PL168761B1 - Masa szklana na podloza elementów elektronicznych PL - Google Patents
Masa szklana na podloza elementów elektronicznych PLInfo
- Publication number
- PL168761B1 PL168761B1 PL92295071A PL29507192A PL168761B1 PL 168761 B1 PL168761 B1 PL 168761B1 PL 92295071 A PL92295071 A PL 92295071A PL 29507192 A PL29507192 A PL 29507192A PL 168761 B1 PL168761 B1 PL 168761B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- glass
- cao
- percentage
- oxides
- cations
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
1. Masa szklana na podloza elementów elektronicznych, znamienna tym, ze zawiera nastepujace tlenki: SiO2, B2O3, AI2O3, CaO, F2O3, ewentualnie MgO, BaO, SrO, Na2 0 , K20 , T i02 i F2 w ilosciach okreslonych iloscia procentowa kationów nastepujacych pierwiastków: Si + B od 57 do 67%, z B od 5 do 20%, Al od 14 do 18%, R (Ca + Mg + Ba + Sr) od 18 do 25%, z Ca/R = 0,7 i Ca = 17%, Na + K od 0 do 5%, Ti od 0 do 2,5%, Fe = 0,5%, F od 0 do 3%, gdzie fluor jest przyswajalny z kationem. PL
Description
Przedmiotem wynalazku jest masa szklana na podłoża elementów elektronicznych, na których są wykonywane tranzystory cienkowarstwowe lub które są stosowane do produkcji ekranów, takich jak ekrany na ciekłych kryształach.
Znane są różne szkła stosowane w tej dziedzinie, które należą przeważnie do dużej rodziny szkieł glinoborokrzemianowych, zawierających tlenki metali ziem alkalicznych.
Dobór szkła następuje w zależności do własności fizykochemicznych, jakie podłoże powinno posiadać. Wówczas gdy na powierzchni szklanego podłoża występuje układ tranzystorów cienkowarstwowych, ta cienka warstwajest uzyskiwana w wyniku operacji, podczas których szkło zostało poddane stosunkowo wysokim temperaturom. Podczas tych operacji szkło nie powinno odkształcać się i powinno mieć dolną temperaturę wyżarzania, czyli punkt odprężenia, możliwie najwyższą. Ponadto współczynnik rozszerzalności cieplnej szkła tworzącego podłoże powinien być zgodny za współczynnikiem rozszerzalności cieplnej warstw nakładanych na jego powierzchnię. Szkło nie powinno zawierać pierwiastków przemieszczających się wewnątrz wytworzonych warstw i niszczących własności układu tranzystorów, co szczególnie dotyczy pierwiastków alkalicznych.
Szkło powinno również posiadać własności, takie jak lepkość i rekrystalizacja, dostosowane do wybranego procesu wytwarzania podłoża szklanego o jak najbardziej równomiernej grubości i gładkiej powierzchni. Szkło powinno posiadać także dobrą odporność chemiczną w środowisku kwaśnym, zwłaszcza w przypadku roztworów na bazie kwasu fluorowodorowego.
Znany jest z opisu patentowego USA nr 4 824 808 sposób otrzymywania podłoża z masy szklanej, który polega na doprowadzaniu masy szklanej do urządzenia, którego szczyt bocznych ścianek, schodzących się w dół, pełni rolę spustu. Masa szklana przelewa się wzdłuż bocznych ścianek, tworząc w ten sposób dwa strumienie łączące się u wierzchołka urządzenia, prowadzone
168 761 od góry do dołu do postaci płaskiej płytki. Proces ten wymaga, żeby szkło miało przy temperaturze likwidusu lepkość przynajmniej równą 2 do 3,1θ5 puazów.
Znany jest ze zgłoszenia patentowego nr WO 89/02877 sposób otrzymywania podłoża z masy szklanej, który polega na nakładaniu masy szklanej na powierzchnię kąpieli cynowo-metalowej zgodnie ze znaną techniką szkła pływającego w cieczy. Masy szklane tzw. pływające są stosowane na podłoża ekranów płaskich.
Powyższe szkła należą do rodziny glino-borokrzemianów zawierających dużo tlenków metali ziem alkalicznych. W składzie szkieł mających dobre własności fizykochemiczne ze względu na rozważane zastosowanie, udział procentowy uciążliwych tlenków, jak B 2O 3, SrO i BaO, jest wysoki. Są one stosunkowo lepkie przy procesie szkła pływającego, co przedstawiono w przykładach opisujących wynalazek, gdzie temperatura odpowiadająca log η =4 jest równa lub wyższa od 1 l50°C, a nawet 1200°C. Dla porównania temperatura odpowiadająca tej samej lepkości dla zwykłego szkła pływającego krzemowo-sodowo-wapniowego jest zawarta pomiędzy 1000 i 1050°C.
Masa szklana według wynalazku zawiera następujące tlenki: SiO2, B2O3, AI2O3, CaO, F203, ewentualnie MgO, BaO, SrO, Na20, K2O, TiO2 i F2 w ilościach określonych ilością procentową kationów następujących pierwiastków: Si + B od 57 do 67%, z B od 5 do 20%, Al od 14 do 18%, R (Ca + Mg + Ba + Sr) od 18 do 25%, z Ca/R > 0,7 i Ca 18%, Na + K od 0 do 5%, Ti od 0 do 2,5%, Fe < 0,5%, F od 0 do 3%, gdzie fluor jest przyswajalny z kationem.
Masa szklana korzystnie zawiera SiO2 z zawartością pierwiastka Si, wyrażoną ilością procentową kationów, w zakresie od 42 do 53%.
Masa szklana korzystnie zawiera tlenki metali ziem alkalicznych inne niż CaO w zakresach wyrażonych ilością procentową kationów następujących pierwiastków: Mg od 0 do 5%, Ba od 0 do 4% i Sr od 0 do 4%.
Masa szklana korzystnie zawiera następujące tlenki: S1O2, B 2 O 3, AI2 O3, CaO, MgO, BaO, N 2 O, K2 0, T1O2, Fe2O3 i F2 w zakresie wyrażonych ilością procentową następujących pierwiastków: Si od 42 do 53%, B od 5 do 20%, Al od 14 do 18%, Ca od 18 do 22%, Mg od 0 do 5%, Ba od 0 do 4%, Sr od 0 do 4%, Na + K od 0 do 0,5%, Ti od 0 do 2,5%, Fe < i F od 0 do 3%.
Korzystnie suma zawartości procentowej kationów pierwiastków Ba i Sr, odpowiadających tlenkom BaO i SrO jest równa lub mniejsza od 6 %.
Korzystnie zawartość procentowa kationów pierwiastka Na jest mniejsza od 0,2%.
Masy szklane według wynalazku są pozbawione tlenku cynkowego, gdyż w masach szklanych, które go zawierają, tlenek ten ulega częściowej redukcji po zetknięciu się z kąpielą cynową i atmosferą redukującą, występującą ponad kąpielą. Skład powierzchniowy taśmy szklanej różni się znacznie od składu szkła znajdującego się poniżej, co powoduje wady powierzchniowe taśmy.
Składniki SiO 2 i B 2 O 3 to dwa tlenki, które tworzą szklisty układ mas szklanych i według wynalazku mają podstawowe znaczenie dla ich trwałości.
Wówczas gdy suma tych dwóch wymienionych powyżej tlenków jest mniejsza od 57%, można zauważyć zmniejszanie się odporności chemicznej szkła oraz nasilanie się zjawiska rekrystalizacji związanego ze zbyt dużą liczbą składników w masie szklanej według wynalazku.
Wówczas gdy suma tych dwóch tlenków przekracza 67%, a zawartość składnika B 2O3 jest niewielka, topienie szkła jest utrudnione, jego lepkość znacznie wzrasta, a rekrystalizacja w postaci różnego rodzaju kryształów na bazie dwutlenku krzemu szybko zwiększa się.
W tym kontekście, aby utrzymać rekrystalizację w granicach możliwych do przyjęcia, zawartość składnika B2O3 nie powinna być mniejsza niż 5%. Tlenek jest też niezbędny dla zwiększenia odporności chemicznej szkła z uwagi na obecność kwasu fluorowodorowego, ułatwiania topienia, zmniejszenia lepkości i współczynnika rozszerzalności szkła. Przy zawartości powyżej 20% B2O3 nie przyczynia się on już do poprawy odporności chemicznej szkła według wynalazku i obniża dolną temperaturę wyżarzania. Większa zawartość tego tlenku zwiększa koszt mieszanki surowców do produkcji szkła i zwiększa problem związany z ulatnieniem się surowca podczas topienia, co wpływa ujemnie na jednorodność szkła.
168 761
Składnik AI2O3 w masach szklanych spełnia funkcję utrwalacza, podwyższa dolną temperaturę wyżarzania i w pewnym stopniu odporność chemiczną szkła. Zawartość AI2O3 poniżej 14% lub powyżej 18% powoduje wzrost rekrystalizacji.
Tlenki metali ziem alkalicznych mają poważne znaczenie dla masy szklanej, gdyż ułatwiają jej topienie i zmniejszają jej lepkość.
Spośród tych tlenków CaO ma szczególną funkcję, gdyż ułatwia topienie szkła, równocześnie zmniejsza jego lepkość oraz temperaturę likwidusu, a także przyczynia się do wzrostu dolnej temperatury wyżarzania bez nadmiernego wzrostu współczynnika rozszerzalności.
W celu uzyskania takich własności procentowa zawartość kationów CaO w masie szklanej powinna być co najmniej równa 18%. Ponadto procentowa zawartość kationów CaO wynosi co najmniej 70% sumy procentowej zawartości kationów wszystkich tlenków metali ziem alkalicznych, wprowadzonych do masy szklanej, przy czym suma ta waha się pomiędzy 18 a 15%.
Wówczas gdy powyższa sumajest mniejsza niż 18%, obniżenie lepkości szkła w wyższych temperaturach jest niewystarczające, a gdy suma ta przekracza 25%, tendencja szkła do rekrystalizacji znacznie wzrasta, współczynnik rozszerzalności również wzrasta i to o tyle szybciej, że zawartość BaO i SrO jest znacznie większa.
Wprowadzenie MgO umożliwia zmniejszenie lepkości i współczynnika rozszerzalności szkła oraz zwiększenie jego odporności chemicznej. Po przekroczeniu 5% proces rekrystalizacji ulega przyspieszeniu i przejawia się w zbyt wysokich temperaturach.
Wprowadzenie BaO i/lub SrO sprzyja zmniejszeniu lepkości szkła w wysokich temperaturach. Te tlenki zmniejszają również niebezpieczeństwo rekrystalizacji. Jeśli do masy szklanej według wynalazku zostaną one wprowadzone w dość dużych ilościach, to współczynnik rozszerzalności cieplnej wzrasta.
W celu uniknięcia zjawiska przemieszczania się pierwiastków w warstwie pokrywającej powierzchnię podłoża, masy szklane według wynalazku zawierają bardzo mało albo wcale nie zawierają tlenków zasadowych. Maksymalna zawartość tych tlenków wynosi około 0,5% wyrażonych ilością procentową kationów.
Masy szklane według wynalazku mogą zawierać również inne składniki, jak TiO2, poprawiający odporność chemiczną szkła, fluor ułatwiający topienie szkła, zmniejszający jego lepkość i zwiększający jego odporność chemiczną, gdy jest zastąpiony tlenkiem wapniowym czy też tlenkiem żelaza. Całe żelazo, wyrażone w postaci Fe203, stanowi poniżej 5% zawartości kationów.
W celu zmniejszenia do minimum kosztu masy szklanej według wynalazku bez obniżania jej własności fizykochemicznych, jakie powinna posiadać w rozważanych zastosowaniach, suma procentowa tlenków baru i strontu jest równa lub mniejsza od 6%.
W celu uniknięcia przemieszczania się pierwiastków w warstwach nałożonych na powierzchnię podłoża w postaci płytki szklanej, której skład został uprzednio określony, zawartość procentowa Na2<0 wynosi korzystnie poniżej 0,2%.
Zaletą wynalazku jest dostarczenie mas szklanych mogących pływać w cieczy, posiadających własności fizykochemiczne wymagane przez podłoża ekranów do matryc. Wynalazek zapewnia masy szklane, którymi pokrywa się powierzchnię kąpieli cynowej o temperaturze niższej niż w przypadku mas szklanych znanych w tego rodzaju zastosowaniach. Masy szklane według wynalazku zawierają ograniczoną liczbę uciążliwych składników, są pozbawione tlenku cynkowego.
Masy szklane według wynalazku zostaną opisane na podstawie kilku przykładów przedstawionych w załączonej tabeli.
Charakterystyki termiczne, rekrystalizację i lepkość mas szklanych zmierzono znanymi metodami. Ich odporność chemiczna została oceniona przez pomiar utraty ciężaru płytki szklanej o wymiarach 15 x 30 x 6 mm, o wypolerowanych płaszczyznach, po przetrzymywaniu w roztworze kwaśnym. Utrata tego ciężaru jest wyrażona w mg/cm2. Odporność na kwas fluorowodorowy Rhf została zmierzona po 7-godzinnym przetrzymywaniu w roztworze wodnym kwasu fluorowodorowego i fluorku amonu w temperaturze otoczenia. Roztwór ten składa się z 50%
168 761 kwasu fluorowodorowego i 40% roztworu fluorku amonu, zmieszanych w stosunku wagowym 1 do 7.
Masy szklane są przygotowane z surowców do produkcji szkła, które powinny mieć jak najmniej zanieczyszczeń.
Przykład I. Mieszanka szklarska stosowana do uzyskania 100 g szkła jest następująca:
Piasek z Roncevaux : 55,327 g
Wodorotlenek glinowy (Prolabo): 21,760 g
Wapń z Saint-Germian : 37,712 g
Węglan wodorotlenku magnezowego : 0,782 g
Kwas borowy : 15,793 g
Gips : 0,295 g
W tym przykładzie zastosowano siarczan wapnia do klarowania szkła. Inne materiały, które mogą odgrywać rolę w produkcji masy szklanej według wynalazku to chlorki wapnia i baru, siarczan amonu lub bezwodnik arsenawy.
Masy szklane według wynalazku mają na ogół dolne temperatury wyżarzania przekraczające 630°C, współczynniki rozszerzalności cieplnej poniżej 55-10'7/°C i dobrą odporność na szkodliwe działanie fluorowodoru.
Masy szklane według wynalazku wyróżniają się znacznie zmniejszoną lepkością w wysokich temperaturach. Temperatura mas szklanych przy log η = 3,5 jest zwykle mniejsza od 1180°C, a temperatura przy log η = 4 jest zwykle mniejsza od 1120°C. Te własności umożliwiają swobodne nakładanie masy szklanej na powierzchnię kąpieli cynowej i uzyskanie w ten sposób, techniką szkła pływającego, taśmy o dokładnie kontrolowanej grubości. Z takiej taśmy można wycinać płytki szklane na podłoża.
Masy szklane według wynalazku wyróżniają się również bardzo małą maksymalną szybkością rekrystalizacji. Własność ta umożliwia wyeliminowanie niebezpieczeństwa rekrystalizacji szkła podczas jego formowania, pomimo temperatury likwidusu dochodzącej nawet do 1230°C.
Dalej zostanie podana tabela wymieniającajedenaście przykładów mas szklanych według wynalazku o określonych składach i własnościach.
Tabela
Przykład 1 | Przykład 2 | Przykład 3 | Przykład 4 | |
SiO2 | 50,82 | 50,55 | 46,63 | 50,38 |
AI2 O3 | 14,61 | 14,14 | 14,30 | 14,37 |
CaO | 20,22 | 19,16 | 20,02 | 19,89 |
MgO | 0,47 | 0,47 | 0,46 | 0,47 |
B2 O3 | 13,75 | 15,59 | 18,50 | 13,67 |
Fe2O3 | 0,02 | 0,02 | 0,02 | 0,02 |
T1O2 | 0,01 | 0,01 | 0,01 | 1,16 |
Na2O | 0,07 | 0,03 | 0,03 | - |
K2 O | - | - | - | - |
SO3 | 0,03 | 0,02 | 0,02 | 0,03 |
Dolna temperatura wyzarzania ( C) | 659 | 652 | 647 | 661 |
Współczynnik rozszerzalności (10'7/°C) | 50,5 | 53 | 47,6 | 50,5 |
Likwidus (°C) | 1190 | 1200 | 1200 | 1200 |
Temperatura, szybkość maks. (°C) | 1075 | 1050 | 1075 | 1075 |
Szybk. maks. (ąm/min) | 0,17 | 0,25 | 0,17 | 0,25 |
Temp. log η η 3,5 (°C) | 1148 | 1149 | 1125 | 1144 |
Temp. log η = 4 (°C) | 1095 | 1092 | 1068 | 1088 |
Rhf /mg/cm2/ | 9,35 | 8,87 | 9,84 | - |
168 761
Tabela (ciąg dalszy)
Przykład 5 | Przykład 6X | Przykład 7* | Przykład 8* | |
SiO2 | 53,07 | 51,00 | 51,00 | 52,22 |
AI2 O3 | 14,52 | 15,20 | 15,20 | 14,41 |
CaO | 18,96 | 18,30 | 18,30 | 18,35 |
MgO | 2,98 | 3,00 | 3,00 | 4,74 |
SrO | 2,00 | |||
BaO | 2,00 | |||
B2 O3 | 10,40 | 10,50 | 10,50 | 10,20 |
Fe2O3 | ||||
TiO2 | ||||
Na2O | 0,05 | 0,04 | ||
K2 O | ||||
F2 | ||||
SO3 | 0,02 | 0,02 | ||
Dolna temperatura wyżarzania (°C) | 653 | 655 | 655 | |
Współczynnik rozszerzalności (10*7/°C) | 53,7 | 53,6 | 55,2 | 53,2 |
Likwidus (°C) | 1200 | 1180 | 1170 | 1230 |
Temperatura prędkości maks. (°C) | 1060 | 1140 | ||
Prędk. maks. (μιη/mm) | 0,22 | 0,51 | ||
Temp. log. η = 3,5 (°C) | 1152 | 1163 | 1158 | 1164 |
Temp. log. η = 4 (°C) | 1099 | 1107 | 1102 | 1108 |
Rhf (mg/cm2) | 10,84 | 12,13 | 12,36 | 10,76 |
x - skład teoretyczny
Tabela (ciąg dalszy)
Przykład 9 | Przykład 10x | Przykład 11 | |
SiO2 | 51,03 | 51,00 | 52,67 |
AI2 O3 | 14,65 | 15,20 | 14,20 |
CaO | 19,44 | 19,30 | 18,55 |
MgO | 3,02 | 3,00 | 2,76 |
SrO | |||
BaO | |||
B2 O3 | 9,78 | 10,50 | 9,55 |
Fe2O3 | |||
TiO2 | 1,97 | ||
Na2O | 0,06 | 0,10 | |
K2 O | |||
F2 | 1,00 | 2,13 | |
SO3 | 0,03 | 0,03 | |
Dolna temperatura wyżarzania (°C) | 656 | 646 | 634 |
Współczynnik rozszerzalności (10-7/°C) | 53,5 | 53,4 | 51,7 |
Likwidus (°C) | 1210 | 1200 | 1210 |
Temp. prędk. maks. (°C) | 1120 | ||
Prędk. maks. (μιη/min) | 0,41 | ||
Temp. log. η = 3,5 (°C) | 1160 | 1164 | 1176 |
Temp. log. η = 4 (°C) | 1103 | 1106 | 1115 |
Rhf (mg/cm2) | 9,67 | 13,82 | 9,98 |
x = skład teoretyczny
168 761
Ί
Masy szklane według wynalazku znajdują zastosowanie jako podłoża, na które są nakładane różne warstwy na bazie Si, SiOx, tlenków indu, cyny lub glinu, wykorzystywane do wykonania układu tranzystorów cienkowarstwowych. Te masy szklane znajdują również zastosowanie do produkcji filtrów selektywnych. Szkło zostaje na przykład pokryte warstwą Cr lub NiCr, która jest następnie utrwalana fotolitograficznie. Następnie powierzchnia zostaje zabarwiona kolorami czerwonym, zielonym i niebieskim, metodą powlekania i fotolitografii. Całość zostaje pokryta warstwą poliimidów i cyny.
168 761
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz Cena 1,50 zł
Claims (6)
- Zastrzeżenia patentowe1. Masa szklana na podłoża elementów elektronicznych, znamienna tym, że zawiera następujące tlenki: SiO2, B2 O3, AI2O3, CaO, F2O 3, ewentualnie MgO, BaO, SrO, Na20, K20, TiO2 i F2 w ilościach określonych ilością procentową kationów następujących pierwiastków: Si + B od 57 do 67%, z B od 5 do 20%, Al od 14 do 18%, R (Ca + Mg + Ba + Sr) od 18 do 25%, z Ca/R > 0,7 i Ca > 17%, Na + K od 0 do 5%, Ti od 0 do 2,5%, Fe < 0,5%, F od 0 do 3%, gdzie fluor jest przyswajalny z kationem.
- 2. Masa szklana według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera SiO2 z zawartością pierwiastka Si, wyrażoną ilością procentową kationów, w zakresie od 42 do 53%.
- 3. Masa szklana według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera tlenki metali ziem alkalicznych inne niż CaO w zakresach wyrażonych ilością procentową kationów następujących pierwiastków: Mg od 0 do 5%, Ba od 0 do 4% i Sr od 0 do 4%.
- 4. Masa szklana według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera następujące tlenki: SiO2, B203, AI2O3, CaO, MgO, BaO, N2O, K2O, TiO2, Fe2C>3 i F2 w zakresach wyrażonych ilością procentową następujących pierwiastków: Si od 42 do 53%, B od 5 do 20%, Al od 14 do 18%, Ca od 18 do 22%, Mg od 0 do 5%, Ba od 0 do 4%, Sr od 0 do 4%, Na + K od 0 do 0,5%, Ti od 0 do 2,5%, Fe < 0,5% i F od 0 do 3%.
- 5. Masa szklana według zastrz. 4, znamienna tym, że suma zawartości procentowej kationów pierwiastków Ba i Sr, odpowiadających tlenkom BaO i SrO jest równa lub mniejsza od 6%.
- 6. Masa szklana według zastrz. 4 albo 5, znamienna tym, że zawartość procentowa kationów pierwiastka Na jest mniejsza od 0,2%.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9108201A FR2678604B1 (fr) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Composition de verre trouvant application dans le domaine de l'electronique. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL295071A1 PL295071A1 (en) | 1993-05-17 |
PL168761B1 true PL168761B1 (pl) | 1996-04-30 |
Family
ID=9414567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL92295071A PL168761B1 (pl) | 1991-07-02 | 1992-06-29 | Masa szklana na podloza elementów elektronicznych PL |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5387560A (pl) |
EP (1) | EP0526272B1 (pl) |
JP (1) | JP3179577B2 (pl) |
KR (1) | KR100229054B1 (pl) |
CA (1) | CA2072826C (pl) |
CZ (1) | CZ285653B6 (pl) |
DE (1) | DE69223874T2 (pl) |
ES (1) | ES2113417T3 (pl) |
FI (1) | FI103405B1 (pl) |
FR (1) | FR2678604B1 (pl) |
PL (1) | PL168761B1 (pl) |
TW (1) | TW203035B (pl) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2692883B1 (fr) * | 1992-06-25 | 1994-12-02 | Saint Gobain Vitrage Int | Verres thermiquement stables et chimiquement résistants. |
US5508237A (en) | 1994-03-14 | 1996-04-16 | Corning Incorporated | Flat panel display |
EP0714862B1 (en) | 1994-11-30 | 1999-03-31 | Asahi Glass Company Ltd. | Alkali-free glass and flat panel display |
US6236391B1 (en) * | 1995-01-24 | 2001-05-22 | Elo Touchsystems, Inc. | Acoustic touch position sensor using a low acoustic loss transparent substrate |
US5885914A (en) * | 1995-07-28 | 1999-03-23 | Asahi Glass Company Ltd. | Alkali-free glass and display substrate |
FR2747119B1 (fr) * | 1996-04-05 | 1998-05-07 | Saint Gobain Vitrage | Procede de fabrication de verre en feuille par flottage |
FR2774085B3 (fr) | 1998-01-26 | 2000-02-25 | Saint Gobain Vitrage | Procede de fusion et d'affinage de matieres vitrifiables |
WO2001050464A1 (en) | 2000-01-05 | 2001-07-12 | Schott Glass Technologies, Inc. | Glass substrates for magnetic media and magnetic media based on such glass substrates |
DE10133963B4 (de) * | 2001-07-17 | 2006-12-28 | Schott Ag | Boroalkalisilicatglas und seine Verwendungen |
JP4715258B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2011-07-06 | 旭硝子株式会社 | ガラスおよびガラス製造方法 |
FR2886288B1 (fr) * | 2005-05-27 | 2007-07-06 | Saint Gobain | Substrats de verre pour ecrans plats |
SG169374A1 (en) * | 2005-08-15 | 2011-03-30 | Avanstrate Inc Jp | Glass composition and process for producing glass composition |
JP5483821B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2014-05-07 | AvanStrate株式会社 | 表示装置用ガラス基板および表示装置 |
CN109896740B (zh) * | 2019-04-24 | 2022-04-22 | 成都光明光电股份有限公司 | 光学玻璃及光学元件 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4166747A (en) * | 1977-10-13 | 1979-09-04 | Ppg Industries, Inc. | Glass fiber composition |
JPS60122748A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | アルミノシリケ−トガラス |
JPS61106437A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-24 | Asahi Glass Co Ltd | 多孔質ガラス用組成物及び多孔質ガラスの製造法 |
JPS62113758A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-25 | 株式会社住友金属セラミックス | 低温焼成セラミツクス |
WO1989002877A1 (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Alkali free glass |
US4824808A (en) * | 1987-11-09 | 1989-04-25 | Corning Glass Works | Substrate glass for liquid crystal displays |
-
1991
- 1991-07-02 FR FR9108201A patent/FR2678604B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-25 EP EP92401779A patent/EP0526272B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-25 DE DE69223874T patent/DE69223874T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-25 ES ES92401779T patent/ES2113417T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-29 PL PL92295071A patent/PL168761B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1992-06-30 JP JP17259992A patent/JP3179577B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-30 CA CA002072826A patent/CA2072826C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-01 CZ CS922065A patent/CZ285653B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1992-07-01 FI FI923051A patent/FI103405B1/fi active
- 1992-07-02 KR KR1019920011910A patent/KR100229054B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-07-10 TW TW081105468A patent/TW203035B/zh active
-
1994
- 1994-03-17 US US08/210,091 patent/US5387560A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2072826A1 (fr) | 1993-01-03 |
FI923051A0 (fi) | 1992-07-01 |
CA2072826C (fr) | 2002-11-19 |
PL295071A1 (en) | 1993-05-17 |
EP0526272B1 (fr) | 1998-01-07 |
DE69223874D1 (de) | 1998-02-12 |
DE69223874T2 (de) | 1998-08-13 |
FI103405B (fi) | 1999-06-30 |
KR100229054B1 (ko) | 1999-11-01 |
FI103405B1 (fi) | 1999-06-30 |
ES2113417T3 (es) | 1998-05-01 |
FI923051A (fi) | 1993-01-03 |
KR930002259A (ko) | 1993-02-22 |
EP0526272A1 (fr) | 1993-02-03 |
US5387560A (en) | 1995-02-07 |
FR2678604A1 (fr) | 1993-01-08 |
JPH05201744A (ja) | 1993-08-10 |
TW203035B (pl) | 1993-04-01 |
CZ206592A3 (en) | 1993-01-13 |
CZ285653B6 (cs) | 1999-10-13 |
JP3179577B2 (ja) | 2001-06-25 |
FR2678604B1 (fr) | 1993-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2686788B2 (ja) | 液晶表示装置の基体用ガラス | |
US4994415A (en) | SiO2 -Al2 O3 -BaO glass substrates with improved chemical resistance for use in display panels and others having thin films | |
US5348916A (en) | Alkali free glass | |
US4640900A (en) | Low expansion glass | |
PL168761B1 (pl) | Masa szklana na podloza elementów elektronicznych PL | |
EP0205262A1 (en) | Strengthened glass articles and method for making | |
KR960000032B1 (ko) | 무알칼리 유리 | |
CA1202488A (en) | Glass-ceramic articles having metallic surfaces | |
WO1997011920A1 (fr) | Substrat de verre exempt d'alcalis | |
FI113962B (fi) | Lämpöstabiilit ja kemikaaleja kestävät lasit | |
JPH07144937A (ja) | 表面に欠陥のないガラスシートの製造方法 | |
JPH05213627A (ja) | フラットパネルディスプレー装置 | |
JPS6159257B2 (pl) | ||
US3754881A (en) | Art of producing inorganic bodies having at least a surface layer which is semicrystalline | |
JPH0825772B2 (ja) | 電子機器の基板用ガラス | |
US4391916A (en) | Alkali-free glass for photoetching mask | |
JPH03146435A (ja) | 基板用ガラス | |
KR100215817B1 (ko) | 디스플레이 패널 기판 및 그의 제조방법과 그를 이용한 피디피제조방법 | |
JPH0446908B2 (pl) | ||
JPS6316347B2 (pl) | ||
JPS624335B2 (pl) | ||
JPH0372022B2 (pl) | ||
JPH04936B2 (pl) | ||
JPH0380126A (ja) | グレーズ組成物 | |
JP2006347791A (ja) | 結晶化層積層ガラスおよびそれを用いた磁気ディスク用ガラス基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20090629 |