DE69814330T2 - Element de commutation avec guide d'onde à coeur elargi - Google Patents

Element de commutation avec guide d'onde à coeur elargi Download PDF

Info

Publication number
DE69814330T2
DE69814330T2 DE69814330T DE69814330T DE69814330T2 DE 69814330 T2 DE69814330 T2 DE 69814330T2 DE 69814330 T DE69814330 T DE 69814330T DE 69814330 T DE69814330 T DE 69814330T DE 69814330 T2 DE69814330 T2 DE 69814330T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
waveguides
waveguide
optical
fibers
optical fibers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69814330T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69814330D1 (de
Inventor
Julie E. Portola Valley Fouquet
David K. Mountian View Donald
Datong Sunnavale Chen
Kok Wai Sunnyvale Chang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69814330D1 publication Critical patent/DE69814330D1/de
Publication of DE69814330T2 publication Critical patent/DE69814330T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/3538Optical coupling means having switching means based on displacement or deformation of a liquid
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/004Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on a displacement or a deformation of a fluid
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/30Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
    • G02B6/305Optical coupling means for use between fibre and thin-film device and having an integrated mode-size expanding section, e.g. tapered waveguide
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/354Switching arrangements, i.e. number of input/output ports and interconnection types
    • G02B6/35442D constellations, i.e. with switching elements and switched beams located in a plane
    • G02B6/3546NxM switch, i.e. a regular array of switches elements of matrix type constellation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/3564Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details
    • G02B6/3568Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details characterised by the actuating force
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/3596With planar waveguide arrangement, i.e. in a substrate, regardless if actuating mechanism is outside the substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/36Mechanical coupling means
    • G02B6/3628Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
    • G02B6/3632Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the cross-sectional shape of the mechanical coupling means
    • G02B6/3636Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the cross-sectional shape of the mechanical coupling means the mechanical coupling means being grooves
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/36Mechanical coupling means
    • G02B6/3628Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
    • G02B6/3648Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures
    • G02B6/3652Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures the additional structures being prepositioning mounting areas, allowing only movement in one dimension, e.g. grooves, trenches or vias in the microbench surface, i.e. self aligning supporting carriers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

  • TECHNISCHES FELD
  • Die Erfindung betrifft im allgemeinen optische Schaltelemente und insbesondere Umschalter (switches), die den Austausch von Signalen zwischen optischen Fasern und Substratwellenleitern erfordern.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Üblicherweise werden innerhalb von Telekommunikationsnetzen und Datenkommunikationsnetzen Signale durch die Übertragung elektrischer Signale über elektrisch leitende Leitungen ausgetauscht. Ein alternatives Medium zum Austausch von Daten bietet hingegen die Übertragung optischer Signale über optische Fasern. Zur effizienten Erzeugung und Übertragung optischer Signale wurden Einrichtungen entworfen und implementiert, allerdings ist der Entwurf optischer Umschalter (optical switch) zur Verwendung in Telekommunikations- und Datenkommunikationsnetzen problematisch. Datenkommunikationsnetze benutzen oft Paketumschalttechniken; in denen die Information in Pakete mit fester Länge aufgeteilt wird, welche übertragen werden und dann auf der Empfangsseite wieder zusammengesetzt werden. Ein Vorteil der Paketumschalter besteht darin, daß diese die Übertragungsresourcen eines Systems effizient verwenden. Hinsichtlich optischer Paketübertragungen ergibt sich der Nachteil, daß die Umschalteinrichtungen nicht soweit entwickelt sind, wie vergleichbare elektrische Umschalteinrichtungen. Insbesondere ist ein hauptsächlicher Nachteil das Fehlen von optischem Speicher, der einfach zu verwenden ist. Optische Querverbindungs-Umschalter (cross-connect circuit switches) werden von Telekommunikationsunternehmen verwendet, um Signale, die eine hohe Bitrate aufweisen, zwischen optischen Fasern umzuleiten. Insbesondere sind diese in Systemen nützlich, die Wellenlängenmultiplexing (WDM) verwenden, wobei die Leistungsfähigkeit der Übertragung durch die Verwendung paralleler Kanäle bei verschiedenen Wellenlängen erhöht wird. Umschalter dieses Typs sind im Handel erhältlich, weisen allerdings entweder große Abmessungen, schlechte Leistungsfähigkeit, einen hohen Preis oder eine Kombination dieser Faktoren auf.
  • In dem US Patent 5,669,462 von Fouquet et al., das von derselben Anmelderin wie die vorliegende Erfindung stammt, wird eine Umschaltmatrix beschrieben, die zum Umleiten optischer Signale von einer beliebigen Anzahl optischer paralleler Eingangsfasern auf eine beliebige Anzahl optischer paralleler Ausgangsfasern verwendet werden kann. Eine funktional verknüpfte Matrix von Umschaltelementen ist in US 4,988,157 von Jackel et al. beschrieben. Ein Umschaltelemente 10 ist in 1 gezeigt, während in 2 eine 4 × 4-Matrix 32 aus Umschaltelementen dargestellt ist. Der optische Umschalter von 1 ist auf einem Substrat ausgebildet. Das Substrat kann ein Siliziumsubstrat sein, jedoch können auch andere Materialien verwendet werden. Der optische Umschalter 10 umfaßt planare Wellenleiter, die durch eine untere Mantelschicht 14, einen Kern 16 und eine obere Mantelschicht 18 definiert sind. Der Kern besteht vornehmlich aus Siliziumdioxid, jedoch sind weitere Materialien hinzugefügt, die den Brechungsindex des Kerns beeinflussen. Die Mantelschichten sollten aus einem Material ausgebildet sein, das einen Brechungsindex hat, der sich von dem Brechungsindex des Kernmaterials deutlich unterscheidet, so daß die optischen Signale entlang des Kernmaterials geführt werden.
  • Das Kernmaterial 16 ist so strukturiert, daß ein Eingangswellenleiter 20 und ein Ausgangswellenleiter 26 eines ersten Wellenleiterwegs sowie ein Eingangswellenleiter 24 und ein Augangswellenleiter 22 eines zweiten Wellenleiterwegs ausgeformt wird. Ein Graben 28 ist durch das Kernmaterial bis auf das Siliziumsubstrat geätzt. Die Wellenleiter schneiden den Graben mit einem Einfallswinkel, der größer als der kritische Winkel der totalen inneren Reflexion (TIR) ist, wenn der Graben mit Dampf oder Gas gefüllt ist. Daher lenkt die TIR Licht von dem Eingangswellenleiter 20 zu dem Ausgangswellenleiter 22 um, außer wenn sich ein Material zur Anpassung des Brechungsindex in der Lücke zwischen den ausgerichteten Segmenten 20 und 26 befindet. Idealerweise ist der Graben 28 bezüglich der vier Wellenleiter so positioniert, daß eine Seitenwand des Grabens direkt durch den Schnitt der Achsen der Wellenleiter geht. In der 4 × 4-Matrix 32 von 2 kann jeder der vier Eingangswellenleiter 34, 36, 38 und 40 mit einem der vier Ausgangswellenleiter 42, 44, 46 und 48 optisch gekoppelt werden. Die Schaltanordnung wird als „nicht-blockierend" bezeichnet, da jede freie Eingangsfaser mit jeder freien Ausgangsfaser verbunden werden kann, unabhängig von den Verbindungen, die bereits durch die Schaltanordnung hergestellt wurden. Jeder der sechzehn optischen Umschalter hat einen Graben, der bei Fehlen einer Flüssigkeit mit passendem Index eine TIR verursacht, jedoch werden kolineare Segmente eines bestimmten Wellenleiterwegs optisch verbunden, wenn die Lücken zwischen den kolinearen Segmenten mit einem Fluid gefüllt sind, das einen passenden Index hat. Die Gräben, in denen die Wellenleiterlücken mit Fluid gefüllt sind, werden durch dünne Linien dargestellt, die sich mit einem Winkel durch die Schnittflächen der optischen Wellenleiter in der Anordnung erstrecken: Gräben, in denen sich an den Lücken kein Fluid mit passendem Index befindet, werden hingegen mit dicken Linien dargestellt, die durch einen Schnittpunkt gehen.
  • Der Eingangswellenleiter 20 von 1 und 2 steht als Ergebnis der Reflexion an dem leeren Graben 28 mit dem Ausgangswellenleiter 22 in Verbindung. Da sich alle Schnittpunkte zur Kommunikation des Eingangswellenleiters 34 mit dem Ausgangswellenleiter 44 in einem Übertragungszustand befinden, wird ein Signal, das an dem Eingangswellenleiter 34 erzeugt wird, an dem Ausgangswellenleiter 44 empfangen. In gleicher Weise ist der Eingangswellenleiter 36 mit dem ersten Ausgangswellenleiter 42, der dritte Eingangswellenleiter 38 mit dem vierten Ausgangswellenleiter 48 und der vierte Eingangswellenleiter 40 mit dem dritten Ausgangswellenleiter 46 optisch gekoppelt.
  • Zur Veränderung eines optischen Umschalters des in 1 gezeigten Typs von einem übertragenden Zustand in einen reflektierenden Zustand stehen eine Reihe von Techniken zur Verfügung. In dem oben genannten Patent von Jackel et al. befindet sich in der Lücke zwischen den Wellenleitern Wasser oder eine Flüssigkeit mit passendem Brechungsindex, bis eine elektrochemisch erzeugte Blase gebildet wird. Um die Flüssigkeit elektrolytisch in gasförmige Blasen umzuwandeln, sind ein Paar Elektroden vorgesehen. Eine Blase erzeugt an der Lücke zwischen den kolinearen Wellenleitern eine Indexungleichheit und verursacht die Reflexion von Licht an der Seitenwand eines Grabens. Die Blase kann durch einen zweiten Impuls, der eine entsprechende Polarität hat, zerstört werden, wodurch die Blase entfernt wird und der Umschalter in den übertragenden Zustand zurückkehrt.
  • Die japanische Anmeldung Nr. 6-229802 von Sato et al. (Kokai Nr. 8-94866) beschreibt die Verwendung von Heizelementen, um eine Lücke, die von zwei Wellenleitern geschnitten wird, mit Flüssigkeit zur Anpassung des Index zu versorgen oder diese daraus zu entfernen. Der Strom der Flüssigkeit wird durch selektiv aktivierte Heizelemente gesteuert.
  • Das Dokument JP 06118317 beschreibt einen optischen Wellenleiterumschalter, in dem jeder optische Wellenleiter eine Breite aufweist, welche sich in der Nähe eines Schnittpunktes mit einem anderen Wellenleiter vergrößert. Daher erweitert sich in der Nähe des Schnittpunktes der Durchmesser des Ausgangsstrahls. Zweck dieses Dokumentes ist es, einen als Matrix ausgebildeten optischen Wellenleiterumschalter vorzusehen, der eine geringe Eingangsdämpfung und eine hohe Leistungsfähigkeit hat, indem optische Wellenleiterteile ausgebildet werden, wobei die optischen Wellenleiter an der Eingangsseite und an der Ausgangsseite des Wellenleiters der Länge nach in bezug auf die Kernbreite verändert werden.
  • Die Veröffentlichung „IEEE Photonics Technology Letters", Band 4, Nr. 9 vom September 1992, Seiten 1028 bis 1031, beschreibt einen „Low-Loss Optical Connector between Dissimilar Single-Mode Fibres using Local Core Expansion Technique by Thermal Diffusion" (einen optischen Verbinder mit geringem Verlust zwischen unterschiedlichen Single-Mode-Fasern mit einer lokalen Kernexpansionstechnik durch thermische Diffusion). Diese Schrift zeigt die Verwendung von sich verjüngenden Fasern anstelle sich verjüngender Wellenleiter, um eine Kopplung mit einem geringem Verlust zu erreichen.
  • Die Quellen für Signalverluste bei Umschaltmatrizen umfassen Kopplungsverluste an den Schnittstellen zwischen den optischen Fasern und den Wellenleitern, Übertragungsverluste entlang der Wellenleiter sowie Übertragungsverluste als Ergebnis des Durchlaufens eines fluidgefüllten Grabens von einem Wellenleiter zu einem kolinearen Wellenleiter. Eine übliche optische Faser besitzt einen Durchmesser von ungefähr 8 μm. Um Kopplungsverluste zu steuern, können die Kerne der Wellenleiter so hergestellt werden, daß sie mit dem Durchmesser der optischen Faser im wesentlichen übereinstimmen. Die oben genannte Druckschrift von Sato et al. beschreibt das Herstellen einer Kernschicht, die einen Aufbau mit einem quadratischen Querschnitt aufweist, wobei sowohl die Dicke als auch die Breite des Wellenleiters ungefähr 8 μm beträgt. Der Text des Patents von Jackel et al. beschreibt die Kernschicht mit einer Dicke von ungefähr 7 μm, die ungefähr mit dem Durchmesser einer Single-Mode-Faser übereinstimmt. Abrupte Veränderungen der Abmessungen würden zu Signalverlust und Signalreflexion führen.
  • Die Auswahl der Wellenleiterabmessungen zur Minimierung der Kopplungsverluste an den Schnittstellen zwischen den optischen Fasern und den Wellenleitern ist nicht notwendiger Weise gleichzeitig eine wünschenswerte Auswahl in Hinblick auf die Optimierung anderer Aspekte der Umschaltfunktion. Daher müssen Kompromisse eingegangen werden. Abhängig von der Breite der Gräben, welche die Wellenleiter schneiden, können breitere Wellenleiter die Übertragungsverluste über die fluidgefüllten Lücken verringern. Beispielsweise in Anwendungen, bei denen höhere Verluste toleriert werden können (beispielsweise Datenkommunikation) kann es von Vorteil sein, optische Standardfasern mit einem Kern von 8 μm mit breiteren und dickeren Wellenleitern zu verbinden, wobei Kopplungsverluste im Gegenzug zu einer verbesserten Leistungsfähigkeit in Kauf genommen werden, die durch die größeren Abmessungen des Querschnitts an der Schnittstelle mit dem Graben entsteht.
  • Daher besteht ein Bedarf an einem optischen Umschaltelement, wobei die Auswahl der Wellenleiterabmessungen, Lückenabmessungen und Faserabmessungen nicht zu Lasten der Leistungsfähigkeit geht. Das heißt, daß ein optisches Umschaltelement benötigt wird, das sowohl geringe Kopplungsverluste zwischen Faser und Wellenleiter sowie geringe Übertragungsverluste über einer fluidgefüllten Lücke innerhalb eines Wellenleiterpaars vorsieht.
  • ABRISS DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung sieht ein Umschaltelement nach Anspruch 1 vor.
  • Ein Umschaltelement koppelt selektiv einen ersten optischen Pfad mit einem zweiten optischen Pfad, wobei jeder optische Pfad eine optische Faser umfaßt, die mit einem Substrat-Wellenleiter gekoppelt ist, und jeder optische Pfad weiterhin einen sich ver jüngenden Bereich umfaßt, in dem die Querschnittsfläche des optischen Pfads mit der Entfernung von einer Lücke zwischen den zwei optischen Fasern abnimmt. In einer Ausführung sind die sich verjüngenden Bereiche der optischen Pfade entlang der Wellenleiter ausgebildet. Jeder der zwei Wellenleiter hat ein inneres Ende mit einer ersten Querschnittsfläche. Die inneren Enden sind an der Lücke angeordnet, in der die optischen Charakteristika selektiv umgeschaltet werden, um festzulegen, wann die zwei optischen Pfade optisch gekoppelt sind. Die erste Querschnittsfläche wird ausgewählt, um eine hohe Kopplungseffizienz entlang der Lücke zu bieten. Die Wellenleiter verjüngen sich auf eine zweite Querschnittsfläche, die ausgeführt ist, eine hohe Kopplungseffizienz zu den Fasern zu unterstützen. In einer zweiten Ausführung sind die sich verjüngenden Bereiche entlang der optischen Fasern ausgebildet. Beispielsweise können Fasern mit thermisch erweitertem Kern (TEC-Fasern) verwendet werden, um die optischen Pfade von einer ersten Querschnittsfläche auf eine verringerte zweite Querschnittsfläche zu verjüngen.
  • Bei vielen Anwendungen ergeben sich Vorteile aus einer relativ breiten Lücke zwischen den zwei optischen Fasern. Wenn beispielsweise die Lücke ein Abschnitt eines Grabens ist, der Flüssigkeit enthält und in dem eine Blase beeinflußt wird, um die An- oder Abwesenheit einer Flüssigkeit zur Anpassung des Index in der Lücke festzulegen, kann die Bewegung der Blase verläßlicher sein, wenn die Grabenbreite relativ groß ist (beispielsweise 25 μm im Vergleich zu 15 μm). Es wurde ermittelt, daß sich relativ geringe Verluste ergeben, wenn ein optisches Signal durch einen im wesentlichen quadratischen Wellenleiter mit Seitenlängen von ungefähr 16 μm von dem ersten optischen Pfad zu dem zweiten optischen Pfad über das Fluid zur Anpassung des Index läuft. Jedoch ergeben sich an den abrupten Änderungen der Abmessungen bei relativ großen Wellenleitern starke Kopplungsverluste, wenn optische Signale den Wellenleiter verlassen und in Standard-Single-Mode-Fasern eintreten, die einen Kerndurchmesser von ungefähr 7 oder 8 μm für Single-Mode-Telekommunikationsanwendungen im 1,55 μm-Bereich haben. Der sich verjüngende Bereich eines optischen Pfades reduziert die nachteiligen Effekte wesentlich, die sich durch den Kompromiß zwischen der Kopplungseffizienz. von Wellenleiter zu Faser und der Kopplungseffizienz entlang des Grabens ergeben.
  • Der sich verjüngende Bereich eines optischen Pfades ist idealer Weise „adiabatisch". Das heißt, daß die Querschnittsfläche der sich verjüngenden Wellenleiterfasern sich mit der Entfernung langsam verändern, so daß die lokale normale Mode geringster Ordnung des Wellenleiters/der Faser durch den sich verjüngenden Bereich läuft, ohne daß eine kumulative Übertragung von Leistung zu den lokalen normalen Moden höherer Ordnung auftritt. Auf diese Weise werden Reflexionen innerhalb des sich verjüngenden Bereichs minimiert.
  • In der Ausführung, in der die sich verjüngenden Bereiche auch entlang der optischen Fasern ausgebildet sind, können TEC-Fasern in Klemmen oder in V-förmigen Rillen innerhalb eines Siliziumsubstrats montiert werden, um Bandverbinder (ribbon connectors) auszubilden, welche die Verbindung mit dem Substrat vereinfachen, das die Wellenleiter umfaßt. Somit kann unter Verwendung der Erfindung eine Matrix von Umschaltelementen ausgebildet werden. Die Lichtkopplung der zwei TEC-Fasern an den entgegengesetzten Enden des Bandverbinders kann dazu verwendet werden, alle genau positionierten TEC-Fasern aktiv mit den genau positionierten Substratwellenleitern auszurichten. Der Bandverbinder kann dann mittels Epoxidharz mit dem Wellenleitersubstrat verbunden werden, wobei Epoxidharz mit passendem Index verwendet wird. Ein Vorteil dieser Herangehensweise ist, daß ein großer symmetrischer (zum Beispiel 16 μm × 16 μm) Wellenleiter verwendet werden kann, so daß beide Polarisationskomponenten eines Eingangssignals gleichermaßen behandelt werden, wodurch sich die Gefahr polarisationsabhängiger Verluste verringert.
  • Die Vorteile des Umschaltelementes werden erreicht, ohne daß wesentliche Veränderungen bei der Wellenleiterherstellung erforderlich wären. Wie vorab bemerkt wurde, ist die große Querschnittsfläche an den inneren Enden der Wellenleiter vorzugsweise für Anwendungen vorgesehen, in denen breite Gräben vorteilhaft sind. Als Alternative zur Blasenmanipulation kann ein Graben mit einem Fluid, das einen passenden Index hat, oder mit einem Fluid, das einen nicht passenden Index hat, z. B. Luft, gefüllt sein und einen versetzbaren Spiegel umfassen, der in die Lücke zwischen den zwei Wellenleitern bewegt wird, um ein optisches Signal zu einem dritten Wellenleiter umzulenken.
  • Die Bewegung des Spiegels kann in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Wellenleiters sein oder in einer Richtung entlang des Grabens verlaufen. Wenn ein mikromechanisch angetriebenes Stellglied verwendet wird, um den Spiegel zu manipulieren, muß die Breite des Grabens groß genug sein, um das Stellglied aufzunehmen. Daher ergeben sich durch die Spiegelmanipulation, ähnlich wie bei der Blasenmanipulation, Vorgaben hinsichtlich der Größe des Wellenleiters, um Verluste unter Kontrolle zu halten.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Aufsicht eines optischen Umschaltelementes, das gemäß dem Stand der Technik totale interne Reflexion verwendet.
  • 2 ist eine Matrix aus Umschaltelementen nach 1 gemäß dem Stand der Technik, die es erlaubt, um eine Anzahl von Eingangswellenleitern mit einer Anzahl von Ausgangswellenleitern zu verbinden.
  • 3 ist eine Aufsicht einer Matrix aus Umschaltelementen gemäß einer Ausführung der Erfindung mit optischen Pfaden, welche Wellenleiter mit sich verjüngenden Bereichen umfassen.
  • 4 ist eine graphische Darstellung des Anteils des Signalenergieverlustes entlang des Pfades mit dem größten Verlust in einer 16 × 16-Umschaltmatrix als Funktion der Größe der fluidgefüllten Gräben, durch die das Signal läuft, wobei Wellenleiter mit drei verschiedenen Größen durch drei Kurven dargestellt werden.
  • 5 ist eine Aufsicht der sich verjüngenden Abschnitte der vier Wellenleiter von 1.
  • 6 ist ein Querschnitt einer TEC-Faser, die in einer zweiten Ausführung der Erfindung verwendet wird.
  • 7 ist eine Aufsicht der TEC-Faser von 6, die mit einem Wellenleiter gemäß der zweiten Ausführung der Erfindung verbunden ist.
  • 8 ist eine Stirnansicht von vier optischen Fasern, die innerhalb eines Siliziumsubstrats positioniert sind, um Umschaltelementen mit den Wellenleitern gemäß der Erfindung optisch zu koppeln.
  • 9 ist eine perspektivische Ansicht der Struktur von 8 mit einem oberen Siliziumsubstrat, das die optischen Fasern festhält.
  • 10 ist eine Aufsicht eines Umschaltelementes mit Techniken zur Blasenmanipulation, um zwischen einem reflektierenden Zustand und einem übertragenden Zustand umzuschalten.
  • 11 ist eine Aufsicht des Umschaltelementes von 10 im übertragenden Zustand.
  • BESTE ART UND WEISE DER AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß 3 umfaßt eine Matrix 50 aus Umschaltelementen ein Wellenleitersubstrat 52, das an vier Substraten zur Faseranordnung 54, 56, 58 und 60 befestigt ist. Das Wellenleitersubstrat ist vorzugsweise ein Siliziumchip, jedoch können auch andere Materialien, beispielsweise Quarz, verwendet werden. Ein Vorteil eines Siliziumsubstrats ist, daß dieses die Verwendung von Techniken zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen erleichtert, um lichtübertragende Wellenleiterstrukturen und fluidzuführende Löcher auszubilden.
  • Das Wellenleitersubstrat 52 ist vierseitig ausgestaltet. Die Winkel der benachbarten Seiten legen die Schnittwinkel der Wellenleiter mit den Gräben fest, die von dem Typ sind, der oben mit Bezug auf 1 beschrieben wurde. Wenn das Substrat quadratisch ist und jeder Wellenleiter so hergestellt ist, daß er sich senkrecht zu einer Kante des Substrats erstreckt, ist jedes optische Umschaltelement im wesentlichen identisch mit dem Umschaltelement 10, das in 1 gezeigt wird. Jedoch liegt in der bevorzugten Ausführung der Auftreffwinkel des Wellenleiters auf den Graben im Bereich zwischen 45° und 60°.
  • Obwohl dies nicht in der Aufsicht von 3 gezeigt ist, können die Schnittflächen zwischen dem Wellenleitersubstrat 52 und jedem Faseranordnungssubstrat 54, 56, 58 und 60 absichtlich mit einem Winkel, beispielsweise acht Grad, geneigt sein. Diese absichtliche Neigung dient dazu, den Betrag der Reflexion zwischen den Wellenleitern auf dem Substrat 52 und den optischen Fasern auf dem Substrat 54, 56, 58 und 60 zu verringern.
  • In 3 umfaßt das Wellenleitersubstrat 52 sechzehn Ein-/Ausgangswellenleiter 62, 64, 66, 68, 70, 72, 74, 76, 78, 80, 82, 84, 86, 88, 90 und 92. Zusätzlich sind vierundzwanzig Zwischenwellenleiter vorgesehen, um die Flexibilität der Umschaltanordnung zu erhöhen. Um den Ein-/Ausgangswellenleiter 62 optisch mit dem Ein-/Ausgangswellenleiter 84 zu koppeln, muß ein optisches Signal durch drei Zwischenwellenleiter und vier fluidgefüllte Lücken laufen, die zwischen den benachbarten Wellenleitern angeordnet sind. Wie oben anhand der 1 beschrieben ist, können die Lücken durch Gräben an den Schnittstellen der Wellenleiter ausgebildet werden. In 3 sind die Gräben durch Linien 94 an den Schnittpunkten dargestellt. Wenn der unterste Graben in 3 kein Fluid mit passendem Index umfaßt, wird jedes Eingangssignal von dem Wellenleiter 62 durch totale interne Reflexion zu dem Eingangs-/Ausgangswellenleiter 92 umgeleitet. Wenn andererseits der unterste Graben ein Fluid mit passendem Index an der Lücke zwischen den Wellenleitern umfaßt, läuft das optische Signal durch den Graben von dem Wellenleiter 62 zu dem nächsten Graben. Abhängig von der An- oder Abwesenheit von Fluid kann das Eingangssignal von dem Wellenleiter 62 zu einem der vier Wellenleiter 86, 88, 90 und 92 umgeleitet werden. Diese Vielseitigkeit trifft auch für die drei anderen Wellenleiter 64, 66 und 68 zu, die zu dem Wellenleiter 62 benachbart sind.
  • Jeder der Wellenleiter 62–92 ist aus einem Kernmaterial, beispielsweise aus Siliziumdioxid, das mit Germanium oder Titandioxid dotiert ist, gebildet, um einen ersten Brechungsindex zu definieren. Das Mantelmaterial kann auch aus Siliziumdioxid bestehen, allerdings mit einem anderen Dotierstoff, beispielsweise B2O3 und/oder P2O5, um einen zweiten Brechungsindex zu definieren, der sich von dem ersten Brechungsindex unterscheidet. Durch der Differenz der Brechungsindizes werden optische Signale entlang der Wellenleiterkerne geführt.
  • Jeder der Faseranordnungs-Substrate 54, 56, 58 und 60 umfaßt vier optische Fasern 96, 98, 100 und 102. In der Ausführung von 3 sind die Fasern konventionelle Fasern mit einem gleichmäßig bemessenem Querschnitt, beispielsweise ein kreisförmiger Querschnitt mit einem Durchmesser von ungefähr 8 μm. Der Abstand der Fasern auf dem Faseranordnungs-Substrat 54–60 paßt zu dem Abstand der Eingangs-/Ausgangswellenleiter 62–92 auf dem Wellenleitersubstrat 52. Ein akzeptabler Abstand beträgt, ungefähr 250 μm, allerdings können andere Mittenabstände verwendet werden, beispielsweise 500 μm. Bei dem Ausrichtungsprozeß kann Licht, das von den äußeren zwei Fasern 96 und 102 eines bestimmten Faseranordnungs-Substrats gekoppelt wird; in einem aktiven Ausrichtungsarbeitsschritt verwendet werden. Dies ist möglich, wenn der Faserabstand genau beibehalten wird. Hochgenaues Positionieren der Fasern kann erreicht werden, indem die einzelnen Fasern in Klemmen oder V-förmigen Rinnen montiert werden, die auf photolithographischem Wege in ein Siliziumsubstrat einstrukturiert werden. Unter solchen Voraussetzungen führt die aktive Ausrichtung der äußeren Fasern 96 und 92 zu einer präzisen Positionierung der dazwischenliegenden Fasern 98 und 100. Die Fasern und die Wellenleiter können an diesen Stellen mit einem Epoxidharz, das einen passenden Index hat, fixiert werden. Zusätzlich zu den vernachlässigbaren Einfügungsverlusten hat diese Lösung den Vorteil, daß beide optische Polarisationskomponenten eines Eingangssignals oder eines Ausgangssignals so gleich wie möglich behandelt werden, wodurch die Gefahr von polarisationsabhängigen Verlusten reduziert wird. Ferner stehen weitere Verfahren zum Fixieren und zum Beibehalten der Faserpositionen in Anordnungen zur Verfügung.
  • Idealerweise hätten die Wellenleiter 62–92 die gleiche Querschnittsgeometrie wie die optischen Fasern 96–102. Jedoch ist es nicht möglich, Substratwellenleiter mit einem kreisförmigen Querschnitt herzustellen. Darüber hinaus ist die 8 μm-Abmessung einer üblichen Faser nicht notwendigerweise optimal für Wellenleiter, bei denen die optischen Signale fluidgefüllte Gräben durchlaufen, um von einem Wellenleiter zu einem im wesentlichen kolinearen Wellenleiter zu gehen. Bezüglich 4 wurde ein Modell erzeugt, um den Anteil des einfallenden Lichtes zu ermitteln, das während der Übertragung durch fluidgefüllte Lücken entlang des Pfades mit dem höchsten Verlust in einer 16 × 16-Umschaltematrix als Funktion der Breite der Lücke verloren geht. In diesem Modell wurde angenommen, daß der Wellenleiter senkrecht auf einen Graben auftrifft, so daß die Breite der Lücke gleich der Breite des Grabens ist. In der Praxis ist der Einfallwinkel ein schiefer Winkel, so daß die physikalische Weglänge eines optischen Signals in dem Graben größer als die nominale Breite des Grabens ist. Eine erste Kurve 104 vergleicht die Übertragungsverluste als Funktion der Breite der Lücke für eine Querschnittsgeometrie des Wellenleiters mit einer Breite von 8 μm und einer Dicke von 8 μm. Für Wellenleiter mit einem rechteckigen Querschnitt mit einer Breite von 16 μm und einer Dicke von 8 μm wird eine zweite Kurve dargestellt. Eine dritte Kurve 108 wird für eine Wellenleiterstruktur dargestellt, die eine quadratische Querschnittsfläche von 16 μm mal 16 μm aufweist. Offensichtlich bieten die quadratischen Wellenleitern mit 16 μm die geringsten Übertragungsverluste über die fluidgefüllte Lücke, unabhängig von der Lückenbreite. Ein komplexeres aber weniger verläßliches Programm wurde verwendet, um die schrägen Eintrittswinkel zu verarbeiten, und das Programm berechnete, daß die Wellenleitergeometrie mit 16 μm mal 8 μm wünschenswertere Ergebnisse erzielen würde, als die Ergebnisse, welche von der zweiten Kurve 106 der 4 angegeben werden.
  • In bezug auf 3 ist jeder Ein-/Ausgangswellenleiter 6292 von einer relativ großen Querschnittsfläche an einem inneren Ende an den Gräben 94 adiabatisch verjüngt auf eine relativ geringe Querschnittsfläche an einer Schnittstelle mit einer der optischen Fasern 96–102. Die Querschnittsgeometrie am inneren Ende wird gewählt, um eine effiziente optische Kopplung zwischen den Gräben 94 zu erreichen. Die Querschnittsgeometrie an dem äußeren Ende wird gewählt, um eine hohe Kopplungseffizienz mit der optischen Faser zu erzielen. In einer Ausführung ist eine quadratische Querschnittsgeometrie von 16 μm auf eine quadratische Querschnittsgeometrie von 8 μm adiabatisch verjüngt. Jedoch können auch andere Ausführungen in Betracht kommen. Der Wert von 16 μm ist insbesondere deshalb geeignet, weil er die Übertragungsverluste auf akzeptablen Niveaus verringert, ohne von vorhandenen Techniken zur Wellenleiterherstellung abweichen zu müssen. Ferner ist 16 μm nicht so groß, daß sich der Seitenwandwinkel, der für eine angemessene Seitenwandreflexion eines optischen Signals benötigt wird, wesentlich verengt. Ein Wellenleiter mit 35 μm würde Seitenwände benötigen, die näher bei einem senkrechten Winkel zu dem Substrat liegen, als dies mit vorhandenen Techniken zu erreichen wäre. Beispielsweise müßten die Seitenwände weniger als 0,5° von der Senkrechten abweichen, um einen besseren Reflexionsverlust als 1,5 dB zu lie fern, der kaum akzeptabel sind. In der Praxis genügt ein Bereich der Breite der aktiven Region von 4 μm bis ungefähr 35 μm den Anforderungen. Wenn jedoch die Übertragungsverluste über die Lücken auf ein akzeptables Niveau gebracht werden sollen, liegt der Bereich zwischen 6 μm und 35 μm, wobei die Breite vorzugsweise ungefähr 16 μm ist.
  • Die adiabatische Verjüngung ist in 5 genauer dargestellt. Jeder Wellenleiter 62–68 umfaßt einen sich verjüngenden Bereich 110, in dem die Seitenwände des Wellenleiters sich mit der Entfernung von einer Kante 112 des Wellenleitersubstrats 52 verändert. Jeder Wellenleiter umfaßt zudem einen inneren Bereich 114, in dem die Seitenwände parallel sind. Optional haben die Bereiche jedes Wellenleiters in der Nähe der Kante 112 ebenfalls parallele Seitenwände, so daß der sich verjüngende Bereich 110 ein Zwischenbereich zwischen den zwei Bereichen mit konstanter Breite darstellt. Der innere Bereich 114 beginnt mit dem Erreichen der gewünschten Entfernung der Seitenwände zueinander. Die Seitenwände können an dem inneren Bereich 16 μm voneinander entfernt sein und an der Kante 112 des Substrats 52 8 μm voneinander entfernt sein. Obwohl dies nicht in 5 gezeigt ist, verjüngen sich die Dicken der Wellenleiter 62–68, um den Änderungen der Breitenabmessungen zu entsprechen. Jedoch findet die Verjüngung bei einer Ausführung, die einfacher herzustellen ist, nur in einer Dimension statt, das heißt von einem Wellenleiter mit 16 μm Breite und 8 μm Höhe auf einen Wellenleiter mit 8 μm Breite und 8 μm Höhe.
  • In 3 haben die Zwischenwellenleiter zwischen den zwei Gräben 94 vorzugsweise eine konstante Querschnittsgeometrie. Das Verjüngen der Zwischenwellenleiter ist nicht vorteilhaft, da die Zwischenwellenleiter nicht direkt mit einer der optischen Fasern 96– 102 gekoppelt sind.
  • Als Alternative zu der Ausführung nach den 3 und 5 kann die adiabatische Verjüngung an der Faser ausgeführt werden: Das heißt, daß der Kern einer optischen Faser erweitert werden kann, um die Übereinstimmung mit einem Kern eines Substratwellenleiters zu verbessern, der eine feste Dicke und eine feste Breite hat. Als weitere Alterative können sowohl der Wellenleiter als auch die optische Faser sich adiabatisch verjüngende Bereiche aufweisen.
  • Ein Typ von Faser mit erweitertem Kern wird als thermisch diffundierte Faser mit erweitertem Kern (TEC-Faser) bezeichnet. Die Struktur einer TEC-Faser wird in den 6 und 7 gezeigt. Die TEC-Faser hat entlang eines Hauptabschnitts 120 der Faser einen optischen Kern 118 mit einem konstanten Durchmesser. Der Hauptabschnitt 120 ist in 6 abgeschnitten dargestellt. Ein Endabschnitt 122 der Faser hat einen Kerndurchmesser, der sich zunehmend erweitert, je näher dieser einem Wellenleitersubstrat 124 ist, das den Wellenleiter mit konstanter Breite 126 aufweist. Der Erweiterungsfaktor der üblichen TEC-Faser liegt typischerweise im Bereich zwischen 2 und 5, und der Erweiterungsabschnitt hat typischerweise eine Länge im Bereich zwischen 4 und 6 mm. Für geringe Kopplungsverluste mit üblichen TEC-Fasern sind Wellenleiterabmessungen von 16 μm mal 16 μm geeignet. Jedoch kann jeder dieser Parameter verändert werden, um vorgegebenen Anforderungen gerecht zu werden.
  • Der erweiterte optische Kern 118 an dem Endabschnitt der TEC-Faser 116 verringert im Vergleich zu optischen Fasern, die einen geringeren Durchmesser aufweisen, den Winkel, mit dem das Licht seitlich divergiert. Die Verringerung des Winkels, mit dem das Licht divergiert, entspricht ungefähr dem Erweiterungsfaktor. Die verringerte seitliche Ausbreitung eines optischen Signals, das von der TEC-Faser abgestrahlt wird, bietet Wellenleitern mit fester Breite 126 eine hohe Kopplungseffizienz.
  • Anhand der 8 und 9 wird eine bevorzugte Ausführung der genauen Ausrichtung entweder der TEC-Fasern oder der Fasern mit festem Durchmesser mit einem Substrat beschrieben. Ein Halbleitersubstrat, beispielsweise eine Siliziumscheibe 128, wird geätzt, um V-förmige Rinnen auszubilden. Es können übliche Herstellungstechniken für integrierte Schaltkreise verwendet werden. Beispielsweise können die Rinnen auf photolithographischem Weg ausgebildet werden, indem eine Maske zur Definition der Rinnen und ein chemisches Ätzmittel verwendet wird. Der Winkel einer Wand einer Rinne bildet vorzugsweise einen Winkel von 70,5° mit der anderen Wand, wobei dies nicht entscheidend ist. Vorzugsweise wird die Schutzschicht von den optischen Fasern 138, 140, 142 und 144 entfernt. In die Rinnen werden dann die Faserkerne ohne Mantelmaterial plaziert. Die Verwendung von Silizium-Bearbeitungstechniken erlaubt eine genaue Einrichtung des Abstandes der Mitten der Faserkerne. Es werden Toleranzen von weni ger als 1 μm (10–6 m) erreicht. Daher kann der Abstand der Kerne so hergestellt werden, daß dieser mit den Abständen der Wellenleiter übereinstimmt.
  • In 9 wird mit einer entsprechenden Anordnung von V-förmigen Rinnen eine zweite Siliziumscheibe 146 auf die untere Siliziumscheibe 128 durch eine Klebeschicht 148 fixiert. Die Verwendung einer Klebeschicht ist nicht entscheidend. Alternativ kann eine Verbindung der Scheibe (Waferbonding) verwendet werden, um die beiden Siliziumscheiben zu verbinden. Die Ausrichtung von Single-Mode-Fasern und Multimode-Fasern durch Silizium ist aus dem Stand der Technik bekannt.
  • Ein Vorteil der Silizium-Mikrobearbeitung, die bei der Ausrichtung von TEC- oder üblichen Fasern Toleranzen im Sub-Mikronbereich erreicht, ist, daß alle Fasern mit einer in gleicher Weise hergestellten Anordnung von Substratwellenleitern in Deckung gebracht werden, indem lediglich zwei äußere Fasern mit zwei äußeren Wellenleitern ausgerichtet werden. Beispielsweise können die Fasern 96–102 auf dem Faseranordnungs-Substrat 60 von 3 mit den Wellenleitern 62–68 ausgerichtet werden, indem die Fasern 96 mit dem Wellenleiter 62 und die Faser 102 mit dem Wellenleiter 68 ausgerichtet wird. Die Vorteile dieses Ausrichtungsverfahrens steigen mit zunehmender Anzahl von Fasern und Wellenleitern.
  • Eine Ausführung des Betriebs eines Umschaltelements wird anhand der 10 und 11 beschrieben. In dieser Ausführung steuern zwei Steuer-Mikroerhitzer 150 und 152 die Position einer Blase 154 innerhalb eines Grabens 156, der ein Fluid enthält. Das Fluid innerhalb des Grabens hat einen Brechungsindex, der im wesentlichen zu dem Brechungsindex des Kernmaterials der vier Wellenleiter 158, 160, 162 und 164 paßt. Eine verwendbare Flüssigkeit ist eine Kombination von Isopropanol und Glycerin. Eine weitere mögliche Flüssigkeit ist M-Pyrol® (N-methyl-2-Pyrrolidon).
  • Beim Betrieb der Umschaltelemente 166 der 10 und 11 wird einer der Mikroerhitzer 150 und 152 auf eine Temperatur gebracht, die hoch genug ist, um eine Gasblase zu bilden. Die Blase 164 kann mit einem kleineren Strom durch den Mikroerhitzer in Position gehalten werden, wenn die Blase einmal gebildet ist. In 10 ist die Blase an dem Schnittpunkt der vier Wellenleiter 158-164 angeordnet. Daher trifft ein Ein gangssignal entlang des Wellenleiters 158 auf ungleiche Brechungsindizes, wenn das Signal den Graben 156 erreicht. Die totale innere Reflexion lenkt das Signal von dem Ausgangswellenleiter 164 ab. Daher wird das Umschaltelement in 10 in einem reflektierenden Zustand dargestellt. Die Aktivierung der Mikroerhitzer 150 fixiert die Blase an dem Schnittpunkt, so daß der reflektierende Zustand beibehalten wird, solange der Mikroerhitzer aktiviert ist.
  • In 11 wurde der Mikroerhitzer 150 an dem Schnittpunkt der Wellenleiter 158–164 deaktiviert, und der zweite Mikroerhitzer 152 wurde aktiviert. Die Blase 154 wird stark zu dem aktivierten Mikroerhitzer hingezogen. Dadurch kann die Flüssigkeit mit dem passenden Index die Lücke an dem Schnittpunkt der Wellenleiter schließen. Das Umschaltelement befindet sich in einem übertragenden Zustand, da der Eingangswellenleiter 158 mit dem kolinearen Wellenleiter 160 optisch gekoppelt ist und der Eingangswellenleiter 162 mit dem kolinearen Wellenleiter 164 optisch gekoppelt ist.
  • Als Alternative zum Umschalten des Umschaltelements von einem reflektierenden Zustand in einen übertragenden Zustand durch Manipulation einer Blase kann ein Spiegel verwendet werden. Ein Spiegel kann innerhalb eines fluidgefüllten Grabens manipuliert werden. Für den voreingestellten übertragenden Zustand ist der Graben mit einem Fluid gefüllt, das einen passenden Brechungsindex hat, und der Spiegel ist entfernt von dem Schnittpunkt der Wellenleiter angeordnet. Um einen Strahl von einem Eingangswellenleiter zu einem Wellenleiter umzuleiten, der den Eingangswellenleiter schneidet, wird der Spiegel in den Schnittpunkt eingesetzt. In dieser Ausführung sollte der Graben relativ zu den in den 10 und 11 gezeigten Positionen geringfügig versetzt sein. Der Spiegel sollte in den Schnittpunkt der Achsen der vier Wellenleiter versetzbar sein, anstatt an diesem Schnittpunkt eine Seitenwand des Grabens anzuordnen.
  • Der Spiegel kann in den Schnittpunkt und von diesem weg bewegt werden, indem eine Spiegelbewegung in eine Richtung erzeugt wird, die senkrecht zu der Oberfläche des Wellenleitersubstrats ist. Alternativ kann die Bewegung des Spiegels parallel zu der Oberfläche des Wellenleitersubstrats sein. In Ausführungen, bei denen die Bewegung senkrecht zu der Substratoberfläche ist, kann eine Implementierung vorgesehen werden, in der ein Modul eines Matrix-Nadeldruckers verwendet wird, welches mehrere Nadeln aufweist. Der Abstand der Nadeln bei solchen Druckermodulen ist typischerweise grö ßer als der bevorzugte Abstand zwischen den Umschaltelementen, beispielsweise ein Abstand von 250 μm. Daher kann es notwendig sein, die Wellenleiterstruktur auszudehnen, so daß diese zu dem Nadelabstand des Druckermoduls paßt. Alternativ sind neuerdings erhältliche mikro-elektromechanische Stellgliedsysteme (MEMS) in einer Richtung verschiebbar, die senkrecht zu der Substratoberfläche ist, und können dazu verwendet werden, den Spiegel senkrecht zu der oberen Fläche des Substrats zu bewegen.
  • Es können übliche MEMS-Stellglieder verwendet werden, um den Spiegel in der Rich- tung parallel zu der Achse des Grabens zu manipulieren. Solche Stellglieder können in Anwesenheit von nicht leitendem Fluid arbeiten, beispielsweise Fluide mit passendem Brechungsindex, die in den optischen Umschaltelementen des oben beschriebenen Typs verwendet werden. Die gegenwärtige Technik der elektrostatischen Stellglieder ist auf einen Bewegungsbereich von ungefähr 25 μm begrenzt, der möglicherweise nicht ausreichend ist, um einen kleinen Spiegel aus einem Schnittpunkt mit einer Länge von 32 μm entlang des Grabens zu entfernen, um Wellenleiter mit einer Breite von 16 μm zu queren. Daher wird dieser zweite Ansatz attraktiv werden, wenn entweder Verbesserungen durchgeführt wurden, die zusätzlichen „Hub" für elektrostatische Stellglieder bereitstellen, oder eine Kombination von Spiegel und Stellglied hergestellt wird, die in einen Graben paßt und eine Breite von ungefähr 12,5 μm oder weniger hat, so daß sich der Spiegel um nicht mehr als 25 μm bewegen muß.
  • Während die Erfindung mit einem Fluid mit passendem Index innerhalb des Grabens beschrieben und dargestellt wurde, wurden auch andere Ausführungen betrachtet. Die Gräben können versetzbare Spiegel aufnehmen, die sich in Luft befinden, das heißt ein Fluid, dessen Index kaum mit dem der Wellenleiter übereinstimmt. Die Anwesenheit oder Abwesenheit eines Spiegels innerhalb einer Lücke an dem Schnittpunkt zweier oder mehrerer Wellenleiter legt dann fest, ob die Wellenleiter optisch gekoppelt werden. In dieser Ausführung sollte der Auftreffwinkel der Wellenleiter auf den Graben in Abwesenheit eines Fluids mit passendem Index keine totale interne Reflexion hervorrufen. In bezug auf diese Ausführung besteht das Problem, daß die Steuerung des Übersprechens schwierig ist, da kleine Anteile des Lichts an der Schnittstelle zwischen Wellenleiter und Luft reflektiert werden, sofern diese nicht antireflexionsbeschichtet ist, wobei es schwierig ist, Antireflexionsbeschichtungen auf den vertikalen Seitenwänden des Grabens abzulagern. Jedoch kann der Abstand zwischen dem Spiegel und der Grenzfläche zwischen Wellenleiter und Luft so gewählt werden, daß der Betrag des von der Grenzfläche reflektierten Lichts minimiert wird, das entlang des reflektierten Pfads in den Wellenleiterkern gekoppelt wird.

Claims (7)

  1. Umschaltelement (50; 166) mit: einem Wellenleitersubstrat (52; 124) mit einer ersten Oberfläche, wobei das Wellenleitersubstrat mit photolithographischen Herstellungstechniken kompatibel ist; einer ersten Anordnung von ersten Wellenleitern (62; 64, 66, 68; 126 und 158) und einer zweiten Anordnung von zweiten Wellenleitern (86, 88, 90, 92; und 164), die sich längs der ersten Oberfläche zu Lücken (94; 156) hin erstrecken, wobei jeder der ersten Wellenleiter zu einem speziellen zweiten Wellenleiter in Bezug auf direktes optisches Koppeln betrieblich zugeordnet ist, so daß das direkte optische Koppeln zwischen dem ersten Wellenleiter und dem betrieblich zugeordneten zweiten Wellenleiter von optischen Merkmalen innerhalb einer Lücke abhängig ist, welche von den ersten und zweiten Wellenleitern auf einer gemeinsamen Seite der Lücke geschnitten wird, wobei die ersten und zweiten Wellenleiter eine betrieblich zugeordnete Lücke mit einem Schnittwinkel schneiden, und die ersten und zweiten Wellenleiter jeweils ein inneres Ende (114) bei der betrieblich zugeordneten Lücke und ein äußeres Ende haben; einem Umschaltemechanimus (150 und 152) zum Umschalten der optischen Merkmale innerhalb der Lücken von einem ersten Zustand, in dem die betrieblich zugeordneten ersten und zweiten Wellenleiter optisch gekoppelt sind, auf einen zweiten Zustand, in dem die betrieblich zugeordneten ersten und zweiten Wellenleiter im wesent lichen isoliert sind; einer ersten Gruppierung erster optischer Fasern (96, 98, 100, 102; 116; 138, 140, 142 und 144), die mit den äußeren Enden der ersten Anordnung der ersten Wellenleiter gekoppelt sind, um erste optische Wege zu bilden, welche optische Kerne haben, welche die Lücken schneiden; und einer zweiten Gruppierung zweiter optischer Fasern (96, 98, 100, 102), die mit den äußeren Enden der zweiten Anordnung von zweiten Wellenleitern gekoppelt sind, um zweite optische Wege zu bilden, welche optische Kerne haben, welche die Lücken schneiden; wobei jeder der ersten und zweiten optischen Wege einen sich verjüngenden Bereich des Wellenleiters entlang der ersten und zweiten Wellenleiters hat, in dem eine Querschnittsfläche eines optischen Kerns des sich verjüngenden Bereichs des Wellenleiters sich allmählich auf eine verringerte Querschnittsfläche verringert, wobei die allmähliche Verringerung der Querschnittsfläche bei einer Entfernung von der Lücke auftritt, welche der optische Kern schneidet, dadurch gekennzeichnet, daß der Schnittwinkel im Bereich zwischen 45° und 60° liegt; die ersten optischen Fasern in Gräben (130, 132, 134, 136) liegen, die sich in einem ersten Fasersubstrat (60; 128) befinden, das mit photolithographischen Herstellungstechniken kompatibel ist, wobei das erste Fasersubstrat an dem Wellenleitersubstrat befestigt ist; die zweiten optischen Fasern in Gräben liegen, die sich in einem zweiten Fasersubstrat befinden, das mit photolithographischen Herstellungstechniken kompatibel ist, wobei das zweite Fasersubstrat an dem Wellenleitersubstrat befestigt ist; und die ersten und zweiten Wellenleiter jeweils einen im wesentlichen quadratischen Querschnitt an dem inneren Ende und einen verringerten, im wesentlichen quadratischen Querschnitt an dem äußeren Ende haben.
  2. Umschaltelement (50; 166) nach Anspruch 1, wobei die Gräben (130, 132, 134 und 136) der ersten und zweiten Fasersubstrate (58, 60; und 128) in nicht parallelen Winkeln zu den ersten und zweiten Wellenleitern stehen, so daß Reflexionen zwischen den ersten und zweiten optischen Fasern (96, 98, 100 und 102) und den ersten und zweiten Wellenleitern im Vergleich zu einer geraden Ausrichtung verringert sind.
  3. Umschaltelement nach Anspruch 2, wobei ein Maß der reduzierten, im wesentlichen quadratischen Querschnittsfläche an dem äußeren Ende jeweils der ersten und zweiten Wellenleiter im allgemeinen einem Maß der Querschnittsflächen der optischen Kerne der ersten und zweiten optischen Fasern (96, 98, 100 und 102; 138, 140, 142 und 144) entspricht, wodurch relativ geringe Koppelverluste zwischen den ersten Wellenleitern (62, 64, 66, 68; und 158) und den ersten optischen Fasern sowie zwischen den zweiten Wellenleitern (86, 88, 90, 92; und 160) und den zweiten optischen Fasern erreicht werden.
  4. Umschaltelement nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten optischen Fasern (116) sich verjüngende Faserbereiche (122) umfassen und die Gräben (130, 132, 134 und 136) der ersten und zweiten Fasersubstrate (58, 60; und 128) in nicht-parallelen Winkeln zu den ersten und zweiten Wellenleitern stehen, so daß Reflexionen zwischen den ersten und zweiten optischen Fasern (96, 98, 100 und 102) und den ersten und zweiten Wellenleitern im Vergleich zu einer geraden Ausrichtung verringert sind.
  5. Umschaltelement nach Anspruch 4, wobei die ersten und zweiten optischen Fasern Fasern mit thermisch erweiterten Kernen (TEC) (116) sind, und die sich verjüngenden Bereiche der Fasern (122) sich in der Nähe der Grenzflächen zwischen den TEC-Fasern und den äußeren Enden der ersten und zweiten Wellenleitern (126) befinden.
  6. Umschaltelement nach Anspruch 3, wobei die Geometrien der sich verjüngenden Bereiche (110) der Wellenleiter in der Nähe der Lücken (94; 156) eine adiabatische Ausdehnung der optischen Kerne der ersten und zweiten Wellenleiter (62, 64, 66, 68, 86; 88, 90, 92; 158 und 160) definieren, so daß die ersten und zweiten Wellenleiter an den Schnittpunkten mit den Lücken im wesentlichen quadratische Querschnitte haben:
  7. Umschaltelement nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei jeder der sich verjüngenden Bereiche der Wellenleiter so bemessen ist, so daß eine Ausbreitungswelle niedrigster Ordnung durch den optischen Kern ohne eine anwachsende Leistungsübertragung an örtliche Eigenschwingungen höherer Ordnung stattfindet.
DE69814330T 1998-02-04 1998-09-10 Element de commutation avec guide d'onde à coeur elargi Expired - Fee Related DE69814330T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/018,772 US5960131A (en) 1998-02-04 1998-02-04 Switching element having an expanding waveguide core
US18772 1998-02-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69814330D1 DE69814330D1 (de) 2003-06-12
DE69814330T2 true DE69814330T2 (de) 2004-02-19

Family

ID=21789712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69814330T Expired - Fee Related DE69814330T2 (de) 1998-02-04 1998-09-10 Element de commutation avec guide d'onde à coeur elargi

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5960131A (de)
EP (1) EP0935149B1 (de)
JP (1) JPH11287962A (de)
DE (1) DE69814330T2 (de)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6850475B1 (en) * 1996-07-30 2005-02-01 Seagate Technology, Llc Single frequency laser source for optical data storage system
FR2770307B1 (fr) * 1997-10-27 1999-11-26 Commissariat Energie Atomique Dispositif a reseau de phase ou phasar et procede de fabrication de celui-ci
US6195478B1 (en) * 1998-02-04 2001-02-27 Agilent Technologies, Inc. Planar lightwave circuit-based optical switches using micromirrors in trenches
US6118911A (en) * 1998-09-25 2000-09-12 Hughes Electronics Corporation Waveguide switch matrix using junctions matched in only one state
US6404942B1 (en) * 1998-10-23 2002-06-11 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
US6407835B1 (en) * 1999-03-05 2002-06-18 Agilent Technologies, Inc. Single site for healing dual optical rings
US6516108B1 (en) * 1999-04-16 2003-02-04 Agilent Technologies, Inc. Optically controlled exchange switches within an optical signal network
US6445840B1 (en) * 1999-05-28 2002-09-03 Omm, Inc. Micromachined optical switching devices
US6188815B1 (en) * 1999-07-07 2001-02-13 Agilent Technologies, Inc. Optical switching device and method utilizing fluid pressure control to improve switching characteristics
US6377873B1 (en) * 1999-08-23 2002-04-23 Agilent Technologies, Inc. Method for determining optimum pressure for forming a bubble in liquid
US6373644B1 (en) * 1999-11-15 2002-04-16 Axsun Technologies, Inc. Micro optical bench component clip structures
US6747793B1 (en) 1999-11-15 2004-06-08 Axsun Technologies, Inc. System with integrated semiconductor optical amplifier array and switching matrix
AU5514601A (en) * 1999-11-23 2001-07-09 Nanovation Technologies, Inc. Integrated planar optical waveguide and shutter
AU1803801A (en) * 1999-11-23 2001-06-04 Nanovation Technologies, Inc. An optical switch having a planar waveguide and a shutter actuator
US6363183B1 (en) * 2000-01-04 2002-03-26 Seungug Koh Reconfigurable and scalable intergrated optic waveguide add/drop multiplexing element using micro-opto-electro-mechanical systems and methods of fabricating thereof
US6314216B1 (en) * 2000-01-28 2001-11-06 Hewlett-Packard Company Resistor array with position dependent heat dissipation
DE50101190D1 (de) * 2000-01-31 2004-01-29 Sercalo Microtechnology Ltd Schalteranordnung für strahlungsleiter
WO2001059492A2 (en) * 2000-02-04 2001-08-16 L3 Optics, Inc. Optical waveguide and shutter
US6396972B1 (en) * 2000-02-09 2002-05-28 Agilent Technologies, Inc. Thermally actuated optical add/drop switch
US6477290B1 (en) * 2000-02-15 2002-11-05 Optic Net, Inc. Fiber optic switch using MEMS
US6327397B1 (en) * 2000-02-22 2001-12-04 Agilent Technologies, Inc. System and method for providing temperature control for a thermally activated optical switch using constant total power
US6377718B1 (en) * 2000-03-24 2002-04-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Micromechanical phase-shifting gate optical modulator
US6356679B1 (en) * 2000-03-30 2002-03-12 K2 Optronics, Inc. Optical routing element for use in fiber optic systems
US6470109B1 (en) 2000-06-08 2002-10-22 Agilent Technologies, Inc. Determining waveguide positions and angles for efficient reflective coupling
US6768830B1 (en) 2000-06-09 2004-07-27 Agilent Technologies, Inc. Optical add/drop switch utilizing a minimal number of switching crosspoints
US20020037130A1 (en) * 2000-08-02 2002-03-28 Sarnoff Corporation Microfluidic optical switch
WO2002014926A2 (en) 2000-08-15 2002-02-21 Nanostream, Inc. Optical devices with fluidic systems
US7324647B1 (en) 2000-10-23 2008-01-29 Bbn Technologies Corp. Quantum cryptographic key distribution networks with untrusted switches
US6628851B1 (en) 2000-12-20 2003-09-30 Harris Corporation MEMS reconfigurable optical grating
US6901180B2 (en) * 2001-01-24 2005-05-31 Adc Telecommunications, Inc. MEMS optical switch on a single chip and method
US6748132B1 (en) 2001-02-26 2004-06-08 K2 Optronics, Inc. Wavelength add drop element for configurable add drop multiplexing
US6463192B1 (en) 2001-02-26 2002-10-08 K2 Optronics, Inc. Non-blocking micro-optic switch matrix for use in fiber optic systems
US7016560B2 (en) * 2001-02-28 2006-03-21 Lightwave Microsystems Corporation Microfluidic control for waveguide optical switches, variable attenuators, and other optical devices
WO2002068821A2 (en) * 2001-02-28 2002-09-06 Lightwave Microsystems Corporation Microfluidic control using dieletric pumping
FR2817050A1 (fr) * 2001-03-07 2002-05-24 Commissariat Energie Atomique Brasseur optique a voies guidees et procedes de realisation d'un tel brasseur
US6944361B2 (en) 2001-04-13 2005-09-13 Gazillion Bits, Inc. Electrically controllable integrated optical cross-connect
DE10122685B4 (de) * 2001-05-10 2005-12-08 Siemens Ag Anordnung mit mindestens zwei überkreuzten Lichtwellenleitern
JP4483129B2 (ja) * 2001-05-22 2010-06-16 住友電気工業株式会社 光スイッチ
US7068790B1 (en) 2001-08-31 2006-06-27 Bbn Technologies Corp. Systems and methods for path set-up in a quantum key distribution network
US6934435B2 (en) * 2001-10-05 2005-08-23 ARETé ASSOCIATES Microfluidic pump system for chemical or biological agents
US6706203B2 (en) * 2001-10-30 2004-03-16 Agilent Technologies, Inc. Adjustable nanopore, nanotome, and nanotweezer
US20030086639A1 (en) * 2001-11-08 2003-05-08 Integrated Optics Communications Corp. Bi-directional high-density optical switch
US6890619B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-10 Agilent Technologies, Inc. Optical systems and refractive index-matching compositions
WO2003056380A1 (fr) * 2001-12-26 2003-07-10 Nikon Corporation Appareil de commutation/reglage d'un faisceau lumineux, et procede de fabrication de celui-ci
US6785439B2 (en) * 2002-01-29 2004-08-31 Agilent Technologies, Inc. Switching using three-dimensional rewriteable waveguide in photosensitive media
JP3986840B2 (ja) * 2002-02-01 2007-10-03 三菱電機株式会社 光スイッチの製造方法
JP4169516B2 (ja) * 2002-02-07 2008-10-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 光スイッチ
US6798939B2 (en) * 2002-03-14 2004-09-28 Agilent Technologies, Inc. Bubble stability in an optical switch
JP3973458B2 (ja) * 2002-03-15 2007-09-12 三菱電機株式会社 光スイッチ
US6832015B2 (en) * 2002-06-28 2004-12-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Switching apparatus
US7457416B1 (en) 2002-07-17 2008-11-25 Bbn Technologies Corp. Key distribution center for quantum cryptographic key distribution networks
EP1382984A1 (de) * 2002-07-19 2004-01-21 Avanex Corporation Planarer optischer Schalter und Schaltermatrix
US7221819B2 (en) 2002-08-01 2007-05-22 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Operating an optical switch at a negative pressure differential
US6950570B1 (en) * 2002-08-13 2005-09-27 Active Optical Networks, Inc. Integrated fiber, sensor and lens arrays for optical networks
US6823098B2 (en) * 2002-08-26 2004-11-23 International Business Machines Corporation Evanescent wave tunneling optical switch and network
US6876788B2 (en) * 2002-09-11 2005-04-05 Agilent Technologies, Inc. Preventing hydrodynamic crosstalk in an optical switch
US6718085B1 (en) * 2002-10-07 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Stable optical switch with reduced power consumption
US20060222180A1 (en) * 2002-10-15 2006-10-05 Elliott Brig B Chip-scale transmitter for quantum cryptography
US7627126B1 (en) 2002-10-15 2009-12-01 Bbn Technologies Corp. Systems and methods for implementing path length control for quantum cryptographic systems
US20040076363A1 (en) * 2002-10-16 2004-04-22 Schroeder Dale W. Optical switch with increased operational stability
US7236597B2 (en) 2002-12-20 2007-06-26 Bbn Technologies Corp. Key transport in quantum cryptographic networks
US7460670B1 (en) 2002-12-20 2008-12-02 Bbn Technologies Corp. Systems and methods for managing quantum cryptographic networks
US7706535B1 (en) 2003-03-21 2010-04-27 Bbn Technologies Corp. Systems and methods for implementing routing protocols and algorithms for quantum cryptographic key transport
US7430295B1 (en) 2003-03-21 2008-09-30 Bbn Technologies Corp. Simple untrusted network for quantum cryptography
US20040184615A1 (en) * 2003-03-21 2004-09-23 Elliott Brig Barnum Systems and methods for arbitrating quantum cryptographic shared secrets
US7095913B2 (en) * 2003-04-02 2006-08-22 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Non-active waveguides on planar lightwave circuits
US7515716B1 (en) 2004-02-26 2009-04-07 Bbn Technologies Corp. Systems and methods for reserving cryptographic key material
US7697693B1 (en) 2004-03-09 2010-04-13 Bbn Technologies Corp. Quantum cryptography with multi-party randomness
US7733469B2 (en) * 2005-01-13 2010-06-08 Arete' Associates Image null-balance system with multisector-cell direction sensing
US20070130455A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Elliott Brig B Series encryption in a quantum cryptographic system
US20070133798A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Elliott Brig B Quantum cryptography on a multi-drop optical network
US8082443B2 (en) * 2006-01-09 2011-12-20 Bbnt Solutions Llc. Pedigrees for quantum cryptography
US20090180731A1 (en) * 2008-01-07 2009-07-16 Southern Methodist University Photonic coupler
US8213751B1 (en) * 2008-11-26 2012-07-03 Optonet Inc. Electronic-integration compatible photonic integrated circuit and method for fabricating electronic-integration compatible photonic integrated circuit
US20100290503A1 (en) * 2009-05-13 2010-11-18 Prime Photonics, Lc Ultra-High Temperature Distributed Wireless Sensors
DE112010005211T5 (de) 2009-12-22 2012-11-08 International Business Machines Corp. Verfahren zum Entwerfen des Layouts einer Vielzahl von Lichtwellenleitern
US10088634B2 (en) * 2014-10-23 2018-10-02 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical port-shuffling module
US10677995B2 (en) 2014-10-23 2020-06-09 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical fiber interface for optical device package
WO2016064426A1 (en) 2014-10-24 2016-04-28 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical interconnect device
US10261256B2 (en) 2015-01-28 2019-04-16 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Laser-written optical routing systems and method
JP6649843B2 (ja) * 2016-05-13 2020-02-19 Nttエレクトロニクス株式会社 光回路

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3138968A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Optische steuervorrichtung zum steuern der in einem optischen wellenleiter gefuehrten strahlung, insbesondere optischer schalter
FR2548795B1 (fr) * 1983-07-04 1986-11-21 Thomson Csf Dispositif de commutation optique a deplacement de fluide et dispositif de composition d'une ligne de points
US5393371A (en) * 1989-12-18 1995-02-28 Litton Systems, Inc. Integrated optics chips and laser ablation methods for attachment of optical fibers thereto for LiNbO3 substrates
US4988157A (en) * 1990-03-08 1991-01-29 Bell Communications Research, Inc. Optical switch using bubbles
CA2058794C (en) * 1991-01-08 1996-06-18 Tsuneo Kanai Automated optical mdf system
JP2871911B2 (ja) * 1991-09-30 1999-03-17 日立電線株式会社 導波路型光スイッチ
US5515464A (en) * 1992-07-06 1996-05-07 Sheem Sang K Optical fiber interconnections using self-aligned core-extensions
JP3036613B2 (ja) * 1992-10-06 2000-04-24 日本電信電話株式会社 マトリクス光導波路スイッチ
JPH0894866A (ja) * 1994-09-26 1996-04-12 Hitachi Cable Ltd 導波路型光スイッチ及びその製造方法
US5623564A (en) * 1995-06-07 1997-04-22 Lucent Technologies Inc. Self-aligned mechanical optical switch
JP3488776B2 (ja) * 1996-02-09 2004-01-19 Hoya株式会社 テーパ導波路およびそれを用いた光導波路素子
JPH09258044A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Hitachi Cable Ltd 光フィルタ内蔵導波路型光デバイス
US5699462A (en) * 1996-06-14 1997-12-16 Hewlett-Packard Company Total internal reflection optical switches employing thermal activation

Also Published As

Publication number Publication date
EP0935149A3 (de) 1999-09-22
JPH11287962A (ja) 1999-10-19
EP0935149B1 (de) 2003-05-07
DE69814330D1 (de) 2003-06-12
US5960131A (en) 1999-09-28
EP0935149A2 (de) 1999-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69814330T2 (de) Element de commutation avec guide d'onde à coeur elargi
EP0640223B1 (de) Verfahren zur herstellung von optischen polymerelementen mit integrierten vertikalen kopplungsstrukturen
DE60301553T2 (de) Optischer schaltkreis mit optischen planaren hohlkern-lichtwellenleitern
DE60304841T2 (de) Lichtstrahl-ablenkvorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE69927636T2 (de) Multiport optischer Zirkulator welcher eine Abbildungslinse und ein korrigierendes optisches Element benutzt
EP0629297B1 (de) Integriertes optisches bauelement
DE3038048A1 (de) Faseroptische richtungs-kopplungseinrichrung und verfahren zu deren herstellung
DE10238741A1 (de) Planare optische Komponente und Kopplungsvorrichtung zur Kopplung von Licht zwischen einer planaren optischen Komponente und einem optischen Bauteil
WO1997037255A2 (de) Integriert optischer feldweitentransformator
WO2006047896A1 (de) Faser-linsen-anordnung sowie linsen-array für eine solche faser-linsen-anordnung
DE60213550T2 (de) Glasfaserarray
DE10349608B4 (de) Optische Vorrichtung und Verfahren zum Koppeln von Ausgangslicht von einer Lichtquelle zu einem Lichtwellenleiter
EP1264206B1 (de) Schalteranordnung für strahlungsleiter
DE60101369T2 (de) Optische Schaltmatrix
DE60124195T2 (de) Optisches Übertragungsmodul und seine Verwendung in einem optischen Übertragungssystem
DE60200109T2 (de) Verfahren zur Signalüberwachung eines Optischen Kreuzschalters und Vorichtung dafür
DE69725960T2 (de) Verfahren zur Herstellung flüssiger optischer Schalter
EP0968454B1 (de) Optischer mehrfachschalter
US7031565B2 (en) Photonic switch
DE60319318T2 (de) Optischer Multi-Demultiplexer
DE19614772A1 (de) Digitaler optischer Schalter
DE19613755A1 (de) Optisches Koppelelement
DE10123137C1 (de) Integriert-optischer Feldweitentransformator zur adiabatischen, monomodigen Feldanpassung
DE69838977T2 (de) Wellenlängenselektive optische vorrichtung mit mindestens einer bragg-gitterstruktur
DE4208278A1 (de) Integriertes optisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.,

8339 Ceased/non-payment of the annual fee