、耐熱
衝撃性及び耐クラック性を向上させる点で好ましい。As the inorganic filler used in the present invention, those which are usually blended in the epoxy resin composition can be used. Specific examples include crystalline silica, fused silica, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide, alumina, boron nitride, titanium oxide, glass fiber, and the like. Among them, fused silica is preferable. The average particle size and shape of these inorganic fillers are not particularly limited, but those having an average particle size of 3 to 15 μm are preferred, and spherical ones are preferably used in order to achieve high packing and to reduce stress on the chip surface. . In order to increase the bonding strength between the resin and the surface of the inorganic filler, it is necessary to use a material which has been subjected to a surface treatment with a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanate coupling agent in advance. It is preferable from the viewpoint of improving crack resistance.
【００３７】上記無機質充填剤は１種を単独で使用して
も２種以上を併用してもよく、その配合量は特に制限さ
れないが、エポキシ樹脂及び硬化剤の合計量１００部に
対して１００〜１３００部、特に２００〜１０００部の
範囲とすることが好ましい。The above-mentioned inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more, and the compounding amount thereof is not particularly limited, but is 100 per 100 parts of the total amount of the epoxy resin and the curing agent. It is preferably in the range of ˜1300 parts, especially 200 to 1000 parts.
【００３８】本発明の組成物には、本発明の目的に反し
ない限度において、更に必要に応じてその他の各種添加
剤を配合することができる。添加剤は用途に応じて適宜
選択されるが、例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラスト
マー、有機合成ゴム、シリコーン系の金属塩等の低応力
剤、カルナバワックス等のワックス類、ステアリン酸等
の脂肪酸やそのエステル、金属塩等の離型剤、カーボン
ブラック、コバルトブルー、ベンガラ等の顔料、酸化ア
ンチモン、ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング
剤、アルキルチタネート類等の表面処理剤、老化防止
剤、その他の添加剤の１種又は２種以上を配合すること
ができる。The composition of the present invention may further contain various other additives, if necessary, as long as the object of the present invention is not impaired. Additives are appropriately selected depending on the application, for example, thermoplastic resins, thermoplastic elastomers, organic synthetic rubber, low stress agents such as silicone-based metal salts, waxes such as carnauba wax, fatty acids such as stearic acid and the like. Release agents such as esters and metal salts thereof; pigments such as carbon black, cobalt blue and red iron oxide; flame retardants such as antimony oxide and halogen compounds; silane coupling agents such as glycidoxypropyltrimethoxysilane; alkyl titanates One or two or more kinds of surface treatment agents, antioxidants, and other additives can be blended.
【００３９】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、上記の必須
成分とその他の添加剤を所定の組成比で配合し、これを
ミキサー等によって十分混合した後、熱ロール、ニーダ
ー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次
いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料と
することができる。このようにして得られた成形材料
は、半導体装置をはじめとする電子部品又は電気部品の
封止、被覆に用いれば高温高湿下での優れた信頼性を付
与させることができる。As a general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the above-mentioned essential components and other additives are blended in a predetermined composition ratio and thoroughly mixed with a mixer or the like. After that, it is possible to perform a melt-mixing treatment with a hot roll, a kneader, an extruder, etc., and then to cool and solidify it, and then pulverize it into an appropriate size to obtain a molding material. When the molding material thus obtained is used for sealing and covering electronic parts or electric parts such as semiconductor devices, excellent reliability under high temperature and high humidity can be imparted.
【００４０】本発明の半導体装置は、上記の封止用樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止することにより容易に
製造することができる。ここで、封止を行う半導体素子
としては、例えば集積回路、演算回路、トランジスタ、
サイリスタ、ダイオード等を挙げることができるが、特
に限定されるものではない。封止の最も一般的な方法と
しては、トランスファー成形法が挙げられる。この場
合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃
で３０〜１８０秒間、ポストキュアーは１５０〜１８０
℃で２〜１６時間行うことが望ましい。The semiconductor device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor element using the encapsulating resin composition. Here, as a semiconductor element for sealing, for example, an integrated circuit, an arithmetic circuit, a transistor,
A thyristor, a diode and the like can be mentioned, but the invention is not particularly limited. The transfer molding method is mentioned as the most general method of sealing. In this case, the molding temperature of the epoxy resin composition is 150 to 180 ° C.
Post cure for 150-180 seconds for 30-180 seconds
It is desirable to carry out the treatment at 2 ° C for 2 to 16 hours.
【００４１】[0041]
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、流動性
が良好であると共に、耐熱性、低吸湿性で耐リフロー性
に優れた硬化物を与え、このエポキシ樹脂組成物の硬化
物でＩＣ、トランジスタ等のパッケージを封止すると、
成形性に優れた信頼性の高い半導体製品を生産性良く製
造することができる。INDUSTRIAL APPLICABILITY The epoxy resin composition of the present invention gives a cured product having good flowability, heat resistance, low hygroscopicity and excellent reflow resistance. If you enclose a package such as a transistor,
A highly reliable semiconductor product having excellent moldability can be manufactured with high productivity.
【００４２】[0042]
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. All parts in each example are parts by weight.
【００４３】〔実施例１〜５、比較例１〜４〕表２に示
すブロム化エポキシ樹脂、表３に示すエポキシ樹脂及び
フェノール樹脂を表４に示す割合で使用し、硬化触媒と
してトリフェニルホスフィン１部、三酸化アンチモン１
０部、カルナバワックス１．２部、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン１．５部、カーボンブラック
１部、下記に示す溶融球状シリカ（Ｉ）４００部、溶融
球状シリカ（ＩＩ）４００部、溶融球状シリカ（ＩＩ
Ｉ）８０部を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷
却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。[Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4] The brominated epoxy resins shown in Table 2, the epoxy resins shown in Table 3 and the phenol resin were used in the proportions shown in Table 4, and triphenylphosphine was used as a curing catalyst. 1 part, antimony trioxide 1
0 part, carnauba wax 1.2 parts, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane 1.5 parts, carbon black 1 part, fused spherical silica (I) 400 parts, fused spherical silica (II) 400 parts shown below, Fused spherical silica (II
I) 80 parts of heat was uniformly melt-mixed with a two-roll heat, cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition.
【００４４】[0044]
【表２】 [Table 2]
【００４５】[0045]
【表３】 硬化触媒：１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウン
デセン−７とフェノールノボラック樹脂（ＴＤ２１３
１、大日本インキ社製）とを重量比で２０／８０の割合
で混合し、１３０℃で３０分間加熱溶融した後、５０μ
ｍ以下に粉砕したもの。溶融球状シリカ： （Ｉ）比表面積１．４ｍ2／ｇ，平均粒径１５μｍの球
状シリカ （ＩＩ）比表面積２．５ｍ2／ｇ，平均粒径１０μｍの
球状シリカ （ＩＩＩ）比表面積１０ｍ2／ｇ，平均粒径１．０μｍ
の球状シリカ[Table 3] Curing catalyst: 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7 and phenol novolac resin (TD213
1, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) in a weight ratio of 20/80 and heated and melted at 130 ° C. for 30 minutes, and then 50 μm.
What was crushed to m or less. Fused spherical silica: (I) Spherical silica having a specific surface area of 1.4 m 2 / g and average particle size of 15 μm (II) Spherical silica having a specific surface area of 2.5 m 2 / g and average particle size of 10 μm (III) Specific surface area of 10 m 2 / g, average particle size 1.0 μm
Spherical silica
【００４６】得られた組成物につき、以下の諸試験を行
った。結果を表４に示す。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１７５℃、７０ｋ
ｇ／ｃｍ2の条件で測定した。 （ロ）溶融粘度 島津製作所社製の高化式フローテスターを用いて、ノズ
ル寸法直径１ｍｍ×長さ１０ｍｍ、荷重１０ｋｇ、サン
プル量３ｇ、温度１７５℃にてフローレートを測定し、
最低溶融粘度を求めた。 （ハ）曲げ強度及び曲げ弾性率 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ
2、成形時間２分の条件で１０×４×１００ｍｍの曲げ
試験片を成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした
ものについて２１５℃で測定した。 （ニ）膨張係数、ガラス転移温度 直径４ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片を用いて、ＴＭＡ法
により毎分５℃の速さで昇温したときの値を測定した。 （ホ）接着性 ４２アロイ板に直径１５ｍｍ、高さ５ｍｍの円筒成形品
を１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分の条件で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした後、プッ
シュプルゲージで成形物と４２アロイ板との剥離量を測
定した。 （ヘ）吸湿後の耐半田クラック性（耐リフロー性） ７×７×０．４ｍｍの大きさのシリコーンチップを１０
×１４×１．４ｍｍの大きさのＱＦＰ用リードフレーム
（４２アロイ）に接着し、これにエポキシ樹脂組成物を
成形条件１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。これを
８５℃／８５％ＲＨの雰囲気中に４８時間及び７２時間
放置した後、２４０℃の半田浴に３０秒間浸漬し、パッ
ケージクラック数／総数を測定した。 （ト）耐湿性 ４ＭＲＡＭチップを２０ピンのＳＯＪフレームに接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１７５℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分で成形し、１８０℃で４
時間ポストキュアーした。これを１２１℃／１００％Ｒ
Ｈの雰囲気中に２４時間放置して吸湿させた後、２６０
℃の半田浴に１０秒間浸漬し、更に１２１℃／１００％
ＲＨ雰囲気中に３００時間放置したときのＡｌ配線断線
数／総数を測定した。 （チ）吸水率 成形時間１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分の
条件で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした直
径５０ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板を１２１℃／１００％Ｒ
Ｈの雰囲気中に２４時間放置し、吸水率を測定した。 （リ）難燃性 それぞれの組成物を用いて１２７×１２．７×１．６ｍ
ｍの試験片を１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２
分の条件でトランスファー成形した後、１８０℃で４時
間、後硬化させた。この試験片を２３＋２℃、５０％Ｒ
Ｈの雰囲気中に４８時間放置した後、ＵＬ９４に規定さ
れている方法に準じて測定を行い、基準内であれば合格
とした。 （ヌ）耐熱性 シリコーンチップ上にＡｌ配線を形成した模擬素子と部
分金メッキされた４２アロイリードフレームとを太さ３
０μｍの金線でボンディングし、１７５℃、７０ｋｇ／
ｃｍ2、成形時間１２０秒の条件で１４ピンＤＩＰを形
成した。１８０℃で４時間ポストキュアーしたものを２
００℃の乾燥機に放置した後、樹脂硬化物を発煙硝酸で
溶かし、チップ側のボンディング部の剪断強度を測定し
た。The following tests were conducted on the obtained composition. The results are shown in Table 4. (A) Spiral flow 175 ° C, 70k using a mold conforming to EMMI standard
g / cm 2 . (B) Melt viscosity Using a Koka type flow tester manufactured by Shimadzu Corporation, the flow rate was measured at a nozzle size of 1 mm × length of 10 mm, a load of 10 kg, a sample amount of 3 g, and a temperature of 175 ° C.
The lowest melt viscosity was determined. (C) Flexural strength and flexural modulus 180 ° C, 70 kg / cm according to JIS-K6911
2. A bending test piece of 10 × 4 × 100 mm was molded under the condition of a molding time of 2 minutes, and was subjected to post-curing at 180 ° C. for 4 hours. (D) Expansion coefficient, glass transition temperature Using a test piece having a diameter of 4 mm and a length of 15 mm, the value when the temperature was raised at a rate of 5 ° C. per minute by the TMA method was measured. (E) Adhesiveness A cylindrical molded product having a diameter of 15 mm and a height of 5 mm was molded on a 42 alloy plate under the conditions of 175 ° C., 70 kg / cm 2 and a molding time of 2 minutes, and post-cured at 180 ° C. for 4 hours. The peeling amount between the molded product and the 42 alloy plate was measured with a gauge. (F) Solder crack resistance after moisture absorption (reflow resistance) A silicone chip having a size of 7 × 7 × 0.4 mm was used for 10
It was adhered to a lead frame for QFP (42 alloy) having a size of × 14 × 1.4 mm, and the epoxy resin composition was molded thereon under molding conditions of 175 ° C., 70 kg / cm 2 , and a molding time of 2 minutes. Post-cured for 4 hours. This was left in an atmosphere of 85 ° C./85% RH for 48 hours and 72 hours, then immersed in a solder bath at 240 ° C. for 30 seconds, and the number of package cracks / total number was measured. (G) Moisture resistance A 4MRAM chip was adhered to a 20-pin SOJ frame, and an epoxy resin composition was added thereto at molding conditions of 175 ° C and 7
0 kg / cm 2 , molded in 2 minutes, 180 ° C
Time post cure. This is 121 ° C / 100% R
After leaving it in the atmosphere of H for 24 hours to absorb moisture, 260
Immerse in a solder bath at ℃ for 10 seconds, then 121 ℃ / 100%
The number / total number of disconnection of Al wiring when left in an RH atmosphere for 300 hours was measured. (H) Water absorption rate A disk having a diameter of 50 mm and a thickness of 2 mm, which was molded under the conditions of a molding time of 175 ° C., 70 kg / cm 2 and a molding time of 2 minutes, and post-cured at 180 ° C. for 4 hours, was subjected to 121 ° C./100% R.
The sample was left in an H 2 atmosphere for 24 hours, and the water absorption rate was measured. (I) Flame retardance 127 x 12.7 x 1.6 m using each composition
m test piece at 175 ° C., 70 kg / cm 2 , molding time 2
After transfer molding under the condition of minutes, it was post-cured at 180 ° C. for 4 hours. This test piece is 23 + 2 ° C, 50% R
After being left in the atmosphere of H for 48 hours, the measurement was performed according to the method specified in UL94, and if it was within the standard, it was determined to be acceptable. (E) Heat resistance A simulated element in which Al wiring is formed on a silicone chip and a 42 alloy lead frame partially plated with gold have a thickness of 3
Bonding with 0μm gold wire, 175 ℃, 70kg /
A 14-pin DIP was formed under the conditions of cm 2 and molding time of 120 seconds. 2 after post-cure at 180 ° C for 4 hours
After standing in a dryer at 00 ° C., the resin cured product was dissolved with fuming nitric acid, and the shear strength of the bonding portion on the chip side was measured.
【００４７】[0047]
【表４】 [Table 4]
【００４８】〔実施例６、比較例５〕上記に示すブロム
化エポキシ樹脂、主成分のエポキシ樹脂としてビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（ＲＥ３１０、日本化薬社
製）、硬化剤として下記に示す酸無水物（ＭＨ７００、
日本理化社製）を表５に示す割合で使用し、硬化触媒と
して２−フェニルイミダゾール（ノバキュアＨＸ−３７
４２１、旭化成社製）を１．５部、三酸化アンチモン１
０部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１
部、カーボンブラック１部、比表面積１．４ｍ2／ｇ、
平均粒径１５μｍの溶融球状シリカ３００部を均一に混
合してエポキシ樹脂組成物を得た。[Example 6 and Comparative Example 5] The above-mentioned brominated epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin (RE310, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as the main component epoxy resin, and the acid anhydride shown below as the curing agent. (MH700,
2-phenylimidazole (Novacure HX-37) was used as a curing catalyst by using Nihon Rika Co., Ltd. in the ratio shown in Table 5.
421, manufactured by Asahi Kasei) 1.5 parts, antimony trioxide 1
0 parts, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane 1
Parts, carbon black 1 part, specific surface area 1.4 m 2 / g,
An epoxy resin composition was obtained by uniformly mixing 300 parts of fused spherical silica having an average particle size of 15 μm.
【００４９】[0049]
【化９】 Embedded image
【００５０】これらのエポキシ樹脂組成物につき、以下
の（イ）〜（ニ）の特性を測定した。結果を表５に示
す。 （イ）粘度 ＢＨ型回転粘度計を用いて４ｒｐｍの回転数で２５℃に
おける粘度を測定した。 （ロ）ゲル化時間 １５０℃の熱板の上にエポキシ樹脂組成物を乗せ、硬化
の始まる時間を測定した。 （ハ）ガラス転移温度、膨張係数 ５×５×１５ｍｍの試験片を用いて、ディライトメータ
ーにより毎分５℃の速さで昇温したときの値を測定し
た。 （ニ）充填性 ２４×２５×２ｍｍのＰＰＧＡのパッケージを用い、８
０℃においてエポキシ樹脂組成物が充填するまでの時間
を測定した。With respect to these epoxy resin compositions, the following characteristics (a) to (d) were measured. Table 5 shows the results. (A) Viscosity The viscosity at 25 ° C. was measured at a rotation speed of 4 rpm using a BH type rotational viscometer. (B) Gelation time The epoxy resin composition was placed on a hot plate of 150 ° C., and the time when the curing started was measured. (C) Glass transition temperature, expansion coefficient Using a test piece having a size of 5 × 5 × 15 mm, a delight meter was used to measure the value when the temperature was raised at a rate of 5 ° C./min. (D) Fillability Using a PPGA package of 24 × 25 × 2 mm, 8
The time until the epoxy resin composition was filled was measured at 0 ° C.
【００５１】[0051]
【表５】 [Table 5]
【００５２】表４，５の結果より、本発明の特定構造を
有するブロム化エポキシ樹脂を配合したエポキシ樹脂組
成物は、流動性が良好で、耐熱性、低吸湿性、耐リフロ
ー性に優れた硬化物を与え、特に硬化物の封止で信頼性
の高い半導体装置が得られることが確認された。From the results shown in Tables 4 and 5, the epoxy resin composition containing the brominated epoxy resin having the specific structure of the present invention has good fluidity, heat resistance, low hygroscopicity and reflow resistance. It was confirmed that a highly reliable semiconductor device can be obtained by applying a cured product, and particularly by sealing the cured product.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 浅野 英一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 (72) Inventor Eiichi Asano Matsui Usui-gun Gunma Prefecture Tamachi Oji Hitomi 1-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone Electronic Materials Technology Laboratory (72) Inventor Toshio Shiobara Gunma Prefecture Usui-gun Matsuida-cho Daiji Hitomi 10 Shin-Etsu Chemical Industrial Silicone Electronic Materials Research Institute
Claims (3)
を含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂
の一部又は全部として下記一般式（１）で示されるブロ
ム化エポキシ樹脂を含有することを特徴とするエポキシ
樹脂組成物。 【化１】 （但し、式中Ｒは水素原子又はメチル基であり、ｎは０
以上の整数であるが、ｎが０及び１のものの合計量が６
０重量％以上である。）1. An epoxy resin composition containing an epoxy resin, a curing agent and an inorganic filler, characterized by containing a brominated epoxy resin represented by the following general formula (1) as part or all of the epoxy resin. And an epoxy resin composition. Embedded image (However, in the formula, R is a hydrogen atom or a methyl group, and n is 0.
The above is an integer, but the total amount of those in which n is 0 and 1 is 6
0% by weight or more. )
ち、かつメタクレゾールに３０重量％の濃度で溶解させ
た場合の２５℃における粘度が８０センチポイズ以下の
エポキシ樹脂を式（１）のブロム化エポキシ樹脂と併用
した請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。2. An epoxy resin having crystallinity at room temperature and having a viscosity of 80 centipoise or less at 25 ° C. when dissolved in metacresol at a concentration of 30% by weight is brominated by the formula (1). The epoxy resin composition according to claim 1, which is used in combination with an epoxy resin.
物の硬化物で封止された半導体装置。3. A semiconductor device sealed with a cured product of the epoxy resin composition according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22857795A JPH0952940A (en) | 1995-08-14 | 1995-08-14 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22857795A JPH0952940A (en) | 1995-08-14 | 1995-08-14 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952940A true JPH0952940A (en) | 1997-02-25 |
Family
ID=16878554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22857795A Pending JPH0952940A (en) | 1995-08-14 | 1995-08-14 | Epoxy resin composition and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0952940A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239349A (en) * | 1998-12-24 | 2000-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | Epoxy resin, composition and resin-sealed type semiconductor device |
| JP2007031551A (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
-
1995
- 1995-08-14 JP JP22857795A patent/JPH0952940A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000239349A (en) * | 1998-12-24 | 2000-09-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | Epoxy resin, composition and resin-sealed type semiconductor device |
| JP2007031551A (en) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device |
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