DE69529000D1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator

Info

Publication number
DE69529000D1
DE69529000D1 DE69529000T DE69529000T DE69529000D1 DE 69529000 D1 DE69529000 D1 DE 69529000D1 DE 69529000 T DE69529000 T DE 69529000T DE 69529000 T DE69529000 T DE 69529000T DE 69529000 D1 DE69529000 D1 DE 69529000D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
capacitor
built
semiconductor devices
manufacturing semiconductor
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69529000T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69529000T2 (de
Inventor
Shoji Matsumoto
Yoshihisa Nagano
Yasuhiro Shimada
Yasafumi Izutsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69529000D1 publication Critical patent/DE69529000D1/de
Publication of DE69529000T2 publication Critical patent/DE69529000T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE1995629000 1994-03-30 1995-03-29 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator Expired - Fee Related DE69529000T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6088394 1994-03-30
JP8668694 1994-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69529000D1 true DE69529000D1 (de) 2003-01-09
DE69529000T2 DE69529000T2 (de) 2003-08-21

Family

ID=26401935

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1995627669 Expired - Fee Related DE69527669T2 (de) 1994-03-30 1995-03-29 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator
DE1995629000 Expired - Fee Related DE69529000T2 (de) 1994-03-30 1995-03-29 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1995627669 Expired - Fee Related DE69527669T2 (de) 1994-03-30 1995-03-29 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator

Country Status (3)

Country Link
EP (2) EP0675548B1 (de)
DE (2) DE69527669T2 (de)
MY (1) MY130503A (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW365691B (en) * 1997-02-05 1999-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Method for etching Pt film of semiconductor device
US7100277B2 (en) * 2004-07-01 2006-09-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods of forming printed circuit boards having embedded thick film capacitors
US20060120015A1 (en) * 2004-12-02 2006-06-08 Borland William J Thick-film capacitors, embedding thick-film capacitors inside printed circuit boards, and methods of forming such capacitors and printed circuit boards
KR100769459B1 (ko) 2005-10-28 2007-10-23 주식회사 코미코 미세 전극을 갖는 세라믹 소자의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62234331A (ja) * 1986-04-04 1987-10-14 Hitachi Ltd アルミニウム合金膜のドライエツチング方法
JPS6376329A (ja) * 1986-09-19 1988-04-06 Fujitsu Ltd エツチング方法
EP0295581A1 (de) * 1987-06-19 1988-12-21 Tegal Corporation Verfahren zum Plasmaätzen von Aluminium
JPS6453548A (en) * 1987-08-25 1989-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dry etching of aluminum-silicon-copper alloy
US5258332A (en) * 1987-08-28 1993-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor devices including rounding of corner portions by etching
US5094712A (en) * 1990-10-09 1992-03-10 Micron Technology, Inc. One chamber in-situ etch process for oxide and conductive material
US5254217A (en) * 1992-07-27 1993-10-19 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide
JPH06132255A (ja) * 1992-10-19 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp ゲート電極のドライエッチング方法
US5397433A (en) * 1993-08-20 1995-03-14 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for patterning a metal layer

Also Published As

Publication number Publication date
DE69529000T2 (de) 2003-08-21
EP0675548A3 (de) 1996-03-13
EP0675548B1 (de) 2002-08-07
EP0675548A2 (de) 1995-10-04
MY130503A (en) 2007-06-29
DE69527669D1 (de) 2002-09-12
EP0936679A1 (de) 1999-08-18
EP0936679B1 (de) 2002-11-27
DE69527669T2 (de) 2003-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69528117D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen
DE69130346D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE69427176T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Kondensator-Elektrode
DE69120864T3 (de) Eingekapselter elektrolumineszenter Phosphor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69327483T2 (de) Diode und Verfahren zur Herstellung
DE69613723D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Kondensator
DE69431023T2 (de) Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung
DE69707356D1 (de) Kondensator mit dielektrischer Dünnschicht und Verfahren zur Herstellung
DE69624415D1 (de) Verbesserungen in Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE69508885T2 (de) Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung
DE69430091T2 (de) Halbleiterbauelement mit LC-Element und Verfahren zur Herstellung
DE59608481D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Kondensator
DE3887480D1 (de) Chipkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69220830T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleietervorrichtungen
DE69226757T2 (de) Filmkondensator und Verfahren zur Herstellung
DE69128406T2 (de) Lateraler MOSFET und Verfahren zur Herstellung
DE69528683T2 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69416619D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69303042D1 (de) Verfahren zur Herstellung von lichtempfindlichen Halbleitervorrichtungen
DE69009016D1 (de) Festdielektrikumkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69529000D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit eingebautem Kondensator
DE69123992D1 (de) Verfahren zur Herstellung von nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtungen
DE69221379T2 (de) Halbleiter-Speicherbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE68915470D1 (de) Chipkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE69009012D1 (de) Festdielektrikum-Kondensator und Verfahren zur Herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee