DE69934765T2

DE69934765T2 - Akustisches Oberflächenwellenfilter

Info

Publication number: DE69934765T2
Application number: DE69934765T
Authority: DE
Inventors: Norio Nagaokakyo Taniguchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-11-24
Filing date: 1999-11-24
Publication date: 2007-05-10
Anticipated expiration: 2019-11-25
Also published as: EP1005153A2; CN1122366C; US6518861B2; CN1257347A; US20010013817A1; KR100340286B1; EP1005153B1; JP2000165186A; EP1005153A3; JP3255128B2; DE69934765D1; KR20000035608A; US6265808B1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächenwellenfilter für eine Verwendung als beispielsweise ein Bandpassfilter. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Struktur eines Oberflächenwellenfilters (SAW-Filter; SAW = Surface Acoustic Wave), bei dem eine Mehrzahl von Ein-Tor-Oberflächenwellenresonatoren (Ein-Tor-SAW-Resonatoren) verbunden sind, um eine Leiterschaltung zu definieren, und ein Verfahren zum Herstellen desselben.
Beschreibung der verwandten Technik
Herkömmlicherweise wurde ein SAW-Filter häufig als ein Bandpassfilter verwendet. Zum Beispiel ist in der geprüften japanischen Patentveröffentlichung JP 52019044 ein SAW-Filter vorgesehen, das eine Anordnung aufweist, derart, dass eine Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren angeordnet sind, um eine Leiterschaltung zu bilden.
Mit Bezug auf 11 und 12 wird eine Beschreibung des oben erwähnten SAW-Filters mit einer Leiterschaltungsstruktur geliefert. Bei dem SAW-Filter von 11 und 12 sind ein Reihenarm zum Verbinden eines Eingangsendes und eines Ausgangsendes und ein Parallelarm zum Verbinden des Reihenarms und eines Bezugspotentials vorgesehen. Ein Ein-Tor-SAW-Resonator S1, der einen Reihenarmresonator definiert, ist mit dem Reihenarm verbunden und ein Ein-Tor-SAW-Resonator P1, der einen Parallelarmresonator definiert, ist mit dem Parallelarm verbunden. In 11 sind lediglich ein Reihenarmresonator und ein Parallelarmresonator gezeigt. Die Anzahl von Reihenarmresonatoren und Parallelarmresonatoren, die in dem Filter enthalten sind, ist jedoch durch die erwünschten Filtercharakteristika bestimmt.
Mit Bezug auf 12 weist der herkömmliche Ein-Tor-SAW-Resonator eine Elektrodenstruktur auf, derart, dass ein IDT 51 einen Reflektor 52 an einer ersten Seite desselben und einen Reflektor 53 an einer zweiten Seite desselben aufweist, die alle an einem piezoelektrischen Substrat (nicht gezeigt) angeordnet sind.
Der IDT 51 weist ein Paar von Sammelschienen 54 und 55 auf, die sich entlang einer Richtung erstrecken, in die sich eine Oberflächenwelle ausbreitet. Die Sammelschiene 54 ist mit einem Ende von jedem einer Mehrzahl von Elektrodenfingern 56 verbunden. Die Elektrodenfinger 56 erstrecken sich in eine Richtung, die senkrecht zu der Richtung ist, in die sich eine Oberflächenwelle ausbreitet, mit anderen Worten zu der Sammelschiene 55 an der gegenüberliegenden Seite der Sammelschiene 54 hin. Gleichermaßen ist die Sammelschiene 55 mit einem Ende von jedem einer Mehrzahl von Elektrodenfingern 57 verbunden. Die Elektrodenfinger 57 erstrecken sich zu der Sammelschiene 54 hin. Die Elektrodenfinger 56 und 57 sind angeordnet, um ineinander zu greifen.
Eine Mehrzahl der obigen Ein-Tor-SAW-Resonatoren sind angeordnet, um die Leiterschaltung zu bilden, wie es in 11 gezeigt ist, um ein SAW-Filter zu definieren. 13 zeigt die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters.
Da das SAW-Filter mit der Leiterschaltungsstruktur einen geringen Verlust zeigt und ein breites Durchlassband aufweist, wurden SAW-Filter häufig als Bandpassfilter in Mobiltelefonen oder anderen ähnlichen Geräten verwendet.
In den letzten Jahren jedoch verwendeten Mobiltelefone ein System, bei dem ein sendeseitiges Frequenzband und ein empfangsseitiges Frequenzband eng aneinander liegen. Somit sollten Bandpassfilter nun in der Lage sein, die Steilheit der Filtercharakteristika zu erhöhen, wenn Durchlassbänder eng aneinander liegen.
Um die Steilheit der Filtercharakteristika zu erhöhen, ist deshalb in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. 9-167937 ein SAW-Filter vorgesehen, das eine Schaltungsstruktur aufweist, wie es in 14 gezeigt ist. In diesem Fall sind Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 mit einem Reihenarm verbunden, derart, dass der SAW-Resonator S1 mit einem Kondensator 58 parallel geschaltet ist. Gemäß diesem herkömmlichen Gerät gestattet die Hinzufügung des Kondensators 58, dass die Antiresonanzfrequenz des SAW-Resonators S1 verringert werden kann, so dass die Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands erhöht werden kann.
Da jedoch das Verfahren, das in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. 9-167937 beschrieben ist, die Hinzufügung des Kondensators 58 erfordert, ist die Größe des SAW-Filters und ist somit der herkömmliche Entwurf schwierig zu verwenden, falls eine Miniaturisierung von zellulären Telefonen oder anderen ähnlichen Geräten erwünscht ist. Da zusätzlich auf Grund des Kondensators 58 mehr Kapazität zu dem SAW-Resonator S1 hinzugefügt ist, ist die Dämpfung innerhalb anderer Frequenzbändern als dem Durchlassband reduziert.
Es ist zu beachten, dass bei einem SAW-Filter mit der Leiterschaltungsstruktur, bei der die Frequenzbänder von dem Durchlassband beabstandet sind, eine Dämpfung durch das Kapazitätsverhältnis eines Parallelarmresonators und eines Reihenarmresonators bestimmt ist. Wenn die Kapazität des Reihenarmresonators erhöht ist, ist allgemein die Dämpfung verringert. Wie es oben mit Bezug auf das herkömmliche Gerät beschrieben ist, ist folglich, wenn der Reihenarmresonator S1 mit dem Kondensator 58 parallel geschaltet ist, die Dämpfung außerhalb des Durchlassbands verschlechtert, wie bei dem Fall, bei dem die Kapazität des Reihenarmresonators erhöht ist.
Um die oben beschriebene Dämpfungsverringerung innerhalb der Frequenzbänder zu verhindern, die von dem Durchlassband weg beabstandet sind, besteht eine Lösung darin, die Kapazität der Elektrode des Reihenarmresonators zu reduzieren. Wenn jedoch die Kapazität der Elektrode des Reihenarmresonators reduziert ist, ist es notwendig, die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern und die Ineinandergreifbreite derselben zu reduzieren, was zu Schwierigkeiten bei einem Erhalten erwünschter Resonanzcharakteristika führt.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 ist aus der WO-A-98/19394 bekannt.
Zusammenfassung der Erfindung
Um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden, sehen bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein SAW-Filter vor, das die Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite eines Durchlassbands erhöht, während eine Miniaturisierung des Filters ermöglicht ist, eine Verringerung bei der Dämpfung innerhalb von Frequenzbändern, die von dem Durchlassband weg beabstandet sind, unterdrückt ist und hervorragende Resonanzcharakteristika erreicht werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein SAW-Filter eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern, die an dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren zu definieren, wobei die Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren verbunden sind, um eine Leiterschaltung zu bilden, die einen Reihenarm und einen Parallelarm aufweist. Jeder der Mehrzahl der Ein-Tor-SAW-Resonatoren umfasst eine erste und eine zweite Kammelektrode. Die erste und die zweite kammförmige Elektrode, von denen jede eine Mehrzahl von Elektrodenfingern und eine Sammelschiene aufweist, die mit ersten Enden der Mehrzahl von Elektrodenfingern verbunden ist, greifen ineinander, so dass zweite Enden der Mehrzahl von Elektrodenfingern von jeder der ersten und der zweiten kammförmigen Elektrode sich zu der Sammelschiene der anderen kammförmigen Elektrode hin erstrecken, um den Interdigitalwandler zu definieren. Bei dem Interdigitalwandler von zumindest einem der Mehrzahl von Ein-Tor-SRW-Resonatoren befindet sich ein Zwischenraum zwischen der Sammelschiene der ersten kammförmigen Elektrode und den zweiten Enden der Elektrodenfinger, die mit der Sammelschiene der zweiten kammförmigen Elektrode verbunden sind, innerhalb eines Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, die an dem piezoelektrischen Substrat angeregt werden soll.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist zumindest ein Ein-Tor-SAW-Resonator vorzugsweise mit dem Reihenarm der Leiterschaltung verbunden. In diesem Fall wird eine Welligkeit, die nahe an dem Durchlassband an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands liegt, bewegt, derart, dass die Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands über die Dämpfung der Welligkeit erhöht ist.
Bei einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Reihenarmen aufweisen und kann der oben beschriebenen Zwischenraum bei den Interdigitalwandlern an allen der Reihenarme vorzugsweise innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ gesetzt sein. In diesem Fall wird eine synergistische Wirkung eines Erhöhens der Dämpfung auf Grund der Welligkeit bei jedem der Ein-Tor-SAW-Resonatoren erreicht, die an den Reihenarmen verbunden sind. Somit werden hervorragende SAW-Filtercharakteristika erreicht, einschließlich steilerer Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands.
Bei einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erscheint, falls der Ein-Tor-SAW- Resonator ein LiTaO₃-Substrat als das piezoelektrische Substrat verwendet, die oben erwähnte Welligkeit deutlich zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz. Somit kann die Welligkeit wirksam verwendet werden, um die Dämpfung zu erhöhen, so dass die Steilheit der Filtercharakteristika, wenn nahe an dem Durchlassband, stark und effizient erhöht ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein Verfahren zum Herstellen eines SAW-Filters die Schritte eines Bereitstellens eines piezoelektrischen Substrats, eines Bildens einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern an dem piezoelektrischen Substrat, um eine Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren zu bilden, wobei jeder der Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren eine erste und eine zweite Kammelektrode umfasst, die jeweils Elektrodenfinger und eine Sammelschiene umfassen, wobei die Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren verbunden sind, um eine Leiterschaltung zu bilden, die einen Reihenarm und einen Parallelarm aufweist, und eines Erzeugens eines Zwischenraums zwischen der Sammelschiene der ersten Kammelektrode und Enden der Elektrodenfinger der zweiten Kammelektrode, der innerhalb eines Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ liegt, innerhalb zumindest eines der Interdigitalwandler, derart, dass eine Welligkeit innerhalb eines Durchlassbands des Oberflächenwellenfilters auftritt, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, die an dem piezoelektrischen Substrat angeregt werden soll.
Andere Merkmale, Elemente und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden unten mit Bezug auf bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und die beigefügten Zeichnungen detailliert beschrieben.
Kurze Beschreibung der beigefügten Zeichnungen
Die vorliegende Erfindung wird aus der detaillierten Beschreibung, die hierin unten abgegeben wird, und den zuge hörigen Zeichnungen verständlicher, die lediglich durch eine Darstellung gegeben sind und somit die vorliegende Erfindung nicht begrenzen und in denen:
1A ein Schaltungsdiagramm eines SAW-Filters gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist;
1B eine Draufsicht ist, die die Elektrodenstruktur eines Ein-Tor-SAW-Resonators darstellt, der bei dem SAW-Filter des in 1A gezeigten bevorzugten Ausführungsbeispiels verwendet wird;
2 ein Graph ist, der die Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge W2 zwischen einer Sammelschiene und einem oberen Ende der Elektrodenfinger bei einem Ein-Tor-SAW-Resonator und der Frequenzposition einer Welligkeit zwischen einer Resonanzfrequenz und einer Antiresonanzfrequenz bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel zeigt;
3 ein Graph ist, der die Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge W2 zwischen der Sammelschiene und einem oberen Ende der Elektrodenfinger bei einem Ein-Tor-SAW-Resonator und der Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel zeigt;
4 ein Graph ist, der die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika eines SAW-Filters zeigt und die Steilheit der Filtercharakteristika darstellt, wie es in 3 gezeigt ist,
5 ein Graph ist, der die Impedanz-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters eines Ein-Tor-SAW-Resonators zeigt, der als ein Reihenarmresonator verwendet wird, gemäß einem ersten experimentel len Beispiel von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung;
6 ein Graph ist, der die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters des ersten experimentellen Beispiels von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung und diese eines SAW-Filters zeigt, das zu einem Vergleich mit bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung vorbereitet ist;
7 ein Graph ist, der die Impedanz-Frequenz-Charakteristika eines Ein-Tor-SAW-Resonators zeigt, der als ein Reihenarmresonator verwendet wird, gemäß einem zweiten experimentellen Beispiel von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung;
8 ein Graph ist, der die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters des zweiten experimentellen Beispiels von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung und diese eines SAW-Filters zeigt, das zu einem Vergleich mit den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung vorbereitet ist;
9 ein Schaltungsdiagramm ist, das einen Duplexer gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
10 ein Blockdiagramm ist, das eine Kommunikationsvorrichtung gemäß noch einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
11 ein Schaltungsdiagramm eines herkömmlichen SAW-Filters mit einer Leiterschaltungsstruktur ist;
12 eine Draufsicht ist, die die Elektrodenstruktur eines Ein-Tor-SAW-Resonators zeigt, der bei dem herkömmlichen SAW-Filter verwendet wird;
13 ein Graph ist, der die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des herkömmlichen SAW-Filters zeigt;
14 ein Schaltungsdiagramm zum Darstellen eines anderen herkömmlichen SAW-Filters ist; und
15 eine Draufsicht zum Darstellen der Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge und der Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger bei dem herkömmlichen Ein-Tor-SAW-Resonator ist.
Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
1A zeigt eine Schaltungsstruktur eines SAW-Filters gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 1B ist eine Draufsicht, die die Elektrodenstruktur eines Ein-Tor-SAW-Resonators zeigt, der bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel enthalten ist.
Mit Bezug auf 1A weist das SAW-Filter des bevorzugten Ausführungsbeispiels eine Leiterschaltungsstruktur auf. Das heißt, ein Reihenarm ist vorzugsweise zwischen einem Eingangsende EIN (IN) und einem Ausgangsende AUS (OUT) positioniert und eine Mehrzahl von Parallelarmen sind vorzugsweise zwischen dem Reihenarm und Bezugspotentialen positioniert.
Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 sind Reihenarmresonatoren, die mit dem Reihenarm verbunden sind. Die Ein-Tor-SAW-Resonatoren P1 bis P3 sind jeweils Parallelarmresonatoren, die mit jedem der Parallelarme verbunden sind. Zusätzlich sind, wie es in 1A gezeigt ist, die Parallelarmresona toren und die Reihenarmresonatoren von dem Eingangsende EIN zu dem Ausgangsende AUS hin abwechselnd angeordnet. Die Anzahl von Reihenarmresonatoren und Parallelarmresonatoren bei der vorliegenden Erfindung sollte jedoch nicht auf diese des gezeigten bevorzugten Ausführungsbeispiels begrenzt sein und es kann irgendeine Anzahl oder Kombination von Reihenarmresonatoren und Parallelarmresonatoren verwendet werden. Beispielsweise ist es möglich, eine Struktur zu verwenden, die lediglich einen Reihenarmresonator und lediglich einen Parallelarmresonator aufweist, oder eine Struktur, die drei oder mehr Parallelarmresonatoren aufweist.
Mit Bezug auf 1B wird eine Beschreibung der Elektrodenstruktur der Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1, S2, P1 bis P3 geliefert. Bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator sind Reflektoren 2 und 3 vorzugsweise an jeder jeweiligen Seite des IDT 1 positioniert, vorzugsweise in einer Richtung, in der sich eine Oberflächenwelle in dem IDT 1 ausbreitet.
Der IDT 1 umfasst vorzugsweise ein Paar von Sammelschienen 4 und 5, die im Wesentlichen parallel zueinander mit einem festen Abstand zwischen denselben angeordnet sind. Ein Ende von jedem der Mehrzahl von Elektrodenfingern 6 ist mit der Sammelschiene 4 verbunden, während ein Ende von jedem der Mehrzahl von Elektrodenfingern 7 mit der Sammelschiene 5 verbunden ist. Die Elektrodenfinger 6 erstrecken sich zu der Sammelschiene 5 hin und die Elektrodenfinger 7 erstrecken sich zu der Sammelschiene 4 hin. Die Elektrodenfinger 6 und 7 sind angeordnet, so dass dieselben gegenseitig ineinander greifen.
Der IDT 1 umfasst ein Paar von kammförmigen Elektroden 10 und 11. Die kammförmige Elektrode 10 umfasst die Mehrzahl von Elektrodenfingern 6 und die Sammelschiene 4, die mit ersten Enden der Elektrodenfinger 6 verbunden ist. Die kammförmige Elektrode 11 umfasst die Mehrzahl von Elektrodenfingern 7 und die Sammelschiene 5, die mit ersten Enden der Elektrodenfinger 7 verbunden ist. Die kammförmigen Elektroden 10 und 11 greifen vorzugsweise ineinander, so dass zweite Enden der Elektrodenfinger 6 oder 7 der kammförmigen Elektrode 10 oder 11 sich zu der Sammelschiene 5 bzw. 4 der kammförmigen Elektrode 11 bzw. 10 hin erstrecken.
Zusätzlich sind die Reflektoren 2 und 3 vorzugsweise aus Gitterreflektoren hergestellt, bei denen beide Enden einer Mehrzahl von Elektrodenfingern, die in den Reflektoren 2, 3 vorgesehen sind, vorzugsweise kurzgeschlossen sind.
Bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator wird, wenn eine Wechselsignalspannung zwischen die Elektrodenfinger 6 und 7 angelegt ist, der IDT 1 angeregt und wird eine Oberflächenwelle erzeugt. Die Oberflächenwelle ist zwischen den Reflektoren 2 und 3 eingegrenzt, so dass die Resonanzcharakteristika basierend auf der Oberflächenwelle extrahiert werden können.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist bei einem IDT 1 von zumindest einem der Ein-Tor-SAW-Resonatoren, der das SAW-Filter bildet, das die Leiterschaltung definiert, der Zwischenraum W2 zwischen der Sammelschiene 4 oder 5 der kammförmigen Elektrode 10 oder 11 und den zweiten Enden der Elektrodenfinger 7 oder 6, die mit der Sammelschiene 5 oder 4 der kammförmigen Elektrode 11 oder 10 verbunden sind, vorzugsweise gesetzt, um in dem Bereich von etwa 0,50λ bis etwa 4λ zu liegen, wobei λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, die an dem piezoelektrischen Substrat angeregt werden soll. Diese einzigartige Anordnung erhöht die Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark. Wie dies auftritt, wird unten erläutert.
In der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. 6-232682 ist ein Verfahren zum Reduzieren einer Welligkeit, die zwischen einer Resonanzfrequenz und einer Antiresonanz frequenz bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator existiert, der ein piezoelektrisches Substrat verwendet, das aus LiTaO₃ hergestellt ist, offenbart. 15 zeigt die Elektrodenstruktur des Ein-Tor-SAW-Resonators, der in der herkömmlichen Technik beschrieben ist. Es ist darauf hinzuweisen, dass in 13 ein Reflektor 52, der an einer Seite eines IDT 51 angeordnet ist, gezeigt ist, aber ein Reflektor, der an der anderen Seite des IDT 51 angeordnet ist, nicht gezeigt ist.
Bei der herkömmlichen Technik ist offenbart, dass der Einfluss einer Welligkeit, die zwischen einer Resonanzfrequenz und einer Antiresonanzfrequenz existiert, besonders bei dem LiTaO₃-Substrat, verringert werden kann, wenn das Verhältnis W1/W2 erhöht ist. Mit anderen Worten reduziert ein Kleinermachen der Zwischenraumlänge W2 als die Ineinandergreifbreite W1 das Auftreten einer oberflächengeführten Volumenwelle (SSBW = Surface Skimming Bulk Wave), so dass der Einfluss der obigen Welligkeit verringert ist.
Wie es bei der obigen herkömmlichen Technik beschrieben ist, wird das Auftreten einer SSBW als unerwünscht betrachtet, weil dasselbe die Charakteristik eines SAW-Resonators verschlechtert, und somit ist es deshalb erwünscht, die Zwischenraumlänge W2 so klein wie möglich zu machen.
Im Gegensatz dazu verwendet die vorliegende Erfindung die Welligkeit so viel wie möglich, so dass unerwartete Verbesserungen bei den Filtercharakteristika erreicht werden. Mit anderen Worten verwendet die vorliegende Erfindung die Welligkeit auf positive Weise im Gegensatz zu herkömmlicher Weisheit und herkömmlichen Geräten, die versuchen, die Welligkeit an einem Auftreten zu hindern.
Die vorliegende Erfindung liefert einen empirischen Beweis, dass bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator ein Fixieren der Ineinandergreifbreite W1 und ein Verändern lediglich der Zwischenraumlänge W2 ermöglichen, dass die Frequenz der Welligkeit ohne weiteres gesteuert werden kann.
Mit Bezug auf 2 zeigt der Graph die Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge W2 bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator und der Frequenz der Welligkeit, die zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz auftritt. Die Frequenzen Δf/f0, die durch die vertikale Achse angegeben sind, sind standardisierte Werte, wobei Δf die Differenz zwischen der Frequenz, bei der eine Welligkeit auftritt, und der Resonanzfrequenz f0 des Oberflächenwellengeräts misst. Wie es in 2 gezeigt ist, verändert das Verändern der Zwischenraumlänge W2 die Frequenz, bei der die Welligkeit auftritt.
Somit werden bei dem SAW-Filter mit einer Leiterschaltungsstruktur erwünschte hervorragende Filtercharakteristika durch ein Kombinieren der Resonanzcharakteristika der Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren erreicht. Durch ein Bewegen der Welligkeit zu einer Frequenz, bei der es notwendig ist, die Dämpfung zu erhöhen, erhöht die Welligkeit folglich die Dämpfung bei dieser Frequenz. Es ist zu beachten, dass bei der Leiterschaltungsstruktur, wenn die Zwischenraumlänge W2 besonders bei den Ein-Tor-SAW-Resonatoren, die die Reihenarmresonatoren definieren, verändert wird, die Frequenz, bei der die Welligkeit auftritt, zu der Frequenz nahe der Schulter der hochfrequenten Seite des Durchlassbands des SAW-Filters bewegt werden kann. Folglich ist die Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark erhöht.
Als nächstes wird eine Beschreibung bezüglich dessen geliefert, wie Veränderungen bei der Zwischenraumlänge W2 des Reihenarmresonators die Durchlassbandcharakteristika an der hochfrequenten Seite desselben beeinflussen.
Mit Bezug auf 3 zeigt der Graph Veränderungen bei der Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands des SAW-Filters, wenn die Zwischenraumlänge W2 bei den Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2, die die Reihenarmresonatoren bei dem SAW-Filter definieren, verändert wird. Die Steilheit (eine Einheit derselben ist in MHz angegeben) der Filtercharakteristika nahe dem Durchlassband ist wie folgt definiert. Mit Bezug auf 4 ist an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands die Differenz zwischen der Frequenz, bei der eine Dämpfung 5 dB beträgt, und einer, bei der eine Dämpfung 10 dB beträgt, äquivalent zu der Steilheit der Filtercharakteristika. Je geringer somit die Differenz bei Frequenzen, (MHz), desto steiler die Filtercharakteristika.
Somit zeigt 3, dass es eine Beziehung zwischen der Zwischenraumlänge W2 bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator und der Steilheit der Filtercharakteristika an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands gibt. Falls die Zwischenraumlänge etwa 0,50λ oder mehr beträgt, ist die Steilheit der Filtercharakteristika stark erhöht.
Bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen, bei denen eine Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren in einer Leiteranordnung verbunden sind, ist deshalb, falls die Zwischenraumlänge W2 bei dem Ein-Tor-SAW-Resonator, der den Reihenarmresonator definiert, etwa 0,50λ oder mehr beträgt, die Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark erhöht. Wenn jedoch die Zwischenraumlänge größer als etwa 4λ ist, wie es in 3 gezeigt ist, beginnt die Steilheitserhöhung sich zu verringern. Somit ist die Steilheit an der hochfrequenten Seite am größten, wenn die Zwischenraumlänge W2 sich in dem Bereich von etwa 0,50λ bis etwa 4λ befindet.
Als nächstes wird eine Beschreibung der detaillierten experimentellen Beispiele des SAW-Filters von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung geliefert.
1. Erstes experimentelles Beispiel
Ein LiTaO₃-Substrat, das eine 36°Y-Schnitt-X-Ausbreitung aufweist, wird als ein piezoelektrisches Substrat verwendet. Einzelne Ein-Tor-SAW-Resonatoren und Elektroden, die mit denselben verbunden sind, sind an dem Substrat vorgesehen. Al wird verwendet, um die Ein-Tor-SAW-Resonatoren zu bilden, sowie zum Verbinden der Elektroden.
Die Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2, die Reihenarmresonatoren definieren, und die Ein-Tor-SAW-Resonatoren P1 und P2, die Parallelarmresonatoren definieren, sind jeweils wie folgt gebildet.
(1) Die Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 (Reihenarmresonatoren)
Die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern ist gleich 80, die Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger beträgt etwa 40 μm (10,5λ), die Zwischenraumlänge W2 bei dem IDT beträgt etwa 1,0λ und die Anzahl von Elektrodenfingern in dem Reflektor ist gleich 100.
(2) Die Ein-Tor-SAW-Resonatoren P1 und P3 (Parallelarmresonatoren)
Die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern ist gleich 40, die Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger beträgt etwa 80 μm (20λ), die Anzahl der Elektrodenfinger in einem Reflektor ist gleich 100 und die Zwischenraumlänge W2 beträgt etwa 0,25λ.
(3) Der Ein-Tor-SAW-Resonator P2 (ein Parallelarmresonator)
Die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern ist gleich 80, die Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger beträgt etwa 200 μm (50λ), die Anzahl der Elektrodenfinger in einem Reflektor ist gleich 100 und die Zwischenraumlänge W2 beträgt etwa 0,25λ.
Mit Bezug auf 5 zeigt der Graph die Impedanz-Frequenz-Charakteristika der Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 (Reihenarmresonatoren), die wie oben beschrieben gebildet sind. Wie es in 5 zu sehen ist, ist eine Welligkeit, die durch einen Pfeil A angegeben ist, zwischen einer Resonanzfrequenz und einer Antiresonanzfrequenz vorhanden. Bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung erhöht ein Bewegen der Welligkeit A zu der hochfrequenten Seite des Durchlassbands bei dem SAW-Filter hin die Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark.
Mit Bezug auf 6 sind die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters, das wie oben beschrieben gebildet ist, durch die durchgezogene Linie angegeben. Zum Vergleich gibt die gestrichelte Linie die Filtercharakteristika eines SAW-Filters an, das auf die gleiche Weise wie das oben beschriebene erste experimentelle Beispiel gebildet ist, außer dass die Zwischenraumlänge W2 bei den Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 (Reihenarmresonatoren) auf etwa 0,25λ gesetzt ist. Wie es in 6 gezeigt ist, ist bei dem ersten experimentellen Beispiel, weil die Zwischenraumlänge W2 bei den Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 auf etwa 1,0λ gesetzt ist, die Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands viel größer als die Steilheit bei dem Beispiel, das für einen Vergleich vorgesehen ist.
2. Zweites experimentelles Beispiel
Das SAW-Filter ist auf die gleiche Weise wie bei dem ersten experimentellen Beispiel hergestellt, außer dass die Strukturen der Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 und der Ein-Tor-SAW-Resonatoren P1 bis P3 als die Parallelarmresonatoren wie unten verändert sind.
(1) Die Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 (Reihenarmresonatoren)
Die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern ist gleich 80, die Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger beträgt etwa 40 μm (10,5λ), die Zwischenraumlänge W2 beträgt etwa 2,0λ und die Anzahl der Elektrodenfinger in dem Reflektor ist gleich 100.
(2) Die Ein-Tor-SAW-Resonatoren P1 und P3 (Parallelarmresonatoren)
Die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern ist gleich 40, die Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger beträgt etwa 80 μm (20λ) und die Anzahl der Elektrodenfinger in dem Reflektor ist gleich 100.
(3) Der Ein-Tor-SAW-Resonator P2 (ein Parallelarmresonator)
Die Anzahl von Paaren von Elektrodenfingern ist gleich 80, die Ineinandergreifbreite der Elektrodenfinger beträgt etwa 200 μm (50λ), die Zwischenraumlänge W2 beträgt etwa 0,25λ und die Anzahl von Elektrodenfingern in dem Reflektor ist gleich 100.
Mit Bezug auf 7 zeigt der Graph die Impedanz-Frequenz-Charakteristika des Ein-Tor-SAW-Resonators S1 als dem Reihenarmresonator des SAW-Filters gemäß dem zweiten experimentellen Beispiel. In 7 ist eine Welligkeit, die durch einen Pfeil B angegeben ist, nahe der Antiresonanzfrequenz vorhanden. Ein Bewegen der Welligkeit B zu der hochfrequenten Seite des Durchlassbands bei dem SAW-Filter hin erhöht die Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark.
Mit Bezug auf 8 gibt die durchgezogene Linie die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters gemäß dem zweiten experimentellen Beispiel an. Die gestrichelte Linie zeigt die Dämpfung-Frequenz-Charakteristika des SAW-Filters, das für einen Vergleich bei dem ersten experimentellen Beispiel vorbereitet ist. Es wurde entdeckt, dass selbst bei dem zweiten experimentellen Beispiel die Steil heit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark erhöht ist, wenn die Zwischenraumlänge W2 der Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2 etwa 2,0λ beträgt.
Aus den Vergleichen, wie es in 6 und 8 gezeigt ist, befindet sich verglichen mit dem SAW-Filter des ersten experimentellen Beispiels bei dem SAW-Filter gemäß dem zweiten experimentellen Beispiel die Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands etwas weniger nahe an dem Durchlassband. Obwohl die Steilheit sehr nahe an dem Durchlassband etwas geringer ist, ist jedoch die Steilheit innerhalb der höherfrequenten Seite bei dem SAW-Filter gemäß dem zweiten experimentellen Beispiel größer. Dies ist wahrscheinlich so, weil die Frequenz der Welligkeit der Ein-Tor-SAW-Resonatoren S1 und S2, die die Reihenarmresonatoren definieren, bei dem zweiten experimentellen Beispiel höher als bei dem ersten experimentellen Beispiel ist. Somit ist die Dämpfung bei der Welligkeitsfrequenz erhöht.
Obwohl bei dem ersten und dem zweiten experimentellen Beispiel das LiTaO₃-Substrat mit einer 36°Y-Schnitt-X-Ausbreitung verwendet wird, können ferner die gleichen Vorteile wie bei den oben beschriebenen Beispielen erhalten werden, selbst wenn ein LiTaO₃-Substrat mit einem anderen Schnittwinkel als 36° verwendet wird. Bei der vorliegenden Erfindung können ferner andere piezoelektrische Materialien verwendet werden. Genauer gesagt, kann ein piezoelektrisches Einkristall-Substrat verwendet werden, das aus LiTaO₃, LiNbO₃ oder anderen Materialien hergestellt ist. Alternativ kann auch ein Substrat verwendet werden, das aus piezoelektrischen Keramikmaterialien hergestellt ist, wie beispielsweise Bleizirkonat oder Bleititanat. Zusätzlich kann auch ein piezoelektrisches Substrat verwendet werden, das durch ein Laminieren eines piezoelektrischen Dünnfilms an einem isolierenden Substrat hergestellt ist, das aus einem isolierenden Material hergestellt ist, wie beispielsweise Aluminiumoxid. Falls ein isolierendes Substrat verwendet wird, können die Elektroden des IDT und die Reflek toren an entweder der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des piezoelektrischen Dünnfilms gebildet sein. Jedoch sollte vorzugsweise ein LiTaO₃-Substrat als das piezoelektrische Substrat verwendet werden.
Solange die Zwischenraumlänge bei zumindest einem der Reihenarmresonatoren auf etwa 0,50λ oder mehr gesetzt ist, kann die Welligkeit, die zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz bei dem Reihenarmresonator auftritt, zusätzlich verwendet werden, um die Steilheit an der hochfrequenten Seite des Durchlassbands stark zu erhöhen. Deshalb ist bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung die Steilheit stark erhöht, solange die Zwischenraumlänge W2 von zumindest einem der SAW-Resonatoren, die die Reihenarmresonatoren definieren, zwischen etwa 0,50λ und etwa 4λ liegt.
Ferner ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Reihenarmresonatoren begrenzt. Wenn die Zwischenraumlänge W2 des Ein-Tor-SAW-Resonators, der den Parallelarmresonator definiert, ebenfalls vorzugsweise zwischen 0,50λ und etwa 4λ liegt, erhöht ein Verändern der Frequenz der Welligkeit ebenfalls die Steilheit nahe dem Durchlassband stark.
Deshalb wird bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ein Kondensator parallel zu einem Ein-Tor-SAW-Resonator nicht benötigt, so dass eine Größenreduzierung desselben ermöglicht ist und somit eine Verschlechterung der Dämpfung bei den Frequenzbändern, die von dem Durchlassband weg beabstandet sind, verhindert ist.
Die vorliegende Erfindung kann in geeigneter Weise auf verschiedene elektronische Teile oder Geräte angewandt werden, die ein Oberflächenwellenfilter verwenden, und ein Duplexer und eine Kommunikationsvorrichtung, die einen Duplexer aufweist, können eine der Anwendungen sein, bei denen die einzigartigen Merkmale der vorliegenden Erfindung erfolgreich eingesetzt werden können.
Wie es in 9 gezeigt ist, weist ein Duplexer 40 ein SAW-Filter 41 und ein SAW-Filter 42 auf, die zueinander unterschiedliche Mittenfrequenzen eines Durchlassbands aufweisen. Die SAW-Filter 41 und 42, die in 9 gezeigt, sind identisch mit dem SAW-Filter, das in 1A gezeigt ist, aber andere SAW-Filter gemäß der vorliegenden Erfindung können ebenfalls verwendet werden. Bei dem Duplexer 40 sind ein Eingangsanschluss 43 des SAW-Filters 41 und ein Eingangsanschluss 44 des SAW-Filters 42 elektrisch mit einem ersten Eingang/Ausgang-Anschluss 45 des Duplexers 40 verbunden. Die Masseanschlüsse der SAW-Filter 41 und 42 sind gemeinsam verbunden, um geerdet zu sein. Der Ausgangsanschluss 46 des SAW-Filters 41 und der Ausgangsanschluss 47 des SAW-Filters 42 sind mit einem zweiten Eingang/ Ausgang-Anschluss 48 bzw. einem dritten Eingang/Ausgang-Anschluss 49 des Duplexers 40 verbunden.
Der Duplexer 40 weist eine hervorragende Signalselektivität auf, da die SAW-Filter 41 und 42 die Steilheit an dem hohen Ende des Durchlassbands derselben aufweisen. Da zusätzlich andere Komponenten, wie beispielsweise Kondensatoren, nicht erforderlich sind, kann der Duplexer 40 einen kleinen Körper aufweisen.
10 ist ein Blockdiagramm einer Kommunikationsvorrichtung 50, die den Duplexer 40 aufweist. Die Kommunikationsvorrichtung 50 kann beispielsweise ein Mobiltelefon sein, da ein Mobiltelefon, das gewöhnlich ein schmales Kommunikationsband und einen kleinen handlichen Körper erfordert, geeignet ist, um die zuvor erwähnten Vorzüge des Duplexers 40 zu genießen. Die Kommunikationsvorrichtung 50 weist eine Antenne 51, einen Empfänger 52 und einen Sender 53 auf, die mit dem ersten, dem zweiten und dem dritten Eingang/Ausgang-Anschluss des Duplexers 40 verbunden sind. Die Durchlassbänder der SAW-Filter 41 und 42 des Duplexers 40 sind ausgewählt, derart, dass die Signale, die durch die Antenne 51 empfangen werden, das SAW-Filter 41 durchlaufen und durch das SAW-Filter 42 blockiert werden und dass die Signale, die von dem Sender 43 gesendet werden sollen, das SAW-Filter 42 durchlaufen.
Während die Erfindung mit Bezug auf bevorzugte Ausführungsbeispiele derselben speziell gezeigt und beschrieben wurde, ist Fachleuten auf dem Gebiet ersichtlich, dass die vorhergehenden und andere Veränderungen an Form und Details an derselben vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der Erfindung abzuweichen, der in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.

Claims

Ein Oberflächenwellenfilter, das folgende Merkmale aufweist: ein piezoelektrisches Substrat; eine Mehrzahl von Interdigitalwandlern (1), die an dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren (S₁, S₂, P₁, P₂, P₃) zu definieren, wobei die Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren verbunden sind, um eine Leiterschaltung zu bilden, die einen Reihenarm und einen Parallelarm aufweist, wobei jeder der Mehrzahl von Interdigitalwandlern (1) eine erste und eine zweite kammförmige Elektrode (10, 11) umfasst, von denen jede eine Mehrzahl von Elektrodenfingern (6, 7) und eine Sammelschiene (4, 5) aufweist, die mit ersten Enden der Mehrzahl von Elektrodenfingern (6, 7) verbunden ist, wobei die erste und die zweite kammförmige Elektrode (10, 11) ineinander greifen, so dass zweite Enden der Mehrzahl von Elektrodenfingern (6) der ersten kammförmigen Elektrode (10) sich zu der Sammelschiene (5) der zweiten kammförmigen Elektrode (11) hin erstrecken, um den jeweiligen Interdigitalwandler zu definieren; dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einer der Mehrzahl von Interdigitalwandlern (1) angeordnet ist, derart, dass ein Zwischenraum (W2) zwischen der Sammelschiene der ersten kammförmigen Elektrode (10) und den zweiten Enden der Elektrodenfinger (7), die mit der Sammelschiene (5) der zweiten kammförmigen Elektrode (11) verbunden sind, in einem Bereich von etwa 0,50 λ bis etwa 4λ liegt, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, die an dem piezoelektrischen Substrat angeregt werden soll.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem zumindest einer der Ein-Tor-SAW-Resonatoren (51, 52) an dem Reihenarm der Leiterschaltung verbunden ist.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 2, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Reihenarmen aufweist und der Zwischenraum bei dem Interdigitalwandler von jedem der Reihenarme innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ liegt.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 2, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Reihenarmen aufweist, wobei der Zwischenraum bei dem Interdigitalwandler von zumindest einem der Reihenarme innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ liegt.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 2, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Parallelarmen aufweist, wobei der Zwischenraum bei dem Interdigitalwandler von zumindest einem der Parallelarme innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ liegt.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem das piezoelektrische Substrat ein LiTaO₃-Substrat ist.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem das piezoelektrische Substrat ein LiNbO₃-Substrat ist.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem das piezoelektrische Substrat aus einem piezoelektrischen Keramikmaterial hergestellt ist.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 8, bei dem das piezoelektrische Keramikmaterial zumindest Bleizirkonat oder Bleititanat ist.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem das piezoelektrische Substrat einen laminierten piezoelektrischen Dünnfilm an einem isolierenden Substrat umfasst.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 10, bei dem die Elektroden des Interdigitalwandlers an einer oberen Oberfläche oder einer unteren Oberfläche des piezoelektrischen Dünnfilms angeordnet sind.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem zumindest einer der Ein-Tor-SAW-Resonatoren ferner einen ersten und einen zweiten Reflektor (2, 3) aufweist, die an dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, derart, dass der erste Reflektor (2) sich benachbart zu dem Interdigitalwandler (1) an einer Seite des Interdigitalwandlers (1) befindet und sich der zweite Reflektor (3) benachbart zu dem Interdigitalwandler (1) an der anderen Seite des Interdigitalwandlers (1) befindet.
Ein Oberflächenwellenfilter gemäß Anspruch 1, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Reihenarmen und Parallelarmen aufweist, derart, dass die Reihenarme und die Parallelarme abwechselnd positioniert sind.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenfilters, das folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrats; und Bilden einer Mehrzahl von Interdigitalwandlern (1), die an dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren (S₁, S₂, P₁, P₂, P₃) zu definieren, wobei die Mehrzahl von Ein-Tor-SAW-Resonatoren verbunden sind, um eine Leiterschaltung zu bilden, die einen Reihenarm und einen Parallelarm aufweist, wobei jeder der Mehrzahl von In terdigitalwandlern (1) eine erste und eine zweite kammförmige Elektrode (10, 11) umfasst, von denen jede eine Mehrzahl von Elektrodenfingern (6, 7) und eine Sammelschiene (4, 5) aufweist, die mit ersten Enden der Mehrzahl von Elektrodenfingern (6, 7) verbunden ist, wobei die erste und die zweite kammförmige Elektrode (10, 11) ineinander greifen, so dass zweite Enden der Mehrzahl von Elektrodenfingern (6) der ersten kammförmigen Elektrode (10) sich zu der Sammelschiene (5) der zweiten kammförmigen Elektrode (11) hin erstrecken, um den jeweiligen Interdigitalwandler zu definieren; gekennzeichnet durch den weiteren Schritt eines Erzeugens eines Zwischenraums (W2) bei zumindest einem der Mehrzahl von Interdigitalwandlern (1), derart, dass der Zwischenraum zwischen der Sammelschiene (4) der ersten kammförmigen Elektrode (10) und den zweiten Enden der Elektrodenfinger (7) existiert, die mit der Sammelschiene (5) der zweiten kammförmigen Elektrode (11) verbunden sind, und die Zwischenraumbreite sich innerhalb eines Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ befindet, wobei λ eine Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist, die an dem piezoelektrischen Substrat angeregt werden soll.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem zumindest einer der Ein-Tor-SAW-Resonatoren (S₁, S₂) an dem Reihenarm der leiterförmigen Schaltung verbunden ist.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem das piezoelektrische Substrat ein LiTaO₃-Substrat ist.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Reihenarmen aufweist und der Zwischenraum bei den Interdigitalwandlern von al len Reihenarmen sich innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ befindet.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Reihenarmen aufweist, wobei sich der Zwischenraum bei dem Interdigitalwandler von zumindest einem der Reihenarme innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ befindet.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem die Leiterschaltung eine Mehrzahl von Parallelarmen aufweist, wobei der Zwischenraum bei dem Interdigitalwandler von zumindest einem der Parallelarme sich innerhalb des Bereichs von etwa 0,50λ bis etwa 4λ befindet.
Das Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem die Welligkeit an einer Schulter einer hochfrequenten Seite des Durchlassbands auftritt.
Ein Duplexer (40), der ein Paar von Oberflächenwellenfiltern (41, 42) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13 aufweist.
Eine Kommunikationsvorrichtung (50), die einen Duplexer (40) gemäß Anspruch 21 aufweist.