EP1178606A3 - Überstromgeschützter Halbleiterleistungsschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten - Google Patents

Überstromgeschützter Halbleiterleistungsschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten Download PDF

Info

Publication number
EP1178606A3
EP1178606A3 EP01118563A EP01118563A EP1178606A3 EP 1178606 A3 EP1178606 A3 EP 1178606A3 EP 01118563 A EP01118563 A EP 01118563A EP 01118563 A EP01118563 A EP 01118563A EP 1178606 A3 EP1178606 A3 EP 1178606A3
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
power transistor
power switch
current
protected against
semiconductor power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP01118563A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP1178606A2 (de
Inventor
Robert Oyrer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of EP1178606A2 publication Critical patent/EP1178606A2/de
Publication of EP1178606A3 publication Critical patent/EP1178606A3/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Leistungshalbleiterschalter mit einer zwischen dem Gateanschluss (G) eines Feldeffektleistungstransistors (1) und dessen an der Last (L) liegendem Ausgangsanschluss (4) eingeschalteten Strombegrenzungsschaltung (10) und einer mit diesem Gateanschluss (G) verbundenen Ladungspumpe (5, 6, 7), mit der dem Gate (G) des Leistungstransistors (1) ein Ladestrom injiziert wird. Die Strombegrenzungsschaltung (10) hat einen ersten Zweig (12) für die Begrenzung des durch die Last (L) und den Leistungstransistor (1) fließenden Stroms (Iout) wenn die Drain-Source-Spannung des Leistungstransistors (1) einen bestimmten Spannungswert (VS) überschreitet, und einen zweiten zum ersten Zweig (12) parallelen Zweig (11) für die Begrenzung des durch die Last (L) und den Leistungstransistor (1) fließenden Stroms (Iout), wenn die Drain-Source-Spannung des Leistungstransistors (1) den bestimmten Wert (VS) unterschreitet.
EP01118563A 2000-08-04 2001-08-01 Überstromgeschützter Halbleiterleistungsschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten Withdrawn EP1178606A3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2000138221 DE10038221C2 (de) 2000-08-04 2000-08-04 Überstromgeschützter Halbleiterleistungsschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten
DE10038221 2000-08-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1178606A2 EP1178606A2 (de) 2002-02-06
EP1178606A3 true EP1178606A3 (de) 2005-04-06

Family

ID=7651406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP01118563A Withdrawn EP1178606A3 (de) 2000-08-04 2001-08-01 Überstromgeschützter Halbleiterleistungsschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP1178606A3 (de)
DE (1) DE10038221C2 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821065A1 (de) * 1987-06-22 1989-01-05 Nissan Motor Mos-feldeffekttransistor-einrichtung
US4808839A (en) * 1988-04-04 1989-02-28 Motorola, Inc. Power field effect transistor driver circuit for protection from overvoltages
US5164659A (en) * 1991-08-29 1992-11-17 Warren Schultz Switching circuit
EP0557850A2 (de) * 1992-02-25 1993-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Laststrombegrenzung eines Leistungs-MOSFET
US5942886A (en) * 1997-02-19 1999-08-24 U.S. Philips Corporation Power device with a short-circuit detector

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19635332A1 (de) * 1996-08-30 1998-03-12 Siemens Ag Leistungstransistor mit Kurzschluß-Schutz

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3821065A1 (de) * 1987-06-22 1989-01-05 Nissan Motor Mos-feldeffekttransistor-einrichtung
US4808839A (en) * 1988-04-04 1989-02-28 Motorola, Inc. Power field effect transistor driver circuit for protection from overvoltages
US5164659A (en) * 1991-08-29 1992-11-17 Warren Schultz Switching circuit
EP0557850A2 (de) * 1992-02-25 1993-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Laststrombegrenzung eines Leistungs-MOSFET
US5942886A (en) * 1997-02-19 1999-08-24 U.S. Philips Corporation Power device with a short-circuit detector

Also Published As

Publication number Publication date
EP1178606A2 (de) 2002-02-06
DE10038221C2 (de) 2002-06-06
DE10038221A1 (de) 2002-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7411768B2 (en) Low-loss rectifier with shoot-through current protection
DE19902520B4 (de) Hybrid-Leistungs-MOSFET
DE102013217173B4 (de) Schaltungsanordnung umfassend eine Halbbrücke und Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines High-Side-Schalters
DE102008064402B4 (de) Gleichrichterschaltung
DE112019000870B4 (de) Schalteransteuereinrichtung
CN101002152A (zh) 使用双向正常导通设备的具有涌入电流保护的自驱动同步整流升压变换器
DE102008032990A1 (de) Solar-Modul-System und Bypass-Bauteil
EP1160866A3 (de) Leistungsverdrahtungsstruktur und Halbleiter
DE102015114373A1 (de) System und verfahren für einen schalter mit einem selbstleitenden transistor und einem selbstsperrenden transistor
EP1147596B1 (de) Verfahren zur verringerung von verlusten beim kommutierungsvorgang
DE102005027442B4 (de) Schaltungsanordnung zum Schalten einer Last
DE102014225506A1 (de) Vorrichtung zum Laden einer Batterieeinheit und Betreiben einer Lasteinheit über einen Wechselrichter
DE102015110513B3 (de) Leistungshalbleiterschaltung mit einem Feldeffekttransistor
CN105743059B (zh) 一种基准源和电阻构成的输出过流保护电路
DE112017007451T5 (de) Überstrom-erfassungsschaltung und leistungswandler
DE102014119371A1 (de) Schaltung und verfahren zum betrieb einer halbbrücke
EP1178606A3 (de) Überstromgeschützter Halbleiterleistungsschalter, insbesondere zum Schalten niederohmiger Lasten
DE102005033477A1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Konvertieren einer Wechselspannung in eine gleichgerichtete Spannung
WO2002052705A1 (de) Tiefsetzsteller
DE1160059B (de) Anordnung zur Unterdrueckung von Lichtboegen
CN207010548U (zh) 一种双降压电路
JP2003198277A5 (de)
EP2768130A1 (de) Gleichspannungswandler
DE102009041872B4 (de) Schaltungsanordnung zur Bordnetzstabilisierung mit einem Gleichstromsteller
DE202014011023U1 (de) Schaltungsvorrichtung zum Laden eines Kondensators

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK RO SI

17P Request for examination filed

Effective date: 20050928

AKX Designation fees paid

Designated state(s): DE FR IT

17Q First examination report despatched

Effective date: 20060808

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20080303