ITVI970107A1 - Modulo di potenza a semiconduttori. - Google Patents

Modulo di potenza a semiconduttori. Download PDF

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tubular elements
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Description

Descrizione del brevetto per invenzione industriale avente titolo:”MODULO DI POTENZA A SEMICONDUTTORI".
DESCRIZIONE
L'invenzione concerne un modulo di potenza a semiconduttori con raffreddamento a liquido isolante.
E’ noto che per realizzare moduli di potenza a semiconduttori quali per esempio inverter o azionamenti di altro tipo, vengono impiegati una pluralità’ di transistor, mosfet oppure IGBT in parallelo, ciascuno dei quali presenta lo schema elettrico disegnato in fig. 1 ed e’ composto, come si osserva nelle figg. 2 e 3, da:
- una piastrina in rame A;
- uno strato isolante costituito da una lamina in allumina D che viene supportata dalla piastrina in rame A;
- uno o piu’ elementi in silicio F, generalmente chiamati chips, i quali sono saldati su di uno strato isolante in allumina D grazie alla presenza di un deposito galvanico di rame G.
La parte inferiore della piastrina in rame A viene collegata ad un radiatore H che viene raffreddato tramite la circolazione di acqua oppure di aria, mentre la parte superiore comprendente lo strato isolante in allumina D e gli elementi in silicio F, e’ immersa in una resina siliconica I che ha soprattutto lo scopo di proteggere i chips F dagli agenti esterni quali aria, acqua, polvere, ecc.
Ciascun elemento in silicio F presenta, con riferimento anche allo schema elettrico rappresentato in fig. 1 , uno o piu’ contatti E che corrispondono all’emettitore del transistor, un contatto B che costituisce la base del transistor stesso ed un ulteriore contatto C, saldato al deposito galvanico in rame G, che costituisce il collettore del transistor.
A ciascuno di detti contatti, infine, e’ collegato un conduttore atto a realizzare il collegamento elettrico con gli ulteriori conduttori degli ulteriori transistor che compongono il modulo.
Gli inconvenienti dei transistor di tale tipo che vengono impiegati per i suddetti moduli di potenza, sono molteplici. Un inconveniente e’ costituito dal fatto che i materiali che vengono impiegati e precisamente la piastrina in rame A, lo strato isolante in allumina D, la lamina in rame G nonché' gli elementi in silicio F, presentano differenti coefficienti di dilatazione termica e ciò’ può’ provocare, con l'applicazione dei cicli termici, la rottura delle saldature e quindi il fuoriuso dei transistor e di tutto il modulo al quale essi appartengono.
Un altro inconveniente e' costituito dalla presenza dello strato isolante di allumina che avendo uno scarso coefficiente di trasmissione del calore, riduce lo scambio termico del transistor e quindi realizza una minore smaltimento globale del calore prodotto durante il funzionamento. Questo implica che oltre una certa potenza, soprattutto nell'uso di transistor ad effetto di campo che hanno un coefficiente dì incremento positivo con la temperatura, avviene il fenomeno detto "fuga termica" in cui si registra un aumento della potenza dissipata senza che ci sia un adeguato smaltimento di calore,
Un ulteriore inconveniente e’ costituito dal fatto che la presenza della resina siiiconica, in quanto isolante termico, costituisce una barriera che limita fortemente (a possibilità’ di esportare calore.
E' non ultimo inconveniente il fatto che i terminali di connessione esterna che vengono saldati alia lamina in rame G costituiscono altrettanti elementi critici in quanto i cicli termici tendono a staccare le connessioni saldate con conseguente rottura dei transistor e del modulo nel suo complesso.
La presente invenzione intende ovviare a tali inconvenienti. In particolare e' uno degli scopi dell'invenzione di realizzare un modulo di potenza che impieghi transistor di tipo perfezionato provvisti di un minor numero di saldature rispetto ai transistor di tipo noto.
E' un altro scopo di ottenere un modulo di potenza che presenti un coefficiente di smaltimento dei calore maggiore rispetto a moduli di potenza ad esso equivalenti di tipo noto. E' un altro scopo che il modulo dell'invenzione, a parità’ di potenza e rispetto ai moduli di tipo noto, utilizzi un minor numero di chips.
E’ un altro scopo che il modulo di potenza dell’invenzione possa essere realizzato completamente stagno e totalmente isolato dal contatto con gli agenti esterni cosi' da essere piu' affidabile.
Gli scopi detti si raggiungono con la realizzazione di un modulo di potenza a semiconduttori che in accordo con la rivendicazione principale comprende una pluralità’ di transistor elettricamente connessi tra di loro secondo un circuito elettrico atto a convogliare all'esterno di detto modulo un segnale elettrico di uscita ottenuto modificando un segnale elettrico di ingresso, ciascuno di detti transistor essendo composto da una o piu’ piastrine di silicio elettricamente connesse tra di loro e fissate ad una struttura di supporto atta a favorire la dispersione dei calore prodotto durante il funzionamento ed e’ caratterizzato dal fatto che detta struttura di supporto e’ costituita da un elemento tubolare atto a consentire al suo interno il flusso di un fluido isolante e refrigerante, detto elemento tubolare presentando dette piastrine di silicio saldate direttamente sulla sua superficie esterna.
Secondo una preferita forma di realizzazione, detto elemento tubolare presenta in sezione trasversale una forma sostanzialmente prismatica cosi’ che tutti i singoli moduli contenenti transistor in parallelo che compongono il modulo di potenza, vengono raggruppati fissando i relativi elementi tubolari tutti paralleli tra loro, uno a ridosso dell'altro; con interposto uno strato di materiale isolante, in modo da formare un blocco di forma parallelepipeda.
Alle estremità’ degli elementi tubolari vengono applicati appositi collettori per il tramite dei quali, mediante una pompa, viene fatto circolare all'interno degli elementi tubolari stessi e secondo un percorso sinuoso un liquido refrigerante isolante. Questo viene convogliato ad un apposito impianto esterno di refrigerazione per essere raffreddato in modo da aumentare lo scambio termico del modulo di potenza con l’ambiente esterno ed abbassarne quindi la temperatura di funzionamento.
Come già' detto, detti elementi tubolari che unitamente alle piastrine di silicio ad essi fissate costituiscono i transistor, sono uniti a pacco tra loro e formano un blocco parallelepipedo che viene fissato ad un coperchio. Quest’ultimo si dispone in chiusura stagna al di sopra di un recipiente contenente olio isolante nel quale viene cosi' immerso detto blocco parallelepipedo di transistor.
Vantaggiosamente si ottiene in tal modo un modulo di potenza che a parità' di dimensioni esterne consente lo sviluppo di una maggiore potenza oppure che a parità’ di potenza, presenta, rispetto ai moduli di tipo noto, ingombri inferiori.
Inoltre, vantaggiosamente, detto modulo di potenza risulta completamente isolato rispetto all'ambiente estèrno, presenta maggiore affidabilita' ed assume caratteristiche di antideflagranza.
Gli scopi ed i vantaggi detti verranno meglio evidenziati durante la descrizione di una preferita forma di esecuzione dell’invenzione data a titolo indicativo ma non limitativo e rappresentata nelle allegate tavole di disegno ove:
- in fig. 1 si osserva la rappresentazione schematica in simbologia elettronica di un transistor;
- nelle figg. 2 e 3 sono rappresentate due viste di un transistor di tipo noto che viene utilizzato per la realizzazione di moduli di potenza;
- in fjg. 4 si osserva in rappresentazione assonometrica di 3⁄4 il transistor perfezionato che equipaggia il modulo di potenza dell’invenzione;
- in fig. 5 si osserva lo schema elettrico di un inverter;
- in fig. 6 si osservano, in rappresentazione, assonometrica di 3⁄4, i transistor che equipaggiano il modulo di potenza dell'invenzione, riuniti in un blocco parallelepipedo;
- in fig. 7 si osserva una rappresentazione frontale e schematica dei transistor di fig. 6;
- in fig. 8 si osservano in vista assonometrica di 3⁄4 i transistor di fig. 6 riuniti in un blocco parallelepipedo e provvisti deile testate per fa circolazione del liquido refrigerante all'interno dei transistor;
- in fig. 9 si osservano in rappresentazione assonometrica i transistor di fig. 8 applicati al coperchio di un contenitore e collegati ad una pompa per la circolazione all’interno degli elementi tubolari del liquido isolante refrigerante;
- in fig. 10 si osservano il coperchio ed i transistor rappresentati in fig. 8 durante l'inserimento nella vasca contenente olio isolante;
- in fig. 11 si osserva in modulo di potenza a montaggio avvenuto.
Il modulo di potenza a semiconduttori oggetto dell'invenzione e' rappresentato complessivamente nelle figg. 10 ed 11 , rispettivamente in rappresentazione aperta e chiusura, ove viene indicato complessivamente con 1.
Esso, come si osserva, e' composto sostanzialmente da una vasca metallica 2 chiusa per il tramite di un coperchio 3 a tenuta stagna, al quale e' applicato un blocco parallelepipedo, complessivamente indicato con 4, che e’ costituito da una pluralità’ di transistor, uno dei quali e’ rappresentato in vista assonometrica di 3⁄4 in fig. 4 ove e’ indicato complessivamente con 10.
Si osserva che detto transistor 10 e' costituito sostanzialmente da una pluralità' di piastrine in silicio 11 ciascuna delle quali e’ saldata ad una struttura di supporto costituita da un elemento tubolare 12 al quale e' meccanicamente fissato un terminale di potenza 212.
Inferiormente al transistor 10 e meccanicamente connesso all’elemento tubolare 12, e' presente una barra prismatica 18, provvista di un terminale di potenza 218 ad essa collegato meccanicamente.
L'elemento tubolare 12 e la barra prismatica 18 sono isolati tra loro.
Detto elemento tubolare 12 presenta un profilo prismatico ed internamente ad esso sono presenti dei canali 14 attraverso i quali può' essere fatto fluire, come si vedrà' piu' avanti, un fluido refrigerante isolante atto a smaltire il calore prodotto durante il funzionamento.
Si osserva anche che ciascuna di dette piastrine di silicio 11 , presenta un contatto centrale B che corrisponde alla base del transistor, una coppia di contatti laterali E che costituiscono ciascuno l'emettitore dello stesso transistor, mentre il collettore del transistor medesimo, che indichiamo con C, e' costituito dall'elemento tubolare 12 al quale sono saldate le piastrine in silicio 11.
Si comprende quindi che il transistor descritto e rappresentato in fig. 4 ed indicato complessivamente con 10, presenta una struttura completamente diversa dal transistor di tipo noto la cui rappresentazione costruttiva schematica e' stata indicata nelle figg. 2 e 3.
Poiché nel transistor perfezionato 10 teste’ descritto ciascuna piastrina in silicio 11 viene saldata direttamente all’elemento tubolare 12, lo scambio termico risulta notevolmente aumentato rispetto alle realizzazioni di tipo noto rappresentate nelle già’ citate figg. 2 e 3 non essendo interposta la piastrina in allumina,
Inoltre, come già’ detto, la possibilità’ di far circolare all’interno dei canali 14 dell’elemento tubolare 12 un liquido refrigerante isolante, oltre alla possibilità’ di immergere completamente il transistor nel medesimo liquido refrigerante, consente, come verrà’ meglio descritto al seguito, di ottenere un miglior smaltimento del calore.
Si osserva inoltre che da ciascuna base B si dipartono conduttori 15 che vengono collegati agii ulteriori transistor che equipaggiano il modulo di potenza 1 dell’invenzione mentre dall’elemento tubolare 12 e da ciascun emettitore E si dipartono conduttori rispettivamente 16 e 17 che vengono collegati ad una barra prismatica 18 sottostante detto elemento tubolare 12.
Nel caso in cui il modulo di potenza che si vuole realizzare sia un inverter, questo si realizza utilizzando una pluralità’ di transistor perfezionati 10 rappresentati in fig. 4 i cui elementi tubolari e barre prismatiche vengono connessi tra di loro cosi’ da ottenere il blocco parallelepipedo indicato con 4 e rappresentato nelle citate figure 10 ed 11.
Il gruppo parallelepipedo 4 rappresentato con maggior dettaglio anche nelle figg. 6, 8 e 9, realizza un doppio inverter schematizzato in fig. 5, poiché si compone di una pluralità' di transistor 10 comprendendo:
- un primo elemento tubolare, complessivamente indicato con' 30, sulla cui superficie sono collegate una pluralità’ di prime piastrine di silicio 130 che realizzano in ciascuna zona 31 e 32 una pluralità’ di transistor 10 dell’invenzione che equivalgono ai transistor 131 , 231 e 331 rappresentati nello schema di fig. 5;
- due terne di secondi elementi tubolari, ciascuna complessivamente indicata rispettivamente con 40 e con 50 e disposte da parti opposte di detto primo elemento tubolare 30, sulla cui superficie sono collegate una pluralità’ di seconde piastrine di silicio 430 che realizzano in ciascuna zona 41 , 42, 43 e 51 , 52, 53 una pluralità’ di transistor 10 dell’invenzione che equivalgono ai transistor 141 , 241 e 341 rappresentati nel medesimo schema di fig. 5;
- due barre prismatiche, ciascuna indicata rispettivamente con 60 e con 70, le quali completano il blocco parallelepipedo 4 essendo fissate a dette terne 40 e 50 di detti secondi elementi tubolari.
Si precisa che in una differente forma realizzativa detto gruppo parallelepipedo 4 potrà' essere provvisto di due coppie di secondi elementi tubolari 40 e 50 anziché’ di due terne.
Tutti detti elementi tubolari e dette barre prismatiche sono a potenziali tra loro diversi e sono tra loro isolati per il tramite dell’interposizione di strati di materiale isolante 55.
Posteriormente a detti elementi tubolari e a dette barre sono meccanicamente fissati i terminali di potenza rispettivamente 300 e 310 rappresentati nelle figg. 6 e 7. Si osserva quindi che sostanzialmente il blocco parallelepipedo 4 realizza un doppio circuito del tipo rappresentato schematicamente in fig. 5 con riferimento ai quale:
- il segnale positivo 81 e negativo 82 di ingresso del generatore, complessivamente indicato con 80, vengono collegati rispettivamente alla superficie 131 della zona 31 del primo elemento tubolare 30 ed alla superficie 161 della barra prismatica indicata con 60;
- e i segnali di uscita U, V, W vengono prelevati rispettivamente nel primo transistor 41 , ne) secondo transistor 42 e nel terzo transistor 43 che formano una di dette terne di secondi elementi tubolari, nel caso che di descrive la terna indicata con 40.
Inoltre i terminali di potenza, non rappresentati nei disegni, sono fissati meccanicamente agli elementi che compongono il blocco parallelepipedo 4 e non saldati come nelle realizzazioni di tipo noto con il vantaggio quindi di ridurre ulteriormente le possibilità’ di rottura delle saldature durante i cicli termici ed aumentando cosi’ l'affidabilita’ del modulo di potenza nel suo complesso.
Ulteriori collegamenti e contatti elettrici che non vengono qui rappresentati per semplicità' descrittiva, vengono realizzati per il tramite delle piastrine di collegamento visibili in fig. 7 ciascuna delle quali e’ indicata complessivamente con 90 e viene inserita in corrispondenti feritoie 91 praticate negli elementi tubolari visibili in fig. 6.
Si comprende per quanto fino ad ora detto che sono quasi totalmente eliminate le saldature tra materiali con diversi coefficienti di dilatazione termina e questo garantisce un’affidabilita' di durata e cicli termici del modulo di potenza dell’invenzione estremamente piu’ elevata e di molto superiore ai moduli di potenza ad esso equivalenti di tipo noto.
Dopo che il modulo 4 e’ stato composto esso, come si osserva in fig. 9, viene applicato al coperchio 3 di un contenitore 2 e ad ognuna delle sue estremità’ laterali, come si osserva con maggior dettaglio in fig. 8, viene fissata una testata 100 che comunica con i canali 14 di ciascuno degli elementi tubolari 12 che lo compongono.
Le bocche 111 di ogni testata vengono chiuse per il tramite di un coperchio 120 e quindi il blocco parallelepipedo 4, come si osserva in fig. 10, viene quindi inserito all’interno del contenitore 2 il quale viene riempito con olio isolante che svolge anche azione refrigerante.
Una pompa 115 che presenta la bocca di aspirazione 315 collegata ad una di dette testate 100 e la bocca di mandata 415 collegata ad una tubazione di mandata 113, aspira l'olio isolante e refrigerante dall'interno del blocco parallelepipedo 4. L’olio e’ quindi costretto a percorrere il blocco parallelepipedo 4 secondo l’andamento 125 rappresentato in fig. 8 fino a pervenire, come si osserva in fig. 9, alla tubazione di mandata 113 che lo convoglia con direzione 114 ad una centralina di refrigerazione esterna, non rappresentata, dalla quale poi rientra nel contenitore 2 con direzione 117 ed attraverso la tubazione di ritorno 118.
La pompa di circolazione 115 realizza cosi’ all'interno del blocco prismatico 4 una circolazione forzata che ottimizza lo scambio termico e smaltisce all’esterno una quantità' di calore maggiore rispetto a quella smaltibile nel caso in cui i'inverter fosse stato realizzato impiegando i transistor di tipo noto e secondo le configurazioni standard.
Grazie alla totale immersione dei blocco prismatico 4 nel liquido contenuto nel contenitore 2, il modulo di potenza dell'Invenzione assume caratteristiche di antideflagranza e di totale isolamento dall’ambiente esterno che lo proteggono daH’umidita’, dalle polveri, dagli agenti chimici aggressivi ed altro aumentandone l'affidabilita’.
Inoltre la forma costruttiva consente una riduzione della distanza tra i transistor che permette la diminuzione della resistività’ che dissipa una minore potenza in fase di commutazione.
Si comprende quindi in base a quanto descritto che sono raggiunti tutti gli scopi che l’invenzione si prefigge,
In particolare e' raggiunto lo scopo di realizzare un modulo di potenza provvisto di transistor nei quali e' ridotto il numero di saldature rispetto a transistor di tipo noto.
Inoltre e’ anche raggiunto lo scopo che i transistor che equipaggiano il modulo di potenza dell’invenzione presentino un maggior coefficiente di scambio termico essendo le piastrine in silicio che li costituiscono direttamente saldate all'elemento tubolare e non tramite l'interposizione di piastrine isolanti di allumina come nelle realizzazioni di tipo noto.
Oltre a questo, essendo gli elementi tubolari che compongono i transistor immersi nel liquido refrigerante isolante che riempie il contenitore, la circolazione forzata di detto liquido isolante refrigerante avviene sia all’esterno e sia all’interno del blocco parallelepipedo stesso realizzando quindi una maggiore dispersione di calore verso l’esterno rispetto a moduli equivalenti di tipo noto. Pertanto, a parità' di potenza erogata, il modulo può’ essere costruito con un minor numero di chips.
E’ evidente che in fase esecutiva al’inverter dell’invenzione ed ai transistor che lo equipaggiano potranno essere apportate modifiche consistenti per esempio nel numero di transistor di cui il modulo di potenza e’ composto oppure in differenti forme esecutive dei profili degli elementi tubolari che formano ciascun transistor.
Ovviamente il modulo di potenza dell'invenzione potrà’ essere realizzato con qualsiasi forma e potrà' essere costruito per erogare qualsiasi valore di potenza.
Resta inteso comunque che varianti ulteriori non citate che dovessero essere realizzate sulla base dei principi esposti nella presente descrizione, devono tutte essere considerate protette dal presente brevetto.

Claims (8)

  1. RIVENDICAZIONI 1 ) Modulo di potenza (1 ) a semiconduttori comprendente una pluralità’ di transistor (10) elettricamente connessi tra di loro secondo un circuito elettrico (20) atto a convogliare all’esterno di detto modulo di potenza (1 ) un segnale elettrico di uscita ottenuto modificando un segnale elettrico di ingresso, ciascuno di detti transistor (10) essendo composto da una o piu' piastrine di silicio (11 ) elettricamente connesse tra di loro e fissate ad una struttura di supporto (12) atta a favorire la dispersione del calore prodotto durante il funzionamento, caratterizzato dal fatto che detta struttura di supporto e’ costituita da un elemento tubolare (12) atto a consentire al suo interno il flusso di un fluido isolante e refrigerante, detto elemento tubolare (12) presentando dette piastrine di silicio (11 ) saldate direttamente sulla sua superficie esterna.
  2. 2) Modulo di potenza (1 ) a semiconduttori secondo la rivendicazione 1 ) caratterizzato dal fatto che detti transistor (10) presentano le strutture di supporto (12) di cui il sono provvisti meccanicamente connesse tra di loro in modo d ia’ formare un blocco prismatico (4) che comprende: - almeno un primo elemento tubolare (30) sulla cui superficie sono fissate una pluralità' di prime piastrine di silicio (130); - almeno una coppia (40; 50) di secondi elementi tubolari (31 , 42, 43; 51 , 52, 53) allineati tra di loro uno dopo l’altro e sulla cui superficie sono fissate una pluralità’ di seconde piastrine di silicio (430), detti secondi elementi tubolari (41 , 42, 43; 51 , 52, 53) essendo disposti longitudinalmente a detto primo elemento tubolare (30) ed essendo meccanicamente collegati tra di loro ed a detto primo elemento tubolare per il tramite dell'interposizione di mezzi isolanti (55); almeno una barra prismatica (60; 70) disposta longitudinalmente a detta almeno una terna (40; 50) di detti secondi elementi tubolari (41 , 42, 43; 51 , 52, 53) ai quali e' fissata per il tramite di mezzi di fissaggio e con l'interposizione di detti mezzi isolanti (55), ciascuna di dette piastrine di silicio (130; 430) essendo saldata alla superficie dell’elemento tubolare alla quale appartiene e che costituisce il collettore (C) di detto almeno un transistor, e presentando la superficie libera provvista di almeno un primo contatto (E) che costituisce l’emettitore del transistor stesso ed almeno un secondo contatto (B) che costituisce la base del transistor medesimo.
  3. 3) Modulo di potenza (1 ) a semiconduttori secondo la rivendicazione 2) caratterizzato dal fatto che detto blocco prismatico (4) comprende: - un primo elemento tubolare (30) provvisto di una prima zòna (31 ) e di una seconda zona (32) sulla cui superficie sono fissate una pluralità’ dì dette prime piastrine di silicio (130); - due terne (40; 50) di secondi elementi tubolari (41 , 42, 43; 51 , 52, 53), ciascuna simmetricamente disposta da parti opposte rispetto ad un asse di simmetria longitudinale (500) passante per detto primo elemento tubolare (30) e presentante i rispettivi secondi elementi tubolari che la compongono allineati tra di loro uno dopo l'altro e provvisti sulla superficie di dette seconde piastrine di silicio (430), detti secondi elementi tubolari (41 , 42, 43; 51 , 52, 53) essendo disposti longitudinalmente a detto primo elemento tubolare ed essendo collegati tra di loro ed a detto primo elemento tubolare (30) per il tramite dell'interposizione di detti mezzi isolanti (55). - due barre prismatiche (60; 70) ciascuna .disposta longitudinalmente ad una di dette terne (40; 50) di detti secondi elementi tubolari (41 , 42, 43; 51 , 52, 53), alla quale e’ fissata per il tramite dell'interposizione di detti mezzi isolanti (55).
  4. 4) Modulo di potenza (1 ) a semiconduttori secondo la rivendicazione 2) caratterizzato dal fatto che ciascun emettitore (E) di ciascuna di dette prime piastrine di silicio (130) e’ collegato elettricamente alia superficie di uno (41 , 42, 43; 51 , 52, 53) di detti secondi elementi tubolari e ciascun emettitore (E) di ciascuna di dette seconde piastrine di silicio (430) e' collegato alla superficie di detta barra (60; 70), detto almeno un primo elemento tubolare (30) essendo elettricamente connesso al polo positivo di un alimentatore in corrente continua (80) e detta almeno una barra prismatica (60) essendo elettricamente connessa al polo negativo del medesimo alimentatore in corrente continua (80).
  5. 5) Modulo di. potenza (1 ) a semiconduttori secondo la rivendicazione 2) caratterizzato dai fatto che detti elementi tubolari (30, 40, 50) sono provvisti di scanalature longitudinali (91 ) atte ad accogliere schede (90) per la giunzione elettrica con detti transistor.
  6. 6) Modulo di potenza (1) a semiconduttori secondo la rivendicazione 2) caratterizzato dal fatto che detti elementi tubolari (30, 40, 50) che formano detti transistor (10) e che sono meccanicamente connessi in modo da realizzare detto blocco parallelepipedo (4), si trovano a potenziale elettrico diverso tra loro.
  7. 7) Modulo di potenza (1) a semiconduttori secondo la rivendicazione 2) caratterizzato dal fatto che detto blocco parallelepipedo (4) e' provvisto di testate (100) disposte alle sue estremità’ atte a mettere in comunicazione tra loro i condotti interni (14) degli elementi tubolari (30; 40; 50) che lo formano in modo da realizzare, all'interno degli elementi tubolari stessi e per il tramite di una pompa (115), una circolazione forzata di liquido refrigerante isolante quando detto blocco parallelepipedo (4) e’ fissato ad un coperchio (3) che viene chiuso ermeticamente su un contenitore (2) internamente al quale e’ presente detto liquido refrigerante isolante nel quale viene immerso detto blocco parallelepipedo (4).
  8. 8) Modulo di potenza (1 ) a semiconduttori secondo la rivendicazione 7) caratterizzato dal fatto che detta pompa (115) presenta la bocca di aspirazione (415) collegata ad una di dette testate (100) e la bocca di mandata (415) colegata ad una tubazione di mandata (113) atta a convogliare il fluido isolante refrigerante presente all'interno di detto contenitore (2) ad un refrigeratore esterno, una tubazione di ritorno (118) disposta passante attraverso detto coperchio (3) essendo atta a riconvogliare all'interno del contenitore (2) stesso detto liquido refrigerante isolante raffreddato di ritorno da detto refrigeratore esterno.
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