DE69024929T2 - Spannungsregler mit Leistungszusatzsystem - Google Patents

Spannungsregler mit Leistungszusatzsystem

Info

Publication number
DE69024929T2
DE69024929T2 DE69024929T DE69024929T DE69024929T2 DE 69024929 T2 DE69024929 T2 DE 69024929T2 DE 69024929 T DE69024929 T DE 69024929T DE 69024929 T DE69024929 T DE 69024929T DE 69024929 T2 DE69024929 T2 DE 69024929T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
output
transistor
input
voltage
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69024929T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69024929D1 (de
Inventor
Alfred L Sartwell
Endre P Thoma
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE69024929D1 publication Critical patent/DE69024929D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69024929T2 publication Critical patent/DE69024929T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • G11C11/4085Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/62Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using bucking or boosting dc sources
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf integrierte Haibleiterschaltungen und besonders auf Spannungsregelsysteme mit einer Schaltung zur Leistungsanhebung.
  • Spannungsregler werden in Hochleistungssystemen wie etwa Hochgeschwindigkeits-Speichersystemen mit wahifrelem Zugriff genutzt, die in der Lage sind, in bestimmten Zeiträumen große kapazitive Lasten schnell aufzuladen, während sie zu anderen Zeiten mit geringer Leistung arbeiten.
  • Es ist nach dem Stand der Technik z.B. bekannt, Takttreiber vorzuladen, um die Einschaltgeschwindigkeit zu erhöhen und die Leistung während der Bereitschaft zu minimieren. Insbesondere wird in der US-Patentschrift 4 431 927, angemeldet am 22. April 1981 von S.E. Eaton, Jr. u.a., ein Taktgenerator beschrieben, bei dem Signale zur Vorladung von Bootstrap-Kondensatoren geliefert werden. In der US-Patentschrift 4 774 691, angemeldet am 12. November 1986 von H. Hidaka, wird der Einsatz eines Entladungssignals beschrieben, um Spitzensträme zu Beginn von Bitleitungsoperationen in einem Speicher zu verringern. US-Patentschrift 4 176 387, angemeldet am 27. Februar 1978 von P.D. Harper, beschreibt eine Vorrichtung zur Aktivierung und Deaktivierung Bauteus, um zu erlauben daß der Strom während eines Zeitraumes durch einen Pfad fließt, in dem er langsam abklingt, und während eines anderen Zeitraumes durch einen Pfad fließt, in dem er schnell abkungt. US-Patentschrift 3 437 912, angemeldet am 30. Dezember 1966 von D. Morris, beschreibt eine Stromversorgung für konstantes Potential, bei der eine Triggerschaltung einen Schalter zum selektiven Anlegen eines Ladestromes an einen Kondensator steuert.
  • US-Patentschrift A-4 649 291 beschreibt eine Spannungsreferenzschaltung, die folgendes umfaßt: eine Funktionsschaltung, die eine Vielzahl aktiver Elemente besitzt, eine vorher festgelegte Schaltungsfunktion ausführt und zwischen einen Knoten und einen Referenzanschluß geschaltet ist; eine Schaltung zum Festlegen des Potentials, die zwischen einen Spannungsversorgungsanschluß und den oben genannten Knoten geschaltet ist, um ein Potential an diesem Knoten festzulegen; und einen Kondensator, der zwischen diesen Knoten und den Referenzanschluß geschaltet ist, um das Potential an diesem Knoten zu glätten. Die Funktionsschaltung erzeugt ein Steuersignal wobei die Leitfähigkeit zwischen dem Spannungsversorgungsanschluß und dem Knoten als Reaktion auf dieses Steuersignal geändert wird, so daß die Schaltung zur Potentialfestlegung das Potential an diesem Knoten in einem vorher festgelegten Bereich hält, unabhängig von dem Strom, der an der Funktionsschaltung verbraucht wird.
  • Die Europäische Patentschrift EP-A-0248381 beschreibt eine Leistungsspannungsreglerschaltung mit einem Leistungsanschluß, an den die externe Leistungsspannung geliefert wird, einer Ausgangsleitung und einer Schaltung für den Spannungsabfall, die zwischen den Leistungsanschluß und der Ausgangsleitung geschaltet ist. Die Schaltung für den Spannungsabfall umfaßt einen N- Kanal-MOS-Transistor mit einem Drain-Anschluß, der mit dem Leistungsanschluß verbunden ist, und einem Source-Anschluß, der mit der Ausgangsleitung verbunden ist, einen Konstantspannungsgenerator für die Bereitstellung einer Spannung, die kleiner als die externe Leistungsspannung ist und an das Gate des MOS-Transistors angelegt ist, und eine Halbleitervertiefung, deren Oberflächengebiet als Kanalregion des MOS-Transistors dient. Die Lehre aus diesem Dokument bildet die Einleitung von Anspruch 1.
  • Obwohl die grundlegenden Spannungsreglerschaltungen hohe Ströme oder Leistungen einer Last entsprechend den gegenwärtigen Leistungsanforderungen bereitstellen können, ist die Zeit, die zwischen der Anforderung hoher Leistung am Ausgangsanschluß Vout und dem Zeitpunkt vergeht, an dem die grundlegende Spannungsreglerschaltung die benötigte hohe Leistung bereitstellen kann, zu lang. Gegenwärtige und zukünftige integrierte Halbleiterschaltungen können derart lange Verzögerungen nicht tolerieren.
  • Es ist eine Aufgabe dieser Erfindung, ein zuverlässiges, kompatibles und stabileres Niederspannungsreglersystem auf einem Chip mit verbessertem Leistungsvermögen bereitzustellen, das während bestimmter Zeiträume schnell große kapazitive Lasten auf gegebene Spannungen auflädt, die kleiner als die externe Versorgungsspannung sind, während minimale Leistung während Bereitschaftsperioden oder anderen Zeitintervallen benötigt wird.
  • Gemäß den Lehren dieser Erfindung wird ein verbessertes Spannungsreglersystem bereitgestellt, das folgendes umfaßt: einen Differenzverstärker, einen Ausgangstransistor, dessen einer Steueranschluß mit einem Ausgang des Differenzverstärkers verbunden ist und dessen stromführender Anschluß an einem Eingang des Verstärkers zurückgeführt ist, sowie einen Eingangssteuertransistor, dessen erster stromführender Anschluß mit dem Steueranschluß des Ausgangstransistors verbunden ist und dessen zweiter stromführender Anschluß mit einem Punkt mit festen Potential verbunden ist. In der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfaßt der Differenzverstärker einen Stromspiegel, wobei der Ausgangstransistor ein N-Kanal-Feldeffekttransistor ist, bei dem die stromführende Elektrode ein Ausgang des Spannungsreglersystems ist und der Eingangssteuertransistor ein P- Kanal-Feldeffekttransistor ist, bei dem die zweite stromführende Elektrode mit einem positiven Anschluß der Leistungsspannungsversorgung verbunden ist, wobei ein Eingangssignal an eine Treiberschaltung mit einer Steuerelektrode des P-Kanal-Feldeffekttransistors verbunden ist und die Treiberschaltung ihre Leistungsversorgungsspannung vom Ausgang des Spannungsreglersystems empfängt.
  • Die vorangegangenen und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden spezielleren Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, wie in den zugehörigen Zeichnungen illustriert, ersichtlich.
  • Fig. 1 illustriert ein Schaltbild einer Ausführungsform des Spannungsreglersystems der gegenwärtigen Erfindung, und
  • Fig. 2 zeigt Spannungen in Abhängigkeit von der Zeit an, wie sie an verschiedenen Punkten in dem System nach Fig. 1 während des Betriebes des Systems vorkommen.
  • Detaillierter auf Fig. 1 der Zeichnungen bezugnehmend, wird dort eine Ausführungsform des Spannungsreglersystems der gegenwärtigen Erfindung illustriert, die bevorzugt in einem integrierten Halbleitersubstrat in komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter(CMOS-) Technologie hergestellt wird, wobei diese einen Differenzverstärker in Form eines Stromspiegels enthält, der P-Kanal- Feldeffekttransistoren T1 und T2 sowie N-Kanal-Feldeffekttransistoren T3, T4 und T5 umfaßt. Es soll festgehalten werden, daß die CMOS-Schaltungen in Fig. 1 der Zeichnungen P-Kanal-Feldeffekttransistoren enthalten, die durch ein Rechteck mit einer diagonalen Linie darin und durch eine Linie gekennzeichnet sind, die neben einer Seite des Rechteck angeordnet und zu dieser parallel ist und so die Gate- oder Steuerelektrode des Transistors kennzeichnet, und daß diese Schaltungen weiterhin N-Kanal-Feldeffekttransistoren enthalten, die einfach durch ein Rechteck ohne diagonaler Linie und durch eine Linie gekennzeichnet sind, die neben einer Seite des Rechteck angeordnet und zu dieser parallel ist und so die Gate- oder Steuerelektrode des Transistors kennzeichnet.
  • In Fig. 1 der Zeichnungen ist der Transistor T3 in Reihe mit den Transistoren T1 und T5 verbunden und zwischen diese geschaltet, wobei Transistor T1 mit einem positiven Spannungsleistungsversorgungsanschluß Vcc, der bevorzugterweise eine Spannung von 5, Volt hat, und wobei Transistor T5 verbunden mit einem Punkt auf festem Potential, bevorzugterweise mit Masse, verbunden ist. Eine Steuerelektrode von Transistor T1 ist mit dem gemeinsamen Punkt oder Knoten A zwischen den Transistoren T1 und T3 verbunden, und eine Steuerelektrode von jedem der Transistoren T3 und T5 ist mit einem Referenzspannungsanschluß Vref verbunden, der eine Spannung von bevorzugterweise 3,5 Volt hat, die von einer geeigneten Spannungsquelle geliefert werden kann. Die Transistoren T2 und T4 sind ebenfalls in Reihe geschaltet, wobei Transistor T2 mit dem Stromversorgungsanschluß Vcc und Transistor T4 mit dem gemeinsamen Punkt zwischen den Transistoren T3 und T5 verbunden ist. Ein N-Kanal-Feldeffektausgangstransistor T6 ist mit einer Gate- oder Steuerelektrode mit einem Ausgang des Differenzverstärkers 10 am gemeinsamen Punkt oder Knoten B zwischen den Transistoren T2 und T4 verbunden, wobei die Drain-Elektrode von Transistor T6 mit dem Stromversorgungsanschluß Vcc und die Source-Elektrode des Transistors T6 mit einer Gate- oder Steuerelektrode von Transistor T4 in einer rückgekoppelten Anordnung verbunden ist. Die Source-Elektrode des Ausgangstransistors T6 ist ebenfalls mit dem Ausgangsanschluß Vout verbunden, der eine Spannung von etwa 3,5 Volt hat und der als auf dem Chip integrierter Niederspannungs-Leistungsversorgungsanschluß für kompakte Hochgeschwindigkeitsschaltungen dient, die für 3,5-Volt-- Betrieb entworfen wurden und auf dem gleichen Chip zusammen mit anderen Schaltungen implementiert wurden, die für 5,0-Volt-Betrieb entworfen wurden, wie etwa der Differenzverstärker 10.
  • Eine auf dem Chip integrierte Niederspannungsschaltung, die in Fig. 1 der Zeichnungen gezeigt wird und den Ausgangsanschluß Vout als Stromversorgungsanschluß nutzt, ist eine Treiberschaltung 12, die als Pufferschaltung mit ersten und zweiten Invertern I1 und I2 ausgebildet wurde, wobei der Inverter I1 einen P- Kanal-Feldeffekttransistor T7 umfaßt, der in Reihe mit einen N- Kanal-Feldeffekttransistor T8 geschaltet ist, und der Inverter I2 einen P-Kanal-Feldeffekttransistor T9 umfaßt, der in Reihe mit einem N-Kanal-Feldeffekttransistor T10 geschaltet ist. Die Source-Elektroden der Transistoren T7 und T9 sind mit dem Ausgangsanschluß Vout und die Source-Elektroden der Transistoren T8 und T10 sind mit einem Punkt eines Bezugspotentials, wie etwa Masse, verbunden. Ein Ausgang des ersten Inverters I1 am Knoten C ist mit jeder der Gate- oder Steuerelektroden der Transistoren T9 und T10 des zweiten Inverters I2 verbunden. Der Ausgang des zweiten Inverters am Knoten D ist mit einer großen kapazitiven Last, dargestellt durch den Kondensator CL, verbunden. Ein Eingangsanschluß Vin ist mit einem Eingang einer Verzögerungsschaltung 14 verbunden, wobei der Ausgang der Verzögerungsschaltung 14 mit jeder der Gate- oder Steuerelektroden der Transistoren T7 und T8 des ersten Inverters I1 verbunden ist.
  • Ebenfalls mit dem Eingangsanschluß Vin verbunden ist ein Eingang einer monostabilen Multivibratorschaltung 16, deren Ausgang mit einer Puffer- oder Inverterstufe 18 verbunden ist. Die Inverterstufe 18 umfaßt einen P-Kanal-Feldeffekttransistor T11, der in Reihe mit einem N-Kanal-Feldeffekttransistor T12 geschaltet ist, wobei die Source-Elektrode des Transistors T11 mit dem Stromversorgungsanschluß Vcc verbunden ist und die Source-Elektrode des Transistors T12 mit einem Punkt auf Bezugspotential wie etwa Masse verbunden ist. Eine Gate- oder Steuerelektrode des Transistors T12 ist mit einem Punkt auf Bezugspotential wie etwa Masse verbunden und eine Gate- oder Steuerelektrode des Transistors 12 ist mit dem Ausgang der monostabilen Multivibratorschaltung 16 verbunden. Ein Hochleistungssteuertransistor T13, dargestellt als P-Kanal-Feldeffekttransistor, hat eine Source-Elektrode, die mit dem Stromversorgungsanschluß Vcc verbunden ist, und eine Drain-Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ausgangstransistors T6 verbunden ist, wobei die Gate- oder Steuerelektrode des Transistors T13 mit dem Ausgang der Inverterstufe 18 an Knoten E verbunden ist.
  • Die Betriebsweise des grundlegenden Spannungsreglers, dargestellt in Fig. 1, der den Differenzverstärker 10 und den Ausgangstransistor T6 umfaßt, ist allgemein bekannt. Eine Referenzspannung, wie etwa 3,5 Volt, wird von einer geeigneten Quelle an den Referenzanschluß Vref angelegt und die Spannung am Ausgangsanschluß Vout stabilisiert sich bei etwa 3,5 Volt. Wenn die Spannung an dem Ausgangsanschluß Vout sinkt, dann beginnt der N- Kanal-Transistor T4 zu sperren, was zu einem Anstieg der Spannung am Knoten B führt, wodurch der N-Kanal-Transistor T6 stärker leitet, während zur gleichen Zeit mehr Strom durch N-Kanal- Transistor T3 getrieben wird, da Transistor T5 als Ableittransistor oder Stromquelle wirkt, wodurch die Spannung am Knoten A verringert wird, die den P-Kanal-Transistor T2 stärker leitend macht, so daß der N-Kanal-Ausgangstransistor T6 noch stärker leitet, wodurch dieser jetzt in der Lage ist, große Strommengen an den Ausgangsanschluß Vout zu liefern und die Spannung am Anschluß Vout anzuheben. Wenn die Spannung am Anschluß Vout angestiegen ist, fängt der N-Kanal-Transistor T4 an, stärker zu leiten, wodurch die Spannung am Knoten B abgesenkt wird und der N- Kanal-Ausgangstransistor T6 beginnt zu sperren. Dieser Prozeß setzt sich fort, bis die Spannung an Vout sich auf dem gleichen oder ähnlichen Niveau wie dem der Referenzspannung an Vref stabilisiert hat.
  • Auch wenn diese grundlegende Spannungsreglerschaltung höhere Ströme oder Leistungen am Ausgang Vout bereitstellen kann, sind für gegenwärtige Leistungsanforderungen die Zeitverzögerungen zwischen der Anforderung höherer Leistung vom Ausgangsanschluß Veut und der Zeit, zu der die grundlegende Spannungsreglerschaltung die geforderte hohe Leistung liefern kann, zu lang. Heutige und zukünftige integrierte Halbleiterschaltungen können derart lange Verzögerungen nicht tolerieren. Gemäß den Lehren dieser Erfindung wurde somit der Hochleistungssteuertransistor T13 dem Spannungsreglersystem hinzugefügt, um hohe Leistung oder große Ströme ain Ausgangsanschluß Vout in einem viel kürzeren Zeitraum bereitzustellen, als dies mit der grundlegenden Spannungsreglerschaltung 10 und T6 erfolgen kann.
  • Zum besseren Verständnis der Betriebsweise des Spannungsreglers mit einem System zur Leistungsanhebung nach der gegenwärtigen Erfindung sollte auf den Impulsablauf, wie er in Fig. 2 der Zeichnungen dargestellt wird, gemeinsam mit dem in Fig. 1 gezeigten Schaltplan, Bezug genommen werden. Zum Zeitpunkt t0 des in Fig. 2 gezeigten Impulsablaufs beträgt die Spannung am Referenzanschluß Vref 3,5 Volt und die Spannung der Ausgangsspannung Vout hat sich auf die gleichen 3,5 Volt auf die oben beschriebene Weise in Verbindung mit dem Betrieb der grundlegenden Span- nungsreglerschaltung 10 und T6 stabilisiert. Die Spannung am Knoten E oder an der Gate- oder Steuerelektrode des Hochleistungssteuertransistors T13 liegt auf HIGH bei etwa 5,0 Volt, wobei dies den Steuertransistor T13 abschaltet, da Transistor T11 der Inverterstufe 18 eingeschaltet ist. Weiterhin ist zum Zeitpunkt t0 die Spannung am Eingangsanschluß Vin auf LOW oder bei 0 Volt, und die Spannung entlang der großen kapazitiven Last CL oder am Knoten D liegt auf LOW oder bei 0 Volt, wobei die Spannung am Knoten. B des Differenzverstärkers 10 bei etwa 4,3 Volt oder bei einer Spannung von 3,5 Volt plus der Schwellspannung von Ausgangstransistor T6 liegt, was ausreichend ist, um den Steuertransistor T6 einzuschalten sowie die Spannung am Ausgangsanschluß Vout während der Bereitschaft auf etwa 3,5 Volt zu halten.
  • Wenn gewünscht wird, die Last CL auf eine hohe Spannung zu laden, d.h. auf etwa 3,5 Volt, wird zum Zeitpunkt tl die Spannung am Anschluß Vin auf 3,5 Volt erhöht, um die monostabile oder Multivibratorschaltung 16 einzuschalten, die für ein gegebenes Zeitintervall den N-Kanal-Transistor T12 der Inverterstufe 18 einschaltet, was die Spannung am Knoten E der Inverterstufe 18 verringert, um den Hochleistungssteuertransistor T13 einzuschalten. Während der Steuertransistor T13 eingeschaltet ist, steigt die Spannung am Knoten B des Differenzverstärkers rapide an, um den Ausgangstransistor T6 hart einzuschalten, wobei dieser eine große Strommenge an den Ausgangsanschluß Vout und somit an die kapazitive Last CL liefert, die mit dem Ausgangsanschluß Vout verbunden ist, um schnell die Spannung an der Last CL zu erhöhen, wie es in Fig. 2 der Zeichnungen durch eine durchgehenden Linie dargestellt wird. Die Spannung an der monostabilen Multivibratorschaltung kehrt dann auf ihren Anfangszustand zurück und die Spannung am Knoten E kehrt auf etwa 5,0 Volt zurück, wodurch der Hochleistungssteuertransistor T13 abgeschaltet wird. Mit dem abgeschalteten Steuertransistor T13 steuert der Differenzverstärker 10 wieder den Ausgangstransistor T6.
  • Es soll festgehalten werden, daß während das Eingangssignal oder der Impuls am Eingangsanschluß Vin an den Eingangsanschluß der monostabilen Multivibratorschaltung 16 angelegt wurde, dieser ebenfalls an den Eingang der Verzögerungsschaltung 14 angelegt wurde. Nach einer vorher festgelegten Verzögerung in der Verzögerungsschaltung 14 wird die hohe Spannung an den ersten Inverter 11 angelegt, wo diese den N-Kanal-Transistor T8 einschaltet und die Spannung am Knoten C verringert, die wiederum den P-Kanal-Transistor T9 einschaltet, um den Ausgangsanschluß Vout mit der großen kapazitiven Last CL zu verbinden. Es sollte verständlich sein, daß die Zeitverzögerung in der Verzögerungsschaltung 14 so sein sollte, daß der P-Kanal-Transistor T9 des zweiten Inverters 12 sehr schnell einschaltet, nachdem der N-Kanal-Ausgangstransistor T6 durch den P-Kanal-Steuertransistor T13 hart eingeschaltet wurde, und daß die Breite der von der monostabilen Multivibratorschaltung 16 erzeugten Impulse, angezeigt durch die Breite der Impulse am Knoten E, d.h., die Zeitdifferenz zwischen den Zeiten t1 und t2 in dem Impulsdiagramm von Fig. 2, groß genug ist, um der Last CL eine volle Ladung von 3,5 Volt bereitzustellen. Die Spannung an dem Eingangsanschluß Vin sollte für wenigstens die Zeitdauer auf HIGH verbleiben, während der die Lastkapazität CL aufgeladen wird.
  • Es soll in Fig. 2 festgehalten werden, wie von der durchgehenden Linie angezeigt, daß die Lastkapazität CL zwischen den Zeitpunkten T1 und t2 vollständig auf 3,5 Volt aufgeladen wurde, was eine Zeitspanne von nicht mehr als 5 Nanosekunden bedeuten kann, wohingegen die Zeit, die benötigt wird um die Last CL auf 3,5 Volt mit Hilfe des grundlegenden Spannungsreglers 10 und T6 vollständig aufzuladen sich von Zeitpunkt t1 bis t3 erstreckt, was etwa 10 Nanosekunden dauern kann, wie von der gestrichelten Linie in der Kurve CL von Fig. 2 angezeigt. Die grundlegende Spannungsreglerschaltung 10 und T6 erfordern mehr Zeit, um die Last CL völlig aufzuladen, da mehr Zeit benötigt wird, um die Spannung am Knoten B des Differenzverstärkers 10 zu erhöhen, so wie es in der Kurve der Spannung am Knoten B von der gestrichelten Linie zwischen den Zeitpunkten t1 und t3 angezeigt wird, was eine Zeitspanne von 10 Nanosekunden bedeuten kann. Die Zeit für die Spannung an dem Ausgangsanschluß Vout, um vollständig auf den 3,5 Volt-Pegel zurückzukehren, wenn nur der grundlegende Spannungsregler genutzt wird, wird ebenfalls durch die gestrichelte Linie zwischen den Zeitpunkten t1 und t3 in der Kurve von Vout in Fig. 2 der Zeichnungen dargestellt. Es soll festgehalten werde, daß infolge der sehr hohen Ladungsanforderung der sehr hohen kapazitiven Last CL die Spannung am Ausgangsanschluß Vout auch in dem System der gegenwärtigen Erfindung zwischen den Zeitpunkten t1 und t3 etwas sinkt, wobei dieser Abfall, der grundsätzlich nicht mehr als 0,2 Volt beträgt, im Vergleich zu dem Abfall sehr klein ist, der oft wenigstens 0,8 Volt für ähnlich große kapazitive Lasten beträgt, die am Ausgangsanschluß Vout der grundlegenden Spannungsreglerschaltung 10 und T6 erwartet wird. Nachdem die Last CL vollständig aufgeladen wurde, kehrt die Spannung am Knoten B auf etwa 4,3 Volt, oder auf eine Spannung am Ausgangsanschluß Vout plus der Schwellspannung des Ausgangstransistors T6 zurück, und die Spannung am Ausgangsanschluß Vout verbleibt stabil bei etwa 3,5 Volt, wobei die Spannung entlang der kapazitiven Last ebenfalls bei 3,5 Volt verbleibt, bis der Spannungszustand am Eingangsanschluß Vin sich ändert und folglich die kapazitive Last CL auf Masse über den N-Kanal-Transistor T10 des zweiten Inverters der Treiberschaltung 12 entladen wird.
  • Obwohl eine Treiberschaltung 12 mit einer kapazitiven Last CL verbunden ist, so wie es bei der Schaltung gezeigt wurde, die mit dem Ausgangsanschluß Vout verbunden ist, sollte es verstanden werden, daß jegliche kapazitive Last mit dem Ausgangsanschluß Vout verbunden sein kann, die innerhalb eines bestimmten Zeitraumes geladen werden muß, der von einem Eingangssignal oder Impuls eingeleitet wird, der an die zu ladende Schaltung und die Schaltung, die schnell den Ausgangstransistor hart einschalten kann, angelegt wird. Obwohl ein Differenzverstärker dargestellt wurde, der eine Stromspiegelschaltung nutzt, sollte man weiterhin verstehen, daß jeder passende Verstärker genutzt werden kann, um die Spannung am Ausgangsanschluß Vout während der Intervalle zu stabilisieren, zu denen für die Ladung der mit dem Ausgangsanschluß Vout verbundenen Schaltung kein hoher Strom erforderlich ist.
  • Auf die gleiche Weise soll festgehalten werden, daß der N-Kanal- Ausgangstransistor T6 durch jeden anderen Transistortyp, z.B. durch einen P-Kanal-Feldeffekttransistor, ersetzt werden kann. Wenn der Ausgangstransistor ein P-Kanal-Transistor ist, sollte die Gate- oder Steuerelektrode des P-Kanal-Ausgangstransistors mit dem Knoten A anstatt dem Knoten B verbunden sein, und der Steuertransistor T13 sollte ein N-Kanal-Feldeffekttransistor sein, dessen Drain-Elektrode mit der Gate- oder Steuerelektrode des P-Kanal-Ausgangstransistors T6 verbunden ist und dessen Source-Elektrode mit einem Punkt festen Potentials wie etwa Masse verbunden ist, wobei eine geeignete Beschaltung vorhanden sein muß, um den N-Kanal-Steuertransistor T13 einzuschalten, wenn hohe Ladeströme von der Lastschaltung benötigt werden, die mit dem Ausgangsanschluß Veut verbunden ist.
  • Dementsprechend kann man erkennen, daß eine Spannungsreglerschaltung mit einem System zur Leistungserhöhung bereitgestellt wurde, die die Notwendigkeit einer Bereitstellung großer Ladeströme von einem Ausgangsspannungsanschluß mit einer geringeren Spannung, als sie die externe Leistungsversorgung auf dem Chip liefert, vorwegnimmt, und die diese schnell der kapazitiven Last bereitstellt, wobei sie während des Bereitschaftszustandes nur eine sehr geringe Leistung verbraucht.

Claims (12)

1. Spannungsreglersystem für die Bereitstellung einer Ausgangsspannung (VOUT) an einem Ausgang, bestehend aus
ersten Mitteln für den Empfang einer Versorgungsspannung (Vcc);
zweiten Mitteln (10), die mit einer Konstantspannung (VREF) verbunden sind, wobei die Konstantspannung eine andere Größe besitzt als die Versorgungsspannung (Vcc) und die zweiten Mittel ebenfalls mit dem Ausgang verbunden sind;
einer Last (CL); und
einem Ausgangstransistor (T6), bei dem eine Steuerelektrode mit dem zweiten Mittel (10), eine erste Elektrode mit dem ersten Mittel und eine zweite Elektrode mit der Last verbundenen sind, wobei der Ausgangstransistor (T6) durch das zweite Mittel (10) gesteuert wird, um die Spannung der Last während eines Zeitraums im eingeschwungenen Zustand auf die Konstantspannung (VREF) zu klemmen;
gekennzeichnet durch
dritte Mittel (T13) , die eine Steuerelektrode, eine erste Elektrode, die mit der Steuerelektrode des Ausgangstransistors (T6) verbunden ist, und eine zweite Elektrode, die mit einem Punkt mit festem Potential verbunden ist, umfassen;
vierte Mittel (16, 18), die auf ein Steuersignal (VIN) reagieren, für die Erzeugung eines Einschaltimpulses an der Steuerelektrode des dritten Mittels (T13), wobei der Ausgangstransistor (T6) durch das vierte Mittel (16, 18) und das dritte Mittel (T13) so gesteuert werden, daß die Last von der Versorgungsspannung (Vcc) für die Dauer des Ein schaltimpulses geladen wird.
2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das zweite Mittel einen Differenzverstärker (10) enthält, der mit der Versorgungsspannung (Vcc) verbunden ist, und einen ersten und einen zweiten Eingang sowie einen Ausgang (B) besitzt, wobei der erste Eingang mit der Konstantspannung (VREF) verbunden ist;
die Steuerelektrode des Ausgangstransistors (T6) mit dem Ausgang (B) des Differenzverstärkers (10) verbunden ist, wobei die zweite Elektrode mit dem zweiten Eingang des Differenzverstärkers (10) verbunden ist;
das dritte Mittel (T13) einen Steuertransistor (T13) enthält, der eine Steuerelektrode, eine erste Elektrode, die mit der Steuerelektrode des Ausgangstransistors (T6) verbunden ist und eine zweite Elektrode, die mit einem Punkt mit festen Potential verbunden ist, besitzt; und
das vierte Mittel (16, 18) mit der Steuerelektrode des Steuertransistors (T13) für das selektive Einschalten des Steuertransistors (T13) verbunden ist.
3. System, wie es in Anspruch 2 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Differenzverstärker (10) einen Stromspiegel (T1, T2, T3, T4, T5) enthält.
4. System, wie es in einem der oberen Ansprüche offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangstransistor (T6) ein N-Kanal-Feldeffekttransistor ist.
5. System, wie es in einem der oberen Ansprüche 2 bis 4 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuertransistor (T13) ein P-Kanal-Feldeffekttransistor ist und die zweite Elektrode mit der Versorgungsspannung (Vcc) verbunden ist.
6. System, wie es in einem der oberen Ansprüche offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß das vierte Mittel (16, 18) eine monostabile Multivibratorschaltung (16) und einen Eingangsanschluß (VIN) umfaßt, der mit der Steuerelektrode des Steuertransistors (T13) über die monostabile Multivibratorschaltung (16) verbunden ist.
7. System, wie es in einem der oberen Ansprüche offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin folgendes umfaßt:
eine Last, die einen Kondensator (CL) und einen Eingang besitzt, der mit dem Eingangsanschluß (VIN) verbunden ist, wobei die Last zwischen der ersten stromführenden Elektrode des Ausgangstransistors (T6) und einem zweiten Punkt mit festen Potential (Masse) geschaltet ist.
8. System, wie es in Anspruch 7 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Last weiterhin eine Treiberschaltung (12) enthält, die einen mit dem Eingangsanschluß (VIN) verbundenen Eingang und einen mit dem Kondensator (CL) verbundenen Ausgang besitzt.
9. System, wie es in einem der Ansprüche 6 bis 8 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin folgendes umfaßt.
eine Verzögerungsschaltung (14), bei der ein Eingang mit dem Eingangsanschluß (VIN) und ein Ausgang mit dem Eingang der Treiberschaltung (12) verbunden ist.
10. System, wie es in einem der Ansprüche 6 bis 9 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß die monostabile Multivibratorschaltung (16) einen Eingang und einen Ausgang enthält und daß das Mittel (16, 18) weiterhin eine Inverter- stufe (18) enthält, bei der ein Eingang mit dem Ausgang der monostabilen Multivibratorschaltung (16) verbunden ist und ein Ausgang mit der Steuerelektrode des Steuertransistors (T13) verbunden ist, wobei der Eingang der monostabilen Multivibratorschaltung mit dem Eingangsanschluß (VIN) verbunden ist.
11. System, wie es in Anspruch 10 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Inverterstufe (18) zwischen die erste stromführende Elektrode des Ausgangstransistors (T6) und den Punkt mit festem Potential geschaltet ist.
12. System, wie es einem der Ansprüche 8 bis 11 offenbart wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung (12) erste und zweite Inverter (I1, I2) umfaßt, wobei jeder der Inverter (I1, I2) einen Eingang und einen Ausgang besitzt, der Eingang des ersten Inverters mit dem Eingangsanschluß verbunden ist, der Ausgang des ersten Inverters mit dem Eingang des zweiten Inverters verbunden ist und der Ausgang des zweiten Inverters mit dem Kondensator (CL) verbunden ist.
DE69024929T 1989-12-20 1990-11-29 Spannungsregler mit Leistungszusatzsystem Expired - Fee Related DE69024929T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/454,097 US4952863A (en) 1989-12-20 1989-12-20 Voltage regulator with power boost system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69024929D1 DE69024929D1 (de) 1996-02-29
DE69024929T2 true DE69024929T2 (de) 1996-08-08

Family

ID=23803294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69024929T Expired - Fee Related DE69024929T2 (de) 1989-12-20 1990-11-29 Spannungsregler mit Leistungszusatzsystem

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4952863A (de)
EP (1) EP0433724B1 (de)
JP (1) JPH0830994B2 (de)
DE (1) DE69024929T2 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2689708B2 (ja) * 1990-09-18 1997-12-10 日本モトローラ株式会社 バイアス電流制御回路
JPH07105682A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Nec Corp ダイナミックメモリ装置
US5814980A (en) * 1996-09-03 1998-09-29 International Business Machines Corporation Wide range voltage regulator
US5998981A (en) * 1997-06-03 1999-12-07 International Business Machines Corporation Weak inversion NMOS regulator with boosted gate
JPH11224131A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Seiko Instruments Inc ボルテージ・レギュレータ
US5889395A (en) * 1998-03-27 1999-03-30 International Business Machine Corporation Integrated low voltage regulator for high capacitive loads
US6191628B1 (en) * 1999-01-04 2001-02-20 International Business Machines Corporation Circuit for controlling the slew rate of a digital signal
US6556034B1 (en) 2000-11-22 2003-04-29 Teradyne, Inc. High speed and high accuracy DUT power supply with active boost circuitry
US6542385B1 (en) 2000-11-22 2003-04-01 Teradyne, Inc. DUT power supply having improved switching DC-DC converter
US6448748B1 (en) 2001-03-01 2002-09-10 Teradyne, Inc. High current and high accuracy linear amplifier
US6693478B1 (en) * 2002-08-09 2004-02-17 Texas Instruments Incorporated System and method for implementing soft power up
WO2009027220A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 International Business Machines Corporation Linear voltage regulator
JP5458825B2 (ja) * 2009-07-10 2014-04-02 富士通株式会社 電圧レギュレータ回路
US20110199039A1 (en) * 2010-02-17 2011-08-18 Lansberry Geoffrey B Fractional boost system
JP5505000B2 (ja) * 2010-03-17 2014-05-28 富士通株式会社 半導体回路装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3437912A (en) * 1966-12-30 1969-04-08 Gen Precision Inc Constant potential power supply
US4185211A (en) * 1978-01-09 1980-01-22 Rca Corporation Electrical circuits
US4176387A (en) * 1978-02-27 1979-11-27 The Bendix Corporation Inductive drive circuit for setting three different levels of load current including a downshift delay
JPS5522875U (de) * 1978-08-02 1980-02-14
US4431927A (en) * 1981-04-22 1984-02-14 Inmos Corporation MOS Capacitive bootstrapping trigger circuit for a clock generator
JPS59218042A (ja) * 1983-05-26 1984-12-08 Toshiba Corp 半導体集積回路
US4574232A (en) * 1983-10-21 1986-03-04 Motorola, Inc. Rapid turn-on voltage regulator
US4774691A (en) * 1985-11-13 1988-09-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
JPS62248015A (ja) * 1986-04-22 1987-10-29 Nec Corp 安定化定電圧回路
JPH083766B2 (ja) * 1986-05-31 1996-01-17 株式会社東芝 半導体集積回路の電源電圧降下回路
JPH06100939B2 (ja) * 1987-09-07 1994-12-12 日本電気株式会社 電源回路
DE3740840A1 (de) * 1987-11-27 1989-06-08 Schering Ag 2,2-difluorcyclopropylethanderivate, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als schaedlingsbekaempfungsmittel
JPH048015A (ja) * 1990-04-26 1992-01-13 Mitsubishi Electric Corp カウンタ回路
JPH07308A (ja) * 1993-06-15 1995-01-06 Sekisui Chem Co Ltd シャワータワー

Also Published As

Publication number Publication date
EP0433724A2 (de) 1991-06-26
DE69024929D1 (de) 1996-02-29
EP0433724A3 (en) 1992-04-01
EP0433724B1 (de) 1996-01-17
US4952863A (en) 1990-08-28
JPH0830994B2 (ja) 1996-03-27
JPH03196208A (ja) 1991-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69321040T2 (de) Zusatzspannungsgeneratorschaltung
DE69514523T2 (de) Spannungsvervielfacher mit linearen Regelung
DE3621533C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung, insbesondere für ein DRAM, die bei geringem Leistungsverbrauch eine stabile interne Versorgungsspannung liefert
DE69823289T2 (de) Temperaturunabhängiger Oszillator
DE3228013C2 (de) Bidirektionale Sammelleitung zum Datentransfer
DE3931596C2 (de)
DE69320296T2 (de) Negative Spannungsversorgungen für schwebende Torspeicher
DE69513658T2 (de) Spannungsregler für nichtflüchtige, elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnungen
DE3839888C2 (de)
DE2541131C2 (de) Schaltungsanordnung zum Konstanthalten der Schaltverzögerung von FET-Inverterstufen in einer integrierten Schaltung
DE3419661C2 (de)
DE69024929T2 (de) Spannungsregler mit Leistungszusatzsystem
DE2625007C3 (de) Adressenpufferschaltung für Halbleiterspeicher
EP0591750B1 (de) Verfahren zur Stromeinstellung eines monolithisch integrierten Padtreibers
DE3911450A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung mit waehlbaren betriebsfunktionen
DE3051230C2 (de) Spannungserhöhungsschaltung
DE10164027A1 (de) Schaltung zum Klammern einer Wortleitungsspannung
DE10157997A1 (de) Ladungspumpschaltung und zugehöriges Betriebsverfahren
DE68907451T2 (de) Ausgangstreiberschaltung für Halbleiter-IC.
DE2659660A1 (de) Eingangspufferschaltung fuer speicherschaltungen
DE69600264T2 (de) Ladungspumpe-Generator-Schaltkreis für negative Spannung
DE2802595C2 (de) Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren zur Spannungspegelumsetzung
DE3530092C2 (de)
DE4117882C2 (de)
DE69805717T2 (de) Ladungspumpen-Spannungsgenerator mit selbstschwingender Steuerschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee