DE69633775T2

DE69633775T2 - Halbleiterbauteil, Verbindungsmethode und Halbleiterbauteil-Verbinder

Info

Publication number: DE69633775T2
Application number: DE69633775T
Authority: DE
Inventors: Toru Kobe-shi Nishida
Original assignee: Nissin Co Ltd Takarazuka; Nissin Co Ltd
Current assignee: Nissin Co Ltd Takarazuka; Nissin Co Ltd
Priority date: 1996-04-15
Filing date: 1996-07-04
Publication date: 2005-11-03
Anticipated expiration: 2016-07-05
Also published as: EP0802566B1; JPH09283698A; EP0802566A3; JP2987101B2; DE69633775D1; US5777381A; EP0802566A2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektrischen Verbinden von Halb leitervorrichtungen und einer Verbinderanordnung für Halbleitervorrichtungen. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Methode zum Packen von Halbleitervorrichtungen in hoher Dichte.
Durch die Entwicklung von Halbleitervorrichtungen kam es zu sehr starken Zunahmen in der Anzahl von Anschlüssen (oder Stiften) zum äußeren Anschließen. Entsprechend dieser Tendenz gibt es heute Mehrklemmen-Halbleitervorrichtungen der Arten, die als QFP (Quad Flat Package) oder BGA (Ball Grid Array) bekannt sind.
Wie in 1 gezeigt ist, weist eine Packung 201 in der QFP ein darin eingeschlossenes Halbleiterelement 202 und zahlreiche Leitungsanschlüsse 203 auf, die von allen Seiten der Packung 201 zwecks Verbindung mit einem Außenanschluß ausgehen. Die QFP ist auf einer Trägerplatte 204 angebracht, wobei die Leitungsanschlüsse 203 an Verdrahtungsbilder 205 angelötet sind.
Wie in 2 gezeigt ist, weist eine Packung 211 in der BGA ein darin eingeschlossenes Halbleiterelement 212 und zahlreiche Lotkügelchen 213 auf, die zweidimensional auf einer Rückseitenfläche der Packung 211 zwecks Verbindung mit einem Außenanschluß angeordnet sind. Die BGA ist auf einer Trägerplatte 214 angebracht, wobei die Lotkügelchen 213 an Verdrahtungsbilder 215 aufschmelzgelötet sind.
Jedoch weisen sowohl QFP als auch BGA, da jede Packung in horizontaler Anordnung auf der Oberfläche einer Trägerplatte angebracht ist, den Nachteil auf, daß jede Halbleitervorrichtung einen großen Bereich der Platte einnimmt. Ferner sind aus dem gleichen Grund lange Verdrahtungen zwischen benachbarten Halbleitervorrichtungen erforderlich. Oft werden Busleitungen zum Verbinden entsprechender Anschlüsse der Halbleitervorrichtungen miteinander verwendet. In einem solchen Fall ist eine große Anzahl von Drähten erforderlich, die länger als eine Seite jeder Packung sind. Lange Verdrahtungen führen zu deutlichen Einflüssen von Streukapazität und parasitärer Induktivität, die eine Verarbeitung mit hoher Geschwindigkeit behindern.
In EP-A-0 284 820 wird ein Bondmittelstück zum Verbinden zweier einander gegenüberliegender Leiterplatten offenbart. Das Bondmittelstück weist leitfähige Verbindungselemente auf, die durch die Vorder- und die Hinterseite einer plattenartigen Basis verlaufen.
In US 5,382,829 wird eine Halbleitervorrichtung beschrieben, die ein isolierendes Filmsubstrat mit einer Oberfläche, einen auf der Oberfläche angeordneten Hochfrequenz-Halbleiterchip und auf der Oberfläche angeordnete und mit dem Halbleiterchip verbundene Schaltungselemente aufweist. Der Halbleiterchip ist auf ein Filmsubstrat gebondet, das gebogen wird, bevor der Halbleiterchip mit Abstandshaltermaterial abgedeckt wird.
Der Erfindung liegt die Hauptaufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Verbinden von Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die sich zum Packen mit hoher Dichte und zum Verkürzen von Verdrahtungen zwischen den Halbleitervorrichtungen eignen.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, Verbinder zum Verbinden solcher Halbleitervorrichtungen zu schaffen.
Die obige Hauptaufgabe wird gemäß Anspruch 1 und 2 erfüllt.
Halbleitervorrichtungen, die gemäß der Erfindung verbunden sind, werden dreidimensional montiert, indem die Vorrichtungen derart angeordnet werden, daß sich Vorderseitenflächen oder Rückseitenflächen der Packungen, welche die freiliegenden Anschlüsse zwecks äußeren Verbindens bilden, in einander gegenüberliegender Anordnung befinden. Die freiliegenden Anschlüsse in der einander gegenüberliegenden Anordnung von benachbarten Halbleitervorrichtungen werden miteinander verbunden. Wenn mehrere Halbleitervorrichtungen auf einer Trägerplatte angebracht sind, entspricht ein Bereich der Platte, den diese Halbleitervorrichtungen einnehmen, einem Installationsbereich, in dem die dreidimensional montierten Halbleitervorrichtungen mit der Trägerplatte in Kontakt stehen. Dieser von den Halbleitervorrichtungen eingenommene Bereich ist viel kleiner als ein Bereich, den herkömmliche QFP- oder BGA-Vorrichtungen einnehmen, die in horizontaler Anordnung auf einer Trägerplatte angebracht sind. Ferner sind dort, wo die freiliegenden Anschlüsse benachbarter Halbleitervorrichtungen mit einem kleinen Zwischenraum dazwischen einander gegenüberliegen, nur kurze Verdrahtungen zu Verbinden der freiliegenden Anschlüsse miteinander erforderlich. Dadurch wird der Vorteil geschaffen, daß Streukapazität und parasitäre Induktivität, die eine Verarbeitung mit hoher Geschwindigkeit behindern, vermindert werden.
Vorzugsweise umfaßt die Packung Packungsbasen, welche jeweils die einander gegenüberliegenden Seiten derselben bilden, wobei die freiliegenden Anschlüsse zum äußeren Verbinden an Außenseiten der Packungsbasen ausgebildet sind, wobei das Halbleiterelement auf eine Innenseite von mindestens einer der Packungsbasen chipgebondet ist. Durch diese Konstruktion wird die Herstellung der Halbleitervorrichtungen erleichtert, die jeweils auf den einander gegenüberliegenden Seiten der Packung angeordnete freiliegende Anschlüsse aufweisen.
In den Zwischenraum zwischen den Packungsbasen kann ein abdichtendes synthetisches Harz eingefüllt werden, um die Sicherheit der Halbleitervorrichtung zu gewährleisten.
Vorzugsweise sind die Packungsbasen durch eine flexible Leiterplatte, die mehrere Verdrahtungsbilder bildet, elektrisch miteinander verbunden, wobei die Verdrahtungsbilder an ersten Enden derselben mit inneren Anschlüssen, die auf einer Innenseite von der einen der Packungsbasen ausgebildet sind, und an zweiten Enden derselben mit inneren Anschlüssen verbunden sind, die auf einer Innenseite von der anderen der Packungsbasen ausgebildet sind. Durch diese Konstruktion wird die elektrische Verbindung zwischen den beiden Packungsbasen erleichtert.
Mit der Erfindung wird ein Verfahren zum elektrischen Verbinden einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen gemäß Anspruch 1 geschaffen.
Mit dem Verfahren zum Verbinden von Halbleitervorrichtungen gemäß der Erfindung werden die Halbleitervorrichtungen einander gegenüberliegend und in festen Abständen angeordnet, wobei die leitfähigen Verbindungselemente zwischen einem benachbarten Paar der Halbleitervorrichtungen angeordnet sind, um die freiliegenden Anschlüsse einer Halbleitervorrichtung und die freiliegenden Anschlüsse einer anderen Halbleitervorrichtung miteinander zu verbinden. Die auf diese Weise montierten Halbleitervorrichtungen nehmen nur einen sehr kleinen Bereich einer Trägerplatte ein. Dort, wo ein benachbartes Paar von Halbleitervorrichtungen eng aneinander angeordnet ist, können die leitfähigen Verbindungselemente eine minimale Länge zum Verbinden der freiliegenden Anschlüsse der beiden Halbleitervorrichtungen miteinander aufweisen.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung bilden die leitfähigen Verbindungselemente Verbindungsstifte mit einander gegenüberliegenden Enden derselben, um die einander gegenüberliegenden freiliegenden Anschlüsse elastisch in Kontakt zu bringen.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird eine Verbinderanordnung gemäß Anspruch 2 bereitgestellt.
Gemäß der Erfindung ist jeder Verbinder zwischen einem benachbarten Paar von Halbleitervorrichtungen geschaltet. Die Grundplatte weist leitfähige Verbindungselemente in der gleichen Anordnung auf wie die freiliegenden Anschlüsse der Halbleitervorrichtungen auf. Die leitfähigen Verbindungselemente verlaufen durch die Grundplatte, um von den einander gegenüberliegenden Seiten derselben vorzustehen. Die freiliegenden Anschlüsse eines benachbarten Paars von Halbleitervorrichtungen sind durch die leitfähigen Verbindungselemente des Verbinders elektrisch miteinander verbunden.
Die Halbleitervorrichtungen können durch Dazwischenschalten des Verbinders gemäß der Erfindung dazwischen in hoher Dichte montiert werden. Die leitfähigen Verbindungselemente zum elektrischen Verbinden der freiliegenden Anschlüsse von benachbarten Halbleitervorrichtungen können eine minimale Länge aufweisen, um die Einflüsse von Streukapazität und parasitärer Induktivität der Verdrahtungen (Verbindungselemente), die eine Verarbeitung mit hoher Geschwindigkeit behindern, zu minimieren.
Vorzugsweise umfaßt die Grundplatte eine Positionierkonstruktion zum Positionieren der Halbleitervorrichtungen derart, daß die freiliegenden Anschlüsse registergleich mit den leitfähigen Verbindungselementen sind. Durch diese Konstruktion wird eine Positionseinstellung zwischen den freiliegenden Anschlüssen der Halbleitervorrichtungen und den leitfähigen Verbindungselementen des Verbinders erleichtert.
Vorzugsweise umfaßt die Grundplatte äußere Verbindungsanschlüsse, die auf mindestens einer Seite derselben angeordnet sind. Wenn die Halbleitervorrichtungen mit Hilfe der Verbinderanordnung auf einer Trägerplatte angebracht werden, können die äußeren Verbindungsanschlüsse verwendet werden, um die Verbindung mit den Verdrahtungsbildern auf der Trägerplatte zu erleichtern.
Die leitfähigen Verbindungselemente sind axial elastische Verbindungsstifte mit einander gegenüberliegenden Enden derselben, um die freiliegenden Anschlüsse der einander gegenüberliegenden Halbleitervorrichtungen elastisch in Kontakt zu bringen. Gemäß dieser Konstruktion stehen Verbinder und Halbleitervorrichtungen nur in elastischem Kontakt miteinander. Eine Halbleitervorrichtung, die nach dem Anbringen auf einer Trägerplatte nicht funktioniert, läßt sich leicht ersetzen.
Vorzugsweise umfaßt die Verbinderanordnung ferner eine Kopplungskonstruktion zum starren Koppeln der in einer Dickenrichtung derselben angeordneten Grundplatten, wobei die Halbleitervorrichtungen dazwischen geschaltet sind. Durch diese Kopplungskonstruktion wird der elastische Kontakt zwischen den elastischen Verbindungsstiften und den freiliegenden Anschlüssen der Halbleitervorrichtungen sichergestellt. Eine Halbleitervorrichtung läßt sich leicht durch Lösen der Kopplungskonstruktion ersetzen.
Jeder der elastischen Verbindungsstifte umfaßt ein leitfähiges Rohr, das sich an einander gegenüberliegenden Enden desselben öffnet, ein Paar von leitfähigen Kontakten, die in einander gegenüberliegenden Endbereichen des Rohres angeordnet sind, um in Längsrichtung desselben bewegbar zu sein, wobei die Kontakte in dem Rohr gehalten werden und nur Spitzenenden der Kontakte aus den jeweils einander gegenüberliegenden Enden vorstehen können, und ein in dem Rohr angebrachtes Vorspannelement zum Vorspannen der Kontakte in Richtungen, um die Spitzenenden aus den einander gegenüberliegenden Enden vorstehen zu lassen.
Die leitfähigen Verbindungselemente können Verbindungsstifte in Form von Metallstäben sein, deren einander gegenüberliegende Enden durch ein Verbindungsmaterial mit den freiliegenden Anschlüssen der einander gegenüberliegenden Halbleitervorrichtungen verbunden sind. Ein solcher Verbinder weist eine vereinfachte Konstruktion auf und stellt dennoch die elektrische Verbindung zwischen Halbleitervorrichtung und Verbinder sicher.
Vorzugsweise sind an den Verbindungsstiften in Form von Metallstäben an den einander gegenüberliegenden Enden derselben Lotkügelchen ausgebildet. Diese Lotkügelchen können leicht durch Galvanisieren ausgebildet werden. Dabei besteht eine kleinere Gefahr, daß nachteilig auf die Halbleitervorrichtungen eingewirkt wird, als dort, wo Lotkügelchen durch Galvanisieren an den freiliegenden Anschlüssen der Halbleitervorrichtungen ausgebildet werden.
Die leitfähigen Verbindungselemente können Durchgangslochgalvanisierungen sein, die durch Eingalvaniseren eines Metalls in Bohrungen der Grundplatte ausgebildet werden. In diesem Fall sind die Enden der einander gegenüberliegenden Durchgangslochgalvanisierungen durch ein Verbindungsmaterial mit den freiliegenden Anschlüssen der einander gegenüberliegenden Halbleitervorrichtungen verbunden.
In der folgenden Beschreibung sind nur "Ausführungsformen", die sich auf Verbinder beziehen, tatsächliche Ausführungsformen der Erfindung.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Zum Zwecke der Darstellung der Erfindung sind in den Zeichnungen mehrere Formen dargestellt, die zur Zeit bevorzugt werden, wobei es sich jedoch versteht, daß die Erfindung nicht auf die genauen Anordnungen und Geräteausstattungen, die gezeigt sind, beschränkt ist.
1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel für herkömmliche Halbleitervorrichtungen zeigt;
2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein anderes Beispiel für herkömmliche Halbleitervorrichtungen zeigt;
3 ist eine perspektivische Ansicht, die ein äußeres Erscheinungsbild einer die Erfindung verkörpernden Halbleitervorrichtung zeigt;
4 ist eine Schnittansicht der die Erfindung verkörpernden Halbleitervorrichtung;
5 ist eine perspektivische Ansicht von mit der Halbleitervorrichtung verwendeten Packungsbasen;
6 ist eine Draufsicht, die ein an einer der Packungsbasen befestigtes Halbleiterelement zeigt;
7 ist eine Draufsicht, die an beiden der Packungsbasen befestigte Halbleiterelemente zeigt;
8 ist eine Draufsicht auf die drahtgebondeten Halbleiterelemente;
9 ist eine Draufsicht auf die mit einem Harz vergossenen Halbleiterelemente;
10A und 10B sind Schnittansichten, die einen Vorgang des Einfüllens des Harzes in einen Zwischenraum zwischen den Packungsbasen zeigen;
11 ist eine perspektivische Ansicht eines in dem Harzeinfüllvorgang verwendeten Rahmens;
12 ist eine perspektivische Ansicht von die Erfindung verkörpernden Verbindern;
13 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Weise zeigt, in der Halbleitervorrichtungen mit den Verbindern zusammengefügt werden;
14 ist eine fragmentarische Schnittansicht, die eine Verbinderkopplungskonstruktion zeigt;
15 ist eine fragmentarische Schnittansicht der Verbinder in gekoppeltem Zustand;
16 ist eine teilweise im Schnitt ausgeführte Vorderansicht der mit Hilfe der Verbinder auf einer Trägerplatte angebrachten Halbleitervorrichtungen;
17 ist eine Vorderansicht eines Verbindungsstiftes;
18 ist eine Schnittansicht des in 17 gezeigten Verbindungsstiftes;
19 ist eine Schnittansicht, die eine Konstruktion zum Anbringen eines Verbindungsstiftes zeigt;
20A bis 20C sind Schnittansichten, die verschiedene Formen eines Endes eines Verbindungsstiftes zeigen;
21 ist eine Schnittansicht eines Verbindungsstiftes eines Endverbinders;
22 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Verbindung zwischen einem Verbindungsstift und einem äußeren Verbindungsanschluß zeigt;
23 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Verbindung zwischen einem Verbindungsstift eines Endverbinders und einem äußeren Verbindungsanschluß zeigt;
24 ist eine fragmentarische Schnittansicht, die eine modifizierte Verbinderkopplungskonstruktion zeigt;
25 ist eine fragmentarische Schnittansicht der Verbinder gemäß 24 in gekoppeltem Zustand;
26 ist eine Schnittansicht eines anderen Beispiels für Verbindungsstifte;
27 ist eine Schnittansicht, die eine modifizierte Konstruktion zum Anbringen eines Verbindungsstiftes zeigt;
28 ist eine Schnittansicht eines modifizierten Verbinders;
29 ist eine Schnittansicht des Verbinders gemäß 28, der mit Halbleitervorrichtungen verbunden ist;
30 ist eine Schnittansicht eines weiteren modifizierten Verbinders; und
31 ist eine Schnittansicht des Verbinders gemäß 30, der mit Halbleitervorrichtungen verbunden ist.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im folgenden werden Halbleitervorrichtungen, ein Verfahren zum Verbinden der Halbleitervorrichtungen und Verbinder für Halbleitervorrichtungen bei bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung ausführlich an Hand der Zeichnungen beschrieben.
Zuerst wird eine Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung beschrieben.
3 ist eine perspektivische Ansicht, die ein äußeres Erscheinungsbild einer die Erfindung verkörpernden Halbleitervorrichtung zeigt.
4 ist eine Schnittansicht der in 3 gezeigten Halbleitervorrichtung.
In 3 und 4 weist eine Halbleitervorrichtung 10 gemäß der Erfindung eine rechteckige Packung 11 auf Die Packung 11 ist auf einer Seite etwa 10 bis 50 mm lang und etwa 2 bis 8 mm dick. Die Packung 11 ist nicht auf die rechteckige Form beschränkt, sondern kann beispielsweise auch scheibenförmig sein. Die Packung 11 umschließt mindestens ein Halbleiterelement. Bei dieser Ausführungsform sind zwei Halbleiterelemente 12a und 12b darin eingeschlossen. Die Packung 11 enthält eine Mehrzahl von freiliegenden Anschlüssen 13 zwecks Verbindung mit einem äußeren Anschluß, der zweidimensional auf einer Vorderseitenfläche 11a und einer Rückseitenfläche 11b derselben angeordnet ist. Die freiliegenden Anschlüsse 13 sind etwa 0,3 bis 1,2 mm im Durchmesser und sind in Abständen von etwa 0,5 bis 1,5 mm angeordnet. Die Halbleiterelemente 12a und 12b und die freiliegenden Anschlüsse 13 auf einander gegenüberliegenden Seiten 11a und 11b der Packung 11 sind durch innere Verdrahtungen, beispielsweise feinen Metalleitungen 14 und mehrschichtigen Verdrahtungsbildern 15, miteinander verbunden.
Die Halbleitervorrichtung 10 bei dieser Ausführungsform umfaßt Packungsbasen 16a und 16b, welche die einander gegenüberliegenden Flächen 11a und 11b der Packung 11 bilden. Die Packungsbasen 16a und 16b sind aus Keramik, einem Epoxidharz oder dergleichen ausgebildet. Die freiliegenden Anschlüsse 13 sind auf Außenseiten der Packungsbasen 16a und 16b (d. h. auf den einander gegenüberliegenden Flächen 11a und 11b der Packung 11) ausgebildet. Die Halbleiterelemente 12a und 12b sind mit einem leitfähigen Epoxidharz oder dergleichen jeweils an die Innenseiten der Packungsbasen 16a und 16b chipgebondet. Die Packungsbasen 16a und 16b sind in der Packung 11 durch eine flexible Leiterplatte 17 miteinander geschaltet. Ein Zwischenraum zwischen den Packungsbasen 16a und 16b ist beispielsweise mit einem isolierenden Epoxidharz 18 gefüllt.
Als nächstes wird ein Vorgang zur Herstellung der in 3 und 4 gezeigten Halbleitervorrichtung 10 beschrieben.
Wie in 5 gezeigt ist, werden Packungsbasen 16a und 16b hergestellt, die Durchgangslöcher und mehrschichtige Verdrahtungen bilden. Die freiliegenden Anschlüsse 13 sind bereits auf den Außenseiten (Rückseitenflächen in 5) der Packungsbasen 16a und 16b ausgebildet. Die Packungsbasen 16a und 16b bilden jeweils Chipkontaktstellen 19 in der Mitte der Innenseiten derselben zum Chipbonden der Halbleiterelemente 12a und 12b. Um jede Chipkontaktstelle 19 herum sind Enden einer Mehrzahl von Verdrahtungsbildern 15 angeordnet. Die anderen Enden der Verdrahtungsbilder 15 sind durch die mehrschichtigen Verdrahtungen und die in den Packungsbasen 16a und 16b ausgebildeten Durchgangslöcher mit den freiliegenden Anschlüssen 13 verbunden. Ein Teil der anderen Enden ist mit inneren Verbindungsanschlüssen 20 verbunden, die auf der Innenseite angrenzend an eine Seite jeder Packungsbasis 16a oder 16b ausgebildet sind. Die Verdrahtungbilder 17a bildende flexible Leiterplatte 17 erstreckt sich zwischen den inneren Verbindungsanschlüssen 20 der beiden Packungsbasen 16a und 16b.
Die Packungsbasis 16b enthält Stifte 21, die an den vier Ecken der Innenseite derselben aufgerichtet sind. Jeder Stift 21 weist an einem freien Ende desselben einen Vorsprung 21a auf. Dagegen bildet die Packungsbasis 16a Löcher 22 an den vier Ecken der Innenseite zum engen Zusammenpassen mit den Vorsprüngen 21a.
Anschließend wird in der in 6 gezeigten Weise das Halbleiterelement 12 mit einem leitfähigen Epoxidharz auf die Chipkontaktstelle 19 der Packungsbasis 16b chipgebondet. Weiterhin ist in der in 7 gezeigten Weise das Halbleiterelement 12 ebenfalls auf die Chipkontaktstelle 19 der Packungsbasis 16b chipgebondet.
Als nächstes werden in der in 8 gezeigten Weise feine Metalleitungen 14 zum Drahtbonden zwischen den Enden der Verdrahtungsmuster 15 und den Bondinseln des Halbleiterelementes 12 auf der Packungsbasis 16b ausgebildet. Das Halbleiterelement 12 auf der Packungsbasis 16b ist in ähnlicher Weise chipgebondet. Danach werden in der in 9 gezeigten Weise durch Vergießen eines isolierenden Epoxidharzes oder dergleichen auf den Halbleiterelementen 12a und 12b und den feinen Metalleitungen 14 Schutzfilme 23 ausgebildet.
Nach dem Ausbilden der Schutzfilme 23 werden in der in 10A gezeigten Weise die beiden Packungsbasen 16a und 16b derart zusammengefügt, daß sie sich parallel zueinander und durch die Stifte 21 in vertikalem Abstand gehalten erstrecken, wobei die Löcher 22 an den vier Ecken der Packungsbasis 16b auf die Vorsprünge 21a der Stifte 21 auf der Packungsbasen 16a gepaßt werden. Die Anordnung wird zwecks Verwendung beim Einspritzen des Harzes in einen quadratischen Rahmen 24 eingelegt. Der Rahmen 24 ist in der in 11 gezeigten Weise vertikal offen und weist eine Tragschulter 24a auf, die um eine untere Innenseite desselben herum ausgebildet ist. Eine Seite des Rahmens 24 ist perforiert, um einen Harzeinlaß 24b zu bilden. Die beiden Packungsbasen 16a und 16b werden in den Rahmen 24 eingelegt, wobei die Packungsbasis 16b an den Umfängen derselben von der Tragschulter 24a abgestützt wird. Der Raum zwischen den Packungsbasen 16a und 16b wird in der in 10b gezeigten Weise mit dem durch den Harzeinlaß 24b eingebrachten isolierenden Epoxidharz 18 gefüllt. Zuletzt wird die Packung 11 aus dem Rahmen 24 genommen, um die in 3 gezeigte Halbleitervorrichtung 10 zu erhalten.
Als nächstes werden das Verfahren zum elektrischen Verbinden von Halbleitervorrichtungen nach der Darstellung in 3 und die darin verwendeten Verbinder beschrieben.
12 ist eine perspektivische Ansicht der die Erfindung verkörpernden Verbinder. 13 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, welche die Verwendung der Verbinder zeigt. 14 und 15 sind fragmentarische Schnittansichten, die eine Verbinderkopplungskonstruktion zeigen. 16 ist eine teilweise im Schnitt ausgeführte Vorderansicht der auf einer Trägerplatte angebrachten Halbleitervorrichtungen.
Wie in 12 gezeigt ist, umfaßt jeder Verbinder 30 eine rechteckige Grundplatte 31 und eine Mehrzahl von Verbindungsstiften 32, die sich durch die Grundplatte 31 erstrecken, um von einander gegenüberliegenden Seiten derselben vorzustehen. Die Grundplatte 31 ist aus einem isolierenden synthetischen Harz ausgebildet. Von Gesichtspunkt der verstärkten Wärmestrahlung des Verbinders 30 kann die Grundplatte 31 aus Aluminium ausgebildet und mit einem isolierenden Film bedeckt sein. Die Verbindungsstifte 32 sind axial von dieser elastisch. Einzelheiten zu den Verbindungsstiften 32 werden später beschrieben. Die Verbindungsstifte 32 sind zweidimensional mit den Abständen angeordnet, die denjenigen der freiliegenden Anschlüsse 13 der Halbleitervorrichtung 10 entsprechen. Wenn die Halbleitervorrichtung 10 zwischen zwei Verbindern 30 eingefügt wird, drücken die Verbindungsstifte 32 der jeweiligen Verbinder 30 auf die freiliegenden Anschlüsse 13 auf den einander gegenüberliegenden Seiten der Halbleitervorrichtung 10. Diese Verbindungsstifte 32 entsprechen den leitfähigen Verbindungselementen gemäß der Erfindung.
Wie in 13 gezeigt ist, können diese Verbinder 30 zwischen eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 10 geschaltet sein, um eine Packung hoher Dichte von Halbleitervorrichtungen 10 (in 13 vier Vorrichtungen) zu schaffen. Die Verbindungsstifte 32 stehen von den einander gegenüberliegenden Seiten von jedem in 13 gezeigten drei Zwischenverbinder 30 vor, da jeder von Halbleitervorrichtungen 10 flankiert ist. Dagegen weist jeder Endverbinder 33 Verbindungsstifte 32 auf, die nur von einer Innenseite derselben vorstehen, da nur die Innenseite einer der Halbleitervorrichtungen 10 gegenüberliegt. Natürlich können die Verbinder 30 mit den von den einander gegenüberliegenden Seiten derselben vorstehenden Verbindungsstifte 32 auch an den Enden verwendet werden.
Von einer Unterseite der Grundplatte 31 jedes Verbinders 30 oder 33 steht eine Mehrzahl von Anschlüssen 35 zum äußeren Verbinden vor. Diese Anschlüsse 35 sind elektrisch mit Verdrahtungsbildern verbunden, die auf einer Trägerplatte ausgebildet sind, wenn eine Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 10 mit Hilfe der Verbinder 30 und 33 auf der Trägerplatte angebracht ist. Die Anschlüsse 35 sind elektrisch mit geeigneten Verbindungsstiften 32 verbunden. Eine spezielle Konstruktion der Anschlüsse 35 wird später beschrieben.
Die Grundplatte 31 jedes Verbinders 30 weist eine Positionierungskonstruktion auf, um die Halbleitervorrichtungen 10 derart zu positionieren, daß die freiliegenden Anschlüsse 13 der Halbleitervorrichtungen 10 mit den Verbindungsstiften 32 des Verbinders 30 registergleich sind. Insbesondere weist die Positionierungskonstruktion die Form von quadratischen Blöcken 36 auf, die an den vier Ecken der Grundplatte 31 ausgebildet sind, wobei in einer inneren Ecke jedes Blocks 36 ein gestufter Ausschnitt 37 ausgebildet ist. Die Ecken jeder Halbleitervorrichtung 10 sind in die Ausschnitte 37 eingepaßt, um die freiliegenden Anschlüsse 13 mit den Verbindungsstiften 32 registergleich einzusetzen. Ähnliche Ausschnitte 37 sind auch in jedem Endverbinder 33 ausgebildet.
Die Grundplatte 31 jedes Verbinders 30 weist eine Kopplungskonstruktion auf, um eine Mehrzahl von Verbindern 30 in der Richtung ihrer Dicke starr zu koppeln, wobei die Halbleitervorrichtungen 10 dazwischen eingefügt sind. Insbesondere besitzt jeder der vier quadratischen Blöcke 36 in der in 14 gezeigten Weise einen Vorsprung 38, der an einer Seite desselben ausgebildet ist, und eine Ausnehmung 39, die an der gegenüberliegenden Seite ausgebildet ist, zum Aufnehmen des Vorsprungs 38 eines benachbarten Verbinders 30. Durch den Vorsprung 38 und die Ausnehmung 39 erstreckt sich eine Bohrung 40. Ähnliche Vorsprünge 38, Ausnehmungen 39 und Bohrungen 40 sind auch an jedem Endverbinder 33 ausgebildet.
Wie in 15 gezeigt ist, ist eine Mehrzahl von Verbindern 30 und 33 mit den dazwischen eingefügten Halbleitervorrichtungen 10 gekoppelt, indem die Vorsprünge 38 eines Verbinders in die Ausnehmungen 39 eines gegenüberliegenden von den Verbindern 30 eingepaßt sind. Nachdem die Verbinder 30 und 33 in der in 13 gezeigten Weise gekoppelt sind, werden Schrauben 41 durch die vier Bohrungen 40 jedes Verbinders 30 und 33 gesteckt, und darauf werden Muttern 42 geschraubt, um die Verbinder 30 und 33 miteinander festzuziehen. Bei dem in 13 gezeigten Beispiel sind vier Halbleitervorrichtungen 10 verbunden. Die Anzahl der Halbleitervorrichtungen 10 kann natürlich variiert werden.
Die Verbinder 30 und 33, die zwecks Bildung einer dreidimensionalen Einheit mit einer Mehrzahl von dazwischen eingefügten Halbleitervorrichtungen 10 zusammengefügt sind, werden in der in 16 gezeigten Weise auf einer Trägerplatte 43 angebracht. Insbesondere sind die integrierten Verbinder 30 und 33 mit Hilfe von L-förmigen Metallteilen 44 und Schrauben 45 auf der Trägerplatte 43 befestigt, wobei die äußeren Verbindungsanschlüsse 35 an Verdrahtungsbilder auf der Trägerplatte 43 angelötet sind. Natürlich ist diese Weise des Befestigens auf der Trägerplatte 43 nicht einschränkend. Beispielsweise können die integrierten Verbinder 30 und 33 auf der Trägerplatte 43 übereinander gestapelt werden.
Als nächstes werden die zweidimensional an jedem Verbinder 30 angeordneten Verbindungsstifte 32 an Hand der 17 bis 20 beschrieben.
Wie in 17 und 18 gezeigt ist, besitzt jeder Verbindungsstift 32 ein leitfähiges Rohr 46, das sich an einander gegenüberliegenden Enden öffnet, und in dem Rohr 46 angebrachte leitfähige Kontakte 47, um in Längsrichtung desselben bewegbar zu sein. Das Rohr 46 enthält eine Spiralfeder 48 zum Vorspannen der Kontakte 47 nach außen. Unter der Vorspannkraft der Feder 48 stehen distale Enden der jeweiligen Kontakte 47 aus den Endöffnungen des Rohres 46 vor. Die Kontakte 47 weisen proximale Enden großen Durchmessers auf, damit die Kontakte 47 nicht von dem Rohr 46 fallen können. Diese Kontakte 47 jedes Verbindungsstiftes 32 sind durch das leitfähige Rohr 46 und die Schraubenfeder 48 elektrisch miteinander verbunden.
Das Rohr 46 jedes Verbindungsstiftes 32 ist etwa 3 bis 5 mm lang und etwa 0,6 bis 0,7 mm im Außendurchmesser. Jeder Kontakt 47 ist etwa 0,2 bis 0,3 mm im Durchmesser. Die Länge des distalen Endes jedes aus der Öffnung des Rohres 46 vorstehenden Kontakts 47, d. h. ein Bewegungs-(oder Hubbereich) jedes Kontaktes 47, beträgt etwa 0,6 bis 0,8 mm. Innerhalb dieses verhältnismäßig großen Bewegungsbereichs können die Kontakte 47 sicher in Kontakt mit den an den Halbleitervorrichtungen 10 ausgebildeten freiliegenden Anschlüssen 13 gepreßt werden, selbst wenn Veränderungen in der Höhe der freiliegenden Anschlüsse 13 eintreten sollten.
Wie in 20A gezeigt ist, bildet jeder Kontakt 47 eine mittig eingelassene Endfläche 47a. Diese Form ist so gewählt, um einen Druck des elastischen Kontakts zwischen der Endfläche 47a des Kontaktes 47 und einem der an der Halbleitervorrichtung 10 gebildeten freiliegenden Anschlüsse 13 zu erhöhen, um eine elektrische Verbindung dazwischen zu gewährleisten. Andere erwünschte Formen der Endfläche 47a jedes Kontaktes 47 sind kugelig, wie in 20B gezeigt ist, und gezackt, wie in 20C gezeigt ist.
19 zeigt eine Konstruktion zum Anbringen jedes Verbindungsstiftes 32 in der Grundplatte 31 des Verbinders 30.
Wie in 19 zu sehen ist, wird die Grundplatte 31 von zwei miteinander verbundenen Plattenelementen 31a und 31b gebildet. Vor dem Verbinden der Plattenelemente 31a und 31b werden Bohrungen darin zum Aufnehmen der Verbindungsstifte 32 ausgebildet. Die Bohrungen sind an Öffnungen derselben in einander gegenüberliegenden, einander entsprechenden Flächen der beiden Plattenelemente 31a und 31b etwas vergrößert, um gestufte Konstruktionen zum Zusammenpassen mit einem Flansch 46a zu bilden, der an dem Rohr 46 jedes Verbindungsstiftes 32 ausgebildet ist. Ein Ende jedes Verbindungsstiftes 32 ist in eine der Bohrungen eines Plattenelementes 31a eingeführt, und dann wird das andere Plattenelement 31b darauf gesetzt, wobei das andere Ende des Verbindungsstiftes 32 in eine der Bohrungen desselben ragt. Auf die einander entsprechenden Flächen der Plattenelemente 31a und 31b wird ein geeigneter Klebstoff aufgetragen, um die integrierte Grundplatte 31 zu erhalten, wobei die Verbindungsstifte 32 durch die Plattenelemente 31a und 31b an Ort und Stelle befestigt werden.
21 zeigt einen Verbindungsstift 34 jedes Endverbinders 33.
Solche Verbindungsstifte 34 sind an nur einer Fläche jedes Endverbinders 33 befestigt. Mithin weist jeder Verbindungsstift 34 nur an einem Ende desselben ein mit Boden versehenes Rohr 49 und einen axial darin bewegbar angebrachten Kontakt 50 auf. Das Rohr 49 enthält eine Schraubenfeder 51 zum Vorspannen des Kontaktes 50, so daß ein distales Ende des Kontaktes 50 aus der Öffnung des Rohres 49 vorsteht So wie der in 19 gezeigte Verbindungsstift 32 ist auch der Verbindungsstift 34 an der aus den beiden miteinander verbundenen Plattenelementen gebildeten Grundplatte 31 gesichert. Im Falle jedes Endverbinders 33 jedoch sind Bohrungen nur in dem inneren Plattenelement ausgebildet, um die Verbindungsstifte 34 aufzunehmen.
An Hand von 22 und 23 werden Verbindungskonstruktionen zwischen den Anschlüssen 35 zum äußeren Verbinden und den Verbindungsstiften 32 und 34 beschrieben.
Bei dem Verbinder 30 werden in der in 22 gezeigten Weise die Anschlüsse 35 zum äußeren Verbinden beispielsweise durch Anschweißen vorher mit den Rohren 46 der Verbindungsstifte 33 verbunden, die eine unterste Aufreihung in der Grundplatte 31 bilden sollen. Diese integrierten Verbindungsstifte 32 und Anschlüsse 35 werden auf der Grundplatte 31 zusammengefügt. In ähnlicher Weise werden bei dem Endverbinder 33 in der in 23 gezeigten Weise die Anschlüsse 35 zum äußeren Verbinden vorher mit den Rohren 49 der Verbindungsstifte 34 verbunden, die eine unterste Aufreihung in der Grundplatte 31 bilden sollen. Diese integrierten Verbindungsstifte 34 und Anschlüsse 35 werden auf der Grundplatte 31 zusammengefügt.
Die Verbindungskonstruktionen zwischen den Anschlüssen 35 zum äußeren Verbinden und den Verbindungsstiften 32 und 34 sind nicht auf das obige Beispiel beschränkt. Bei einem anderen Beispiel wird in die Bohrung von mindestens einem der in der an Hand von 19 beschriebenen Weise die Grundplatte 31 bildenden Plattenelemente 31a und 31b eine Durchgangslochgalvanisierung eingebracht. Auf der entsprechenden Fläche des Plattenelementes 31a oder 31b werden Leiterplattenbilder ausgebildet. Das eine Ende jedes Leiterplattenbildes ist mit der Durchgangslochgalvanisierung verbunden, wobei das andere Ende des Leiterplattenbildes zu dem Anschluß 35 hin verläuft. Das andere Ende ist beispielsweise durch Anlöten mit einem der Anschlüsse 35 verbunden. Mit dieser Konstruktion können die Verbindungsstifte 32 und 34 unabhängig von ihren Positionen in der zweidimensionalen Anordnung elektrisch mit den Anschlüssen 35 zum äußeren Verbinden verbunden werden.
Durch Verwendung der obigen Verbinder 30 und 33 beim Verbinden einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 10 werden die freiliegenden Anschlüsse 13 eines benachbarten Paars von Halbleitervorrichtungen 10 durch die Verbindungsstifte 32 oder 34 miteinander verbunden. Diese Verbindungsstifte 32 und 34 sind äußerst kurz (etwa 4 bis 6 mm), um Streukapazität und parasitäre Induktivität zu minimieren. Eine Packung hoher Dichte wird leicht von einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen 10 realisiert, die einander gegenüberliegend angeordnet sind. Die Verbinder 30 und 33 sind trennbar, indem einfach die in 13 und 16 gezeigten Kopplungsschrauben 41 entfernt werden. Mithin kann, wenn eine der Halbleitervorrichtungen 10 ausfallen sollte, die schadhafte Vorrichtung 10 ersetzt und leicht neu gepackt werden.
Die Erfindung ist nicht auf die vorstehenden Ausführungsformen beschränkt, sondern kann folgendermaßen modifiziert werden:

(1) Bei der vorstehenden Ausführungsform werden Schrauben und Muttern zum Koppeln einer Mehrzahl von Verbindern 30 und 33 miteinander verwendet. Statt dessen kann eine Kopplungskonstruktion verwendet werden, wie sie in 24 gezeigt ist. Bei diesem Beispiel weist jeder Verbinder 30 auf einer Seite jedes Eckblocks 36 einen Vorsprung 52 auf. Die andere Seite jedes Eckblocks 36 bildet ein Loch 53, in dem eine Blattfeder 54 in rohrartiger Form untergebracht ist. Wenn der Vorsprung 52 eines Verbinders 30 in der in 25 gezeigten Weise in das Loch 53 eines anderen Verbinders 30 eingeführt wird, paßt eine Nut 52a des Vorsprungs 52 mit einer Rippe 54a der Blattfeder 54 zusammen, wodurch die beiden Verbinder 30 gekoppelt werden.
(2) Bei der vorstehenden Ausführungsform weist jeder Verbindungsstift 32 ein Paar von Kontakten 47 auf, die von einer Spiralfeder 48 vorgespannt werden, die in dem Rohr 46 angebracht ist. Statt dessen können die Kontakte 47 in der in 26 gezeigten Weise von einer Blattfeder 55 vorgespannt werden.
(3) Wie in 27 gezeigt ist, können die Plattenelemente 31a und 31b der Grundplatte 31 gestufte Öffnungen 56 aufweisen, die in den einander entsprechenden Flächen derselben ausgebildet sind, um etwas länger als der Flansch 46a des Verbindungsstiftes 32 zu sein, wodurch der gesamte Verbindungsstift 32 in Axialrichtung verschiebbar ist. Mit dieser Konstruktion sind die Verbindungsstifte 32, die mit den freiliegenden Anschlüssen 13 der Halbleitervorrichtungen 10 in Kontakt kommen, in Axialrichtung verschiebbar, um großen Veränderungen, wenn überhaupt, in der Höhe der freiliegenden Anschlüssen 13 zu folgen, die den Hub der Kontakte 47 übersteigen. Folglich berühren die freiliegenden Anschlüsse 13 und die Verbindungsstifte 32 einander mit erhöhter Sicherheit.
(4) Die vorstehende Ausführungsform wurde als axial elastische Verbindungsstifte 32 und 34 aufweisend beschrieben, die als leitfähige, zweidimensional auf der Grundplatte der Verbinder angeordnete Verbindungselemente wirken. Jedoch sind die leitfähigen Verbindungselemente nicht auf solche Stifte beschränkt. 28 zeigt ein anderes Beispiel. Ein Verbinder 60 in diesem Beispiel umfaßt eine Grundplatte 61 mit einer zweidimensionalen Anordnung von Verbindungsstiften 62 in Form von stabförmigen Metallelementen. Jeder Verbindungsstift 62 weist Lotkügelchen 63 auf, die an einander gegenüberliegenden Enden desselben ausgebildet sind. Die Lotkügelchen können leicht durch Galvanisieren ausgebildet werden, das nach Ausbildung eines isolierenden Films mit Ausnahme der einander gegenüberliegenden Enden auf einem Schaftabschnitt des Verbindungsstiftes 62 erfolgt. Die anderen Ausgestaltungen als die der Verbindungsstifte 62 sind die gleichen wie bei den weiter oben beschriebenen Verbindern 30 und 33. Die Verbinder 60 sind mit den Halbleitervorrichtungen 10 durch ein als Aufschmelzlöten bekanntes Verfahren verbunden. Das heißt, wie in 29 gezeigt ist, daß die Verbindungsstifte 62 jedes in Kontakt mit den freiliegenden Anschlüssen 13 der Halbleitervorrichtungen 10 gebrachten Verbinders 60 aufgeheizt werden, wodurch die Lotkügelchen 63 geschmolzen werden, um die freiliegenden Anschlüsse 13 und die Verbindungsstifte 62 zu verbinden. Die Verbinder 60 in diesem Beispiel weisen eine verhältnismäßig einfache Konstruktion auf und können kostengünstig hergestellt werden. Die mit Lot verbundenen freiliegenden Anschlüsse 13 und die Verbindungsstifte 62 weisen eine sichere elektrische Verbindung dazwischen auf.
(5) 30 zeigt ein weiteres Beispiel für leitfähige Verbindungselemente. Jeder Verbinder 70 in diesem Beispiel umfaßt eine Grundplatte 71 mit einer zweidimensionalen Anordnung von Durchgangslochgalvanisierungen 72. An jeder Durchgangslochgalvanisierung 72 sind durch Galvanisieren Lötstellen 73 ausgebildet. So wie der in 28 gezeigte Verbinder 60 ist auch dieser Verbinder 70 durch ein Aufschmelzlötverfahren mit den Halbleitervorrichtungen 10 verbunden. 31 zeigt einen verbundenen Zustand. Die Verbinder 70 in diesem Beispiel können ebenfalls kostengünstig hergestellt werden, und die freiliegenden Anschlüsse 13 und die Verbindungsstifte 62 sind mit Sicherheit elektrisch verbunden.

Die vorliegende Erfindung kann sich auch in anderen speziellen Formen verkörpern, ohne von den wesentlichen Attributen derselben abzuweichen, und demgemäß ist auf die beigefügten Ansprüche und nicht auf die vorstehende Beschreibung als Anzeige für den Umfang der Erfindung zu verweisen.

Claims

Verfahren zum elektrischen Verbinden einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen (10), jeweils mit mindestens einem in einer Packung (11) eingeschlossenen Halbleiterelement (12a, 12b), einer zweidimensional auf jeder von einander gegenüberliegenden Seiten (11a, 11b) der Packung angeordneten Mehrzahl von freiliegenden Anschlüssen (13) zum äußeren Anschließen, und einer inneren Verdrahtung (14, 15) zum Verbinden des Halbleiterelementes und der freiliegenden Anschlüsse miteinander zum äußeren Verbinden auf den einander gegenüberliegenden Seiten der Packung, wobei das Verfahren folgendes umfaßt: das Anordnen der Halbleitervorrichtungen (10) mit festen Abständen zu den freiliegenden Anschlüssen einer Halbleitervorrichtung gegenüber den freiliegenden Anschlüssen einer anderen Halbleitervorrichtung; und das Zwischenschalten von leitfähigen Verbindungselementen in Form von Verbindungsstiften (32, 34) mit einander gegenüberliegenden Enden, die elastisch mit den einander gegenüberliegenden freiliegenden Anschlüssen in Kontakt kommen, zwischen einem benachbarten Paar von Halbleitervorrichtungen, um die freiliegenden Anschlüsse einer Halbleitervorrichtung und die freiliegenden Anschlüsse einer anderen Halbleitervorrichtung miteinander zu verbinden und dadurch die Halbleitervorrichtungen elektrisch zu verbinden; wobei jeder der Verbindungsstifte folgendes umfaßt: ein leitfähiges Rohr, das sich an einander gegenüberliegenden Enden derselben öffnet; ein Paar von leitfähigen Kontakten (47), die in einander gegenüberliegenden Endbereichen des Rohres (46) angeordnet sind, um in Längsrichtung desselben bewegbar zu sein, wobei die Kontakte in dem Rohr gehalten werden und nur Spitzenenden der Kontakte aus den jeweils einander gegenüberliegenden Enden vorstehen können; und ein in dem Rohr angebrachtes Vorspannelement (48) zum Vorspannen der Kontakte in Richtungen, um die Spitzenenden aus den einander gegenüberliegenden Enden vorstehen zu lassen.
Verbinderanordnung zum elektrischen Verbinden einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen (10), mit jeweils mindestens einem in einer Packung (11) eingeschlossenen Halbleiterelement (12a, 12b), einer Mehrzahl von freiliegenden Anschlüssen (13) zum äußeren Anschließen, die zweidimensional auf jeder von einander gegenüberliegenden Seiten der Packung angeordnet sind, und einer inneren Verdrahtung (14, 15) zum Verbinden des Halbleiterelementes und der freiliegenden Anschlüsse miteinander zum äußeren Verbinden auf den einander gegenüberliegenden Seiten der Packung, wobei die Verbinderanordnung eine Mehrzahl von Verbindern umfaßt, die jeweils folgendes enthalten: eine Grundplatte (31); und leitfähige Verbindungselemente, die zweidimensional in einem entsprechenden Verhältnis zu den freiliegenden Anschlüssen auf der Grundplatte angeordnet sind, wobei die leitfähigen Verbindungselemente (32, 34) durch die Grundplatte hindurch verlaufen und von einander gegenüberliegenden Seiten derselben vorstehen; wobei die leitfähigen Verbindungselemente axial elastische Verbindungsstifte mit einander gegenüberliegenden Enden sind, um elastisch mit den einander gegenüberliegenden freiliegenden Anschlüssen der Halbleitervorrichtungen in Kontakt zu kommen wobei jeder der Verbindungsstifte folgendes umfaßt: ein leitfähiges Rohr, das sich an einander gegenüberliegenden Enden derselben öffnet; ein Paar von leitfähigen Kontakten (47), die in einander gegenüberliegenden Endbereichen des Rohres (46) angeordnet sind, um in Längsrichtung desselben bewegbar zu sein, wobei die Kontakte in dem Rohr gehalten werden und nur Spitzenenden der Kontakte aus den jeweils einander gegenüberliegenden Enden vorstehen können; und ein in dem Rohr angebrachtes Vorspannelement (48) zum Vorspannen der Kontakte in Richtungen, um die Spitzenenden aus den einander gegenüberliegenden Enden vorstehen zu lassen.
Verbinderanordnung nach Anspruch 2, wobei die Grundplatte eine Positionierkonstruktion zum Positionieren der Halbleitervorrichtungen derart umfaßt, daß die freiliegenden Anschlüsse registergleich mit den leitfähigen Verbindungselementen sind.
Verbinderanordnung nach Anspruch 2, wobei die Grundplatte äußere Verbindungsanschlüsse umfaßt, die auf mindestens einer Seite derselben angeordnet sind.
Verbinderanordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, weiterhin mit einer Kopplungskonstruktion zum starren Koppeln der in einer Dickenrichtung derselben angeordneten Grundplatten, wobei die Halbleitervorrichtungen dazwischen geschaltet sind.