DE69527406T2 - Suspension zum Gemisch-mechanisch Polieren von Metallschichten - Google Patents

Suspension zum Gemisch-mechanisch Polieren von Metallschichten

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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Anwendungsbereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen chemisch-mechanischen Polierschlamm für die Planarisierung von Halbleiterelementen und insbesondere einen chemischmechanischen Polierschlamm zum Polieren von Metallschichten.
  • 2. Hintergrund der Erfindung
  • Ein Halbleiter-Mikroplättchen bzw. Wafer umfasst typischerweise ein Substrat, wie z. B. ein Silizium- oder Galliumarsenid-Mikroplättchen, auf dem eine Mehrzahl integrierter Schaltungen ausgebildet ist. Integrierte Schaltungen sind chemisch und physikalisch durch die Musterung bzw. Strukturierung von Bereichen in dem Substrat und von Schichten auf dem Substrat in ein Substrat integriert. Die Schichten werden im allgemeinen aus verschiedenen Materialien mit leitenden, isolierenden oder halbleitenden Eigenschaften ausgebildet. Damit eine Vorrichtung einen hohen Ertrag bringt, ist es entscheidend, mit einem flachen Halbleiter-Mikroplättchen zu beginnen, wobei es oftmals notwendig ist, ein Halbleiter-Mikroplättchen zu polieren. Wenn die Verarbeitungsschritte zur Herstellung der Vorrichtung auf einer Mikroplättchenoberfläche ausgeführt werden, die nicht gleichmäßig ist, können verschiedene Probleme auftreten, die eine große Anzahl funktionsunfähiger Vorrichtungen zum Ergebnis haben können. So ist es z. B. bei der Herstellung von modernen integrierten Halbleiterschaltungen notwendig, leitende Linien oder ähnliche Strukturen über einer zuvor gebildeten Struktur auszubilden. Durch die vorherige Ausbildung der Oberfläche bleibt jedoch eine sehr unregelmäßige Topographie der oberen Oberfläche auf einem Mikroplättchen mit Beulen, Bereichen mit unregelmäßigen Erhebungen, Mulden, Furchen und anderen ähnlichen Arten von Oberflächenfehlern zurück. Als ein Ergebnis ist das gesamte Planen solcher Oberflächen notwendig, um eine angemessene Schärfentiefe der Photolithographie sicherzustellen, sowie zum Entfernen aller Unregelmäßigkeiten und Oberflächenfehler während der aufeinanderfolgenden Stufen des Herstellungsverfahrens. Obwohl es mehrere Poliertechniken zur Sicherstellung der Planheit der Mikroplättchenoberfläche gibt, sind Verfahren zum chemisch-mechanischen Planen oder Poliertechniken zu weit verbreiteter Verwendung gelangt, um die Oberfläche von Mikroplättchen während der verschiedenen Stufen der Herstellung der Vorrichtung zur Verbesserung von Ertrag, Leistung und Zuverlässigkeit zu planen. Im allgemeinen umfasst das chemisch-mechanische Polieren ("CMP") die kreisförmige Bewegung eines Wafers unter einem kontrollierten, nach unten gerichteten Druck, wobei ein Polier-Pad mit einem herkömmlichen Polierschlamm gesättigt ist. Für eine detailliertere Beschreibung des chemisch-mechanischen Polierens wird auf die US-Patente Nr. 4,671,851, 4,910,155 und 4,944,836, deren Beschreibungen durch Bezugnahme hierin aufgenommen sind, verwiesen.
  • Typische Polierschlämme, die für CMP-Oxidverfahren verwendet werden, weisen ein Schleifmaterial auf, wie z. B. Siliziumoxid oder Aluminiumoxid, in einer sauren oder basischen Lösung. Zum Beispiel beschreibt das US- Patent Nr. 5,245,790 von Jerbic eine Technik zum chemisch-mechanischen Polieren von Halbleiter-Wafern, bei welcher Ultraschallenergie und ein Schlamm auf Siliziumoxid-Basis in einer KOH-Lösung verwendet wird. Das US-Patent Nr. 5,244,534 von Yu et al. beschreibt ein Verfahren zum Formen von leitenden Steckern mit einer Isolationsschicht. Das Verfahren führt zu einem Stecker aus einem Material, wie z. B. Wolfram, der mit der Isolationsschichtoberfläche eine stärkere Ebenheit aufweist als diejenige, die unter Verwendung von konventionellen Techniken zum Bilden von Steckern erreicht werden kann. Schlämme aus Schleifmaterialien, wie z. B. Al&sub2;O&sub3;, und Ätzmitteln, wie z. B. H&sub2;O&sub2; und entweder KOH oder NH&sub4;OH, werden in dem ersten CMP-Schritt verwendet, um das Wolfram in einer kalkulierbaren Menge zu entfernen, während sehr wenig von der Isolation entfernt wird. Der zweite CMP-Schritt verwendet einen Schlamm, der aus einem Schleifmaterial besteht, wie z. B. Aluminiumoxid, und einem oxidierenden Bestandteil aus Wasserstossperoxid und Wasser. In ähnlicher Weise lehrt das US-Patent Nr. 5,209,816 von Yu et al. einen CMP-Schlamm, welcher H&sub3;PO&sub4;, H&sub2;O2, H&sub2;O und ein festes Schleifmaterial aufweist, während die US-Patente Nr. 5,157,876 und 5,137,544 von Medellin spannungsfreie CMP-Mittel zum Polieren von Halbleiterwafern lehren, welche eine Mischung aus Wasser, Kolloid-Siliziumoxid und einer Bleiche umfassen, welche Natriumhypochlorid aufweist. Das US-Patent Nr. 4,956,313 von Cote et al. Beschreibt einen Schlamm, welcher aus Al&sub2;O&sub3;-Partikeln, deionisiertem Wasser, einer Base und einem Oxidationsmittel besteht.
  • Weil CMP über eine Vielzahl von Jahren in erfolgreicher Weise verwendet worden ist, um Oxid-Oberflächen zu polieren, besteht ein neuer Trend in der Halbleiterindustrie darin, CMP-Techniken und -Schlämme zum Polieren von Metallschichten zu verwenden. Obwohl einige Schlämme und Poliertechniken auf Metallschichten, -filme und -stecker, wie z. B. Wolfram, Aluminium und Kupfer, gerichtet wurden, ist das chemisch-mechanische Polieren dieser Metalle zur Herstellung von Vorrichtungen noch nicht richtig verstanden oder entwickelt worden. Im Ergebnis hat die Verwendung von konventionellen Siliziumoxid- oder Aluminiumoxid-Schlämmen auf Metallschichten zu nicht akzeptablen Polierleistungen und sich daraus ergebenden Vorrichtungen von schlechter Qualität geführt. Demzufolge bleibt ein Bedarf für verbesserte chemisch-mechanische Poliertechniken und -schlämmen für dieselben, welche zu gleichmäßigen Metallschichten führen, die frei von ungewünschten Kontaminierungen und Oberflächenbeschädigungen sind.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen chemisch-mechanischen Polierschlamm zum Polieren von Metallschichten von Halbleitervorrichtungen, welcher hochreine, feine Metalloxidpartikel aufweist, die gleichmäßig in einem stabilen, wasserhaltigen Medium verteilt sind. Die Partikel weisen einen Oberflächenbereich im Bereich von 40 m²/g bis ungefähr 430 m²/g, eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als ungefähr 1,0 Mikron, einen durchschnittlichen Aggregatdurchmesser von weniger als 0,4 Mikron und eine Kraft auf, die ausreicht, um die von der Waals-Kräfte zwischen den Partikeln abzustoßen und zu überwinden. In einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Metalloxidpartikel außerdem ein maximales Zetapotential von mehr als ungefähr ±10 Millivolt auf. Des weiteren ist ein Verfahren zum Polieren von Wolframschichten mit dem Polierschlamm gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist ein Transmissions-Elektron-Mikrograph (TEM), welches Metalloxidpartikel von geräuchertem Aluminiumoxid gemäß der vorliegenden Erfindung bei 50.000-facher Vergrößerung darstellt.
  • Fig. 2 ist eine Aggregatgrößenverteilung für Metalloxidpartikel aus geräuchertem Aluminiumoxid zur Verwendung in dem Polierschlamm der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 3 ist eine Aggregatgrößenverteilung für Metalloxidpartikel aus geräuchertem Siliziumoxid zur Verwendung in dem Polierschlamm der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 4 zeigt einen theoretischen Ausdruck des Zetapotentials in Millivolt auf der y-Achse über dem pH-Wert auf der x-Achse.
  • Fig. 5 zeigt den Effekt der Partikelzusammensetzung auf die Wolfram-Polierrate und die Selektivität auf thermisches Oxid für eine Reihe von Wafern unter Verwendung des Polierschlamms gemäß der vorliegenden Erfindung. Die x-Achse zeigt die Wafer-Anzahl und die y- Achse zeigt die Polierrate von Wolfram in Ä/Minute.
  • Fig. 6 zeigt den Effekt auf Partikelmorphologie, Phase und Festigkeitsgehalt der Wolfram-Polierrate für eine Reihe von Wafern unter Verwendung des Polierschlamms gemäß der vorliegenden Erfindung. Die x-Achse zeigt die Wafer-Anzahl und die y-Achse zeigt die Polierrate von Wolfram in Å/Minute.
  • Fig. 7 zeigt die Polierrate von Aluminium und die Selektivität auf thermisches Oxid für eine Reihe von Wafern unter Verwendung des Polierschlamms gemäß der vorliegenden Erfindung. Die x-Achse zeigt die Wafer- Anzahl und die y-Achse zeigt die Polierrate von Wolfram in Å/Minute.
  • Fig. 8 zeigt den Einfluss, den die Aggregatgrößenverteilung und das Zetapotential auf die Kolloid- Stabilität hat, und zwar durch Ausdrucken der Menge von Sedimenten als eine Funktion der Zeit.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen chemischmechanischen Polierschlamm wie in Anspruch 1 definiert, welcher hochreine Aluminiumoxidpartikel aufweist, die gleichmäßig in einem wasserhaltigen Medium verteilt sind. Die Partikel gemäß der vorliegenden Erfindung unterscheiden sich von den "Schleifpartikeln" gemäß dem Stand der Technik dadurch, dass sie einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 40 m²/g bis 430 m²/g aufweisen, eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als 1,0 Mikron, einen durchschnittlichen Aggregatdurchmesser von weniger als 0,4 Mikron und ein Oberflächenpotential oder Hydrationskraft, die ausreicht, um die von der Waals-Kräfte zwischen den Partikeln abzustoßen und zu überwinden. Mittels der Darstellung ist Fig. 1 ein TEM (Transmissions-Elektronen- Mikrograph) für Metalloxidpartikel von geräuchertem Aluminiumoxid in dem Schlamm gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Der Oberflächenbereich der Partikel, wie durch die Stickstoffadsorptions-Methode von 5. Brunauer, P. H. Emmet und I. Teller, J. Am. Chemical Society, Ausgabe 60, Seite 309 (1938) und im allgemeinen als BET bezeichnet, bewegt sich typischerweise von 40 m²/g bis 430 m²/g. Die Partikel können zwischen 0,5% und 55% des Schlamms aufweisen, abhängig von dem erforderlichen Abrasionsgrad. Die Abrasion der Metalloxidpartikel ist wiederum eine Funktion der Partikelzusammensetzung des Kristallinitätsgrads und der Kristallinphase, z. B. Gamma oder Alpha für Aluminiumoxid. Um die gewünschte Selektivität und Polierrate zu erreichen, wurde herausgefunden, dass der optimale Oberflächenbereich und das Belastungsniveau sowohl davon abhängen, welche feinen Metalloxidpartikel für einen speziellen Polierschlamm verwendet werden, als auch von dem Grad der Kristallinität und der Phase der Partikel. In einer Ausführungsform, wenn ein hoher Selektivitätsgrad gewünscht ist, sind Feststoffbelastungen von weniger als 12 Gewichts-% für Aluminiumoxidpartikel mit Oberflächenbereichen im Bereich von 70 m²/g bis 170 m²/g bevorzugt. Bei niedrigeren Oberflächenbereichen, d. h. weniger als 70 m²/g, sind Feststoffbelastungen von weniger als 7% für Aluminiumpartikel bevorzugt. In ähnlicher Weise, wenn eine geringe Selektivität gewünscht ist, wurde entdeckt, dass, wenn das feine Metalloxidpartikel geräuchertes Siliziumoxid ist, Oberflächenbereiche im Bereich zwischen 40 m²/g und 250 m²/g in einem Bereich von 0,5 Gewichts-% bis 20 Gewichts-% vorhanden sein sollten.
  • Die Aluminiumoxidpartikel der vorliegenden Erfindung sind von hoher Reinheit und weisen eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als 1,0 Mikron auf, um Kratzer, Dellen, Divots und andere Oberflächenfehler während des Polierens zu vermeiden. Mittels eines Beispiels zeigen die Fig. 2 und 3 Aggregatgrößenverteilungen für Metalloxidpartikel gemäß der vorliegenden Erfindung jeweils für geräuchertes Aluminiumoxid und Siliziumoxid. Hohe Reinheit bedeutet, dass der Gesamtverunreinigungsanteil typischerweise weniger als 1 % und vorzugsweise weniger als 0,01 % (d. h. 100 ppm) beträgt. Quellen für Verunreinigungen umfassen typischerweise rohe Materialunreinheiten und Spurverfolgungskontaminierungen. Die Aggregatgröße der Partikel bezieht sich auf die Messung der verzweigten, dreidimensionalen Ketten der geräucherten Primärpartikel (individuelle, geschmolzene Sphären). Es sollte beachtet werden, dass, obwohl es üblich ist, sich auf die Bezeichnungen "Partikel", "Primärpartikel" und "Aggregatpartikel" austauschbar zu beziehen, eine solche Bezugnahme ungenau und verwirrend ist. Zum Beispiel ist, was typischerweise mit der Bezeichnung "Partikelgröße" gemeint ist, tatsächlich die durchschnittliche maximale Größe der "Aggregatpartikel" oder "Aggregate" und nicht der "Primärpartikel". Aus diesem Grund ist eine vorsichtige Einschätzung und Differenzierung von Aggregaten und Primärpartikeln für den Fachmann unabdingbar.
  • Ein Verfahren zum Feststellen der Aggregatgrößenverteilung bei der vorliegenden Erfindung war die Transmissions-Elektronen-Mikroskopie (TEM). Bei diesem Verfahren ist die Metalloxidpartikelprobe in einem flüssigen Medium verteilt, bis die Agglomerate sich zu Aggregaten gebildet haben. Dessen Konzentration wird dann eingestellt, bis diskrete Aggregate auf dem TEM- Gitter angezeigt werden. Multiple Felder auf dem Gitter werden dann unter Verwendung eines von Kontron Instruments (Everett, MA) hergestellten Bildanalysesystems dargestellt und auf einem Videoband gespeichert, und zwar so lange, bis mehr als 1.000 Aggregate dargestellt und abgespeichert sind. Die abgespeicherten Bilder wiederum werden für die weitere Entwicklung, d. h. Entfernen von Abweichungen, Einstellen des Hintergrundes und Normalisieren des Bildes, mittels einer Video-Digitizer-Karte in einen Bildanalyse-Computer eingegeben. Individuelle Aggregate in dem Binärfeld werden für eine Vielzahl von Partikelparametern gemessen, d. h. Aggregatgröße, und zwar unter Verwendung von bekannten Techniken, wie z. B. der in ASTM D3849-89 beschriebenen. Messungen können individuell oder in der Form von statistischen oder Histogrammverteilungen wieder aufgerufen werden.
  • Damit der Polierschlamm gemäß der vorliegenden Erfindung eine effektive Alternative zu konventionellen Schlämmen darstellt, ist es wichtig, dass die Aggregate des Aluminiumoxids gleichmäßig in einem stabilen, wasserhaltigen Medium verteilt sind. Mit gleichmäßig verteilt ist gemeint, dass die Aggregate isoliert und in dem gesamten Medium gut verteilt sind. Mit stabil ist typischerweise gemeint, dass die Aggregate nicht re-agglomerieren und sich absetzen (z. B. ein hartes, dichtes Sediment bilden). In einer bevorzugten Ausführungsform verbleiben die Aggregate für eine Zeit von mindestens drei Monaten stabil. Es ist kritisch zum Erreichen einer Schlammstabilität und ist des weiteren festgestellt worden, dass die Aluminiumoxidpartikel gemäß der vorliegenden Erfindung zusätzlich zu der Tatsache, dass sie eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als 1,0 Mikron besitzen, einen durchschnittlichen oder mittleren Aggregatdurchmesser von weniger als ungefähr 0,4 Mikron aufweisen, und dass das Oberflächenpotential oder die Hydrationskraft der Partikel der vorliegenden Erfindung ausreichend ist, um die von der Waals-Kräfte zwischen den Partikeln abzustoßen und zu überwinden. Der mittlere Aggregatdurchmesser bezieht sich auf den durchschnittlichen, entsprechenden sphärischen Durchmesser, wenn die TEM-Bildanalyse verwendet wird, d. h. basierend auf der Querschnittsfläche der Aggregate.
  • In einer bevorzugten Ausführung haben die Metalloxidpartikel eine mittlere Aggregatgrößenverteilung von weniger als 0,3 Mikron und ein maximales Zetapotential von größer als ± 10 Millivolt. Das Zetapotential () ist die Potentialdifferenz, gemessen in einer Flüssigkeit, zwischen der Scherebene und der Masse der Flüssigkeit jenseits der Grenzen der elektrischen Doppelschicht. Das Zetapotential ist abhängig von dem pH- Wert des wasserhaltigen Mediums, wie in Fig. 4 dargestellt. Für eine bekannte Metalloxid-Partikelzusammensetzung ist der isoelektrische Punkt definiert als der pH-Wert, an dem das Zetapotential Null ist. Wenn der pH-Wert weg von dem isoelektrischen Punkt vergrößert oder verkleinert wird, vergrößert sich die Oberflächenaufladung jeweils negativ oder positiv. Wenn der pH-Wert sich weiterhin vergrößert oder verkleinert, erreicht die Oberflächenladung eine Asymptote, wobei die Asymptote als das maximale Zetapotential bezeichnet wird. Es sollte herausgestellt werden, dass das maximale Zetapotential und der isoelektrische Punkt Funktionen der Metalloxidzusammensetzung sind und dass das maximale Zeta-Potential durch die Hinzufügung von Salzen zu einem wasserhaltigen Medium beeinflusst werden kann. Für eine vollständigere Diskussion von Zetapotentialen wird auf R. J. Hunter, Zeta Potential in Colloid Science (Academic Press 1981) verwiesen.
  • Obwohl das Zetapotential nicht direkt gemessen werden kann, kann das Zetapotential mittels einer Vielzahl von bekannten Techniken gemessen werden, wie z. B. Elektrophorese, elektrokinetische Schallamplitude und analytische Techniken einschließlich Ultraschallschwingungspotential. Bei der vorliegenden Erfindung wurde das Zetapotential, auf das Bezug genommen wird, durch eine Messung der elektrokinetischen Schallamplitude ermittelt, und zwar unter Verwendung des Matec MBS-8000-Instruments (erhältlich von Matec Appliced Sciences, Inc., Hopkington, MA).
  • In einer anderen Ausführungsform kann ein oxidierendes Bestandteil zu dem Polierschlamm hinzugefügt werden, um die Metallschicht zu ihrem entsprechenden Oxid zu oxidieren. Zum Beispiel wird bei der vorliegenden Erfindung ein oxidierender Bestandteil verwendet, um eine Metallschicht zu seinem entsprechenden Oxid zu oxidieren, wie z. B. Wolfram zu Wolframoxid. Die Schicht wird mechanisch poliert, um das Wolframoxid von der Schicht zu entfernen. Obwohl eine große Vielzahl von oxidierenden Bestandteilen verwendet werden kann, beinhalten bevorzugte Bestandteile oxidierende Metallsalze, oxidierende Metallkomplexe, Eisensalze, wie z. B. Nitrate, Sulfate, EDTA, Citrate, Kaliumhexazyanoferrat (III) und ähnliches, Aluminiumsalze, Natriumsalze, Kaliumsalze, Ammoniumsalze, quarternäre Ammoniumsalze, Phosphorsalze, Peroxide, Chlorate, Perchlorate, Permanganate, Persulfate und Mischungen daraus. Typischerweise ist der oxidierende Bestandteil in einer Menge in dem Schlamm vorhanden, die ausreichend ist, um eine schnelle Oxidation der Metallschicht sicherzustellen und gleichzeitig die mechanischen und chemischen Polierbestandteile des Schlammes im Gleichgewicht zu halten. Zusätzlich wurde festgestellt, dass eine kritische Beziehung zwischen der Konzentration des oxidierenden Bestandteils und der kolloidalen Stabilität des Polierschlammes existiert. Als solche sind oxidierende Bestandteile typischerweise von 0,5 Gewichts-% bis 15 Gewichts-% und vorzugsweise in einem Bereich zwischen 1 Gewichts-% und 7 Gewichts-% in dem Schlamm enthalten.
  • Um einen Polierschlamm, der einen oxidierenden Bestandteil enthält, weiter gegen Absetzen, Ausflockung und Spaltung des oxidierenden Bestandteils zu stabilisieren, kann eine Vielzahl von Additiven, wie z. B. oberflächen- bzw. grenzschichtaktive Substanzen, polymerische Stabilisatoren oder andere oberflächenaktive Dispersionsmittel, verwendet werden. Viele Beispiele von geeigneten oberflächenaktiven Substanzen zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung sind, zum Beispiel, beschrieben in Kirk-Othmer, Encyclopedia of Chemical Technology, 3rd Edition, Vol. 22 (John Wiley & Sons, 1983); Silet & Wood, Encyclopedia of Surface Active Agents (Chemical Publishing Co., Inc., 1964) und in zugänglicher Herstellungsliteratur, einschließlich z. B. McCutcheon's Emulsifiers & Detergents, North American and International Edition (McOutcheon Division, The MC Publishing Co., 1991); Ash, The Condensed Encyclopedia of Surfactants (Chemical Publishing Co., Inc., 1989); Ash, What Every Chemical Technologist Wants to Know About... Emulsifiers and Wetting Agents, Volume I (Chemical Publishing Co., Inc. 1988); Tadros, Surfactants (Academic Press, 1984); Napper, Polymeric Stabilization of Collodial Dispersion (Academic Press, 1983); und Rosen, Surfactants & Interfacial Phenomina, 2nd Edition (John Wiley & Sons, 1989), von denen alle durch Bezugnahme hierin enthalten sind. In einer Ausführungsform wurde eine oberflächenaktive Substanz, bestehend aus einem Kopolymer von Polydimethylsiloxan und Polyoxyalkylenäther als geeignet angesehen.
  • Im allgemeinen sollte bei der vorliegenden Erfindung die Menge des verwendeten Additivs, wie z. B. einer oberflächenaktiven Substanz, ausreichend sein, um eine effektive sterische Stabilisation des Schlamms zu erreichen und wird typischerweise abhängig von der jeweils ausgewählten oberflächenaktiven Substanz und der Beschaffenheit der Oberfläche des Metalloxidpartikels variieren. Zum Beispiel, falls nicht genug einer ausgewählten oberflächenaktiven Substanz verwendet wird, wird diese nur eine geringe oder gar keine Wirkung auf die Stabilisation haben. Auf der anderen Seite kann zu viel der oberflächenaktiven Substanz in einer unerwünschten Schaumbildung und/oder Ausflockung in dem Schlamm resultieren. Aus diesem Grund sollten Additive wie oberflächenaktive Substanzen im allgemeinen in einem Bereich zwischen 0,001 Gewichts-% und 10 Gewichts- % vorhanden sein. Des weiteren kann das Additiv direkt dem Schlamm zugesetzt werden oder auf die Oberfläche des Metalloxidpartikels unter Verwendung bekannter Techniken aufgebracht werden. In jedem Fall wird die Menge des Additivs so eingestellt, dass die gewünschte Konzentration in dem Polierschlamm erreicht wird.
  • Die Metalloxidpartikel der vorliegenden Erfindung sind typischerweise sedimentierte Aluminiumoxide, geräucherte Siliziumoxide oder geräucherte Aluminiumoxide und sind vorzugsweise geräucherte Siliziumoxide oder geräucherte Aluminiumoxide. Die Herstellung von geräucherten Siliziumoxiden und Aluminiumoxiden ist ein gut dokumentiertes Verfahren, welches die Hydrolyse von geeigneten dampfförmigen Einsätzen, wie z. B. Silikon- Tetrachlorid oder Aluminiumchlorid, umfasst, und zwar in einer Flamme aus Wasserstoff und Sauerstoff. Geschmolzene Partikel mit im wesentlichen sphärischer Form werden in dem Verbrennungsvorgang gebildet, wobei die Durchmesser derselben aufgrund der Prozessparameter variieren. Diese geschmolzenen Sphären aus geräuchertem Siliziumoxid oder Aluminiumoxid, welche typischerweise als Primärpartikel bezeichnet werden, verschmelzen miteinander durch das Entstehen von Kollisionen an ihren Kontaktpunkten, um verzweigte, dreidimensionale, kettenartige Aggregate zu bilden. Die Kraft, die erforderlich ist, um die Aggregate aufzubrechen, ist beträchtlich und wird oftmals als irreversibel angesehen. Während des Kühlens und Sammelns werden die Aggregate weiteren Kollisionen ausgesetzt, die in mechanischen Verhakungen resultieren können, um Agglomerate zu bilden. Es wird davon ausgegangen, dass Agglomerate lose durch von der Waals-Kräfte zusammengehalten werden und durch eine geeignete Auflösung in einem geeigneten Medium reversiert, d. h. de-agglomeriert, werden können.
  • Die niedergeschlagenen Metalloxidpartikel können unter Verwendung konventioneller Techniken hergestellt werden und werden typischerweise durch die Koagulation von den gewünschten Partikeln aus einem wasserhaltigen Medium unter dem Einfluss von hohen Salzkonzentrationen, Säuren oder anderen Koaguliermitteln gebildet. Die Partikel werden gefiltert, gewaschen, getrocknet und von Rückständen von anderen Reaktionsprodukten mittels konventioneller Techniken getrennt, die dem Fachmann bekannt sind.
  • Nachdem es einmal hergestellt ist, wird das Metalloxid langsam zu delonisiertem Wasser hinzugefügt, um eine kolloidale Lösung zu bilden. Der Schlamm wird dadurch fertig gestellt, dass die Lösung einem Hochabscherungsmischen unter Verwendung konventioneller Techniken ausgesetzt wird. Der pH-Wert des Schlamms wird weg von dem isoelektrischen Punkt eingestellt, um die kolloidale Stabilität zu maximieren. Der Polierschlamm der vorliegenden Erfindung kann als ein Ein-Pack- System (Metalloxidpartikel und, falls gewünscht, oxidierender Bestandteil in einem stabilen, wasserhaltigen Medium) oder Zwei-Pack-System (der erste Pack besteht aus den Metalloxidpartikeln in einem stabilen, wasserhaltigen Medium und der zweite Pack besteht aus dem oxidierenden Bestandteil) mit jeder Standardpolierausrüstung verwendet werden, die zur Verwendung auf der gewünschten Materialschicht des Wafers geeignet ist. Das Zwei-Pack-System wird verwendet, wenn ein oxidierender Bestandteil sich in der Gegenwart von bestimmten Metalloxidpartikeln über der Zeit zersetzt oder hydrolysiert. In dem Zwei-Pack-System kann der oxidierende Bestandteil nur kurz vor dem Polieren zu dem Schlamm hinzugefügt werden.
  • Der Polierschlamm der vorliegenden Erfindung wurde als nützlich beim Erzeugen einer effektiven Polierung von Metallschichten bei gewünschten Polierraten und gleichzeitiger Minimierung von Oberflächenungenauigkeiten und Beschädigungen angesehen. Es folgen nicht einschränkende Darstellungen des Polierschlamms der vorliegenden Erfindung.
  • BEISPIEL 1
  • Der Schlamm bestand aus 3 Gewichtsprozent geräuchertem Aluminiumoxid, 5 Gewichtsprozent Eisennitrat und der Rest deionisiertes Wasser. Die Eigenschaften des Schlamms sind in Tabelle I beschrieben. Der Schlamm wurde verwendet, um eine Wolframschicht mit einer Dicke von ungefähr 7.500 Å zu polieren. Die Polierbedingungen und die Ergebnisse sind in Tabelle II dargestellt. TABELLE I TABELLE II
  • (*Thermisches Oxid; Hoch = weniger als 10 Fehler/Wafer)
  • Wie aus Tabelle II deutlich wird und des weiteren in Fig. 5 dargestellt ist, war der Polierschlamm der vorliegenden Erfindung wirksam beim Erzielen akzeptabler Polierraten und Waferoberflächen von hoher Qualität. Des weiteren wird deutlich, dass die Zusammensetzung der Aluminiumoxid-Partikel und ihre Phase einen Einfluss auf die Polierrate der Wolframschicht und auf die Selektivität (d. h. des Polierratenverhältnisses zwischen Wolfram und thermischem Oxid) haben. Als Ergebnis können die jeweiligen Metalloxide, die zum Polieren einer Wolframschicht ausgewählt wurden, von der gewünschten Selektivität und Polierrate abhängen.
  • BEISPIEL 2
  • Aus Vergleichsgründen wurde ein konventioneller Schlamm, bestehend aus 8 Gewichtsprozent eines kommerziellen Aluminiumoxids, 5 Gewichtsprozent Eisennitrat und der Rest deionisiertes Wasser präpariert. Der Schlamm wurde verwendet, um eine Wolframschicht mit einer Dicke von ungefähr 7.500 Å chemisch-mechanisch zu polieren. Unter ähnlichen Polierbedingungen wie diejenigen, die bei Beispiel 1 verwendet wurden, entfernte der Schlamm 750 Å/min aus kommerziellem Aluminiumoxid und erzeugte Wafer mit schlechter Qualität. Die mit dem Schlamm aus kommerziellem Aluminiumoxid erreichte Polierrate war für die meisten Polieranwendungen nicht akzeptabel.
  • BEISPIEL 3
  • Fünf Polierschlämme wurden präpariert, um den Einfluss der Partikelmorphologie und des Feststoffgehalts auf die Polierleistung für einen geräucherten Aluminiumoxidschlamm zu ermitteln. Der erste, zweite und dritte Schlamm, welche aus 8 Gewichtsprozent geräuchertem Aluminiumoxid, 5 Gewichtsprozent Eisennitrat und dem Rest deionisiertem Wasser bestanden, wurden präpariert, um den Einfluss auf die Partikelmorphologie und die Kristallinität unter aggressiven Polierbedingungen, d. h. hohem Druck, hoher Tischgeschwindigkeit und hoher Feststoffbelastung, zu prüfen. Der vierte und fünfte Schlamm, welche aus drei Gewichtsprozent geräuchertem Aluminiumoxid, 5 Gewichtsprozent Eisennitrat und dem Rest deionisiertem Wasser bestanden, wurden präpariert, um den Einfluss der Partikelmorphologie und Kristallinität unter weniger aggressiven Polierbedingungen, d. h. niedrigem Druck, geringer Tischgeschwindigkeit und geringer Feststoffbelastung, zu prüfen. Weitere Eigenschaften der Schlämme sind in Tabelle III beschrieben. Die fünf Schlämme wurden verwendet, um eine Wolframschicht mit einer Dicke von ungefähr 7.500 Å chemisch-mechanisch zu polieren. Die Polierbedingungen und Ergebnisse sind in Tabelle IV dargestellt. TABELLE III TABELLE IV
  • (*Thermisches Oxid; Hoch = weniger als 10 Fehler/Wafer; Niedrig = mehr als 100 Fehler/Wafer)
  • Unter den aggressiven Polierbedingungen der Schlämme 1-3 wurde herausgefunden, dass die Phase und die Morphologie, d. h. der Oberflächenbereich, der geräucherten Aluminiumoxidpartikel einen signifikanten Einfluss auf die Selektivität (d. h. das Polierratenverhältnis zwischen Wolfram und thermischem Oxid) und der Oberflächenqualität haben und eine weniger dramatische Wirkung auf die Polierrate, wie in Tabelle IV dargestellt und in Fig. 6 des weiteren repräsentiert. Unter den weniger aggressiven Bedingungen der Schlämme 4 und 5 haben die Phase und die Morphologie eine signifikante Wirkung auf die Polierrate und die Oberflächenqualität. Zum Beispiel wurden Hochqualitäts-Wafer durch Polieren mit den Schlämmen 3 (bei 8% Belastung), 4 (bei 3% Belastung) und 5 (bei 3% Belastung) hergestellt. Es wurde jedoch ein höheres Feststoffbelastungsniveau für die Aluminiumoxide mit hohem Oberflächenbereich benötigt, um auch eine geeignete Polierrate zu erreichen. Auf der anderen Seite produzierten die Schlämme 1 (bei 8% Belastung) und 2 (bei 8% Belastung) Wafer mit geringer Oberflächenqualität, obwohl sehr hohe Polierraten erreicht wurden. Obwohl es nicht vollständig verstanden wird, ist es daher wichtig, wie auch hierin demonstriert wird, anzuerkennen, dass die Beziehung zwischen der Zusammensetzung des Schlamms und der Morphologie der feinen Metalloxidpartikel (d. h. Oberflächenbereich, Aggregatgröße und -durchmesser, Kristallinitätsgrad, Kristallinitätsphase) kritisch ist, um einen effektiven Polierschlamm zu erhalten.
  • BEISPIEL 4
  • Zwei Schlämme wurden präpariert, um den Einfluss der Aggregatgrößenverteilung und des maximalen Zetapotentials auf die kolloidale Stabiltät darzustellen. Der erste Schlamm bestand aus 8 Gewichtsprozent geräuchertem Aluminiumoxid, wie in der vorliegenden Erfindung beschrieben, 5 Gewichtsprozent Eisennitrat und der Rest deionisiertes Wasser. Der zweite Schlamm bestand aus 8 Gewichtsprozent eines kommerziell erhältlichen, niedergeschlagenen Aluminiumoxid, welches unter dem Namen Ultralox M100 verkauft wird. Weitere Eigenschaften der Schlämme sind in Tabelle VII aufgelistet. TABELLE VII
  • Fig. 8 stellt die Menge der Metalloxidpartikel in den jeweiligen Schlämmen dar, welche sich über eine Zeitdauer von 24 Stunden abgesetzt haben. Die Partikel wurden unter Verwendung eines Dynometer-Instruments gemessen, welches von Byk Gardner, Inc. hergestellt wird. Wie festgestellt wird, wurde im Schlamm 1 der vorliegenden Erfindung kein Absetzen festgestellt. Auf der anderen Seite zeigte der Schlamm 2 aus kommerziell erhältlichem Aluminiumoxid einen kontinuierlichen Aufbau an Sedimenten über die Zeitdauer von 24 Stunden. Am Ende der Zeitdauer war die Menge des Aluminiumoxids abgesetzt, um ein dickes, hartes Stück zu bilden. Wenn er zu diesem Zeitpunkt verwendet werden würde, ohne zusätzliche Schritte zum Wiederauflösen des Stücks und Stabilisieren des Schlamms, erreichte der Schlamm 2 niedrige Polierraten und erzeugte signifikante Kratzer auf dem Wafer, was zu einem Wafer mit schlechter Qualität führt.
  • Wie hierin beschrieben, wurde der Schlamm gemäß der vorliegenden Erfindung als besonders nützlich bei der chemisch-mechanischen Planarisation angesehen, um unebene Topographie, Schichten von Material, Oberflächenfehler, einschließlich Kratzer, Rauheiten oder kontaminierenden Partikeln, wie z. B. Dreck oder Staub, zu entfernen. Als Ergebnis erfahren Halbleiterprozesse, die diesen Schlamm verwenden, eine Verbesserung bezüglich der Oberflächenqualität, Zuverlässigkeit des Erzeugnisses und bezüglich des Ertrags im Vergleich zu konventionellen Hinterätztechniken. Obwohl die feinen Metalloxidpartikel auf Aluminiumoxid und Siliziumoxid bezogen wurden, wird herausgestellt, dass die hierin enthaltenen Lehren auch auf andere feine Metalloxidpartikel angewendet werden können, wie z. B. Germaniumoxid, Zeroxid, Titandioxid und ähnliches. Des weiteren können die Metalloxidpartikel verwendet werden, um andere Metalloberflächen, wie z. B. Kupfer und Titan, oder auch Unterschichten, wie z. B. Titan, Titannitrit und Titan-Wolfram, zu polieren.

Claims (44)

1. Chemisch-mechanischer Polierschlamm zum Polieren einer Metallschicht, der folgendes aufweist:
Hochreine Aluminiumoxidpartikel, die gleichmäßig in einem wasserhaltigen Medium verteilt sind, das einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 40 m²/g bis zu 430 m²/g aufweist, eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als 1,0 Mikron, einen durchschnittlichen Aggregatdurchmesser von weniger als 0,4 Mikron und ein Oberflächenpotential oder Hydrationskraft, die ausreicht, um die von der Waals-Kräfte zwischen den Partikeln abzustoßen und zu überwinden, wobei der Schlamm kolloidal stabil ist und die Aluminiumoxidpartikel einen Gesamtverunreinigungsanteil von weniger als 1,0% aufweisen.
2. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel in einem Bereich zwischen 0,5% und 55% des Gewichtes vorhanden sind.
3. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel einen BET-Oberflächenbereich aufweisen, der geringer ist als 70 m²/g und in dem Schlamm in einem Bereich von weniger als 7% des Gewichtes vorhanden sind.
4. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 70 m²/g bis zu 170 m²/g aufweisen und in dem Schlamm in einem Bereich von weniger als 12% des Gewichtes vorhanden sind.
5. Schlamm nach Anspruch 1, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Aluminiumoxid um ein sedimentiertes Aluminiumoxid oder um ein geräuchertes Aluminiumoxid handelt.
6. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel ein maximales Zetapotential aufweisen, das größer ist als ±10 Millivolt.
7. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schlamm weiterhin eine Oxidationskomponente umfasst.
8. Schlamm nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Oxidationskomponente um ein Oxidations-Metallsalz handelt.
9. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Oxidationskomponente um einen Oxidations-Metallkomplex handelt.
10. Schlamm nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidationskomponente aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Eisensalze, Aluminiumsalze, Natriumsalze, Kalisalze, Ammoniumsalze, quaternäre Ammoniumsalze, Phosphoniumsalze, Peroxide, chlorsaure Salze, Perchlorate, Permanganate, Persulfate und daraus bestehende Mischungen.
11. Schlamm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schlamm weiterhin einen grenzflächenaktiven Stoff umfasst.
12. Schlamm nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der grenzflächenaktive Stoff aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: nichtionogene grenzflächenaktive Stoffe, anionische grenzflächenaktive Stoffe, kationische grenzflächenaktive Stoffe, amphotere grenzflächenaktive Stoffe und daraus bestehende Mischungen.
13. Schlamm nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der grenzflächenaktive Stoff aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Polyalkylsiloxane, Polyarylsiloxane, Polyoxyalkylenether und daraus bestehende Mischungen und Copolymere.
14. Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Metallschicht eines Substrates, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:
a) Bereitstellung eines chemisch-mechanischen Polierschlammes mit hochreinen Aluminiumoxidpartikeln, die gleichmäßig in einem wasserhaltigen Medium verteilt sind, das einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 40 m²/g bis zu 430 m²/g aufweist, eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als 1,0 Mikron, einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von weniger als 0,4 Mikron und ein Oberflächenpotential oder Hydrationskraft, die ausreicht, um die von der Waals-Kräfte zwischen den Partikeln abzustoßen und zu überwinden, wobei der Schlamm kolloidal stabil ist und die Aluminiumoxidpartikel einen Gesamtverunreinigungsanteil von weniger als 1,0% aufweisen; und
b) Chemisch-mechanisches Polieren einer Metallschicht auf einem Halbleitersubstrat mit dem Schlamm.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Wolfram, Aluminium, Kupfer, Titan und daraus bestehende Legierungen.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht aus Wolfram besteht.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Wolframschicht mindestens eine Unterschicht umfasst, die aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Titan, Titannitrid und Titanwolfram und daraus bestehende Mischungen.
18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel in einem Bereich zwischen 0,5% und 55% des Gewichtes vorhanden sind.
19. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel einen BET-Oberflächenbereich aufweisen, der geringer ist als 70 m²/g und in dem Schlamm in einem Bereich von weniger als 7% des Gewichtes vorhanden sind.
20. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 70 m²/g bis zu 170 m²/g aufweisen und in dem Schlamm in einem Bereich von weniger als 12% des Gewichtes vorhanden sind.
21. Verfahren nach Anspruch 14, 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Aluminiumoxid um ein sedimentiertes Aluminiumoxid oder um ein geräuchertes Aluminiumoxid handelt.
22. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel ein maximales Zetapotential aufweisen, das größer ist als ±10 Millivolt.
23. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Schlamm weiterhin eine Oxidationskomponente umfasst.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Oxidationskomponente um ein Oxidations-Metallsalz handelt.
25. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Oxidationskomponente um einen Oxidations-Metallkomplex handelt.
26. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidationskomponente aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Eisensalze, Aluminiumsalze, Natriumsalze, Kalisalze, Ammoniumsalze, quaternäre Ammoniumsalze, Phosphoniumsalze, Peroxide, chlorsaure Salze, Perchlorate, Permanganate, Persulfate und daraus bestehende Mischungen.
27. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Schlamm weiterhin einen grenzflächenaktiven Stoff umfaßt.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass der grenzflächenaktive Stoff aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird:
nichtionogene grenzflächenaktive Stoffe, anionische grenzflächenaktive Stoffe, kationische grenzflächenaktive Stoffe, amphotere grenzflächenaktive Stoffe und daraus bestehende Mischungen.
29. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass der grenzflächenaktive Stoff aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Polyalkylsiloxane, Polyarylsiloxane, Polyoxyalkylenether und daraus bestehende Mischungen und Copolymere.
30. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen 500KÅ und 10.000KÅ der Wolframschicht während Schritt (b) entfernt werden.
31. Chemisch-mechanischer Polierschlamm zum Polieren einer Metallschicht, mit hochreinen Aluminiumoxidpartikeln, die gleichmäßig in einem wasserhaltigen Medium verteilt sind, das einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 40 m²/g bis zu 430 m²/g aufweist, eine Aggregatgrößenverteilung von weniger als 1,0 Mikron, einen durchschnittlichen Aggregatdurchmesser von weniger als 0,4 Mikron und ein Oberflächenpotential oder Hydrationskraft, die ausreicht, um die von der Waals-Kräfte zwischen den Partikeln und einer Oxidationskomponente abzustoßen und zu überwinden, wobei der Schlamm kolloidal stabil ist und die Aluminiumoxidpartikel einen Gesamtverunreinigungsanteil von weniger als 1,0% aufweisen.
32. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel in einem Bereich zwischen 0,5% und 55% des Gewichtes vorhanden sind.
33. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel einen BET-Oberflächenbereich aufweisen, der geringer ist als 70 m²/g und in dem Schlamm in einem Bereich von weniger als 7% des Gewichtes vorhanden sind.
34. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel einen BET-Oberflächenbereich im Bereich von 70 m²/g bis zu 170 m²/g aufweisen und in dem Schlamm in einem Bereich von weniger als 12% des Gewichtes vorhanden sind.
35. Schlamm nach Anspruch 31, 33 oder 34, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Aluminiumoxid um ein sedimentiertes Aluminiumoxid oder um ein geräuchertes Aluminiumoxid handelt.
36. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel ein maximales Zetapotential aufweisen, das größer ist als ±10 Millivolt.
37. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Oxidationskomponente um ein Oxidations-Metallsalz handelt.
38. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Oxidationskomponente um einen Oxidations-Metallkomplex handelt.
39. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidationskomponente aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Eisensalze, Aluminiumsalze, Natriumsalze, Kalisalze, Ammoniumsalze, quaternäre Ammoniumsalze, Phosphoniumsalze, Peroxide, chlorsaure Salze, Perchlorate, Permanganate, Persulfate und daraus bestehende Mischungen.
40. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Schlamm weiterhin ein Additiv in einer Menge umfasst, die zur Zersetzung der Oxidationskomponente und zur Aufrechterhaltung der kolloidalen Stabilität des Schlammes ausreicht.
41. Schlamm nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Additiv um einen grenzflächenaktiven Stoff handelt.
42. Schlamm nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass der grenzflächenaktive Stoff aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: nichtionogene grenzflächenaktive Stoffe, anionische grenzflächenaktive Stoffe, kationische grenzflächenaktive Stoffe, amphotere grenzflächenaktive Stoffe und daraus bestehende Mischungen.
43. Schlamm nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass der grenzflächenaktive Stoff aus der aus folgenden Elementen bestehenden Gruppe ausgewählt wird: Polyalkylsiloxane, Polyarylsiloxane, Polyoxyalkylenether und daraus bestehende Mischungen und Copolymere.
44. Schlamm nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Aluminiumoxidpartikel um geräucherte Kieselerde, und bei der Oxidationskomponente um Eisennitrat handelt.
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Families Citing this family (480)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6546939B1 (en) 1990-11-05 2003-04-15 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment
US6258137B1 (en) 1992-02-05 2001-07-10 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. CMP products
FR2722511B1 (fr) * 1994-07-15 1999-04-02 Ontrak Systems Inc Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage
DE69513459T2 (de) * 1994-08-05 2000-10-26 International Business Machines Corp., Armonk Verfahren zur Herstellung einer Al-Ge Legierung mit einer WGe Polierstoppschicht
JP3438410B2 (ja) * 1995-05-26 2003-08-18 ソニー株式会社 化学機械研磨用スラリーおよびその製造方法ならびにこれを用いた研磨方法
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
US5726099A (en) * 1995-11-07 1998-03-10 International Business Machines Corporation Method of chemically mechanically polishing an electronic component using a non-selective ammonium persulfate slurry
DE69611653T2 (de) * 1995-11-10 2001-05-03 Tokuyama Corp., Tokuya Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5885899A (en) * 1995-11-14 1999-03-23 International Business Machines Corporation Method of chemically mechanically polishing an electronic component using a non-selective ammonium hydroxide slurry
JPH09139368A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Sony Corp 化学的機械研磨方法
US5840629A (en) * 1995-12-14 1998-11-24 Sematech, Inc. Copper chemical mechanical polishing slurry utilizing a chromate oxidant
EP0779655A3 (de) * 1995-12-14 1997-07-16 International Business Machines Corporation Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleitersubstrats eines elektronischen Bauteils
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
EP0786504A3 (de) * 1996-01-29 1998-05-20 Fujimi Incorporated Politurzusammensetzung
US5647952A (en) * 1996-04-01 1997-07-15 Industrial Technology Research Institute Chemical/mechanical polish (CMP) endpoint method
US6022807A (en) * 1996-04-24 2000-02-08 Micro Processing Technology, Inc. Method for fabricating an integrated circuit
US5858813A (en) * 1996-05-10 1999-01-12 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
US5866031A (en) * 1996-06-19 1999-02-02 Sematech, Inc. Slurry formulation for chemical mechanical polishing of metals
US5863838A (en) * 1996-07-22 1999-01-26 Motorola, Inc. Method for chemically-mechanically polishing a metal layer
US20040134873A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-15 Li Yao Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same
US20040140288A1 (en) * 1996-07-25 2004-07-22 Bakul Patel Wet etch of titanium-tungsten film
KR100302671B1 (ko) * 1996-07-25 2001-09-22 피. 제리 코더 화학기계적연마용조성물및화학기계적연마방법
US5846398A (en) * 1996-08-23 1998-12-08 Sematech, Inc. CMP slurry measurement and control technique
KR19980019046A (ko) * 1996-08-29 1998-06-05 고사이 아키오 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same)
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US6039891A (en) 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
EP1610367B1 (de) 1996-09-30 2010-03-17 Hitachi Chemical Co., Ltd. Schleifmittel auf Basis von Ceroxid und Verfahren zum Polieren von Oberflächen
JPH10154672A (ja) * 1996-09-30 1998-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US5773364A (en) * 1996-10-21 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for using ammonium salt slurries for chemical mechanical polishing (CMP)
FR2754937B1 (fr) * 1996-10-23 1999-01-15 Hoechst France Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium
WO1998021289A1 (fr) * 1996-11-14 1998-05-22 Kao Corporation Composition abrasive utilisee dans la fabrication de la base d'un support d'enregistrement magnetique, et procede de fabrication de cette base a l'aide de cette composition
WO1998023697A1 (en) * 1996-11-26 1998-06-04 Cabot Corporation Composition and method for polishing rigid disks
US6068787A (en) * 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
SG68005A1 (en) * 1996-12-02 1999-10-19 Fujimi Inc Polishing composition
JPH10172969A (ja) * 1996-12-06 1998-06-26 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6309560B1 (en) 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5954997A (en) * 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6126853A (en) 1996-12-09 2000-10-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5895550A (en) * 1996-12-16 1999-04-20 Micron Technology, Inc. Ultrasonic processing of chemical mechanical polishing slurries
US5735963A (en) * 1996-12-17 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Method of polishing
US6602439B1 (en) * 1997-02-24 2003-08-05 Superior Micropowders, Llc Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same
US5916855A (en) * 1997-03-26 1999-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical-mechanical polishing slurry formulation and method for tungsten and titanium thin films
WO1998048453A1 (en) 1997-04-23 1998-10-29 Advanced Chemical Systems International, Inc. Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics
US6194317B1 (en) 1998-04-30 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Method of planarizing the upper surface of a semiconductor wafer
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US6001269A (en) * 1997-05-20 1999-12-14 Rodel, Inc. Method for polishing a composite comprising an insulator, a metal, and titanium
US20090075083A1 (en) * 1997-07-21 2009-03-19 Nanogram Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US20060147369A1 (en) * 1997-07-21 2006-07-06 Neophotonics Corporation Nanoparticle production and corresponding structures
US7384680B2 (en) 1997-07-21 2008-06-10 Nanogram Corporation Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures
US6726990B1 (en) 1998-05-27 2004-04-27 Nanogram Corporation Silicon oxide particles
US6290735B1 (en) 1997-10-31 2001-09-18 Nanogram Corporation Abrasive particles for surface polishing
US20090255189A1 (en) * 1998-08-19 2009-10-15 Nanogram Corporation Aluminum oxide particles
US6099798A (en) * 1997-10-31 2000-08-08 Nanogram Corp. Ultraviolet light block and photocatalytic materials
US6093649A (en) 1998-08-07 2000-07-25 Rodel Holdings, Inc. Polishing slurry compositions capable of providing multi-modal particle packing and methods relating thereto
KR19990023544A (ko) * 1997-08-19 1999-03-25 마쯔모또 에이찌 무기 입자의 수성 분산체와 그의 제조 방법
US5897375A (en) * 1997-10-20 1999-04-27 Motorola, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture
US6008123A (en) * 1997-11-04 1999-12-28 Lucent Technologies Inc. Method for using a hardmask to form an opening in a semiconductor substrate
US6117784A (en) * 1997-11-12 2000-09-12 International Business Machines Corporation Process for integrated circuit wiring
US5976928A (en) * 1997-11-20 1999-11-02 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors
US6017463A (en) * 1997-11-21 2000-01-25 Advanced Micro Devices, Inc. Point of use mixing for LI/plug tungsten polishing slurry to improve existing slurry
US5985748A (en) * 1997-12-01 1999-11-16 Motorola, Inc. Method of making a semiconductor device using chemical-mechanical polishing having a combination-step process
JPH11181403A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
US6284151B1 (en) * 1997-12-23 2001-09-04 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry for tungsten
US6153043A (en) 1998-02-06 2000-11-28 International Business Machines Corporation Elimination of photo-induced electrochemical dissolution in chemical mechanical polishing
US6143662A (en) * 1998-02-18 2000-11-07 Rodel Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate
TW419518B (en) * 1998-02-20 2001-01-21 Ind Tech Res Inst Non-Newtonian-fluid-behaviored formulation
JP3147072B2 (ja) * 1998-02-26 2001-03-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6432828B2 (en) * 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6475407B2 (en) 1998-05-19 2002-11-05 Showa Denko K.K. Composition for polishing metal on semiconductor wafer and method of using same
US6083838A (en) * 1998-05-20 2000-07-04 Lucent Technologies Inc. Method of planarizing a surface on a semiconductor wafer
US6435947B2 (en) 1998-05-26 2002-08-20 Cabot Microelectronics Corporation CMP polishing pad including a solid catalyst
US6177026B1 (en) * 1998-05-26 2001-01-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP slurry containing a solid catalyst
US5928962A (en) * 1998-06-01 1999-07-27 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US6217416B1 (en) 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US6533832B2 (en) 1998-06-26 2003-03-18 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for using same
TW455626B (en) * 1998-07-23 2001-09-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
US6220934B1 (en) 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
TW512170B (en) * 1998-07-24 2002-12-01 Ibm Aqueous slurry composition and method for polishing a surface using the same
JP2000040679A (ja) 1998-07-24 2000-02-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6124207A (en) * 1998-08-31 2000-09-26 Micron Technology, Inc. Slurries for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods and apparatuses for making and using such slurries
US6468909B1 (en) * 1998-09-03 2002-10-22 Micron Technology, Inc. Isolation and/or removal of ionic contaminants from planarization fluid compositions using macrocyclic polyethers and methods of using such compositions
US6572453B1 (en) 1998-09-29 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Multi-fluid polishing process
US6447693B1 (en) 1998-10-21 2002-09-10 W. R. Grace & Co.-Conn. Slurries of abrasive inorganic oxide particles and method for polishing copper containing surfaces
CA2347632A1 (en) 1998-10-21 2000-04-27 W.R. Grace & Co.-Conn. Slurries of abrasive inorganic oxide particles and method for adjusting the abrasiveness of the particles
SG99289A1 (en) 1998-10-23 2003-10-27 Ibm Chemical-mechanical planarization of metallurgy
DE69942615D1 (de) * 1998-10-23 2010-09-02 Fujifilm Electronic Materials Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung, eine beschleunigerlösung enthaltend
US6186865B1 (en) 1998-10-29 2001-02-13 Lam Research Corporation Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool
US6325706B1 (en) * 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6863593B1 (en) * 1998-11-02 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing a substrate having a filler layer and a stop layer
FR2785614B1 (fr) * 1998-11-09 2001-01-26 Clariant France Sa Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6395194B1 (en) 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
EP1150341A4 (de) 1998-12-28 2005-06-08 Hitachi Chemical Co Ltd Materialien für metallpolierflüssigkeit, metallpolierflüssigkeit, ihre herstellung und poliermethode
JP4428473B2 (ja) * 1999-01-18 2010-03-10 株式会社東芝 気相法無機酸化物粒子の含水固体状物質及び研磨用スラリーの製造方法
SG108221A1 (en) * 1999-03-15 2005-01-28 Tokyo Magnetic Printing Free abrasive slurry compositions and a grinding method using the same
EP1036836B1 (de) * 1999-03-18 2004-11-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Wässerige Dispersionsaufschlämmung für chemisch-mechanisches Polierverfahren
US6599836B1 (en) * 1999-04-09 2003-07-29 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6407000B1 (en) * 1999-04-09 2002-06-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatuses for making and using bi-modal abrasive slurries for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
JP4644323B2 (ja) * 1999-04-28 2011-03-02 Agcセイミケミカル株式会社 有機アルカリを含有する半導体用研磨剤
US6375693B1 (en) 1999-05-07 2002-04-23 International Business Machines Corporation Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy
US6251150B1 (en) 1999-05-27 2001-06-26 Ekc Technology, Inc. Slurry composition and method of chemical mechanical polishing using same
US6238450B1 (en) 1999-06-16 2001-05-29 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Ceria powder
US6387810B2 (en) * 1999-06-28 2002-05-14 International Business Machines Corporation Method for homogenizing device parameters through photoresist planarization
JP2003503862A (ja) 1999-07-03 2003-01-28 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 改良された金属用化学機械研磨スラリー
US6274478B1 (en) * 1999-07-13 2001-08-14 Motorola, Inc. Method for forming a copper interconnect using a multi-platen chemical mechanical polishing (CMP) process
US6573173B2 (en) 1999-07-13 2003-06-03 Motorola, Inc. Method for forming a copper interconnect using a multi-platen chemical mechanical polishing (CMP) process
US6602111B1 (en) * 1999-07-16 2003-08-05 Seimi Chemical Co., Ltd. Abrasive
US6436302B1 (en) 1999-08-23 2002-08-20 Applied Materials, Inc. Post CU CMP polishing for reduced defects
US6258140B1 (en) * 1999-09-27 2001-07-10 Fujimi America Inc. Polishing composition
JP4075247B2 (ja) 1999-09-30 2008-04-16 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体
US6887559B1 (en) 1999-10-01 2005-05-03 Cabot Corporation Recording medium
DE60039189D1 (de) 1999-10-01 2008-07-24 Cabot Corp Aufzeichnungsmedium
US6509269B2 (en) * 1999-10-19 2003-01-21 Applied Materials, Inc. Elimination of pad glazing for Al CMP
US6347978B1 (en) 1999-10-22 2002-02-19 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing rigid disks
JP2001118815A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Speedfam Co Ltd 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法
IL150186A0 (en) * 1999-12-17 2002-12-01 Cabot Microelectronics Corp Method of polishing or planarizing a substrate
EP1256548A4 (de) * 1999-12-27 2004-05-19 Showa Denko Kk Aluminiumoxidteilchen, verfahren zu deren herstellung, zusammensetzung diese enthaltend, sowie aluminiumoxidaufschlämmung zum polieren
US7067105B2 (en) * 1999-12-27 2006-06-27 Showa Denko K.K. Alumina particles, production process thereof, composition comprising the particles and alumina slurry for polishing
JP3490038B2 (ja) * 1999-12-28 2004-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 金属配線形成方法
EP1118647A1 (de) * 2000-01-18 2001-07-25 Praxair S.T. Technology, Inc. Polieraufschlämmung
US6372632B1 (en) * 2000-01-24 2002-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to eliminate dishing of copper interconnects by the use of a sacrificial oxide layer
US6461958B1 (en) 2000-02-04 2002-10-08 Seagate Technology Llc Polishing memory disk substrates with reclaim slurry
TWI296006B (de) 2000-02-09 2008-04-21 Jsr Corp
US6534327B2 (en) 2000-04-13 2003-03-18 Texas Instruments Incorporated Method for reworking metal layers on integrated circuit bond pads
US6646348B1 (en) * 2000-07-05 2003-11-11 Cabot Microelectronics Corporation Silane containing polishing composition for CMP
US7481695B2 (en) 2000-08-22 2009-01-27 Lam Research Corporation Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head
US6585572B1 (en) 2000-08-22 2003-07-01 Lam Research Corporation Subaperture chemical mechanical polishing system
US6640155B2 (en) 2000-08-22 2003-10-28 Lam Research Corporation Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head
US6652357B1 (en) 2000-09-22 2003-11-25 Lam Research Corporation Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing
US7220322B1 (en) 2000-08-24 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Cu CMP polishing pad cleaning
US6471566B1 (en) 2000-09-18 2002-10-29 Lam Research Corporation Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same
US6443815B1 (en) 2000-09-22 2002-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing
DE10048477B4 (de) 2000-09-29 2008-07-03 Qimonda Ag Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Schichten aus Metallen der Platingruppe
US6787061B1 (en) 2000-11-16 2004-09-07 Intel Corporation Copper polish slurry for reduced interlayer dielectric erosion and method of using same
JP2004526308A (ja) * 2001-01-16 2004-08-26 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション シュウ酸アンモニウムを含有する研磨系及び方法
US6383065B1 (en) 2001-01-22 2002-05-07 Cabot Microelectronics Corporation Catalytic reactive pad for metal CMP
US6627546B2 (en) 2001-06-29 2003-09-30 Ashland Inc. Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
JP4954398B2 (ja) 2001-08-09 2012-06-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
US6692546B2 (en) 2001-08-14 2004-02-17 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same
US7029373B2 (en) * 2001-08-14 2006-04-18 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same
US6638326B2 (en) * 2001-09-25 2003-10-28 Ekc Technology, Inc. Compositions for chemical mechanical planarization of tantalum and tantalum nitride
US7416680B2 (en) * 2001-10-12 2008-08-26 International Business Machines Corporation Self-cleaning colloidal slurry composition and process for finishing a surface of a substrate
US7077880B2 (en) * 2004-01-16 2006-07-18 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Surface modified colloidal abrasives, including stable bimetallic surface coated silica sols for chemical mechanical planarization
US6705926B2 (en) * 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
TWI276682B (en) * 2001-11-16 2007-03-21 Mitsubishi Chem Corp Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US6866792B2 (en) * 2001-12-12 2005-03-15 Ekc Technology, Inc. Compositions for chemical mechanical planarization of copper
US6884723B2 (en) * 2001-12-21 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents
US7049237B2 (en) 2001-12-21 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of Group VIII metal-containing surfaces using oxidizing gases
US20030119316A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using oxidizing agents
US7121926B2 (en) * 2001-12-21 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using a fixed abrasive article
US6730592B2 (en) * 2001-12-21 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Methods for planarization of metal-containing surfaces using halogens and halide salts
US6830503B1 (en) 2002-01-11 2004-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Catalyst/oxidizer-based CMP system for organic polymer films
US20030136759A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Microlens array fabrication using CMP
US7004819B2 (en) 2002-01-18 2006-02-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers
US7316603B2 (en) * 2002-01-22 2008-01-08 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for tantalum CMP
US7097541B2 (en) 2002-01-22 2006-08-29 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US6527622B1 (en) 2002-01-22 2003-03-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US20030139047A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Thomas Terence M. Metal polishing slurry having a static etch inhibitor and method of formulation
US7524346B2 (en) 2002-01-25 2009-04-28 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates
US6884729B2 (en) * 2002-02-11 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Global planarization method
US20030162398A1 (en) 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
US7189684B2 (en) * 2002-03-04 2007-03-13 Fujimi Incorporated Polishing composition and method for forming wiring structure using the same
US6682575B2 (en) 2002-03-05 2004-01-27 Cabot Microelectronics Corporation Methanol-containing silica-based CMP compositions
US6582279B1 (en) 2002-03-07 2003-06-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus and method for reclaiming a disk substrate for use in a data storage device
US6853474B2 (en) * 2002-04-04 2005-02-08 Cabot Microelectronics Corporation Process for fabricating optical switches
US7677956B2 (en) 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
KR100560223B1 (ko) * 2002-06-05 2006-03-10 삼성코닝 주식회사 고정도 연마용 금속 산화물 분말 및 이의 제조방법
WO2003104344A1 (en) * 2002-06-05 2003-12-18 Arizona Board Of Regents Abrasive particles to clean semiconductor wafers during chemical mechanical planarization
US7087187B2 (en) * 2002-06-06 2006-08-08 Grumbine Steven K Meta oxide coated carbon black for CMP
US6604987B1 (en) 2002-06-06 2003-08-12 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions containing silver salts
US6641630B1 (en) 2002-06-06 2003-11-04 Cabot Microelectronics Corp. CMP compositions containing iodine and an iodine vapor-trapping agent
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US7021993B2 (en) * 2002-07-19 2006-04-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a substrate with a polishing system containing conducting polymer
US6811474B2 (en) 2002-07-19 2004-11-02 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing conducting polymer
JP4083528B2 (ja) 2002-10-01 2008-04-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
DE10246756B4 (de) * 2002-10-07 2006-03-16 Novar Gmbh Branderkennungsverfahren und Brandmelder zu dessen Durchführung
US20040092102A1 (en) * 2002-11-12 2004-05-13 Sachem, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method
US20040144038A1 (en) * 2002-12-09 2004-07-29 Junaid Ahmed Siddiqui Composition and associated method for oxide chemical mechanical planarization
US6893476B2 (en) * 2002-12-09 2005-05-17 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Composition and associated methods for chemical mechanical planarization having high selectivity for metal removal
JP2004193495A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Toshiba Corp 化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
US20040175942A1 (en) * 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US7071105B2 (en) 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
US20040217006A1 (en) * 2003-03-18 2004-11-04 Small Robert J. Residue removers for electrohydrodynamic cleaning of semiconductors
US20040188379A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Cabot Microelectronics Corporation Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides
EP1624757A4 (de) * 2003-04-09 2007-07-04 Osmose Inc Mikronisierte holzkonservierungsmittelformulierungen
US8637089B2 (en) * 2003-04-09 2014-01-28 Osmose, Inc. Micronized wood preservative formulations
US8747908B2 (en) 2003-04-09 2014-06-10 Osmose, Inc. Micronized wood preservative formulations
WO2004090937A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Technion Research & Development Foundation Ltd Copper cmp slurry composition
EP1651401B1 (de) * 2003-06-17 2009-07-22 PhibroWood LLC Teilchenförmiges holzschutzmittel und herstellungsverfahren dafür
US7037351B2 (en) * 2003-07-09 2006-05-02 Dynea Chemicals Oy Non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization
US6869336B1 (en) * 2003-09-18 2005-03-22 Novellus Systems, Inc. Methods and compositions for chemical mechanical planarization of ruthenium
US6929983B2 (en) 2003-09-30 2005-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Method of forming a current controlling device
US7087529B2 (en) * 2003-10-02 2006-08-08 Amcol International Corporation Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry and method of planarizing surfaces
US20050074473A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-07 Cabot Corporation Soft-focus cosmetic composition comprising fumed alumina
US20050159085A1 (en) * 2003-10-30 2005-07-21 Scott Brandon S. Method of chemically mechanically polishing substrates
US7223156B2 (en) * 2003-11-14 2007-05-29 Amcol International Corporation Method chemical-mechanical polishing and planarizing corundum, GaAs, GaP and GaAs/GaP alloy surfaces
US20050148289A1 (en) * 2004-01-06 2005-07-07 Cabot Microelectronics Corp. Micromachining by chemical mechanical polishing
US7288021B2 (en) * 2004-01-07 2007-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing of metals in an oxidized form
US7255810B2 (en) * 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
EP2213620B1 (de) * 2004-05-04 2017-01-25 Cabot Corporation Wässrige Dispersion aus aggregierten Kieselsäurepartikeln
US20050252408A1 (en) 2004-05-17 2005-11-17 Richardson H W Particulate wood preservative and method for producing same
US20050255251A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Hodge Robert L Composition, method of making, and treatment of wood with an injectable wood preservative slurry having biocidal particles
US20060062926A1 (en) * 2004-05-17 2006-03-23 Richardson H W Use of sub-micron copper salt particles in wood preservation
US20060075923A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Richardson H W Method of manufacture and treatment of wood with injectable particulate iron oxide
US7316738B2 (en) * 2004-10-08 2008-01-08 Phibro-Tech, Inc. Milled submicron chlorothalonil with narrow particle size distribution, and uses thereof
US7968273B2 (en) 2004-06-08 2011-06-28 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
US7776758B2 (en) 2004-06-08 2010-08-17 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
FR2872823B1 (fr) * 2004-07-08 2006-10-06 Kemesys Composition de polissage mecano chimique, procede de preparation, et utilisation
US7161247B2 (en) 2004-07-28 2007-01-09 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for noble metals
US7390748B2 (en) * 2004-08-05 2008-06-24 International Business Machines Corporation Method of forming a polishing inhibiting layer using a slurry having an additive
US6979252B1 (en) 2004-08-10 2005-12-27 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Low defectivity product slurry for CMP and associated production method
KR20060016498A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 삼성전자주식회사 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 가공물의연마방법
US7153182B1 (en) 2004-09-30 2006-12-26 Lam Research Corporation System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing
US7563383B2 (en) * 2004-10-12 2009-07-21 Cabot Mircroelectronics Corporation CMP composition with a polymer additive for polishing noble metals
AU2005296077B2 (en) * 2004-10-14 2010-12-23 Koppers Performance Chemicals Inc. Micronized wood preservative formulations in organic carriers
US8038752B2 (en) * 2004-10-27 2011-10-18 Cabot Microelectronics Corporation Metal ion-containing CMP composition and method for using the same
US7504044B2 (en) * 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7531105B2 (en) * 2004-11-05 2009-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US20060096179A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing surface-modified abrasive particles
US20060124026A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 3M Innovative Properties Company Polishing solutions
DE102004061700A1 (de) * 2004-12-22 2006-07-06 Degussa Ag Aluminiumoxidpulver, Dispersion und Beschichtungszusammensetzung
KR20060077353A (ko) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전자주식회사 슬러리 조성물, 이를 이용한 가공물의 연마방법 및 반도체장치의 콘택 형성방법
US7419519B2 (en) * 2005-01-07 2008-09-02 Dynea Chemicals Oy Engineered non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization
EP1871855B1 (de) 2005-03-25 2010-03-24 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C. In chemisch-mechanischen reinigungszusammensetzungen verwendete dihydroxy-enol-verbindungen mit metall-ionen-oxidationsmitteln
CN1865387A (zh) * 2005-05-17 2006-11-22 安集微电子(上海)有限公司 抛光浆料
WO2006125462A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Freescale Semiconductor, Inc Cleaning solution for a semiconductor wafer
US7576361B2 (en) * 2005-08-03 2009-08-18 Aptina Imaging Corporation Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation
US7803203B2 (en) 2005-09-26 2010-09-28 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of semiconductor materials
KR101214060B1 (ko) 2005-09-26 2012-12-20 플레이너 솔루션즈 엘엘씨 화학적 기계적 연마 용도로 사용되기 위한 초고순도의 콜로이드 실리카
FR2891759B1 (fr) * 2005-10-12 2009-04-10 Kemesys Suspension aqueuse abrasive a base de particules de dioxyde de cerium et de silice pour le polissage de surfaces de materiaux
US8685123B2 (en) * 2005-10-14 2014-04-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Abrasive particulate material, and method of planarizing a workpiece using the abrasive particulate material
US7435162B2 (en) * 2005-10-24 2008-10-14 3M Innovative Properties Company Polishing fluids and methods for CMP
US7265055B2 (en) * 2005-10-26 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP of copper/ruthenium substrates
JP4753710B2 (ja) * 2005-12-22 2011-08-24 花王株式会社 ハードディスク基板用研磨液組成物
US7897061B2 (en) 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
US20070259016A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Hodge Robert L Method of treating crops with submicron chlorothalonil
US7368066B2 (en) * 2006-05-31 2008-05-06 Cabot Microelectronics Corporation Gold CMP composition and method
US8759216B2 (en) 2006-06-07 2014-06-24 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for polishing silicon nitride materials
US7998228B2 (en) * 2006-07-19 2011-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Tantalum CMP compositions and methods
US20080020680A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cabot Microelectronics Corporation Rate-enhanced CMP compositions for dielectric films
US20100273330A1 (en) * 2006-08-23 2010-10-28 Citibank N.A. As Collateral Agent Rinse formulation for use in the manufacture of an integrated circuit
JP2008135453A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
JP2008135452A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
US20080148652A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Compositions for chemical mechanical planarization of copper
WO2008085813A2 (en) * 2007-01-03 2008-07-17 Nanosys, Inc, Et Al. Methods for nanopatterning and production of nanostructures
US20090136785A1 (en) * 2007-01-03 2009-05-28 Nanosys, Inc. Methods for nanopatterning and production of magnetic nanostructures
WO2008089177A2 (en) * 2007-01-15 2008-07-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Ceramic particulate material and processes for forming same
US20080242106A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Anuj Sarveshwar Narain CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING MATERIAL RE-DEPOSITION DUE TO pH TRANSITIONS
US20090001339A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Tae Young Lee Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same
KR20090002506A (ko) * 2007-06-29 2009-01-09 제일모직주식회사 상변화 메모리 소자 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법
EP2188344B1 (de) 2007-09-21 2016-04-27 Cabot Microelectronics Corporation Polierzusammensetzung und verfahren anhand von aminosilanbehandelten schleifpartikeln
MY147729A (en) * 2007-09-21 2013-01-15 Cabot Microelectronics Corp Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
US7985719B2 (en) * 2008-04-28 2011-07-26 Ward Irl E Cutting and lubricating composition for use with a wire cutting apparatus
US8405420B2 (en) 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8754533B2 (en) 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US9711407B2 (en) 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8258810B2 (en) 2010-09-30 2012-09-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US7986042B2 (en) * 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8384426B2 (en) 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US12027518B1 (en) 2009-10-12 2024-07-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US11984445B2 (en) 2009-10-12 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with metal layers
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8148728B2 (en) 2009-10-12 2012-04-03 Monolithic 3D, Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8298875B1 (en) 2011-03-06 2012-10-30 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
KR101200526B1 (ko) 2010-06-09 2012-11-13 주식회사 엔유씨전자 마그네슘계 금속의 금속 질감을 구현할 수 있는 마그네슘 표면처리 방법
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
US8613897B2 (en) * 2010-08-10 2013-12-24 Uop Llc Densified fumed metal oxides and methods for producing the same
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11984438B2 (en) 2010-10-13 2024-05-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8283215B2 (en) 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US12033884B2 (en) 2010-11-18 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
TWI573864B (zh) 2012-03-14 2017-03-11 卡博特微電子公司 具有高移除率及低缺陷率之對氧化物及氮化物有選擇性之cmp組成物
US8916061B2 (en) 2012-03-14 2014-12-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US9633863B2 (en) 2012-07-11 2017-04-25 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for selective polishing of silicon nitride materials
US8518135B1 (en) * 2012-08-27 2013-08-27 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing hybrid abrasive for nickel-phosphorous coated memory disks
KR102198376B1 (ko) * 2012-11-02 2021-01-04 로렌스 리버모어 내쇼날 시큐리티, 엘엘시 표면 활성의 손실없이 대전된 콜로이드의 응집을 방지하는 방법
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11967583B2 (en) 2012-12-22 2024-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11961827B1 (en) 2012-12-22 2024-04-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US12051674B2 (en) 2012-12-22 2024-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
WO2015087771A1 (ja) * 2013-12-13 2015-06-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 金属酸化物膜付き物品
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9309442B2 (en) * 2014-03-21 2016-04-12 Cabot Microelectronics Corporation Composition for tungsten buffing
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11956952B2 (en) 2015-08-23 2024-04-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US11978731B2 (en) 2015-09-21 2024-05-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10515981B2 (en) 2015-09-21 2019-12-24 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with memory
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11991884B1 (en) 2015-10-24 2024-05-21 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US12035531B2 (en) 2015-10-24 2024-07-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US12016181B2 (en) 2015-10-24 2024-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with logic and memory
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US9944829B2 (en) * 2015-12-03 2018-04-17 Treliant Fang Halite salts as silicon carbide etchants for enhancing CMP material removal rate for SiC wafer
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
CN108250234A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 安集微电子(上海)有限公司 一种磷酸酯表面活性剂的合成工艺及其应用
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
KR102237346B1 (ko) * 2020-08-24 2021-04-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN115247026A (zh) * 2021-04-26 2022-10-28 福建晶安光电有限公司 一种蓝宝石抛光液及其制备方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615955A (en) * 1969-02-28 1971-10-26 Ibm Method for polishing a silicon surface
US3930870A (en) * 1973-12-28 1976-01-06 International Business Machines Corporation Silicon polishing solution preparation
US3869323A (en) * 1973-12-28 1975-03-04 Ibm Method of polishing zinc selenide
US3869324A (en) * 1973-12-28 1975-03-04 Ibm Method of polishing cadmium telluride
US3911562A (en) * 1974-01-14 1975-10-14 Signetics Corp Method of chemical polishing of planar silicon structures having filled grooves therein
US3922393A (en) * 1974-07-02 1975-11-25 Du Pont Process for polishing silicon and germanium semiconductor materials
US3951710A (en) * 1974-09-13 1976-04-20 International Business Machines Corporation Method for removing copper contaminant from semiconductor surfaces
US3979239A (en) * 1974-12-30 1976-09-07 Monsanto Company Process for chemical-mechanical polishing of III-V semiconductor materials
US4057939A (en) * 1975-12-05 1977-11-15 International Business Machines Corporation Silicon wafer polishing
DE2739776A1 (de) * 1976-09-07 1978-03-16 Procter & Gamble Reinigungsmittel
US4108716A (en) * 1976-12-22 1978-08-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Polishing of CdS crystals
US4169337A (en) * 1978-03-30 1979-10-02 Nalco Chemical Company Process for polishing semi-conductor materials
US4184908A (en) * 1978-10-05 1980-01-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for polishing cadmium sulfide semiconductors
US4323422A (en) * 1980-04-24 1982-04-06 Calawa Arthur R Method for preparing optically flat damage-free surfaces
US4549374A (en) * 1982-08-12 1985-10-29 International Business Machines Corporation Method for polishing semiconductor wafers with montmorillonite slurry
JPS5953317B2 (ja) * 1983-03-10 1984-12-24 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 非晶質酸化アルミニウム表面の化学的−機械的研摩方法
US4600469A (en) * 1984-12-21 1986-07-15 Honeywell Inc. Method for polishing detector material
JPS6225187A (ja) * 1985-07-25 1987-02-03 Fujimi Kenmazai Kogyo Kk メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4671851A (en) * 1985-10-28 1987-06-09 International Business Machines Corporation Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique
US4671852A (en) * 1986-05-07 1987-06-09 The Standard Oil Company Method of forming suspended gate, chemically sensitive field-effect transistor
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
JPH01187930A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 研磨剤及び研磨方法
US4793895A (en) * 1988-01-25 1988-12-27 Ibm Corporation In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection
JP2643262B2 (ja) * 1988-03-23 1997-08-20 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US4962064A (en) * 1988-05-12 1990-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method of planarization of topologies in integrated circuit structures
US4954459A (en) * 1988-05-12 1990-09-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method of planarization of topologies in integrated circuit structures
US4910155A (en) * 1988-10-28 1990-03-20 International Business Machines Corporation Wafer flood polishing
JP2714411B2 (ja) * 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
US5084071A (en) * 1989-03-07 1992-01-28 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US4954142A (en) * 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US5188987A (en) * 1989-04-10 1993-02-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device using a polishing step prior to a selective vapor growth step
US5234867A (en) * 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
US5137544A (en) * 1990-04-10 1992-08-11 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5157876A (en) * 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5081421A (en) * 1990-05-01 1992-01-14 At&T Bell Laboratories In situ monitoring technique and apparatus for chemical/mechanical planarization endpoint detection
US5094972A (en) * 1990-06-14 1992-03-10 National Semiconductor Corp. Means of planarizing integrated circuits with fully recessed isolation dielectric
US4992135A (en) * 1990-07-24 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore
US5036015A (en) * 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
US5064683A (en) * 1990-10-29 1991-11-12 Motorola, Inc. Method for polish planarizing a semiconductor substrate by using a boron nitride polish stop
US5194344A (en) * 1991-03-26 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles including chemically mechanically planarizing
US5137597A (en) * 1991-04-11 1992-08-11 Microelectronics And Computer Technology Corporation Fabrication of metal pillars in an electronic component using polishing
US5069002A (en) * 1991-04-17 1991-12-03 Micron Technology, Inc. Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers
US5225358A (en) * 1991-06-06 1993-07-06 Lsi Logic Corporation Method of forming late isolation with polishing
US5124780A (en) * 1991-06-10 1992-06-23 Micron Technology, Inc. Conductive contact plug and a method of forming a conductive contact plug in an integrated circuit using laser planarization
US5169491A (en) * 1991-07-29 1992-12-08 Micron Technology, Inc. Method of etching SiO2 dielectric layers using chemical mechanical polishing techniques
US5246884A (en) * 1991-10-30 1993-09-21 International Business Machines Corporation Cvd diamond or diamond-like carbon for chemical-mechanical polish etch stop
US5663224A (en) * 1991-12-03 1997-09-02 Rohm And Haas Company Process for preparing an aqueous dispersion
US5240552A (en) * 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
US5223734A (en) * 1991-12-18 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Semiconductor gettering process using backside chemical mechanical planarization (CMP) and dopant diffusion
US5196353A (en) * 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
US5229331A (en) * 1992-02-14 1993-07-20 Micron Technology, Inc. Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology
US5245790A (en) * 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
US5270241A (en) * 1992-03-13 1993-12-14 Micron Technology, Inc. Optimized container stacked capacitor DRAM cell utilizing sacrificial oxide deposition and chemical mechanical polishing
US5162248A (en) * 1992-03-13 1992-11-10 Micron Technology, Inc. Optimized container stacked capacitor DRAM cell utilizing sacrificial oxide deposition and chemical mechanical polishing
US5222329A (en) * 1992-03-26 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials
US5245794A (en) * 1992-04-09 1993-09-21 Advanced Micro Devices, Inc. Audio end point detector for chemical-mechanical polishing and method therefor
US5264010A (en) * 1992-04-27 1993-11-23 Rodel, Inc. Compositions and methods for polishing and planarizing surfaces
US5267418A (en) * 1992-05-27 1993-12-07 International Business Machines Corporation Confined water fixture for holding wafers undergoing chemical-mechanical polishing
US5209816A (en) * 1992-06-04 1993-05-11 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing aluminum containing metal layers and slurry for chemical mechanical polishing
US5225034A (en) * 1992-06-04 1993-07-06 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing predominantly copper containing metal layers in semiconductor processing
US5265370A (en) * 1992-07-31 1993-11-30 Wold Leroy Collapsible fishook
US5232875A (en) * 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US5234868A (en) * 1992-10-29 1993-08-10 International Business Machines Corporation Method for determining planarization endpoint during chemical-mechanical polishing
US5272117A (en) * 1992-12-07 1993-12-21 Motorola, Inc. Method for planarizing a layer of material
US5271798A (en) * 1993-03-29 1993-12-21 Micron Technology, Inc. Method for selective removal of a material from a wafer's alignment marks
US5340370A (en) * 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing

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