FI103405B - Lasilevy, joka on tarkoitettu käytettäväksi alustana elektronisten lai tteiden valmistuksessa - Google Patents

Description

103405

Lasilevy, joka on tarkoitettu käytettäväksi alustana elektronisten laitteiden valmistuksessa - Glasskiva avsedd att användas som underlag vid framställning av elektroniska apparater 5 Tämä keksintö koskee lasilevyä, joka on tarkoitettu käytettäväksi alustana elektronisten laitteiden valmistuksessa.

Tällaisissa sovellutuksissa käyttäviä laseja tunnetaan useita, ja ne kuuluvat suurim-10 maksi osaksi suureen alumino-borosilikaattilasien ryhmään, jotka sisältävät maa-alkalioksideja.

Lasit valitaan niiden fysikaalis-kemiallisten ominaisuuksien mukaan, joita alustalla tulee olla. Kun lasialustan pinnalle tehdään ohutkerrostransistoriverkosto, kerros 15 syntyy useamman sellaisen vaiheen jälkeen, jossa lasi altistuu suhteellisen korkeille lämpötiloille. Lasi ei saa muuttaa muotoaan näiden vaiheiden aikana, ja sillä tulee siis olla mahdollisimman korkea muodonmuutospistettä (strain point) pienempi lämpötila. Lisäksi alustan muodostavan lasin lämpölaajenemiskertoimen tulee olla yhteensopiva sen pinnalle pantavien kerrosten kertoimen kanssa. Lasi ei myöskään saa 20 käytännöllisesti katsoen lainkaan sisältää aineita, jotka voisivat migroitua muodostettuihin kerroksiin ja huonontaa transistoriverkoston ominaisuuksia. Tällaisia aineita ovat erityisesti alkalimetallit.

Myös lasien viskositeetti- ja devitrifikaatio-ominaisuuksien tulee olla valittuun me-25 netelmään sopivia, jotta saatava lasilevy olisi mahdollisimman tasapaksu ja sen pinta mahdollisimman tasainen.

Lisäksi näiden lasien tulee kestää happamia kemikaaleja hyvin, erityisesti fluorive-tyhappopohjaisia liuoksia.

30

Eräässä käytetyssä menetelmässä sula lasi saatetaan laitteeseen, jonka alaspäin ka-penevien sivuseinämien korkeimmat kohdat toimivat ylitereunoina. Lasi valuu pitkin sivuseinämiä ja muodostaa kaksi virtaa, jotka yhtyvät laitteen kärjessä, minkä jälkeen suoritetaan vetäminen pystysuunnassa tasaisen levyn muotoon. Tällaisessa 35 menetelmässä lasin täytyy likviduslämpötilassa olla viskositeetiltaan vähintään 2-3.105 poisia. Tällaisia laseja kuvaa esimerkiksi US-A-4 824 808.

2 103405

Eräässä toisessa menetelmässä sula lasi levitetään tinakylpyyn tunnettua kelluvan lasin menetelmää käyttäen. Lasikoostumuksia, jotka sopivat kellutusmenetelmään kuvaa erityisesti WO-89/02877.

5 Tällaiset lasit kuuluvat runsaasti maa-alkalimetallioksideja sisältävien aluminoboro-silikaattien ryhmään. Vaikka lasien fysikaalis-kemialliset ominaisuudet ovat käyttötarkoitukseen sopivat, ne sisältävät prosentuaalisesti merkittävän määrän kalliita oksideja kuten B2O3, SrO ja BaO. Lisäksi ne ovat suhteellisen viskoosisia kelluvan lasin menetelmään, kuten tulee esiin tätä keksintöä kuvaavista esimerkeistä. Lämpö-10 tila, joka vastaa log n = 4 on 1150 °C tai enemmän, jopa 1200 °C. Samaa viskositeettia vastaava lämpötilahan tavallisella kellutettavalla lasilla (pii-natrium-kalsium) on 1000-1050 °C.

Tämän keksinnön kohteena ovat lasilevyt, jotka voivat kellua, joiden fysikaalis-15 kemialliset ominaisuudet vastaavat aktiivisen matriisin kuvaruutujen alustoilta vaadittavia ominaisuuksia ja jotka ovat taloudellisia.

Tarkemmin sanoen keksintö koskee lasilevyjä, jotka muodostuvat tinakylvyn pintaan matalammassa lämpötilassa kuin tunnetut tällaisiin sovelluksiin käytetyt lasit.

20

Keksinnön kohteena ovat myös lasilevyt, jotka sisältävät kalliita aineosia rajoitetusti.

Tähän päästään lasilevyillä, jotka sisältävät seuraavia aineosia, joiden rajat on ilmoi-25 tettu kationisina prosenttimäärinä:

Si02 + B203 57-67 % jossa B2O3 5-20 % AI2O3 14-18% 30 RO (CaO + MgO + BaO + SrO) 18-25 % jossa CaO/RO > 0,7 ja CaO > 18 % F2 0-3 %

Na20 + K20 0-0,5 %

Ti02 0-2,5 % 35 Fe203 < 0,5 % F2 katsotaan kationiksi.

3 103405

Levyn muodostavalla lasikoostumuksella on alin päästölämpötila, joka on yli 630 °C, ja lämpölaajenemiskerroin, joka on alle 55.10'7/°C.

Keksinnön mukaiset lasilevyt eivät sisällä sinkkioksidia, sillä laseissa, jotka sitä si-5 sältävät, tämä oksidi osittain pelkistyy kosketuksissa tinakylpyyn ja kylvyn yläpuolella vallitsevaan pelkistävään ilmakehään. Lasinauhan pintakoostumus eroaa siis huomattavasti alempana olevasta lasista, ja se näkyy tasaisuusvirheinä nauhassa.

S1O2 ja B2O3 ovat keksinnön mukaisten lasien lasisen verkoston muodostavien lasi-10 en pääasialliset oksidit, joita tarvitaan niiden stabiiliuden vuoksi.

Kun näiden kahden oksidin yhteismäärä kationisena prosenttimääränä on alle 57 %, voidaan havaita lasin kemiallisen kestävyyden heikkenemistä ja devitrifikaatioil-miön pahenemista, jotka liittyvät siihen, että läsnä on liikaa muita keksinnön mukai-15 sen koostumuksen aineosia.

Kun näiden kahden oksidin yhteismäärä on kationisena prosenttimääränä yli 67 % ja B2C>3-pitoisuus on pieni, lasin sulaminen vaikeutuu, sen viskositeetti lisääntyy huomattavasti ja piidioksidipohjaisten kiteiden muodossa ilmenevä devitrifioituminen 20 lisääntyy nopeasti.

Tässä yhteydessä B203-pitoisuus ei saa olla kationisena prosenttimääränä alle 5 % jotta devitrifioituminen pysyisi hyväksyttävissä rajoissa. Tätä oksidia tarvitaan lisäksi parantamaan lasin kemiallista kestävyyttä, erityisesti fluorivetyhappoa vastaan, 25 helpottamaan sen sulamista, pienentämään sen viskositeettia samoin kuin sen laajen- : tumiskerrointa. Jos B203-määrä on kationisena prosenttimääränä yli 20 %, se ei • · enää paranna keksinnön mukaisten lasien kemiallista kestävyyttä ja pienentää muo-donmuutospistettä pienempää lämpötilaa. Lisäksi suurempi tämän oksidin pitoisuus lisää lasitettavan seoksen kustannuksia ja korostaa aineen häviämisongelmia sulami- .·: *; 30 sen aikana ja on näin haitallista lasin homogeenisuudelle.

• · · • · · *· ^ Tarkemmin sanoen keksinnön mukaisten lasilevyjen SiCVpitoisuus kationisena pro- ’ senttimääränä ilmaistuna on 42-53 %.

. 35 AI2O3 toimii stabilisaattorina keksinnön mukaisissa lasilevyissä. Se nostaa muodon- . *. : muutospistettä pienempää lämpötilaa ja lisää jossain määrin lasien kemiallista kes tävyyttä. Kationisena prosenttimääränä alle noin 14 % tai yli noin 18 % oleva Al203-pitoisuus lisää devitrifioitumista.

4 103405

Maa-alkalimetallien oksideilla on myös tärkeä vaikutus keksinnön mukaissa laseissa: ne edistävät sulamista ja vähentävät viskositeettia.

Näistä oksideista CaO:lla on erityinen asema. Se helpottaa lasin sulamista, vähentää 5 sen viskositeettia ja alentaa likviduslämpötilaa. Tämä oksidi myös kohottaa muo-donmuutospistettä pienempää lämpötilaa kasvattamatta liikaa laajentumiskerrointa.

Jotta nämä vaikutukset kohdistuisivat keksinnön mukaisiin laseihin, CaO:n kationi-sen prosenttimäärän tulee olla vähintään 18 %. Lisäksi CaO:n kationisen prosentti-10 määrän tulee olla vähintään 70 % lasiin lisättävien maa-alkalimetallien kokonaisuuden kationisten prosenttimäärien yhteismäärästä, jonka vaihteluväli on 18-25 %.

Kun tämä yhteismäärä on alle 18 %, lasin viskositeetti ei pienene korkeissa lämpötiloissa tarpeeksi. Kun yhteismäärä on yli 25 %, devitrifioitumistaipumus lisääntyy 15 huomattavasti, ja myös laajentumiskerroin kasvaa, sitä nopeammin, mitä suuremmat BaO- ja SrO-pitoisuudet ovat.

Tarkemmin sanoen keksinnön mukaiset lasilevyt sisältävät kationisina prosenttimäärinä 0-5 % MgO, 0-4 % BaO ja 0-4 % SrO.

20

MgO-lisäys vähentää lasin viskositeettia ja sen laajenemiskerrointa ja lisää sen kemiallista kestävyyttä. Yli 5 prosentin määrä nopeuttaa lasin devitrifioitumista, joka ilmenee liian korkeissa lämpötiloissa.

25 BaO- ja/tai SrO-lisäykset edistävät lasin viskositeetin vähenemistä korkeissa läm- • k k : V Potiloissa. Lisäksi nämä oksidit vähentävät devitrifioitumisen mahdollisuutta. Kun :/·· niitä lisätään keksinnön mukaisiin lasilevyihin tarpeeksi, lämpölaajenemiskerroin kasvaa.

• 30 Jotta vältyttäisiin alkuaineiden migroitumiselta alustaa peittävän kerroksen pintaan, keksinnön mukaiset lasit sisältävät hyvin vähän tai eivät lainkaan aikalisiä oksideja.

• · ·

Maksimaalinen tällaisten oksidien pitoisuus on noin 0,5 % kationisina prosentti-': : määrinä ilmoitettuna.

35 Keksinnön mukaiset lasilevyt voivat sisältää myös muita aineosia, esimerkiksi . : Ti02:ta, joka parantaa lasin kemiallista kestävyyttä, fluoria, joka edistää lasin sula mista, vähentää sen viskositeettia ja lisää sen kemiallista kestävyyttä kun sitä käyte- 5 103405 tään kalkin asemesta, sekä myös rautaoksidia. Kokonaisrautamäärä, Fe203:n muodossa, on alle noin 0, 5 % kationisina prosenttimäärinä ilmoitettuna.

Edullisesti keksinnön mukaiset lasilevyt sisältävät seuraavia aineosia, määrien rajat 5 kationisina prosenttimäärinä:

Si02 42-53 % B203 5-20 % A1203 14-18 % 10 CaO 18-22 %

MgO 0-5 %

BaO 0-4 %

SrO 0-4 %

Na20 + K20 0-0,5 % 15 Ti02 0-2,5 %

Fe203 < 0,5 % F2 0-3 % jolloin summa Si02 + B203 on alueella 57-67 %, maa-alkalimetallien oksidien yh-20 teismäärä (RO) on alueella 18-25 % ja CaO/RO > 0,7.

Keksinnön mukaisten lasilevyjen kustannusten minimoimiseksi käyttötarkoitukseen tarvittavia fysikaalis-kemiallisia ominaisuuksia huonontamatta barium- ja strontium-oksidien kationisten prosenttimäärien summa saisi edullisesti olla 6 % tai vähem-25 män.

• · * • · • · • ·

Jotta estettäisiin täysin alkuaineiden migroitumiselta koostumukseltaan kuvatunlai-:T: sesta lasilevystä muodostuvaa alustaa peittävän kerroksen pintaan, keksinnön mu kaiset lasit sisältävät Na20:ta edullisesti kationisena prosenttimääränä alle noin 0,2 30 prosenttia.

• · · • · · • · · *· ^ Keksinnön mukaisten lasien edut tulevat selvemmin esiin esimerkeistä, jotka ilme- * ' nevät oheen liitetystä taulukosta.

. :·. 35 Keksinnön mukaisten lasien lämpötilaa, devitrifioitumista ja viskositeettia koskevat .·. : ominaisuudet on mitattu alan asiantuntijan hyvin tuntemin menetelmin. Kemiallista kestävyyttä arvioitiin mittaamalla kahdelta puolelta kiillotetun 15x30x6 mm:n lasilevyn painon väheneminen happoliuoksessa pitämisen jälkeen. Väheneminen ilmoi 6 103405 tetaan mg/cm2:nä. Fluorivetyhaponkestävyys (Rhf) mitataan 7 tunnin pitämisen jälkeen huoneenlämpötilassa fluorivetyhapon ja ammoniumfluoridin vesiliuoksessa. Tämä syövyttävä liuos muodostetaan käyttämällä 50-prosenttista fluorivetyhappo-liuosta ja 40-prosenttista ammoniumfluoridiliuosta sekoitettuna painosuhteessa 1-7.

5

Keksinnön mukaiset lasit tehdään lasittuvista raaka-aineista, joista jotkut ovat peräisin luonnosta ja joiden tulee sisältää mahdollisimman vähän epäpuhtauksia.

Jotta saataisiin 100 g esimerkin 1 mukaista lasittuvaa seosta käytetään: 10

Roncevaux'n hiekka 55,327 g

Hydratoitu alumiinioksidi (Prolabo) : 21,760 g

Saint Germainin kalkkikivi 37,712 g

Magnesiumkarbonaatti 0,782 g 15 Boorihappo 15,793 g

Kipsi 0,295 g Tässä esimerkissä on käytetty kalsiumsulfaattia puhdistavana aineena. Tämän keksinnön mukaisten lasien valmistamisessa voidaan käyttää tähän tarkoitukseen mui-20 takin aineita kuten kalsium- ja bariumklorideja, ammoniumsulfaattia tai valkeaa arsenikkia.

Keksinnön mukaisten lasien alin päästölämpötila on yleensä yli 630 °C, lämpölaaje-nemiskerroin alle noin 55.10'7/°C ja ne kestävät erittäin hyvin fluorivetyhappoa.

25 i Keksinnön mukaiset lasit eroavat vielä edukseen siinä, että niiden viskositeetti vä- • · ·.1·· henee huomattavasti korkeissa lämpötiloissa. Yleisesti ottaen lämpötila log η = 3,5 on alle 1180 °C, joka vastaa log η = 4 on yleisesti ottaen alle 1120 °C. Näiden ominaisuuksien ansiosta keksinnön mukaisia laseja voidaan helposti kaataa tinakylvyn 30 pintaan ja saada, kelluvan lasin menetelmällä, nauhaa, jonka paksuus on täsmälli-• _ sesti säädettävissä. Tällaisesta nauhasta saadaan leikkaamalla alustalevyjä.

• · ♦ • * 1 Keksinnön mukaiset lasit erottuvat edukseen myös siinä, että niiden maksimaalinen ’·...· devitrifioitumisnopeus on hyvin pieni. Tämän ominaisuuden ansiosta ei ole vaaraa, 35 että lasi devitrifioituisi muovautumisensa aikana, vaikka likviduslämpötila nousisi : 1230°C:een.

7 103405

Keksinnön mukaisesti valmistettuja laseja voidaan käyttää alustoina, joille voidaan asettaa erilaisia pohjakerroksia (erityisesti Si, SiOx, indiumoksidit, tina (ITO) tai aluminium) valmistettaessa hienoa ohutkalvotransistoriverkostoa (TFT).

5 Keksinnön mukaisia laseja voidaan käyttää myös värillisten suodattimien valmistukseen. Lasi päällystetään esimerkiksi Cr- tai NiCr-kalvolla, joka sitten tartutetaan valolitografiaa käyttäen. Väripäällyste (punainen, vihreä, sininen) toteutetaan sitten värilisäyksellä ja valolitografian avulla. Lopuksi kaikki peitetään polyimidikerrok-sella ja vielä ITO:lla.

• · · • · • · • · • · · 1 · · • · · • · · • · · 8 103405 Ξ ^ O m VO m O m m Ο οο νο es m ΐ"·Λ «η —· ·—> ο e~ σ\

Em' 't οθ"’ (N θ' o" r-f O rt —" Ο VO m Ον" _</>« —! en <η ·—< γ~ '—ι <Λ VO CN -Η -Η ω — ~ — «

2 o o o o o O rS

. °, 'Ή O un o Tt οο e ό" σΓ m ο" —νο m" o tj· vo m" .S in —ι ·—> —> rt- m o voo — « vo rs ~ — td —ι —< —< ^ m m .(t rs oo r- vo en <—· r» E· o vo rj- o r~~ ov o o m _ _ ^ vo

—••tt oi en Οι —'O o vo m ~γμ o vo o O

w m —, — >n >n rs --· — — ω VO — — — —

00 <N — m ^ O -It (N ~ vD

S· rs 'fr m r-~ (N O o (N m __ _ r-' reen r- n rv r> O O ^^OO·' (N ^ oo ^ o o o >λ en en dj- O \o o <Ξ> td vo -d — — — * ^ O O O O o o g (N rn 0_ 0_ un N vo

.5 —" m" oo" re rs" o" n 2 m o 'O

[2 ^ ~ — — un -< ~ <n * o o o o o o E o rs m o o m vo Ä ·- ~ m oo m rs O m m oo m o „ <" m —' — — mun—ι — — rs

Ed vo —, — —, —;

1,5 rs vo oo o m (N

:« a o un d d d o °, d O O „ rS OV S

C .5 m nr oo rs o o o m en ovo dm σν d

"C t« m — — — *r> un (NO d ·— O O

:g U VO — — o— — — !C0 ---------------------- P oo f'- ov r-' t^tSO en m •g e n n d d d °. - o d o m d oo 5 .aom-σνθ m o —· 1 1 o—· o or~ o 4· oo1

-- - ^ ^ no dS

C/3 o ~ ··· ^ m O es vo o (S - m rs r~ Ί- ; Q< _· vc en o Tt ·η <s o C5 o vo^ — oc • . S .5 «" vf o' o’ oo o' o' o' 1 o’ r^·" § iC o' JCj S οΐ :·.: .S j2 ^ ^ ^ S ^ 2 S ~2 «· · n* ”” — — “~ — ^’ — —-—------ —" • · ‘ P m nr vo o\ (S ^ ro rs m • O · 'Ί " ” m^ o o. O, (N^ oc_ "S S <D rf Οι θ' un o‘o"o" 1 o" rs en SS o" ® d oo" S ---------------------- oj rs —ι rs m (N —ι r~ m r~ m ... .-2 g °° 'O d d d °.. °„ °. ®„ d o m d OO m d O .sort-oo mooo1 οσν o ov o rt οι οι ; ~ ---------------------- | ·. ·: S d-S υ « ° g ^ S m, ^ o ·'.··; :g | ^ U 43 "e ^ ·ί ^ :¾ S | -¾ s E II II e

& iS "S & Ί r P S

• '· S .S&Ön^gSoOOO^C

‘ — _ ^SEccjSwOo^r-'-P

• S® W5:3^0 — ""CC

·;' ; Sd Ί5* '—' ci. d. J2 -S? Jv en S ‘q. Ja £"T § S 8 \ö ö 3 o B e :o y ^ ε ε s -·ο e o 3^ "ΟπΟλΟλΟ ^O—. S S g-3- ^ d 5 «

i5"J 9-41¾^1¾ «°« «S ä°n „0,3 S l® ||u I |υ I

H <1 |c/3|^|u|S|v3|ffl|m|ti,|H|;z[^[[jH|c/3|S &|-i d|>d|S ^1^1.-] ^-]>—]|tad| *

Claims (8)

9 103405

1. Lasilevy, joka on tarkoitettu käytettäväksi alustana elektronisten laitteiden valmistuksessa, tunnettu siitä, että se sisältää seuraavia aineosia, joiden rajat on ilmoitettu kationisina prosenttimäärinä: 5 Si02 + B203 57-67% jossa B203 5-20 % A1203 14-18% RO (CaO + MgO + BaO + SrO) 18-25 % 10 jossa CaO/RO > 0,7 ja CaO > 18 % Na20 + K20 0-0,5 % Ti02 0-2,5 % Fe203 < 0,5 % F2 0-3 % 15 jossa F2 katsotaan kationiksi, ja että levyn muodostavalla lasikoostumuksella on alin päästölämpötila, joka on yli n 630 °C, ja lämpölaajenemiskerroin, joka on alle 55· 10' /°C.

2. Glasskiva enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den innehaller 42-53 % Si02 angett som katjoniska procentandelar.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lasilevy, tunnettu siitä, että sen Si02-pitoi- suus kationisina prosenttimäärinä ilmaistuna on 42-53 %.

3. Glasskiva enligt patentkrav 1, kännetecknad av att glassammansättningen har 15 följande halter av andra jordalkalimetalloxider än CaO, angivna som katjoniska procentandelar: MgO 0-5 % BaO 0-4 %

20 SrO 0-4 %

3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lasilevy, tunnettu siitä, että muiden maa-alkalimetallioksidien kuin CaO:n pitoisuudet lasikoostumuksessa kationisina pro- 4 · · : * : 25 senttimäärinä ovat seuraavat: • · • · · • ·« :T: MgO 0-5 % BaO 0-4 % SrO 0-4 % • · · 3o « · · *\ * 4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen lasilevy, tunnettu siitä, että se sisältää seu- • · •.' · · raavia aineosia, määrien rajat kationisina prosenttimäärinä: 103405 Si02 42-53 % B203 5-20 % A1203 14-18 % CaO 18-22 %

4. Glasskiva enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den innehaller följande komponenter, varvid mängdemas gränser anges som katjoniska procentandelar:

25 Si02 42-53 % i V B203 5-20 % :/.: A1203 14-18 % :7: CaO 18-22 % MgO 0-5 %

30 BaO 0-4 % SrO 0-4 % \ ’ Na20 + K20 0-0,5 % 7·: Ti02 0-2,5% • : Fe203 <0,5% ,·! 35 F2 0-3%

5. Glasskiva enligt patentkrav 4, kännetecknad av att summan av de katjoniska procentandelama av BaO och SrO är 6 % eller lägre. 103405

5 F2 0-3 % i vilka F2 betraktas som en katjon, och att den glassammansättning som utgör skivan har en lägsta emissionstemperatur som är over 630 °C och en värmeutvidgningskoefficient som är under 55· 10'7/°C. 10

5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen lasilevy, tunnettu siitä, että BaO:n ja SrO:n kationisten prosenttimäärien summa on 6 % tai sitä pienempi. 15

5 MgO 0-5 % BaO 0-4 % SrO 0-4 % Na20 + K20 0-0,5 % Ti02 0-2,5 %

10 Fe203 <0,5% F2 0-3 %

6. Glasskiva enligt patentkrav 4 eller 5, kännetecknad av att den katjoniska pro-centandelen av Na20 är under 0,2 %.

6. Patenttivaatimuksen 4 tai 5 mukainen lasilevy, tunnettu siitä, että Na20:n kari oninen prosenttimäärä on alle 0,2 %.

7. Glasunderlag pä vilket bildats ett tunnfilmstransistomät, kännetecknat av att 5 det bestär av en glasskiva enligt nägot av föregäende patentkrav.

7. Lasialusta, jolle on muodostettu ohutkalvotransistoriverkko, tunnettu siitä, että 20 se muodostuu jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukaisesta lasilevystä.

8. Lasialusta, jolle on asetettu erilaisia kerroksia muodostamaan värisuodattimia, tunnettu siitä, että se muodostuu jonkin patenttivaatimuksista 1-6 mukaisesta lasilevystä. 25 • · i : ·* Patentkrav • · • · · • I I « · • · · v ' 1. Glasskiva avsedd att användas som underlag vid framställning av elektroniska apparater, kännetecknad av att den innehäller följande komponenter, vilkas gränser :Y: 30 angivits som katjoniska procentandelar: • · • · · • · · • · · / . Si02 + B203 57-67 % varvid B203 5-20% A1203 14-18% ; 35 RO (CaO + MgO + BaO + SrO) 18-25% il 103405 varvid CaO/RO > 0,7 och CaO > 18 % Na20 + K20 0-0,5 % Ti02 0-2,5 % Fe203 < 0,5 %

8. Glasunderlag, pä vilket olika skikt placerats för att bilda färgfilter, kännetecknat av att det bestär av en glasskiva enligt nägot av patentkraven 1-6. »» · • · · « · • · • « • · · • ·< • · • I · • · · • · · * · • » » • · « • · ··* • · ♦ • » · « • « • · · • · · • · «