JP2000003813A - 積層インダクタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 移動体通信機器などの高周波回路基板に実装
する積層インダクタにおいて、Ｌ値の置き方によるバラ
ツキを回避し、Ｑ値の低下を抑制する。 【解決手段】 各引き出し導体５ａが、外部電極方向か
らみたインダクタ断面においてほぼ中央に位置し、コイ
ル５がその位置を周回するようにする。これにより、積
層インダクタ１の実装状態が変わっても（９０°回転し
ても）、引き出し導体５ａの基板に対する位置関係は変
わらない。また、磁束が引き出し導体５ａを貫くことが
ない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器な
どの高周波回路基板に実装するに好適な開磁路型の積層
インダクタに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図９は従来の積層インダクタの一例を示
す図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその実装状
態の一例を示す模式図、（ｃ）はその実装状態の別の例
を示す模式図である。

【０００３】従来この種の積層インダクタとしては、図
９（ａ）に示すように、直方体状の電気絶縁体２の両端
に外部電極３をそれぞれ装着し、電気絶縁体２内にコイ
ル５を埋設し、そのコイル５の両端をそれぞれ各外部電
極３に導通させた積層インダクタ１がある。

【０００４】ところが、この積層インダクタ１ではコイ
ル５の軸方向（矢印Ａ、Ｂ方向）が外部電極方向（矢印
Ｃ、Ｄ方向）に直交するため、図９（ｂ）、（ｃ）に示
すように、積層インダクタ１の基板９への実装状態によ
って磁界の発生位置が異なり、基板９上の周辺部品等の
環境によってはコイル５のインダクタンス（以下、Ｌ値
という。）が変化してしまう。

【０００５】そこで、こうした不具合を避けるべく、内
容は異なるがコイルの構造は、特開平９−１２９４４７
号公報に開示されているように、コイル５の軸方向を外
部電極方向に一致させることにより、積層インダクタ１
の実装状態の如何に拘わらず磁界の発生位置を１通りに
定めて、Ｌ値の変化を抑えようとする手法が考えられ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
にも次のような不都合があった。

【０００７】第１に、Ｌ値はコイル５の引き出し導体と
基板９との位置関係によっても変化するので、この引き
出し導体を積層インダクタ１の一側面に片寄せて配設し
た場合には、依然として積層インダクタ１の実装状態に
よってＬ値にバラツキが生じる危険性がある。

【０００８】第２に、Ｌ値の変化の抑制を狙って、引き
出し導体を単に外部電極３の中心に位置決めしただけで
は、引き出し導体とコイル５を結ぶ導体が磁束を貫くの
で、コイル５のＱ値が低下してしまう。

【０００９】本発明は、このような事情に鑑み、Ｌ値の
置き方によるバラツキを回避し、Ｑ値の低下を抑制しう
る積層インダクタを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る本発明は、非磁性体セラミックスを用いた電気絶縁層
に導体パターン（３４、３６、３８、４０、４２）が交
互に積層され、前記各導体パターンの端部が順次接続さ
れることで積層方向に重畳したコイル（５）が形成され
て前記電気絶縁層からなる電気絶縁体（２）中に埋没さ
れた状態となっており、前記電気絶縁体の表面に前記コ
イルから引き出された２つの引き出し導体（５ａ）にそ
れぞれ接続される外部電極（３）が設けられ、前記コイ
ルの積層方向が外部電極方向である積層インダクタ
（１）において、前記各引き出し導体が、外部電極方向
からみたインダクタ断面においてほぼ中央に位置し、前
記コイルがその位置を周回するようにして構成される。
コイルが、引き出し導体のあるインダクタ断面中央部を
周回することによって、コイルと引き出し導体をつなぐ
導体が必要ではないので、コイル内に発生する磁束を横
切る導体がなくなり、コイルのＱ値が低下しない。

【００１１】ここで、非磁性体セラミックスとしては、
ガラスを添加して低温焼結化した誘電体セラミックスを
使用することができる。この場合、ホウケイ酸ガラスを
アルミナに体積で７０：３０の比率に混合した誘電体材
料を使用し、これにビヒクルとしてエチルセルロースと
テレピネールと分散剤、可塑剤を混合したものを配合し
混合して、印刷用のペーストを作製する。一方、導体パ
ターンとしては、銀、銀パラジウム等の導体ペーストに
上記ビヒクルを混合したものを用いることができる。な
お、バインダーはエチルセルロース以外でＰＶＢ、メチ
ルセルロースやアクリル樹脂でもよい。また、分散剤や
可塑剤は印刷性の向上や生産時の取扱い性を考慮して入
れる必要がある。

【００１２】また、請求項２に係る本発明は、上記各引
き出し導体（５ａ）の位置が、外部電極方向からみたイ
ンダクタ断面の中央から半径０．０５ｍｍ以下であるよ
うにして構成される。０．０５ｍｍを越えると、積層イ
ンダクタの置く位置によってＬ値が大きく変化するが、
０．０５ｍｍ以下であれば、Ｌ値の変化が１０％以下で
ある。

【００１３】また、請求項３に係る本発明は、上記コイ
ル（５）の巻き始め部と巻き終わり部がインダクタ断面
のほぼ中央から互いに反対側の半分の位置にあり、前記
コイルが、その巻き始め部から巻き終わり部に向かうに
従って徐々に反対側に移動するように配置されているよ
うにして構成される。コイルの位置が徐々に変化するこ
とによって、それぞれの導***置がずれ、コイル間に発
生する浮遊容量が減少し、共振周波数が高くなり、高周
波特性が向上する。

【００１４】また、請求項４に係る本発明は、上記コイ
ル（５）が、その積層方向において同一の形状であるよ
うにして構成される。コイルパターンが、すべて引き出
し導体のある中央部を周回する同一形状にすることによ
り、使用するスクリーンが少なくなり、コストダウンに
なる。

【００１５】また、請求項５に係る本発明は、上記コイ
ル（５）が、その巻き始め部および巻き終わり部から積
層方向の中央部に向かうに従って徐々に変形して、その
積層方向の中央部において断面全面を有効に利用する形
状であるようにして構成される。これにより、引き出し
導体と接続する部分のコイルのみインダクタ断面中央部
を周回し、中央部に行くに従って外周を周回するコイル
形状にすることにより、磁束を横切る導体がないまま、
高いＬ値を得ることができる。

【００１６】また、請求項６に係る本発明は、非磁性体
セラミックスを用いた電気絶縁層に導体パターン（１
４、１６、１８、２０、２２）が交互に積層され、前記
各導体パターンの端部が順次接続されることで積層方向
に重畳したコイル（５）が形成されて前記電気絶縁層か
らなる電気絶縁体（２）中に埋没された状態となってお
り、前記電気絶縁体の表面に前記コイルから引き出され
た２つの引き出し導体（５ａ）にそれぞれ接続される外
部電極（３）が設けられ、前記コイルの積層方向が外部
電極方向である積層インダクタ（１）において、前記各
引き出し導体が前記コイルの角から引き出されており、
この２つの引き出し導体の前記コイルに対する接続位置
がそれぞれ反対の角であり、Ｌ値が５ｎＨ以上であるよ
うにして構成される。これにより、引き出し導体をコイ
ルの対角する角からそれぞれの外部電極に接続すること
により、５ｎＨ以上の積層インダクタにおいてバラツキ
が１０％以下になる。５ｎＨ未満では、引き出し導体の
この位置におけるバラツキは１０％を越え、大きくな
る。

【００１７】また、請求項７に係る本発明は、非磁性体
セラミックスを用いた電気絶縁層に導体パターンが交互
に積層され、前記各導体パターンの端部が順次接続され
ることで積層方向に重畳した２つのコイル（５、６）が
互いに平行に形成されて前記電気絶縁層からなる電気絶
縁体（２）中に埋没された状態となっており、前記電気
絶縁体の表面に前記各コイルから引き出された２つの引
き出し導体（５ａ、６ａ）にそれぞれ接続される外部電
極（３）が設けられ、前記各コイルの積層方向が外部電
極方向である積層インダクタ（１）において、前記各引
き出し導体が前記各コイルの角から引き出されており、
Ｌ値が２０ｎＨ以下であるようにして構成される。この
ように、２つのコイルを形成し、コイルの対角位置から
引き出し導体を出すことによって、積層インダクタを置
く位置によるＬ値のバラツキが小さくなる。ただし、コ
イルは等価回路的には並列接続したものとなるため、１
つのコイル時より２倍の巻き数が必要となり、２０ｎＨ
を越えるコイルを形成することが困難であるため、これ
以下とした。

【００１８】さらに、請求項８に係る本発明は、非磁性
体セラミックスを用いた電気絶縁層に導体パターンが交
互に積層され、前記各導体パターンの端部が順次接続さ
れることで積層方向に重畳した４つのコイル（５、６、
７、８）が互いに平行に形成されて前記電気絶縁層から
なる電気絶縁体（２）中に埋没された状態となってお
り、前記電気絶縁体の表面に前記各コイルから引き出さ
れた２つの引き出し導体（５ａ、６ａ、７ａ、８ａ）に
それぞれ接続される外部電極（３）が設けられ、前記各
コイルの積層方向が外部電極方向である積層インダクタ
（１）において、前記各引き出し導体が前記各コイルの
角から引き出されており、Ｌ値が１０ｎＨ以下であるよ
うにして構成される。これにより、４つのコイルを内部
に形成し、コイルの対角から引き出し導体を出すことに
より、コイルにある４つの角すべてから引き出し導体を
出すことになり、Ｌ値のバラツキが極端に減少する。た
だし、コイルは等価回路的には並列接続したものとなる
ため、１つのコイル時より４倍の巻き数が必要となり、
１０ｎＨを越えるコイルを形成することが困難であるた
め、これ以下とした。

【００１９】なお、括弧内の番号等は図面において対応
する要素を表わす便宜的なものであり、従って、本発明
は図面上の記載に限定拘束されるものではない。このこ
とは「特許請求の範囲」の欄についても同様である。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２１】図１は本発明に係る積層インダクタの第１
の実施形態を示す図であり、（ａ）はその左側面図、
（ｂ）はその正面図、図２は図１に示す積層インダクタ
の製造方法を示す工程図、図３は本発明に係る積層イン
ダクタの第２の実施形態を示す図であり、（ａ）はその
左側面図、（ｂ）はその正面図、図４は本発明に係る積
層インダクタの第３の実施形態を示す図であり、（ａ）
はその左側面図、（ｂ）はその正面図、図５は本発明に
係る積層インダクタの第４の実施形態を示す図であり、
（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその実装状態の一例を示
す模式図、（ｃ）はその実装状態の別の例を示す模式
図、図６は図５に示す積層インダクタの製造方法を示す
工程図、図７は本発明に係る積層インダクタの第５の実
施形態を示す図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は
その実装状態の一例を示す模式図、（ｃ）はその実装状
態の別の例を示す模式図、図８は本発明に係る積層イン
ダクタの第６の実施形態を示す図であり、（ａ）はその
斜視図、（ｂ）はその実装状態の一例を示す模式図、
（ｃ）はその実装状態の別の例を示す模式図である。

【００２２】本発明に係る積層インダクタ１は、図１に
示すように、直方体状の電気絶縁体２を有しており、電
気絶縁体２中には、非磁性体セラミックスを用いた電気
絶縁層に複数の導体パターンが交互に積層され、各導体
パターンの端部が順次接続されることで積層方向に重畳
したコイル５が埋設されている。また、電気絶縁体２の
両端表面には外部電極３がそれぞれ冠着されており、各
外部電極３には、コイル５から引き出された２つの引き
出し導体５ａが接続されて導通している。さらに、コイ
ル５の軸方向は外部電極方向に一致している。

【００２３】ところで、各引き出し導体５ａは、図１
（ａ）に示すように、外部電極方向からみたインダクタ
断面においてほぼ中央（中央から半径０．０５ｍｍ以
下）に位置しており、コイル５はその位置を周回してい
る。ここで、コイル５は、図１（ｂ）に示すように、そ
の巻き始め部と巻き終わり部がインダクタ断面のほぼ中
央から互いに反対側の半分の位置にあり、巻き始め部か
ら巻き終わり部に向かうに従って徐々に反対側に移動す
るように配置されている。

【００２４】本発明に係る積層インダクタ１は以上のよ
うな構成を有するので、積層インダクタ１の実装状態に
よってＬ値にバラツキが生じることはない。すなわち、
コイル５の軸方向が外部電極方向に一致しているため、
磁界の発生位置は積層インダクタ１の基板（図示せず）
への実装状態の如何に拘わらず１通りに定まることに加
えて、各引き出し導体５ａがインダクタ断面のほぼ中央
に位置するので、積層インダクタ１の実装状態が変わっ
ても（９０°回転しても）、引き出し導体５ａの基板に
対する位置関係は変わらない。その結果、積層インダク
タ１の実装状態によってＬ値にバラツキが生じることは
ない。ここで、各引き出し導体５ａの位置はインダクタ
断面の中央から半径０．０５ｍｍ以下であるため、例え
ば６ｎＨの積層インダクタ１の場合、Ｌ値の変化は０．
０３５ｎＨとなり、十分に小さい。

【００２５】また、コイル５は引き出し導体５ａの位置
を周回しているので、コイル５と引き出し導体５ａをつ
なぐための導体がなく、コイル５に発生する磁束を横切
る導体がなく、従ってＱ値の低下を惹起することもな
い。

【００２６】しかも、コイル５はその巻き始め部と巻き
終わり部がインダクタ断面のほぼ中央から互いに反対側
の半分の位置にあり、巻き始め部から巻き終わり部に向
かうに従って徐々に反対側に移動するように配置されて
いるので、コイル導体の重なりが減少し、コイル５によ
る浮遊容量が減少し、共振周波数が高くなるため、高い
周波数まで使用可能となる。

【００２７】なお、この積層インダクタ１を製造するに
は印刷積層法を用いることができる。以下、その方法を
説明する。

【００２８】まず、図２（ａ）に示すように、引き出し
導体用の丸孔３２を残して誘電体パターン３１を印刷し
た後、図２（ｂ）に示すように、この丸孔３２を埋める
ように電極３３を印刷する。そして、これを必要な回数
だけ繰り返す。

【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、電極３３
に接続するように導体パターン３４を印刷し、図２
（ｄ）に示すように、導体パターン３４の一部を隠す形
で誘電体パターン３５を印刷する。その後、図２（ｅ）
に示すように、誘電体パターン３５上に導体パターン３
６を導体パターン３４に繋げて印刷し、図２（ｆ）に示
すように、導体パターン３４を隠す形で誘電体パターン
３７を印刷する。次いで、図２（ｇ）に示すように、誘
電体パターン３７上に導体パターン３８を導体パターン
３６に繋げて印刷し、図２（ｈ）に示すように、導体パ
ターン３６を隠す形で誘電体パターン３９を印刷する。
次に、図２（ｉ）に示すように、誘電体パターン３９上
に導体パターン４０を導体パターン３８に繋げて印刷
し、図２（ｊ）に示すように、導体パターン３８を隠す
形で誘電体パターン４１を印刷する。さらに、図２
（ｋ）に示すように、誘電体パターン４１上に導体パタ
ーン４２を導体パターン４０に繋げて印刷する。コイル
の形成は、図２においてコイルを積層インダクタ１の右
側から左側にずらすように印刷する。

【００３０】最後に、図２（ｌ）に示すように、引き出
し導体用の丸孔４４を残して誘電体パターン４３を印刷
した後、図２（ｍ）に示すように、この丸孔４４を埋め
るように電極４５を印刷する。そして、これを必要な回
数だけ繰り返す。

【００３１】ここで、印刷積層法による積層インダクタ
１の製造が終了する。この構造により、コイル５による
浮遊容量が減少し、共振周波数が高くなり、高い周波数
まで良好な特性を有することとなる。

【００３２】なお、上述の実施形態においては、巻き始
め部と巻き終わり部がインダクタ断面のほぼ中央から互
いに反対側の半分の位置にあって、巻き始め部から巻き
終わり部に向かうに従って徐々に反対側に移動するよう
に配置されているコイル５を採用した場合について説明
したが、コイル５の配置については、これ以外にも様々
な配置とすることができる。例えば、図３に示すよう
に、積層方向において同一の形状（図３においては凹五
角形）を有するコイル５を使ってもよい。この場合、同
じ導体パターンの繰り返しで、工程を簡略化することが
できる上、図２よりコイルで囲まれる面積が大きく高い
Ｌ値の積層インダクタ１が得られる。

【００３３】或いはまた、図４に示すように、巻き始め
部および巻き終わり部から積層方向の中央部に向かうに
従って徐々に変形して、その積層方向の中央部において
断面全面を有効に利用する形状を有するコイル５を採用
しても構わない。これにより、Ｌ値が大きく、磁束を横
切る導体のない構造が得られる。

【００３４】さらに、上述の実施形態においては、各引
き出し導体５ａがインダクタ断面のほぼ中央に位置する
場合について説明したが、この引き出し導体５ａをコイ
ル５の角から引き出すこともできる。以下、コイル５の
角から引き出し導体５ａを引き出した積層インダクタ１
について説明する。

【００３５】すなわち、この積層インダクタ１は、図５
（ａ）に示すように、直方体状の電気絶縁体２を有して
おり、電気絶縁体２中には、非磁性体セラミックスを用
いた電気絶縁層に複数の導体パターンが交互に積層さ
れ、各導体パターンの端部が順次接続されることで積層
方向に重畳したコイル５が埋設されている。また、電気
絶縁体２の両端表面には外部電極３がそれぞれ冠着され
ており、各外部電極３には、コイル５から引き出された
２つの引き出し導体５ａが接続されて導通している。さ
らに、コイル５の軸方向は外部電極方向に一致してい
る。

【００３６】ところで、各引き出し導体５ａはコイル５
の角から引き出されており、コイル５に対する接続位置
はそれぞれ反対の角となっている。

【００３７】そのため、コイル５の軸方向が外部電極方
向に一致しているので、磁界の発生位置は積層インダク
タ１の基板９への実装状態の如何に拘わらず１通りに定
まることに加えて、各引き出し導体５ａのコイル５に対
する接続位置がそれぞれ反対の角であるため、コイル５
の両端の引き出し導体５ａは、図５（ｂ）、（ｃ）に示
すように、積層インダクタ１の実装状態が変わっても
（９０°回転しても）、一方の引き出し導体５ａが基板
９のすぐ近くに、他方の引き出し導体５ａが基板９から
やや離れて位置するという位置関係は変わらないので、
積層インダクタ１の実装状態によって起こるＬ値のバラ
ツキは小さい。特に、Ｌ値のバラツキは引き出し電極の
位置からくるので、Ｌ値が低いものより、５ｎＨ以上の
高いものの方が相対的な公差は小さくなる。勿論、Ｌ値
が低いものでも、変化が必要でない場合には使用可能で
ある。

【００３８】なお、この積層インダクタ１を製造するに
は印刷積層法を用いることができる。以下、その方法を
説明する。

【００３９】まず、図６（ａ）に示すように、引き出し
導体用の丸孔１２を残して誘電体パターン１１を印刷し
た後、図６（ｂ）に示すように、この丸孔１２を埋める
ように電極１３を印刷する。そして、これを必要な回数
だけ繰り返す。

【００４０】次に、図６（ｃ）に示すように、電極１３
に接続するように導体パターン１４を印刷し、図６
（ｄ）に示すように、導体パターン１４の一部を隠す形
で誘電体パターン１５を印刷する。その後、図６（ｅ）
に示すように、誘電体パターン１５上に導体パターン１
６を導体パターン１４に繋げて印刷し、図６（ｆ）に示
すように、導体パターン１４を隠す形で誘電体パターン
１７を印刷する。次いで、図６（ｇ）に示すように、誘
電体パターン１７上に導体パターン１８を導体パターン
１６に繋げて印刷し、図６（ｈ）に示すように、導体パ
ターン１６を隠す形で誘電体パターン１９を印刷する。
次に、図６（ｉ）に示すように、誘電体パターン１９上
に導体パターン２０を導体パターン１８に繋げて印刷
し、図６（ｊ）に示すように、導体パターン１８を隠す
形で誘電体パターン２１を印刷する。さらに、図６
（ｋ）に示すように、誘電体パターン２１上に導体パタ
ーン２２を導体パターン２０に繋げて印刷する。

【００４１】最後に、図６（ｌ）に示すように、引き出
し導体用の丸孔２４を残して誘電体パターン２３を印刷
した後、図６（ｍ）に示すように、この丸孔２４を埋め
るように電極２５を印刷する。そして、これを必要な回
数だけ繰り返す。

【００４２】ここで、印刷積層法による積層インダクタ
１の製造が終了する。

【００４３】なお、上述の実施形態においては１個のコ
イル５を備えた積層インダクタ１について説明したが、
本発明ではコイル５の個数は１個に限られない。例え
ば、図７（ａ）に示すように、２個のコイル５、６を電
気絶縁体２中に互いに平行に埋設して並列接続すること
も可能である。この場合、各引き出し導体５ａ、６ａの
コイル５、６に対する接続位置がそれぞれ反対の角であ
るので、図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、積層インダ
クタ１の実装状態が変わっても、各コイル５、６の引き
出し導体５ａ、６ａの基板９に対する位置関係は変わら
ないので、積層インダクタ１の実装状態によって起こる
Ｌ値のバラツキはさらに小さい。また、コイル５、６が
２個であるため、特にＬ値が２０ｎＨ以下と低い場合に
好適である。さらに、２個のコイル５、６は互いに平行
であるので、Ｑ値も向上する。

【００４４】また、図８に示すように、４個のコイル
５、６、７、８を電気絶縁体２中に互いに平行に埋設し
て並列接続することも可能である。この場合、各引き出
し導体５ａ、６ａ、７ａ、８ａのコイル５、６、７、８
に対する接続位置がそれぞれ反対の角であるので、図８
（ｂ）、（ｃ）に示すように、積層インダクタ１の実装
状態が変わっても、各コイル５、６、７、８の引き出し
導体５ａ、６ａ、７ａ、８ａの基板９に対する位置関係
は変わらないので、積層インダクタ１の実装状態によっ
てＬ値にバラツキが生じることはない。また、コイル
５、６、７、８が４個であるため、特にＬ値が１０ｎＨ
以下と低い場合に好適である。さらに、４個のコイル
５、６、７、８は互いに平行であるので、Ｑ値も向上す
る。

【００４５】また、上述の実施形態においては印刷積層
法を用いて積層インダクタ１を製造する場合について説
明したが、積層インダクタ１を製造するのに他の方法、
例えばシート積層法を用いてもよい。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る本
発明によれば、コイル５の軸方向が外部電極方向に一致
しているとともに、各引き出し導体５ａがインダクタ断
面のほぼ中央に位置するので、積層インダクタ１の実装
状態が変わっても（９０°回転しても）、引き出し導体
５ａの基板に対する位置関係は変わらないことから、積
層インダクタ１の置き方によってＬ値にバラツキが生じ
る事態を回避することができる。その上、コイル５と引
き出し導体５ａをつなぐための導体がなく、コイル５に
発生する磁束を横切る導体がないので、Ｑ値の低下を抑
制することが可能となる。

【００４７】また、請求項２に係る本発明によれば、各
引き出し導体５ａの位置はインダクタ断面の中央から半
径０．０５ｍｍ以下であるため、例えば６ｎＨの積層イ
ンダクタ１の場合、Ｌ値の変化は０．０３５ｎＨとなっ
て十分に小さいことから、積層インダクタ１としての実
用性を確保しつつ、Ｌ値の置き方によるバラツキを回避
し、Ｑ値の低下を抑制することができる。

【００４８】また、請求項３に係る本発明によれば、コ
イル５はその巻き始め部と巻き終わり部がインダクタ断
面のほぼ中央から互いに反対側の半分の位置にあり、巻
き始め部から巻き終わり部に向かうに従って徐々に反対
側に移動するように配置されているので、高い周波数ま
で使用することができると同時に、Ｌ値の置き方による
バラツキを回避し、Ｑ値の低下を抑制することが可能と
なる。

【００４９】また、請求項４に係る本発明によれば、同
じ導体パターンの繰り返しとなるので、工程を簡略化す
ることができると同時に、Ｌ値の置き方によるバラツキ
を回避し、Ｑ値の低下を抑制することが可能となる。

【００５０】また、請求項５に係る本発明によれば、コ
イル５は、その巻き始め部および巻き終わり部から積層
方向の中央部に向かうに従って徐々に変形して、その積
層方向の中央部において断面全面を有効に利用する形状
を有するので、高いＬ値に使用することができると同時
に、Ｌ値の置き方によるバラツキを回避し、Ｑ値の低下
を抑制することが可能となる。

【００５１】また、請求項６に係る本発明によれば、コ
イル５の軸方向が外部電極方向に一致しているととも
に、各引き出し導体５ａがコイル５のそれぞれ反対の角
から引き出されているので、積層インダクタ１の実装状
態が変わっても（９０°回転しても）、引き出し導体５
ａの基板に対する位置関係は変わらないことから、積層
インダクタ１の置き方によってＬ値にバラツキが生じる
事態を回避することができる。

【００５２】また、請求項７に係る本発明によれば、２
個のコイル５、６の軸方向が外部電極方向に一致してい
るとともに、各引き出し導体５ａ、６ａがコイル５、６
の角から引き出されているので、積層インダクタ１の実
装状態が変わっても（９０°回転しても）、コイル５、
６の引き出し導体５ａ、６ａの基板に対する位置関係は
変わらないことから、積層インダクタ１の置き方によっ
てＬ値にバラツキが生じる事態を回避することができ
る。その上、各コイル５、６は互いに平行であるので、
高いＱ値を得ることが可能となる。

【００５３】さらに、請求項８に係る本発明によれば、
４個のコイル５、６、７、８の軸方向が外部電極方向に
一致しているとともに、各引き出し導体５ａ、６ａ、７
ａ、８ａがコイル５、６、７、８の角から引き出されて
いるので、積層インダクタ１の実装状態が変わっても
（９０°回転しても）、コイル５、６、７、８の引き出
し導体５ａ、６ａ、７ａ、８ａの基板に対する位置関係
は変わらないことから、積層インダクタ１の置き方によ
ってＬ値にバラツキが生じる事態を回避することができ
る。その上、各コイル５、６、７、８は互いに平行であ
るので、高いＱ値を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層インダクタの第１の実施形態
を示す図であり、（ａ）はその左側面図、（ｂ）はその
正面図である。

【図２】図１に示す積層インダクタの製造方法を示す工
程図である。

【図３】本発明に係る積層インダクタの第２の実施形態
を示す図であり、（ａ）はその左側面図、（ｂ）はその
正面図である。

【図４】本発明に係る積層インダクタの第３の実施形態
を示す図であり、（ａ）はその左側面図、（ｂ）はその
正面図である。

【図５】本発明に係る積層インダクタの第４の実施形態
を示す図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその実
装状態の一例を示す模式図、（ｃ）はその実装状態の別
の例を示す模式図である。

【図６】図５に示す積層インダクタの製造方法を示す工
程図である。

【図７】本発明に係る積層インダクタの第５の実施形態
を示す図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその実
装状態の一例を示す模式図、（ｃ）はその実装状態の別
の例を示す模式図である。

【図８】本発明に係る積層インダクタの第６の実施形態
を示す図であり、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその実
装状態の一例を示す模式図、（ｃ）はその実装状態の別
の例を示す模式図である。

【図９】従来の積層インダクタの一例を示す図であり、
（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその実装状態の一例を示
す模式図、（ｃ）はその実装状態の別の例を示す模式図
である。

【符号の説明】

１……積層インダクタ ２……電気絶縁体 ３……外部電極 ５、６、７、８……コイル ５ａ、６ａ、７ａ、８ａ……引き出し導体 １４、１６、１８、２０、２２……導体パターン ３４、３６、３８、４０、４２……導体パターン

フロントページの続き (72)発明者 野寄 佳成 東京都港区新橋５丁目36番11号 富士電気 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 5E043 AA08 EB01 5E070 AA01 AB04 AB06 BA01 CB03 CB13

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性体セラミックスを用いた電気絶縁
   層に導体パターン（３４、３６、３８、４０、４２）が
   交互に積層され、 前記各導体パターンの端部が順次接続されることで積層
   方向に重畳したコイル（５）が形成されて前記電気絶縁
   層からなる電気絶縁体（２）中に埋没された状態となっ
   ており、 前記電気絶縁体の表面に前記コイルから引き出された２
   つの引き出し導体（５ａ）にそれぞれ接続される外部電
   極（３）が設けられ、 前記コイルの積層方向が外部電極方向である積層インダ
   クタ（１）において、前記各引き出し導体が、外部電極
   方向からみたインダクタ断面においてほぼ中央に位置
   し、 前記コイルがその位置を周回することを特徴とする積層
   インダクタ。
2. 【請求項２】 各引き出し導体（５ａ）の位置が、外部
   電極方向からみたインダクタ断面の中央から半径０．０
   ５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の積
   層インダクタ。
3. 【請求項３】 コイル（５）の巻き始め部と巻き終わり
   部がインダクタ断面のほぼ中央から互いに反対側の半分
   の位置にあり、 前記コイルが、その巻き始め部から巻き終わり部に向か
   うに従って徐々に反対側に移動するように配置されてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の積層インダクタ。
4. 【請求項４】 コイル（５）が、その積層方向において
   同一の形状であることを特徴とする請求項１に記載の積
   層インダクタ。
5. 【請求項５】 コイル（５）が、その巻き始め部および
   巻き終わり部から積層方向の中央部に向かうに従って徐
   々に変形して、その積層方向の中央部において断面全面
   を有効に利用する形状であることを特徴とする請求項１
   に記載の積層インダクタ。
6. 【請求項６】 非磁性体セラミックスを用いた電気絶縁
   層に導体パターン（１４、１６、１８、２０、２２）が
   交互に積層され、 前記各導体パターンの端部が順次接続されることで積層
   方向に重畳したコイル（５）が形成されて前記電気絶縁
   層からなる電気絶縁体（２）中に埋没された状態となっ
   ており、 前記電気絶縁体の表面に前記コイルから引き出された２
   つの引き出し導体（５ａ）にそれぞれ接続される外部電
   極（３）が設けられ、 前記コイルの積層方向が外部電極方向である積層インダ
   クタ（１）において、 前記各引き出し導体が前記コイルの角から引き出されて
   おり、 この２つの引き出し導体の前記コイルに対する接続位置
   がそれぞれ反対の角であり、 Ｌ値が５ｎＨ以上であることを特徴とする積層インダク
   タ。
7. 【請求項７】 非磁性体セラミックスを用いた電気絶縁
   層に導体パターンが交互に積層され、 前記各導体パターンの端部が順次接続されることで積層
   方向に重畳した２つのコイル（５、６）が互いに平行に
   形成されて前記電気絶縁層からなる電気絶縁体（２）中
   に埋没された状態となっており、 前記電気絶縁体の表面に前記各コイルから引き出された
   ２つの引き出し導体（５ａ、６ａ）にそれぞれ接続され
   る外部電極（３）が設けられ、 前記各コイルの積層方向が外部電極方向である積層イン
   ダクタ（１）において、 前記各引き出し導体が前記各コイルの角から引き出され
   ており、 Ｌ値が２０ｎＨ以下であることを特徴とする積層インダ
   クタ。
8. 【請求項８】 非磁性体セラミックスを用いた電気絶縁
   層に導体パターンが交互に積層され、 前記各導体パターンの端部が順次接続されることで積層
   方向に重畳した４つのコイル（５、６、７、８）が互い
   に平行に形成されて前記電気絶縁層からなる電気絶縁体
   （２）中に埋没された状態となっており、 前記電気絶縁体の表面に前記各コイルから引き出された
   ２つの引き出し導体（５ａ、６ａ、７ａ、８ａ）にそれ
   ぞれ接続される外部電極（３）が設けられ、 前記各コイルの積層方向が外部電極方向である積層イン
   ダクタ（１）において、 前記各引き出し導体が前記各コイルの角から引き出され
   ており、 Ｌ値が１０ｎＨ以下であることを特徴とする積層インダ
   クタ。