DE68916688T2 - Transistorschaltung mit Steuerstrombegrenzung. - Google Patents

Transistorschaltung mit Steuerstrombegrenzung.

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DE68916688T2
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • HELECTRICITY
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    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion

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  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Transistorschaltung mit:
  • - einem Ausgangstransistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
  • - einem Steuertransistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor, wobei sein Emitter mit der Basis des Ausgangstransistors gekoppelt ist, und
  • - einem Begrenzungstransistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor, wobei sein Emitter mit dem Kollektor des Ausgangstransistors und sein Kollektor mit der Basis des Steuertransistors gekoppelt ist, um einen der Basis des Steuertransistors zugeführten Steuerstrom zu begrenzen.
  • Eine solche Schaltung ist aus der US-Patentschrift 4.583.051, Figur 4 bekannt und unter anderem zur Verwendung in Leistungsendstufen von Motoransteuerungen bekannt.
  • In Endstufen zur Ansteuerung von Motoren werden die Ausgangstransistoren bis in Sättigung ausgesteuert, so daß nahezu die gesamte Versorgungsspannung am Motor verfügbar ist. Der dem Motor zu liefernde Strom kann sich im wesentlichen in Abhängigkeit von der mechanischen Belastung des Motors ändern. Um sicher zu sein, daß der Ausgangstransistor für den geschätzten maximalen Laststrom und für die minimale Stromverstärkung der Endstufe in Sättigung bleibt, wird diese Stufe mit einem gewissen Überschuß an Eingangsstrom angesteuert. Dieser Überschuß ist proportional am größten, wenn der von der Endstufe an die Last zu liefernde Strom klein ist. Fig. 3 und 4 der genannten US-Patentschrift zeigen üblicherweise verwendete Endstufen nach dem Stand der Technik, die einen Steuertransistor und einen Ausgangstransistor haben. Der Eingangsstrom der Endstufe wird der Basis des Steuertransistors der Endstufe zugeführt. In einer ersten bekannten Endstufe wird der Emitter des Steuertransistors mit der Basis des Ausgangstransistors verbunden und der Kollektor des Steuertransistors mit einer festen Versorgungsspannung verbunden. In einer zweiten bekannten Endstufe, der Darlington-Endstufe, wird der Kollektor des Steuertransistors mit dem Kollektor des Ausgangstransistors verbunden. In jeder der beiden bekannten Endstufen ist die Last zwischen den Kollektor des Ausgangstransistors und eine Versorgungsspannung geschaltet. Der Emitter des Ausgangstransistors wird mit einer Versorgungsspannung verbunden, die im Falle von npn-Transistoren niedriger ist. Wenn der Laststrom der Endstufe immer klein ist, ist wegen der geringen Dissipation in dem Steuertransistor die zweite Endstufe vom Darlington-Typ vorzuziehen. Der Kollektor des Steuertransistors ist nämlich mit der niedrigen Ausgangsspannung der Endstufe verbunden. Selbst der überschüssige Eingangsstrom, der nach Verstärkung durch den Steuertransistor fließt, gibt keinen Anlaß zu Dissipationsproblemen. Im allgemeinen wird der Kollektor des Steuertransistors in der ersten Endstufe mit einer viel höheren Spannung verbunden sein und unter im übrigen gleichen Bedingungen mehr Wärme abführen. Es ist die verhältnismäßig starke Übersteuerung der Endstufe für kleine Ausgangsströme, die eine nicht unwesentliche Dissipation in dem Steuertransistor der ersten Endstufe bewirkt. Wenn der Laststrom der Endstufe immer groß ist, ist wegen des wesentlich kleineren Spannungsabfalls am Ausgangstransistor die erste Endstufe vorzuziehen. Die Dissipation in der Endstufe wird jetzt nahezu vollständig von der im Ausgangstransistor entwickelten Wärme bestimmt. Unter diesen Bedingungen ist die Dissipation in dem Steuertransistor von untergeordneter Bedeutung.
  • Ohne weitere Maßnahmen lassen die bekannten Endstufen, die bis in Sättigung ausgesteuert werden, nicht zu, daß die Dissipation in der Endstufe sowohl für große als auch für kleine Ströme minimiert wird.
  • In der bekannten Transistorschaltung kann die Dissipation in dem Steuertransistor der Endstufe, der vom ersten Leitungstyp ist, für kleine Leitströme verringert werden, indem verhindert wird, daß der Ausgangstransistor unnötig weit in Sättigung gesteuert wird. In diesem Fall braucht der Steuertransistor der Basis des Ausgangstransistors keine unnötig große Menge Strom zuzuführen, wodurch die Dissipation im Steuertransistor verringert wird. Dies wird erreicht, indem ein Teil des gesamten Eingangsstroms der Endstufe von der Basis des Steuertransistors aus mit Hilfe einer Reihenschaltung aus einem als Diode geschalteten Begrenzungstransistor und einer Schottky-Diode zwischen der Basis des Steuertransistors und dem Kollektor des Ausgangstransistors abgeführt wird. Sobald die Kollektor-Emitter-Spannung unter einen bestimmten Wert abfällt, führt die Reihenschaltung den überschüssigen Eingangsstrom ab.
  • Wenn die bekannte Transistorschaltung integriert ist, sind zusätzliche Prozeßschritte erforderlich, um die Schottky-Diode zu bilden, die die integrierte Transistorschaltung komplizierter machen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bekannte Transistorschaltung zu vereinfachen.
  • Erfindungsgemäß ist eine Transistorschaltung der eingangs erwähnten Art daher dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Begrenzungstransistors mit der Basis des Ausgangstransistors gekoppelt ist. Wenn der Begrenzungstransistor in dieser Weise angeordnet ist, wird die Schottky-Diode überflüssig. Ein weiterer Vorteil der Abwesenheit der Schottky-Diode liegt darin, daß die Transistorschaltung in weniger Prozeßschritten gefertigt werden kann. Der Basis-Emitter-Übergang des Begrenzungstransistors wird leitend, wenn die Kollektor-Emitter-Spannung des Ausgangstransistors infolge von Übersteuerung abnimmt. Der überschüssige Eingangsstrom wird dann über die Kollektor-Emitter-Strecke des Begrenzungstransistors abgeführt.
  • JP-A-60 106225 beschreibt einen Ausgangstransistor, dessen Basis mit dem Emitter eines Steuertransistors gekoppelt ist, dem an seiner Basis Steuerstrom zugeführt wird. Ein strombegrenzender Transistor ist vorhanden, dessen Emitter, Basis und Kollektor mit der Basis des Steuertransistors bzw. dem Kollektor des Ausgangstransistors bzw. der Basis des Ausgangstransistors gekoppelt sind. Der strombegrenzende Transistor hat eine Leitfähigkeit, die der des Steuer- und des Ausgangstransistors entgegengesetzt ist.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • Fig. 1 eine erste bekannte Transistorschaltung für eine Endstufe,
  • Fig. 2 eine zweite bekannte Transistorschaltung für eine Endstufe,
  • Fig. 3 eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Transistorschaltung für eine Endstufe.
  • Fig. 1 zeigt eine bekannte Endstufe mit einem Darlington-Transistorpaar T1 und T2. T1 ist der Ausgangstransistor und T2 ist der Steuertransistor. Die Endstufe kann einen Strom I1 von einem positiven Stromversorgungsanschluß 1 aus durch eine Last R1 hindurch über eine Anschlußklemme 2 liefern. In der Praxis ist R1 ein Elektromotor, der je nach seiner mechanischen Belastung einen großen oder einen kleinen Strom I1 erzeugt. Der Emitter des Ausgangstransistors T1 ist mit einem negativen Stromversorgungsanschluß 3 gekoppelt, der im vorliegenden Beispiel geerdet ist. Eine Stromquelle Ii zwischen dem positiven Stromversorgungsanschluß und einer mit der Basis des Steuertransistors T2 gekoppelten Eingangsklemme 4 steuert die Endstufe in Sättigung. Jede andere Ansteuerung mit dem gleichen Ergebnis ist jedoch auch möglich. Die Stromquelle Ii ist so dimensioniert, daß der Ausgangstransistor T1 bei der minimalen Stromverstärkung der Transistoren T1 und T2 und dem maximalen Laststrom I1 in Sättigung gerät. In der Praxis wird die Stromquelle Ii ein- und ausgeschaltet, um den Motor zu starten oder zu stoppen oder um seine Drehrichtung umzukehren. Die an T1 abfallende Sättigungsspannung (VCESAT) beträgt ungefähr 1 V. Dieser relativ hohe Wert ist typisch für ein Darlington-Paar. Wenn an die Last R1 ein hoher Strom geliefert werden soll, wird nahezu der gesamte Steuerstrom Ii verwendet, um den Ausgangstransistor T1 in Sättigung zu halten. Die im Ausgangstransistor entwickelte Wärmemenge ist wegen der hohen Sättigungsspannung VCESAT relativ groß. Die Dissipation in dem Steuertransistor T2 ist relativ gering und kann vernachlässigt werden. Wenn an die Last R1 ein kleiner Strom geliefert werden soll, ist die Dissipation in dem Ausgangstransistor gering. Der jetzt unverhältnismäßig große Eingangsstrom wird von dem Steuertransistor T2 verstärkt und der Basis des Ausgangstransistors T1 zugeführt. Da der Kollektor des Steuertransistors T2 mit der niedrigen Kollektorspannung des Ausgangstransistors T1 verbunden ist, bleibt die Dissipation in dem Steuertransistor klein. Auf diese Weise sorgt die Darlington-Endstufe bei kleinen Lastströmen für einen hohen Wirkungsgrad und bei großen Lastströmen für einen niedrigen Wirkungsgrad.
  • Fig. 2 zeigt eine weitere bekannte Endstufe, mit einem Ausgangstransistor T1 und einem Steuertransistor T2. Jetzt ist der Kollektor des Steuertransistors T2 mit dem Stromversorgungsanschluß 5 verbunden, der im vorliegenden Beispiel mit dem positiven Stromversorgungsanschluß 1 verbunden ist. Alle weiteren Bezugszeichen in Fig. 2 haben die gleiche Bedeutung wie die in Fig. 1. Diese Endstufe hat eine wesentlich niedrigere Sättigungsspannung VCESAT als die Darlington-Schaltung von Fig. 1, nämlich etwa 0,3 V. Für einen großen Laststrom I1 ist daher die Dissipation im Ausgangstransistor T1 wesentlich geringer als die in der Darlington-Endstufe. Da der Kollektor des Steuertransistors T2 mit einer höheren Spannung verbunden ist, ist die Dissipation in dem Steuertransistor T2 größer als in dem Steuertransistor der Darlington-Endstufe, aber im Vergleich zur Dissipation in dem Ausgangstransistor ist sie klein. Bei einem kleinen Laststrom I1 ist die Dissipation im Ausgangstransistor T1 gering, aber der jetzt unverhältnismäßig große Eingangsstrom Ii führt zu einer erheblichen Dissipation im Steuertransistor. Der Wirkungsgrad der Endstufe von Fig. 2 ist für große Lastströme hoch und für kleine Lastströme niedrig. Mit Hilfe der bekannten Schaltungsanordnungen ist es nicht möglich, die Dissipation der Endstufe bei stark variierenden Lastbedingungen zu minimieren.
  • Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Transistorschaltung. Die Schaltung unterscheidet sich von der in Fig. 2 durch die Hinzufügung eines Begrenzungstransistors T3, dessen Basis mit der Basis des Ausgangstransistors T1 verbunden ist, dessen Emitter mit dem Kollektor des Ausgangstransistors T1 verbunden ist und dessen Kollektor mit der Basis des Steuertransistors T2 gekoppelt ist. Alle anderen Bezugszeichen in Fig. 3 haben die gleiche Bedeutung wie die in Fig. 2 oder Fig. 1. Im Falle eines hohen Laststroms I1 verhält sich die Schaltung ebenso wie die in Fig. 2. Nahezu der gesamte Eingangsstrom Ii, verstärkt durch den Steuertransistor T2, wird zur Sättigung des Ausgangstransistors T1 gebraucht, und der Wirkungsgrad ist hoch. Wenn der Laststrom I1 klein ist, ist der Ausgangstransistor T1 durch den Überschuß an Eingangsstrom Ii unnötig weit gesättigt. Daher nimmt die Kollektorspannung des Ausgangstransistors T1 so weit unter dessen Basisspannung ab, daß der Basis-Emitter-Übergang des Begrenzungstransistors leitend wird. Dies führt zu einem Kollektorstrom Ic durch den Begrenzungstransistor T3 hindurch von der Basis des Steuertransistors T2 zum Kollektor des Ausgangstransistor T1 und über den Transistor T1 zum negativen Stromversorgungsanschluß 3. Nur ein Teil Ii - Ic des verfügbaren Stroms Ii wird jetzt als Basisstrom Ib für den Steuertransistor T2 zur Verfügung stehen. Der Begrenzungstransistor T3 wird stärker leitend, und der Restbasisstrom für T2 nimmt ab, wenn der Ausgangstransistor T1 weiter in Sättigung gesteuert wird. Dies führt zu einer Gleichgewichtssituation, bei der der Basisstrom des Steuertransistors und damit die Dissipation in dem Steuertransistor begrenzt wird. Jetzt braucht die Stromkomponente Ic nicht mehr in verstärkter Form vom Steuertransistor als Wärme abgegeben zu werden, sondern sie wird über den Begrenzungstransistor und den Ausgangstransistor abgeführt. Die dabei in diesen beiden Transistoren entwickelte Wärmemenge ist gering. Die Verringerung der Dissipation im Steuertransistor ist wesentlich größer als die Zunahme der Dissipation in dem Begrenzungstransistor und dem Ausgangstransistor. Der Wirkungsgrad der Endstufe für einen kleinen Strom I1 ist durch Hinzufügen des Begrenzungstransistors T3 verbessert worden.
  • Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die dargestellte Ausführungsform. Im Rahmen der Erfindung sind verschiedene Abwandlungen möglich, die dem Fachmann leicht einfallen. Beispielsweise können Transistoren des entgegengesetzten Leitungstyps verwendet werden, oder jeder der Transistoren kann durch einen Darlington-Transistor ersetzt werden. Außerdem kann die Schaltung Teil einer größeren Schaltungsanordnung sein, beispielsweise einer Gegentakt-Endstufe. Es ist auch möglich, Widerstände mit der Basis, dem Emitter und dem Kollektor jedes der dargestellten Transistoren in Reihe zu schalten, Widerstände parallel zum Basis-Emitter- Übergang der dargestellten Transistoren zu schalten und eine Stromquelle zwischen dem Emitter des Transistors T2 und dem negativen Stromversorgungsanschluß 3 anzuordnen, ohne daß das Prinzip oder die Funktionsweise der Erfindung beeinflußt wird. Die Last braucht kein Elektromotor zu sein, und die Endstufe kann auch Teil eines Systems sein, das normalerweise nicht in Sättigung gesteuert wird. Dies ist beispielsweise der Fall für Audioverstärker mit Eintakt- oder Gegentaktausgängen. Die im Fall einer unerwünschten oder versehentlichen Übersteuerung solcher Endstufen auftretende Situation ist nämlich die gleiche wie in gesättigten Endstufen. In diesem Fall schützt die erfindungsgemäße Schaltung die Endstufe vor übermäßiger Übersteuerung und begrenzt die beim Übersteuern auftretende Dissipation in dem Steuertransistor.

Claims (1)

  1. Transistorschaltung mit:
    - einem Ausgangstransistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor,
    - einem Steuertransistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor, wobei sein Emitter mit der Basis des Ausgangstransistors gekoppelt ist, und
    - einem Begrenzungstransistor mit einem Emitter, einer Basis und einem Kollektor, wobei sein Emitter mit dem Kollektor des Ausgangstransistors und sein Kollektor mit der Basis des Steuertransistors gekoppelt ist, um einen der Basis des Steuertransistors zugeführten Steuerstrom zu begrenzen, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Begrenzungstransistors mit der Basis des Ausgangstransistors gekoppelt ist.
DE68916688T 1988-04-28 1989-04-24 Transistorschaltung mit Steuerstrombegrenzung. Expired - Lifetime DE68916688T2 (de)

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