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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
und ein Verfahren zur Herstellung derselben und insbesondere eine
Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
in der Gegenmaßnahmen
gegen statische Elektrizität
in dem Herstellungsverfahren davon vorgenommen werden, und ein Verfahren
zur Herstellung derselben.
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Hintergrund
der Erfindung
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In
der Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die TFTs (Thin Film Transistors, Dünnschichttransistoren) oder
dergleichen als Schaltelemente verwendet, wird ein Flüssigkristall
zwischen gegenüberliegend
angeordneten Glassubstraten abgedichtet und eine Spannung wird an
den Flüssigkristall
angelegt, um ihn anzusteuern. Auf einem der zwei gegenüberliegend
angeordneten Glassubstraten wird eine Vielzahl von Bildpunkten in
einer Matrix gebildet. In jedem Bildpunkt wird eine transparente Display-Elektrode
aus ITO (Indium Tin Oxide, Indiumzinnoxid) oder dergleichen gebildet
und ein Schaltelement wie beispielsweise TFT wird mit jeder Display-Elektrode
verbunden.
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Die
Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des TFT jedes Bildpunkts
sind jeweils verbunden, beispielsweise mit einer Gate-Leitung, die
in Zeilenrichtung gebildet ist, und mit einer Datenleitung, die
in Spaltenrichtung gebildet ist, die in dem Bereich zwischen Bildpunkten
gebildet sind. Falls die Gate-Leitung gewählt ist, wenn Graustufen-Daten
auf der Datenleitung ausgegeben werden, wird das Gate des TFT angeschaltet,
um es den Graustufen-Daten zu ermöglichen, von der Drain-Region,
die mit der Datenleitung verbunden ist, an die Display-Elektrode, die mit
der Source-Region bzw. Quellregion verbunden ist, geschrieben zu
werden.
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Mit
Bezug auf 8 und 9 wird die
Leitungsanordnung bzw. der Schaltplan einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
detaillierter beschrieben. 8 zeigt
einen Teil der Fläche
bzw. Ebene einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung 1,
die durch das herkömmliche
Modul-Herstellungsverfahren
hergestellt ist. Innerhalb des Randes eines Feldsubstrats 2 wird
ein Farbfiltersubstrat 4 gebildet und weiter innerhalb
des Randes des Farbfiltersubstrats 4 wird ein Abdichtungsmittel 6 gebildet.
Der Bereich, der von dem Abdichtungsmittel 6 umgeben ist,
ist eine Bildanzeigefläche,
wo sich viele Datenleitung 10/Gate-Leitungen 46 rechtwinklig
kreuzen, um viele Bildpunkten in einer Matrix zu bilden.
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Die
OLB-Elektroden, die in dem Bereich gebildet sind, der das Feldsubstrat 2 umgibt,
werden durch ACF (Anisotropic Conductive Film, anisotrop leitende
Folie) an die Anschlüsse
auf einer Seite einer Vielzahl von TCPs 12 durch Kompression
gebondet, auf denen eine Ansteuerungs-IC 30 angebracht ist.
Ein TCP 12 entspricht beispielsweise allen 200 Leitungen 10,
die auf dem Feldsubstrat 2 gebildet sind, aber die Leitungen 10 sind
in der Figur vereinfacht. An die andere Seite der TCPs 12 ist
eine gedruckte Leiterplatte 32 gelötet.
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Die
ebene Gestalt der Datenleitungen oder Gate-Leitungen wird in 9 gezeigt.
Die OLB-Elektroden 40,
die durch ACF an die Anschlüsse
auf einer Seite der TCPs 12 durch Kompression gebondet sind,
weisen eine Breite von beispielsweise 50 bis 150 µm und eine
Länge von
beispielsweise 3 mm auf und sind mit den Signal- oder Gate-Leitungen 10 in einem
Ende davon verbunden. Beispielsweise beträgt die Breite der Datenleitungen/Gate-Leitungen 10 10
bis 50 µm
und die Länge
davon beträgt
20 cm. Die Breiten und Längen
der OLB-Elektrodenabschnitte 40 und der Datenleitungen/Gate-Leitungen 10 hängen von
der Größe und Leitungsdichte
der Anzeigevorrichtung bzw. des Displays ab.
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8 ist
wegen der Klarheit in einer vereinfachten Form, aber für ein Farbdisplay
in einem VGA-Displaymodus werden die Datenleitungen/Gate-Leitungen,
die in 9 gezeigt sind, in einer Zahl von 640 × 3 = 1920
in der Zeilenrichtung und von 480 in der Spaltenrichtung angeordnet,
um eine Matrix zu bilden.
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Eine
große
Anzahl von Datenleitungen und Gate-Leitungen sind in einer Matrix
angeordnet, um ein Flüssigkristallanzeigefeld
zu bilden, wie oben beschrieben, und des Weiteren werden Elemente
wie beispielsweise TFTs gebildet. Damit gibt es ein Mängelproblem,
verursacht durch statische Elektrizität in dem Herstellungsverfahren
des Flüssigkristallanzeigefelds.
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Das
Versagen aufgrund statischer Aufladung bzw. der statische Fehler,
das/der ein Problem in dem Herstellungsverfahren des Flüssigkristallanzeigefelds
darstellt, und die herkömmlichen
Präventionsmaßnahmen
dagegen, sind unten kurz beschrieben. Die Gate-Leitungen und Datenleitungen
eines TFT-Felds sind durch eine Isolierschicht elektrisch isoliert.
Beispielsweise ist ein Glassubstrat als das Feldsubstrat durch Vakuumansaugung
an die Platte der Vorrichtung zur Herstellung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
befestigt, aber die so genannte Abriebsladung (peeling charge) oder
dergleichen tritt auf, wenn das Glassubstrat von der Platte durch
Abschalten der Vakuumansaugung am Ende des Verfahrens entfernt wird.
Demgemäß wird leicht
eine statische Aufladung in dem Herstellungsverfahren des Anzeigefelds
von TFT/LCD aus verschiedenen Gründen
verursacht. Die statische Aufladung in Gate-Leitungen oder Datenleitungen
verursacht eine Spannung, die wesentlich größer als die eigentliche Ansteuer-Spannung
ist, die an die TFTs oder Leitungskreuzungspunkten angelegt werden
soll, wodurch eine Beschädigung
bzw. ein Versagen der Isolationsschicht oder dergleichen entsteht.
Als ein Ergebnis sind Schaltelemente funktionsuntüchtig oder
ein schwerer Defekt wie beispielsweise ein Leitungsdefekt wird verursacht.
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Die
Maßnahmen
gegen ein Versagen aufgrund statischer Aufladung, um derartige statischen Fehler
vorzubeugen, beinhalten beispielsweise die Bildung einer Schutzschaltung
(Kurzschlussring (short ring)), wie in der veröffentlichten ungeprüften Patentanmeldung
63-220289 offenbart.
Diese ist implementiert durch Bereitstellung einer Bezugspotential-Leitung
und Bereitstellung einer unabhängigen elektrischen
Verbindung zwischen jeder Signalleitung durch die Verwendung eines
Schaltelements für den
Betrieb mit zwei Anschlüssen.
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Mit
Bezug auf 10 werden die Maßnahmen
gegen ein Versagen aufgrund statischer Aufladung beschrieben, die
den Kurzschlussring in dem Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
verwenden. Zuerst wird das Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
in der Reihenfolge der Hauptverfahrensschritte beschrieben. Das
Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
umfasst drei Schritte, das sind ein Feld-Schritt, bei den Gate-Leitungen
und Datenleitungen auf einem Glassubstrat gebildet werden und Schaltelemente
wie beispielsweise TFTs und Display-Elektroden gebildet werden;
ein Zellen-Schritt, bei dem das gebildete Feldsubstrat und ein Farbfiltersubstrat
zusammen lamelliert werden und ein Flüssigkristall injiziert und
durch ein Abdichtungsmittel abgedichtet wird; und ein Modulherstellungsschritt,
bei dem das Anbringen von TAB und das Löten einer gedruckten Leiterplatte
zum Abschluss ausgeführt
werden.
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Der
Kurzschlussring wird gleichzeitig mit der Bildung der Datenleitungen
in der Phase gebildet, in der die Source-/Drain-Elektroden von TFTs
und die Signalleitung gebildet werden, nur nachdem Gate-Leitungen
(Gate-Leitungen), TFTs und Display-Elektroden auf dem Glassubstrat
in dem Feld-Schritt gebildet sind. An dieser Stufe sind alle Gate-Leitungen
und alle Datenleitungen unter Verwendung des Materials zum Bilden
der Datenleitungen kurzgeschlossen oder eine Verbindung ist zwischen
der Bezugspotential-Leitung und den Gate-Leitungen/Datenleitungen durch die Schaltelemente
hergestellt, wie oben beschrieben, wodurch ein Versagen aufgrund
statischer Aufladung verhindert wird.
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Damit
kann gesagt werden, dass der Kurzschlussring eine effektive Gegenmaßnahme gegen ein
Versagen aufgrund statischer Aufladung in dem Zellen-Schritt ist,
vor einem nachfolgenden Durchtrennen des Kurzschlussring, aber der
Kurzschlussring kann nicht gebildet werden, bevor die Datenleitungen
in dem Feld-Schritt gebildet sind, und demgemäß gibt es zur Zeit keine effektive
Gegenmaßnahme,
um ein Versagen aufgrund statischer Aufladung im fast gesamten Feld-Schritt
zu verhindern.
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Da
jedoch die neue Flüssigkristallanzeigevorrichtung
eine größere Größe und hohe
Auflösung aufweist,
nehmen die Länge
der Hauptleitung von Gate-Leitungen und die Zahl von Gate-Leitungen zu und
die Dicke der Lagenisolationsschicht wird dünner. Als ein Ergebnis tritt
statische Aufladung in den Gate-Leitungen auf, die auf dem Glassubstrat
gebildet sind, bevor der Kurzschlussring noch nicht geformt wurde,
was die Lagenisolationsschicht in einem Bildpunkt zerstört.
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Demgemäß ist es
notwendig Maßnahmen gegen
statische Elektrizität
in allen Phasen des Herstellungsverfahrens einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
zu unternehmen.
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Patentzusammenfassungen
aus Japan, Vol. 95, Nr. 007 &
JP 07 181509 A ,
21. Juli 1995, offenbart eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit
Schaltelementen, die in einem Bildpunktbereich auf einem Substrat
gebildet sind. Eine geerdete leitende Leitung wird mit kleinen Intervallen
bzw. Abständen
zu den Signalleitungen bereitgestellt, so dass statische Elektrizität sicher
von den Signalleitungen zu der geerdeten Leiterleitung entladen
wird.
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bereitzustellen, bei der das Auftreten eines Versagens aufgrund
statischer Aufladung vor der Bildung des Kurzschlussrings verhindert
wird, und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bereitzustellen, bei der das Auftreten eines Versagens aufgrund
statischer Aufladung in im Wesentlichen allen Phasen des Herstellungsverfahrens
davon verhindert wird, und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
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Offenbarung
der Erfindung
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Die
Erfindung stellt ein Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bereit, umfassend: ein Substrat; Schaltelemente, die in einer Matrix
in einem Displaybereich auf dem Substrat gebildet sind; einen Satz
erster metallischer Leiterbahnen, die auf dem Substrat gebildet
sind und so angeordnet sind, dass sie Steuersignale zu den Schaltelementen
leiten; eine Isolierschicht, die auf den ersten metallischen Leiterbahnen
gebildet ist. Die Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ist dadurch gekennzeichnet, dass jede der ersten metallischen Leiterbahnen
am Rand der Anzeigefläche
in der Weise unterbrochen ist und eine Entladungslücke bildet,
dass jede dieser ersten metallischen Leiterbahnen in zwei entlang
einer Achse ausgerichtete Abschnitte aufgeteilt ist, wobei die Entladungslücke hervorstehende
Entladungsspitzen umfasst, welche an den entgegengesetzten Kanten
der Segmente einander gegenüberstehen;
in der Isolierschicht auf jeder Seite jeder dieser Entladungslücken Durchgangslöcher gebildet
sind, die entlang der Achse der Segmente ausgerichtet sind, wobei
die Isolierschicht die Entladungslücke füllt; und die Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ferner umfasst: einen auf der Isolierschicht gebildeten Satz zweiter
metallischer Leiterbahnen, welche die Durchgangslöcher ausfüllen, wobei
jeder der zweiten metallischen Leiterbahnen jeweils einer bestimmten ersten
metallischen Leiterbahn zugeordnet ist und jede der zweiten metallischen
Leiterbahnen über
die Durchgangslöcher
mit jedem Abschnitt einer entsprechenden ersten metallischen Leiterbahn
elektrisch verbunden ist, um die Entladungslücke der entsprechenden ersten
metallischen Leiterbahnen zu überbrücken.
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Weiterhin
stellt die Erfindung auch ein Verfahren zur Herstellung einer Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bereit, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Matrix von Schaltelementen
in einer Anzeigefläche
auf einem Substrat; Bilden eines Satzes erster metallischer Leiterbahnen
auf dem Substrat und Anordnen dieser Leiterbahnen in der Weise,
dass sie Steuersignale zu den Schaltelementen leiten; und Bilden
einer Isolierschicht auf dem Satz erster metallischer Leiterbahnen;
wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass es ferner die
folgenden Schritte umfasst: Bilden einer Entladungslücke in jeder
der ersten metallischen Leiterbahnen durch Unterbrechen und Trennen
jeder der ersten metallischen Leiterbahn am Rand der Anzeigefläche in zwei
entlang einer Achse ausgerichtete Abschnitte und durch Bereitstellen
von hervorstehenden Entladungsspitzen an den entgegengesetzten Kanten
der Segmente; Bilden von Durchgangslöchern in der Isolierschicht
auf jeder Seite jeder der Entladungslücken, die entlang der Achse
der Segmente ausgerichtet sind, wobei die Isolierschicht die Entladungslücken ausfüllt; und
Bilden eines Satzes zweiter metallischer Leiterbahnen auf der Isolierschicht
in der Weise, dass diese die Durchgangslöcher ausfüllen, wobei jede der zweiten
metallischen Leiterbahnen jeweils einer bestimmten ersten metallischen
Leiterbahn zugeordnet ist und jede der zweiten metallischen Leiterbahnen über die
Durchgangslöcher
mit jedem Abschnitt einer entsprechenden ersten metallischen Leiterbahn
elektrisch verbunden ist, um die Entladungslücke der entsprechenden ersten
metallischen Stromleitungen zu überbrücken.
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Damit
sind gemäß der vorliegenden
Erfindung Leitungen in unteren Schichten, die zu einer Anfangsstufe
in dem Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gebildet werden sollen, beispielsweise Gate-Leitungen, in einem
vorbestimmten Bereich abgetrennt, wenn sie gebildet werden, wodurch
veranlasst wird, dass die statische Elektrizität, die sich in den Gate-Leitungen
aufbaut, in diesem Bereich entladen wird. Demgemäß kann der Bildpunktfehler
aufgrund statischer Elektrizität
in dem Schritt vor der Bildung des Kurzschlussrings verhindert werden.
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Darüber hinaus
können
in dem Schritt der Bildung des Kurzschlussrings die abgetrennten Gate-Leitungen wieder
in die originalen Gate-Leitungen durch Verbinden dieser mit anderen
metallischen Leiterbahnschichten eingesetzt werden und die Maßnahmen
gegen statische Aufladung können
auf den Kurzschlussring übertragen
werden.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Die
Erfindung wird nun nur anhand eines Beispiels mit Bezug auf die
begleitenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
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1 die
Leitungsanordnung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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2 ein
Grundriss der Leitungsanordnung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist;
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3 eine
Querschnittdarstellung der Leitungsanordnung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist;
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4 das
Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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5 das
Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 das
Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 das
Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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8 die
Leitungsanordnung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
im Stand der Technik zeigt;
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9 die
Leitungsanordnung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
im Stand der Technik zeigt; und
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10 eine
Figur ist, um die Maßnahmen gegen
ein Versagen aufgrund statischer Aufladung zu erläutern, die
einen Kurzschlussring in einem Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
im Stand der Technik verwendet.
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Detaillierte
Beschreibung der Erfindung
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Die
bevorzugte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird unter Verwendung der 1 bis 7 beschrieben.
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Die
Leitungsanordnung der Gate-Leitungen der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der bevorzugten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird unter Verwendung der 1 bis 3 beschrieben.
In dieser Ausführungsform
wird die Beschreibung unter der Voraussetzung gemacht, dass die
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
eine Farb-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
eines VGA-Display-Modus ist, die eine Anzeigefläche aufweist, die eine Größe von etwa
10 Zoll aufweist.
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1 ist
ein teilweiser vergrößerter Grundriss
des äußeren Abschnitts
des Feldes der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der vorliegenden Erfindung.
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Datenleitungen 10 und
Gate-Leitungen 46, die auf dem Feldsubstrat 2 der
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gebildet sind, erstrecken sich von der Anzeigefläche zu OLB-Elektrodenabschnitten 40 durch
ein Abdichtungsmittel 6, das einen Flüssigkristall abdichtet. Ein
matrixförmiger
Bereich, der von den Gate-Leitungen 46 und den Datenleitungen 10 umgeben
ist, ist ein Bildpunktbereich, und Display-Elektroden 24 werden
auf dem Feldsubstrat in dem Bildpunktbereich gebildet. In jeder
Display-Elektrode 24 ist an der Kreuzung der Gate-Leitung 46 und der
Datenleitung 10 beispielsweise ein TFT 26 als
ein Schaltelement gebildet. Auf das Feldsubstrat 2 wird ein
Farbfiltersubstrat (nicht gezeigt) durch das Abdichtungsmittel 6 lamelliert.
Auf die OLB-Elektrodenabschnitte 40 auf dem Feldsubstrat
wird ein TCP (nicht gezeigt) gebondet, beispielsweise durch ACF.
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Ein
vergrößerter Grundriss
des Bereichs, der von einem Kreis 44 in 1 umgeben
ist, wie von der Feldsubstratseite aus gesehen, wird in 2 gezeigt,
und die Querschnittdarstellung davon wird in 3 gezeigt.
Unter Verwendung der 2 und 3 werden
die charakteristischen Merkmale der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung beschrieben.
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Auf
einem Glassubstrat 2 werden die Gate-Leitungen 46 gebildet,
die aus einer Metallschicht aus beispielsweise Mo, Ta, Cr, Al oder
dergleichen gemacht sind und eine Dicke von etwa 0,3 µm aufweisen.
Für eine
Anzeigefläche
von 10 Zoll beträgt
die Breite der Gate-Leitungen 46 etwa 20 µm und der
Abstand beträgt
etwa 330 µm.
Die Länge
der Gate-Leitungen 46 beträgt etwa 20 cm.
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Die
Gate-Leitungen 46 sind abgetrennt und an den Kanten der
abgetrennten Leitungen werden Entladungsspitzen 52 und 54 auf
beiden Seiten einer Entladungslücke 50 gebildet,
um einen Abstand von beispielsweise etwa 6 µm zwischen ihnen bereitzustellen.
Die Entladungslücke 50 wird
an einem Ort zwischen dem OLB-Elektrodenabschnitt 40 und
dem Bildpunktbereich gebildet, beispielsweise an einem Ort, der
sich etwa 0,5 mm entfernt von dem Bildpunktbereich in Richtung des
OLB-Elektrodenabschnitts befindet. Die Entladungsspitzen 52 und 54 sind
im Wesentlichen in der Mitte der Kanten des abgetrennten Abschnitts
der Gate-Leitung 46 angeordnet. Sowohl die Höhe der Entladungsspitzen 52 und 54 von
den Gate-Leitungskanten als auch deren Breite sind etwa 6 µm.
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Auf
den Gate-Leitungen 46 und zwischen den Entladungslücke 50 wird
eine Gate-Isolationsschicht 56 aus
beispielsweise einer Siliziumoxidschicht gebildet, beispielsweise
mit einer Dicke in der Größenordnung
von 0,4 µm.
Zwei Durchgangslöcher 58 sind
in die Gate-Isolationsschicht 56 in
der Umgebung der Entladungsspitzen 52 und 54 der
jeweiligen Gate-Leitungen 46 gemacht.
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Beim
Ausfüllen
in die Durchgangslöcher 58 wird
eine metallische Leiterbahnenschicht 48 aus beispielsweise
Al, die eine Dicke von etwa 0,3 µm aufweist, auf der Gate-Isolationsschicht 56 gebildet.
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Wie
oben beschrieben weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung eine Ausführung
auf, bei der die Gate-Leitungen in einem Teil davon abgetrennt sind,
und die abgetrennten Gate-Leitungen sind durch die obere metallische
Leiterbahnenschicht über
die Durchgangslöcher
elektrisch verbunden, die in der Isolationsschicht auf den Gate-Leitungen
gebildet sind.
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Nun
wird das Verfahren zur Bildung der Gate-Leitungen der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Verwendung der 4 bis 7 beschrieben.
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Eine
Metallschicht 42 aus beispielsweise Mo, Ta, Cr oder Al
wird aufgetragen, beispielsweise durch Zerstäuben auf die gesamte Oberfläche eines Glassubstrats 2,
beispielsweise zu einer Dicke von etwa 0,3 µm (4). Dann
wird die Metallschicht 42 gestaltet, um die Gate-Elektroden (nicht
gezeigt) und Gate-Leitungen 46 eines TFT (5)
zu bilden. Für eine
10-Zoll Anzeigefläche beträgt die Breite
der Gate-Leitungen 46 etwa 20 µm und der Abstand beträgt etwa
330 µm.
Die Länge
der Gate-Leitungen 46 beträgt etwa 20 cm.
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An
diesem Punkt wird jede Gate-Leitung 46 gestaltet, um in
einem Teil davon abgetrennt zu sein, und eine Entladungslücke 50 und
Entladungsspitzen 52 und 54 werden gebildet, wie
in dem Grundriss von 3 gezeigt. Der Abstand der Entladungslücke 50 liegt
in der Größenordnung
von 6 µm.
Die Entladungsspitzen 52 und 54 sind im Wesentlichen
in der Mitte der Kanten des abgetrennten Abschnitts der Gate-Leitungen 46 angeordnet.
Die Höhe
der Entladungsspitzen 52 und 54 von den Kanten
und die Breite davon sind beide etwa 6 µm. Obwohl die Gestalt der
Entladungsspitzen 52 und 54 in dieser Ausführungsform
rechtwirilclig ist, ist es nicht darauf beschränkt, sondern kann dreieckig
oder rund sein.
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Es
ist erwünscht,
dass der Abstand der Entladungslücke 50 kleiner
wird, aber in Hinblick auf die Anordnungsgenauigkeit der Belichtungsvorrichtung in
dem Herstellungsverfahren wird ausreichend Entladung erhalten, selbst
wenn er in der Größenordnung
von 4 bis 10 µm
liegt. Vorzugsweise sind die Entladungsspitzen 52 und 54 in
der Mitte der Gate-Leitungskanten angeordnet, wenn dies möglich ist.
Das ist, um bei einem Eintreten einer Entladung der verschiedenen
benachbarten Gate-Leitungen vorzubeugen, wenn die Entladungsspitzen
vorgespannt bereitgestellt werden, weil das Leitungsintervall (Abstand)
der Gate-Leitungen enger wird, wie die Anzeigedichte der Flüssigkristallanzeigevorrichtung höher wird.
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Um
den Ort der Entladungslücke 50 zu
bestimmen, sollten verschiedenste Punkte in Hinblick auf die Wahrscheinlichkeit
einer Entladung beachtet werden, aber in einem pragmatischen Ansatz,
ist es nur notwendig, den Ort der Entladungslücke zu bestimmen, so dass die
Bereiche der abgetrennten Gate-Leitungen 46 im Wesentlichen
gleich sind. Weil jedoch die Möglichkeit
eines derartigen Orts groß ist, der
gleiche Bereiche bietet, die sich im Bildpunktbereich befinden,
ist es wünschenswert,
eine Entladungslücke 50 in
dem Bereich zwischen dem Bildpunktbereich und der OLB-Elektrode 40 (beispielsweise,
dem Anschlussbereich) bereitzustellen. In dieser Ausführungsform
wird die Entladungslücke 50 zwischen
dem OLB-Elektrodenabschnitt 40 und dem Bildpunktbereich
an einem Ort gebildet, der im Abstand von etwa 0,5 mm von dem Bildpunktbereich entfernt
liegt.
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Also
können
gemäß der vorliegenden
Erfindung die Leitungen für
die Gate-Leitungen in dem Feld-Schritt gebildet werden und gleichzeitig
kann eine Entladungslücke
als eine Gegenmaßnahme
gegen Versagen aufgrund statischer Aufladung gebildet werden, so
dass ein Versagen aufgrund statischer Aufladung in dem Verfahren
vor der Bildung des Kurzschlussrings verhindert werden kann.
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Dann
wird eine Gate-Isolationsschicht 56, beispielsweise durch
ein CVD-Verfahren, auf die gesamte Oberfläche in einer Dicke von beispielsweise 0,4 µm aufgebracht.
An diesem Punkt wird die Entladungslücke 50 mit dem Material
ausgefüllt,
mit dem die Gate-Isolationsschicht 56 gebildet wird (beispielsweise
einer Siliziumoxidschicht) (6).
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Danach
wird, obwohl nicht gezeigt, nach Schritten zum Bilden eines TFT,
wie beispielsweise ein Aufbringen einer Siliziumnitridschicht und
von amorphem Silizium, die Gate-Isolationsschicht 56 gestaltet,
um zwei Durchgangslöcher 58 in
die Gate-Isolationsschicht 56 in der Umgebung der Entladungsspitzen 52 und 54 jeder
Gate-Leitung 46 zu machen. Dann wird über die gesamte Oberfläche eine
metallische Leiterbahnenschicht, die etwa 0,3 µm dick ist, zum Bilden von
Datenleitungen gebildet. Die Durchgangslöcher 58 werden mit
der aufgetragenen metallischen Leiterbahnenschicht ausgefüllt. Als das
Leitungsmaterial kann ein Metallmaterial, das äquivalent zu dem Gate-Leitungsmaterial
einschließlich
Al ist, verwendet werden.
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Dann
wird die metallische Leiterbahnenschicht zur Bildung von Datenleitungen
gestaltet, um Datenleitungen zu bilden. An diesem Punkt wird ein Gestalten
gleichzeitig durchgeführt,
um eine Gate-Leitungsverbindungsschicht 48 zu bilden, die die
abgetrennten Gate-Leitungen 46 durch die Durchgangslöcher 58 auf
beiden Seiten der Entladungslücke 50 für die Gate-Leitungen 46 elektrisch verbindet
(7). Die OLB-Elektroden 40, die mit den
Gate-Leitungskanten verbunden werden sollen, werden auch aus dem
Datenleitungsleitungsmetall zur gleichen Zeit gebildet. Die gebildeten
OLB-Elektroden 40 sind etwa 50 µm breit und etwa 3 mm lang.
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Auf
dieser Stufe sind die abgetrennten Gate-Leitungen elektrisch miteinander
verbunden und verlieren die Funktion als Mittel zu Vermeidung eines
Versagens aufgrund statischer Aufladung, aber zur gleichen Zeit
können
durch Bilden des herkömmlichen
Kurzschlussrings beim Bilden der Datenleitungen Maßnahmen
gegen ein Versagen aufgrund statischer Aufladung von da an vorgenommen
werden.
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Wie
oben beschrieben sind gemäß der vorliegenden
Erfindung die Gate-Leitungen mit einer vorbestimmten Länge und
Breite abgetrennt, so dass die Entladung geladener Gate-Leitungen
in dem abgetrennten Teil auftritt. Nachdem die Isolationsschicht
aufgebaut ist, wird die statische Elektrizität, die sich in den Gate-Leitungen
ausbaut, in dem abgetrennten Teil entladen, um die Isolationsschicht
in dem abgetrennten Teil zu zerstören, aber keine Wirkung auf
Bildpunkte wird ausgeübt,
so dass das Auftreten eines Bildpunktfehlers verhindert werden kann.
Durch Verbinden der Gate-Leitungen auf beiden Seiten der Lücke mit
den metallischen Leiterbahnen, die die andere Schicht bilden, wird
die ursprüngliche
Gate-Leitung wiederhergestellt und der Effekt der Maßnahmen
gegen Versagen aufgrund statischer Aufladung geht verloren. Jedoch
kann an diesem Punkt eine Schaltung zum Entfernen von statischer
Elektrizität
(Kurzschlussring) gleichzeitig gebildet werden, und die Funktion
von Maßnahmen
gegen ein Versagen aufgrund statischer Aufladung wird auf diesen
Kurzschlussring übertragen.
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Demgemäß können während aller
Feld- und Zellen-Schritte des Herstellungsverfahrens einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
präventive
Maßnahmen
gegen Versagen aufgrund statischer Aufladung bereitgestellt werden.
Mit dem Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung der
vorliegenden Erfindung ist es nicht notwendig, die Herstellungsverfahrenschritte
anzuheben, sondern nur die Änderung
der Maske, die für
das Gestalten verwendet wird, ist notwendig, um Maßnahmen
gegen ein Versagen aufgrund statischer Aufladung in dem herkömmlichen
Herstellungsverfahren bereitzustellen.
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Die
vorliegende Erfindung kann unterschiedlich verändert werden, ohne die obige
Ausführungsform
einzuschränken.
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Zum
Beispiel, obwohl in der obigen Ausführungsform die Gate-Leitungsverbindungsschicht 48 gleichzeitig
mit der Bildung der Datenleitungen unter Verwendung des Metallmaterials
zur Bildung der Datenleitungen gebildet wird, kann selbstverständlich anderes
Metallmaterial verwendet werden, wenn keine Anhebung in den Herstellungsverfahrenschritten von
Interesse ist.
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Weiterhin
weil die vorliegende Erfindung dadurch gekennzeichnet ist, dass
die untere Metallschicht (nämlich
die Metallschicht, die in einer frühen Phase des Herstellungsverfahrens
gebildet wird) als Mittel gegen Versagen aufgrund statischer Aufladung bereitgestellt
wird, um ein Versagen aufgrund statischer Aufladung von einer frühen Stufe
des Verfahrens an zu vermeiden, soll es verstanden werden, dass
die vorliegende Erfindung nicht nur in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
des so genannten Typs mit unten liegendem Gate (oder Typ mit umgekehrter
Staffelung) einer TFT-Struktur angewendet werden kann, wie in der
obigen Ausführungsform
beschrieben, bei dem Gate-Leitungen vor der Bildung von Datenleitungen
gebildet werden, das heißt,
die Gate-Leitungen sind unter den Datenleitungen angeordnet, sondern
auch in einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
des so genannten Typs mit oben liegendem Gate (oder Typ mit Staffelung)
einer TFT-Struktur.