DE69111413T2 - Halbleitervorrichtung und ihr herstellungsverfahren. - Google Patents

Halbleitervorrichtung und ihr herstellungsverfahren.

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3319869B2 (ja) * 1993-06-24 2002-09-03 三菱電機株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
US5330931A (en) * 1993-09-22 1994-07-19 Northern Telecom Limited Method of making a capacitor for an integrated circuit
CA2106713C (en) * 1993-09-22 1999-06-01 Ismail T. Emesh Structure and method of making a capacitor for an integrated circuit
EP1803814A1 (de) * 2005-12-27 2007-07-04 SIGMA-TAU Industrie Farmaceutiche Riunite S.p.A. Methode zur Verbesserung der Antikörperselektionskapazität in einer Phagen-Display-Bibliothek

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261355A (ja) * 1985-09-11 1987-03-18 Oki Electric Ind Co Ltd Ｍｏｓ型半導体素子の製造方法
DE3850567T2 (de) * 1988-04-22 1994-11-03 Ramtron Int Corp DRAM-Zelle mit verstärkter Ladung.
JPH0249471A (ja) * 1988-05-27 1990-02-19 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
JPH0294559A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JPH02183569A (ja) * 1989-01-10 1990-07-18 Seiko Epson Corp 強誘電体記憶装置

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