ITRM970253A1 - Procedimento per il trattamento di un materiale semiconduttore - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 42
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 9
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013505 freshwater Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
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Description
DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal titolo:
"PROCEDIMENTO PER IL TRATTAMENTO DI UN MATERIALE SEMICONDUTTORE "
DESCRIZIONE
Oggetto dell'invenzione è un procedimento per il trattamento di un materiale semiconduttore in un bagno di liquido.
Il trattamento di un materiale semiconduttore in bagni di liquido avviene solitamente per scopi di pulitura, nel qual caso con pulitura viene anche inteso lavaggio oppure attacco chimico. Dal brevetto USA 5.368.054 è noto che, per la pulitura di fette di semiconduttore, è possibile un miglioramento dell'effetto di pulitura mediante l'applicazione aggiuntiva di ultrasuono prodotto elettricamente .
Tuttavia,, il successo di pulitura per un materiale semiconduttore fortemente inquinato, in particolare per un materiale semiconduttore meccanicamente oppure per altra via comminuito a frammenti, è insoddisfacente, anche se la pulitura viene sostenuta mediante ultrasuono prodotto elettricamente. Particelle di disturbo ed atomi estranei si possono inoltre dimostrare sulle superfici parzialmente a spigoli acuti dei frammenti . Per le particelle si tratta di regola di polvere, la quale viene prodotta nella comminuzione del materiale semiconduttore e nel trasporto dei frammenti. Esso può contenere oltre a particelle, che derivano dal materiale semiconduttore, anche materiale di abrasione da attrezzi di frantumazione e dai recipienti di trasporto solitamente approntati da materia plastica. Nella pulitura, in particolare quelle particelle, che, nell'ombra delle onde ultrasoniche irradiate, aderiscono alla superficie dei frammenti, vengono soltanto insufficientemente allontanate. Con le misure di pulitura note, anche sostenute da ultrasuoni, può inoltre a malapena venire impedito il fatto che, nel trasporto di materiale semiconduttore già ripulito, si originino nuove particelle per abrasione. Per evitare ciò, necessita un dispendio aggiuntivo, conciò che gli spigoli dei frammenti responsabili in maniera determinante dell'abrasione, debbono venire eliminati mediante attacco chimico. Particelle di materia plastica già presenti non vengono di regola attaccate dai mezzi di attacco chimico impiegati.
La presente invenzione risolve il compito di semplificare e di configurare in maniera più efficace il trattamento di pulitura di materiale semiconduttore .
Oggetto dell'invenzione è un procedimento per il trattamento di materiale semiconduttore in un bagno di liquido, il quale è caratterizzato dal fatto che, nel bagno di liquido, viene il comparire di cavitazione .
Il vantaggio sostanziale del procedimento consiste in ciò che, nel trattamento del materiale semiconduttore, impurezze che aderiscono sulle superfici anche in punti discosti, vengono efficacemente allontanate. Inoltre, il procedimento riduce spigoli acuti sulla superficie del materiale semiconduttore, di modo che risulta considerevolmente diminuito anche il pericolo dell'inquinamento del materiale semiconduttore ripulito, attraverso particelle che si generano di nuovo. Causale per la riduzione di spigoli acuti è il comparire di bollicine che implodono (cavitazione), attraverso cui spigoli esposti dal materiale semiconduttore vengono fatti saltare, nel qual caso rimangono superfici ampiamente arrotondate .
Il procedimento viene perciò impiegato con particolare vantaggio per il trattamento di materiale semiconduttore, il quale è presente nella forma di frammenti eventualmente classificati. La granulometria media dei frammenti ammonta, per esempio, a 5 fino a 150 mm. E' inconsistente, se i frammenti vengono prodotti mediante comminuzione di materiale monocristallino oppure policristallino. Altrettanto poco gioca un particolare ruolo il tipo del processo di comminuzione. E' particolarmente preferito impiegare il procedimento per il trattamento di frammenti che successivamente debbono venire fusi ed impiegati per la produzione di monocristalli. Per questo impiego, è di decisiva importanza il fatto che l'inquinamento del fuso con particelle e sostanze estranee indesiderate sia il più basso possibile.
Per il trattamento, il materiale semiconduttore viene portato in un bagno di liquido. Come liquidi sono preferiti acqua pura, mezzi di pulitura acquosi, e mezzi di attacco chimico acquosi che reagiscono in maniera acida oppure alcalina. Il comparire della cavitazione nel bagno di liquido viene preferibilmente procurato con l'ausilio di uno o più ugelli, attraverso cui viene mandato il liquido sotto pressione. Ugelli adatti sono noti nelle più diverse forme di realizzazione, per cui la struttura di ugello non è una parte componente della presente invenzione. In questa connessione, siano citati, come rappresentanti per lo stato della tecnica, il brevetto USA 5.217.163 e la letteratura in esso contenuta. E' inoltre-preferito orientare l'ugello in maniera che il getto di liquido che lo abbandona sia diretto contro il materiale semiconduttore. E' particolarmente preferito apprestare una molteplicità di ugelli a distanze uniformi, per ottenere così la distribuzione uniforme e fitta di campi di liquido, in cui ha luogo la cavitazione. Il materiale semicomduttore viene quindi preferibilmente tenuto in questi campi di liquido in un recipiente, le cui delimitazioni sono penetrabili da parte del liquido. Come recipienti di raccolta, vengono in questione in particolare recipienti perforati di materia plastica oppure recipienti perforati rivestiti di materia plastica, per esempio ceste di materia plastica di maglia larga.
Per l'aumento dell'efficacia di pulitura, il liquido può venire fatto circolare nel bagno di liquido. Preferibilmente, una parte del liquido viene continuamente sostituita mediante liquido fresco e, oppure una parte prelevata, filtrata ed il filtrato ricondotto nel bagno di liquido. E' particolarmente preferito riciclare nel bagno di liquido il filtrato attraverso gli ugelli impiegati che producono cavitazione.
Una forma di realizzazione dell'invenzione viene di seguito descritta con riferimento ad una figura. La figura è un disegno in sezione schematico attraverso un dispositivo il quale si presta per l'effettuazione del , procedimento conformemente all'invenzione.
La figura mostra una vasca 3 ih cui si trova un bagno di liquido 10. La vasca può essere aperta oppure chiusa con un coperchio. Un ,recipiente di accoglimento 2, . riempito coh materiale semiconduttore 1, è immerso nel bagno di liquido. Sotto il recipiente di accoglimento 2;è disposto un campo di ugelli 5 configurato a reticolo, i quali ugelli stanno in collegamento con una pompa 7. La pompa 7 riconduce il liquido dalla vasca 3 sotto pressione attraverso gli ugelli 5 nel bagno di liquido 10. Gli ugelli sono configurati in modo che nel getto di liquido 4, il quale lascia un ugello, compare una cavitazione. Il materiale semiconduttore 1 si trova nel campo di azione dei getti di liquido 4... Il liquido per l'esercizio degli ugelli viene prelevato dalla vasca 3 attraverso una apertura di uscita 11 ad addotto, attraverso un filtro 6, alla pompa, 7. Per poter efficacemente allontanare in particolare particelle sospinte sulla superficie del bagno di liquido, la vasca 3 è equipaggiata con uno scarico 9, attraverso cui liquido dalla zona di superficie può abbandonare la vasca 3. Contemporaneamente è prevista una alimentazione 8, attraverso cui viene addotto al bagno di liquido, liquido fresco.
Esempio
Una carica di 30 kg di frammenti di silicio policristallino è stata trattata in un dispositivo conformemente alla figura. La cavitazione veniva prodotta da 75 ugelli i quali erano distribuiti nella vasca al di sotto della cesta di raccolta perforata in una disposizione orizzontale in maniera uniforme. Agli ugelli veniva addotta acqua filtrata, completamente desalificata con una pressione di 15 bar. La quantità di alimentazione condotta nel circuito tra il bagno dr liquido e la pompa ammontava a 25 m3/ora, l'adduzione di acqua fresca ad 1 m3/ora. Il trattamento della carica, cioè la pulitura dei frammenti e l'arrotondamento degli spigoli di frattura, era concluso dopo un tempo di trattamento di 2 minuti.
Claims (6)
- RIVENDICAZIONI 1. Procedimento per il trattamento!di materiale semiconduttore in un bagno di liquido, caratterizzato dal fatto che nel bagno di liquido viene procurato il comparire di cavitazione.
- 2. Procedimento secondo la rivendicazione 1, caratterizzato da ciò che nel bagno di liquido viene apprestato almeno un ugello, il[quale cede un getto di liquido, il quale è orientato contro il materiale semiconduttore ed in cui; compare una cavitazione.
- 3. Procedimento secondo la rivendicazione 1 oppure 2, caratterizzato da ciò che il materiale semiconduttore viene apprestato in un recipiente, le cui delimitazioni sono penetrabili nei confronti del liquido.
- 4. Procedimento secondo una delle rivendicazioni 1 fino a 3, caratterizzato da ciò che, durante il trattamento del materiale semiconduttóre, una parte del liquido del bagno di liquido viene sostituita da liquido fresco e, oppure una parte del liquido viene prelevata dal bagno di liquido', filtrata ed il filtrato riciclato nel bagno di liquido.
- 5. Procedimento secondo una delle rivendicazioni 1 fino a 4, caratterizzato da citò che viene impiegato un liquido il quale viene ,scelto da un gruppo che comprende acqua, mezzi .di pulitura acquosi e mezzi di attacco chimico acquosi.
- 6. Procedimento secondo una delle rivendicazioni 1 fino a 5, caratterizzato da ciò che materiale semiconduttore viene scelto da un gruppo, il quale comprende silicio monocristallino: e silicio policristallino, in particolare frammenti di silicio .
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19618974A DE19618974A1 (de) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ITRM970253A0 ITRM970253A0 (it) | 1997-04-30 |
ITRM970253A1 true ITRM970253A1 (it) | 1998-10-30 |
IT1290599B1 IT1290599B1 (it) | 1998-12-10 |
Family
ID=7794008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
IT97RM000253A IT1290599B1 (it) | 1996-05-10 | 1997-04-30 | Procedimento per il trattamento di un materiale semiconduttore |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5820688A (it) |
JP (1) | JPH1041271A (it) |
KR (1) | KR970077287A (it) |
DE (1) | DE19618974A1 (it) |
IT (1) | IT1290599B1 (it) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6118289A (en) * | 1997-03-10 | 2000-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Cleaning method and cleaning device and cleaning tool for board electrical-test probes, and board electrical-test device and method |
US6502591B1 (en) * | 2000-06-08 | 2003-01-07 | Semitool, Inc. | Surface tension effect dryer with porous vessel walls |
US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
US6874713B2 (en) | 2002-08-22 | 2005-04-05 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for improving silicon processing efficiency |
GB2418347A (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-29 | Univ Sheffield | Fluid agitation or cavitation cleansing of particles |
JP4559288B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-10-06 | 京セラキンセキ株式会社 | エッチング装置 |
JP4762822B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 薬液混合方法および薬液混合装置 |
DE102007040851A1 (de) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zum Reinigen von polykristallinem Silicium |
US9238876B2 (en) * | 2008-12-26 | 2016-01-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of washing polycrystalline silicon, apparatus for washing polycrystalline silicon, and method of producing polycrystalline silicon |
US9242340B1 (en) * | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Method to stress relieve a magnetic recording head transducer utilizing ultrasonic cavitation |
US20220184670A1 (en) * | 2020-12-16 | 2022-06-16 | The Boeing Company | Flexible cavitation apparatus |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3031363A (en) * | 1959-09-24 | 1962-04-24 | Sylvania Electric Prod | Method and apparatus for treating bodies of semiconductor material |
US3997358A (en) * | 1976-02-19 | 1976-12-14 | Motorola, Inc. | Cleaning process for semiconductor die |
GB2005147B (en) * | 1977-09-15 | 1982-03-10 | Rolls Royce | Fluid operated nozzles for generation of vibrations in liquid |
DE3317286A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung |
WO1987006862A1 (en) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Eastman Kodak Company | Ultrasonic cleaning method and apparatus |
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JP2504916B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1996-06-05 | 株式会社芝浦製作所 | 基板洗浄装置 |
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-
1996
- 1996-05-10 DE DE19618974A patent/DE19618974A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-03-19 JP JP9066570A patent/JPH1041271A/ja active Pending
- 1997-04-25 US US08/846,151 patent/US5820688A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-30 IT IT97RM000253A patent/IT1290599B1/it active IP Right Grant
- 1997-05-08 KR KR1019970017714A patent/KR970077287A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5820688A (en) | 1998-10-13 |
JPH1041271A (ja) | 1998-02-13 |
ITRM970253A0 (it) | 1997-04-30 |
KR970077287A (ko) | 1997-12-12 |
DE19618974A1 (de) | 1997-11-13 |
IT1290599B1 (it) | 1998-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
0001 | Granted |