JP3325303B2 - 保護機能を備えたスイッチ装置 - Google Patents
保護機能を備えたスイッチ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧駆動形のパワート
ランジスタを用いたスイッチ装置に係り、特に、短絡等
による過電流を高速に検出して限流する保護機能を備え
たスイッチ装置に関する。
ランジスタを用いたスイッチ装置に係り、特に、短絡等
による過電流を高速に検出して限流する保護機能を備え
たスイッチ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧駆動のパワートランジスタとしてＩ
ＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transiston ）が広く
知られている。ＩＧＢＴはオン電圧が低く、ＭＯＳゲー
ト構造で駆動電力が少なく、しかも比較的高速にスイッ
チングできることから急速に応用分野が広がっている。
オン電圧とスイッチング速度の特性は背反関係にあり、
トレードオフを改良し、より高性能な素子となるよう日
夜研究が重ねられている。
ＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transiston ）が広く
知られている。ＩＧＢＴはオン電圧が低く、ＭＯＳゲー
ト構造で駆動電力が少なく、しかも比較的高速にスイッ
チングできることから急速に応用分野が広がっている。
オン電圧とスイッチング速度の特性は背反関係にあり、
トレードオフを改良し、より高性能な素子となるよう日
夜研究が重ねられている。
【０００３】図５（ａ）の特性Ｃは、これらの研究から
予測される第３世代以降のＩＧＢＴのオン電圧特性で、
第１世代のＩＧＢＴのオン電圧特性Ａと比較して示した
ものである。現在のＩＧＢＴは第２世代で特性Ｂに示
す。なお、コレクタ電流Ｉc は、それぞれＩＧＢＴの定
格電流を１００として百分率で示している。
予測される第３世代以降のＩＧＢＴのオン電圧特性で、
第１世代のＩＧＢＴのオン電圧特性Ａと比較して示した
ものである。現在のＩＧＢＴは第２世代で特性Ｂに示
す。なお、コレクタ電流Ｉc は、それぞれＩＧＢＴの定
格電流を１００として百分率で示している。
【０００４】これらの特性から明らかなように、負荷短
絡等でコレクタ・エミッタ間電圧ＶCEが上昇すると定格
電流の数倍のコレクタ電流Ｉc が流れ、第１世代のＩＧ
ＢＴでは６〜８倍、第２世代のＩＧＢＴでは10〜12倍の
過電流が流れる。
絡等でコレクタ・エミッタ間電圧ＶCEが上昇すると定格
電流の数倍のコレクタ電流Ｉc が流れ、第１世代のＩＧ
ＢＴでは６〜８倍、第２世代のＩＧＢＴでは10〜12倍の
過電流が流れる。
【０００５】現在研究が進められている第３世代以降の
ＩＧＢＴでは、ＤＲＡＭクラスのμｍオーダーのパター
ンとし、その他の改良を加えることにより、特性Ｃのよ
うに10数倍の過電流が流れる。このように大きな過電流
になると高速に限流しゃ断するのが困難になり素子の過
電流保護が困難になるという問題がある。以下、従来の
ＩＧＢＴにおける負荷短絡時の保護について述べる。
ＩＧＢＴでは、ＤＲＡＭクラスのμｍオーダーのパター
ンとし、その他の改良を加えることにより、特性Ｃのよ
うに10数倍の過電流が流れる。このように大きな過電流
になると高速に限流しゃ断するのが困難になり素子の過
電流保護が困難になるという問題がある。以下、従来の
ＩＧＢＴにおける負荷短絡時の保護について述べる。
【０００６】ＩＧＢＴを用いた一般的な主回路構成を図
５（ｂ）に示す。この装置は、ＩＧＢＴ21〜26で成るブ
リッジ形変換器（インバータ）により直流電圧源１の直
流電圧を交流電圧に変換して電動機３を駆動するもので
ある。このような装置において負荷（電動機）側の端子
間で短絡が発生すると正側と負側のＩＧＢＴを介して短
絡電流が流れる。また、同一アームの正側と負側のＩＧ
ＢＴに同時にオン信号（ノイズや誤動作による信号）が
入力された場合も同様に短絡電流が流れる。
５（ｂ）に示す。この装置は、ＩＧＢＴ21〜26で成るブ
リッジ形変換器（インバータ）により直流電圧源１の直
流電圧を交流電圧に変換して電動機３を駆動するもので
ある。このような装置において負荷（電動機）側の端子
間で短絡が発生すると正側と負側のＩＧＢＴを介して短
絡電流が流れる。また、同一アームの正側と負側のＩＧ
ＢＴに同時にオン信号（ノイズや誤動作による信号）が
入力された場合も同様に短絡電流が流れる。
【０００７】このような短絡状態に耐え得るＩＧＢＴの
短絡耐量は、現在のＩＧＢＴでは、素子定格電圧の80％
の電圧において10〜20μｓの時間であり、 7.5〜10μｓ
以内に過電流を検出して限流しゃ断する短絡保護が行な
われている。
短絡耐量は、現在のＩＧＢＴでは、素子定格電圧の80％
の電圧において10〜20μｓの時間であり、 7.5〜10μｓ
以内に過電流を検出して限流しゃ断する短絡保護が行な
われている。
【０００８】図６は、コレクタ・エミッタ間電圧ＶCE一
定の下で短絡時に流れるコレクタ電流Ｉc と耐量時間
（ｔ1 ）の関係を示す短絡耐量の特性図で、その試験回
路を一緒に示したものである。この特性から明らかなよ
うにＩc とｔ1 は、ほぼパワー一定の関係を持ち、負荷
短絡等によりコレクタ電流Ｉc が増大すると耐量時間ｔ
1 が短くなり高速な保護動作を必要とする。
定の下で短絡時に流れるコレクタ電流Ｉc と耐量時間
（ｔ1 ）の関係を示す短絡耐量の特性図で、その試験回
路を一緒に示したものである。この特性から明らかなよ
うにＩc とｔ1 は、ほぼパワー一定の関係を持ち、負荷
短絡等によりコレクタ電流Ｉc が増大すると耐量時間ｔ
1 が短くなり高速な保護動作を必要とする。
【０００９】そこで負荷短絡等による過電流を検出した
ときＩＧＢＴのゲート電圧をしぼりＩＧＢＴのトランジ
スタ作用を利用して短絡電流を制限し、見かけ上の短絡
耐量時間を長くする方法が種々提案（特願昭60-92870、
特願平3-171484など）されている。
ときＩＧＢＴのゲート電圧をしぼりＩＧＢＴのトランジ
スタ作用を利用して短絡電流を制限し、見かけ上の短絡
耐量時間を長くする方法が種々提案（特願昭60-92870、
特願平3-171484など）されている。
【００１０】図７（ａ）に示す回路は学会（平成４年電
気学会全国大会４７０）で発表されたもので主ＩＧＢＴ
４ａの電流を検出する電流センスＩＧＢＴ４ｂを設け、
特定電流以上になるとＮＬＵ回路50によりＩＧＢＴのゲ
ート電圧を低下させ短絡電流を抑制するものである。
気学会全国大会４７０）で発表されたもので主ＩＧＢＴ
４ａの電流を検出する電流センスＩＧＢＴ４ｂを設け、
特定電流以上になるとＮＬＵ回路50によりＩＧＢＴのゲ
ート電圧を低下させ短絡電流を抑制するものである。
【００１１】ＮＬＵ回路50は図７（ｄ）に示すように、
電流センスＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流による抵抗52の
電圧降下がＭＯＳＦＥＴ54のゲートスレッショルド電圧
以上になるとゲート抵抗51を介してＭＯＳＦＥＴ54のド
レンに電流が流れＩＧＢＴのゲート電圧を低下させるよ
うに作用する。また、ＮＬＵ回路50は図７（ｅ）に示す
回路でもよく、この回路はＭＯＳＦＥＴ54をバイポーラ
トランジスタ55に置換えたものである。
電流センスＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流による抵抗52の
電圧降下がＭＯＳＦＥＴ54のゲートスレッショルド電圧
以上になるとゲート抵抗51を介してＭＯＳＦＥＴ54のド
レンに電流が流れＩＧＢＴのゲート電圧を低下させるよ
うに作用する。また、ＮＬＵ回路50は図７（ｅ）に示す
回路でもよく、この回路はＭＯＳＦＥＴ54をバイポーラ
トランジスタ55に置換えたものである。
【００１２】このような回路を構成すると過電流時にＩ
ＧＢＴのゲート電圧を低下させＩＧＢＴのオン抵抗を増
加させ、図７（ｃ）に示すように短絡電流を制限するこ
とができ短絡耐量時間を図７（ｂ）のように見かけ上長
くすることができる。
ＧＢＴのゲート電圧を低下させＩＧＢＴのオン抵抗を増
加させ、図７（ｃ）に示すように短絡電流を制限するこ
とができ短絡耐量時間を図７（ｂ）のように見かけ上長
くすることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来の図７の方法では
ＩＧＢＴモジュールとしての短絡耐量は増加したが、次
のような問題がある。すなわち、短絡電流を 200％程度
に制限しているので過電流検出により短絡事故を検出す
ることが困難となる。
ＩＧＢＴモジュールとしての短絡耐量は増加したが、次
のような問題がある。すなわち、短絡電流を 200％程度
に制限しているので過電流検出により短絡事故を検出す
ることが困難となる。
【００１４】また、ＩＧＢＴのＶCEがオン信号を加えて
も高いままであることを検出するなどの別の短絡事故検
出回路等により駆動信号をオフさせる回路を追加する必
要があり回路が複雑となる。
も高いままであることを検出するなどの別の短絡事故検
出回路等により駆動信号をオフさせる回路を追加する必
要があり回路が複雑となる。
【００１５】また、ゲート抵抗51の値Ｒg により図７
（ｄ）のＦＥＴ54のドレン電流が同一でもゲート電圧が
異なるので、Ｒg の大きさにより図８のように電流制限
値ＩCLが変化する。従って、ＩＧＢＴのスイッチングを
早くするためＲg を小さくすると短絡電流制限値ＩCLが
上昇し短絡耐量時間が短くなる欠点がある。
（ｄ）のＦＥＴ54のドレン電流が同一でもゲート電圧が
異なるので、Ｒg の大きさにより図８のように電流制限
値ＩCLが変化する。従って、ＩＧＢＴのスイッチングを
早くするためＲg を小さくすると短絡電流制限値ＩCLが
上昇し短絡耐量時間が短くなる欠点がある。
【００１６】更に、ＩＧＢＴを並列接続した場合に発振
を生じる問題がある。すなわち、各ＩＧＢＴモジュール
の電流制限機能の動作レベルに差異があるとき、１ケの
ＩＧＢＴの電流制限機能が動作すると、制限された電流
が他のＩＧＢＴに移り、そのＩＧＢＴの電流制限機能が
動作する。これを繰返して一種の発振状態を生じＩＧＢ
Ｔが劣化する危険がある。
を生じる問題がある。すなわち、各ＩＧＢＴモジュール
の電流制限機能の動作レベルに差異があるとき、１ケの
ＩＧＢＴの電流制限機能が動作すると、制限された電流
が他のＩＧＢＴに移り、そのＩＧＢＴの電流制限機能が
動作する。これを繰返して一種の発振状態を生じＩＧＢ
Ｔが劣化する危険がある。
【００１７】また、図７（ａ）に示す回路のＩＧＢＴの
電流制限機能の動作は極めて早い特徴を有しているが、
ダイオードを逆並列接続して使用するとき次のような問
題が生じる。すなわち、図９の回路に示すように負荷の
インダクタンス３Ｌから放電電流ｉＤがダイオード21Ｄ
に流れている時ＩＧＢＴ24をオンすると図９の波形図に
示すようにＩＧＢＴ24の電流Ｉc は立上りの部分で負荷
電流ｉＤの 1.5〜２倍程度のピーク電流が流れる。この
電流波形の斜線部分はダイオード21Ｄのリカバリー電流
で、ダイオードの耐圧が高くなるほど増加し、温度上昇
と共に増加する特性を有している。電流制限値がこのピ
ーク電流より低いとＩＧＢＴのターンオン損失が著しく
増加する。このためｉＤをＩＧＢＴの定格電流まで使用
すると仮定するとピーク電流は約200 ％程度となり電流
制限値はマージンを見て最低250％以上に設定する必要
があり、短絡耐量時間が短くなるという問題がある。ま
た、スイッチング速度を速くするためＲg を小さくする
と500 〜 600％程度の電流制限値となることもあり保護
協調がとりにくいなどの欠点が存在する。
電流制限機能の動作は極めて早い特徴を有しているが、
ダイオードを逆並列接続して使用するとき次のような問
題が生じる。すなわち、図９の回路に示すように負荷の
インダクタンス３Ｌから放電電流ｉＤがダイオード21Ｄ
に流れている時ＩＧＢＴ24をオンすると図９の波形図に
示すようにＩＧＢＴ24の電流Ｉc は立上りの部分で負荷
電流ｉＤの 1.5〜２倍程度のピーク電流が流れる。この
電流波形の斜線部分はダイオード21Ｄのリカバリー電流
で、ダイオードの耐圧が高くなるほど増加し、温度上昇
と共に増加する特性を有している。電流制限値がこのピ
ーク電流より低いとＩＧＢＴのターンオン損失が著しく
増加する。このためｉＤをＩＧＢＴの定格電流まで使用
すると仮定するとピーク電流は約200 ％程度となり電流
制限値はマージンを見て最低250％以上に設定する必要
があり、短絡耐量時間が短くなるという問題がある。ま
た、スイッチング速度を速くするためＲg を小さくする
と500 〜 600％程度の電流制限値となることもあり保護
協調がとりにくいなどの欠点が存在する。
【００１８】本発明は、上述した技術的背景の下でなさ
れたもので、その目的とするところは、オン電圧が小さ
く大きな短絡電流となるトランジスタの過電流を高速に
検出し限流しゃ断することにより高信頼度の保護機能を
備えたスイッチ装置を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、オン電圧が小さ
く大きな短絡電流となるトランジスタの過電流を高速に
検出し限流しゃ断することにより高信頼度の保護機能を
備えたスイッチ装置を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次のような手段を設ける。
め、本発明は次のような手段を設ける。
【００２０】
【００２１】（１）駆動電圧に応じて主電流を制御する
ことの可能なトランジスタと、該トランジスタに並列接
続され前記主電流に対応した検出電圧を出力する電流検
出手段を備えた装置において、前記検出電圧が設定電圧
を越える範囲で前記検出電圧に比例した制御信号を出力
するレベル検出手段と、前記設定電圧を前記トランジス
タの温度上昇に伴って低下させる短絡耐量調整手段と、
前記制御信号により前記駆動電圧を調節して前記主電流
を制限制御する電流制御手段と、前記制御信号が出力さ
れたとき異常信号を出力し、この異常信号が所定時間継
続して出力されたとき前記駆動電圧をオフ状態に制御し
て前記主電流を零にする駆動指令制御手段を設ける。
ことの可能なトランジスタと、該トランジスタに並列接
続され前記主電流に対応した検出電圧を出力する電流検
出手段を備えた装置において、前記検出電圧が設定電圧
を越える範囲で前記検出電圧に比例した制御信号を出力
するレベル検出手段と、前記設定電圧を前記トランジス
タの温度上昇に伴って低下させる短絡耐量調整手段と、
前記制御信号により前記駆動電圧を調節して前記主電流
を制限制御する電流制御手段と、前記制御信号が出力さ
れたとき異常信号を出力し、この異常信号が所定時間継
続して出力されたとき前記駆動電圧をオフ状態に制御し
て前記主電流を零にする駆動指令制御手段を設ける。
【００２２】（２）駆動電圧に応じて主電流を制御する
ことの可能なトランジスタと、該トランジスタに並列接
続され前記主電流に対応した検出電圧を出力する電流検
出手段を備えた装置において、前記検出電圧が設定電圧
を越える範囲で前記検出電圧に比例した制御信号を出力
するレベル検出手段と、前記制御信号により前記駆動電
圧を調節して前記主電流を制限制御する電流制御手段
と、前記制御信号が第１の所定時間継続して出力された
とき、前記駆動電圧をゼロよりも稍高い値に向かって徐
々に低下させる電流しゃ断手段と、前記制御信号が第１
の所定時間よりも長い第２の所定時間継続して出力され
たとき、前記駆動電圧をオフ状態に制御する駆動指令制
御手段とを設ける。
ことの可能なトランジスタと、該トランジスタに並列接
続され前記主電流に対応した検出電圧を出力する電流検
出手段を備えた装置において、前記検出電圧が設定電圧
を越える範囲で前記検出電圧に比例した制御信号を出力
するレベル検出手段と、前記制御信号により前記駆動電
圧を調節して前記主電流を制限制御する電流制御手段
と、前記制御信号が第１の所定時間継続して出力された
とき、前記駆動電圧をゼロよりも稍高い値に向かって徐
々に低下させる電流しゃ断手段と、前記制御信号が第１
の所定時間よりも長い第２の所定時間継続して出力され
たとき、前記駆動電圧をオフ状態に制御する駆動指令制
御手段とを設ける。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【作用】
（１）トランジスタに主電流が流れると、電流
検出手段は主電流に比例した検出電圧を出力する。この
検出電圧がレベル検出手段の設定電圧を超えるとその偏
差値に比例した制御信号が出力される。このとき、前記
設定電圧をトランジスタの温度が上昇すると低下するよ
うに設定することにより、電流制限値が低下し、温度が
上昇しても確実な過電流保護が可能となる。
検出手段は主電流に比例した検出電圧を出力する。この
検出電圧がレベル検出手段の設定電圧を超えるとその偏
差値に比例した制御信号が出力される。このとき、前記
設定電圧をトランジスタの温度が上昇すると低下するよ
うに設定することにより、電流制限値が低下し、温度が
上昇しても確実な過電流保護が可能となる。
【００２６】（２）トランジスタに過電流が流れ電流制
限動作が所定時間継続したとき、レベル検出手段から制
御信号が所定時間継続して出力される。このとき、電流
しゃ断手段は駆動電圧をゼロよりも稍高い値に向かって
徐々に低下させて主電流を零にするので、サージ電圧を
抑制しながら過電流をしゃ断しトランジスタの過電圧保
護も同時に行うことが可能となる。
限動作が所定時間継続したとき、レベル検出手段から制
御信号が所定時間継続して出力される。このとき、電流
しゃ断手段は駆動電圧をゼロよりも稍高い値に向かって
徐々に低下させて主電流を零にするので、サージ電圧を
抑制しながら過電流をしゃ断しトランジスタの過電圧保
護も同時に行うことが可能となる。
【００２７】
【実施例】本発明の実施例を図１に示す。
【００２８】図１（ａ）において、ＩＧＢＴ４は主電流
を制御するＩＧＢＴ４ａと電流検出用のセンスＩＧＢＴ
４ｂで成り、それぞれのゲート、コレクタは並列接続さ
れ、エミッタはそれぞれ独立した端子としている。アン
ド回路11は駆動信号Ｓ0 に応じてトランジスタ12をオン
・オフする。フォトカプラ13はトランジスタ12のオン・
オフにより発光ダイオードに電流が流され絶縁されたゲ
ート電源19, 20で動作するフォトトランジスタを有し、
トランジスタ12のオン・オフに応じてコンプリメント接
続されたトランジスタ14, 15をオン・オフさせる。その
出力電圧は抵抗16及び抵抗34とコンデンサ35の直列回路
を介してコンプリメント接続されたトランジスタ17, 18
のゲートに加えられて電力増幅され、この出力電圧ＶG
がＩＧＢＴの駆動電圧として抵抗51を介してＩＧＢＴ４
ａ，４ｂのゲートに加えられる。トランジスタ55は、セ
ンスＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流Ｉ1 による抵抗52の電
圧降下がベース・エミッタ間のスレッショルド電圧を越
えたときベースに電流が流れ始め、図１（ｂ）に示すよ
うに偏差値に比例した電流Ｉ2 がコレクタに流れる。こ
の電流Ｉ2 はコンプリメント接続されたトランジスタ1
7, 18のベース電圧から抵抗36、フォトカプラ32、ダイ
オード31を介して流れる。フォトカプラ32は電流Ｉ2 が
流れたとき絶縁された制御電源で動作するフォトトラン
ジスタを有し、異常信号ＥＧを出力する。タイマー33は
常時“１”の信号ＬＫを出力し、異常信号ＥＧが所定時
間継続して出力されたときタイムアップして出力信号Ｌ
Ｋを“０”にする。
を制御するＩＧＢＴ４ａと電流検出用のセンスＩＧＢＴ
４ｂで成り、それぞれのゲート、コレクタは並列接続さ
れ、エミッタはそれぞれ独立した端子としている。アン
ド回路11は駆動信号Ｓ0 に応じてトランジスタ12をオン
・オフする。フォトカプラ13はトランジスタ12のオン・
オフにより発光ダイオードに電流が流され絶縁されたゲ
ート電源19, 20で動作するフォトトランジスタを有し、
トランジスタ12のオン・オフに応じてコンプリメント接
続されたトランジスタ14, 15をオン・オフさせる。その
出力電圧は抵抗16及び抵抗34とコンデンサ35の直列回路
を介してコンプリメント接続されたトランジスタ17, 18
のゲートに加えられて電力増幅され、この出力電圧ＶG
がＩＧＢＴの駆動電圧として抵抗51を介してＩＧＢＴ４
ａ，４ｂのゲートに加えられる。トランジスタ55は、セ
ンスＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流Ｉ1 による抵抗52の電
圧降下がベース・エミッタ間のスレッショルド電圧を越
えたときベースに電流が流れ始め、図１（ｂ）に示すよ
うに偏差値に比例した電流Ｉ2 がコレクタに流れる。こ
の電流Ｉ2 はコンプリメント接続されたトランジスタ1
7, 18のベース電圧から抵抗36、フォトカプラ32、ダイ
オード31を介して流れる。フォトカプラ32は電流Ｉ2 が
流れたとき絶縁された制御電源で動作するフォトトラン
ジスタを有し、異常信号ＥＧを出力する。タイマー33は
常時“１”の信号ＬＫを出力し、異常信号ＥＧが所定時
間継続して出力されたときタイムアップして出力信号Ｌ
Ｋを“０”にする。
【００２９】上記構成において、駆動指令Ｓ0 が“１”
になると、アンド回路11の出力によりトランジスタ12が
オンしてフォトカプラ13を介してコンプリメント接続さ
れたトランジスタ14がオンする。これによりゲート電源
19の電圧が抵抗16及び抵抗34とコンデンサ35の直列回路
を介しコンプリメント接続されたトランジスタ17, 18の
ゲートに加えられ、電力増幅され抵抗51を介してＩＧＢ
Ｔ４ａ，４ｂのゲートに加えられＩＧＢＴ４ａ，４ｂは
共にオンする。また、駆動指令Ｓ0 が“０”になると、
トランジスタ12がオフしてフォトカプラ13の出力により
トランジスタ14がオフ、トランジスタ15がオンし、トラ
ンジスタ17をオフ、トランジスタ18をオンさせＩＧＢＴ
４ａ，４ｂのゲートに負のバイアス電圧を加え、ＩＧＢ
Ｔ４ａ，４ｂは共にオフする。この場合、抵抗34とコン
デンサ35は進み回路として作用しゲート電圧を高速で変
化させるように作用する。
になると、アンド回路11の出力によりトランジスタ12が
オンしてフォトカプラ13を介してコンプリメント接続さ
れたトランジスタ14がオンする。これによりゲート電源
19の電圧が抵抗16及び抵抗34とコンデンサ35の直列回路
を介しコンプリメント接続されたトランジスタ17, 18の
ゲートに加えられ、電力増幅され抵抗51を介してＩＧＢ
Ｔ４ａ，４ｂのゲートに加えられＩＧＢＴ４ａ，４ｂは
共にオンする。また、駆動指令Ｓ0 が“０”になると、
トランジスタ12がオフしてフォトカプラ13の出力により
トランジスタ14がオフ、トランジスタ15がオンし、トラ
ンジスタ17をオフ、トランジスタ18をオンさせＩＧＢＴ
４ａ，４ｂのゲートに負のバイアス電圧を加え、ＩＧＢ
Ｔ４ａ，４ｂは共にオフする。この場合、抵抗34とコン
デンサ35は進み回路として作用しゲート電圧を高速で変
化させるように作用する。
【００３０】駆動指令Ｓ0 が“１”の状態でＩＧＢＴ４
ａ，４ｂがオンしているとき、ＩＧＢＴ４ａに過電流が
流れると、ＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流Ｉ1 が図１
（ｂ）に示すａ点（トランジスタ55のベース・エミッタ
間スレッショルド電圧）を越えトランジスタ55のコレク
タに電流Ｉ2 が流れる。この電流Ｉ2 による抵抗16の電
圧降下よりコンプリメント接続されたトランジスタ17,
18のゲート電圧が低下しＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート電
圧が低下する。
ａ，４ｂがオンしているとき、ＩＧＢＴ４ａに過電流が
流れると、ＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流Ｉ1 が図１
（ｂ）に示すａ点（トランジスタ55のベース・エミッタ
間スレッショルド電圧）を越えトランジスタ55のコレク
タに電流Ｉ2 が流れる。この電流Ｉ2 による抵抗16の電
圧降下よりコンプリメント接続されたトランジスタ17,
18のゲート電圧が低下しＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート電
圧が低下する。
【００３１】図２（ａ）はＩＧＢＴの特性図で、ゲート
電圧をパラメータとしてコレクタ・エミッタ間電圧ＶCE
とコレクタ電流Ｉc の関係を示した図である。この図に
示すようにＩＧＢＴはゲート電圧に応じてコレクタ電流
が変化し、通常はオン電圧を小さくするために大きなゲ
ート電圧でオンするので負荷短絡等が生じると大きな過
電流が流れる。
電圧をパラメータとしてコレクタ・エミッタ間電圧ＶCE
とコレクタ電流Ｉc の関係を示した図である。この図に
示すようにＩＧＢＴはゲート電圧に応じてコレクタ電流
が変化し、通常はオン電圧を小さくするために大きなゲ
ート電圧でオンするので負荷短絡等が生じると大きな過
電流が流れる。
【００３２】しかし、本実施例では前述したように、Ｉ
ＧＢＴに過電流が流れるとＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート
電圧が低下してＩＧＢＴ４ａのオン電圧が上昇し過電流
は所定範囲内に抑制される。
ＧＢＴに過電流が流れるとＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート
電圧が低下してＩＧＢＴ４ａのオン電圧が上昇し過電流
は所定範囲内に抑制される。
【００３３】図１（ｂ）において、ＩＧＢＴ４ａの電流
が電流制限値になるゲート電圧まで低下させる電流Ｉ2
をＩ2Lとし、このＩ2Lの電流を流すＩＧＢＴ４ｂの電流
Ｉ1をｂ点とすると電流制御ループにより電流Ｉ1 はｂ
点に保たれるように制御される。
が電流制限値になるゲート電圧まで低下させる電流Ｉ2
をＩ2Lとし、このＩ2Lの電流を流すＩＧＢＴ４ｂの電流
Ｉ1をｂ点とすると電流制御ループにより電流Ｉ1 はｂ
点に保たれるように制御される。
【００３４】このように電流制限動作を開始すると電流
Ｉ2Lによってフォトカプラ32から異常信号ＥＧが出力さ
れ、これによりタイマー33がタイムカウントを開始す
る。電流制限動作が所定時間継続して行われるとタイマ
ー33がカウントアップして出力信号ＬＫを“０”とし、
アンド回路11のゲートを閉じ駆動指令Ｓ0 が“１”の状
態であってもトランジスタ12を強制的にオフにする。こ
れによりＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート電圧は負にバイア
スされ過電流はしゃ断される。
Ｉ2Lによってフォトカプラ32から異常信号ＥＧが出力さ
れ、これによりタイマー33がタイムカウントを開始す
る。電流制限動作が所定時間継続して行われるとタイマ
ー33がカウントアップして出力信号ＬＫを“０”とし、
アンド回路11のゲートを閉じ駆動指令Ｓ0 が“１”の状
態であってもトランジスタ12を強制的にオフにする。こ
れによりＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート電圧は負にバイア
スされ過電流はしゃ断される。
【００３５】図２（ｂ）は負荷が短絡された状態におい
て駆動指令Ｓ0 を“１”にした場合のタイムチャートを
示した図である。時刻ｔ1 でＳ0 が“０”から“１”に
なるとゲート電圧ＶG が負から正に変化しＩＧＢＴ４
ａ，４ｂがオンしてＩＧＢＴ４ａには短絡電流が流れ始
めＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流Ｉ1 は急速に立上りトラ
ンジスタ55のコレクタに電流Ｉ2 が流れ電流制限動作を
開始する。この電流制限動作によりゲート電圧ＶG は時
刻ｔ2 で低い値に制御され電流Ｉ1 が所定値に制御され
る。この状態が所定時間継続して時刻ｔ3 になるとタイ
マー33の出力信号ＬＫが“１”から“０”になりゲート
電圧ＶG は負に戻されＩＧＢＴ４ａ，４ｂの電流は零に
なり電流Ｉ1 は零になる。
て駆動指令Ｓ0 を“１”にした場合のタイムチャートを
示した図である。時刻ｔ1 でＳ0 が“０”から“１”に
なるとゲート電圧ＶG が負から正に変化しＩＧＢＴ４
ａ，４ｂがオンしてＩＧＢＴ４ａには短絡電流が流れ始
めＩＧＢＴ４ｂのエミッタ電流Ｉ1 は急速に立上りトラ
ンジスタ55のコレクタに電流Ｉ2 が流れ電流制限動作を
開始する。この電流制限動作によりゲート電圧ＶG は時
刻ｔ2 で低い値に制御され電流Ｉ1 が所定値に制御され
る。この状態が所定時間継続して時刻ｔ3 になるとタイ
マー33の出力信号ＬＫが“１”から“０”になりゲート
電圧ＶG は負に戻されＩＧＢＴ４ａ，４ｂの電流は零に
なり電流Ｉ1 は零になる。
【００３６】なお、電流制限動作を行うとき、抵抗34と
コンデンサ35は遅れ回路として作用し、トランジスタ55
のゲイン（ΔＩ2 ／ΔＩ1 ）を大きくし図１（ｂ）のａ
−ｂ間を狭くしたときに発振を防ぎ、安定した動作を行
わせると共に、図２（ｂ）に示すようにゲート電圧ＶG
の低下する時刻ｔ2 を遅らせる作用を行う。この遅れ回
路及びゲート抵抗51とＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート・エ
ミッタ間の容量による遅れ回路の作用により電流Ｉ1 は
電流制限値に達するまでオーバーシュートする。このオ
ーバーシュートする電流Ｉ1 は、ＩＧＢＴを実際の回路
に適用する際に好都合の作用を行う。すなわち、前述し
た図９の回路のダイオード21Ｄに流れるリカバリー電流
による増加分（斜線部）を補う作用を行う。このように
本実施例では電流制限制御系のオーバーシュートを積極
的に利用することにより電流制限値を低く設定すること
ができる。なお、ＩＧＢＴと逆並列に接続するダイオー
ドのリカバリー電流が少ないときは図１の抵抗34、コン
デンサ35を省くことが可能である。
コンデンサ35は遅れ回路として作用し、トランジスタ55
のゲイン（ΔＩ2 ／ΔＩ1 ）を大きくし図１（ｂ）のａ
−ｂ間を狭くしたときに発振を防ぎ、安定した動作を行
わせると共に、図２（ｂ）に示すようにゲート電圧ＶG
の低下する時刻ｔ2 を遅らせる作用を行う。この遅れ回
路及びゲート抵抗51とＩＧＢＴ４ａ，４ｂのゲート・エ
ミッタ間の容量による遅れ回路の作用により電流Ｉ1 は
電流制限値に達するまでオーバーシュートする。このオ
ーバーシュートする電流Ｉ1 は、ＩＧＢＴを実際の回路
に適用する際に好都合の作用を行う。すなわち、前述し
た図９の回路のダイオード21Ｄに流れるリカバリー電流
による増加分（斜線部）を補う作用を行う。このように
本実施例では電流制限制御系のオーバーシュートを積極
的に利用することにより電流制限値を低く設定すること
ができる。なお、ＩＧＢＴと逆並列に接続するダイオー
ドのリカバリー電流が少ないときは図１の抵抗34、コン
デンサ35を省くことが可能である。
【００３７】また、ＩＧＢＴの温度Ｔc と短絡耐量時間
ｔの間には図３（ａ）のような関係にあり、温度が高く
なると耐量時間が短くなる。例えばＴc が 125℃の場合
は25℃の場合に比較して耐量時間はほぼ半減する。
ｔの間には図３（ａ）のような関係にあり、温度が高く
なると耐量時間が短くなる。例えばＴc が 125℃の場合
は25℃の場合に比較して耐量時間はほぼ半減する。
【００３８】そこでトランジスタ55のスレッショルド電
圧が温度に応じて低下する特性を利用し、ＩＧＢＴの温
度に近い場所（例えばエミッタのボンディング部が望ま
しいが少し離れた絶縁パット部でもよい）にバイポーラ
トランジスタ55を配設することにより図３（ｂ）に示す
ように短絡電流（電流制限値）をＩＧＢＴの温度上昇に
伴って低下させ、見かけ上の短絡耐量時間を延ばすこと
ができる。図３（ｃ）はトランジスタ55としてＭＯＳＦ
ＥＴを用いた場合を示したもので温度の影響を受けず一
定の電流となる。しかし、この場合においても抵抗52を
ＩＧＢＴの温度に近い場所に配設し、正の温係数のもの
を使用して図３（ｂ）のような特性とすることが可能で
ある。
圧が温度に応じて低下する特性を利用し、ＩＧＢＴの温
度に近い場所（例えばエミッタのボンディング部が望ま
しいが少し離れた絶縁パット部でもよい）にバイポーラ
トランジスタ55を配設することにより図３（ｂ）に示す
ように短絡電流（電流制限値）をＩＧＢＴの温度上昇に
伴って低下させ、見かけ上の短絡耐量時間を延ばすこと
ができる。図３（ｃ）はトランジスタ55としてＭＯＳＦ
ＥＴを用いた場合を示したもので温度の影響を受けず一
定の電流となる。しかし、この場合においても抵抗52を
ＩＧＢＴの温度に近い場所に配設し、正の温係数のもの
を使用して図３（ｂ）のような特性とすることが可能で
ある。
【００３９】なお、ＩＧＢＴ４ａとＩＧＢＴ４ｂをそれ
ぞれ別のチップで構成する場合、ＩＧＢＴ４ｂのゲート
電圧は抵抗52の電圧降下の分だけ低くなり、ＩＧＢＴ４
ａに流れる主電流とＩＧＢＴ４ｂに流れる検出電流との
比例関係が得られない場合がある。このような場合、Ｉ
ＧＢＴ４ｂのゲートのスレッショルド電圧を電流制限が
動作するときの抵抗52の電圧降下に見合った分だけ低く
設定して、電流制限が動作する範囲において主電流と検
出電流の比例関係が成立するようにしもよい。本発明の
第２実施例を図４に示す。図４（ａ）は要部構成を示し
た図で、図４（ｂ）はその作用を説明するための波形図
である。
ぞれ別のチップで構成する場合、ＩＧＢＴ４ｂのゲート
電圧は抵抗52の電圧降下の分だけ低くなり、ＩＧＢＴ４
ａに流れる主電流とＩＧＢＴ４ｂに流れる検出電流との
比例関係が得られない場合がある。このような場合、Ｉ
ＧＢＴ４ｂのゲートのスレッショルド電圧を電流制限が
動作するときの抵抗52の電圧降下に見合った分だけ低く
設定して、電流制限が動作する範囲において主電流と検
出電流の比例関係が成立するようにしもよい。本発明の
第２実施例を図４に示す。図４（ａ）は要部構成を示し
た図で、図４（ｂ）はその作用を説明するための波形図
である。
【００４０】ＩＧＢＴの負荷が短絡された状態において
駆動指令が与えられ時刻ｔ1 でゲート電圧ＶG が負から
正になるとＩＧＢＴに短絡電流が流れ、短絡電流に比例
した検出電流Ｉ1 が流れる。これによりトランジスタ55
のコレクタにダイオード31、ゼナーダイオード44を介し
て電流Ｉ2 が流れると抵抗16に電圧降下が生じ時刻ｔ2
でゲート電圧ＶG は短絡電流を電流制限値に抑制する値
まで低下する。また、抵抗37, 38を介して電流が流れ電
流制限の動作開始と同時にトランジスタ39がオンしてタ
イムディレイ回路40のタイムカウントを開始させる。所
定時間経過後の時刻ｔ3 でタイムディレイ回路40から制
御信号ｃが出力され抵抗41を介してＭＯＳＦＥＴ43のゲ
ートに正の電圧が加えられる。ＭＯＳＦＥＴ43のゲート
にはコンデンサ42が備えられ、そのゲート電圧は遅れを
持って立上り時刻ｔ4 でＭＯＳＦＥＴ43は徐々に導通を
開始し、ＩＧＢＴのゲート電圧ＶG をゼロより稍高い値
に向かって徐々に低下させる。これによりＩＧＢＴの電
流は徐々に減少して零になりその検出電流Ｉ1 も図示の
ように徐々に減少して零となる。フォトカプラ32はＭＯ
ＳＦＥＴ43に流れる電流により作動して異常信号ＥＧを
出力する。この信号ＥＧにより駆動指令の出力を中止さ
せ時刻ｔ5 でゲート電圧ＶG は負にバイアスされる。こ
の第２実施例によれば過電流が所定時間継続して流れた
後、徐々に減少させるのでサージ電圧を低い値とするこ
とができる。なおゼナーダイオード44はゲート電圧を下
げすぎないようにリミットするためのもので抵抗で代替
してもよく省略することも可能である。また、オーバー
シュート量を調節するための遅れ回路はトランジスタ55
の後段に増幅回路等を設けてその部分に追加することが
できる。
駆動指令が与えられ時刻ｔ1 でゲート電圧ＶG が負から
正になるとＩＧＢＴに短絡電流が流れ、短絡電流に比例
した検出電流Ｉ1 が流れる。これによりトランジスタ55
のコレクタにダイオード31、ゼナーダイオード44を介し
て電流Ｉ2 が流れると抵抗16に電圧降下が生じ時刻ｔ2
でゲート電圧ＶG は短絡電流を電流制限値に抑制する値
まで低下する。また、抵抗37, 38を介して電流が流れ電
流制限の動作開始と同時にトランジスタ39がオンしてタ
イムディレイ回路40のタイムカウントを開始させる。所
定時間経過後の時刻ｔ3 でタイムディレイ回路40から制
御信号ｃが出力され抵抗41を介してＭＯＳＦＥＴ43のゲ
ートに正の電圧が加えられる。ＭＯＳＦＥＴ43のゲート
にはコンデンサ42が備えられ、そのゲート電圧は遅れを
持って立上り時刻ｔ4 でＭＯＳＦＥＴ43は徐々に導通を
開始し、ＩＧＢＴのゲート電圧ＶG をゼロより稍高い値
に向かって徐々に低下させる。これによりＩＧＢＴの電
流は徐々に減少して零になりその検出電流Ｉ1 も図示の
ように徐々に減少して零となる。フォトカプラ32はＭＯ
ＳＦＥＴ43に流れる電流により作動して異常信号ＥＧを
出力する。この信号ＥＧにより駆動指令の出力を中止さ
せ時刻ｔ5 でゲート電圧ＶG は負にバイアスされる。こ
の第２実施例によれば過電流が所定時間継続して流れた
後、徐々に減少させるのでサージ電圧を低い値とするこ
とができる。なおゼナーダイオード44はゲート電圧を下
げすぎないようにリミットするためのもので抵抗で代替
してもよく省略することも可能である。また、オーバー
シュート量を調節するための遅れ回路はトランジスタ55
の後段に増幅回路等を設けてその部分に追加することが
できる。
【００４１】また、本発明は、ＩＧＢＴ４ａ，４ｂと、
トランジスタ55及び抵抗52, 56で成るレベル検出部を１
つのパッケージ内に収納したＩＧＢＴモジュールとして
構成することで主回路構成の自由度の大きい使い勝手の
良いスイッチ装置とすることができる。すなわち、この
ＩＧＢＴモジュールを並列接続して使用する場合に最も
早く動作するレベル検出部の出力信号により並列接続し
た全てのＩＧＢＴのゲート電圧を抑制して過電流保護す
ることが可能になり、大容量化した場合でも容易に過電
流保護を行うことが可能となる。
トランジスタ55及び抵抗52, 56で成るレベル検出部を１
つのパッケージ内に収納したＩＧＢＴモジュールとして
構成することで主回路構成の自由度の大きい使い勝手の
良いスイッチ装置とすることができる。すなわち、この
ＩＧＢＴモジュールを並列接続して使用する場合に最も
早く動作するレベル検出部の出力信号により並列接続し
た全てのＩＧＢＴのゲート電圧を抑制して過電流保護す
ることが可能になり、大容量化した場合でも容易に過電
流保護を行うことが可能となる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の保護機能を備えたスイッチ装置
によれば、レベル検出手段の設定電圧をトランジスタの
温度が上昇すると低下するように設定することにより、
電流制限値が低下し、温度が上昇しても確実な過電流保
護を行うことができる。
によれば、レベル検出手段の設定電圧をトランジスタの
温度が上昇すると低下するように設定することにより、
電流制限値が低下し、温度が上昇しても確実な過電流保
護を行うことができる。
【００４３】また、電流しゃ断手段は駆動電圧をゼロよ
りも稍高い値に向かって徐々に低下させて主電流を零に
することにより、過電流をしゃ断するときのサージ電圧
を抑制することができるので、更に信頼性の高い保護機
能を備えたスイッチ装置を提供することができる。
りも稍高い値に向かって徐々に低下させて主電流を零に
することにより、過電流をしゃ断するときのサージ電圧
を抑制することができるので、更に信頼性の高い保護機
能を備えたスイッチ装置を提供することができる。
【図１】本発明の保護機能を備えたスイッチ装置の第１
実施例を示す図で（ａ）はその構成図（ｂ）は要部の特
性図
実施例を示す図で（ａ）はその構成図（ｂ）は要部の特
性図
【図２】上記第１実施例の作用を説明するための図で
（ａ）はＩＧＢＴの特性図（ｂ）は動作波形図
（ａ）はＩＧＢＴの特性図（ｂ）は動作波形図
【図３】上記第１実施例の他の作用を説明するための図
で（ａ）はＩＧＢＴの特性図（ｂ）（ｃ）は電流波形図
で（ａ）はＩＧＢＴの特性図（ｂ）（ｃ）は電流波形図
【図４】本発明の第２実施例を示す図で（ａ）はその要
部構成図（ｂ）は動作波形図
部構成図（ｂ）は動作波形図
【図５】技術的背景を説明するための図で（ａ）はＩＧ
ＢＴの特性図（ｂ）はＩＧＢＴが使用される一般的な主
回路構成図
ＢＴの特性図（ｂ）はＩＧＢＴが使用される一般的な主
回路構成図
【図６】ＩＧＢＴの過電流に対する耐量時間を示す特性
図で、その試験回路を一緒に示している。
図で、その試験回路を一緒に示している。
【図７】従来の過電流保護機能を備えたＩＧＢＴを示す
図で（ａ）はその要部構成図（ｂ）は負荷短絡耐量分布
図（ｃ）は負荷短絡試験波形図（ｄ）（ｅ）は要部（Ｎ
ＬＵ）の具体的構成図
図で（ａ）はその要部構成図（ｂ）は負荷短絡耐量分布
図（ｃ）は負荷短絡試験波形図（ｄ）（ｅ）は要部（Ｎ
ＬＵ）の具体的構成図
【図８】上記従来構成の問題点を説明するための特性図
【図９】ＩＧＢＴを使用した主回路の動作上における問
題を説明するための主回路要部構成図と動作波形図を一
緒に示した図
題を説明するための主回路要部構成図と動作波形図を一
緒に示した図
４…ＩＧＢＴ、４ａ…主ＩＧＢＴ、４ｂ…センスＩＧＢ
Ｔ、11…アンド回路、12,14,15,17,18,39,55…トランジ
スタ、13,32 …フォトカプラ、16,34,36,37,38,41,51,5
2,56…抵抗、19,20 …ゲート電源、31…ダイオード、33
…タイマー、35…コンデンサ、43…ＭＯＳＦＥＴ、44…
ゼナーダイオード。
Ｔ、11…アンド回路、12,14,15,17,18,39,55…トランジ
スタ、13,32 …フォトカプラ、16,34,36,37,38,41,51,5
2,56…抵抗、19,20 …ゲート電源、31…ダイオード、33
…タイマー、35…コンデンサ、43…ＭＯＳＦＥＴ、44…
ゼナーダイオード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秀島 誠 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 多摩川工場内 (56)参考文献 特開 平３−207214（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−229757（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−226808（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−96618（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−236122（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−183209（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02H 3/08 - 3/253
Claims (2)
- 【請求項１】 駆動電圧に応じて主電流を制御すること
の可能なトランジスタと、該トランジスタに並列接続さ
れ前記主電流に対応した検出電圧を出力する電流検出手
段を備えた装置において、前記検出電圧が設定電圧を越
える範囲で前記検出電圧に比例した制御信号を出力する
レベル検出手段と、前記設定電圧を前記トランジスタの
温度上昇に伴って低下させる短絡耐量調整手段と、前記
制御信号により前記駆動電圧を調節して前記主電流を制
限制御する電流制御手段と、前記制御信号が出力された
とき異常信号を出力し、この異常信号が所定時間継続し
て出力されたとき前記駆動電圧をオフ状態に制御して前
記主電流を零にする駆動指令制御手段を設けたことを特
徴とする保護機能を備えたスイッチ装置。 - 【請求項２】 駆動電圧に応じて主電流を制御すること
の可能なトランジスタと、該トランジスタに並列接続さ
れ前記主電流に対応した検出電圧を出力する電流検出手
段を備えた装置において、前記検出電圧が設定電圧を越
える範囲で前記検出電圧に比例した制御信号を出力する
レベル検出手段と、前記制御信号により前記駆動電圧を
調節して前記主電流を制限制御する電流制御手段と、前
記制御信号が第１の所定時間継続して出力されたとき、
前記駆動電圧をゼロよりも稍高い値に向かって徐々に低
下させる電流しゃ断手段と、前記制御信号が第１の所定
時間よりも長い第２の所定時間継続して出力されたと
き、前記駆動電圧をオフ状態に制御する駆動指令制御手
段とを設けたことを特徴とする保護機能を備えたスイッ
チ装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25030892A JP3325303B2 (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 保護機能を備えたスイッチ装置 |
| US08/121,641 US5485341A (en) | 1992-09-21 | 1993-09-16 | Power transistor overcurrent protection circuit |
| DE69310679T DE69310679T2 (de) | 1992-09-21 | 1993-09-20 | Überstromschutzschaltung für einen Leistungstransistor |
| KR1019930019063A KR970003185B1 (ko) | 1992-09-21 | 1993-09-20 | 파워트랜지스터용 과전류 보호회로 |
| EP93307423A EP0599455B1 (en) | 1992-09-21 | 1993-09-20 | Power transistor overcurrent protection circuit |
| AU47490/93A AU663972B2 (en) | 1992-09-21 | 1993-09-21 | Power transistor overcurrent protection circuit |
| CN93119033A CN1049770C (zh) | 1992-09-21 | 1993-09-21 | 功率晶体管过电流保护电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25030892A JP3325303B2 (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 保護機能を備えたスイッチ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06105448A JPH06105448A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3325303B2 true JP3325303B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=17205978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25030892A Expired - Fee Related JP3325303B2 (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 保護機能を備えたスイッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3325303B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102290795A (zh) * | 2011-08-30 | 2011-12-21 | 东莞市精诚电能设备有限公司 | 一种保护完善的igbt驱动器 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3367699B2 (ja) * | 1993-01-08 | 2003-01-14 | 本田技研工業株式会社 | 過電流保護回路 |
| JPH11112313A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路及びパワートランジスタ保護回路 |
| JP5235151B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2013-07-10 | 株式会社Ｎｔｔファシリティーズ | トランジスタ駆動回路、半導体遮断器及びトランジスタ駆動方法 |
| CN110521122B (zh) * | 2017-10-17 | 2023-06-13 | 富士电机株式会社 | 过电流检测装置、控制装置及过电流检测方法 |
| CN115296272B (zh) * | 2022-10-08 | 2023-01-06 | 美世乐(广东)新能源科技有限公司 | 一种逆变器的过流保护方法 |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP25030892A patent/JP3325303B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102290795A (zh) * | 2011-08-30 | 2011-12-21 | 东莞市精诚电能设备有限公司 | 一种保护完善的igbt驱动器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105448A (ja) | 1994-04-15 |
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