FR2769431B1 - Circuit a semiconducteur et circuit de protection de transistor de puissance ayant un circuit de decision - Google Patents
Circuit a semiconducteur et circuit de protection de transistor de puissance ayant un circuit de decisionInfo
- Publication number
- FR2769431B1 FR2769431B1 FR9805954A FR9805954A FR2769431B1 FR 2769431 B1 FR2769431 B1 FR 2769431B1 FR 9805954 A FR9805954 A FR 9805954A FR 9805954 A FR9805954 A FR 9805954A FR 2769431 B1 FR2769431 B1 FR 2769431B1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- circuit
- power transistor
- decision
- semiconductor
- transistor protection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9269846A JPH11112313A (ja) | 1997-10-02 | 1997-10-02 | 半導体回路及びパワートランジスタ保護回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2769431A1 FR2769431A1 (fr) | 1999-04-09 |
FR2769431B1 true FR2769431B1 (fr) | 2001-07-27 |
Family
ID=17478014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR9805954A Expired - Fee Related FR2769431B1 (fr) | 1997-10-02 | 1998-05-12 | Circuit a semiconducteur et circuit de protection de transistor de puissance ayant un circuit de decision |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6057728A (fr) |
JP (1) | JPH11112313A (fr) |
KR (1) | KR100300651B1 (fr) |
DE (1) | DE19825211C2 (fr) |
FR (1) | FR2769431B1 (fr) |
TW (1) | TW417354B (fr) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19918966A1 (de) * | 1999-04-27 | 2000-11-02 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur Überstromabschaltung eines Bipolartransistors mit isoliert angeordneter Gateelektrode und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
JP3484123B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関用点火装置 |
JP4146607B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2008-09-10 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
DE10042585C1 (de) * | 2000-08-30 | 2002-11-14 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Erfassung des Stromes in einem Lasttransistor |
JP4118496B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2008-07-16 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及び過電流保護回路 |
KR200229676Y1 (ko) * | 2000-11-14 | 2001-07-19 | 엘지산전 주식회사 | 아이지비티 인버터의 게이트 구동회로 |
DE10060553A1 (de) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Daimlerchrysler Rail Systems | Überstrom-Erfassungseinrichtung |
JP4219567B2 (ja) * | 2001-04-03 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US7132868B2 (en) * | 2001-06-27 | 2006-11-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
US6809571B2 (en) * | 2001-10-01 | 2004-10-26 | International Rectifier Corporation | Power control circuit with active impedance to avoid interference and sensing problems |
CA2385434C (fr) * | 2002-04-01 | 2012-11-27 | S&C Electric Company | Montage de commande pour systeme electronique d'alimentation |
JP3607902B2 (ja) * | 2002-07-22 | 2005-01-05 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
JP3883925B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2007-02-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
JP2004215458A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スイッチング素子の駆動回路 |
JP4094984B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2008-06-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2005006381A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | スイッチング素子の駆動回路 |
JP4323266B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2009-09-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体駆動回路 |
EP1548275B1 (fr) * | 2003-11-28 | 2010-04-28 | STMicroelectronics Srl | Circuit de commande pour un dispositif d'attaque électronique de charges inductives, en particulier pour un dispositif avec un signal d'entrée ayant, dans l'état logique haut, une tension de valeur non-optimale |
JP2005236731A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nec Electronics Corp | 過電流保護回路及び半導体装置 |
JP4627165B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2011-02-09 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置の制御用回路および制御用集積回路 |
US7050914B2 (en) * | 2004-10-22 | 2006-05-23 | Aimtron Technology Corp. | Current sensing circuit |
US7538519B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-05-26 | Dell Products L.P. | Information handling system with battery protected from non-permanent failures |
US20060152865A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Nair Balakrishnan V | Circuit for protecting a transistor from an open secondary ignition coil |
JP4619812B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | ゲート駆動回路 |
US7839201B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-11-23 | Raytheon Company | Integrated smart power switch |
DE102005046993B3 (de) * | 2005-09-30 | 2007-02-22 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Leistungssignals aus einem Laststrom |
JP2007259533A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Hitachi Ltd | 半導体素子の保護回路 |
JP5010842B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 試験対象物の保護回路、試験対象物の保護方法、試験装置、及び試験方法 |
JP5054928B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-10-24 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電力供給制御装置 |
US7463079B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-12-09 | Honeywell International Inc. | Short circuit protection by gate voltage sensing |
JP4338721B2 (ja) * | 2006-08-22 | 2009-10-07 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置及びその異常検出方法 |
JP4349398B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2009-10-21 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子駆動装置及びスイッチング素子駆動方法 |
JP5003105B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2012-08-15 | 富士電機株式会社 | 電流制限回路 |
US8264211B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Programmable power limiting for power transistor system |
JP4438833B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2010-03-24 | トヨタ自動車株式会社 | 電力変換装置の異常検出装置および異常検出方法 |
JP2009060358A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Denso Corp | 過電流保護回路及び電力変換システム |
US7570098B2 (en) * | 2007-09-27 | 2009-08-04 | Niko Semiconductor Co., Ltd. | Active voltage-clamping gate driving circuit |
JP5253012B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2013-07-31 | ローム株式会社 | パワー半導体の駆動回路装置およびそれに用いる信号伝達回路装置 |
DE102008032556B3 (de) * | 2008-07-10 | 2009-09-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Leistungsschalter mit einer Überstromschutzvorrichtung |
US7936189B2 (en) * | 2008-12-04 | 2011-05-03 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driver circuit and method for reducing electromagnetic interference |
JP5315155B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2013-10-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体素子制御装置、車載用電機システム |
KR101261944B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2013-05-09 | 기아자동차주식회사 | 인버터 제어장치 |
JP5430608B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2014-03-05 | カルソニックカンセイ株式会社 | 半導体スイッチング素子駆動回路 |
US8749939B2 (en) * | 2011-05-13 | 2014-06-10 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for shoot-through protection |
EP2717472B1 (fr) * | 2012-10-08 | 2015-04-08 | Dialog Semiconductor GmbH | Mesure du courant par l'intermédiaire de la grille d'un transistor externe |
KR101477351B1 (ko) * | 2012-10-26 | 2014-12-29 | 삼성전기주식회사 | 반도체 스위치 소자의 보호 회로 및 게이트 구동 회로 |
KR101444543B1 (ko) | 2012-11-26 | 2014-09-24 | 삼성전기주식회사 | 구동 회로, 구동 모듈 및 모터 구동 장치 |
US9745947B2 (en) * | 2013-08-08 | 2017-08-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Ignition control circuit with short circuit protection |
JP5831528B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-12-09 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6190280B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2017-08-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体駆動装置ならびにこれを用いた電力変換装置 |
WO2015114788A1 (fr) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 株式会社日立製作所 | Circuit de protection d'élément à semi-conducteur |
CN105830304B (zh) | 2014-05-30 | 2018-11-16 | 富士电机株式会社 | 充电器 |
JP6086101B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2017-03-01 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
CN107636968B (zh) * | 2015-06-16 | 2021-01-01 | 三菱电机株式会社 | 功率用半导体元件的驱动控制电路 |
JP6472763B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2019-02-20 | 株式会社東芝 | ゲート制御回路および電源回路 |
JP6787348B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-11-18 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の過電流保護装置 |
US10254327B2 (en) * | 2016-02-29 | 2019-04-09 | Infineon Technologies Ag | Method and device for short circuit detection in power semiconductor switches |
JP2017212870A (ja) | 2016-05-20 | 2017-11-30 | 株式会社デンソー | スイッチング素子の駆動制御装置 |
JP6939059B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2021-09-22 | 富士電機株式会社 | 半導体素子の駆動装置 |
CN108319353B (zh) * | 2018-04-23 | 2024-05-31 | 深圳市心流科技有限公司 | 电源使能电路 |
JP6956052B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2021-10-27 | 株式会社東芝 | ゲート制御回路、電源回路及びインバータ回路 |
US10975827B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-04-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Ignition control system with circulating-current control |
JP7059891B2 (ja) * | 2018-10-19 | 2022-04-26 | 三菱電機株式会社 | インバータ駆動装置 |
JP7052757B2 (ja) * | 2019-03-01 | 2022-04-12 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動装置 |
CN110022141B (zh) * | 2019-03-26 | 2023-12-12 | 瓴芯电子科技(无锡)有限公司 | 功率器件的驱动装置与获取功率器件实时状态的方法 |
CN110474626A (zh) * | 2019-05-10 | 2019-11-19 | 中智电气南京有限公司 | 一种基于数控车床伺服驱动器的igbt保护电路 |
WO2021199738A1 (fr) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Dispositif de détermination et système de commutation le comprenant |
US11451227B2 (en) * | 2020-04-30 | 2022-09-20 | Eaton Intelligent Power Limited | Control circuitry for power semiconductor switches using control signal feedback |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4890009A (en) * | 1987-04-30 | 1989-12-26 | Hitachi, Ltd. | Monolithic integrated circuit device |
EP0730347A3 (fr) * | 1992-03-18 | 1996-10-23 | Fuji Electric Co Ltd | Dispositif semi-conducteur |
JP3325303B2 (ja) * | 1992-09-21 | 2002-09-17 | 東芝アイティー・コントロールシステム株式会社 | 保護機能を備えたスイッチ装置 |
JP2999887B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2000-01-17 | 三菱電機株式会社 | Igbtの過電流保護回路及び半導体集積回路装置 |
JP2908948B2 (ja) * | 1992-12-10 | 1999-06-23 | 三菱電機株式会社 | パワーデバイスの制御回路及び半導体集積回路装置 |
JP3240489B2 (ja) * | 1993-01-21 | 2001-12-17 | 株式会社日立製作所 | Igbtの過電流保護装置及びigbtの保護装置 |
US5910746A (en) * | 1993-03-26 | 1999-06-08 | Sundstrand Corporation | Gate drive for a power switching device |
JPH07183781A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置とその駆動装置 |
US5448441A (en) * | 1994-04-05 | 1995-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fault protection circuit for power switching device |
JP2881755B2 (ja) * | 1994-04-27 | 1999-04-12 | シャープ株式会社 | パワー素子駆動回路 |
DE69421083T2 (de) * | 1994-11-17 | 2000-03-16 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Schutzschaltung und Verfahren für Leistungstransistor sowie diese verwendender Spannungsregler |
JP3216972B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の点火装置 |
-
1997
- 1997-10-02 JP JP9269846A patent/JPH11112313A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-07 US US09/055,912 patent/US6057728A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-14 TW TW087105600A patent/TW417354B/zh active
- 1998-05-12 FR FR9805954A patent/FR2769431B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-02 KR KR1019980020412A patent/KR100300651B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-05 DE DE19825211A patent/DE19825211C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19825211A1 (de) | 1999-04-15 |
KR100300651B1 (ko) | 2001-09-22 |
TW417354B (en) | 2001-01-01 |
JPH11112313A (ja) | 1999-04-23 |
DE19825211C2 (de) | 2001-09-13 |
KR19990036512A (ko) | 1999-05-25 |
FR2769431A1 (fr) | 1999-04-09 |
US6057728A (en) | 2000-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2769431B1 (fr) | Circuit a semiconducteur et circuit de protection de transistor de puissance ayant un circuit de decision | |
DE69827957D1 (de) | Niederleistungs-gleichrichterschaltung | |
DE69420327D1 (de) | Halbleiter-Leistungsschaltung | |
DE69943196D1 (de) | Halbleiter-Leistungs-Modul | |
IT1298454B1 (it) | Interrutore fotovoltaico integrato con dispositivo di alimentazione integrato | |
FI980664A0 (fi) | Tehopiiri | |
DE59406106D1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement | |
DE69942796D1 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Leistungselement und einer Schutzschaltung | |
ATE267478T1 (de) | Stromrichterschaltungsanordnung | |
DE69425344D1 (de) | Halbleiterintegrierte Leistungsverstärkerschaltung | |
DE69831298D1 (de) | Diodenlaserschutzschaltung | |
FR2759493B1 (fr) | Dispositif de puissance a semiconducteur | |
DE69821270T2 (de) | Überstromschutzschaltung und -verfahren | |
DE69726158D1 (de) | Starkstromschutzvorrichtung | |
FI973948A0 (fi) | Puolijohtava tehonmuuntaja | |
DE69409597D1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement | |
NO20002194L (no) | Nulleffekt nullstillingskrets | |
FR2763175B1 (fr) | Dispositif semiconducteur de puissance | |
DE59510269D1 (de) | Leistungs-Halbleiterbauelement | |
DE59706321D1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
DE59808593D1 (de) | Stromversorgungsschaltung | |
FR2748888B1 (fr) | Dispositif a elements semi-conducteurs de puissance | |
DE69841505D1 (de) | Stromwandler mit mos-gate-halbleiteranordnung | |
DE69431688D1 (de) | Leistungsmittelwertdetektionsschaltung | |
KR950026013U (ko) | 전원 단락 보호회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ST | Notification of lapse |
Effective date: 20080131 |