DE68919058T2

DE68919058T2 - Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.

Info

Publication number: DE68919058T2
Application number: DE68919058T
Authority: DE
Inventors: Tomihisa Sunata; Yasuhiro Ukai; Teizo Yukawa
Original assignee: Hosiden Corp
Current assignee: Philips Components Kobe KK
Priority date: 1988-12-12
Filing date: 1989-12-12
Publication date: 1995-04-13
Anticipated expiration: 2009-12-13
Also published as: KR900010453A; DE68919058D1; EP0373586B1; JPH02157828A; US5086347A; KR940010414B1; EP0373586A3; EP0373586A2; ATE113394T1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix, die einen breiten aktiven oder Anzeigebereich aufweist und eine Anzeige mit hoher Auflösung bereitstellt.
Eine herkömmliche Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung dieser Art besitzt einen Aufbau, wie beispielsweise in Fig. 1 gezeigt, wobei ein Paar von gegenüberliegenden transparenten Basisplatten 11 und 12, beispielweise aus Glas, durch ein zwischen ihnen entlang ihrer Randabschnitte angeordnetes Abstandsstück 13 getrennt sind und wobei in dem durch die transparenten Basisplatten 11 und 12 dazwischen definierten Raum ein Flüssigkristall 14 eingeschlossen ist.
Die transparente Basisplatte 11 besitzt auf ihrer Innenseite eine Vielzahl von Anzeigeelektroden 15 und Dünnfilmtransistoren 16, die als Schaltelemente in Kontakt damit gebildet sind und deren Drains damit verbunden sind. Auf der Innenseite der anderen transparenten Basisplatte 12 ist eine transparente gemeinsame Elektrode 17 gebildet, und zwar gegenüberliegend zu den Anzeigeelektroden 15 über den Flüssigkristall 14.
Die Anzeigeelektroden 15 sind beispielsweise Bildpunktelektroden. Wie in Fig. 2 dargestellt, besitzt die transparente Basisplatte 11 dicht in einer Matrixform angeordnete quadratische Anzeigelektroden 15 und Gate- und Source-Busse 18 und 19, die benachbart dazu gebildet sind und sich jeweils entlang der Elektrodenanordnungen (im folgenden als Elektroden-Arrays bezeichnet) in die Zeilen bzw. Spaltenrichtungen erstrecken. An den Schnittpunkten der Gate- und Source-Busse 18 und 19 befinden sich Dünnfilmtransistoren 16, deren Gates und Sourcen mit den Gate- und Source-Bussen 18 und 19 an ihren Schnittpunkten verbunden sind und deren Drains mit den Anzeigeelektroden 15 verbunden sind.
Beim Anlegen einer Spannung entweder über den Gate- oder dem Source-Bus 18 und 19 wird nur der zugehörige Dünnfilmtransistor 16 EIN-geschaltet, um Ladungen in der mit seiner Drain verbundenen Anzeigeelektrode 15 zu speichern, wobei eine Spannung über nur denjenigen Abschnitt des Flüssigkristalls 14 angelegt wird, welcher zwischen der aktivierten Anzeigeelektrode 15 und der gemeinsamen Elektrode 17 zwischenliegend angeordnet ist. Infolgedessen wird nur derjenige Abschnitt der Flüssigkristallanzeige, der der Anzeigeelektrode 15 entspricht, in einen gegenüber Licht transparenten oder nicht transparenten Zustand gebracht, wodurch eine selektive Anzeige bereitgestellt wird. Die Anzeige kann einfach gelöscht werden, indem die in der Anzeigeelektrode 15 gespeicherten Ladungen ausgeräumt werden.
Die Fig. 3 und 4 zeigen ein herkömmliches Beispiel des Dünnfilmtransistors 16. Auf der transparenten Basisplatte 11 werden jeweils die Anzeigeelektrode 15 und der Source-Bus 19 durch einen transparenten leitenden Film, beispielsweise aus ITO, gebildet und eine Halbleiterschicht 22, beispielsweise aus amorphem Silizium, wird aufgebracht, die den Spalt zwischen der Anzeigeelektrode 15 und dem Source-Bus 19 entlang ihrer parallel gegenüberliegenden Randkanten überbrückt. Die Halbleiterschicht 22 ist fast über der gesamten Basisplatte 11 mit einem Gateisolationsfilm 23, beispielsweise aus Siliziumnitrid, abgedeckt. Demzufolge ist der Gate-Isolationsfilm 23 allen Dünnfilmtransistoren 23 gemeinsam. Auf dem Gate-Isolationsfilm 23 ist eine Gate- Elektrode 24 aufgebracht, die die Anzeigeelektrode 15 und den Source-Bus 19 durch die Halbleiterschicht 22 überlappt. Die Gate-Elektrode 24 ist an einem Ende mit dem Gate-Bus 18 verbunden. Die Anzeigeelektrode 15 und der Source-Bus 19, die somit gegenüber der Gate-Elektrode 24 liegen, bilden eine Drain-Elektrode 15a bzw. eine Source-Elektrode 19a. Die Drain- und Source-Elektroden 15a und 19a, die Halbleiterschicht 22, der Gate-Isolationsfilm 23 und die Gate-Elektrode 24 bilden den Dünnfilmtransistor 16. Die Gate- Elektrode 24 und der Gate-Bus 18 werden gleichzeitig beispielsweise aus Aluminium (Al) gebildet. Die Drain- und Source-Elektroden 15a und 19a sind mit ohm'schen Kontaktschichten 25 und 26 abgedeckt, bei welchen es sich beispielsweise um n&spplus;-Typ Schichten handelt.
Die Anzeigeelektroden 15 sind jeweils über den zugehörigen Dünnfilmtransistor 16 mit den Source- und Gate-Bussen 18 und 19 verbunden und wird somit in Abhängigkeit von den EIN- und AUS-Zuständen des Dünnfilmtransistors 16 zwischen den Anzeige- und Nichtanzeige-Zuständen umgeschaltet.
Die Source- und Gate-Busse 19 und 18 können manchmal im Verlauf der Herstellung unterbrochen werden. Wenn eine Bus- Leitung unterbrochen wird, wird kein Ansteuersignal an das isolierte Segment der Leitung angelegt und Bildpunkte, die mit diesem Segment verbunden sind, können nicht angesteuert werden.
Um die voranstehend erwähnte Unzulänglichkeit des Standes der Technik zu umgehen, wurde beispielsweise vorgeschlagen, eine Anzeigestruktur zu verwenden, bei der Ersatz-Busleitungen für Reparaturzwecke an Abschlußenden der Gate- und Source-Busse 18 und 19 vorgesehen sind, wie beispielsweise vom Donald E. Castieberry et al, "A 1 Mega-Pixel Color a-Si TFT Liquid- Crystal Display," SID INTERNATIONAL SYMPOSIUM, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, Vol. XIX, Mai 1988, beschrieben. Wenn gemäß dieser Struktur eine Bus-Leitung offen ist, wird die ettsprechende Ersatz-Busleitung mit dem offenen Endsegment mittels einer Laserverschweißung verbunden, so daß Ansteuersignale an die beiden durch eine Unterbrechung getrennten Leitungssegmente von dem Eingangsanschluß bzw. der Ersatz-Busleitung angelegt werden, wodurch die Ausbeute verbessert wird. Wenn jedoch bei diesem Verfahren eine Busleitung an zwei oder mehreren Stellen offen ist, kann das an beiden Enden offene Leitungssegment nicht repariert werden.
Gemäß der voranstehend beschriebenen herkömmlichen Struktur sind die Ersatz-Busleitungen zur Reparatur der Gate- und Source-Busse 18 und 19 an der Seite ihrer Abschlußenden vorgesehen, das heißt, an der zu ihren Eingangsanschlüssen gegenüberliegenden Seite. Demzufolge besitzt die herkömmliche Struktur Nachteile dahingehend, daß die Bereiche für die Ersatz-Busleitungen, die in keinerlei Zusammenhang mit der Anzeigeoperation stehen, auf der transparenten Basisplatte 11 garantiert werden müssen.
Die EP-A-0 269 123 zeigt eine LCD-Einrichtung, die mit dualen Spaltenverdrahtungsschichten versehen ist, um die Notwendigkeit für eine dicke einzelne Schicht zu umgehen. Die EP-A-0 209 113 zeigt die Bereitstellung einer Mehrschichtstruktur für Datenleitungen in einer LCD- Einrichtung, um eine gewisse Redundanz vorzusehen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Deshalb ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung vorzusehen, die eine Reparatur einer Unterbrechung von Bus-Leitungen ermöglicht, und zwar ohne daß auf der Basisplatte für Reparaturzwecke große Bereiche für Ersatz-Busleitungen vorgesehen werden müssen.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen: eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, bei der eine Vielzahl von parallelen Source-Bussen und eine Vielzahl von dazu senkrechten parallelen Gate-Bussen in einer bzw. einer anderen Ebene auf einer Oberfläche einer transparenten Basisplatte gebildet sind, bei der eine Isolationsschicht an einer Seite jedes Source-Busses gebildet ist, bei der Dünnfilmtransistoren an Schnittpunkten der Source- und Gate- Busse vorgesehen sind, und bei der ein Bereich des Flüssigkristalls, welcher jeder der in einer Matrixanordnung gebildeten Anzeigeelektroden gegenüberliegt, mit einem jeweiligen der Dünnfilmtransistoren verbunden ist, so daß er in Abhängigkeit von dem Zustand des Dünnfilmtransistors geschaltet wird;
wobei sich die Isolationsschicht über im wesentlichen das gesamte Gebiet der einen Oberfläche der transparenten Basisplatte erstreckt; dadurch gekennzeichnet, daß
eine leitende Source-Bus-Reparaturschicht gegenüberliegend zu jedem besagten Source-Bus über die Isolationsschicht gebildet ist und sich entlang jedes besagten Source-Busses wenigstens im wesentlichen zwischen zwei Benachbarten der Gate-Busse erstreckt.
Demzufolge umgeht die vorliegende Erfindung die Notwendigkeit einer Bereitstellung von Ersatz-Busleitungen für Reparaturzwecke auf der transparenten Basisplatte und ermöglicht somit eine Verkleinerung des Bereichs eines Abschnitts, der an der Anzeigeoperation nicht teilnimmt. Abgesehen davon ermöglicht die vorliegende Erfindung auch eine Reparatur einer an zwei oder mehreren Stellen unterbrochenen Busleitung.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung ist vorgesehen: eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, bei der eine Vielzahl von parallelen Source-Bussen und eine Vielzahl von dazu senkrechten parallelen Gate-Bussen in einer bzw. anderen Ebenen auf einer Oberfläche einer transparenten Basisplatte gebildet sind, bei der Dünnfilmtransistoren an Schnittpunkten der Source- und Gate-Busse vorgesehen sind, und bei der ein Bereich des Flüssigkristalls gegenüberliegend jeder der Anzeigeelektroden, die in einer Matrix in der einen Ebene, in der die Source-Busse vorgesehen sind, gebildet sind, mit einem jeweiligen Dünnfilmtransistor verbunden ist, so daß er in Abhängigkeit von dem Zustand des Dünnfilmtransistors geschaltet wird, und bei der eine Isolationsschicht über im wesentlichen die gesamte Basisplatte gebildet ist;
bei der die Isolationsschicht zwischen der transparenten Basisplatte und einer Anordnung der Source-Busse, den Anzeigeelektroden und den Dünnfilmtransistoren gebildet ist;
bei der eine Lichtblockierungs-Metallschicht gegenüberliegend zu den Dünnfilmtransistoren über der Isolationsschicht gebildet ist; und
bei der eine leitende Gate-Bus-Reparaturschicht aus dem gleichen Material wie das der Lichtblockierungs-Metallschicht in gegenüberliegender Anordnung zu jedem der Gate-Busse über die Isolationsschicht gebildet ist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht zur Erläuterung des Standes der Technik;
Fig. 2 eine Teildraufsicht einer herkömmlichen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, zur Erläuterung ihres Aufbaus;
Fig. 3 eine vergrößerte Draufsicht zur Erläuterung des Aufbaus der herkömmlichen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung,
Fig. 4 eine Querschnittsansicht zur Erläuterung des Aufbaus der herkömmlichen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung,
Fig. 5 eine Draufsicht zur Erläuterung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6A und 6B Querschnittsansichten zur Erläuterung des Hauptteils der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 7 bis 10 Querschnittsansichten, die modifizierte Formen der vorliegenden Erfindung darstellen.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Nachstehend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 5, 6A und 6B eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei die Teile, die denjenigen in den Fig. 1 bis 4 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind. Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnete daß leitende Reparaturschichtsegmente 41 auf einer Isolationsschicht 23 aufgebracht werden, die über einer Schicht aus Chrom oder einem ähnlichen wärmebeständigen Metall liegt, welche die Source-Busse 19 bildet.
In dieser Ausführungsform sind die leitenden Reparaturschichtsegmente 41 in der Form von Leitungssegmenten auf den Isolationsschichten 23 aufgebracht und erstrecken sich über jedem Source-Bus 19 in Längsrichtung davon zwischen jeden benachbarten Gate-Bussen, wie in den Fig. 5, 6A und 6B gezeigt. Die Isolationsschicht 23 ist fast über die gesamte obere Oberfläche der transparenten Basisplatte 11 aufgebracht und dient als gemeinsamer Gate-Isolationsfilm für die Dünnfilmtransistoren 16. Die leitenden Reparaturschichtsegmente 41 können beispielsweise aus Alluminium, gleichzeitig mit der Anbringung der Source-Busse 19, gebildet werden. Die leitenden Reparaturschichtsegmente 41 sind entlang jedes Source-Busses 19 gebildet, außer an den stellen, an denen sich die Gate- und Source-Busse 18 und 19 überschneiden- wie in Fig. 5 dargestellt.
Im Falle, daß der Source-Bus 19 unterbrochen wird, wie mit dem Bezugszeichen 44 in Fig. 6A angezeigt, werden mittels einer Laser-Schweißeinrichtung (eine Schweißeinrichtung, die Laserstrahlen verwendet) Laserstrahlen LB auf ein leitendes Reparaturschichtsegment 41 von oben an Positionen (in Fig. 5 mit Kreuzen bezeichnet) auf beide Seiten des unterbrochenen Abschnitts des Laserbusses 19 angewendet, wodurch die Isolationsschicht 23 zerstört wird und demzufolge kann das leitende Reparaturschichtsegment 41 und der Source-Bus 19 durch geschmolzenes Metall miteinander elektrisch verbunden werden, wie mit dem Bezugszeichen 43 in Fig. 6B angezeigt.
Ähnliche leitende Reparatur-Segmente 42 für jeden Gate-Bus 18 können auch aus der gleichen wärmebeständigen Metallschicht, wie diejenige des Source-Busses 19 gebildet werden, und zwar in der gleichen Ebene, wie diejenige des letzteren und in gegenüberliegender Anordnung zu dem Gate-Bus 18 über die Isolationsschicht 23, wie in Fig. 5 gezeigt. In diesem Fall erstreckt sich jedes leitende Reparaturschichtsegment 42 zwischen zwei benachbarten Source-Bussen 19.
Die Fig. 7 bis 9 zeigen modifizierte Formen der vorliegenden Erfindung. Diesen Modifikationen ist gemeinsam, daß die Anzeigeelektroden 15, die Source-Busse 19 und die Dünnfilmtransistoren 16 auf über einer Grundierungsisolationsschicht 47 gebildet werden, die im wesentlichen über den gesamten Oberflächenbereich der transparenten Basisplatte 11 aufgebracht ist, daß ein leitendes Schichtpolster 46, beispielsweise aus Chrom, zwischen der transparenten Basisplatte 11 und der Grundierungsisolationsschicht 47 an einer Position entsprechend jedem Dünnfilmtransistor 16 vorgesehen ist, um zu verhindern, daß er externem Licht direkt ausgesetzt wird und um somit zu verhindern, daß er durch das externe Licht eine Fehlfunktion ausführt, und daß eine transparente leitende Schicht als wenigstens ein Teil jedes Source-Busses 19 verwendet wird. Die Isolationsschicht 23 besteht beispielsweise aus Siliziumnitrid und wird gebildet, indem der Gate-Isolationsfilm des Dünnfilmtransistors 16 wie in der voranstehend beschriebenen Ausführungsform verlängert wird.
In der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform ist eine Metall- Busleitung 49, die aus einer wärmebeständigen Metallschicht, beispielweise Chrom, gebildet ist, so vorgesehen, daß ihr einer Randabschnitt einen Randabschnitt oder die gesamte Oberfläche jedes durch die transparente leitende Schicht gebildeten Source-Busses 19 abdeckt, und die Metall- Busleitung 49 und die transparente leitende Schicht bilden den Source-Bus 19. Wenn die Busleitung 19 unterbrochen wird, werden die Metall-Busleitung 49 und das auf der zweiten Isolationsschicht 23 aufgebrachte leitende Reparaturschichtsegment 41 mittels Schmelzschweißung durch den Laserstrahl LB für eine elektrische Verbindung zur Reparatur der offenen Leitung verbunden. Der Laserstrahl LB kann entweder von der Unterseite der Basisplatte 11 oder von der gegenüberliegenden Richtung angewendet werden. Die leitenden Reparaturschichtsegmente 41 werden unter Verwendung des gleichen Aluminiums, wie das zur Bildung der Gate- Elektroden 24 und der Gate-Busse 18 verwendete, aufgebracht.
ITO (ein Indium-Zinn-Oxid), welches für die den Source-Bus 19 bildende transparente leitende Schicht verwendet wird, enthält mobilen Sauerstoff, der beim Kontakt mit dem Aluminium sofort mit diesem in der Grenzfläche dazwischen kombiniert. Demzufolge wird an deren Grenzfläche eine Schicht aus kombiniertem Aluminium-Sauerstoff gebildet. Wenn ein leitendes Reparaturschichtsegment 41 aus dem Aluminium und der Source-Bus 19 aus dem ITO direkt miteinander verbunden werden, wird die Schicht aus kombiniertem Aluminiumsauerstoff an deren schmelzverschweißtem Abschnitt gebildet und der Widerstandswert dieses Abschnitts steigt allmählich an (wobei sich der widerstandswert bei einer Wärmebehandlung erhöht), mit dem Ergebnis, daß das leitende Reparaturschichtsegment nicht gut arbeitet.
Um dies zu umgehen, wird bei der in Fig. 7 gezeigten Ausführungsform die Metall-Busleitung 49, bei der es sich um eine Schicht aus Chrom, Chromnickel, Molybdän, Tantal, einer Molybdän-Tantal-Legierung oder um eine Schicht aus einem ähnlichen wärmebeständigen Metall handelt, aufgebracht, so daß sie einen Randabschnitt der transparenten leitenden ITO- Schicht, welche jeden Source-Bus 19 bildet, überlappt und die leitenden Reparaturschichtsegmente 41 aus Aluminium werden gegenüberliegend der Metall-Busleitung 49 über der Isolationsschicht 23 in der gleichen Weise wie voranstehend hinsichtlich der Fig. 5 beschrieben aufgebracht. Wenn bei einer derartigen Struktur der Source-Bus 19 unterbrochen wird, kann ein leitendes Reparaturschichtsegment 41 und die Metall-Busleitung 49 mittels Schmelzverschweißung durch den Laserstrahl an zwei Positionen auf beiden Seiten des unterbrochenen Abschnitts verbunden werden. Es wurde von den Erfindern festgestellt, daß der Sauerstoff in dem ITO stabiler ist als in dem Fall, wenn er mit den voranstehend erwähnten wärmebeständigen Metallen kombiniert, und demzufolge ist der Kontaktwiderstand des ITO und eines derartigen wärmebeständigen Metalls niedrig und stabil.
In der Ausführungsform in Fig. 8 werden die leitenden Reparaturschichtleitungen 41 aus dem gleichen Material gebildet, wie das Material der Lichtblockierungs- Metallschichtpolster 46 auf der transparenten Basisplatte 11, so daß sie sich unter jeweilige wärmebeständige Metallbusleitungen 49 erstrecken, die auf der Grundierungsisolationsschicht 47 in Kontakt mit den transparenten leitenden ITO-Schichten, die die Source-Busse 19 bilden, gebildet sind. Die leitende Reparaturschichtleitung 41 und die Metallbusleitung 49 können durch den Laserstrahl LB mittels Schmelzschweißung verbunden werden.
Aus der Fig. 7 als auch aus der Fig. 8 ist ersichtlich, daß die leitenden Reparaturschichtsegmente 42 für die Gate-Busse 18, die in Fig. 5 gezeigt sind, und die Metall-Busleitungen 49 gleichzeitig in der gleichen Ebene aus dem gleichen wärmebeständigen Metall gebildet werden können.
Die Ausführungsform in Fig. 9 besitzt eine Struktur, bei der leitende Reparaturschichtsegmente 41a und eine leitende Reparaturschichtleitung 41b auf der Isolationsschicht 23 und unter der Grundierungs-Isolationsschicht 47 gebildet sind, und zwar in gegenüberliegender Anordnung zu der transparenten leitenden ITO-Schicht, die den Source-Bus 19 bildet. Die leitenden Reparaturschichtleitungen 41b am Boden der Grundierungsisolationsschicht 47, d. h. auf der oberen Oberfläche der transparenten Basisplatte 11, sind aus dem wärmebeständigen Metall gleichzeitig wie die Lichtblockierungs-Metallschichtpolster 46 gebildet. Wenn in der Ausführungsform in Fig. 9 die Isolationsschichten 23 und 47 und die transparente leitende Schicht 19 mit dem Laserstrahl bestrahlt werden, werden sie an der mit dem Laser bestrahlten Position verschmolzen, um dort hindurch ein Loch herzustellen, durch das die leitende Reparaturschicht 41b und dem wärmebeständigen Metall die transparente leitende Schicht 19 kontaktiert und gleichzeitig mit der leitenden Reparaturschicht 41a aus Aluminium verschweißt wird.
Fig. 10 zeigt eine Struktur zur Reparatur einer offenen Leitung des Gate-Busses 18. Ein Bezugszeichen 42 bezeichnet eine leitende Reparaturschicht für den Gate-Bus 18. In diesem Beispiel wird die leitende Reparaturschichtleitung 42 aus dem gleichen wärmebeständigen Metall wie das der leitenden Lichtblockierungs-Schichtpolster 46 gegenüberliegend zu jedem Gate-Buss 18 auf der transparenten Basisplatte 11 aufgebracht. In dieser Ausführungsform ist es auch möglich, eine Struktur zu verwenden, bei der der wärmebeständige Metallbus 49 in Kontakt mit dem Souce-Bus 19 aufgebracht wird und die leitenden Reparaturschichtsegmente 41 für den Source- Bus 19 werden aus Aluminium auf der Isolationsschicht 23 in gegenüberliegender Anordnung zu dem wärmebeständigen Metallbus 49 gebildet, wie in Fig. 7 gezeigt ist.
Wenn irgendeiner der Source- und Gate-Busse 19 und 18 unterbrochen wird, kann wie voranstehend beschrieben gemäß der vorliegenden Erfindung die leitende Reparaturschicht 41 oder 42 mittels einer Laserverschweißung oder dergleichen mit dem Bus auf beiden Seiten des unterbrochenen Abschnitts elektrisch verbunden werden, da die leitenden Reparaturschichten 41 und 42 gegenüberliegend zu den Source- und Gate-Bussen 19 und 18 vorgesehen sind. Wie aus der voranstehenden Beschreibung ersichtlich, umgehen die Strukturen gemäß der vorliegenden Erfindung die Notwendigkeit, auf der transparenten Basisplatte 11 Bereiche für Verdrahtungsstrukturen zur Reparatur einer offenen Leitung vorzusehen, und somit verbessern sie das Verhältnis des effektiven Anzeigebereichs auf der transparenten Basisplatte 11.
Ferner können die leitenden Reparaturschichten 41 und 42 gemäß der vorliegenden Erfindung gleichzeitig mit der Aufbringung der Gate-Busse 18 oder der leitenden Lichtblockierungsschichtpolster 46 aufgebracht werden, da die leitenden Reparaturschichten 41 und 42 unter Verwendung des gleichen Materials wie das der Gate-Busse 18 oder der leitenden Lichtblockierungs-Schichtpolster 46 gebildet werden. Somit können die leitenden Reparaturschichten 41 und 42 ohne Erhöhung der Anzahl von Herstellungsschritten und somit ohne Erhöhung der Herstellungskosten vorgesehen werden. Selbst wenn die gleiche Busleitung außerdem an zwei oder mehreren Stellen unterbrochen ist, können sie gemäß der vorliegenden Erfindung repariert werden. Die vorliegende Erfindung verbessert die Ausbeute und ermöglicht somit eine wesentliche Herabsetzung der Herstellungskosten.
Es ist ersichtlich, daß vielerlei Modifikationen und Veränderungen durchgeführt werden können, ohne von dem Umfang der neuen Konzepte der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims

1. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, bei der eine Vielzahl von parallelen Source-Bussen (19) und eine Vielzahl von dazu senkrechten parallelen Gate-Bussen (18) jeweils in unterschiedlichen Ebenen auf einer Oberfläche einer transparenten Basisplatte (11) gebildet sind, bei der eine Isolationsschicht (23, 47) an jeder Seite jedes Source-Busses gebildet ist, bei der Dünnfilmtransistoren (16) an Schnittpunkten der Source- und Gate-Busse vorgesehen sind, und bei der ein Bereich des Flüssigkristalls gegenüberliegend zu jeder der in einer Matrixanordnung gebildeten Anzeigeelektroden mit einem jeweiligen Dünnfilmtransistor verbunden ist, um so gemäß dem Zustand Dünnfilmtransistors geschaltet zu werden;

wobei sich die Isolationsschicht über im wesentlichen den gesamten Bereich der einen Oberfläche der transparenten Basisplatte erstreckt;

dadurch gekennzeichnet, daß

eine leitende Sorce-Bus-Reparaturschicht (41) gegenüberliegend zu jedem Source-Bus über der Isolationsschicht gebildet ist und sich entlang jedes Source-Busses wenigstens im wesentlichen zwischen zwei benachbarten Gate-Bussen erstreckt.

2. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnete daß die Isolationsschicht zwischen den Source-Bussen in einer Ebene und den Gate- Bussen in der anderen Ebene gebildet ist und einen Gate- Isolationsfilm jedes Dünnfilmtransistors darstellt und sich die leitende Source-Bus-Reparaturschicht an der gleichen Seite erstreckt, wie die Gate-Busse gebildet sind.

3. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Source-Bus gebildet ist durch eine schmale transparente leitende Schicht und eine Metall-Busleitung (4) aus einem wärmebeständigen Metall, welche sich entlang einer Seite der schmalen transparenten leitenden Schicht erstreckt, wobei ihre Randabschnitte miteinander überlappen, und wobei die leitende Sorce-Bus-Reparaturschicht aus dem gleichen metallischen Material wie das der Gate-Busse gebildet ist, und gegenüberliegend der Metall-Busleitung jedes Source-Busses über der Isolationsschicht angeordnet sind.

4. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine leitende Gate- Bus-Reparaturschicht (42) gebildet ist und sich zwischen zwei benachbarten Source-Bussen in gegenüberliegender Beziehung zu jedem der Gate-Busse über die Isolationsschicht erstreckt.

5. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht zwischen den Source-Bussen in der einen Ebene und der transparenten Basisplatte fast über die gesamte eine Oberfläche der transparenten Basisplatte gebildet ist, und eine Lichtblockierungsschicht und jede der leitenden Source-Bus-Reparaturschichten aus dem gleichen wärmebeständigen Material zwischen der Isolationsschicht und der transparenten Basisplatte in gegenüberliegende Beziehung zu jedem der Dünnfilmtransistoren gebildet sind.

6. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnete daß jeder der Source-Busse durch eine schmale transparente leitende Schicht und eine sich entlang einer Seite der schmalen transparenten leitenden Schicht erstreckenden Metall-Busleitung aus einem wärmebeständigen Material gebildet ist, wobei ihre Randabschnitte miteinander überlappen, und die leitende Sorce-Bus-Reparaturschicht gegenüberliegend zu der Metall-Busleitung über der Isolationsschicht gebildet ist und sich entlang der Metall-Busleitung erstreckt.

7. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnete daß eine sich entlang jedes besagten Gate-Busses in gegenüberliegender Beziehung dazu erstreckende leitende Gate-Bus-Reparaturschicht aus dem wärmebeständigen Material in der gleichen Ebene gebildet ist, in der die Metall-Busleitung gebildet ist.

8. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnete daß der Gate-Isolationsfilm der Dünnfilmtransistoren zwischen den Source-Bussen in der einen Ebene und den Gate-Bussen in der anderen Ebene fast über die gesamte eine Oberfläche der transparenten Basisplatte gebildet ist.

9. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, daß der Gate-Isolationsfilm der Dünnfilmtransistoren zwischen den Source-Bussen in der einen Ebene und der Anordnung der Anzeigeelektroden fast über die gesamte eine Oberfläche der transparenten Basisplatte gebildet ist, und die Gate-Busse auf dem Gate-Isolationsfilm gebildet sind.

10. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine andere leitende Source- Bus-Reparaturschicht aus dem gleichen Material wie das der Gate-Busse auf dem Gate-Isolationsfilm in gegenüberliegender Beziehung zu jedem der Source-Busse gebildet ist.

11. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, bei der eine Vielzahl von parallelen Source-Bussen (19) und eine Vielzahl von dazu parallelen Gate-Bussen (18) jeweils in unterschiedlichen Ebenen auf einer Oberfläche einer transparenten Basisplatte (11) gebildet sind, bei der Dünnfilmtransistoren (16) an Schnittpunkten der Source- und Gate-Busse vorgesehen sind, und bei der ein Bereich des Flüssigkristalls jeweils gegenüberliegend zu den Anzeigeelektroden, die in der einen Ebene, in der die Source-Busse vorgesehen sind, in einer Matrix gebildet sind, mit einem jeweiligen Dünnfilmtransistor verbunden ist, um so gemäß dem Zustand des Dünnfilmtransistors geschaltet zu werden,

bei der eine Isolationsschicht (23, 47) über im wesentlichen der gesamten Basisplatte gebildet ist;

dadurch gekennzeichnet, daß

die Isolationsschicht (23, 47) zwischen der transparenten Basisplatte und einer Anordnung der Source-Busse, der Anzeigeelektroden und der Dünnfilmtransistoren im wesentlichen über die Gesamtheit davon gebildet ist;

eine Lichtblockierungs-Metallschicht (46) gegenüberliegend zu jedem der Dünnfilmtransistoren über der Isolationsschicht gebildet ist; und

eine leitende Gate-Bus-Reparaturschicht (42) aus dem gleichen Material wie das der Lichtblockierungs- Metallschicht in gegenüberliegender Beziehung zu jedem der Gate-Busse über der Isolationsschicht gebildet ist.

12. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Gate-Isolationsfilme der Dünnfilmtransistoren in einer Einheit als ein gemeinsamer Gate-Isolationsfilm auf der Anordnung der Anzeigeelektroden und der Source-Busse gebildet sind, um sich fast über die gesamte eine Oberfläche der transparenten Basisplatte zu erstrecken, und die Gate- Busse auf dem gemeinsamen Gate-Isolationsfilm gebildet sind.

13. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Sorce-Bus-Reparaturschichten aus Aluminium gebildet sind.