JP2000009846A - シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000009846A JP2000009846A JP10175838A JP17583898A JP2000009846A JP 2000009846 A JP2000009846 A JP 2000009846A JP 10175838 A JP10175838 A JP 10175838A JP 17583898 A JP17583898 A JP 17583898A JP 2000009846 A JP2000009846 A JP 2000009846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- polyparaxylylene
- image sensor
- radiation image
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
像度を向上させることである。 【解決手段】 シンチレータパネル2のFOP10の一
方の表面には柱状結晶構造のシンチレータ12が形成さ
れている。この柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間
には、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14が
充填され、シンチレータ12が加熱発色処理を施したポ
リパラキシリレン14により覆われている。また、この
加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14の表面に
は、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜16
が設けられ、更に、このポリパラキシリレン膜16の表
面に耐湿性の向上を目的とするAl膜18が形成されて
いる。
Description
影等に用いられるシンチレータパネル、放射線イメージ
センサ及びその製造方法に関するものである。
線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果
の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメー
ジングシステムが普及してきている。このような放射線
イメージングシステムにおいては、放射線検出素子によ
り2次元の放射線による画素データを電気信号として取
得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表
示している。
ータパネルとして、特公平5−39558号公報に開示
されているシンチレータパネルが知られている。このシ
ンチレータパネルは、FOP上に典型的なシンチレータ
材料であるCsIからなる柱状構造のシンチレータを形
成している。この柱状構造を有するシンチレータにおい
ては、柱状構造を有するシンチレータの1本1本がライ
トガイドとしての役目をにない、放射線によって発生し
た光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く
押さえられている。
チレータは潮解性を有しているため、柱状構造のシンチ
レータの隙間に水分不透過性のポリパラキシリレンを充
填し、ポリパラキシリレンにより柱状構造のシンチレー
タを覆うことによりシンチレータを湿気から保護してい
る。
隙間にポリパラキシリレンを充填することにより、シン
チレータの屈折率とシンチレータの隙間の屈折率差が減
少して、柱状構造のシンチレータのライトガイドとして
の効果が低下し解像度の低下を招いていた。なお、特許
2571771号公報には、シンチレータの隙間をシン
チレータの屈折率以下の材料で被覆する技術が開示され
ており、また、特開平9−61534号公報及び特開平
9−61536号公報には、シンチレータの隙間を黒色
物質で被覆する技術が開示されている。
を向上させると共に高解像度のシンチレータパネル、放
射線イメージセンサ及びその製造方法を提供することで
ある。
ータパネルは、基板上に形成された柱状構造のシンチレ
ータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部
を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレー
タパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色
処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴と
する。
よれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発
色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状
構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラ
キシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分
が減少することによりシンチレータパネルの解像度を向
上させることができる。
は、前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とす
る。
は、請求項1又は請求項2記載のシンチレータパネルに
更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆
うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
よれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更に
ポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿
性を向上させることができる。
サは、前記請求項1〜請求項3の何れか一項に記載のシ
ンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴と
する。この請求項4記載の放射線イメージセンサによれ
ば、イメージセンサの解像度を向上させることができ
る。
サは、請求項4記載の放射線イメージセンサの前記基板
が透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記
シンチレータが形成されていない側に配置したことを特
徴とする。
サは、請求項4記載の放射線イメージセンサの前記基板
は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板
に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置し
たことを特徴とする。
サは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシン
チレータと、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパ
ラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおい
て、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポ
リパラキシリレン膜であることを特徴とする。
によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が
発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱
状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成
分が減少することにより放射線イメージセンサの解像度
を向上させることができる。
サは、請求項7記載の放射線イメージセンサの前記発色
処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
サは、請求項7又は請求項8記載の放射線イメージセン
サに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜
を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とす
る。
によれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更
にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐
湿性を向上させることができる。
ルの製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータ形成
する第1の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆う
ポリパラキシリレン膜を形成する第2の工程と、前記ポ
リパラキシリレン膜を発色させる第3の工程とを備える
ことを特徴とする。
の製造法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリ
レンを発色させることにより柱状構造の界面を透過した
蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸
収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像
度を向上させたシンチレータパネルを製造することがで
きる。
造方法は、請求項10記載のシンチレータパネルの製造
方法の前記第3の工程が加熱により前記ポリパラキシリ
レンを発色させる工程であることを特徴とする。
ルの製造方法は、請求項10又は請求項11記載のシン
チレータパネルの製造方法に、更に、前記第3工程にお
いて発色させた前記ポリパラキシリレン膜上にポリパラ
キシリレン膜を形成する第4工程を備えることを特徴と
する。
の製造方法によれば、発色させたポリパラキシリレン膜
上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シン
チレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製
造することができる。
ンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシ
ンチレータを形成する第1の工程と、前記柱状構造のシ
ンチレータを覆うポリパラキシリレンを形成する第2の
工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の
工程とを備えることを特徴とする。
サの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキ
シリレン膜を発色させることにより柱状構造の界面を透
過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜に
より吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するた
め、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造す
ることができる。
ンサの製造方法は、請求項13記載のシンチレータパネ
ルの製造方法の前記第3の工程が加熱により前記ポリパ
ラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とす
る。
ンサの製造方法は、請求項13又は請求項14記載の放
射線イメージセンサの製造方法に、更に、前記第3工程
において加熱し発色させた前記ポリパラキシリレン上に
ポリパラキシリレン膜を形成する第4工程を備えること
を特徴とする。
サの製造方法によれば、加熱し発色させたポリパラキシ
リレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するた
め、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージ
センサを製造することができる。
の発明の第1の実施の形態の説明を行う。図1は実施の
形態にかかるシンチレータパネル2の断面図である。図
1に示すように、シンチレータパネル2のファイバオプ
ティカルプレート(以下、FOPという。)10の一方
の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状結
晶構造のシンチレータ12が形成されている。このシン
チレータ12には、TlドープのCsIが用いられてい
る。
のシンチレータ12の隙間には、シンチレータ12の表
面に成膜され加熱発色処理が施されたポリパラキシリレ
ンが充填されている。また、この加熱発色処理を施した
ポリパラキシリレン膜14の表面には、耐湿性の保護膜
としてのポリパラキシリレン膜16が設けられており、
更に、このポリパラキシリレン膜16の表面に耐湿性の
向上を目的とするAl膜18が形成されている。このシ
ンチレータパネル2は、FOP10を介して図示しない
撮像素子(CCD)等と結合することにより放射線イメ
ージセンサとして用いられる。また、Al膜18上にA
l膜18の剥がれ防止するためのポリパラキシリレン膜
を形成してもよい。
ータパネル2の製造工程について説明する。まず、FO
P10の一方の表面に、TlをドープしたCsIの柱状
結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ12を1
0μmの柱径、300μmの厚さで形成する(図2
(a)参照)。
P10をCVD装置の蒸着室に入れ、CVD法(気相化
学成長法)によりシンチレータ12の隙間及び表面にポ
リパラキシリレン膜14を成膜する。即ち、CVD装置
の蒸着室内において、ポリパラキシリレンの原料を昇華
した蒸気中に露出させておくことにより、柱状結晶構造
のシンチレータ12の隙間にポリパラキシリレン膜14
を成膜し、柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間にポ
リパラキシリレン膜14を成膜する(図2(b)参
照)。
表面にポリパラキシリレン膜14を成膜したFOP10
をCVD装置の蒸着室から取り出し、真空中において2
50℃で2時間、加熱することによりポリパラキシリレ
ン膜14を発色させる。即ち、ポリパラキシリレンの構
造式は、
いて250℃で2時間、加熱することにより、ポリパラ
キシリレンのエチレン基(−CH2−CH2−)の一部
がエテニレン基(−CH=CH−)又は、エチニレン基
(−C≡C−)に変化することにより茶色に発色する。
色処理が終了したFOP10を、再度、CVD装置の蒸
着室に入れて、ポリパラキシリレン膜16を10μmの
厚さで成膜し(図3(a)参照)、その後、Al膜18
を300nmの厚さで蒸着する(図3(b)参照)。こ
こでAl膜18は、シンチレータ12の耐湿性の向上を
目的とするものであるためシンチレータ12を覆う範囲
で形成される。この工程を終了することによりシンチレ
ータパネル2の製造が終了する。
ル2によれば、柱状結晶構造のシンチレータ12の表面
に形成されているポリパラキシリレン膜14に加熱発色
処理が施されているため、シンチレータ12の柱状結晶
構造の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリ
パラキシリレン膜14により吸収され、蛍光のクロスト
ーク成分が減少することによりシンチレータパネル2の
解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理
を施したポリパラキシリレン膜14をポリパラキシリレ
ン膜で更に覆うためシンチレータの耐湿性を向上させる
ことができる。
第2の実施の形態の説明を行う。図4は実施の形態にか
かる放射線イメージセンサ4の断面図である。図4に示
すように、放射線イメージセンサ4は、薄膜トランジス
タ+フォトダイオードアレイ(以下フォトダイオードア
レイという)30の受光部30bに対応して設けられて
いる大結晶化されたシンチレータ34を加熱発色処理を
施したポリパラキシリレン膜36により覆い、更に、耐
湿性の向上を目的とするポリパラキシリレン膜38で覆
った構造を有するものである。
線イメージセンサ4の製造工程について説明する。図5
(a)に示すように、放射線イメージセンサ4を構成す
るフォトダイオードアレイ30は、基板30a上に受光
部30bが200μmのピッチでアレイ状に形成され、
各受光部30bに対応してアモルファスシリコン薄膜ト
ランジスタのスイッチング素子30cが設けられてい
る。
受光部30b上にポリイミドにより凸パターン32を形
成する(図5(b)参照)。次に、TlをドープしたC
sIの柱状結晶を蒸着法によって成長させて、受光部3
0bに対応したシンチレータ34の固まりを形成し(図
5(c)参照)、水蒸気を含む大気中に40時間露出さ
せることにより、シンチレータ34に水分を含有させ溶
かすことで大結晶化、好ましくは単結晶化させる(図5
(d)参照)。
トダイオードアレイ30をCVD装置の蒸着室に入れ、
ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させ
ておくことにより、大結晶化したシンチレータ34の表
面にポリパラキシリレン膜36を成膜する(図6(a)
参照)。次に、シンチレータ34の表面にポリパラキシ
リレン膜36を成膜したフォトダイオードアレイ30を
CVD装置の蒸着室から取り出し、真空中において25
0℃で1時間、加熱することによりポリパラキシリレン
膜36を発色させる(図6(b)参照)。即ち、第1の
実施の形態の場合と同様に、ポリパラキシリレンのエチ
レン基(−CH2−CH2−)の一部がエテニレン基
(−CH=CH−)又は、エチニレン基(−C≡C−)
に変化することにより茶色に発色する。
色処理が終了したフォトダイオードアレイ30を、再
度、CVD装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン
膜38を10μmの厚さで成膜する(図6(c)参
照)。この工程を終了することにより放射線イメージセ
ンサ4の製造が終了する。
ージセンサ4によれば、大結晶化したシンチレータ34
の表面に形成されているポリパラキシリレン膜36に加
熱発色処理が施されているため、シンチレータ34の界
面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜36により吸収され、蛍光のクロストーク成分
が減少することにより放射線イメージセンサ4の解像度
を向上させることができる。また、加熱発色処理を施し
たポリパラキシリレン膜36を更にポリパラキシリレン
膜38で更に覆うためシンチレータ34の耐湿性を向上
させることができる。
第3の実施の形態の説明を行う。この第3の実施の形態
の説明においては、第2の実施の形態にかかる放射線イ
メージセンサ4の構成と同一の構成には、放射線イメー
ジセンサ4の説明の際に用いた符号と同一の符号を付し
て説明を行う。
センサ6の断面図である。図7に示すように、放射線イ
メージセンサ6は、薄膜トランジスタ+フォトダイオー
ドアレイ30の受光部30aに対応して設けられている
大結晶化されたシンチレータ34の先端部以外の部分を
加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜36により
覆い、更に、シンチレータ34を耐湿性を目的とするポ
リパラキシリレン膜38及びAl膜40、Al膜40の
剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜42で覆った
構造を有するものである。
線イメージセンサ6の製造工程について説明する。ま
ず、図5及び図6に示す第2の実施の形態にかかる放射
線イメージセンサ4の製造工程と同一の工程により、フ
ォトダイオードアレイ30の受光部30b上に形成した
大結晶化したシンチレータ34を加熱発色させたポリパ
ラキシリレン膜36により被覆する(図8(a)参
照)。
るポリパラキシリレン膜36をレーザ照射により除去し
(図8(b)参照)、このシンチレータ34の上端部に
位置するポリパラキシリレン膜36の除去処理が終了し
たフォトダイオードアレイ30を、再度、CVD装置の
蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜38を10μm
の厚さで成膜する(図8(c)参照)。
空蒸着法により耐湿膜であるAl膜40を100nmの
厚さで形成し、更に、このAl膜40上にポリパラキシ
リレン膜38の形成の場合と同様な方法で、Al膜40
の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜42を
形成する。この工程を終了することにより放射線イメー
ジセンサ6の製造が終了する。
ージセンサ6によれば、大結晶化したシンチレータ34
の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜
36に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ
34の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリ
パラキシリレン膜36により吸収され、蛍光のクロスト
ーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ6
の解像度を向上させることができる。また、シンチレー
タ34をポリパラキシリレン膜38及びAl膜40で覆
うためシンチレータ34の耐湿性を向上させることがで
きる。
の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ7の説明を
行う。この第4の実施の形態の説明においては、第3の
実施の形態にかかる放射線イメージセンサ6の構成と同
一の構成には、放射線イメージセンサ6の説明の際に用
いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
したポリパラキシリレン膜36を除去した後に、シンチ
レータ34の上部に位置するポリパラキシリレン膜38
上に、大結晶化したシンチレータ34毎に対応させて反
射膜であるAl膜39を形成し、その上にAl膜39の
剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜41、耐
湿性を向上させるためのAl膜40及びAl膜40の剥
がれを防止するためのポリパラキシリレン膜42を順次
形成したものである。
シンチレータ34で発生した光の中でAl膜39の方向
に進行した光は、このAl膜39で反射されてフォトダ
イオードアレイ30の受光部30bの方向へ向かうため
受光部30bに入射する光を増加させることができる。
パラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモ
ノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレ
ン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパ
ラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエ
チルパラキシリレン、等を含む。
リパラキシリレンを加熱することにより発色させている
が、これに限らず電子線、高エネルギの電磁波(紫外
線、X線)、中性子線を照射することによっても発色さ
せることがきる。
リパラキシリレンを真空中において加熱しているが、こ
れに限らず空気中において加熱するようにしてもよい。
は、ポリパラキシリレンを250度で2時間加熱してお
り、また、第2の実施の形態においては、ポリパラキシ
リレンを250度で1時間加熱しているが、加熱温度及
び加熱時間はこれに限定されるものではなく、ポリパラ
キシリレンの発色の度合いに対応させて適宜選択可能で
ある。
ンチレータとしてCsI(Tl)が用いられているが、
これに限らずCsI(Na)、NaI(Tl)、LiI
(Eu)、KI(Tl)等を用いてもよい。
は、シンチレータを形成する基板としてFOP10を用
いFOP10側に撮像素子(CCD)を配置することに
より放射線イメージセンサとして用いるが、シンチレー
タを形成する基板としてガラス製の基板を用いても良
い。この場合には、ガラス製の基板と撮像素子とをレン
ズを用いて結合させて放射線イメージセンサとして用い
る。
製の基板、Be製の基板等を用いてもよく、この場合に
はシンチレータ側に撮像素子(CCD)を配置すること
により放射線イメージセンサとして用いる。
シンチレータ34の先端部側に撮像素子52を配置した
放射線イメージセンサ8である。この放射線イメージセ
ンサ8においては、大結晶化したシンチレータ34の側
壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜36
に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ34
の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラ
キシリレン膜36により吸収され、蛍光のクロストーク
成分が減少することにより放射線イメージセンサ8の解
像度を向上させることができる。
いては、シンチレータを形成する基板としてフォトダイ
オードアレイ30を用いているが、これに限らずCC
D、MOS型固体イメージセンサ等を用いるようにして
もよい。
ポリパラキシリレン膜38の上に更にAl膜を形成する
ようにしても良い。この場合には、更に耐湿性の向上を
図ることができる。
ば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処
理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のク
ロストーク成分を減少させることができ、シンチレータ
パネルの解像度を向上させることができる。また、発色
処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシ
リレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させ
ることができる。
よれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発
色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光
のクロストーク成分を減少させることができ、放射線イ
メージセンサの解像度を向上させることができる。ま
た、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリ
パラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を
向上させることができる。
造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレ
ン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を
減少させ、解像度を向上させたシンチレータパネルを製
造することができる。また、発色させたポリパラキシリ
レン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するた
め、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパ
ネルを製造することができる。
製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリ
レン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分
を減少させ、解像度を向上させた放射線イメージセンサ
を製造することができる。また、発色させたポリパラキ
シリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する
ため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメー
ジセンサを製造することができる。
ータパネルの断面図である。
ータパネルの製造工程を示す図である。
ータパネルの製造工程を示す図である。
メージセンサの断面図である。
メージセンサの製造工程を示す図である。
メージセンサの製造工程を示す図である
メージセンサの断面図である。
メージセンサの製造工程を示す図である。
メージセンサの製造工程を示す図である。
イメージセンサの断面図である。
メージセンサの断面図である。
ージセンサ、10…FOP、12…シンチレータ、14
…ポリパラキシリレン膜、16…ポリパラキシリレン
膜、18…Al膜、30…フォトダイオードアレイ、3
0b…受光部、34…シンチレータ、36,38…ポリ
パラキシリレン膜。
Claims (15)
- 【請求項1】 基板上に形成された柱状構造のシンチレ
ータと、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネル
において、 前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜であることを特徴とするシンチレータパ
ネル。 - 【請求項2】 前記発色処理は、加熱発色処理であるこ
とを特徴とする請求項1記載のシンチレータパネル。 - 【請求項3】 前記加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えること
を特徴とする請求項1又は請求項2記載のシンチレータ
パネル。 - 【請求項4】 前記請求項1〜請求項3の何れか一項に
記載のシンチレータパネルに更に撮像素子を備えること
を特徴とする放射線イメージセンサ。 - 【請求項5】 前記基板は透光性の基板であり、前記撮
像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていな
い側に配置したことを特徴とする請求項4記載の放射線
イメージセンサ。 - 【請求項6】 前記基板は放射線透過性の基板であり、
前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレ
ータの先端部側に配置したことを特徴とする請求項4記
載の放射線イメージセンサ。 - 【請求項7】 撮像素子の受光面上に形成された柱状構
造のシンチレータと、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜とを備える放射線イメージセン
サにおいて、 前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパ
ラキシリレン膜であることを特徴とする放射線イメージ
センサ。 - 【請求項8】 前記発色処理は、加熱発色処理であるこ
とを特徴とする請求項7記載の放射線イメージセンサ。 - 【請求項9】 前記加熱発色処理を施したポリパラキシ
リレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えること
を特徴とする請求項7又は請求項8記載の放射線イメー
ジセンサ。 - 【請求項10】 基板上に柱状構造のシンチレータ形成
する第1の工程と、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜を形成する第2の工程と、 前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の工程と、 を備えることを特徴とするシンチレータパネルの製造方
法。 - 【請求項11】 前記第3の工程は、加熱により前記ポ
リパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴と
する請求項10記載のシンチレータパネルの製造方法。 - 【請求項12】 前記第3工程において加熱し発色させ
た前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリ
レン膜を形成する第4工程を備えることを特徴とする請
求項10又は請求項11記載のシンチレータパネルの製
造方法。 - 【請求項13】 撮像素子の受光面上に柱状構造のシン
チレータを形成する第1の工程と、 前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆す
るポリパラキシリレン膜を形成する第2の工程と、 前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第3の工程と、 を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造
方法。 - 【請求項14】 前記第3の工程は、加熱により前記ポ
リパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴と
する請求項13記載の放射線イメージセンサの製造方
法。 - 【請求項15】 前記第3工程において加熱し発色させ
た前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリ
レン膜を形成する第4工程を備えることを特徴とする請
求項13又は請求項14記載の放射線イメージセンサの
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17583898A JP4156709B2 (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
AU41682/99A AU4168299A (en) | 1998-06-23 | 1999-06-18 | Scintillator panel, radiation image sensor, and process for producing the same |
PCT/JP1999/003265 WO1999067658A1 (fr) | 1998-06-23 | 1999-06-18 | Panneau de scintillateur, capteur d'image de rayonnement et procede de production de ceux-ci |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17583898A JP4156709B2 (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000009846A true JP2000009846A (ja) | 2000-01-14 |
JP4156709B2 JP4156709B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=16003108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17583898A Expired - Fee Related JP4156709B2 (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4156709B2 (ja) |
AU (1) | AU4168299A (ja) |
WO (1) | WO1999067658A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003075593A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータならびに画像検出器およびその製造方法 |
JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層,変換層,x線情報の読出装置及びx線カセット |
JP2006052984A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Canon Inc | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム |
DE102006022138A1 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Siemens Ag | Szintillatorplatte |
US7576335B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-08-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator plate |
JP2010121997A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
JP2011128085A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Canon Inc | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
JP2012141297A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Fujifilm Corp | 放射線撮像装置 |
JP2012163396A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
EP4043928A4 (en) * | 2019-10-07 | 2023-11-01 | Canon Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | RADIATION DETECTION MODULE, RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE RADIATION DETECTION MODULE |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
EP1298455B1 (en) | 1999-04-09 | 2007-09-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation ray image sensor |
DE10119783A1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Siemens Ag | Strahlungswandler |
JP5883556B2 (ja) | 2010-06-04 | 2016-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63215987A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 高解像シンチレ−シヨンフアイバ−プレ−ト |
JPH09115898A (ja) * | 1995-10-23 | 1997-05-02 | Sony Corp | 誘電体膜の成膜方法 |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP17583898A patent/JP4156709B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-18 AU AU41682/99A patent/AU4168299A/en not_active Abandoned
- 1999-06-18 WO PCT/JP1999/003265 patent/WO1999067658A1/ja active Application Filing
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層,変換層,x線情報の読出装置及びx線カセット |
JP2003075593A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 放射線シンチレータならびに画像検出器およびその製造方法 |
JP2006052984A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Canon Inc | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム |
JP4612815B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム |
US7576335B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-08-18 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator plate |
DE102006022138A1 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-15 | Siemens Ag | Szintillatorplatte |
JP2010121997A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出器 |
JP2011128085A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Canon Inc | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
JP2012141297A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Fujifilm Corp | 放射線撮像装置 |
US8841621B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-09-23 | Fujifilm Corporation | Radiographic imaging apparatus |
JP2012163396A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | シンチレータパネル及び放射線検出器 |
EP4043928A4 (en) * | 2019-10-07 | 2023-11-01 | Canon Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | RADIATION DETECTION MODULE, RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE RADIATION DETECTION MODULE |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU4168299A (en) | 2000-01-10 |
WO1999067658A1 (fr) | 1999-12-29 |
JP4156709B2 (ja) | 2008-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000009846A (ja) | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 | |
USRE39806E1 (en) | Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same | |
US6531225B1 (en) | Scintillator panel and radiation image sensor | |
KR101726464B1 (ko) | 방사선상 변환 패널 | |
US8962370B2 (en) | Radiation detector and method of manufacturing the same | |
JP3691391B2 (ja) | 放射線イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP2008051793A (ja) | 放射線検出装置及びシンチレータパネル | |
US8138011B2 (en) | Radiation-detecting device and method of manufacturing same | |
JP4220017B2 (ja) | シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法 | |
Datta et al. | 2D perovskite-based high spatial resolution X-ray detectors | |
WO1999066346A1 (fr) | Plaque de scintillateurs, capteur d'image radiologique et procede de fabrication | |
US20110001052A1 (en) | Computed radiography system | |
US9291722B2 (en) | Scintillator plate | |
JP2000075038A (ja) | 放射線イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP5749439B2 (ja) | 放射線像変換パネル | |
JP4083874B2 (ja) | シンチレータファイバプレート及び放射線イメージセンサ | |
EP1113290A2 (en) | Radiation imager having light absorbing layer | |
JP2002318283A (ja) | 2次元アレイ型放射線検出器とそのx線遮蔽壁の製造方法 | |
WO2016034494A1 (de) | Szintillatorplatte und verfahren zu deren herstellung | |
JPH1184013A (ja) | 放射線検出器 | |
JP3661196B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP7504779B2 (ja) | シンチレータプレート、シンチレータプレートの製造方法、および放射線検出装置 | |
JP2009236705A (ja) | 放射線検出装置 | |
JPH11160441A (ja) | 放射線検出素子 | |
JPH05312960A (ja) | X線検出器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080415 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080610 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080708 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080710 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120718 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130718 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |