DE69706862T2 - Verfahren zur herstellung von phosgen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von phosgen

Info

Publication number
DE69706862T2
DE69706862T2 DE69706862T DE69706862T DE69706862T2 DE 69706862 T2 DE69706862 T2 DE 69706862T2 DE 69706862 T DE69706862 T DE 69706862T DE 69706862 T DE69706862 T DE 69706862T DE 69706862 T2 DE69706862 T2 DE 69706862T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
phosgene
carbon
silicon carbide
catalyst
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69706862T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69706862D1 (de
Inventor
Walter Vladimir Cicha
Ernest Manzer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of DE69706862D1 publication Critical patent/DE69706862D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69706862T2 publication Critical patent/DE69706862T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J27/00Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
    • B01J27/20Carbon compounds
    • B01J27/22Carbides
    • B01J27/224Silicon carbide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/80Phosgene
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/60Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
    • B01J35/61Surface area
    • B01J35/61310-100 m2/g
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J35/00Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
    • B01J35/60Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their surface properties or porosity
    • B01J35/61Surface area
    • B01J35/615100-500 m2/g
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422Carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5409Particle size related information expressed by specific surface values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/79Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren für die Herstellung von Phosgen durch die Reaktion von Chlor (Cl2) mit Kohlenmonoxid (CO) in der Anwesenheit eines Katalysators. Insbesondere bezieht sich diese Erfindung auf ein Verfahren für die Herstellung von Phosgen bei minimaler Herstellung der gefährlichen Chemikalie Kohlenstofftetrachlorid.
  • HINTERGRUND
  • Die Herstellung von Phosgen durch die Reaktion von Chlor mit Kohlenmonoxid in der Anwesenheit eines Kohlenstoffkatalysators ist ein gut bekanntes Verfahren. Das durch dieses Verfahren hergestellte Phosgen enthält typischerweise 400 bis 500 ppm, bezogen auf Gewicht, Kohlenstofftetrachlorid. Diese Menge muß auf der Basis der gesamten weltweiten Produktion von Phosgen berechnet werden, die etwa 10 Billionen Pfund (4,5 · 10&sup9; kg) beträgt, Coproduktion von etwa 4 bis 5 Millionen Pfund (1,8 · 10&sup6; kg bis 2, 3 · 10&sup6; kg) Kohlenstofftetrachlorid mit dem Phosgen entspricht.
  • Eine Japanische Patentveröffentlichung (Kokoku) Patent Nr. Hei 6[1994]-29129 offenbart, daß die Menge von während des Phosgenherstellungsverfahrens hergestelltem Kohlenstofftetrachlorid um etwa 50% auf etwa 150 ppm, bezogen auf Gewicht, reduziert werden kann, indem ein aktivierter Kohlenstoff, der mit einer Säure gewaschen worden ist, und der insgesamt 1,5 Gew.-% oder weniger Metallkomponenten, umfassend Übergangsmetalle, Bor, Aluminium, und Silicium, enthält, verwendet wird.
  • Es ist gezeigt worden, daß Kohlenstofftetrachlorid sowohl signifikante Ozonverarmungs- wie globale Erwärmungspotentiale hat. Deshalb besteht ein Interesse am Entwickeln von Phosgenverfahren, bei denen die Menge von Kohlenstofftetrachloridverunreinigung minimiert ist.
  • Siliciumcarbid ist lange als ein Material bekannt gewesen, das hohe thermische und chemische Stabilität hat, ausgezeichnete Wärme- und elektrische Leitfähigkeitseigenschaften hat, und als ein Abrasiv, das beinahe so hart wie Diamant ist. Siliciumcarbid kann kommerziell elektrochemisch unter Verwenden des Acheson Verfahrens hergestellt werden. Das so hergestellte Produkt hat einen Oberflächenbereich geringer als 1 m²/g; seine Verwendung als ein Katalysatorträger ist wegen seines geringen Oberflächenbereichs teilweise eingeschränkt worden. Kürzlich sind Siliciumcarbide mit hohem Oberflächenbereich (60 bis 400 m²/g) hergestellt worden (M.J. Ledoux et al., J. Catal., 114, 176-185 (1988)). Diese Materialien mit hohem Oberflächenbereich werden als Katalysatorstützen oder -träger verwendet.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Verfahren zum Herstellen von Phosgen wird zur Verfügung gestellt, das umfaßt in Kontakt bringen einer Mischung, umfassend Kohlenmonoxid und Chlor, bei einer Temperatur von etwa 300ºC oder weniger, mit einem Katalysator, der Siliciumcarbid umfaßt und einen Oberflächenberich von mindestens 10 m²g&supmin;¹ hat.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die gegenwärtige Erfindung bezieht sich auf Verbessern der Herstellung von Phosgen, hergestellt durch in Kontakt bringen von Kohlenmonoxid und Chlor. Überraschenderweise haben wir festgestellt, daß Siliciumcarbid selbst als ein Katalysator für die Herstellung von Phosgen verwendet werden kann. Die Verbesserung kann in Verbindung mit den Betriebsbedingungen verwendet werden, die für irgendeines der auf Kohlenstoff basierenden Verfahren verwendet werden, die zuvor kommerziell verwendet oder in der Technik beschrieben wurden (beispielsweise jene in U. S. Patent Nr. 4231959 und 4764308 für die Herstellung von Phosgen offenbarten Verfahren).
  • Phosgen wird kommerziell durch Leiten von Kohlenmonoxid und Chlor über aktivierten Kohlenstoff hergestellt. Die Reaktion ist stark exotherm und wird üblicherweise in mehrröhrigen Reaktoren durchgeführt, wodurch die Reaktionstemperatur wirksamer kontrolliert wird. Kohlenmonoxid wird in mindestens einer stöchiometrischen Menge (oft in stöchiometrischem Überschuß) hinzugegeben unter Minimieren des freien Chlorgehalts des Produkts Phosgen.
  • Die Reaktionstemperatur und das Siliciumcarbid werden gewählt, Phosgen zu liefern, das etwa 300 ppm oder weniger, bezogen auf Gewicht, Kohlenstofftetrachlorid enthält. Vorzugsweise enthält das Phosgen weniger als etwa 250 ppm oder weniger, bezogen auf Gewicht, Kohlenstofftetrachlorid; am bevorzugtesten enthält das Phosgen weniger als etwa 100 ppm oder weniger, bezogen auf Gewicht, Kohlenstofftetrachlorid.
  • Irgendein Siliciumcarbid enthaltender Katalysator mit einem Oberflächenbereich größer als etwa 10 m²/g (beispielsweise etwa 20 m²/g oder mehr) kann in dem Verfahren dieser Erfindung verwendet werden. Jedoch sind Siliciumcarbidzusammensetzungen mit Oberflächenbereichen größer als etwa 100 m²/g, hergestellt mit den in U.S. Patent Nr. 4914070 offenbarten Verfahren (hier durch Bezugnahme eingeführt), besonders bevorzugt. Ein Siliciumgehalt von mindestens etwa 5 Gew.-% ist bevorzugt. Bevorzugter beträgt der Siliciumgehalt mindestens etwa 10 Gew.-%. Von Beachtung sind Ausführungsformen, wo der Katalysator unter Verwenden eines Verfahrens hergestellt wird, das umfaßt in Kontakt bringen von Siliciummonoxid mit fein verteiltem Kohlenstoff (siehe beispielsweise U. S. Patent Nr. 4914070). Verwendung eines Kohlenstoffs, der einen Aschegehalt von weniger als etwa 0,1 Gew.-% zum Herstellen des Siliciumcarbids hat, ist bevorzugt.
  • Ein bevorzugter Siliciumcarbidkatalysator wird hergestellt durch ein Verfahren, umfassend Umsetzen von Dämpfen von Siliciummonoxid, SiO, auf Kohlenstoff durch die Stufen von:
  • (a) Erzeugen von Dämpfen von SiO in einer ersten Reaktionszone durch Erhitzen einer Mischung von SiO&sub2; und Si bei einer Temperatur zwischen 1100ºC und 1400ºC unter einem Druck zwischen 0,1 und 1,5 hPa; und
  • (b) in Kontakt bringen in einer zweiten Reaktionszone bei einer Temperatur zwischen 1100ºC und 1400ºC die in der ersten Reaktionszone erzeugten SiO Dämpfe mit fein verteiltem reaktivem Kohlenstoff mit einem spezifischen Oberflächenbereich, der gleich oder größer als 200 m²g&supmin;¹ ist.
  • Beispiele von geeigneten reaktiven Kohlenstoffen schließen ein durch Pulveragglomerierung erhaltene Graphitpellets und aktivierten Kohlenstoff, wie durch Zerkleinern von Granalien von aktiviertem Kohlenstoff erhaltenen gepulverten aktivierten Kohlenstoff.
  • Der Siliciumcarbidoberflächenbereich, wie durch BET Messung bestimmt, ist vorzugsweise größer als etwa 100 m²/g und bevorzugter größer als etwa 300 m²/g.
  • Es ist von Dissoziationsgleichgewichten bekannt, daß bei 100ºC Phosgen etwa 50 ppm Chlor enthält, und daß bei 200ºC etwa 0,4%, bei 300ºC etwa 5% und bei 400ºC etwa 20% des Phosgen in Kohlenmonoxid und Chlor dissoziiert sind. Auch gilt, je höher die Reaktionstemperatur, desto mehr Kohlenstofftetrachlorid wird hergestellt. Demgemäß beträgt die Reaktionstemperatur im allgemeinen etwa 300ºC oder weniger (beispielsweise im Bereich von 40ºC bis 300ºC). Vorzugsweise beträgt die Temperatur des Verfahrens etwa 50ºC bis 200ºC; bevorzugter etwa 50ºC bis 150ºC. Das durch das Verfahren dieser Erfindung hergestellte Phosgen enthält typischerweise etwa 300 ppm, bezogen auf Gewicht, oder weniger Kohlenstofftetrachlorid, basierend auf Phosgen (d. h. 300 Gewichtsteile CCl&sub4; pro Million Gewichtsteile COCl&sub2; oder weniger), sogar bei einer Temperatur von 300ºC. Vorzugsweise werden die Reaktionstemperatur und das Siliciumcarbid gewählt, Phosgen zur Verfügung zu stellen, das weniger als etwa 250 ppm, bezogen auf Gewicht, Kohlenstofftetrachlorid enthält, und werden bevorzugter gewählt, Phosgen zu liefern, das weniger als 100 ppm, bezogen auf Gewicht, Kohlenstofftetrachlorid, basierend auf Phosgen, enthält. Von Beachtung sind Ausführungsformen, wo die Reaktionszeit und Temperatur kontrolliert werden, eine Kohlenstofftetrachloridkonzentration von 100 ppm oder weniger, basierend auf dem Gesamtproduktstrom, zu liefern.
  • Ohne weitere Ausarbeitung wird angenommen, daß ein Fachmann unter Verwenden der Beschreibung hier die gegenwärtige Erfindung in ihrem vollsten Ausmaß verwenden kann. Die folgenden bevorzugten spezifischen Ausüfhrungsformen sind deshalb als nur veranschaulichend anzusehen und legen dem Rest der Offenbarung in keiner Weise, wie auch immer, Zwang auf.
  • BEISPIELE
  • Die folgenden Verfahren wurden in Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel A für Katalysatortesten und für Produktanalyse verwendet.
  • Allgemeines Katalysatortestverfahren
  • Eine 1/2" (1,27 mm) O.D. · 15" (381 mm) Inconel® 600 Nickellegierungsröhre, enthaltend ein 100 Mesh (0,015 mm) Monel® Nickellegierungssieb, wurde als der Reaktor verwendet. Der Reaktor wurde mit etwa 2,5 ml bis etwa 8 ml Siliciumcarbidkatalysator gefüllt und auf 300ºC erhitzt. Dieses war die für alle Beispiele verwendete Temperatur.
  • Eine 1 : 1 Molverhältnismischung von Kohlenmonoxid und Chlor wurde über den Katalysator geleitet. Die Kontaktzeiten lagen zwischen 0,9 bis 12 Sekunden. Die experimentellen Ergebnisse sind in Tabellen 1 und A gezeigt.
  • ALLGEMEINES ANALYTISCHES VERFAHREN
  • Der Reaktorauslaß wurde online mit einem Hewlett Packard HP 5890 Gaschromatographen unter Verwenden einer 105 m langen, 0,25 mm ID. Säule, enthaltend RestakTM RTX-1 Crossbond 100% Dimethylpolysiloxan, geprüft. Gaschromatographiebedingungen betrugen 50ºC 10 Minuten lang, gefolgt von Temperaturprogrammieren auf 200ºC mit einer Geschwindigkeit von 15ºC/Minute. Die geringste Menge von Kohlenstofftetrachlorid, die quantitativ identifiziert werden konnte, betrug etwa 40 ppm, bezögen auf Gewicht, für Beispiel 1 und etwa 80 ppm, bezogen auf Gewicht, für Vergleichsbeispiel A. Testergebnisse sind in Tabellen 1 und A gezeigt. TABELLE 1
  • ¹ bezogen auf Gewicht als ppm des Produktstroms. Der gezeigte Wert ist ein Durchschnitt genommen über 7 Stunden und ist eine Hoch-Endschätzung
  • ² Anteil in Produktgasstrom über anfängliche 7 Stunden des Laufs. Die Kontaktzeit betrug 0,9 bis 1,3 Sekunden. TABELLE A
  • ¹ bezogen auf Gewicht als ppm des Produktstroms. Der gezeigte Wert ist ein über 7 Stunden genommener Durchschnitt und ist eine Hoch-Endschätzung
  • ² Anteil in Produktgasstrom über anfängliche 7 Stunden des Laufs. Die Kontaktzeit betrug 8 bis 12 Sekunden.
  • ³ berechnet, basierend auf Stöchiometrie

Claims (4)

1. Verfahren zum Herstellen von Phosgen, umfassend:
in Kontakt bringen eine CO und Cl&sub2; umfassende Mischung bei einer Temperatur von etwa 300ºC oder weniger mit einem Katalysator, umfassend Siliciumcarbid und mit einem Oberflächenbereich von mindestens 10 m²g&supmin;¹.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Katalysator unter Verwenden eines Verfahrens hergestellt wird, das in Kontakt bringen von Siliciummonoxid mit fein verteiltem Kohlenstoff umfaßt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der zum Herstellen des Siliciumcarbids verwendete Kohlenstoff einen Aschegehalt von weniger als etwa 0,1 Gew.-% hat.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Siliciumcarbid erhalten wird durch
(a) Erzeugen von Dämpfen von SiO in einer ersten Reaktionszone durch Erhitzen einer Mischung von SiO&sub2; und Si bei einer Temperatur zwischen 1100ºC und 1400ºC unter einem Druck zwischen 0,1 und 1, 5 hPa und (b) in Kontakt bringen in einer zweiten Reaktionszone bei einer Temperatur zwischen 1100ºC und 1400ºC die in der ersten Reaktionszone erzeugten SiO Dämpfe mit fein verteiltem reaktivem Kohlenstoff mit einem spezifischen Oberflächenbereich, der gleich oder größer als 200 m²g&supmin;¹ ist.
DE69706862T 1996-06-28 1997-06-26 Verfahren zur herstellung von phosgen Expired - Fee Related DE69706862T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US2251896P 1996-06-28 1996-06-28
PCT/US1997/011296 WO1998000364A1 (en) 1996-06-28 1997-06-26 Phosgene manufacturing process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69706862D1 DE69706862D1 (de) 2001-10-25
DE69706862T2 true DE69706862T2 (de) 2002-04-11

Family

ID=21809999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69706862T Expired - Fee Related DE69706862T2 (de) 1996-06-28 1997-06-26 Verfahren zur herstellung von phosgen

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6054107A (de)
EP (1) EP0912443B1 (de)
JP (1) JP2000513692A (de)
CN (1) CN1223623A (de)
BR (1) BR9710029A (de)
DE (1) DE69706862T2 (de)
ES (1) ES2163181T3 (de)
IL (1) IL127286A (de)
RU (1) RU2178387C2 (de)
WO (1) WO1998000364A1 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19848668A1 (de) * 1998-10-22 2000-04-27 Bayer Ag Tetrachlorkohlenstoffarmes Phosgen
DE19916856A1 (de) * 1999-04-14 1999-09-23 Eckert Gmbh Dr Verfahren zur Herstellung von Carbonyldichlorid aus Chlor und Kohlenmonoxid
US6399823B1 (en) 2001-04-30 2002-06-04 General Electric Company Method for producing phosgene
WO2010007926A1 (ja) * 2008-07-15 2010-01-21 帝人化成株式会社 塩化カルボニルの製造方法
ES2847290T3 (es) * 2009-03-11 2021-08-02 Basf Se Procedimiento para producir fosgeno
FR2965490B1 (fr) 2010-09-30 2013-01-11 Aet Group Dispositif et procede pour la phosgenation en continu
CN105408250B (zh) 2013-07-26 2018-08-07 沙特基础全球技术有限公司 用于生产高纯光气的方法和装置
CN104415770B (zh) * 2013-08-26 2016-08-31 万华化学集团股份有限公司 一种制备光气的催化剂及制备光气的方法
CN105980346B (zh) 2014-02-04 2018-05-18 沙特基础工业全球技术有限公司 生产碳酸酯的方法
US9670131B2 (en) 2014-02-04 2017-06-06 Sabic Global Technologies B.V. Method for producing carbonates
EP2955158B1 (de) 2014-06-11 2020-05-27 Haldor Topsøe A/S Verfahren zur sicheren Herstellung von Phosgen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4231959A (en) * 1978-02-15 1980-11-04 Stauffer Chemical Company Phosgene manufacture
DE3327274A1 (de) * 1983-07-28 1985-02-07 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung von phosgen unter gleichzeitiger erzeugung von dampf
US4914070A (en) * 1987-10-19 1990-04-03 Pechiney Electrometallurgie Process for the production of silicon carbide with a large specific surface area and use for high-temperature catalytic reactions
JPH0629129B2 (ja) * 1988-06-25 1994-04-20 出光石油化学株式会社 ホスゲンの製造方法
JP2710898B2 (ja) * 1992-07-07 1998-02-10 三菱電機株式会社 静止誘導電器リードの絶縁構造
JPH0959012A (ja) * 1995-08-23 1997-03-04 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ホスゲンの製造法

Also Published As

Publication number Publication date
ES2163181T3 (es) 2002-01-16
JP2000513692A (ja) 2000-10-17
EP0912443A1 (de) 1999-05-06
IL127286A0 (en) 1999-09-22
DE69706862D1 (de) 2001-10-25
CN1223623A (zh) 1999-07-21
RU2178387C2 (ru) 2002-01-20
WO1998000364A1 (en) 1998-01-08
BR9710029A (pt) 1999-08-10
EP0912443B1 (de) 2001-09-19
US6054107A (en) 2000-04-25
IL127286A (en) 2001-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69606440T2 (de) Verfahren zur herstellung von phosgen
DE842059C (de) Verfahren zur Herstellung von Organosiliziumhalogeniden
DE3887625T2 (de) Verfahren zur Herstellung von 1,1,1-Trifluorodichlorethan und von 1,1,1,2-Tetrafluorchlorethan.
DE69706862T2 (de) Verfahren zur herstellung von phosgen
DE3872495T2 (de) Herstellung von 3,3,3-trifluoropropen.
DE69519379T2 (de) Verfahren zur herstellung von trifluorethylene
DE69812901T2 (de) Katalytische herstellung von pentafluorpropenen
JP4629062B2 (ja) 酸化クロムの処理及びフッ化ビニルの触媒的製造
DE68907754T2 (de) Verfahren zur Fluorierung in der Gasphase.
DE19740923A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumtrichlorid
DE69930512T2 (de) Verfahren zur herstellung von hexafluorpropen aus cc1f2cc1fcf3 und azeotrope von cc1f2cc1fcf3 mit hf
DE68903399T2 (de) Verfahren zur gasphasenfluorierung.
DE3750318T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halosilanen.
DE3784151T2 (de) Verfahren zur herstellung von alkylhalosilanen.
DE69706708T2 (de) Verfahren zur herstellung von phosgen
DE69314803T2 (de) Verfahren zur umwandlung von 1,1,2-trichlorethan in vinylchlorid und/oder ethylen
EP1903048B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
DE69306826T2 (de) Katalysator zur Enthalogenierung von Alpha-halogenierten Carbonsäuren und seine Verwendung zur Reinigung von Monochloressigsäure
DE1767905A1 (de) Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen und Organosilanen
DE69415312T2 (de) Herstellung von fluorierten methanen
DE69907295T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
DE69615140T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Feststoffs auf der Basis Kieselsäure und Titan und Verwendung dieses Feststoffs, insbesondere für die Epoxidierung von Olefinen
EP0841342A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Vinyltrichlorsilan
WO1994005609A1 (de) Verfahren zur herstellung von vinylchlorid
DE1229515B (de) Verfahren zur Herstellung von Hexafluorpropen

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee