JPS62234331A - アルミニウム合金膜のドライエツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコン、銅などを含むアルミニウム合金膜
のトライエツチング方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来の方法は、特公昭６０−３２７１６号に記載のよう
に、８１ＣＪ４ガスのみにてアルミニウム合金膜をエツ
チングできることを示しているだけで、アルミニウム合
金膜の加工形状等については一切述べられておらず、ア
ルミニウム合金膜上のマスク材料にも検討がなされてい
なかった。

〔発明が解決しようとする問題点１ 上記従来技術は、アルミニウム合金膜のドライエツチン
グ時に発生するサイドエツチングについては配慮がされ
ておらず、加工後のアルミニウム合金膜の形状に問題が
あった。

本発明の目的は、アルミニウム合金膜を高速でまた、良
好な形状に加工できるようにすることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、従来からのエツチングガスにさらにカーボ
ンを含むガスを添加することにより、達成される。

〔作　　用〕

８１ＣＪ４ガスは、アルミ合金前エツチングの主ガスと
して用いられるが、エツチング速度が得られないのでＣ
Ｉ！２ガスを添加する。しかし、Ｃ１２ガスはプラズマ
中で解離しＣＩ！本ラジラジカルり、アルミ合金膜加工
時にサイドエツチングを生ずる。そこで、カーボンを含
むガスを加えることにより、アルミ合金膜加工時、アル
ミ側壁に有機物を形成し、サイドエツチングを防＜１゜ 〔実　施　例〕 以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。

ドライエツチング！装置には、例えば周波数１３゜５６
’ＭＨｚの平行平板型リアクティブイオンエッチジグ装
置を用い、エツチング条件を圧力０．５　Ｔｏｒｒ。

８ｉ　Ｃ１４１００８ＣＣＭ、　ＣＩ！２４０８ＣＣＭ
、高周波電力０．２８Ｗ／ｍｌとしてアルミニウム合金
膜をエツチングした加工形状はｍ２図のとおりである。

この場合、アルミニウム合金膜２にサイドエッチが発生
している。

そこで、上記装置を用い、かつ上記のエツチング条件に
ＣＨＣｌ！、　（クロロホルム）ガスを３０８ＣＣＭ添
加し、アルミニウム合金膜をエツチングすると、その加
工形状は第１図のとおりとなり、有機レジストｌに対し
てアルミニウム合金膜２がサイドエツチングなく加工さ
れている。

本実施例によれば、アルミニウム合金膜にサイドエツチ
ングのない加工ができる。また、アルミニウム合金膜上
のマスク材料が、ＵＶ処理したもの、あるいは多層レジ
スト等のものでも同様にサイドエツチングのない加工が
できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、アルミニウム合金膜をサイドエツチン
グなく加工できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明方法によるアルミニウム合金膜のエツ
チング形状の断面図、弗２図は、本発明方法と比較のた
めのアルミニウム合金膜のエツチング形状の断面図であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体装置のアルミニウム合金膜ドライエッチング
   工程において、エッチングガスとしてＳｉＣｌ＿４とＣ
   ｌ＿２より成るガス組成にカーボンを含むガスを添加し
   たことを特徴とするアルミニウム合金膜のドライエッチ
   ング方法。 ２、カーボンを含むガスが、クロロホルムであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアルミニウム合
   金膜のドライエッチング方法。