DE2610122C3 - Dreipolige Halbleiteranordnung - Google Patents
Dreipolige HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2610122C3 DE2610122C3 DE2610122A DE2610122A DE2610122C3 DE 2610122 C3 DE2610122 C3 DE 2610122C3 DE 2610122 A DE2610122 A DE 2610122A DE 2610122 A DE2610122 A DE 2610122A DE 2610122 C3 DE2610122 C3 DE 2610122C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- transistor
- base
- semiconductor
- arrangement according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine dreipolige Halbleiteranordnung zum Schalten großer Ströme mit zwei nach Art
einer Darlington-Schaltung miteinander verbundenen Transistoren gleicher Zonenfolge, von denen der eine
als Treibertransistor für den den Strom schaltenden Endtransistor wirkt.
Bei der Darlington-Schaltung sind die Kollektoren der beiden Transistoren miteinander verbunden, während
die Emitterelektrode des Treibertransistors an die Basiselektrode des Endtransistors angeschlossen ist. Die
Verbundschaltung kann als ein einziger Transistor betrachtet werden, dessen Stromverstärkung ungefähr
gleich dem Produkt der Stromverstärkungen der beiden Einzeltransistoren ist Dies beruht darauf, daß der
Emitterstrom des Treibertransistors gleich dem Basisstrom des Leistungsendtransistors ist Die Darlington-Schaltung
hat den Vorteil, daß auch große Ströme mit Hilfe kleiner Steuerströme geschaltet werden können,
so daß die zum Schalten erforderlichen Steuerströme einem vorgeschalteten integrierten Schaltkreis direkt
entnommen werden können. Nachteilig ist bei der Darlington-Schaltung, daß die Schaltzeiten relativ groß
sind. Auch durch Anbieten eines großen Entladestromes in der Abschaltphase kann beim Darlington-Transistor
die Schaltzeit nicht wesentlich reduziert werden.
Die Darlington-Schaltung hat weiterhin den Nachteil, daß sie bei hohen Temperaturen vielfach nicht mehr als
Schalter arbeitet. Dies beruht darauf, daß bei hohen Temperaturen der Basisstrom des Endtransistors so
groß wird, daß dieser Endtransistor ständig durchgeschaltet bleibt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine dreipolige Halbleiteranordnung der eingangs beschriebenen
Art anzugeben, die die genannten Nachteile der Darlington-Schaltung nicht mehr aufweist. Dies soll
durch eine Anordnung realisiert werden, die ebenso wie die Darlington-Schaltung gleichfalls als einziger Transistor
betrachtet werden kann.
Die genannte Aufgabe wird erl'indungsgemäß dadurch
gelöst, daß ein weiteres dreischichtiges Halbleiterbauelement mit einer den Darlington-Transistoren
entgegengesetzten Zonenfolge vorgesehen ist, dessen mittlere Zone mil der Basis des Treibertransistors, die
eine äußere Zone mit der Basis des Endtransistors und die zweite äußere Zone mit der Elektrode des
Endtransistors verbunden ist, die nicht direkt an den Treibertransistor angeschlossen ist
Es hat sich gezeigt, daß mit der erfindungsgemäßen dreipoligen Halbleiteranordnung die Abscha'tzeiten
gegenüber denen der bisher verwendeten Darlington-Schaltungen erheblich reduziert werden können. So
konnte die Abschaltzeit bei einer Ausführungsform halbiert werden. Außerdem wurde festgestellt, daß mit
der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung der durch den Endtransistor fließende hohe Strom bei entsprechender
Ansteuerung an der Basis des Treibertransistors auch dann sicher abgeschaltet werden kann, wenn
die Umgebungstemperatur der Schaltung stark erhöht wird. Der Endtransistor bleibt in der Abschaltphase
immer gesperrt, und das zusätzliche dreischichtige Halbleiterbauelement verhindert, daß der Endtransistor
infolge hoher Sperrströme bei Erhöhung der Umgebungstemperatur zu injizieren beginnt.
Die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung kann, wie dies bei Einzeltransistoren üblich ist, in einem
Transistorgehäuse angeordnet werden, das nur drei
hr> Anschlüsse aufweist. Je einer der Anschlüsse ist mit dem
Kollektor des Endtransistors, mit dem Emitter des Endtransistors und mit der Basis des Treibertransistors
verbunden und bilden auf diese Weise den Basis-,
Emitter- bzw. Kollektoranschluß des Gesamtbauelements.
Die erfindungsgemäße dreipolige Halbleiteranordnung besteht somit aus drei Teilbauelementen, die so
gewählt sind, daß die /e/i/se-Kennlinie des Gesamtbauelements
im wesentlichen nullpunktsymmetrisch ist Das zusätzliche dreischichtige Halbleiterbauelement kann
beispielsweise als Lateraltransistor ausgebildet werden. Es kann sich jedoch auch um einen Planartransistor
üblicher Art handeln, der normal oder invers betrieben werden kann.
Beim Betrieb der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung wird zur Ausschaltung des Endtransistors
vorzugsweise ein Steuerstrom eingeprägt, der der Größe nach dem eingeprägten Steuerstrom bei
eingeschaltetem Endtransistor in etwa entspricht, aber die umgekehrte Polarität aufweist Dieser Steuerstrom
muß nur eine Größe von etwa 1 —5% des gewünschten Ausgangsstromes bei eingeschaltetem Endtransistor
aufweisen, so daß in der Regel der notwendige Steuerstrom von einem vorgeschalteten integrierten
Schaltkreis bezogen werden kann.
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung wird im folgenden noch an Hand von
Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Die F i g. 1 zeigt die erfindungsgemäße dreipolige Halbleiteranordnung in einem schematischen Schaltungsaufbau.
Die F i g. 2 zeigt die /«/L/e^Kennlinie der erfindungsgemäßen
Anordnung.
Die F i g. 3 und 4 zeigen zwei verschiedene Ausführungsformen der Schaltung gemäß F i g. 1 in integrierter
Halbleitertechnik.
In der Schaltung gemäß Fig. 1 bestehen die Transistoren der Darlington-Schaltung beispielsweise
aus npn-Transistoren. Der Kollektor des Endtransistors Γι ist mit dem Kollektor des Treibertransistors T2
verbunden; der Emitter des Treibertransistors T2 ist
seinerseits an die Basis des Endtransistors Ti angeschlossen.
Das zusätzliche dreischichtige Halbleiterbauelemente T) hat bei einer npn-Zonenfolge der
Darlington-Transistoren eine pnp-Zonenfolge. Die mittlere Zone 2 wird mit der Basis des Treibertransistors
T2 verbunden, während die eine äußere Zone 1 an die Basis des Endtransistors Ti und die andere äußere
Zone 3 an die äußere Zone 3 an den Emitter des Endtransistors Ti angeschlossen wird. Die Gesamtanordnung
kann wieder als Einzeltransistor aufgefaßt werden, dessen Basis-, Kollektor- bzw. Emitteranschluß
in der Fig. 1 mit den Buchstaben B, Cund £ bezeichnet
sind.
Die Eingangskennlinie einer Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1 ist in der Fig.2 dargestellt. Die
IbIÜbe-Kennlinie ist im wesentlichen nullpunktsymmetrisch,
was bedeutet, daß auch bei relativ kleinen negativen Basis-Emitterspannungen bereits ein merklicher
negativer Basisstrom fließt Je nach Polarität der anliegenden Basis-Emitterspannung fließt der Basisstrom
einmal über die Transistoren T2 und Ti und im
anderen Fall über den zusätzlichen Transistor T3 ab.
Die Fig.3 zeigt eine Realisierung der Schaltungsanordnung
gemäß Fig. 1 in einer integrierten Halbleiterschaltung.
In einen η-leitenden Halbleiterkörper 7, der für die Transistoren Ti und T2 den Kollektor 8 bildet,
werden von einer Oberflächenseite aus zwei p-leitende Zonen 9 und 5 nebeneinander eindiffundiert. In die
p-ieitende Zone 9 wird schließlich mit Hilfe der bekannten Maskierungs-, Ätz- und Diffusionstechnik
eine η-leitende Zone 10 eindiffundiert, so daß ein erster npn-Transistor T2 zustande kommt.
Zugleich mit der Eindiffusion der η-leitenden Zone 10
werden in die p-leitende Zone 5 nebeneinander zwei η-leitende Zonen 6 und 2 eindiffundiert Die Zone 6
bildet den Emitter des npn-Transistors Ti, während die
Zone 2 die Basiszone des zusätzlichen Transistors Tj ergibt In einem letzten Arbeitsgang muß noch in die
n-lei».ende Zone 2 eine p-leitende Zone 3 eindiffundiert werden, die zusammen mit der Zone 2 und dem unter
der Zone 2 befindlichen Teil 1 der Zone 5 den pnp-Transistor Tj ergibt
Schließlich werden die einzelnen Zonen der Halbleiterbauelemente noch mit metallischen Anschlußkontakten
versehen. So wird an den Kollektor 8 der Transistoren T( und T2 der Kollektorkontakt 18
angebracht, während die Zone 9 mit dem Kontakt 15, die Zonen 10 und 5 mit dem gemeinsamen Kontakt 12,
die Zonen 6 und 3 mit dem gleichfalls gemeinsamen Kontakt 13 und die Zone 2 mit dem Kontakt 14
versehen werden. Die Anschlußkontakte 15 und 14 werden außerdem noch zur Realisierung der Schaltung
gemäß Fig. 1 über einen Anschlußdraht 11 oder über
eine auf der Halbleiteroberfläche verlaufende Leitbahn miteinander verbunden. Der Kontakt 15 wird mit dem
Basisanschluß 16, der Kontakt 13 mit dem Emitteranschluß 17 und der Kontakt 18 mit dem Kollektoranschluß
für die Gesamtanordnung verbunden. Die die pnp-Übergänge und die nicht für die Metallkontakte
benötigten Oberflächenbereiche bedeckende Isolierschicht ist in der F i g. 2 mit der Ziffer 20 bezeichnet.
Die Fig.4 zeigt eine der Fig.3 ähnliche Ausführungsform,
die besonders für Hochspannungsbetriebe geeignet ist. Auf einem wiederum η-leitenden HaIbleiterkörper
7, der die Kollektorzone 8 für die Transistoren Ti und T2 bildet, wird eine p-leiiende
Halbleiterschicht 19 epitaktisch abgeschieden. Dieser Halbleiterschicht wird eine mesaförmige Randgestaltung
gegeben; außerdem wird ein Teil der Mesaschicht durch einen Graben 22 vom übrigen Teil abgetrennt. In
diesen abgetrennten Teil wird der Treibertransistor T2
eingebracht, wobei die Basiszone 9 von der epitaktischen Schicht gebildet wird, so daß nur noch die
Emitterzone 10 durch Diffusion hergestellt werden muß. Auch für den End-Transistor Ti dient die epitaktische
Schicht als Basiszone 5, in die wiederum durch Diffusion die Emitterzone 6 eindiffundiert wird. Um den
zusätzlichen Transistor realisieren zu können, wird vorzugsweise ein Teil der η-leitenden Zone 2, die bei der
Herstellung der Zone 6 mit in die epitaktische Schicht eindiffundiert wurde, durch Ätzen wieder abgetragen.
Auf diese Weise erreicht man, daß die Dotierung der Zone 2 in ihrem an die Oberfläche tretenden Teil relativ
gering ist, so daß die p-leitende Zone 3 durch Eindiffundieren entsprechender Störstellen ohne
Schwierigkeiten hergestellt werden kann. Die Zonen 10, 9, 2,3,5 und 6 werden in der angegebenen Reihenfolge
mit den Kontakten 12a, 15, 14, 136, \2b und 13a versehen. Um die Schaltung gemäß Fig. 1 zu verwirkli-M)
chen, müssen noch die Kontakte 12a und 12£>
sowie die Kontakte 13a und 13b ebenso wie die Kontakte 14 und 15 miteinander verbunden werden. Der Kollektorgrundkörper
8 wird wiederum mit einem Kollektoranschluß 18 versehen. Die frei liegenden Teile der
tv) Halbleiteroberfläche sowie die Grabenwand und die
Seitenflächen des Mesaberges werden noch mit einer Passivierungsschicht 21 versehen.
Es hat sich gezeigt, daß die freiliegende Halbleitern-
Ordnung nach der Erfindung durch positive und negative Basisströme nicht beschädigt wird. Die Ansteuerschaltung
kann deshalb so ausgelegt werden, daß sie für den »E1N«-Zustand einen positiven, für den »AUS«-Zustand
einen negativen Basisstrom liefert, ohne daß eine Gefährdung des Bauelements auftritt. Die erforderlichen
Steuerströme sind dabei klein; typisch ist ein Wert von 1% des zu schaltenden Laststromes. Es sind jedoch
auch wesentlich höhere Steuerströme, wie sie beispielsweise bei Störungen auftreten können, ungefährlich.
Es wurde bereits erwähnt, daß die erfindungsgemäße Halbleiteranordnung auch bei hohen Umgebungstemperaturen
kleine Sperrströme aufweist. So wurde gefunden, daß der Kollektorrückstrom nur 10 μΑ
betrug, bei einer Ansteuerung der Halbleiteranordnung !5
im »AUS«-Zustand und einem Wert Uce= 100 Volt
sowie einer Umgebungstemperatur von 1200C. Bei einer Darlington-Schaltung herkömmlicher Art ließ sich
der Endtransistor bei den genannten Verhältnissen überhaupt nicht mehr abschalten und blieb in unerwünschter
Weise im »EINw-Zustand. Bei einer kleineren Spannung von LV/: = 20 Volt zeigt das erfindungsgemäße
Bauelement in einer Ausführungsform bei 1200C einen Rückstrom von nur ca. 1 μΑ, während das
entsprechende Bauelement aus den Transistoren 7Ί und T2 einen Rückstrom von 50 — 100 μΑ aufwies. Somit hat
sich gezeigt, daß durch die erfindungsgemäße Anordnung die stationäre Sperrcharakteristik im Vergleich zu
einem normalen Darlington-Transistor erheblich verbessert werden konnte.
Um bei der gezeigten integrierten Anordnung eine unerwünschte Thyristorfunktion über die Schichtenfolge
p-n-p-n, gebildet aus den den Zonen 3-2-1-8, auszuschließen, kann an geeigneter Stelle eine Schottky-Diode
23 vorgesehen werden, die die Zonenfolge 2-1 überbrückt.
Diese Schottky-Diode kann in bekannter Weise durch Aufdampfen eines geeigneten Metalls, z. B. Platin, aul
das hochreine η-Silizium erzeugt werden und kann anschließend in üblicher Weise mit Aluminium überdeckt
werden.
Bei der Anordnung nach F i g. 3 wurde der Schottky-Kontakt 23 an der n-Zone 10 angebracht. Da die n-Zone
10 aber mit der p-Zone 9 mit der n-Zone 2 verbunden ist wirkt die Schottky-Diode 23 so, als wäre sie direkt
zwischen die Zonen 2-1 geschaltet.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Dreipolige Halbleiteranordnung zum Schalten großer Ströme mit zwei nach Art einer Darlington-Schaltung
miteinander verbundenen Transistoren gleicher Zonenfolge, von denen der eine als
Treibertransistor für den den Strom schaltenden Endtransistor wirkt, dadurch gekennzeichnet,
daß ein weiteres dreischichtiges Halbleiterbauelement (T3) mit einer den Darlington-Transistoren
(T1, Ti) entgegengesetzten Zonenfolge vorgesehen
ist, dessen mittlere Zone (2) mit der Basis des Treibertransistors (Ti), die eine äußere Zone (1) mit
der Basis des Endtransistors (T\) und die zweite äußeres Zone (3) mit der Elektrode des Endtransistors
(Ti) verbunden ist, die nicht direkt an den Treibertransistof (Tt) angeschlossen ist
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es in einem Gehäuse angeordnet
ist, das drei Anschlüsse aufweist, von denen je einer mit dem Kollektor des Endtransistors (Γι), mit
dem Emitter des Endtransistors (Γι) und mit der
Basis des Treibertransistors (T2) verbunden ist und
die den Basis-, Emitter- bzw. Kollektoranschluß des Gesamtbauelements bilden.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilbauelemente
(Tu T2, T3) so gewählt sind, daß die /e/£7fl£-Kennlinie
des Gesamtbauelements im wesentlichen nullpunktsymmetrisch ist.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zusätzliche dreischichtige
Halbleiterbauelement (T\) als Lateraltransistor ausgebildet
ist.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die eine äußere Zone (1) des
zusätzlichen dreischichtigen Halbleiterbauelements (T3) ein Teil der Basiszone (5) des Endtransistors (T1)
ist, daß zur Bildung der mittleren Zone (2) in die Basiszone (5) des Endtransistors (T\) eine weitere,
dem Leitungstyp der Emitterzone (6) des Endtransistors (T\) entsprechende Zone eingebracht ist und
daß schließlich in diese Zone vom Leitungstyp der Emitterzone die zweite äußere Zone (3) des
dreischichtigen Bauelements eingebracht ist.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone (6) des
Endtransistors (T\) und die mittlere Zone (2) des zusätzlichen Bauelements in einem Diffusionsgang
hergestellt sind.
7. Betrieb einer Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Ausschaltung des Endtransistors ein Steuerstrom eingeprägt wird, der der Größe
nach dem eingeprägten Steuerstrom bei eingeschaltetem Endtransistor etwa entspricht aber die
umgekehrte Polarität aufweist.
8. Betrieb einer Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerstrom
etwa 1 —5% des gewünschten Ausgangsstromes bei eingeschaltetem Endtransistor beträgt.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2610122A DE2610122C3 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Dreipolige Halbleiteranordnung |
US05/775,782 US4164747A (en) | 1976-03-11 | 1977-03-09 | Semiconductor arrangement |
JP2586377A JPS52110575A (en) | 1976-03-11 | 1977-03-09 | Threeeterminal semiconductor device |
FR7707386A FR2344186A1 (fr) | 1976-03-11 | 1977-03-11 | Dispositif tripolaire a semiconducteurs |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2610122A DE2610122C3 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Dreipolige Halbleiteranordnung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2610122A1 DE2610122A1 (de) | 1977-09-15 |
DE2610122B2 DE2610122B2 (de) | 1978-03-23 |
DE2610122C3 true DE2610122C3 (de) | 1978-11-09 |
Family
ID=5972122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2610122A Expired DE2610122C3 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Dreipolige Halbleiteranordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4164747A (de) |
JP (1) | JPS52110575A (de) |
DE (1) | DE2610122C3 (de) |
FR (1) | FR2344186A1 (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356416A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | General Electric Company | Voltage controlled non-saturating semiconductor switch and voltage converter circuit employing same |
FR2505102B1 (fr) * | 1981-04-29 | 1986-01-24 | Radiotechnique Compelec | Amplificateur de type darlington forme d'un transistor a effet de champ et d'un transistor bipolaire, et sa realisation en structure semi-conductrice integree |
DE3120695A1 (de) * | 1981-05-23 | 1982-12-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | "schaltungsanordnung mit einem endtransistor zum ein- und ausschalten eines verbrauchers, insbesondere der primaerwicklung einer zu der zuendanlage einer brennkraftmaschine gehoerenden zuendspule" |
JPS585029A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Fujitsu Ltd | レベル変換回路 |
US4465971A (en) * | 1982-03-15 | 1984-08-14 | Rca Corporation | Circuit for coupling signals to or from a circuit under test |
US4542399A (en) * | 1983-02-22 | 1985-09-17 | National Semiconductor Corporation | Feed forward Darlington circuit |
IT1214806B (it) * | 1984-09-21 | 1990-01-18 | Ates Componenti Elettron | Dispositivo integrato monolitico di potenza e semiconduttore |
EP0176753A1 (de) * | 1984-09-27 | 1986-04-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Darlington-Schaltung mit einem Feldeffekttransistor und einen bipolaren Ausgangstransistor |
JPH0628335B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1994-04-13 | 沖電気工業株式会社 | 駆動回路 |
US4727264A (en) * | 1985-06-27 | 1988-02-23 | Unitrode Corporation | Fast, low-power, low-drop driver circuit |
US4823070A (en) | 1986-11-18 | 1989-04-18 | Linear Technology Corporation | Switching voltage regulator circuit |
NL8801103A (nl) * | 1988-04-28 | 1989-11-16 | Philips Nv | Transistorschakeling met stuurstroombegrenzing. |
CN100422753C (zh) * | 2005-08-12 | 2008-10-01 | 上海三基电子工业有限公司 | 一种用于车载电子干扰模拟器的直流功率放大器 |
US9245880B2 (en) * | 2013-10-28 | 2016-01-26 | Mosway Semiconductor Limited | High voltage semiconductor power switching device |
CN106549007B (zh) * | 2015-09-16 | 2019-06-07 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 功率ic、引线框、功率ic的封装体以及灯具 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2862171A (en) * | 1957-01-02 | 1958-11-25 | Honeywell Regulator Co | Control apparatus |
US3723834A (en) * | 1971-07-27 | 1973-03-27 | Philips Corp | Semiconductor device having a closed conductive rubber ring clamped around all electric conductors |
US3831102A (en) * | 1973-03-09 | 1974-08-20 | Rauland Corp | Push-pull audio amplifier |
US3995307A (en) * | 1973-12-28 | 1976-11-30 | International Business Machines Corporation | Integrated monolithic switch for high voltage applications |
US3971961A (en) * | 1973-12-28 | 1976-07-27 | Victor Company Of Japan, Limited | Pulse amplifier |
-
1976
- 1976-03-11 DE DE2610122A patent/DE2610122C3/de not_active Expired
-
1977
- 1977-03-09 JP JP2586377A patent/JPS52110575A/ja active Pending
- 1977-03-09 US US05/775,782 patent/US4164747A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-03-11 FR FR7707386A patent/FR2344186A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2610122B2 (de) | 1978-03-23 |
JPS52110575A (en) | 1977-09-16 |
DE2610122A1 (de) | 1977-09-15 |
FR2344186A1 (fr) | 1977-10-07 |
US4164747A (en) | 1979-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2610122C3 (de) | Dreipolige Halbleiteranordnung | |
DE69322963T2 (de) | Eine integrierte Vorrichtung mit einem bipolaren Transistor und einem MOSFET Transistor in Emittorschaltungsanordnung | |
DE2257846B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung | |
DE3443854A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2047166B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung | |
DE2439875A1 (de) | Halbleiterbauelement mit negativer widerstandscharakteristik | |
EP0071916B1 (de) | Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1564048C3 (de) | Halbleiterschalter für niedrige Schaltspannungen | |
DE3700071A1 (de) | Halbleiterschalter | |
DE1213920B (de) | Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps | |
DE2549614B2 (de) | Halbleiterschalter | |
DE3221363A1 (de) | Integrierter ueberlast-schutzschaltkreis und integrierte ueberlast-schutzschaltung | |
DE2906961A1 (de) | Feldgesteuerte thyristor-steueranordnung | |
DE3838964C2 (de) | ||
DE2534703C3 (de) | Abschaltbarer Thyristor | |
DE2915885C2 (de) | Thyristor mit Steuerung durch Feldeffekttransistor | |
DE1123402B (de) | Halbleiterdiode mit mehreren PN-UEbergaengen | |
DE1762435B2 (de) | Hochverstaerkende integrierte verstarkerschaltung mit einem mos feldeffekttransistor | |
DE3104743C2 (de) | Halbleiter-Schaltanordnung | |
DE3005367C2 (de) | ||
DE2835143A1 (de) | Thyristor | |
DE1803032A1 (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement | |
DE3871908T2 (de) | Lateraler hochspannungstransistor. | |
DE3439803C2 (de) | ||
DE2609219A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |