DE69108079T2

DE69108079T2 - Sputteranlage.

Info

Publication number: DE69108079T2
Application number: DE69108079T
Authority: DE
Inventors: Jiro Ikeda
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1990-03-30
Filing date: 1991-03-26
Publication date: 1995-11-02
Anticipated expiration: 2011-03-27
Also published as: KR100192985B1; KR910017381A; EP0449227A3; ATE119948T1; US5135635A; EP0449227B1; EP0449227A2; DE69108079D1

Description

Hintergrund der Erfindung

1. Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft eine Sputteranlage, wie sie zum Herstellen optischer Platten verwendet wird, die einen Reflexionsfilm aus einem metallischen Material wie Aluminium aufweisen, das auf einem Plattensubstrat abgeschieden ist, und insbesondere betrifft sie eine Sputteranlage, die dazu in der Lage ist, eine Sputterbehandlung für ein Plattensubstrat der Reihe nach auszuführen.

2. Beschreibung des Stands der Technik

Es wurden optische Platten vorgeschlagen, die so ausgebildet sind, daß sie es ermöglichen, vorgegebene Informationssignale wie Audio- oder Videosignale aufzuzeichnen. Eine optische Platte weist ein Plattensubstrat aus einem Material wie Polycarbonat oder Acrylharz mit darin ausgebildeten Vertiefungen oder Gräben auf, die mit einem Reflexionsfilm aus einem metallischen Material wie Aluminium beschichtet ist.
Zu Beschichtungsverfahren für ein Plattensubstrat mit einem metallischen Material gehören Abscheidung im Vakuum, Ionenplattierung und Sputterverfahren.
Zur Abscheidung im Vakuum und zu Ionenplattierungsverfahren gehören die Schritte des Aufheizens eines Metallmaterials (Verdampfungsquelle), um das Metallmaterial in einer Vakuumkammer zu verdampfen und ein Plattensubstrat dem Dampf des Metallmaterials auszusetzen, um das Metallmaterial auf dem Substrat abzuscheiden. Massenherstellung optischer Platten durch diese Verfahren muß sich auf ein sogenanntes Chargenherstellsystem stützen, bei dem eine Vielzahl optischer Platten durch gleichzeitige Verdampfung des Metallmaterials unter Verwendung einer großen Vakuumkammer, die gleichzeitig mehrere optische Platten aufnehmen kann, hergestellt werden. Daher wird das Herstellsystem nicht nur strukturmäßig komplizierter und größer, sondern es werden auch die sich ergebenden Erzeugnisse an verschiedenen Positionen in der Vakuumkammer hinsichtlich der Qualität ungleichmäßig.
Im Gegensatz hierzu hat das Sputterverfahren die Vorteile, daß die Behandlung innerhalb einer kurzen Zeitspanne abgeschlossen wird, daß aufeinanderfolgende Behandlungen möglich sind und daß das Beschichten einzelner Plattensubstrate unter denselben Bedingungen ausgeführt werden kann. Demgemäß kann die Verwendung eines Sputterverfahrens nicht nur Substrate mit gleichmäßiger Beschichtung ergeben, sondern dieses Verfahren kann auch gut mit Massenherstellung und Herstellung für mehrere Arten fertig werden.
Zur Sputterbehandlung gehört das Einfüllen eines Entladungsgases wie Argon unter geringem Druck in eine Vakuumkammer, in der Plattensubstrate und ein Metallmaterial (Target) wie Aluminium angeordnet sind, das Errichten eines elektrischen Felds in der Vakuumkammer zum Ionisieren des Entladungsgases und das Auftreffenlassen von Atomen und Molekülen aus dem Metallmaterial mit dem ionisierten Entladungsgas. Das heißt, daß in der Vakuumkammer das Entladungsgas ionisiert wird und mit dem Metallmaterial zusammenstößt. Das Metallmaterial wird dadurch verstreut, wodurch das verstreute Metallmaterial auf den Plattensubstraten abgeschieden wird, um auf diesen dünne Filme auszubilden.
Es wurde eine Sputteranlage zum Ausführen dieser Sputterbehandlung vorgeschlagen, die so konzipiert ist, daß sie aufeinanderfolgende Sputterbehandlungen an mehreren Plattensubstraten dadurch ausführt, daß ein plattenähnlicher Trägertisch verdreht wird, auf dem die mehreren Plattensubstrate in Umfangsrichtung angeordnet sind, wie z. B. in Fig. 1 dargestellt.
Die Sputteranlage ist so konzipiert, daß der Innendruck auf einem Vakuum vorgegebenen Ausmaßes gehalten wird, und sie verfügt über eine Vakuumkammer 103, die mit einer Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 ausgebildet ist, durch die Plattensubstrate 100 geladen und entladen werden und sie weist einen Sputterbehandlungsteil 102 zum Ausführen von Sputterbehandlungen auf. Die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 ist mit einem Verschluß 104a versehen, um den Innendruck in der Vakuumkammer 103 aufrechtzuerhalten, welcher Verschluß von der Vakuumkammer 103 gehalten und zu dieser hin und von dieser weg bewegt wird.
Andererseits weist der Sputterbehandlungsteil 102 eine Plattenbehandlungsöffnung 105, die ähnlich wie die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 ausgebildet ist, und einen zylindrischen Behandlungsteil 106 auf, der auf der Vakuumkammer 103 so angebracht ist, daß der Teil 106 die Oberseite der Plattenbehandlungsöffnung 105 abdeckt. Ein Metallmaterial (Target) 107, das auf das Substrat 100 gesputtert wird, ist im Behandlungsteil 106 angeordnet, und Argongas und dergleichen werden unter niedrigem Druck dort eingefüllt.
Ein plattenähnlicher Trägertisch 108, der der Reihe nach mehrere Plattensubstrate 100 zwischen der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 und dem Sputterbehandlungsteil 102 befördert, ist in der Vakuumkammer 103 angeordnet. Der Trägertisch 108 wird auf einer Drehwelle 108a gehalten, die in die Vakuumkammer 103 vorsteht und durch eine (nicht dargestellte) Antriebseinrichtung so angetrieben wird, daß sie sich um ihre Achse dreht. Der Trägertisch 108 ist mit einer kreisförmigen Positionieraussparung 108b ausgebildet, auf der das Plattensubstrat 100 ruht. Eine Schale 109, die das Plattensubstrat 100 durch Ausrichten eines Zentrierlochs 100a des Plattensubstrats 100 mit der Aussparung 108b positioniert, ist in die Aussparung 108b eingepaßt. Die Schale 109 ist als Platte ausgebildet, die einen Durchmesser aufweist, der geringfügig größer als der Außendurchmesser des Plattensubstrats 100 ist, und sie ist im wesentlichen in ihrer Mitte mit einem Vorsprung 109a versehen, der durch das einspannende Zentrierloch des Plattensubstrats 100 geht. Ein Durchgangsloch 108c, durch das Hochschiebestäbe 110 und 111 zum Hochschieben der Schale 109 dringen, ist im wesentlichen in der Mitte der Positionieraussparung 108b des Trägertischs 108 ausgebildet.
Die Hochschiebestäbe 110 und 111 durchdringen Durchgangslöcher, die der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 bzw. dem Sputterbehandlungsteil 102 gegenüberstehen und sie erstrecken sich in das Innere der Vakuumkammer 103 und sie sind so konzipiert, daß sie durch eine (nicht dargestellte) Antriebseinrichtung in vertikaler Richtung verstellt werden. Wenn das Plattensubstrat 100 zu Positionen befördert werden, die der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 und dem Sputterbehandlungsteil 102 gegenüberstehen, werden die jeweiligen Hochschiebestäbe 110 und 111 nach oben verstellt, um die Schalen 109 und 109 um die Ränder der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 bzw. der Plattenbehandlungsöffnung 105 herum anzudrücken, damit die Vakuumkammer 103 nach außen (zur Atmosphäre) abgedichtet ist. Wenn das Plattensubstrat 100 durch die Öffnung 101 entnommen wird und die Sputterbehandlung im Sputterbehandlungsteil 102 abgeschlossen ist, werden die jeweiligen Hochschiebestäbe 110 und 112 zum Boden der Vakuumkammer 103 verstellt.
In der so aufgebauten Sputteranlage werden die mehreren von der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 her zugeführten Plattensubstrate 100 der Reihe nach zum Sputterbehandlungsteil 102 befördert, wo sie der Reihe nach einer Sputterbehandlung unterzogen werden, und gleichzeitig damit wird das Entnehmen der durch Sputtern behandelten Plattensubstrate 100 und das Laden unbehandelter Plattensubstrate 100 auf den Trägertisch 108 ausgeführt.
Das Entnehmen eines durch Sputtern behandelten Plattensubstrats und das Zuführen eines unbehandelten, neuen Plattensubstrats D zum Trägertisch 108 wird ausgeführt, während die Schale 109 mit dem Hochschiebestab 110 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 101 gebracht wird. Die Vakuumkammer 103 wird durch ein Abdichtungsteil wie einen O-Ring abgedichtet, der entlang dem Umfangsrand der Schale 109 vorhanden ist, so daß verhindert wird, daß Atmosphäre in die Vakuumkammer 103 eindringt. Nach Beendigung dieses Vorgangs wird der Platteneinlaß und -auslaß 101 durch deh Verschluß 104a verschlossen und gleichzeitig damit wird die Vakuumkammer 103 durch Betätigen einer Vakuumpumpe auf einem gegebenen Vakuumdruck evakuiert, der sich zum Sputtern eignet.
Da der Trägertisch 108 plattenförmig ist und der Abstand zwischen der Oberseite des Trägertischs 108 und der Vakuumkammer 103 sehr klein ist, kann insbesondere die Evakuierung über dem Plattensubstrat nicht in ausreichender Weise erfolgen, so daß das Vakuumniveau in der Vakuumkammer 103 nicht gleichmäßig gemacht werden kann. Wenn das Vakuumniveau auf solche Weise unzureichend ist, werden Restfremdstoffe wie Wasser oder Gas, die im Plattensubstrat D zurückblieben, verteilt und scheiden sich auf einer Sputterelektrode und dergleichen ab, was dazu führt, daß kein ausgezeichneter Film hergestellt werden kann.
Auf Grund der Tatsache, daß die Schale sehr schwer ist und daß der Druck im Sputterbehandlungsteil 102 bis zu ungefähr 130 kg/m² ausmacht, ist die Verschlechterung des (nicht dargestellten) O-Rings zum Abdichten des Raums zwischen dem Hochschiebestab 111 zum Halten der Schale 109 und der Vakuumkammer 103 beachtlich.

Aufgaben und Zusammenfassung der Erfindung

Eine bekannte Sputteranlage (EP-A-0 291 690) weist eine Vakuumkammer mit einer Zuführöffnung für eine zu beschichtende Platte auf. Im Inneren der Kammer ist ein Drehtisch angeordnet, der Platten zwischen dem Bereich der Öffnung und dem Sputterbereich hin- und herbewegt. Durch Anhebeschalen, die in Aussparungen des Drehtischs angeordnet sind, werden die Platten angehoben und abgesenkt. Außerhalb der Vakuumkammer ist ein Schwenkarm zum Transportieren der Platten zur Öffnung, zum Verschließen der Öffnung von außen und zum erneuten Entnehmen der beschichteten Platten vorhanden.
Auf Grund des Drehtischs mit großer Querschnittsfläche kann kaum gleichmäßiges Vakuum erhalten werden, insbesondere nicht im Sputterabschnitt über den Platten.
Eine weitere Sputteranlage (US-A-3,915,117) weist mehrere Vakuumkammern auf, d.h. mindestens eine Ladekammer und eine Beschichtungskammer. Die Platten werden durch einen Dreharm zwischen den Kammern hin- und herbewegt. Wenn eine zu beschichtende Platte geladen wird, wird die Ladekammer geöffnet, wodurch das Vakuum in dieser Kammer verlorengeht. Nach dem Laden wird erneut Vakuum in dieser Kammer hergestellt.
Bei einer Anlage dieses Typs wird sehr viel Energie vergeudet, wenn das Vakuum immer wieder hergestellt wird.
Eine andere bekannte Sputteranlage (EP-A-0 354 297 oder EP-A- 0 433 049) weist einen Drehtisch in einer Vakuumkammer auf, der die zu beschichtenden Platten paarweise jeweils zu einer Beschichtungsstation verdreht. Die Platten werden über komplexe Raststationen über Greifzangen von einem Magazin aus zugeführt.
Im Sputtergerät gemäß EP-A-0 443 049 (unter Artikel 54(3) EPC fallend (hinsichtlich eines erfinderischen Schritts nicht relevant)) werden die zu beschichtenden Platten einzeln über einen Verschluß zugeführt. Eine Platte wird durch Saugnäpfe an der Unterseite des Verschlusses fixiert. Während des Beschichtens der Platte dichtet der Verschluß die Vakuumkammer ab. Wenn der Verschluß mit der beschichteten Platte entfernt wird, wird die Öffnung der Vakuumkammer durch einen Plattenhalter abgedichtet, bis der Verschluß eine andere Platte aufgenommen hat und erneut die Öffnung abdichtet. Jedoch ergibt bei einer solchen Sputteranlage das automatische Handhaben der Platten nur einen kleinen Plattendurchsatz.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Sputteranlage zu schaffen, die dazu in der Lage ist, an einem Plattensubstrat eine Sputterbehandlung hoher Qualität zu erzielen.
Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung, eine Sputteranlage zu schaffen, die dazu in der Lage ist, zwischen dem Inneren einer Vakuumkammer und der Atmosphäre eine Zwangsabdichtung vorzunehmen und das Innere der Vakuumkammer augenblicklich durch eine kompakte Vakuumpumpe mit einem vorgegebenen Vakuumniveau zu versehen.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Sputteranlage zu schaffen, die in einer Vakuumkammer für ein gleichmäßiges Vakuumniveau sorgen kann.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Sputteranlage zu schaffen, die dazu in der Lage ist, das Laden und Entladen von durch Sputtern zu behandelnden Teilen in eine Vakuumkammer bzw. aus einer solchen augenblicklich auszuführen.
Um die vorstehende Aufgabe zu lösen, weist die erfindungsgemäße Sputteranlage folgendes auf: eine Vakuumkammer mit einer Zuführöffnung, durch die ein durch Sputtern zu behandelndes Teil in die Kammer geladen und aus dieser entladen wird, und mit einem Sputterbehandlungsteil; einem Verschluß zum Verschließen der Zuführöffnung; einer Schale mit einer im wesentlichen in ihrer Mitte ausgebildeten Öffnung, auf der das durch Sputtern zu behandelnde Teil angeordnet wird; einem Hochschiebestab, der vertikal zur Zuführöffnung hin und von dieser weg verstellbar ist, mit einer Verschlußseite zum Verschließen der Öffnung der Schale von der unteren Seite der Schale her; und einer Transporteinrichtung zum Transportieren des Teils zwischen der Zuführöffnung und dem Sputterbehandlungsteil, während das zu behandelnde Teil auf der Schale liegt, wobei die Zuführöffnung der Vakuumkammer während der Sputterbehandlung durch den Verschluß verschlossen wird und die Zuführöffnung der Vakuumkammer durch die Schale und die Verschlußseite des Hochschiebestabs verschlossen wird, der die Öffnung an der Unterseite der Schale verschließt.

F. Betrieb

Die Zuführöffnung der Vakuumkammer wird durch die Schale und die Verschlußseite des Hochschiebestabs, der die Öffnung der Schale während des Ladens und Entladens zu behandelnder Teile nach oben hin verschließt, doppelt verschlossen, da die erfindungsgemäße Sputteranlage im wesentlichen in der Mitte der Schale, auf der das zu behandelnde Teil angeordnet wird, eine Öffnung aufweist, und da sie mit dem Hochschiebestab versehen ist, der eine Verschlußseite aufweist, um die Öffnung in Aufwärtsrichtung zu verschließen. Daher ist die Abdichtung zwischen der Innenseite der Vakuumkammer und der Atmosphäre so formschlüssig, daß ein Eindringen von Atmosphäre in die Vakuumkammer verhindert ist.
Wenn das Laden und Entladen des zu behandelnden Teils abgeschlossen sind, wird die Zuführöffnung der Vakuumkammer durch den Verschluß verschlossen und gleichzeitig damit wird der Hochschiebestab so eingetaucht, daß die Schale auf der Transporteinrichtung angeordnet wird und Evakuierung durch die Vakuumpumpe erfolgt. Da im wesentlichen in der Mitte der Schale eine Öffnung ausgebildet ist, erfolgt Evakuierung über dem Plattensubstrat durch diese Öffnung hindurch, und Wasser und Gas und dergleichen, die im Plattensubstrat enthalten sind, werden zusammen mit der Luft abgepumpt. Daher wird das Vakuumniveau gleichmäßig und Abscheidung an der Sputterelektrode auf Grund einer Verteilung von Gas und Wasser wird vermieden, wodurch eine ausgezeichnete Sputterbehandlung erzielt werden kann.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Andere Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden beim Lesen der detaillierten Beschreibung der Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Zeichnungen deutlicher, in denen:
Fig. 1 ein Längsschnitt ist, der ein Beispiel einer bekannten Sputteranlage zeigt;
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht ist, die ein Ausführungsbeispiel einer Herstellanlage für optische Platten zeigt;
Fig. 3 ein Längsschnitt durch eine Vakuumkammer der Anlage ist;
Fig. 4 ein Querschnitt durch die Vakuumkammer ist;
Fig. 5 ein vergrößerter Längsschnitt ist, der Hauptkomponenten der Vakuumkammer auf der Seite der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung zeigt;
Fig. 6 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der den Zustand bei geladenem Plattensubstrat zeigt;
Fig. 7 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der den Zustand zeigt, wenn der Ladevorgang für das Plattensubstrat abgeschlossen ist;
Fig. 8 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der den Zustand zeigt, wenn der Transport eines Plattensubstrats zu einem Sputterbehandlungsteil abgeschlossen ist;
Fig. 9 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der einen Zustand zeigt, bei dem das Plattensubstrat einer Sputterbehandlung unterzogen wird;
Fig. 10 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der einen Zustand zeigt, wenn die Sputterbehandlung abgeschlossen ist;
Fig. 11 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der einen Zustand zeigt, wenn der Transport des Plattensubstrats zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung abgeschlossen ist;
Fig. 12 ein Längsschnitt durch die Vakuumkammer ist, der einen Zustand zeigt, wenn das Plattensubstrat entladen ist;
Fig. 13 ein Längsschnitt ist, der ein anderes Beispiel einer Schale zeigt, die eine Herstellanlage für optische Platten bildet;
Fig. 14 ein Längsschnitt ist, der ein weiteres Beispiel einer Schale ist, die eine Herstellanlage für optische Platten bildet;
(die Ausführungsformen gemäß den Fig. 2 - 14 sind nicht erfindungsgemäß)
Fig. 15 ein Längsschnitt ist, der eine Vakuumkammer eines Ausführungsbeispiels einer Herstellanlage für optische Platten zeigt;
Fig. 16 ein Querschnitt durch die Vakuumkammer ist;
Fig. 17 bis 25 Thängsansichten sind, die der Reihe nach einen Sputterprozeß veranschaulichen, wie er von der Herstellanlage für optische Platten gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ausgeführt wird;
Fig. 17 einen Zustand zeigt, in dem eine Platteneinlaß- und -auslaßöffnung durch eine Schale verschlossen ist;
Fig. 18 einen Zustand zeigt, wenn ein Plattensubstrat geladen wird;
Fig. 19 einen Zustand zeigt, wenn der Ladevorgang für das Plattensubstrat abgeschlossen ist;
Fig. 20 einen Zustand zeigt, bei dem der Transport eines Plattensubstrats zu einem Sputterbehandlungsteil abgeschlossen ist;
Fig. 21 einen Zustand zeigt, bei dem das Plattensubstrat einer Sputterbehandlung unterzogen wird;
Fig. 22 einen Zustand zeigt, bei dem die Sputterbehandlung abgeschlossen ist;
Fig. 23 einen Zustand zeigt, bei dem der Transport des Plattensubstrats zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung abgeschlossen ist;
Fig. 24 einen Zustand zeigt, bei dem das Plattensubstrat entladen ist; und
Fig. 25 einen Zustand zeigt, bei dem die Verschlußseiten des Verschlusses vertauscht sind.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele

Eine Ausführungsform, bei der die Erfindung nicht vollständig eingesetzt ist, wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Bei dieser Ausführungsform ist die Sputteranlage auf eine Anlage zum Herstellen optischer Platten angewandt, wobei Plattensubstrate aus Kunststoff wie Polycarbonat- und Acrylharzen mit einem dünnen Film aus einem Metallmaterial wie Aluminium durch Sputtern versehen werden.
Die Herstellanlage für optische Platten weist eine in einem (nicht dargestellten) rechteckigen Gehäuse 1 untergegebrachte Vakuumkammer 2 und ein Evakuiersystem mit einer Vakuumpumpe und dergleichen auf, das unter der Vakuumkammer 2 angeordnet ist, wie in Fig. 2 dargestellt.
Die Vakuumkammer ist so ausgebildet, wie es in den Fig. 3 und 4 dargestellt ist, damit sie durch die Vakuumpumpe so evakuiert wird, daß der Innendruck auf einem vorgegebenen Vakuumdruck gehalten wird. Eine Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3, durch die unbehandelte und behandelte Plattensubstrate geladen und entladen werden, liegt neben einem Sputterbehandlungsteil 4, in dem Sputterbehandlungen an den Plattensubstraten auf der Oberseite der Vakuumseite 2 ausgeführt werden.
Die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 ist als Zuführöffnung ausgebildet, durch die unbehandelte und behandelte Plattensubstrate in die Vakuumkammer 2 geladen und aus dieser entladen werden, und sie ist mit im wesentlichen Kreisform ausgebildet, mit einem Durchmesser, der größer ist als die Außenabmessung der Plattensubstrate und zwar abhängig von der Form dieser Plattensubstrate. Ein Verschluß 5, der die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 öffnen und verschließen kann, ist über dieser angeordnet. Der Verschluß 5 wird von einem (nicht dargestellten) Haltemechanismus so gehalten, daß er in der Richtung von Pfeilen A&sub1; und A&sub2; in Fig. 3 zur Vakuumkammer 2 hin und von dieser weg verstellt wird. Der Verschluß 5 wird zur Vakuumkammer 2 hin bewegt, um in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 zu kommen, um diese Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 zu verschließen, und er wird von der Vakuumkammer 2 wegbewegt, um die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 zu öffnen. Der Verschluß 5 weist auf der der Platteneinlaßund -auslaßöffnung 3 zugewandten Seite Saugkissen 5a auf. Das Plattensubstrat wird durch die Saugkissen 5a angesaugt, so daß das Laden und Entladen eines Plattensubstrats durch die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung und aus dieser ausgeführt werden.
Ein Abdichtungsteil wie ein O-Ring 5b ist entlang dem Umfangsrand an der Unterseite desselben vorhanden, so daß Luftdichtheit innerhalb der Vakuumkammer 2 aufrechterhalten wird, wenn der Umfangsrand des Verschlusses 5 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 gebracht wird.
Der Sputterbehandlungsteil 4 weist eine Plattenbehandlungsöffnung 6, die auf ähnliche Weise wie die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 ausgebildet ist, und einen Behandlungsteil 7 auf, um den Innendruck in der Vakuumkammer 2 auf Vakuumdruck zu halten und der so auf der Vakuumkammer 2 angeordnet ist, daß er die Oberseite der Plattenbehandlungsöffnung 6 abdeckt. Der Behandlungsteil 7 weist einen zylindrischen Mantel mit geschlossenem oberem Ende auf, und er ist mit einem Metallmaterial (Target) 8, das zum Sputtern verwendet wird, und einem Entladungsgas unter niedrigem Druck wie Argon, das für die Sputterbehandlung erforderlich ist, beladen. Ein vorgegebenes elektrostatisches Feld ist im Behandlungsteil 7 errichtet.
Ein Schwenkarm 9, der eine Transporteinrichtung zum Verschieben des Plattensubstrats zwischen der Platteneinlaß-und -auslaßöffnung 3 und dem Sputterbehandlungsteil 4 bildet, ist in der Vakuumkammer 2 angeordnet. Der Schwenkarm 9 ist nur am freien Ende, auf dem das Plattensubstrat ruht, plattenförmig ausgebildet, und er ist am Trägerende verjüngt ausgebildet. Der Schwenkarm 9 ist an seinem Trägerende mit dem oberen Ende einer Drehwelle 10 verschraubt, die nach oben in die Vakuumkammer 2 vorspringt, und er wird um deren Achse in den durch Pfeile L&sub1; und L&sub2; in Fig. 4 repräsentierten Richtungen durch eine (nicht dargestellte) Antriebseinrichtung verschwenkt. Zum Beispiel wird der Schwenkarm 9 über einen in Fig. 4 durch θ repräsentierten Winkel von ungefähr 90º verschwenkt, um das Transportieren der Plattensubstrate zwischen einer Position unter der Platteneinlaß-und -auslaßöffnung 3 und einer Position unter dem Sputterbehandlungsteil 4 zu erzielen. O-Ringe zum Aufrechterhalten von Luftdichtheit in der Vakuumkammer 2 sind in einem (nicht dargestellten) Durchgangsloch angeordnet, das in den Boden der Vakuumkammer gebohrt ist, durch den sich die Drehwelle 10 in daslnnere der Vakuumkammer 2 hinein erstreckt.
Eine kreisförmige Positionieraussparung 9a, auf der ein Plattensubstrat ruht, ist an der Oberseite des Schwenkarms 9 an dessen freiem Ende ausgebildet. Ein Durchgangsloch 9b ist durch die Mitte der Aussparung 9a gebohrt. Hochschiebestäbe 12 und 13, die nachfolgend beschrieben werden, erstrecken sich durch das Loch 9b. Eine Schale 11, auf der ein Plattensubstrat ruht, ist in die Aussparung 9a eingepaßt und ruht in dieser. Die Schale 11 ist als Platte mit einem Durchmesser geringfügig größer als die Außenabmessung des Plattensubstrats ausgebildet und sie verfügt an ihrer Oberseite über eine Plattenträgerfläche 21, dieder Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 gegenübersteht und auf der das Plattensubstrat angeordnet wird. Ein ringförmiges Abdichtteil 11a wie ein O-Ring ist so entlang dem Umfangsrand der Schale 11 angebracht, daß er die Plattenträgerfläche 21 umgibt. Das Abdichtungsteil ist so ausgebildet, daß es Lochdichtheit in der Vakuumkammer 2 aufrechterhält, wenn sich der Umfangsrand der Schale 11 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 an der Unterseite der Schale 11 befindet. Die Schale 11 ist im wesentlichen in ihrer Mitte mit einer kreisförmigen Öffnung 11b versehen, zu der hin sich nachfolgend beschriebene Hochschiebestäbe 12 und 13 erstrecken. Demgemäß kann das Gewicht der Schale 11 verringert werden, so daß die Kraft auf den Hochschiebestab 12 zum Hochdrücken der Schale nach oben kleiner gemacht werden kann und die Beständigkeit des O-Rings im Durchgangsloch 12a, das durch den Boden der Vakuumkammer 2 gebohrt ist und durch das sich der Hochschiebestab 12 in das Innere der Vakuumkammer 2 erstreckt, verlängert werden kann.
Die Öffnung 11b weist eine solche Abmessung auf, daß das auf der Plattenträgerfläche 21 angeordnete Plattensubstrat nicht durch sie hindurchfällt, und sie ist auf solche Weise ausgebildet, daß der Innendurchmesser von ihrer Ober-zur Unterseite allmählich zunimmt. Das heißt, daß die Innenumfangsfläche der Öffnung 11b so schräg verläuft, daß der Öffnungsdurchmesser zum Boden der Vakuumkammer 2 ausgehend von der Plattenträgerfläche 21 allmählich zunimmt.
Am Boden der Vakuumkammer 2 sind Hochschiebestäbe 12 und 13 vorhanden, die in der Richtung von Pfeilen B&sub1; und B&sub2; in Fig. 3 vertikal zum Platteneinlaß und -auslaß 3 bzw. der Plattenbehandlungsöffnung 6 hin- bzw. von diesen durch eine Antriebseinrichtung mit Steuerungseinrichtung (nicht dargestellt) verschoben werden.
Unter den Hochschiebestäben 12 und 13 ist der der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung zugewandte Hochschiebestab 12 an seinem oberen Ende mit einem kreisförmigen Positionierteil 14 versehen, der so verlängert ist, daß er in der in der Schale 11 ausgebildeten Öffnung 11b positioniert ist, um die Schale 11 zu positionieren, und er ist unter dem Teil 14 mit einem kreisförmigen Schalehochschiebeteil 15 mit einer Verschlußseite 15a versehen, die die Öffnung 11b der Schale 11 an deren Unterseite verschließt.
Der Positionierteil 14 weist eine schräge Außenumfangsfläche mit einem Durchmesser, der sich von ihrem unteren Ende zu ihrer Oberseite allmählich verringert, auf, und sie ist in der Form eines Konus entsprechend der Form der Öffnung der Schale 11 ausgebildet. Da der Positionierteil 14 mit einer schrägen Außenumfangsfläche mit verringertem Durchmesser am oberen Ende derselben versehen ist, der auf der Einführungsseite der verjüngten Öffnung 11b liegt, ist ein Einführvorgang in die Öffnung 11b formschlüssig und leicht.
Der Positionierteil 14 ist im wesentlichen in der Mitte seiner Oberseite mit einem kreisförmigen Vorsprung 14a versehen, der in das Zentrierloch des Plattensubstrats eingeführt ist, das auf der Schale 11 ruht, um das Plattensubstrat zu positionieren. Der Schalehochschiebeteil 15 ist als Platte mit einem Durchmesser ausgebildet, der kleiner als der Innendurchmesser des Durchgangslochs 9b des Schwenkarms 9 für den Hochschiebestab ist, und der größer als der Innendurchmesser der Öffnung 11b der Schale 11 ist, und sie ist im wesentlichen in ihrer Mitte mit dem Positionierteil 14 ausgebildet. Eine ringförmige Seite 15a zwischen dem Außenumfangsrand des Schalehochschiebeteils 15 und dem Positionierteil 14 legt eine Verschlußseite zum Verschließen der Öffnung 11b der Schale 11 fest, wenn der Hochschiebestab 12 sich so nach oben erstreckt, daß er am Boden der Schale 11 anstößt. Ein Abdichtungsteil 15b wie ein O-Ring oder dergleichen ist an der Oberseite des Schalehochschiebeteils 15 entlang dem Umfangsrand derselben angebracht, um Luftdichtheit in der Vakuumkammer 2 aufrechtzuerhalten, wenn der Umfangsrand des Schalehochschiebeteils 15 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Öffnung 11b der Schale 11 gebracht wird.
Am oberen Ende des Hochschiebestabs 13, das der Plattenbehandlungsöffnung 6 zugewandt ist, ist ein plattenförmiger Substrathochschiebeteil 16 ausgebildet, um ein auf der Schale 11 ruhendes Plattensubstrat zur Plattenbehandlungsöffnung 6 hochzuschieben. Der Substrathochschiebeteil 16 ist als Platte mit einem Durchmesser ausgebildet, der kleiner als der Innendurchmesser der Öffnung 11b der Schale 11 ist, und der größer ist als der Innendurchmesser des Zentrierlochs des Plattensubstrats, und sie verfügt über eine Oberseite, auf der das Plattensubstrat ruht. Demgemäß wird, wenn sich der Hochschiebestab 13 zur Plattenbehandlungsöffnung 6 hin erstreckt, nur das Plattensubstrat, das auf der Schale 11 ruhte, hochgeschoben, während es auf dem Substrathochschiebeteil 16 ruht. Ein zylindrischer Vorsprung 16a, der in das Zentrierloch des Plattensubstrats eingeführt wird, um dieses zu positionieren, ist im wesentlichen in der Mitte des Substrathochschiebeteils 16 vorhanden, damit ein Positionieren des Plattensubstrats relativ zum Substrathochschiebeteil 16 ausgeführt wird.
Abdichtungsteile wie ein O-Ring und dergleichen (nicht dargestellt) zum Aufrechterhalten von Luftdichtheit in der Vakuumkammer 2 sind in Durchgangslöchern 12a, 13a vorhanden, die in den Boden der Vakuumkammer 2 gebohrt sind und durch die sich die Hochschiebestäbe 12 und 13 in die Vakuumkammer 2 hinein erstrecken.
Die so ausgebildeten Hochschiebestäbe 12 und 13 werden so betätigt, daß sie sich nach oben erstrecken, wenn das Spitzenende des Schwenkarms 9 so positioniert wird, daß es der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 bzw. der Plattenbehandlungsöffnung 6 gegenübersteht. Das heißt, daß sich, wie dies in Fig. 6 dargestellt ist, der Positionierteil 14 des Hochschiebestabs 12 nach oben in die Öffnung 11b der Schale 11 erstreckt, die auf dem Schwenkarm 9 ruht, und zwar durch das Hochschiebestab-Durchgangsloch 9a hindurch, das im Schwenkarm 9 ausgebildet ist, so daß die Positionierung der Schale 11 ausgeführt wird und die Öffnung 11b der Schale 11 durch die Verschlußseite 15a am Schalehochschiebeteil 15 des Hochschiebestabs 12 verschlossen wird. Wenn der Hochschiebestab 12 weiter hochgeschoben wird, wird die Oberseite des Umfangsrands der Schale 11 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 gebracht und von dieser gehalten. Da die Abdichtungsteile 11a und 15b wie O-Ringe entlang den Umfangsrändern der Schale 11 bzw. des Schalehochschiebeteils 15 vorhanden sind, wird die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 durch die Schale 11 und die Verschlußseite 15b des Schalehochschiebeteils 15 doppelt verschlossen, der die Öffnung 11b der Schale an deren Unterseite verschließt, was zu einer absoluten Abdichtung zwischen der Vakuumkammer 2 und deren Außenseite führt.
Andererseits erstreckt sich der am oberen Ende des Hochschiebestabs 13 vorhandene Vorsprung 16a durch das Hochschiebestab-Durchgangsloch 9b im Schwenkarm 9 und die Öffnung 11b der Schale 11 hindurch, um in das Zentrierloch des auf der Schale 11 ruhenden Plattensubstrats eingepaßt zu werden, so daß das Plattensubstrat auf dem Substrathochschiebeteil 16 positioniert wird, wie es in Fig. 9 dargestellt ist. Wenn der Hochschiebestab 13 weiter hochgeschoben wird, wird das Plattensubstrat bis in die Nähe der Plattenbehandlungsöffnung 6 angehoben. Da nur das Plattensubstrat in der Plattenbehandlungsöffnung 6 angeordnet ist, entsteht ein Abstand zwischen dem Plattensubstrat und der Plattenbehandlungsöffnung 6.
Bei der so ausgebildeten Herstellanlage für optische Platten wird ein Transportvorgang für das Plattensubstrat zwischen der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 und dem Sputterbehandlungsteil 4 durch einen Schwenkarm 9 mit kleinem Schwenkwinkel ausgeführt, so daß die Vakuumkammer kompakte Größe und größeres Volumen aufweisen kann. Daher kann eine Vakuumpumpe zum Evakuieren der Kammer kompakt ausgebildet werden und die zum Evakuieren erforderliche Zeitspanne kann verkürzt werden.
Optische Platten werden wie folgt durch diese Herstellanlage für optische Platten hergestellt:
Die auf dem Schwenkarm 9 ruhende Schale 11 wird zunächst durch Hochschieben des der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 zugewandten Hochschiebstabs 12 in der Richtung des Pfeils B&sub1; in der Zeichnung zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3, wie in Fig. 6 dargestellt, so angehoben, daß der Umfangsrand der Schale 11 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 gebracht wird.
Dabei wird die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 durch die Schale 11 und die Verschlußseite 15a des Schalehochschiebeteils 15 am oberen Ende des Hochschiebestabs 12, der die Offnung 11b der Schale 11 an deren Unterseite verschließt, doppelt verschlossen. Da die Abdichtungsteile 11a und 15b an der Schale 11 bzw. dem Schalehochschiebeteil 15 vorhanden sind, wird die Abdichtung zwischen dem Inneren der Vakuumkammer 2 und der Atmosphäre absolut, so daß verhindert wird, daß Atmosphäre in die Vakuumkammer 2 eindringt. Da die Schale 11 mit der Öffnung 11b versehen ist, ist das Gewicht der Schale 11 gering, so daß keine hohe Last auf dem Hochschiebestab 12 ruht. Demgemäß ist die Beständigkeit des im Durchgangsloch, durch das sich der Hochschiebestab 12 in die Vakuumkammer 2 hinein erstreckt, verbessert.
Anschließend wird der Verschluß 5 in diesem Zustand von der Vakuumkammer 2 getrennt, so daß die Oberseite der Schale 11 nach oben durch die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 nach oben freiliegt. Ein zu behandelndes Plattensubstrat 200 wird auf der Schale 11 angeordnet.
Da der am oberen Ende des Hochschiebestabs 12 vorhandene Vorsprung 14a dabei von der Oberseite der Schale 11 hochspringt, erstreckt sich der Vorsprung 14a durch das Zentrierloch des Plattensubstrats. Demgemäß ruht das Plattensubstrat 200 auf der Schale 11 und ist auf dieser positioniert.
Das Vakuumniveau, das durch den Öffnungs- und Schließvorgang der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 verlorenging, wird dadurch wiederhergestellt, daß die Vakuumpumpe betrieben wird, während die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 dadurch durch den Verschluß 5 verschlossen wird, daß dieser nach unten verstellt wird, wie in Fig. 7 dargestellt. Dann wird die Schale 11 durch Zurückziehen des Hochschiebestabs 12 zur Seite, an der die Vakuumpumpe und dergleichen vorhanden sind, in der Richtung des Pfeils B&sub2; zum Verstellen der Schale 11 nach unten auf der Aussparung 9a des Schwenkarms 9 angeordnet.
Da die Schale 11 in ihrer Mitte mit der Offnung 11b versehen ist, erfolgt Abpumpen über dem Plattensubstrat 200 durch das Zentrierloch 201 des Plattensubstrats 200 hindurch. Demgemäß wird das Vakuumniveau über dem Plattensubstrat gleichmäßig und Wasser und Gas im Plattensubstrat 200 werden zusammen mit Luft abgepumpt. Da bei der vorliegenden Ausführungsform der Vakuumkammer 2 nur ein Schwenkarm 9 vorhanden ist, besteht kein Hindernis für das Evakuieren. Demgemäß kann ein vorgegebenes Vakuumniveau augenblicklich erreicht werden, z. B. in nicht mehr als einer Sekunde.
Nachdem die Schale 11 auf dem oberen Ende des Schwenkarms 9 angeordnet wurde, wird der Schwenkarm 9 in Richtung des Pfeils L&sub1; in der Zeichnung zum Sputterbehandlungsteil 4 so verschwenkt, daß das auf der Schale 11 ruhende Plattensubstrat 200 unter der Plattenbehandlungsöffnung 6 positioniert wird, wie in Fig. 7 dargestellt.
Wenn das Positionieren der Schale 11 abgeschlossen ist, wird der unter der Schale 11 in Fig. 8 liegende Hochschiebestab 13 in Richtung des Pfeils B&sub1; hochgeschoben, um das Plattensubstrat 200 in die Nähe der Plattenbehandlungsöffnung 6 zu verstellen wie in Fig. 9 dargestellt.
Da der Hochschiebestab 13 über einen Substrathochschiebeteil 16 verfügt, der als Platte mit einem Durchmesser ausgebildet ist, der kleiner ist als der Innendurchmesser der Öffnung 11b der Schale 11, und der größer als der Innendurchmesser des Zentrierlochs 201 des Plattensubstrats 200 ist, hebt der Stab 13 nur das Plattensubstrat 200 durch das Hochschiebestab-Durchgangsloch 9b und die Öffnung 11b in der Schale 11 an. Demgemäß kann die Kraft zum Anheben des Hochschiebestabs 13 kleiner sein und die Beständigkeit des O-Rings im Durchgangsloch 13a, durch das hindurch sich der Hochschiebestab 13 in die Vakuumkammer 2 hinein erstreckt, kann verbessert werden. Da der am oberen Ende des Hochschiebestabs 13 vorhandene Vorsprung 16a in das Zentrierloch 201 des Plattensubstrats 200 eingeführt ist, wird das Plattensubstrat 200 festgehalten, während es vom Hochschiebestab 13 positioniert wird.
Wenn die Position des Plattensubstrats 200 bezogen auf dieplattenbehandlungsöffnung 6 festgelegt wurde, wird die Sputterbehandlung des Plattensubstrats 200 begonnen.
Da zwischen dem Plattensubstrat und der Plattenbehandlungsöffnung 6 ein Abstand ausgebildet wird, wandern Wasser und Gas und dergleichen im Plattensubstrat 200 durch diesen Abstand zum Boden dieser Vakuumkammer 2. Daher wird eine Abscheidung dieser Gase auf der Sputterelektrode auf Grund einer Verteilung derselben vermieden, so daß ausgezeichnete Sputterbehandlung erzielt werden kann.
Nachdem die Sputterbehandlung abgeschlossen wurde, wird der Hochschiebestab 13 an der Seite abgesenkt, an der die Vakuumpumpe und dergleichen vorhanden sind, und zwar in Richtung des Pfeils B&sub2;, wie in Fig. 10 dargestellt, so daß das Plattensubstrat 12 auf der Schale 11 angeordnet wird. Nachdem das Plattensubstrat 200 auf die Schale 11 gelegt ist, wird der Schwenkarm 9 in Richtung des Pfeils L&sub2; in Fig. 3 zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 verschwenkt. Die Schale 11, auf der das Plattensubstrat 200 mit dem darauf ausgebildeten Dünnfilm aus Aluminium angeordnet ist, wird unter der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 positioniert, wie in Fig. 11 dargestellt.
Wenn die Schale 11 unter der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 positioniert ist, wird der Hochschiebestab 12 in der Richtung des Pfeils B&sub1; hochgeschoben, so daß die Schale 11 nach oben geschoben wird, wie in Fig. 12 dargestellt, so daß die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 durch die Schale 11 und die Verschlußseite 15a, die am Hochschiebestab 12 vorhanden ist und die die Öffnung 11b der Schale 11 an deren Unterseite verschließt, doppelt verschlossen ist.
Dann wird der Verschluß 5 von der Vakuumkammer 2 getrennt, so daß das auf der Schale 11 ruhende Plattensubstrat 200 durch die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 3 aus der Vakkumkammer 2 entnommen wird und ein neues Plattensubstrat 200 auf der Oberseite der Schale 11 positioniert und angeordnet wird.
Danach werden Plattensubstrate aufeinanderfolgend dadurch durch Sputtern behandelt, daß die vorstehend angegebenen Schritte der Reihe nach wiederholt werden.
Wenn optische Platten auf solche Weise unter Verwendung des erfindungsgemäßen Herstellgeräts für optische Platten hergestellt werden, kann ausgezeichnete Sputterbehandlung erzielt werden, um Metallfilme guter Qualität zu schaffen, die keine Gase enthalten, da Wasser und Gas und dergleichen, wie in den Plattensubstraten enthalten, nicht auf die Sputterelektrode und dergleichen verteilt werden.
Obwohl das Positionieren eines auf der Plattenträgerfläche 21 der Schale 11 ruhenden Plattensubstrats bei der vorstehend angegebenen Ausführungsform dadurch ausgeführt wird, daß der Vorsprung 14a, der von der Mitte des Positionierteils 14 am einen Hochschiebestab 12 hochsteht, in Eingriff mit dem Zentrierloch des Plattensubstrats gebracht wird, kann das Positionieren des Plattensubstrats so ausgeführt werden, daß der Außenumfang desselben, der auf der Schale 11 ruht, gehalten wird.
Das heißt, daß Plattenaufnahmeaussparungen 51 und 52 mit Abmessungen, die dem Außendurchmesser von Plattensubstraten entsprechen, an der Oberseite der Schale 11 ausgebildet sind, auf der ein Plattensubstrat angeordnet wird, wie in Fig. 13 dargestellt. In diesem Fall sind große und kleine Plattenaufnahmeaussparungen 51 und 52 entsprechend verschiedenen Größen von Plattensubstraten mit verschiedenen Tiefen so ausgebildet, daß jeweils Plattensubstrate mit verschiedenen Durchmessern darin positioniert werden können. Das Ausbilden der Plattenaufnahmeaussparungen 51 und 52 auf solche Weise ermöglicht es, ein auf der Schale 11 ruhendes Plattensubstrat an seinem Außenrand zu halten, wodurch es in den Plattenaufnahmeaussparungen 51 und 52 positioniert wird.
Die Plattenaufnahmeaussparungen 51 und 52 können stufenweise abhängig von den verschiedenen auf der Schale 11 ruhenden Plattensubstraten ausgebildet werden.
Wenn die Plattenaufnahmeaussparungen 51 und 52 auf solche Weise bereitgestellt werden, erübrigt sich der Vorsprung auf dem Hochschiebestab 12, der in das Zentrierloch eines Plattensubstrats eingreift, wie er erforderlich war, um das Positionieren eines Plattensubstrats zu erzielen.
Obwohl die Öffnung 11b der Schale 11, die in Eingriff mit dem Positionerteil 14 am Hochschiebestab 12 steht, so verjüngt ist, daß ihr Öffnungsdurchmesser allmählich von der Plattenträgerfläche 21 zur Unterseite hin zunimmt, kann die Öffnung 11b mit Zylinderform mit konstantem Durchmesser von der Plattenträgerfläche 21 bis zu ihrer Unterseite ausgebildet sein. In diesem Fall ist auch der Positionierteil 14, der zu Eingriff mit der Öffnung 11b kommt, an seinem Außenumfang mit Zylinderform ausgebildet, entsprechend der Öffnung 11b.
Nun wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ein detailliertes Ausführungsbeispiel einer ertindungsgemäßen Sputteranlagemit einem Mechanismus zum Laden und Entladen eines durch Sputtern zu behandelnden Teils unter Verwendung eines Verschlusses beschrieben, dereine Zuführöffnung verschließt, die an einer Vakuumkammer vorhanden ist,durch die das durch Sputtern zu behandelnde Teil geladen und entladen wird.
Die Vakuumkammer 201 wird durch die Vakuumpumpe auf solche Weise evakuiert, daß der Innendruck auf einem vorgegebenen Vakuumdruck gehalten wird, und sie weist im wesentlichen in ihrem mittleren Teil einen mit der Vakuumpumpe verbundenen Kanal 201a auf, wie in den Fig. 15 und 16 dargestellt.
Eine Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202, durch die unbehandelte und behandelte Plattensubstrate geladen und entladen werden, ist neben einem Sputterbehandlungsteil 203 angeordnet, in dem Sputterbehandlungen an den Plattensubstraten an der Oberseite der Vakuumkammer 201 ausgeführt werden.
Die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 ist als Zuführöffnung ausgebildet, durch die behandelte und unbehandelte Plattensubstrate in die Vakuumkammer 201 geladen und aus dieser entladen werden, und sie ist im wesentlichen kreisförmig mit einem Durchmesser ausgebildet, der größer als die Außenabmessung der Plattensubstrate ist, abhängig von der Form der Plattensubstrate. Ein Verschluß 204, der die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 öffnen und verschließen kann, ist über dieser vorhanden.
Der Verschluß 204 ist mit einer solchen Abmessung ausgebildet, daß er die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 verschließen kann, und er verfügt an entgegengesetzten Seiten über Flächen 204a und 204b, die die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 verschließen. Die Verschlußflächen 204a und 204b sind kreisförmige Flächen mit einer Größe, die dazu ausreicht, die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 zu verschließen. Der Außenumfangsrand der Verschlußf läche 204a oder 204b wird in Kontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 gebracht, um die Öffnung 202 zu verschließen. Abdichtungsteile 205 und 206 wie O- Ringe sind an den Verschlußflächen 204a und 204b des Verschlusses 204 in der Nähe des Außenumfangsrands derselben vorhanden, um in Kontakt mit dem Umfangsrand der Öffnung 202 zu kommen, um Luftdichtheit der Vakuumkammer 201 aufrechtzuerhalten.
Gestufte, kreisförmige Seiten 207 und 208 mit solcher Abmessung, daß sie innerhalb der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 angebracht werden können, sind an den Verschlußflächen 204a bzw. 204b des Verschlusses 204 im wesentlichen in dessen Mitte angeordnet. Eine Halteeinrichtung mit saugkissen 207a und 208a zum Ansaugen der Plattensubstrate ist an den gestuften Seiten 207 und 208 vorhanden. Diese gestuften Seiten 207 und 208 sind vorhanden, um den Abstand zwischen den Saugkissen 207a und 208a sowie einer Schale 218 zu verringern, die nachfolgend beschrieben wird, um ein Plattensubstrat auf der Schale 18 zuverlässig durch die Saugkissen 207a und 208a anzusaugen.
Der so ausgebildete Verschluß 204 ist an der Drehwelle 210 der Antriebsvorrichtung 209 mit einem Motor und dergleichen angebracht und kann umgekehrt werden, wie es durch einen Pfeil X in Fig. 15 angegeben ist. Das heißt, daß der Verschluß 204 zusammen mit der Drehwelle 210 auf Grund der Tatsache verdreht werden kann, daß der Verschluß 204 durch eine Schraube, die mit der Welle 210 an deren oberem Ende in Gewindeeingriff steht, an dieser Drehwelle 210 befestigt ist. Die Welle 210 erstreckt sich durch ein (nicht dargestelltes) Durchgangsloch des Verschlusses 204, das sich in diametraler Richtung auf mittlerer Höhe der Dicke des Verschlusses 204 erstreckt. Demgemäß wird der Verschluß 204 durch den Betrieb der Antriebsvorrichtung 209 so angetrieben, daß die entgegengesetzten Verschlußflächen 204a und 204b um 180º verdreht werden, um dadurch umgekehrt zu werden.
Der Verschluß 204 wird auf solche Weise gehalten, daß er in vertikaler Richtung in bezug auf die Platteneinlaß-und -auslaßöffnung 202 verstellbar ist. Das heißt, daß der Verschluß 204 am oberen Ende der Trägerwelle 211 einer Antriebsvorrichtung wie eines (nicht dargestellten) Luftzylinders nach oben hin angebracht ist, der vom Boden der Vakuumkammer 201 durch ein Verbindungsteil 212 hochsteht, sodaß er in vertikaler Richtung verstellbar ist, wie durch einen Pfeil C in der Zeichnung wiedergegeben. Die Antriebsvorrichtung ist an der Unterseite der Vakuumkammer 201 vorhanden. Die Trägerwelle 211 der Antriebswelle 211 ist in einem Durchgangsloch angeordnet, das sich in Höhenrichtung in der Nähe der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 durch die Vakuumkammer 201 erstreckt. Demgemäß ist zu erwarten, daß die Anlage kompaktere Größe einnimmt. Zum Beispiel sind Lager 213 und dergleichen mit Preßpassung in das Durchgangsloch eingesetzt, durch das sich die Trägerwelle 211 erstreckt, um den Gleitvorgang für die Trägerwelle 211 zu erleichtern.
Der wie vorstehend angegeben gehaltene Verschluß 204 wird zur Vakuumkammer 201 hin verstellt, um in Preßkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 zu kommen, um diese Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 mit der einen Verschlußfläche 204a zu verschließen und um das durch Sputtern behandelte Plattensubstrat, das auf der Schale 218 ruht, durch Saugkissen 207a anzusaugen. Der Verschluß 204 wird von der Vakuumkammer wegbewegt, um das behandelte Plattensubstrat der Vakuumkammer 201 zu ent nehmen und um die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 zu öffnen. Der Verschluß 204 wird umgedreht, während er angehoben wird, so daß ein unbehandeltes Plattensubstrat, das an der anderen Verschlußfläche 204b angesaugt wurde, der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 zugewandt ist.
Der Sputterbehandlungsteil 203 weist eine Plattenbehandlungsöffnung 201, die auf ähnliche Weise wie die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 ausgebildet ist, und einen Behandlungsabschnitt 215 auf, um den Innendruck in der Vakuumkammer 201 auf Vakuumdruck zu halten, und der auf der Vakuumkammer 201 angeordnet ist, um die Oberseite der Plattenbehandlungsöffnung 214 abzudecken. Der Behandlungsteil weist einen zylindrischen Mantel mit geschlossenem oberen Ende auf und er ist mit einem Metallmaterial (Target) 216, das zum Sputtern verwendet wird, und einem Entladungsgas unter niederem Druck wie Argon, das zur Sputterbehandlung erforderlich ist, befüllt. Im Behandlungsabschnitt 215 wird ein vorgegebenes elektrostatisches Feld errichtet.
Ein Schwenkarm 217, der eine Transporteinrichtung zum Verschieben des Plattensubstrats zwischen der Platteneinlaß-und -auslaßöffnung 202 und dem Sputterbehandlungsteil 3 bildet, ist in der Vakuumkammer 201 vorhanden. Der Schwenkarm 217 ist nur am freien Ende, auf dem das Plattensubstrat ruht, plattenförmig ausgebildet, und er ist am Trägerende verjüngt. Der Schwenkarm 217 ist an seinem Trägerende mit dem oberen Ende der Drehwelle 218' verschraubt, die sich in die Vakuumkammer 201 nach oben hinein erstreckt, und er wird durch eine (nicht dargestellte) Antriebsvorrichtung um deren Achse in Richtungen verschwenkt wie sie durch Pfeile L&sub3; und L&sub4; in Fig. 16 wiedergegeben sind. Zum Beispiel wird der Schwenkarm 217 über einen durch θ&sub1; in Fig. 16 gekennzeichneten Winkel von ungefähr 90º verschwenkt, um einen Transport der Plattensubstrate zwischen einer Position unter der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 und einer Position unter dem Sputterbehandlungsteil 203 zu erzielen.
Eine kreisförmige Positionieraussparung 217a, auf der ein Plattensubstrat ruht, ist an der Oberseite des Schwenkarms 217 an dessen freiem Ende ausgebildet. Ein Durchgangsloch 217b ist durch die Mitte der Aussparung 218a gebohrt. Hochschiebestäbe 219 und 220, die nachfolgend beschrieben werden, erstrecken sich durch das Loch 217b. Eine Schale 218, auf der ein Plattensubstrat ruht, ist an die Aussparung 217a angepaßt und in dieser angeordnet. Die Schale 218 ist als Platte mit einem Durchmesser ausgebildet, der geringfügig größer als der Außendurchmesser des Plattensubstrats ist. Ein Vorsprung 218a zum Positionieren des Plattensubstrats dadurch, daß er sich durch ein Einspann-Zentrierloch des Plattensubstrats hindurch erstreckt, ist in der Mitte der Schale 218 vorhanden. Demgemäß wird das Plattensubstrat in bezug auf den Schwenkarm 217 positioniert, während es an der Schale 218 befestigt ist, die an die Positionieraussparung 217a angepaßt ist. Ein Abdichtungsteil 218b wie ein O-Ring ist am Umfangsrand der Schale 218 angebracht, so daß Luftdichtheit in der Vakuumkammer 201 aufrechterhalten wird, wenn die Schale 218 nach oben gehend mit ihrem Umfangsrand in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 kommt.
Die Hochschiebestäbe 219 und 220 sind am Boden der Vakuumkammer 201 vorhanden. Die Stäbe 219 und 220 sind in vertikaler Richtung durch eine (nicht dargestellte) Antriebsvorrichtung mit einer (nicht dargestellten) Steuerungseinrichtung zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 und zur Plattenbehandlungsöffnung 214 in einer Richtung, wie sie durch Pfeile E und F in Fig. 15 wiedergegeben wird, hin- und von dort wegbewegbar. Die Verschiebestäbe 219 und 220 erstrecken sich durch (nicht dargestellte) Durchgangslöcher, die in den Boden der Vakuumkammer 201 gebohrt sind, in das Innere derselben und sie stehen der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 bzw. der Plattenbehandlungsöffnung 214 gegenüber. Plattenähnliche Hochschiebeteile 219a und 220a für stabiles Hochschieben der Schale 218 durch das im Schwenkarm 217 eingebohrte Loch 217b sind an den oberen Enden der Hochschiebestäbe 219 und 220 befestigt. Die Hochschiebestäbe 219 und 220 werden hochgeschoben, wenn das Spitzenende des Schwenkarms 217 der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 bzw. der Plattenbehandlungsöffnung 214 zugewandt ist. Anders gesagt, wird die auf dem Schwenkarm 217 ruhende Schale 218 durch den Hochschiebestab 219 oder 220 angehoben, der sich durch das Loch 217b im Schwenkarm 217 befindet, und zwar an der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 und der Plattenbehandlungsöffnung 214, und sie wird mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 und der Plattenbehandlungsöffnung 214 in Druckkontakt gebracht. Da das Abdichtungsteil 218b wie ein O-Ring entlang dem Umfangsrand der Schale 218 vorhanden ist, ist eine zuverlässigere Abdichtbeziehung zwischen der Vakuumkammer 201 und der Atmosphäre gewährleistet.
Optische Platten werden durch die vorliegende Herstellanlage für optische Platten wie folgt hergestellt:
Die auf dem Schwenkarm 217 ruhende Schale 218 wird zunächst durch Hochschieben des der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 gegenüberstehenden Hochschiebestabs 220 in der Richtung des Pfeils E&sub1; in der Zeichnung zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 hin angehoben, wie in Fig. 17 dargestellt, so daß der Umfangsrand der Schale 218 in Drucckontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 gebracht wird.
Dann wird die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 durch die Schale 218 verschlossen. Da die Schale 218 an ihrem Umfangsrand mit einem Dichtungsteil 218b versehen ist, ist das Innere dervakuumkammer 201 gegen die Atmosphäre abgedichtet, so daß verhindert wird, daß die Atmosphäre in das Innere der Vakuumkammer 201 eindringt.
Dann wird der Verschluß 204 dadurch von der Vakuumkammer 201 abgetrennt, daß die Trägerwelle 211 zum vertikalen Verstellen des Verschlusses 204 in Richtung des Pfeils C&sub1; verstellt wird, so daß die Oberseite der Schale 218 durch die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 freiliegt.
Unbehandelte Plattensubstrate D&sub1;, die an der Unterseite der Kissen 207a und 208a, die an den entgegengesetzten Seiten des Verschlusses 204 vorhanden sind, liegen, werden dann an die Kissen 207a angesaugt.
Anschließend wird die Trägerwelle 211 in Richtung des Pfeils C&sub2; in Fig. 18 in den Boden der Vakuumkammer 201 eingetaucht, um den Verschluß 204 zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 abzusenken, um diese Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 mit der einen Verschlußfläche 204a des Verschlusses 204 zu verschließen.
Im Ergebnis wird das Innere der Vakuumkammer 201 gegen die Atmosphäre abgedichtet. Obwohl die Zeichnung übertrieben so dargestellt ist, als würde Abdichtung nur durch das Abdichtteil 205 am Verschluß 204 bewirkt, befindet sich die Verschlußfläche 204a praktisch in Verschlußkontakt mit dem Umfangsrand der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202.
Das an die eine Verschlußfläche 204a des Verschlusses 204 angesaugte Plattensubstrat D&sub1; wird in diesem Zustand auf die Schale 218 gelegt.
Dabei wird das Plattensubstrat D&sub1; durch den Vorsprung 218a, der im wesentlichen in der Mitte der Schale 218 vorhanden ist, vor Ort positioniert.
Das Vakuumniveau, das durch den Öffnungs- und Schließvorgang der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 verlorenging, wird durch Betätigen der Vakuumpumpe wiedergewonnen, während die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 durch den Deckel 204 verschlossen wird, wie in Fig. 19 dargestellt. Gleichzeitig damit wird die Schale 218 dadurch auf der Aussparung 217a des Schwenkarms 217 angeordnet, daß der Hochschiebestab 220 an der Seite versenkt wird, an der die Vakuumpumpe und dergleichen angeordnet ist, und zwar in Richtung des Pfeils D&sub2;, um die Schale 218 nach unten zu verstellen.
Da beim vorliegenden Ausführungsbeispiel der Vakuumkammer 201 nur ein Schwenkarm 217 vorhanden ist, besteht kein Hindernis für den Evakuiervorgang. Demgemäß kann ein vorgegebenes Vakuumniveau augenblicklich erreicht werden, z. B. in nicht mehr als einer Sekunde.
Nachdem die Schale 218 auf dem oberen Ende des Schwenkarms 217 angeordnet wurde, wird der Schwenkarm 217 in Richtung des Pfeils L&sub4; in Fig. 16 zum Sputterbehandlungsteil 203 verschwenkt, damit das auf der Schale 218 ruhende Plattensubstrat D&sub1; unter der Plattenbehandlungsöffnung 214 positioniert wird, wie in Fig. 20 dargestellt.
Nachdem der Positioniervorgang für die Schale 218 abgeschlossen ist, wird der unter der Schale 218 vorhandene Hochschiebestab 219 zur Plattenbehandlungsöffnung 214 hin in Richtung des Pfeils F&sub1; hochgeschoben, um den Umfangsrand der Schale 218 in Druckkontakt mit dem Umfangsrand der Plattenbehandlungsöffnung 214 zu bringen, wie in Fig. 21 dargestellt.
Im Ergebnis wird die Plattenbehandlungsöffnung 214 durch die Schale 218 verschlossen. In diesem Zustand wird der Sputtervorgang für das Plattensubstrat D&sub1; begonnen.
Nachdem die Sputterbehandlung abgeschlossen ist, wird der Hochschiebestab 219 auf der Seite, auf der die Vakuumpumpe und dergleichen vorhanden sind, in Richtung des Pfeils F&sub2; versenkt, so daß die Schale 218, auf der das Plattensubstrat D&sub1; liegt, auf dem Schwenkarm 217 angeordnet wird (siehe Fig. 22).
Wenn das Plattensubstrat D&sub1; auf den Schwenkarm 217 aufgelegt ist, wird der Schwenkarm 217 in Richtung des Pfeils L&sub2; in Fig. 16 zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 verschwenkt, so daß die Schale 218, auf der das mit einem Dünnfilm aus Aluminium versehene Plattensubstrat D&sub1; liegt, unter der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 positioniert wird, wie in Fig. 23 dargestellt.
Wenn die Schale 218 in einer vorgegebenen Position positioniert ist, wird der Hochschiebestab 220 zur Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 in Richtung des Pfeils J, wie in Fig. 24 dargestellt, nach oben verschoben, um die Schale 218 nach oben zu bewegen, so daß diese Schale 218 die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 verschließt.
Das durch Sputtern behandelte Plattensubstrat D&sub1; wird durch die Saugkissen 207a angesaugt, die am Verschluß 204 vorhanden sind, der die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 verschlossen hat.
Anschließend wird der Haltestab 211 zum vertikalen Verstellen des Verschlusses 204 in Richtung des Pfeils K in Fig. 25 nach oben geschoben, um den Verschluß 204 von der Vakuumkammer 201 zu trennen, und der Verschluß 204 wird in Richtung des Pfeils L umgedreht, während der Haltestab 211 angehoben wird, um die Verschlußfläche 204b zu wechseln, die der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 zugewandt ist. Das heißt, daß bewirkt wird, daß ein an das andere Ansaugkissen 208a angesaugtes unbehandeltes Plattensubstrat D&sub2; der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 gegenübersteht, und das durch Sputtern behandelte Plattensubstrat D&sub1; wird zur Seite umgedreht, die von der Öffnung 202 abgewandt ist.
Anschließend wird, wie dies oben angegeben ist, der Haltestab 211 zur Seite der Vakuumkammer 201 abgesenkt, wie in Fig. 18 dargestellt, um die Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 durch den Verschluß 204 zu verschließen. Nachdem die vorstehend angegebenen Schritte aufeinanderfolgend ausgeführt wurden, wird das unbehandelte neue Plattensubstrat D&sub2; durch Sputtern behandelt.
Während das neue Plattensubstrat D&sub2; durch Sputtern behandelt wird, wird das behandelte Plattensubstrat D&sub1;, das an die Verschlußfläche 204a angesaugt ist, die von der Platteneinlaß- und -auslaßöffnung 202 abgewandt ist, entfernt und ein unbehandeltes, neues Plattensubstrat wird an die Saugkissen 207a angesaugt, die auf der Verschlußfläche 204a vorhanden sind. Da dieser Vorgang während der Sputterbehandlung ausgeführt werden kann, steht ausreichend Zeit zur Verfügung. Daher ist die vorliegende Anlage sehr vorteilhaft, um die Sputterbehandlung zu automatisieren.
Wenn optische Platten unter Verwendung der Herstellanlage für optische Platten gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel auf solche Weise hergestellt werden, kann das Laden und Entladen behandelter und unbehandelter Substrate in die bzw. aus der Vakuumkammer 201 augenblicklich erzielt werden und es kann eine deutliche Verbesserung der Produktivität erwartet werden. Zum Beispiel beträgt die Zeitspanne, die zum Herstellen einer optischen Platte erforderlich ist, ungefähr 6 Sekunden, und das Laden und Entladen der Plattensubstrate in die bzw. aus der Vakuumkammer 201 wird innerhalb von nur 0,5 Sekunden abgeschlossen.
Demgemäß kann ein beachtliches Verkürzen der Zeitspanne erwartet werden und andere Behandlungen können innerhalb einer ausreichenden Zeitspanne von z. B. 5,5 Sekunden ausgeführt werden.
Obwohl der Verschluß 204 zum Halten zu behandelnder Teile bei der Herstellanlage für optische Platten, in der die Erfindung realisiert ist, ein mit Verschlußflächen 204a und 204b versehener zweiseitiger Körper ist, kann der Verschluß 204 ein Vieleck wie ein drei-, vier- und fünf- und mehrseitiger Körper sein, ohne daß Beschränkung auf einen zweiseitigen Körper besteht.

Claims

1. Sputteranlage mit:

- einer Vakuumkammer (2, 201) mit einer Zuführöffnung (3, 214), durch die ein durch Sputtern zu behandelndes Teil (D1, D2) geladen und entladen wird, und mit einem Sputterbehandlungsteil (4, 203);

- einer Einrichtung zum Verschließen (5, 204) der Zuführöffnung (3, 202) durch eine von mehreren Verschlußflächen (205, 206), die mit Halteeinrichtungen (207a, 208a) versehen sind, um die durch Sputtern zu behandelnden Teile (D1, D2) festzuhalten;

- einer Schale (11, 218), auf der das durch Sputtern zu behandelnde Teil (D1, D2) angeordnet wird;

- einer Anhebeeinrichtung (12, 13, 219, 220) zum Anheben und Absenken der Schale (11, 218) in der Position des Sputterbehandlungsteils (4, 203) und der Zuführöffnung (3, 202); und

- einem Schwenkarm (9, 217) zum Transportieren des Teils (D1, D2) zwischen der Zuführöffnung (3, 202) und dem Sputterbehandlungsteil (4, 203), während das zu behandelnde Teil (D1, D2) in der Vakuumkammer (2, 201) auf der Schale (11, 218) angeordnet ist, wobei die Zuführöffnung (3, 202) der Vakuumkammer (2, 201) während der Sputterbehandlung durch die Verschlußeinrichtung (5, 204) verschlossen ist und die Zuführöffnung (3, 202) durch die Schale (11, 218) verschlossen ist, während das durch Sputtern zu behandelnde Teil (D1, D2) entladen wird und/oder ein neues Teil (D1, D2) geladen wird.

2. Sputteranlage nach Anspruch 1, bei der die Anhebeeinrichtung (12, 13, 219, 220) mindestens einen Hochschiebestab (12, 13) aufweist, der so gesteuert wird, daß er die Schale (11, 218) anhebt und absenkt, um die Zuführöffnung (3, 202) zu verschließen und zu öffnen, oder um die Schale (11, 218), die das genannte Teil (D1, D2) trägt, zur Position des Sputterbehandlungsteils (4, 203) zu transportieren.

3. Sputteranlage nach Anspruch 2, bei der der Hochschiebestab so ausgebildet ist, daß er die Schale (11, 218) über den Schwenkarm (9, 217) anhebt und absenkt.

4. Sputteranlage nach Anspruch 1, bei der die Verschlußeinrichtung (5, 204) so ausgebildet ist, daß sie zwischen einer Position, in der sie die Zuführöffnung (3, 202) verschließt, und einer Position über der Zuführöffnung (3, 202) angehoben und abgesenkt werden kann.

5. Sputteranlage nach Anspruch 4, bei der die Verschlußeinrichtung (5, 204) angehoben und abgesenkt wird, während die Zuführöffnung (3, 202) durch die Schale (11, 218) verschlossen ist.

6. Sputteranlage nach Anspruch 1, bei der die Verschlußeinrichtung (5, 204) wahlweise so umschaltet, daß sie eine von mehreren Verschlußflächen (205, 206) auswählt, die dazu dient, die Verschlußöffnung (3, 202) zu verschließen, wenn eine Sputterbehandlung des durch Sputtern zu behandelnden Teils (D1, D2) im Sputterbehandlungsteil (4, 203) ausgeführt wird.

7. Sputteranlage nach Anspruch 6, bei der die Verschlußeinrichtung (5, 204) ein Körper in Polygonform ist, mit mindestens zwei Seitenwänden als Verschlußflächen (205, 206), wobei die Verschlußflächen (205, 206) drehbar in bezug auf die Verschlußeinrichtung (5, 204) ausgebildet sind.

8. Sputteranlage nach Anspruch 1, bei der die Schale (11, 218) mit einer Positioniereinrichtung (51, 52, 218a) versehen ist, um das durch Sputtern zu behandelnde, auf der Schale (11, 218) ruhende Teil (D1, D2) zu positionieren.