DE2814021B2 - Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist - Google Patents
Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar istInfo
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Description
Ί)
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Es handelt sich
um eine Schaltanordnung, die aufgrund eines Steuerstroms relativ geringer Stärke anfänglich in einem
ersten Betriebszustand einen verhältnismäßig starken Strom innerhalb eines bis zu einem vorbestimmten
begrenzten Betrag gehenden Bereichs, in einem anderen Betriebszustand einen Strom innerhalb eines
relativ niedrigliegenden Bereichs bei verhältnismäßig geringem Spannungsahfall an der Schaltanordnung und
um in einem ausgeschalteten Zustand keinen Strom zu leiten vermag.
In einer Darlingtonschaltung spricht ein Ansteuertransistor
(Treibertransistor) auf einen seiner Basiselektrode zugeführten Strom an und leitet über seinen
Hauptstromweg Strom zur Basiselektrode eines Ausgangstransistors. Es wurde nun erkannt, daß ein in
Darlingtonschaltung angeordnetes Transistorpaar so eingesetzt werden kann, daß auf einen in die Basis des
Treibertransistors geleiteten relativ schwachen Steuerstrom ein Strom hohen Betrags über den Hauptstromweg
des Ausgangstransistors geleitet wird. Ferner wurde erkannt, daß, wenn man den Betrag des über den
Hauptstromweg des Ausgängstransistors fließenden Stroms auf einen relativ niedrig liegenden Wert
reduziert, der Spannungsabfall an diesem Hauptstromweg in entsprechendem Verhältnis auf einen Wert
vermindert wird, der zur Aufrechterhaltung des Stromflusses durch den Hauptstromweg des Treibertransistors
nicht mehr ausreicht Dies bringt die Darlingtonschaltung zum Sperren und verhindert somit,
daß die Schaltung einen relativ schwachen Strom über den Hauptstrom des Ausgangstransistors bei relativ
niedrigem Spannungsabfall an diesem Weg leitet
Eine erfindungsgemäß ausgebildete Schalteinrichtung enthält einen ersten und einen zweiten Transistor, die
als »angezapfte« Darlingtonschaltung angeordnet sind. Der erste Transistor wird durch ein Steuersignal
eingeschaltet und leitet einen Strom zur Basis des zweiten Transistors, wobei die Kombination wie ein
Darlingtonpaar arbeitet, wodurch Strom im hohen Bereich bis zu einem begrenzten Betrag zugeleitet wird.
Im niedrigen Strombereich wird der erste Transistor ausgeschaltet und der zweite Transistor spricht auf das
seiner Basiselektrode angelegte Steuersignal an, wodurch die Stromleitung mit einem relativ niedrigen
Spannungsabfall an seiner Kollektor-Emitter-Strecke fortgesetzt wird. Eine derartige Schalteinrichtung kann
z. B. gut zum Abschalten eines steuerbaren Siliziumgleichrichters eines Typs verwendet werden, der sich
über seine Steuerelektrode sperren läßt.
Die Erfindung wird nachstehend an Ausführungsbeispielen anhand von Zeichnungen näher erläutert.
F i g. 1 zeigt das Schema einer bekannten Schaltung zum Betreiben eines steuerbaren Siliziumgleichrichters,
der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist;
F i g. 2 zeigt das Schaltbild einer Ausführungsform der Erfindung in einer Anordnung zum Betreiben eines
steuerbaren, über seine Steuerelektrode abschaltbaren Siliziumgleichrichters;
Fig.3 zeigt das Schaltbild einer anderen Ausführungsform
der Erfindung;
Fig.4 zeigt Strom/Spannungs-Kennlinien für die in
F i g. 2 dargestellte Ausführungsform der Erfindung.
In F i g. 1 ist mit der Bezugszahl 1 ein steuerbarer Siliziumgleichrichter eines Typs bezeichnet, der sich
über seine Steuerelektrode abschalten läßt. Ein Bauelement dieses Typs wird nachstehend kurz
GTO-Gleichrichter oder einfach »GTO« genannt (von engl.: »gate-turn-off rectifier«). In der Anordnung nach
F i g. 1 wird der GTO-Gleichrichter 1 dadurch eingeschaltet, daß ein Schalter 3 betätigt wird, um einen
Stromweg zwischen einer Versorgungsklemme 9 und der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters zu schließen.
Die Klemme liegt an einer Betriebsspannung + V und liefert, sobald der erwähnte Stromweg geschlossen
ist, Strom über einen Widerstand 11 und den Schalter 3 an die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1, um
ihn einzuschalten. Wenn der Gleichrichter auf diese Weise eingeschaltet ist, nimmt der Widerstandswert
seines Hauptstromwegs zwischen Anode und Kathode wesentlich ab, so daß ein Strom IL von der Klemme 9
über diesen Hauptstromweg zur Last 13 fließen kann. Wenn ein GTO-Gleichrichter durch Anlegen eines
Einschaltsignals an seine Steuerelektrode einmal eingeschaltet ist kann das Einschaltsignal fortgenommen
werden, ohne daß dadurch die Stromleitung über den Hauptstromweg unterbrochen wird. Dies ist ein
charakteristisches Merkmal von GTO-Gleichrichtern und anderen gesteuerten Siliziumgleichrichtern, die zur
Familie der sogenannten Thyristoren gehören. Im
normalen Betrieb der Schaltung nach F i g. 1 kann also
der Schalter 3 nach erfolgter Einschaltung des GTO-Gleichrichters 1 in seine neutrale Stellung
zurückgebracht werden, bei welcher die Steuerelektrode
des GTO-Gleichrichters ohne Anschluß ist
Zum Abschalten des GTO-Gleichrichters 1 wird der Schalter 3 so betätigt, daß er den Stromweg zwischen
der Steuerelektrode des Gleichrichters und einem an die Klemme 15 angeschlossenen Bezugspotential (im
dargestellten Beispiel das Massepotential) schließt. In in
diesem Zustand der Schaltung wird ein wesentlicher Teil des von der Anode des GTO-Gleichrichters 1
kommenden Stroms von der Kathode weggelenkt und zur Steuerelektrode und dann nach Masse umgeleitet
Der nach Masse fließende Steuerelektrodenstrom ö nimmt mit dem Sperren des GTO-Gleichrichters 1
schnell ab und vermindert sich auf praktisch 0, wenn der Gieichrichter gesperrt (abgeschaltet) ist. Wenn der
GTO-Gleichrichter 1 wie beim dargestel'ten Beispiel
eine Kathodenlast 13 mit kapazitiver Komponente 2u aufweist, führt bei niedrigeren Werten des Steuerelektroden-Abschaltstroms
die abnehmende Spannung an der Last 13 dazu, daß diese Last wie eine Batterie im
Sinne einer Unterstützung der Lieferung von Abschaltstrom wirkt und den Kathoden-Steuerelektroden-Über- r.
gang des GTO-Gleichrichters 1 in Sperrichtung vorspannt
Bei den derzeit verfügbaren GTO-Gleichrichtern muß die Steuerelektrode direkt nach erreichter
Abschaltung des Gleichrichters auf einen Spannungswert geklemmt werden, der nahe (innerhalb von etwa
0,25 Volt) an der Kathodenspannung (im dargestellten Fall das Massepotential) liegt, um die völlige Abschaltung
sicherzustellen, denn ansonsten kann sich der GTO-Gleichrichter wieder einschalten. Ferner sei κ
erwähnt, daß der von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters anfänglich fließende Abschaltstrom
für eine Dauer von 10 bis 20 Mikrosekunden einen hohen Wert von etwa 80% des Laststroms Il
annehmen kann. In bestimmten Anwendungsfällen ist es -to erwünscht, den Spitzenwert dieses Abschaltstroms zu
begrenzen, um eine Beschädigung des GTO-Gleichrichters zu verhindern. Wie erwähnt nimmt dieser in
Sperrichtung fließende Steuerelektrodenstrom (Igq)
schnell ab, und bei erfolgter Abschaltung des GTO-Gleichrichters 1 fließt nur noch ein relativ kleiner
Leckstrom von der Anode zur Steuerelektrode nach Masse.
In der Anordnung nach F i g. 2 sind anstelle des Schalters 3 elektronische Schalteinrichtungen 19 und 21
zum Einschalten bzw. Abschalten des GTO-Gleichrichters 1 vorgesehen. Durch Anlegen eines Impulses an
eine Einschaltklemme 17 wird die Einschalteinrichtung 19 betätigt, wodurch auf die Steuerelektrode des
GTO-Gleichrichters 1 ein Signal zum Einschalten dieses Gleichrichters gegeben wird. Als Einschalt-Steuerelement
kann z. B. ein Transistor 23 dienen. Wenn der Transistor 23 durch Anlegen eine positiven Impulses an
die Klemme 17 eingeschaltet ist, liegt an dem der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 abgewand- f>o
ten Ende eines Widerstands 11 die Betriebsspannung + V. Somit fließt über den Widerstand 11 Strom zur
Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1, womit dieser eingeschaltet wird und Strom Il zur Last 13 leitet.
In der Anordnung nach F i g. 2 könnte man den Transistror 25, die Diode 27 und den Widerstand 29
fortlassen und nur den Transistor 31 und den Widerstand 35 zum Abschalten des GTO-Gleichrichters
1 verwenden. Hierzu müßte man ein positiv gerichtetes Abschaltsignal an die Klemme 33 legen, um den
Transistor 31 einzuschalten, so daß die Impedanz zwischen seinem Kollektor und seinem Emitter
wesentlich vermindert wird und dadurch die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 effektiv mit Masse
verbunden wird. Wenn der Betrag des Laststroms Il sehr hoch ist und z. B. etwa 30 Ampere beträgt, dann
kann ein negativer Steuerelektrodenstrom von z. B. etwa 12 bis 24 Ampere von der Steuerelektrode des
GTO-Gleichrichters 1 über die Klemme 39 und über den Transistor 31 nach Masse fließen. Obwohl dieser relativ
hohe negative Steuerelektrodenstrom wie oben erwähnt schnell absinkt, muß der Transistor 31 einen
solchen starken Stromstoß ohne Beschädigung leiten können, und zwar bei sehr niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung.
Der Transistor 31 muß außerdem fähig sein, die Steuerelektrode auf etwa 0,2 Volt zu
klemmen, um sicherzustellen, daß der GTO-Gleichrichter nicht wieder eingeschaltet wird. Die Verwendung
eines einzigen Transistors zur Abschaltung eines GTO-Gleichrichters auf diese Weise gehört zum Stand
der Technik, jedoch muß ein solcher Transistor mit einem relativ hohen Basisstrom angesteuert werden,
damit sein Hauptstromweg den anfänglichen starken Strom von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters
1 beim Abschalten des Gleichrichters auch wirklich leiten kann. In vielen Anwendungsfällen sind Signalschaltungen
zur Lieferung des anfänglichen relativ hohen Basissteuerstroms an dem Transistor entweder
nicht verfügbar oder unwirtschaftlich. Ein solcher Anwendungsfall wäre z. B. eine von einem Mikroprozessor
gesteuerte Zündanlage für ein Kraftfahrzeug.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung werden zwei Transistoren 25 und 31 kombiniert, um eine
Verbund-Schalteinrichtung 21 zu bilden, wie sie in F i g. 2 dargestellt ist. Die Verbundschaltung 21 kann
entweder mit diskreten Bauelementen oder in Form einer integrierten Schaltung hergestellt werden. Wie zu
erkennen ist, sind die Transistoren 25 und 31 ähnlich einer Darlingtonschaltung angeordnet, wobei der
Ausgangstransistor 31 an seiner Basiselektrode eine »Anzapfung« hat. die über den Widerstand 35 mit der
Klemme 33 verbunden ist. Eine eingefügte Diode 27 sorgt dafür, daß der Transistor 31 über den durch den
Widerstand 35 fließenden Strom richtig vorgespannt wird, indem sie durch ihre Blockierungswirkung
verhindert, daß während des noch zu erläuternden inversen Betriebs des Transistors 25 irgendein Teil des
Stroms von diesem Widerstand 35 über die Strecke zwischen Kollektor und Emitter des Transistors 25
fließt.
In einer alternativen Ausführungsfonn, die in F i g. 3
dargestellt ist, kann eine Diode 37 in den Kollektorkreis des Transistors 25 eingefügt und die Diode 27
fortgelassen werden. Die Diode 37 erfüllt dann den gleichen Zweck wie die Diode 27. Gegenwärtig ist die
Schaltung 21 leichter in integrierter Bauweise herzustellen als die in Fig.3 gezeigte Schaltung 21'. Wenn man
jedoch die Transistoren 25 und 31 und die Werte der Widerstände 29 und 35 für einen bestimmten Betrag des
Laststroms Il und für einen speziellen GTO-Gleichrichter 1 sorgfältig auswählt, dann kann die Diode 27 bzw.
die Diode 37 unter Umständen fortgelassen werden. Ein solches Vorgehen eignet sich aber nicht zur Massenfertigung.
Der Wert des Vorspannungswiderstands 29 wird so ausgewählt, daß bei einem vorbestimmten Wert einer
positiven Spannung an der Eingangsklemme 33 der Transistor 25 eingeschaltet wird und zum Transistor 31
einen Strom leitet, der diesen Transistor veranlaßt, einen relativ hohen Betrag des von der Klemme 39
kommenden Stroms zu leiten und den Maximalwert des über seinen Hauptstromweg geleiteten Stroms auf
einen Wert Imax zu begrenzen. Der Wert des Vorspannungswiderstands 35 wird so gewählt, daß bei
einem vorbestimmten Wert einer positiven Spannung an der Eingangsklemme 33 der Transistor 31 einen
Leitzustand einnimmt oder weiter beibehält, und den Strom innerhalb eines relativ niedrigen Bereichs bei
relativ niedrigem Spannungsabfall über seine Kollektor-Emitter-Strecke leitet.
Alternativ kann die Abschaltung natürlich auch durch zwei gleichzeitig geschaltete Konstantstromquellen
gesteuert werden, deren eine anstelle des Widerstands 29 Basisstrom an den Transistor 25 liefert und deren
andere anstelle des Widerstands 35 Basisstrom an den Transistor 31 liefert. Diese Stromquellen können z. B.
die Kollektorelektroden von PNP-Bipoiartransistoren sein, die so angeordnet sind, daß sie gleichzeitig ein- und
ausgeschaltet oder selektiv in den Leitzustand und den Sperrzustand geschaltet werden können.
Die in F i g. 4 dargestellten Betriebskennlinien für die zusammengesetzte Schalteinrichtung 21 bzw. 2V nach
F i g. 2 bzw. 3 offenbaren folgendes: Wenn an die Klemme 39 eine Stromquelle angeschlossen ist und der
Eingangsklemme 33 das vorbestimmte Eingangssignal angelegt wird, dann sind für Stromwerte im Bereich von
Ia bis Imax beide Transistoren 25 und 31 eingeschaltet so daß die Kombination wie eine Darlingtonschaltung
wirkt. In diesem Betriebsbereich hat der über den Widerstand 35 an die Basis des Transisotrs 31 gelieferte
Strom praktisch keinen Einfluß auf den Betrieb des Transistors 31, denn der vom Transistor 25 dorthin
gelieferte Strom ist in seinem Betrag wesentlich größer. Wenn der zur Klemme 39 gelieferte Strom einen
höheren Betrag als Imax hat, dann geht der Transistor 31 aus seiner Sättigung und begrenzt den über seinen
Hauptstromweg fließenden Strom auf einen Betrag Imax- Im niedrigen Strombereich von 0 bis Ia ist der
Transistor 25 gesperrt und der Transistor 31 durch den über den Widerstand 35 kommenden Strom eingeschaltet,
um den innerhalb dieses niedrigen Bereichs liegenden Strom zu leiten, und zwar mit einem
Spannungsabfall von etwa 0,2 Volt an seiner Kollektor-Emitter-Strecke. Bei einem im hohen Bereich liegenden
Strom ist der Spannungsabfall Vc£3i an der Kollektor-Emitter-Strecke
des Transistors 31 größer als der zur Aufrechterhaltung der Leitfähigkeit des Transistors 25
notwendige Spannungsabfall an der Serienschaltung des Hauptstromweges des Transistors 25 mit der Diode (27
in der Schalteinrichtung 21; 37 in der Schalteinrichtung 21') und der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 31
(dieser Spannungswert ist in F i g. 4 als VY eingetragen).
Wenn der zur Klemme 39 gelieferte Strom gerade unter IA abfällt, dann ist die Spannung Vce3i kleiner als VV, und
der Transistor 25 sperrt Ohne Verwendung der Diode 27 bzw. 37 würde sich, wenn der zur Klemme 39
gelieferte Strom unter Ia zum Betrag 0 hin absinkt, die
Polarität der Spannung an der Kollektor-Emitter-Strekke
des Transistors 25 umkehren, d. h. positiv am Emitter und negativ am Kollektor. Der Transistor 25 ginge dann
in den inversen Betrieb über, bei welchem sein Kollektor als Emitter und sein Emitter als Kollektor
wirkt, so daß seine Kollektor-Emitter-Strecke einen Teil des zur Basis des Transistors 31 gelieferten Stroms von
dieser Basis zum Kollektor des Transistors 31 leitet. Ein solcher inverser Betrieb des Transistors 25 bringt die
Vorspannung des Transistors 31 im Niedrigstrombereich durcheinander und kann z. B. verhindern, daß die
': Spannung Vc£3i unter 0,25 Volt absinkt, womit eine
notwendige Bedingung zum vollständigen Abschalten eines GTO-Gleichrichters nicht erfüllt wäre. Mit der
Einfügung der Diode 27 bzw. 37 in die Schaltung 21 bzw. 21' wird ein solches Abzweigen des Basisstroms vom
i" Transistor 31 während des Gegenbetabetriebs des
Transistors 25 verhindert, denn die Diode 37 bzw. 37' ist zur betreffenden Zeit in Sperrichtung gespannt.
Die Schalteinrichtung 21 bzw. 2Γ benötigt beim Betrieb sowohl im Hochstrombereich als auch im
ir> Niedrigstrombereich nur einen relativ schwachen
Eingangsstrom an der Eingangsklemme 33. Im Hochstrombereich arbeiten die Schalteinrichtungen 21 und
21' jeweils wie eine Darlingtonschaltung und benötigen für den Transistor 25 jeweils einen Basisstrom eines
2» maximalen Werts von Imax geteilt durch das Produkt
der Stromverstärkungen (/fes, ßu) der Transistoren 25
und 31. Im Niedrigstrombereich ist der Maximalwert des an der Klemme 33 zuzuführenden Ansteuerstroms
gleich Ia geteilt durch ß3i. Nimmt man als Beispiel an,
^ daß /?25 und ß3\ jeweils gleich 30 ist und daß Imax etwa 30
Ampere beträgt, dann müssen also der Basis des Transistors 25 nur etwa 33 Milliampere zugeführt
werden, damit der Transistor 31 den 30 Ampere starken Strom leitet. Im Hochstrombereich wird, wenn der
«> Strom unter Imax absinkt, entsprechend weniger
Basissteuerstrom am Transistor 25 benötigt. Wenn man für Ia einen Betrag von 1 Ampere annimmt, dann
brauchen im Niedrigstrombereich nur etwa 33 Milliampere an die Basis des Transistors 31 geliefert zu werden,
ir> und wenn der Strom unter Ia nach Null absinkt, wird
dieser Strombedarf entsprechend geringer. Somit können die gezeigten Transistorschalteinrichtungen 21
und 21' in Systemen eingesetzt werden, wo die verfügbaren Signalquellen zur Betätigung der Schaltein-
·*'■' richtung nur schwache Ströme senden können.
Die F i g. 2 zeigt die kombinierte Transistorschalteinrichtung 21 im Einsatz als Abschalteinrichtung für den
GTO-Gleichrichter 1. Die Einschaltung des GTO-Gleichrichters 1 ei folgt wie erwähnt durch Anlegen
eines Einschaltsignals an die Klemme 17, womit der Transistor 23 leitend gemacht wird, wodurch eine
positive Spannung an die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gelegt wird. Einmal eingeschaltet bleibt
der GTO-Gleichrichter 1 auch dann im leitenden
5« Zustand, nachdem das Einschaltsignal von der Klemme 17 fortgenommen und der Transistor 23 somit gesperrt
ist. Um den GTO-Gleichrichter 1 abzuschalten, wird an die Klemme 33 der kombinierten Schalteinrichtung 21
ein Abschaltsignal gelegt, welches den Transistor 25 einschaltet, wodurch Strom zur Basis des Transistors 31
zugeliefert wird. Auf diesen Basisstrom hin schaltet sich der Transistor 31 schnell ein, und leitet einen Strom
ziemlich hohen Betrags von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 zur Klemme 15, die an ein
Bezugspotential (im vorliegenden Fall Masse) angeschlossen ist Der Transistor 31 ist zu dieser Zeit so
vorgespannt, daß der aus der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gezogene Strom auf einen Betrag
Imax begrenzt ist Wie oben beschrieben, nimmt der anfänglich relativ starke Stoß des von der Steuerelektrode
des GTO-Gleichrichters 1 gezogenen Stroms schnell ab, wenn die Abschaltung des GTO-Gleichrichters
beginnt Wenn dieser von der Steuerelektrode des
GTO-Gleichriehters 1 kommende Abschaltstrom auf
einen Wert unter U absinkt, dann nimmt die Spannung am Hauptstromwcg des Transistors 31 auf einen Wert
ab, der den Transistor 25 zum Sperren bringt, wie es oben beschrieben wurde. Zu dieser Zeit fährt der
Transistor 31 fort, Strom im Niedrigstrombereich zu leiten, und zwar unter dem Lüinfluß des ihm über den
Widerstand 35 zugeführten Basisstroms. Wenn der von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gezogene
negative Steucreleklrodenstrom (Abschaltstrom) weiter absinkt, dann sinkt die Spannung an dem diesen
Strom leitenden Stromweg des Transistors 31 weiter bis auf einen relativ niedrigen Wert von etwa 0,2 Volt.
Wenn die Abschaltung des GTO-Gleichrichters 1 beendet ist, dann sinkt der über den Transistor 31
fließende Steuercleklrodcnstrom leq des GTO-Gleichrichters
1 auf praktisch den Betrag 0 ab, und der Transistor 31 klemmt die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters
1 auf etwa 0,2 Volt, womit sichergestellt wird, daß sich der GTO-Gleichrichter 1 nicht wieder
einschalten kann. Das an die Klemme 33 gelegte Abschallsignal kann jetzt forlgcnommen werden, da die
Abschaltung des GTO-Gleichrichters 1 nun vollführt ist.
Die zusammengesetzte Schalteinrichtung 21 (oder 2Y) kann den GTO-Gleichrichter 1 auch dann abschalten,
wenn dessen Kathode direkt mit der Klemme 15 verbunden ist und die Last 13 an anderer Stelle liegt,
?.. B. zwischen der Klemme 9 und der Anode des GTO-Gleichrichters 1.
Die zusammengesetzte Transistorschaltcinrichtung 21 oder 2Γ nach V i g. 2 bzw. 3 kann auch zu anderen
Zwecken als zur Abschaltung eine GTO-Gleichrichters verwendet werden. So eignen sich die Schalteinrichtungen
21 und 21' auch zum lintladen von Kondensatoren oder Induktivitäten oder in anderen Anwendungsfällen,
wo es erforderlich ist, während eines Betriebszustandes der Schalteinrichtung einen anfänglichen hohen aber in
seinem Betrag begrenzten Strom zu leiten und in einem anderen Betriebszustand einen demgegenüber niedrigeren
Strom zu leiten und zwar mit einem zu dieser Zeit niedrigen Spannungsabfall an der Schalteinrichtung.
Auch in solchen Anwcndungsfällen benötigt man nur relativ niedrige Beträge an Signalstrom zum Betätigen
der Schalteinrichtungcn 21 und 21', wie es oben erläutert wurde.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode
abschaltbar ist, mit einer Abschalteinrichtung, die einen ersten Transistor enthält, dessen Kollektor mit
der Steuerelektrode des sieuerbaren Gleichrichtei-s
verbunden ist und dessen Emitter mit einem Bezugspotential verbunden ist und an dessen Basis
ein Steuersignal zuführbar ist, um den Transistor, wenn eine Abschaltung des gesteuerten Gleichrichters
erfolgen soll, in den leitfähigen Zustand zu versetzen, wobei der Transistor von einem solchen
Leitfähigkeitstyp ist, daß er einen Stromfluß von dc:r Steuerelektrode des steuerbaren Gleichrichters zum
Bezugspunkt in der zu dessen Abschaltung notwendigen Polarität bewirkt, gekennzeichnet
durch einen zweiten Transistor (25), der vom
gleichen Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor (31) ist und dessen KoJIektorelektrode mit
der Kollektorelektrode und dessen Emitterelektrode mit der Basis des ersten Transistors (3:1)
verbunden sind; eine in einer dieser Verbindungen enthaltene Diode (27 oder 37), die so gepolt ist, daß
sie einen über die Kollektor-Emitter-Strecke des zweiten Transistors fließenden Strom leiten kann;
einen ersten und einen zweiten Widerstand (29 und 35), die einerseits an eine Klemme (33), der diis
Steuersignal zugeführt wird, und andererseits an die Basis des ersten Transistors (31) bzw. des zweiten
Transistors (25) angeschlossen sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (27) in die Verbindung
der Basiselektrode des ersten Transistors (31) zur Emitterelektrode des zweiten Transistors (25)
eingefügt ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (37) in die Verbindung
der Kollektorelektrode des ersten Transistors (31) zur Kollektorelektrode des zweiten Transistors
(25) eingefügt ist.
Applications Claiming Priority (1)
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Family
ID=25128548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2814021A Expired DE2814021C3 (de) | 1977-03-31 | 1978-03-31 | Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US4117351A (de) |
JP (1) | JPS53123061A (de) |
DE (1) | DE2814021C3 (de) |
FR (1) | FR2386194A1 (de) |
GB (1) | GB1599262A (de) |
IT (1) | IT1093980B (de) |
SE (1) | SE7803444L (de) |
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-
1977
- 1977-03-31 US US05/783,221 patent/US4117351A/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 1978-03-23 GB GB11629/78A patent/GB1599262A/en not_active Expired
- 1978-03-28 SE SE7803444A patent/SE7803444L/xx unknown
- 1978-03-29 IT IT21739/78A patent/IT1093980B/it active
- 1978-03-30 JP JP3743978A patent/JPS53123061A/ja active Pending
- 1978-03-30 FR FR7809369A patent/FR2386194A1/fr active Pending
- 1978-03-31 DE DE2814021A patent/DE2814021C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1093980B (it) | 1985-07-26 |
DE2814021A1 (de) | 1978-10-12 |
JPS53123061A (en) | 1978-10-27 |
FR2386194A1 (fr) | 1978-10-27 |
SE7803444L (sv) | 1978-10-01 |
US4117351A (en) | 1978-09-26 |
IT7821739A0 (it) | 1978-03-29 |
GB1599262A (en) | 1981-09-30 |
DE2814021C3 (de) | 1980-04-10 |
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